Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11833) > Сторінка 29 з 198

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3588DV-T1-E3 SI3588DV-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW, 83mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3 SI3590DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3590dv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 14340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+58.26 грн
100+38.49 грн
500+28.15 грн
1000+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3812DV-T1-E3 SI3812DV-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3861BDV-T1-E3 SI3861BDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3861bd.pdf Description: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865BDV-T1-E3 SI3865BDV-T1-E3 Vishay Siliconix 72848.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 2.9A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3867DV-T1-E3 SI3867DV-T1-E3 Vishay Siliconix 72608.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3900DV-T1-E3 SI3900DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3900dv.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 34004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+49.88 грн
100+32.76 грн
500+23.83 грн
1000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3911DV-T1-E3 SI3911DV-T1-E3 Vishay Siliconix 71380.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3951DV-T1-E3 SI3951DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3951dv.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3981DV-T1-E3 SI3981DV-T1-E3 Vishay Siliconix 72502.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3983DV-T1-E3 SI3983DV-T1-E3 Vishay Siliconix 72316.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3993DV-T1-E3 SI3993DV-T1-E3 Vishay Siliconix 72320.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
на замовлення 4237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4322DY-T1-E3 SI4322DY-T1-E3 Vishay Siliconix 73860.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4330DY-T1-E3 SI4330DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4330dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4336DY-T1-E3 SI4336DY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4336DY.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4340DY-T1-E3 SI4340DY-T1-E3 Vishay Siliconix 72376723.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4346DY-T1-E3 SI4346DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4346dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.9A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4348DY-T1-E3 SI4348DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4348dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3 SI4368DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4368dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 15 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.22 грн
10+193.77 грн
50+150.53 грн
100+128.21 грн
500+108.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DY-T1-E3 SI4378DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4378dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4384DY-T1-E3 SI4384DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4384dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3 SI4386DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4386dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.58 грн
10+89.74 грн
100+66.09 грн
500+49.63 грн
1000+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4388DY-T1-E3 SI4388DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4388dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-E3 SI4396DY-T1-E3 Vishay Siliconix 74252.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY-T1-E3 SI4398DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4398dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4401bd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 10685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.22 грн
10+140.75 грн
100+97.53 грн
500+74.19 грн
1000+68.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4403BDY-T1-E3 Si4403BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4403bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4408DY-T1-E3 Si4408DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4408dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
на замовлення 5832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.50 грн
10+151.52 грн
100+120.60 грн
500+95.77 грн
1000+81.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADY-T1-E3 SI4413ADY-T1-E3 Vishay Siliconix si4413ad.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.67 грн
10+120.71 грн
100+96.09 грн
500+76.30 грн
1000+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4418DY-T1-E3 SI4418DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4418dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3 SI4420BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4420bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.85 грн
10+110.09 грн
50+83.78 грн
100+70.65 грн
500+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3 SI4421DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4421dy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
на замовлення 8798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.87 грн
10+148.30 грн
100+102.90 грн
500+78.34 грн
1000+72.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3 SI4423DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4423dy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.04 грн
10+130.88 грн
100+94.50 грн
500+73.63 грн
1000+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4425bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-E3 SI4427BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4427bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.81 грн
10+82.12 грн
100+58.06 грн
500+44.44 грн
1000+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4430BDY-T1-E3 Si4430BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4430bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.64 грн
10+123.17 грн
100+85.65 грн
500+68.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4434dy.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.03 грн
10+176.50 грн
100+124.33 грн
500+95.79 грн
1000+89.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-E3 SI4436DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4436dy.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+59.23 грн
100+39.35 грн
500+28.91 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4442DY-T1-E3 Si4442DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4442dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
на замовлення 6379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.68 грн
10+175.38 грн
100+141.86 грн
500+118.35 грн
1000+101.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DY-T1-E3 SI4446DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3 SI4447DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4447dy.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
10+48.01 грн
100+33.28 грн
500+26.10 грн
1000+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4456DY-T1-E3 Si4456DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4456dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.74 грн
10+87.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4462DY-T1-E3 SI4462DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4463bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4464dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 13284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.10 грн
10+96.33 грн
100+65.39 грн
500+48.93 грн
1000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3 SI4465ADY-T1-E3 Vishay Siliconix si4465ad.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4470EY-T1-E3 SI4470EY-T1-E3 Vishay Siliconix 71606.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4472DY-T1-E3 Si4472DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4472dy.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
на замовлення 4669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4480DY-T1-E3 Si4480DY-T1-E3 Vishay Siliconix 70645.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1-E3 SI4484EY-T1-E3 Vishay Siliconix 71189.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486EY-T1-E3 SI4486EY-T1-E3 Vishay Siliconix si4486ey.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4488dy-090512.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4490dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.99 грн
