Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11085) > Сторінка 29 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 54 72 90 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3441BDV-T1-E3 SI3441BDV-T1-E3 Vishay Siliconix 72028.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3 SI3442BDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3442bd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
на замовлення 24567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.33 грн
10+43.69 грн
100+28.45 грн
500+20.54 грн
1000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 SI3443BDV-T1-E3 Vishay Siliconix 72749.pdf description Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
на замовлення 5652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.90 грн
10+47.49 грн
100+31.08 грн
500+22.52 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3446ADV-T1-E3 SI3446ADV-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3447BDV-T1-E3 SI3447BDV-T1-E3 Vishay Siliconix 72020.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3451DV-T1-E3 SI3451DV-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3454ADV-T1-E3 SI3454ADV-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3455ADV-T1-E3 SI3455ADV-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456BDV-T1-E3 SI3456BDV-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457BDV-T1-E3 SI3457BDV-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458DV-T1-E3 SI3458DV-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459DV-T1-E3 SI3459DV-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460BDV-T1-E3 SI3460BDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3460bd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.63 грн
10+59.91 грн
100+39.56 грн
500+28.92 грн
1000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3465DV-T1-E3 SI3465DV-T1-E3 Vishay Siliconix 72787.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-E3 SI3469DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3469dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 11069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.90 грн
10+47.49 грн
100+31.03 грн
500+22.48 грн
1000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473DV-T1-E3 SI3473DV-T1-E3 Vishay Siliconix 71937.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3481DV-T1-E3 SI3481DV-T1-E3 Vishay Siliconix 72105.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DV-T1-E3 SI3483DV-T1-E3 Vishay Siliconix 72078.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3 SI3493BDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3493bdv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
на замовлення 26691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.70 грн
10+59.52 грн
100+42.86 грн
500+31.74 грн
1000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3495DV-T1-E3 SI3495DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3495dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-E3 SI3499DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3499dv.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3552dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 6588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.05 грн
10+55.56 грн
100+36.58 грн
500+26.67 грн
1000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585DV-T1-E3 SI3585DV-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3586DV-T1-E3 SI3586DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3586dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T1-E3 SI3588DV-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW, 83mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3 SI3590DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3590dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 14340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.10 грн
10+61.66 грн
100+40.74 грн
500+29.79 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3812DV-T1-E3 SI3812DV-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3850ADV-T1-E3 SI3850ADV-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.08W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 960mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3861BDV-T1-E3 SI3861BDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3861bd.pdf Description: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865BDV-T1-E3 SI3865BDV-T1-E3 Vishay Siliconix 72848.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 2.9A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3867DV-T1-E3 SI3867DV-T1-E3 Vishay Siliconix 72608.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3900DV-T1-E3 SI3900DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3900dv.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 34004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.94 грн
10+52.79 грн
100+34.67 грн
500+25.22 грн
1000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3911DV-T1-E3 SI3911DV-T1-E3 Vishay Siliconix 71380.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3948DV-T1-E3 SI3948DV-T1-E3 Vishay Siliconix 70969.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3951DV-T1-E3 SI3951DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3951dv.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3981DV-T1-E3 SI3981DV-T1-E3 Vishay Siliconix 72502.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3983DV-T1-E3 SI3983DV-T1-E3 Vishay Siliconix 72316.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3993DV-T1-E3 SI3993DV-T1-E3 Vishay Siliconix 72320.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
на замовлення 4237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4322DY-T1-E3 SI4322DY-T1-E3 Vishay Siliconix 73860.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4330DY-T1-E3 SI4330DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4330dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4336DY-T1-E3 SI4336DY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4336DY.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4340DY-T1-E3 SI4340DY-T1-E3 Vishay Siliconix 72376723.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4346DY-T1-E3 SI4346DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4346dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.9A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4348DY-T1-E3 SI4348DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4348dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3 SI4368DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4368dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 15 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DY-T1-E3 SI4378DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4378dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4384DY-T1-E3 SI4384DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4384dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3 SI4386DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4386dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.37 грн
10+94.98 грн
100+69.94 грн
500+52.53 грн
1000+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4388DY-T1-E3 SI4388DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4388dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-E3 SI4396DY-T1-E3 Vishay Siliconix 74252.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY-T1-E3 SI4398DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4398dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4401bd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 10685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.35 грн
10+148.95 грн
100+103.22 грн
500+78.52 грн
1000+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Si4403BDY-T1-E3 Si4403BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4403bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4408DY-T1-E3 Si4408DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4408dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
на замовлення 5832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.55 грн
10+160.35 грн
100+127.63 грн
500+101.35 грн
1000+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADY-T1-E3 SI4413ADY-T1-E3 Vishay Siliconix si4413ad.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.45 грн
10+127.74 грн
100+101.69 грн
500+80.75 грн
1000+68.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4418DY-T1-E3 SI4418DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4418dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3 SI4420BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4420bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 6066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.08 грн
