Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (10957) > Сторінка 30 з 183

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 18 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 54 72 90 108 126 144 162 180 183  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SI4386DY-T1-E3 SI4386DY-T1-E3 Vishay Siliconix 73109.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI4388DY-T1-E3 SI4388DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4388dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
товар відсутній
SI4396DY-T1-E3 SI4396DY-T1-E3 Vishay Siliconix 74252.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товар відсутній
SI4398DY-T1-E3 SI4398DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4398dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
товар відсутній
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4401bd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 15486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.44 грн
10+ 98.8 грн
100+ 78.64 грн
500+ 62.44 грн
1000+ 52.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
Si4403BDY-T1-E3 Si4403BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4403bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
товар відсутній
Si4408DY-T1-E3 Si4408DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4408dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
на замовлення 5937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.96 грн
10+ 137.42 грн
100+ 109.4 грн
500+ 86.87 грн
1000+ 73.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4413ADY-T1-E3 SI4413ADY-T1-E3 Vishay Siliconix si4413ad.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.54 грн
10+ 138.86 грн
100+ 111.61 грн
500+ 86.06 грн
1000+ 71.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4418DY-T1-E3 SI4418DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4418dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
товар відсутній
SI4420BDY-T1-E3 SI4420BDY-T1-E3 Vishay Siliconix 73067.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.64 грн
10+ 55.59 грн
100+ 42.59 грн
500+ 31.6 грн
1000+ 25.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4421DY-T1-E3 SI4421DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4421dy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
на замовлення 8519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.43 грн
10+ 106.43 грн
100+ 84.69 грн
500+ 67.26 грн
1000+ 57.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4423DY-T1-E3 SI4423DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4423dy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.39 грн
10+ 135.01 грн
100+ 107.47 грн
500+ 85.34 грн
1000+ 72.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4425BDY-T1-E3 SI4425BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4425bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
товар відсутній
SI4427BDY-T1-E3 SI4427BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4427bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.73 грн
10+ 101.21 грн
100+ 78.92 грн
500+ 61.18 грн
1000+ 48.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
Si4430BDY-T1-E3 Si4430BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4430bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.3 грн
10+ 92.83 грн
100+ 73.9 грн
500+ 58.69 грн
1000+ 49.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 39753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.22 грн
10+ 50.09 грн
100+ 38.99 грн
500+ 31.01 грн
1000+ 25.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4434dy.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 10615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.66 грн
10+ 150.47 грн
100+ 119.78 грн
500+ 95.12 грн
1000+ 80.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4435BDY-T1-E3 SI4435BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4435bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
товар відсутній
SI4436DY-T1-E3 SI4436DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4436dy.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
на замовлення 15441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.22 грн
10+ 46.72 грн
100+ 36.33 грн
500+ 28.9 грн
1000+ 23.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
Si4442DY-T1-E3 Si4442DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4442dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.22 грн
10+ 159.06 грн
100+ 128.69 грн
500+ 107.35 грн
1000+ 91.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4446DY-T1-E3 SI4446DY-T1-E3 Vishay Siliconix 73661.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
товар відсутній
SI4447DY-T1-E3 SI4447DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4447dy.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
на замовлення 5686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.09 грн
10+ 43.29 грн
100+ 29.97 грн
500+ 23.5 грн
1000+ 20 грн
Мінімальне замовлення: 6
Si4456DY-T1-E3 Si4456DY-T1-E3 Vishay Siliconix 73852.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.06 грн
10+ 181.19 грн
100+ 145.61 грн
500+ 112.27 грн
1000+ 96.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4462DY-T1-E3 SI4462DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
товар відсутній
SI4463BDY-T1-E3 SI4463BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4463bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
на замовлення 14445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.32 грн
10+ 81.01 грн
100+ 64.5 грн
500+ 51.22 грн
1000+ 43.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4464dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.48 грн
10+ 69.74 грн
100+ 54.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4465ADY-T1-E3 SI4465ADY-T1-E3 Vishay Siliconix si4465ad.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.15 грн
10+ 98.94 грн
100+ 78.73 грн
500+ 62.51 грн
1000+ 53.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4466DY-T1-E3 SI4466DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
товар відсутній
SI4470EY-T1-E3 SI4470EY-T1-E3 Vishay Siliconix 71606.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8SO
товар відсутній
Si4472DY-T1-E3 Si4472DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4472dy.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
на замовлення 4669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Si4480DY-T1-E3 Si4480DY-T1-E3 Vishay Siliconix 70645.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
товар відсутній