10+146.36 грн
100+102.10 грн
500+83.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500BDY-T1-E3 SI4500BDY-T1-E3 Vishay Siliconix description Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501ADY-T1-E3 SI4501ADY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4511DY-T1-E3 SI4511DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4559ADY-T1-E3 Si4559ADY-T1-E3 Vishay Siliconix si4559ady.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4563DY-T1-E3 SI4563DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4565ADY-T1-E3 SI4565ADY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3588DV-T1-E3
SI3588DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW, 83mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3590DV-T1-E3 si3590dv.pdf
SI3590DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 14340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.53 грн
10+58.26 грн
100+38.49 грн
500+28.15 грн
1000+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3812DV-T1-E3
SI3812DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3861BDV-T1-E3 si3861bd.pdf
SI3861BDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3865BDV-T1-E3 72848.pdf
SI3865BDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 6TSOP
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 2.9A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3867DV-T1-E3 72608.pdf
SI3867DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3900DV-T1-E3 si3900dv.pdf
SI3900DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 34004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.10 грн
10+49.88 грн
100+32.76 грн
500+23.83 грн
1000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3911DV-T1-E3 71380.pdf
SI3911DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3951DV-T1-E3 si3951dv.pdf
SI3951DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3981DV-T1-E3 72502.pdf
SI3981DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3983DV-T1-E3 72316.pdf
SI3983DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3993DV-T1-E3 72320.pdf
SI3993DV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
на замовлення 4237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4322DY-T1-E3 73860.pdf
SI4322DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4330DY-T1-E3 si4330dy.pdf
SI4330DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4336DY-T1-E3 Si4336DY.pdf
SI4336DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4340DY-T1-E3 72376723.pdf
SI4340DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4346DY-T1-E3 si4346dy.pdf
SI4346DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 5.9A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4348DY-T1-E3 si4348dy.pdf
SI4348DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4368DY-T1-E3 si4368dy.pdf
SI4368DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 15 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+305.22 грн
10+193.77 грн
50+150.53 грн
100+128.21 грн
500+108.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4378DY-T1-E3 si4378dy.pdf
SI4378DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4384DY-T1-E3 si4384dy.pdf
SI4384DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4386DY-T1-E3 si4386dy.pdf
SI4386DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 3535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.58 грн
10+89.74 грн
100+66.09 грн
500+49.63 грн
1000+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4388DY-T1-E3 si4388dy.pdf
SI4388DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-E3 74252.pdf
SI4396DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY-T1-E3 si4398dy.pdf
SI4398DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 si4401bd.pdf
SI4401BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 10685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+225.22 грн
10+140.75 грн
100+97.53 грн
500+74.19 грн
1000+68.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4403BDY-T1-E3 si4403bd.pdf
Si4403BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4408DY-T1-E3 si4408dy.pdf
Si4408DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
на замовлення 5832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.50 грн
10+151.52 грн
100+120.60 грн
500+95.77 грн
1000+81.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4413ADY-T1-E3 si4413ad.pdf
SI4413ADY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.67 грн
10+120.71 грн
100+96.09 грн
500+76.30 грн
1000+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4418DY-T1-E3 si4418dy.pdf
SI4418DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420BDY-T1-E3 si4420bd.pdf
SI4420BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.85 грн
10+110.09 грн
50+83.78 грн
100+70.65 грн
500+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4421DY-T1-E3 si4421dy.pdf
SI4421DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
на замовлення 8798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.87 грн
10+148.30 грн
100+102.90 грн
500+78.34 грн
1000+72.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4423DY-T1-E3 si4423dy.pdf
SI4423DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+198.04 грн
10+130.88 грн
100+94.50 грн
500+73.63 грн
1000+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-E3 si4425bd.pdf
SI4425BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4427BDY-T1-E3 si4427bd.pdf
SI4427BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.81 грн
10+82.12 грн
100+58.06 грн
500+44.44 грн
1000+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4430BDY-T1-E3 si4430bd.pdf
Si4430BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+171.64 грн
10+123.17 грн
100+85.65 грн
500+68.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.03 грн
10+176.50 грн
100+124.33 грн
500+95.79 грн
1000+89.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-E3 si4436dy.pdf
SI4436DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.08 грн
10+59.23 грн
100+39.35 грн
500+28.91 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4442DY-T1-E3 si4442dy.pdf
Si4442DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
на замовлення 6379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.68 грн
10+175.38 грн
100+141.86 грн
500+118.35 грн
1000+101.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4446DY-T1-E3
SI4446DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447DY-T1-E3 si4447dy.pdf
SI4447DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.25 грн
10+48.01 грн
100+33.28 грн
500+26.10 грн
1000+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4456DY-T1-E3 si4456dy.pdf
Si4456DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 33A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.74 грн
10+87.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4462DY-T1-E3
SI4462DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463BDY-T1-E3 si4463bd.pdf
SI4463BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4464DY-T1-E3 si4464dy.pdf
SI4464DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 13284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.10 грн
10+96.33 грн
100+65.39 грн
500+48.93 грн
1000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4465ADY-T1-E3 si4465ad.pdf
SI4465ADY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4470EY-T1-E3 71606.pdf
SI4470EY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4472DY-T1-E3 si4472dy.pdf
Si4472DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
на замовлення 4669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4480DY-T1-E3 70645.pdf
Si4480DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4484EY-T1-E3 71189.pdf
SI4484EY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4486EY-T1-E3 si4486ey.pdf
SI4486EY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4488DY-T1-E3 si4488dy-090512.pdf
SI4488DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-E3 si4490dy.pdf
SI4490DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.99 грн
10+146.36 грн
100+102.10 грн
500+83.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4500BDY-T1-E3 description
SI4500BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4501ADY-T1-E3
SI4501ADY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4511DY-T1-E3
SI4511DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4559ADY-T1-E3 si4559ady.pdf
Si4559ADY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4563DY-T1-E3
SI4563DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4565ADY-T1-E3
SI4565ADY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.