Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11817) > Сторінка 149 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SUD50P10-43L-BE3 SUD50P10-43L-BE3 Vishay Siliconix sud50p10-43l-ge3.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3 SUD50P10-43L-BE3 Vishay Siliconix sud50p10-43l-ge3.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.67 грн
10+140.70 грн
100+97.89 грн
500+78.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3 SUP60020E-GE3 Vishay Siliconix sup60020e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.30 грн
50+136.30 грн
100+123.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-RE3 SIRA18DP-T1-RE3 Vishay Siliconix doc?62574 Description: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ164ELP-T1_GE3 SQJ164ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj164elp.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ164ELP-T1_GE3 SQJ164ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj164elp.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.55 грн
10+74.66 грн
100+50.01 грн
500+37.00 грн
1000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138ELP-T1_GE3 SQJ138ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj138elp.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.14 грн
6000+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138ELP-T1_GE3 SQJ138ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj138elp.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.83 грн
10+92.67 грн
100+62.75 грн
500+46.86 грн
1000+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ123ELP-T1_GE3 SQJ123ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj123elp.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ123ELP-T1_GE3 SQJ123ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj123elp.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.12 грн
10+107.42 грн
100+86.35 грн
500+66.58 грн
1000+55.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 SUP10250E-GE3 Vishay Siliconix sup10250e.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3 SIS890ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis890adn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.87 грн
6000+24.02 грн
9000+23.07 грн
15000+20.66 грн
21000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3 SIS890ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis890adn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 62280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.91 грн
10+62.41 грн
100+41.47 грн
500+30.46 грн
1000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC453ED-T1-GE3 SIC453ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic450_sic451_sic453.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP34-57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 34-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 15A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 20V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP34-57
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.3V
Part Status: Active
на замовлення 5099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.94 грн
10+241.84 грн
25+222.79 грн
100+189.46 грн
250+180.12 грн
500+174.48 грн
1000+167.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA82EP-T1_GE3 SQJA82EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja82ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA82EP-T1_GE3 SQJA82EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja82ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 13956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3 SQJQ410EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq410el.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3 SQJQ410EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq410el.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.32 грн
10+170.96 грн
100+138.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-BE3 SI2304DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2304dds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-BE3 SI2304DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2304dds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.28 грн
13+23.45 грн
100+14.93 грн
500+10.55 грн
1000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA37EP-T1_GE3 SQJA37EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja37ep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA37EP-T1_GE3 SQJA37EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja37ep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.06 грн
10+48.94 грн
100+38.04 грн
500+30.26 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 SQJQ910EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq910el.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+84.54 грн
6000+78.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 SQJQ910EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq910el.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.75 грн
10+149.93 грн
100+119.36 грн
500+94.78 грн
1000+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS38N60L-GE3 SIHFPS38N60L-GE3 Vishay Siliconix sihfps38n60l.pdf Description: POWER MOSFET SUPER-247, 150 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ136ELP-T1_GE3 SQJ136ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj136elp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8015 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3 SUM70030M-GE3 Vishay Siliconix sum70030m.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.52 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ690N60E-T1-GE3 SIHJ690N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihj690n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ690N60E-T1-GE3 SIHJ690N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihj690n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3 SUP90100E-GE3 Vishay Siliconix sup90100e.pdf Description: N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 100 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR616DP-T1-GE3 SiR616DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir616dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.50 грн
6000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR616DP-T1-GE3 SiR616DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir616dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.48 грн
10+70.58 грн
100+51.96 грн
500+41.55 грн
1000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190ADP-T1-RE3 SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix vis-si7190adp-t1-re3.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50DP-T1-RE3 SIRA50DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira50dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8445 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N60K-GE3 SIHFPS40N60K-GE3 Vishay Siliconix sihfps40n60k.pdf Description: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+598.60 грн
30+336.10 грн
120+283.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA64DP-T1-RE3 SIRA64DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira64dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss76ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss76ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.12 грн