SI4483EDY-T1-E3 SI4483EDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4483ed.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
товар відсутній
SI4484EY-T1-E3 SI4484EY-T1-E3 Vishay Siliconix 71189.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
товар відсутній
SI4486EY-T1-E3 SI4486EY-T1-E3 Vishay Siliconix si4486ey.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
товар відсутній
SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4488dy-090512.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.56 грн
10+ 112.55 грн
100+ 89.6 грн
500+ 71.15 грн
1000+ 60.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4490dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.42 грн
10+ 110.42 грн
100+ 87.85 грн
500+ 69.76 грн
1000+ 59.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4500BDY-T1-E3 SI4500BDY-T1-E3 Vishay Siliconix description Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
SI4501ADY-T1-E3 SI4501ADY-T1-E3 Vishay Siliconix si4501ad.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
SI4511DY-T1-E3 SI4511DY-T1-E3 Vishay Siliconix 72223.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
Si4559ADY-T1-E3 Si4559ADY-T1-E3 Vishay Siliconix si4559ady.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 80292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.18 грн
10+ 78.12 грн
100+ 60.75 грн
500+ 48.32 грн
1000+ 39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4563DY-T1-E3 SI4563DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4563dy.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
SI4565ADY-T1-E3 SI4565ADY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
SI4567DY-T1-E3 SI4567DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 40V 5A/4.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.75W, 2.95W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
SI4569DY-T1-E3 SI4569DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
SI4618DY-T1-E3 SI4618DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4618dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
товар відсутній
SI4621DY-T1-E3 SI4621DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4621dy.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC
товар відсутній
SI4630DY-T1-E3 SI4630DY-T1-E3 Vishay Siliconix 73685.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
на замовлення 11109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI4632DY-T1-E3 SI4632DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4632dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
товар відсутній
SI4642DY-T1-E3 SI4642DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4642dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC
товар відсутній
SI4686DY-T1-E3 SI4686DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4686dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.48 грн
10+ 69.74 грн
100+ 54.22 грн
500+ 43.13 грн
1000+ 35.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
Si4720CY-T1-E3 Si4720CY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4720.pdf Description: IC BAT PWR MGMT MULT-CHEM 16SOIC
товар відсутній
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4800bd.pdf description Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.8 грн
10+ 48.51 грн
100+ 33.61 грн
500+ 26.35 грн
1000+ 22.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
Si4804BDY-T1-E3 Si4804BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4804bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
товар відсутній
SI4812BDY-T1-E3 SI4812BDY-T1-E3 Vishay Siliconix 73038.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
товар відсутній
SI4816BDY-T1-E3 SI4816BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4816bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товар відсутній
SI4825DY-T1-E3 SI4825DY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
товар відсутній
SI4830ADY-T1-E3 SI4830ADY-T1-E3 Vishay Siliconix si4830ad.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SI4834BDY-T1-E3 SI4834BDY-T1-E3 Vishay Siliconix 72064.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SI4835BDY-T1-E3 SI4835BDY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 5 V
товар відсутній
SI4838DY-T1-E3 SI4838DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4838dy.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.64 грн
10+ 159.68 грн
100+ 129.19 грн
500+ 107.77 грн
1000+ 92.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4386DY-T1-E3 73109.pdf
SI4386DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI4388DY-T1-E3 si4388dy.pdf
SI4388DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
товар відсутній
SI4396DY-T1-E3 74252.pdf
SI4396DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товар відсутній
SI4398DY-T1-E3 si4398dy.pdf
SI4398DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
товар відсутній
SI4401BDY-T1-E3 si4401bd.pdf
SI4401BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 15486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.44 грн
10+ 98.8 грн
100+ 78.64 грн
500+ 62.44 грн
1000+ 52.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
Si4403BDY-T1-E3 si4403bd.pdf
Si4403BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
товар відсутній
Si4408DY-T1-E3 si4408dy.pdf
Si4408DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
на замовлення 5937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+171.96 грн
10+ 137.42 грн
100+ 109.4 грн
500+ 86.87 грн
1000+ 73.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4413ADY-T1-E3 si4413ad.pdf
SI4413ADY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.54 грн
10+ 138.86 грн
100+ 111.61 грн
500+ 86.06 грн
1000+ 71.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4418DY-T1-E3 si4418dy.pdf
SI4418DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
товар відсутній
SI4420BDY-T1-E3 73067.pdf
SI4420BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.64 грн
10+ 55.59 грн
100+ 42.59 грн
500+ 31.6 грн
1000+ 25.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4421DY-T1-E3 si4421dy.pdf
SI4421DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.75mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 4.5 V
на замовлення 8519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.43 грн
10+ 106.43 грн
100+ 84.69 грн
500+ 67.26 грн
1000+ 57.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4423DY-T1-E3 si4423dy.pdf
SI4423DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.39 грн
10+ 135.01 грн
100+ 107.47 грн
500+ 85.34 грн
