Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11817) > Сторінка 27 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 38 57 76 95 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SUM18N25-165-E3 SUM18N25-165-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM23N15-73-E3 SUM23N15-73-E3 Vishay Siliconix doc?72143 Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM27N20-78-E3 SUM27N20-78-E3 Vishay Siliconix sum27n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM33N20-60P-E3 SUM33N20-60P-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 33A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM36N20-54P-E3 SUM36N20-54P-E3 Vishay Siliconix sum36n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N10-30-E3 SUM40N10-30-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N15-38-E3 SUM40N15-38-E3 Vishay Siliconix sum40n15.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3 SUM45N25-58-E3 Vishay Siliconix sum45n25.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM47N10-24L-E3 SUM47N10-24L-E3 Vishay Siliconix sum47n10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM52N20-39P-E3 SUM52N20-39P-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3 SUM55P06-19L-E3 Vishay Siliconix sum55p06.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 Vishay Siliconix 72070.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3 SUM65N20-30-E3 Vishay Siliconix 71702.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+170.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM75N06-09L-E3 SUM75N06-09L-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3 SUM85N15-19-E3 Vishay Siliconix 71703.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.71 грн
10+329.67 грн
100+266.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P-E3 SUM90N03-2M2P-E3 Vishay Siliconix sum90n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.94 грн
10+188.74 грн
100+133.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Vishay Siliconix sum90p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+138.22 грн
1600+132.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0201K-T1-E3 TN0201K-T1-E3 Vishay Siliconix tn0201k.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 420MA SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2404K-T1-E3 TN2404K-T1-E3 Vishay Siliconix tn2404k.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.73 грн
6000+21.17 грн
9000+20.31 грн
15000+18.16 грн
21000+17.62 грн
30000+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0202K-T1-E3 TP0202K-T1-E3 Vishay Siliconix 71609.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610KL-TR1-E3 TP0610KL-TR1-E3 Vishay Siliconix 72712.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 270MA TO226AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-226AA (TO-92)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-E3 TP0610K-T1-E3 Vishay Siliconix tp0610k.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 540000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.19 грн
6000+9.86 грн
9000+9.39 грн
15000+8.33 грн
21000+8.04 грн
30000+7.75 грн
75000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-E3 SI1012R-T1-E3 Vishay Siliconix si1012rx.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-E3 SI1012X-T1-E3 Vishay Siliconix si1012rx.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-E3 SI1013R-T1-E3 Vishay Siliconix 71167.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-E3 SI1013X-T1-E3 Vishay Siliconix 71167.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-E3 SI1016X-T1-E3 Vishay Siliconix si1016x.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-E3 SI1021R-T1-E3 Vishay Siliconix 71410.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-E3 SI1022R-T1-E3 Vishay Siliconix 71331.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1-E3 SI1023X-T1-E3 Vishay Siliconix 71169.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-E3 SI1024X-T1-E3 Vishay Siliconix 71170.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-E3 SI1025X-T1-E3 Vishay Siliconix 71433.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-E3 SI1026X-T1-E3 Vishay Siliconix si1026x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-E3 SI1029X-T1-E3 Vishay Siliconix 71435.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-E3 SI1031R-T1-E3 Vishay Siliconix si1031r.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-E3 SI1032R-T1-E3 Vishay Siliconix si1032r.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-E3 SI1032X-T1-E3 Vishay Siliconix si1032r.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-E3 SI1033X-T1-E3 Vishay Siliconix 71428.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-E3 SI1034X-T1-E3 Vishay Siliconix 71427.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-E3 SI1035X-T1-E3 Vishay Siliconix 71426.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-E3 SI1039X-T1-E3 Vishay Siliconix 70682.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-E3 SI1040X-T1-E3 Vishay Siliconix alucapsreach.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 430mA
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Rds On (Typ): 500mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-E3 SI1050X-T1-E3 Vishay Siliconix si1050x.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065X-T1-E3 SI1065X-T1-E3 Vishay Siliconix si1065x.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1067X-T1-E3 SI1067X-T1-E3 Vishay Siliconix si1067x.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-E3 SI1070X-T1-E3 Vishay Siliconix si1070x.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1072X-T1-E3 SI1072X-T1-E3 Vishay Siliconix si1072x.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-E3 SI1300BDL-T1-E3 Vishay Siliconix si1300bd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-E3 SI1302DL-T1-E3 Vishay Siliconix si1302dl.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 61640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.85 грн
13+24.81 грн
100+17.25 грн
500+12.64 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303DL-T1-E3 SI1303DL-T1-E3 Vishay Siliconix 71075.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL-T1-E3 SI1304BDL-T1-E3 Vishay Siliconix si1304bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305DL-T1-E3 SI1305DL-T1-E3 Vishay Siliconix 71076.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305EDL-T1-E3 SI1305EDL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1305ED.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-E3 SI1307EDL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1307ED.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-E3 SI1330EDL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1330ED.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
на замовлення 25734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.35 грн
10+34.12 грн
100+22.03 грн
500+15.78 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1-E3 SI1400DL-T1-E3 Vishay Siliconix si1400dl.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6
на замовлення 6432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-E3 SI1403BDL-T1-E3 Vishay Siliconix si1403bdl.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.63 грн
10+31.54 грн
100+20.36 грн
500+14.58 грн