10+64.00 грн
100+51.43 грн
500+41.66 грн
1000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA105N60EF-GE3 SIHA105N60EF-GE3 Vishay Siliconix siha105n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.79 грн
50+174.20 грн
100+158.55 грн
500+123.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 SIHB105N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb105n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.93 грн
50+169.96 грн
100+154.62 грн
500+119.89 грн
1000+111.79 грн
2000+104.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG105N60EF-GE3 SIHG105N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg105n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.14 грн
10+238.97 грн
100+170.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3 SQJQ148ER-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq148er.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3 SQJQ148ER-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq148er.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.74 грн
10+145.92 грн
100+101.60 грн
500+82.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHS90N65E-GE3 SIHS90N65E-GE3 Vishay Siliconix sihs90n65e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 591 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11826 pF @ 100 V
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1352.73 грн
30+819.73 грн
120+739.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 SISS54DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss54dn.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 SISS54DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss54dn.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.75 грн
10+109.69 грн
100+74.95 грн
500+56.38 грн
1000+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AEF-GE3 SIHP15N80AEF-GE3 Vishay Siliconix sihp15n80aef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.53 грн
50+107.02 грн
100+96.69 грн
500+73.73 грн
1000+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3 SIA929DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia929dj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3 SIA929DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia929dj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.20 грн
10+46.30 грн
100+30.36 грн
500+22.08 грн
1000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF-BE3 IRFZ20PBF-BE3 Vishay Siliconix irfz20.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.89 грн
50+90.31 грн
100+81.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3461EV-T1_GE3 SQ3461EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3461ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3461EV-T1_GE3 SQ3461EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3461ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.84 грн
10+49.02 грн
100+34.10 грн
500+24.84 грн
1000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB053N60E-GE3 SIHB053N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb053n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3722 pF @ 100 V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.69 грн
25+281.19 грн
100+234.37 грн
500+184.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-BE3 SI1302DL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1302dl.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-BE3 SI1302DL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1302dl.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.28 грн
11+29.65 грн
100+19.06 грн
500+13.58 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540PBF Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 100V TO-220AB
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50D-BE3 SIHD3N50D-BE3 Vishay Siliconix sihd3n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12117DMP-T1-GE4 SIP12117DMP-T1-GE4 Vishay Siliconix sip12117.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 3A 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz
Voltage - Input (Max): 15V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12117DMP-T1-GE4 SIP12117DMP-T1-GE4 Vishay Siliconix sip12117.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 3A 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz
Voltage - Input (Max): 15V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.91 грн
10+54.39 грн
25+48.44 грн
100+39.32 грн
250+36.39 грн
500+34.63 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU6N80AE-GE3 SIHU6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihu6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3 sud50p10-43l-ge3.pdf
SUD50P10-43L-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3 sud50p10-43l-ge3.pdf
SUD50P10-43L-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+224.67 грн
10+140.70 грн
100+97.89 грн
500+78.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3 sup60020e.pdf
SUP60020E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+277.30 грн
50+136.30 грн
100+123.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-RE3 doc?62574
SIRA18DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ164ELP-T1_GE3 sqj164elp.pdf
SQJ164ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ164ELP-T1_GE3 sqj164elp.pdf
SQJ164ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+122.55 грн
10+74.66 грн
100+50.01 грн
500+37.00 грн
1000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138ELP-T1_GE3 sqj138elp.pdf
SQJ138ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+42.14 грн
6000+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ138ELP-T1_GE3 sqj138elp.pdf
SQJ138ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6685 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+150.83 грн
10+92.67 грн
100+62.75 грн
500+46.86 грн
1000+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ123ELP-T1_GE3 sqj123elp.pdf
SQJ123ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ123ELP-T1_GE3 sqj123elp.pdf
SQJ123ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11680 pF @ 6 V
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.12 грн
10+107.42 грн
100+86.35 грн
500+66.58 грн
1000+55.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 sup10250e.pdf
SUP10250E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3 sis890adn.pdf
SIS890ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+26.87 грн
6000+24.02 грн
9000+23.07 грн
15000+20.66 грн
21000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3 sis890adn.pdf
SIS890ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 62280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+102.91 грн
10+62.41 грн
100+41.47 грн
500+30.46 грн
1000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC453ED-T1-GE3 sic450_sic451_sic453.pdf
SIC453ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP34-57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 34-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 15A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 20V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP34-57
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.3V
Part Status: Active
на замовлення 5099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+329.94 грн
