Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11098) > Сторінка 151 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIP12117DMP-T1-GE4 SIP12117DMP-T1-GE4 Vishay Siliconix sip12117.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 3A 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz
Voltage - Input (Max): 15V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12117DMP-T1-GE4 SIP12117DMP-T1-GE4 Vishay Siliconix sip12117.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 3A 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz
Voltage - Input (Max): 15V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.11 грн
10+56.54 грн
25+50.36 грн
100+40.87 грн
250+37.83 грн
500+35.99 грн
1000+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU6N80AE-GE3 SIHU6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihu6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS178LDN-T1-GE3 SIS178LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis178ldn.pdf Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.68 грн
10+60.63 грн
100+41.98 грн
500+32.91 грн
1000+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS176LDN-T1-GE3 SIS176LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis176ldn.pdf Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.81 грн
6000+26.66 грн
9000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS176LDN-T1-GE3 SIS176LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis176ldn.pdf Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V
на замовлення 11837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.51 грн
10+69.20 грн
100+45.97 грн
500+33.78 грн
1000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3 SUM70030M-GE3 Vishay Siliconix sum70030m.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.90 грн
10+215.30 грн
100+152.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3 SUM70042E-GE3 Vishay Siliconix sum70042e.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.31 грн
10+196.27 грн
100+137.89 грн
800+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N60EF-GE3 SIHG026N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg026n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7926 pF @ 100 V
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1089.34 грн
10+739.80 грн
100+565.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.70 грн
10+102.54 грн
100+72.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80AEF-GE3 SIHA17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix siha17n80aef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.64 грн
10+175.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_BE3 SQJ488EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj488ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_BE3 SQJ488EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj488ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_BE3 SQJ488EP-T2_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_BE3 SQJ488EP-T2_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_BE3 SQS401EN-T1_BE3 Vishay Siliconix sqs401en.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 61314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.31 грн
10+56.77 грн
100+44.81 грн
500+33.76 грн
1000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_BE3 SQS401EN-T1_BE3 Vishay Siliconix sqs401en.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.14 грн
6000+26.64 грн
9000+25.60 грн
15000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3 SIR680LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir680ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7250 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3 SIR680LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir680ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7250 pF @ 40 V
на замовлення 16481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.45 грн
10+134.07 грн
100+93.87 грн
500+73.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3 SIJ186DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij186dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.18 грн
6000+31.35 грн
9000+29.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3 SIJ186DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij186dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 11016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.48 грн
10+65.11 грн
100+50.63 грн
500+40.28 грн
1000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 SUM40014M-GE3 Vishay Siliconix sum40014m.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.95 грн
1600+121.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 SUM40014M-GE3 Vishay Siliconix sum40014m.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.56 грн
10+204.14 грн
100+155.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR170DP-T1-RE3 SIDR170DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr170dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz256dt.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3 SQ2319ADS-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2319ads.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.97 грн
6000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3 SQ2319ADS-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2319ads.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.71 грн
10+39.40 грн
100+29.44 грн
500+23.58 грн
1000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR890DP-T1-GE3 SIR890DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir890dp.pdf Description: MOSFET N SO-8
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIC639ACD-T1-GE3 SIC639ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic639.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC639ACD-T1-GE3 SIC639ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic639.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Part Status: Active
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.82 грн
10+134.31 грн
25+122.61 грн
100+103.06 грн
250+97.33 грн
500+93.87 грн
1000+89.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC533CD-T1-GE3 SIC533CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic533.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRV 35A PPAK MLP4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 35A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC533CD-T1-GE3 SIC533CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic533.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRV 35A PPAK MLP4
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 35A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.45 грн
10+135.02 грн
25+123.33 грн
100+103.68 грн
250+97.92 грн
500+94.44 грн
1000+90.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq144ae.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+122.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq144ae.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.08 грн
10+207.75 грн
100+167.03 грн
500+128.79 грн
1000+110.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-BE3 SIHFL110TR-BE3 Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-BE3 SIHFL110TR-BE3 Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.21 грн
13+24.38 грн