1000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1410EDH-T1-E3 SI1410EDH-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-E3 SI1411DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1411DH.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 0.42A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413EDH-T1-E3 SI1413EDH-T1-E3 Vishay Siliconix si1413ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 100µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM18N25-165-E3
SUM18N25-165-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 18A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM23N15-73-E3 doc?72143
SUM23N15-73-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 23A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM27N20-78-E3 sum27n20.pdf
SUM27N20-78-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM33N20-60P-E3
SUM33N20-60P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 33A TO263
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM36N20-54P-E3 sum36n20.pdf
SUM36N20-54P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N10-30-E3
SUM40N10-30-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40N15-38-E3 sum40n15.pdf
SUM40N15-38-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM45N25-58-E3 sum45n25.pdf
SUM45N25-58-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM47N10-24L-E3 sum47n10.pdf
SUM47N10-24L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 136W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM52N20-39P-E3
SUM52N20-39P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.12W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM55P06-19L-E3 sum55p06.pdf
SUM55P06-19L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 72070.pdf
SUM60N10-17-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3 71702.pdf
SUM65N20-30-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+170.05 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM75N06-09L-E3
SUM75N06-09L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N15-19-E3 71703.pdf
SUM85N15-19-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+407.71 грн
10+329.67 грн
100+266.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P-E3 sum90n03.pdf
SUM90N03-2M2P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+296.94 грн
10+188.74 грн
100+133.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 sum90p10.pdf
SUM90P10-19L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+138.22 грн
1600+132.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN0201K-T1-E3 tn0201k.pdf
TN0201K-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 420MA SOT23-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TN2404K-T1-E3 tn2404k.pdf
TN2404K-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+23.73 грн
6000+21.17 грн
9000+20.31 грн
15000+18.16 грн
21000+17.62 грн
30000+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0202K-T1-E3 71609.pdf
TP0202K-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610KL-TR1-E3 72712.pdf
TP0610KL-TR1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 270MA TO226AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-226AA (TO-92)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-E3 tp0610k.pdf
TP0610K-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 540000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.19 грн
6000+9.86 грн
9000+9.39 грн
15000+8.33 грн
21000+8.04 грн
30000+7.75 грн
75000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-E3 si1012rx.pdf
SI1012R-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-E3 si1012rx.pdf
SI1012X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-E3 71167.pdf
SI1013R-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-E3 71167.pdf
SI1013X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-E3 si1016x.pdf
SI1016X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-E3 71410.pdf
SI1021R-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-E3 71331.pdf
SI1022R-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1-E3 71169.pdf
SI1023X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-E3 71170.pdf
SI1024X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-E3 71433.pdf
SI1025X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-E3 si1026x.pdf
SI1026X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-E3 71435.pdf
SI1029X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-E3 si1031r.pdf
SI1031R-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-E3 si1032r.pdf
SI1032R-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-E3 si1032r.pdf
SI1032X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1033X-T1-E3 71428.pdf
SI1033X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1034X-T1-E3 71427.pdf
SI1034X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-E3 71426.pdf
SI1035X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1039X-T1-E3 70682.pdf
SI1039X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-E3 alucapsreach.pdf
SI1040X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Ratio - Input:Output: 1:1
Current - Output (Max): 430mA
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Rds On (Typ): 500mOhm
Output Configuration: High Side
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Switch Type: General Purpose
Interface: On/Off
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: P-Channel
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-E3 si1050x.pdf
SI1050X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1065X-T1-E3 si1065x.pdf
SI1065X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1067X-T1-E3 si1067x.pdf
SI1067X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-E3 si1070x.pdf
SI1070X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1072X-T1-E3 si1072x.pdf
SI1072X-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-E3 si1300bd.pdf
SI1300BDL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-E3 si1302dl.pdf
SI1302DL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 61640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+29.85 грн
13+24.81 грн
100+17.25 грн
500+12.64 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1303DL-T1-E3 71075.pdf
SI1303DL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL-T1-E3 si1304bd.pdf
SI1304BDL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305DL-T1-E3 71076.pdf
SI1305DL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305EDL-T1-E3 SI1305ED.pdf
SI1305EDL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-E3 SI1307ED.pdf
SI1307EDL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1330EDL-T1-E3 SI1330ED.pdf
SI1330EDL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
на замовлення 25734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.35 грн
10+34.12 грн
100+22.03 грн
500+15.78 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1-E3 si1400dl.pdf
SI1400DL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6
на замовлення 6432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-E3 si1403bdl.pdf
SI1403BDL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+52.63 грн
10+31.54 грн
100+20.36 грн
500+14.58 грн
1000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1410EDH-T1-E3
SI1410EDH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-E3 SI1411DH.pdf
SI1411DH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 0.42A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413EDH-T1-E3 si1413ed.pdf
SI1413EDH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 100µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 38 57 76 95 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]