10+241.84 грн
25+222.79 грн
100+189.46 грн
250+180.12 грн
500+174.48 грн
1000+167.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA82EP-T1_GE3 sqja82ep.pdf
SQJA82EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA82EP-T1_GE3 sqja82ep.pdf
SQJA82EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 13956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3 sqjq410el.pdf
SQJQ410EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3 sqjq410el.pdf
SQJQ410EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+211.32 грн
10+170.96 грн
100+138.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-BE3 si2304dds.pdf
SI2304DDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-BE3 si2304dds.pdf
SI2304DDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+39.28 грн
13+23.45 грн
100+14.93 грн
500+10.55 грн
1000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA37EP-T1_GE3 sqja37ep.pdf
SQJA37EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA37EP-T1_GE3 sqja37ep.pdf
SQJA37EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+62.06 грн
10+48.94 грн
100+38.04 грн
500+30.26 грн
1000+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 sqjq910el.pdf
SQJQ910EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+84.54 грн
6000+78.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 sqjq910el.pdf
SQJQ910EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+187.75 грн
10+149.93 грн
100+119.36 грн
500+94.78 грн
1000+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS38N60L-GE3 sihfps38n60l.pdf
SIHFPS38N60L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 150 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ136ELP-T1_GE3 sqj136elp.pdf
SQJ136ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8015 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+49.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3 sum70030m.pdf
SUM70030M-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+117.52 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ690N60E-T1-GE3 sihj690n60e.pdf
SIHJ690N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ690N60E-T1-GE3 sihj690n60e.pdf
SIHJ690N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3 sup90100e.pdf
SUP90100E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 100 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+252.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR616DP-T1-GE3 sir616dp.pdf
SiR616DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+37.50 грн
6000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR616DP-T1-GE3 sir616dp.pdf
SiR616DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+126.48 грн
10+70.58 грн
100+51.96 грн
500+41.55 грн
1000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190ADP-T1-RE3 vis-si7190adp-t1-re3.pdf
SI7190ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50DP-T1-RE3 sira50dp.pdf
SIRA50DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8445 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N60K-GE3 sihfps40n60k.pdf
SIHFPS40N60K-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+598.60 грн
30+336.10 грн
120+283.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA64DP-T1-RE3 sira64dp.pdf
SIRA64DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 siss76ldn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 siss76ldn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.12 грн
10+64.00 грн
100+51.43 грн
500+41.66 грн
1000+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA105N60EF-GE3 siha105n60ef.pdf
SIHA105N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+348.79 грн
50+174.20 грн
100+158.55 грн
500+123.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 sihb105n60ef.pdf
SIHB105N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+340.93 грн
50+169.96 грн
100+154.62 грн
500+119.89 грн
1000+111.79 грн
2000+104.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG105N60EF-GE3 sihg105n60ef.pdf
SIHG105N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+373.14 грн
10+238.97 грн
100+170.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3 sqjq148er.pdf
SQJQ148ER-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3 sqjq148er.pdf
SQJQ148ER-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+231.74 грн
10+145.92 грн
100+101.60 грн
500+82.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHS90N65E-GE3 sihs90n65e.pdf
SIHS90N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 591 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11826 pF @ 100 V
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1352.73 грн
30+819.73 грн
120+739.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 siss54dn.pdf
SISS54DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 siss54dn.pdf
SISS54DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+176.75 грн
10+109.69 грн
100+74.95 грн
500+56.38 грн
1000+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AEF-GE3 sihp15n80aef.pdf
SIHP15N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+221.53 грн
50+107.02 грн
100+96.69 грн
500+73.73 грн
1000+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3 sia929dj.pdf
SIA929DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3 sia929dj.pdf
SIA929DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+76.20 грн
10+46.30 грн
100+30.36 грн
500+22.08 грн
1000+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF-BE3 irfz20.pdf
IRFZ20PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+190.89 грн
50+90.31 грн
100+81.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3461EV-T1_GE3 sq3461ev.pdf
SQ3461EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3461EV-T1_GE3 sq3461ev.pdf
SQ3461EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+73.84 грн
10+49.02 грн
100+34.10 грн
500+24.84 грн
1000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB053N60E-GE3 sihb053n60e.pdf
SIHB053N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3722 pF @ 100 V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+495.69 грн
25+281.19 грн
100+234.37 грн
500+184.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-BE3 si1302dl.pdf
SI1302DL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-BE3 si1302dl.pdf
SI1302DL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+50.28 грн
11+29.65 грн
100+19.06 грн
500+13.58 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V TO-220AB
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50D-BE3 sihd3n50d.pdf
SIHD3N50D-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12117DMP-T1-GE4 sip12117.pdf
SIP12117DMP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ 3A 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz
Voltage - Input (Max): 15V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12117DMP-T1-GE4 sip12117.pdf
SIP12117DMP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ 3A 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz
Voltage - Input (Max): 15V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+80.91 грн
10+54.39 грн
25+48.44 грн
100+39.32 грн
250+36.39 грн
500+34.63 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU6N80AE-GE3 sihu6n80ae.pdf
SIHU6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]