100+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3 SISHA04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-sisha04dn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3 SISHA04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-sisha04dn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.21 грн
10+57.01 грн
100+43.28 грн
500+33.00 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBF-BE3 IRFBF20PBF-BE3 Vishay Siliconix 91120.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3495EV-T1_GE3 SQ3495EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3495ev.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.19 грн
6000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3495EV-T1_GE3 SQ3495EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3495ev.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.48 грн
12+26.58 грн
100+21.56 грн
500+18.19 грн
1000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_GE3 SQ4153EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4153ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_GE3 SQ4153EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4153ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.41 грн
10+93.26 грн
100+72.50 грн
500+57.67 грн
1000+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-12P-GE3 SUD50N03-12P-GE3 Vishay Siliconix SUD50N03-12P-GE3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB24N80AE-GE3 SIHB24N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihb24n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.77 грн
50+150.15 грн
100+136.34 грн
500+105.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3 SQ2318BES-T1_GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEY-T1-GE4 DG612EEY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEY-T1-GE4 DG612EEY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.89 грн
10+71.79 грн
25+65.08 грн
100+54.09 грн
250+50.77 грн
500+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454FDP-T1-RE3 SI7454FDP-T1-RE3 Vishay Siliconix si7454fdp.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.30 грн
6000+22.60 грн
9000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454FDP-T1-RE3 SI7454FDP-T1-RE3 Vishay Siliconix si7454fdp.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
на замовлення 10375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.11 грн
10+55.44 грн
100+38.46 грн
500+28.73 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3 SQ2310ES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2310es.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.70 грн
6000+22.93 грн
9000+22.00 грн
15000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3 SQ2310ES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2310es.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.44 грн
10+60.71 грн
100+40.08 грн
500+29.30 грн
1000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3 SQ1922AEEH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1922aeeh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.10 грн
6000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3 SQ1922AEEH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1922aeeh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.90 грн
10+32.32 грн
100+20.78 грн
500+14.83 грн
1000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIC638ACD-T1-GE3 SIC638ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic638.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC638ACD-T1-GE3 SIC638ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic638.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Part Status: Active
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.22 грн
10+120.31 грн
25+109.87 грн
100+92.35 грн
250+87.21 грн
500+84.11 грн
1000+80.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISH402DN-T1-GE3 SISH402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish402dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH402DN-T1-GE3 SISH402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish402dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.59 грн
10+53.00 грн
100+39.58 грн
500+32.73 грн
1000+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEQ-T1-GE3 DG612EEQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg611e.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12117DMP-T1-GE4 sip12117.pdf
SIP12117DMP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ 3A 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz
Voltage - Input (Max): 15V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12117DMP-T1-GE4 sip12117.pdf
SIP12117DMP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ 3A 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz
Voltage - Input (Max): 15V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.11 грн
10+56.54 грн
25+50.36 грн
100+40.87 грн
250+37.83 грн
500+35.99 грн
1000+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU6N80AE-GE3 sihu6n80ae.pdf
SIHU6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS178LDN-T1-GE3 sis178ldn.pdf
SIS178LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.68 грн
10+60.63 грн
100+41.98 грн
500+32.91 грн
1000+28.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS176LDN-T1-GE3 sis176ldn.pdf
SIS176LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.81 грн
6000+26.66 грн
9000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS176LDN-T1-GE3 sis176ldn.pdf
SIS176LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V
на замовлення 11837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.51 грн
10+69.20 грн
100+45.97 грн
500+33.78 грн
1000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3 sum70030m.pdf
SUM70030M-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.90 грн
10+215.30 грн
100+152.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3 sum70042e.pdf
SUM70042E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.31 грн
10+196.27 грн
100+137.89 грн
800+100.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N60EF-GE3 sihg026n60ef.pdf
SIHG026N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7926 pF @ 100 V
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1089.34 грн
10+739.80 грн
100+565.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.70 грн
10+102.54 грн
100+72.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80AEF-GE3 siha17n80aef.pdf
SIHA17N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.64 грн
10+175.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_BE3 sqj488ep.pdf
SQJ488EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_BE3 sqj488ep.pdf
SQJ488EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_BE3
SQJ488EP-T2_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_BE3
SQJ488EP-T2_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_BE3 sqs401en.pdf
SQS401EN-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 61314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.31 грн
10+56.77 грн
100+44.81 грн
500+33.76 грн
1000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_BE3 sqs401en.pdf
SQS401EN-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.14 грн
6000+26.64 грн
9000+25.60 грн
15000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3 sir680ldp.pdf