10+50.18 грн
100+34.79 грн
500+26.12 грн
1000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3 SI4421DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4421dy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
на замовлення 8798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.68 грн
10+156.95 грн
100+108.90 грн
500+82.90 грн
1000+76.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3 SI4423DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4423dy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.59 грн
10+138.51 грн
100+100.01 грн
500+77.92 грн
1000+73.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4425bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.90 грн
10+85.08 грн
100+57.16 грн
500+42.44 грн
1000+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3441BDV-T1-E3 72028.pdf
SI3441BDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3 si3442bd.pdf
SI3442BDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
на замовлення 24567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.33 грн
10+43.69 грн
100+28.45 грн
500+20.54 грн
1000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 description 72749.pdf
SI3443BDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
на замовлення 5652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.90 грн
10+47.49 грн
100+31.08 грн
500+22.52 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3446ADV-T1-E3
SI3446ADV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3447BDV-T1-E3 72020.pdf
SI3447BDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3451DV-T1-E3
SI3451DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3454ADV-T1-E3
SI3454ADV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3455ADV-T1-E3
SI3455ADV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456BDV-T1-E3
SI3456BDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457BDV-T1-E3
SI3457BDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458DV-T1-E3
SI3458DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459DV-T1-E3
SI3459DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460BDV-T1-E3 si3460bd.pdf
SI3460BDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.63 грн
10+59.91 грн
100+39.56 грн
500+28.92 грн
1000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3465DV-T1-E3 72787.pdf
SI3465DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-E3 si3469dv.pdf
SI3469DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 11069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.90 грн
10+47.49 грн
100+31.03 грн
500+22.48 грн
1000+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473DV-T1-E3 71937.pdf
SI3473DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3481DV-T1-E3 72105.pdf
SI3481DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DV-T1-E3 72078.pdf
SI3483DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3 si3493bdv.pdf
SI3493BDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
на замовлення 26691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.70 грн
10+59.52 грн
100+42.86 грн
500+31.74 грн
1000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3495DV-T1-E3 si3495dv.pdf
SI3495DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-E3 si3499dv.pdf
SI3499DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3 si3552dv.pdf
SI3552DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 6588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.05 грн
10+55.56 грн
100+36.58 грн
500+26.67 грн
1000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585DV-T1-E3
SI3585DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3586DV-T1-E3 si3586dv.pdf
SI3586DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T1-E3
SI3588DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW, 83mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3 si3590dv.pdf
SI3590DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 14340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.10 грн
10+61.66 грн
100+40.74 грн
500+29.79 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3812DV-T1-E3
SI3812DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3850ADV-T1-E3
SI3850ADV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.08W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 960mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3861BDV-T1-E3 si3861bd.pdf
SI3861BDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865BDV-T1-E3 72848.pdf
SI3865BDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 2.9A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3867DV-T1-E3 72608.pdf
SI3867DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3900DV-T1-E3 si3900dv.pdf
SI3900DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 34004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.94 грн
10+52.79 грн
100+34.67 грн
500+25.22 грн
1000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3911DV-T1-E3 71380.pdf
SI3911DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3948DV-T1-E3 70969.pdf
SI3948DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3951DV-T1-E3 si3951dv.pdf
SI3951DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3981DV-T1-E3 72502.pdf
SI3981DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3983DV-T1-E3 72316.pdf
SI3983DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3993DV-T1-E3 72320.pdf
SI3993DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
на замовлення 4237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4322DY-T1-E3 73860.pdf
SI4322DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4330DY-T1-E3 si4330dy.pdf
SI4330DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4336DY-T1-E3 Si4336DY.pdf
SI4336DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4340DY-T1-E3 72376723.pdf
SI4340DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4346DY-T1-E3 si4346dy.pdf
SI4346DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 5.9A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4348DY-T1-E3 si4348dy.pdf
SI4348DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3 si4368dy.pdf
SI4368DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 15 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DY-T1-E3 si4378dy.pdf
SI4378DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4384DY-T1-E3 si4384dy.pdf
SI4384DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3 si4386dy.pdf
SI4386DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.37 грн
10+94.98 грн
100+69.94 грн
500+52.53 грн
1000+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4388DY-T1-E3 si4388dy.pdf
SI4388DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-E3 74252.pdf
SI4396DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY-T1-E3 si4398dy.pdf
SI4398DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 si4401bd.pdf
SI4401BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 10685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.35 грн
10+148.95 грн
100+103.22 грн
500+78.52 грн
1000+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Si4403BDY-T1-E3 si4403bd.pdf
Si4403BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4408DY-T1-E3 si4408dy.pdf
Si4408DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
на замовлення 5832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.55 грн
10+160.35 грн
100+127.63 грн
500+101.35 грн
1000+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADY-T1-E3 si4413ad.pdf
SI4413ADY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.45 грн
10+127.74 грн
100+101.69 грн
500+80.75 грн
1000+68.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4418DY-T1-E3 si4418dy.pdf
SI4418DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3 si4420bd.pdf
SI4420BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 6066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.08 грн
10+50.18 грн
100+34.79 грн
500+26.12 грн
1000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3 si4421dy.pdf
SI4421DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
на замовлення 8798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.68 грн
10+156.95 грн
100+108.90 грн
500+82.90 грн
1000+76.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3 si4423dy.pdf
SI4423DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.59 грн
10+138.51 грн
100+100.01 грн
500+77.92 грн
1000+73.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 si4425bd.pdf
SI4425BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.90 грн
10+85.08 грн
100+57.16 грн
500+42.44 грн
1000+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 54 72 90 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]