SIR680LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7250 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+66.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3 sir680ldp.pdf
SIR680LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7250 pF @ 40 V
на замовлення 16481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.45 грн
10+134.07 грн
100+93.87 грн
500+73.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3 sij186dp.pdf
SIJ186DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.18 грн
6000+31.35 грн
9000+29.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3 sij186dp.pdf
SIJ186DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 11016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.48 грн
10+65.11 грн
100+50.63 грн
500+40.28 грн
1000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 sum40014m.pdf
SUM40014M-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+126.95 грн
1600+121.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 sum40014m.pdf
SUM40014M-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.56 грн
10+204.14 грн
100+155.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR170DP-T1-RE3 sidr170dp.pdf
SIDR170DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+73.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 siz256dt.pdf
SIZ256DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3 sq2319ads.pdf
SQ2319ADS-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.97 грн
6000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3 sq2319ads.pdf
SQ2319ADS-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.71 грн
10+39.40 грн
100+29.44 грн
500+23.58 грн
1000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR890DP-T1-GE3 sir890dp.pdf
SIR890DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N SO-8
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIC639ACD-T1-GE3 sic639.pdf
SIC639ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC639ACD-T1-GE3 sic639.pdf
SIC639ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Part Status: Active
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.82 грн
10+134.31 грн
25+122.61 грн
100+103.06 грн
250+97.33 грн
500+93.87 грн
1000+89.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC533CD-T1-GE3 sic533.pdf
SIC533CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRV 35A PPAK MLP4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 35A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC533CD-T1-GE3 sic533.pdf
SIC533CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRV 35A PPAK MLP4
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP4535-22L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 35A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP4535-22L
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.45 грн
10+135.02 грн
25+123.33 грн
100+103.68 грн
250+97.92 грн
500+94.44 грн
1000+90.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3 sqjq144ae.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+122.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ144AE-T1_GE3 sqjq144ae.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 575A PPAK 8 X 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.08 грн
10+207.75 грн
100+167.03 грн
500+128.79 грн
1000+110.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-BE3 sihfl110.pdf
SIHFL110TR-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL110TR-BE3 sihfl110.pdf
SIHFL110TR-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.21 грн
13+24.38 грн
100+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3 tf-sisha04dn-t1-ge3.pdf
SISHA04DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3 tf-sisha04dn-t1-ge3.pdf
SISHA04DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.21 грн
10+57.01 грн
100+43.28 грн
500+33.00 грн
1000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBF-BE3 91120.pdf
IRFBF20PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3495EV-T1_GE3 sq3495ev.pdf
SQ3495EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.19 грн
6000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3495EV-T1_GE3 sq3495ev.pdf
SQ3495EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.48 грн
12+26.58 грн
100+21.56 грн
500+18.19 грн
1000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_GE3 sq4153ey.pdf
SQ4153EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_GE3 sq4153ey.pdf
SQ4153EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.41 грн
10+93.26 грн
100+72.50 грн
500+57.67 грн
1000+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-12P-GE3 SUD50N03-12P-GE3.pdf
SUD50N03-12P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB24N80AE-GE3 sihb24n80ae.pdf
SIHB24N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.77 грн
50+150.15 грн
100+136.34 грн
500+105.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3
SQ2318BES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEY-T1-GE4 dg611e.pdf
DG612EEY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEY-T1-GE4 dg611e.pdf
DG612EEY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX4 115OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 1GHz
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 5V
Charge Injection: 1.4pC
Crosstalk: -74dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.89 грн
10+71.79 грн
25+65.08 грн
100+54.09 грн
250+50.77 грн
500+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454FDP-T1-RE3 si7454fdp.pdf
SI7454FDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.30 грн
6000+22.60 грн
9000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454FDP-T1-RE3 si7454fdp.pdf
SI7454FDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V
на замовлення 10375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.11 грн
10+55.44 грн
100+38.46 грн
500+28.73 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3 sq2310es.pdf
SQ2310ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.70 грн
6000+22.93 грн
9000+22.00 грн
15000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3 sq2310es.pdf
SQ2310ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.44 грн
10+60.71 грн
100+40.08 грн
500+29.30 грн
1000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3 sq1922aeeh.pdf
SQ1922AEEH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.10 грн
6000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922AEEH-T1_GE3 sq1922aeeh.pdf
SQ1922AEEH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.90 грн
10+32.32 грн
100+20.78 грн
500+14.83 грн
1000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIC638ACD-T1-GE3 sic638.pdf
SIC638ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC638ACD-T1-GE3 sic638.pdf
SIC638ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Part Status: Active
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.22 грн
10+120.31 грн
25+109.87 грн
100+92.35 грн
250+87.21 грн
500+84.11 грн
1000+80.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISH402DN-T1-GE3 sish402dn.pdf
SISH402DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH402DN-T1-GE3 sish402dn.pdf
SISH402DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.59 грн
10+53.00 грн
100+39.58 грн
500+32.73 грн
1000+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG612EEQ-T1-GE3 dg611e.pdf
DG612EEQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]