1000+ 72.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4425BDY-T1-E3 si4425bd.pdf
SI4425BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
товар відсутній
SI4427BDY-T1-E3 si4427bd.pdf
SI4427BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.73 грн
10+ 101.21 грн
100+ 78.92 грн
500+ 61.18 грн
1000+ 48.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
Si4430BDY-T1-E3 si4430bd.pdf
Si4430BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.3 грн
10+ 92.83 грн
100+ 73.9 грн
500+ 58.69 грн
1000+ 49.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 39753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.22 грн
10+ 50.09 грн
100+ 38.99 грн
500+ 31.01 грн
1000+ 25.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 10615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.66 грн
10+ 150.47 грн
100+ 119.78 грн
500+ 95.12 грн
1000+ 80.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4435BDY-T1-E3 si4435bd.pdf
SI4435BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
товар відсутній
SI4436DY-T1-E3 si4436dy.pdf
SI4436DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
на замовлення 15441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.22 грн
10+ 46.72 грн
100+ 36.33 грн
500+ 28.9 грн
1000+ 23.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
Si4442DY-T1-E3 si4442dy.pdf
Si4442DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.22 грн
10+ 159.06 грн
100+ 128.69 грн
500+ 107.35 грн
1000+ 91.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4446DY-T1-E3 73661.pdf
SI4446DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
товар відсутній
SI4447DY-T1-E3 si4447dy.pdf
SI4447DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V
на замовлення 5686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.09 грн
10+ 43.29 грн
100+ 29.97 грн
500+ 23.5 грн
1000+ 20 грн
Мінімальне замовлення: 6
Si4456DY-T1-E3 73852.pdf
Si4456DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.06 грн
10+ 181.19 грн
100+ 145.61 грн
500+ 112.27 грн
1000+ 96.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4462DY-T1-E3
SI4462DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
товар відсутній
SI4463BDY-T1-E3 si4463bd.pdf
SI4463BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
на замовлення 14445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.32 грн
10+ 81.01 грн
100+ 64.5 грн
500+ 51.22 грн
1000+ 43.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4464DY-T1-E3 si4464dy.pdf
SI4464DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.48 грн
10+ 69.74 грн
100+ 54.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4465ADY-T1-E3 si4465ad.pdf
SI4465ADY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.15 грн
10+ 98.94 грн
100+ 78.73 грн
500+ 62.51 грн
1000+ 53.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4466DY-T1-E3
SI4466DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
товар відсутній
SI4470EY-T1-E3 71606.pdf
SI4470EY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8SO
товар відсутній
Si4472DY-T1-E3 si4472dy.pdf
Si4472DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
на замовлення 4669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Si4480DY-T1-E3 70645.pdf
Si4480DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
товар відсутній
SI4483EDY-T1-E3 si4483ed.pdf
SI4483EDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
товар відсутній
SI4484EY-T1-E3 71189.pdf
SI4484EY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
товар відсутній
SI4486EY-T1-E3 si4486ey.pdf
SI4486EY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
товар відсутній
SI4488DY-T1-E3 si4488dy-090512.pdf
SI4488DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.56 грн
10+ 112.55 грн
100+ 89.6 грн
500+ 71.15 грн
1000+ 60.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4490DY-T1-E3 si4490dy.pdf
SI4490DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.42 грн
10+ 110.42 грн
100+ 87.85 грн
500+ 69.76 грн
1000+ 59.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4500BDY-T1-E3 description
SI4500BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
SI4501ADY-T1-E3 si4501ad.pdf
SI4501ADY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
SI4511DY-T1-E3 72223.pdf
SI4511DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
Si4559ADY-T1-E3 si4559ady.pdf
Si4559ADY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 80292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.18 грн
10+ 78.12 грн
100+ 60.75 грн
500+ 48.32 грн
1000+ 39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4563DY-T1-E3 si4563dy.pdf
SI4563DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
SI4565ADY-T1-E3
SI4565ADY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
SI4567DY-T1-E3
SI4567DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 5A/4.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.75W, 2.95W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
SI4569DY-T1-E3
SI4569DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
SI4618DY-T1-E3 si4618dy.pdf
SI4618DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
товар відсутній
SI4621DY-T1-E3 si4621dy.pdf
SI4621DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC
товар відсутній
SI4630DY-T1-E3 73685.pdf
SI4630DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
на замовлення 11109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI4632DY-T1-E3 si4632dy.pdf
SI4632DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
товар відсутній
SI4642DY-T1-E3 si4642dy.pdf
SI4642DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC
товар відсутній
SI4686DY-T1-E3 si4686dy.pdf
SI4686DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.48 грн
10+ 69.74 грн
100+ 54.22 грн
500+ 43.13 грн
1000+ 35.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
Si4720CY-T1-E3 SI4720.pdf
Si4720CY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC BAT PWR MGMT MULT-CHEM 16SOIC
товар відсутній
SI4800BDY-T1-E3 description si4800bd.pdf
SI4800BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.8 грн
10+ 48.51 грн
100+ 33.61 грн
500+ 26.35 грн
1000+ 22.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
Si4804BDY-T1-E3 si4804bd.pdf
Si4804BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
товар відсутній
SI4812BDY-T1-E3 73038.pdf
SI4812BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
товар відсутній
SI4816BDY-T1-E3 si4816bd.pdf
SI4816BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товар відсутній
SI4825DY-T1-E3
SI4825DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
товар відсутній
SI4830ADY-T1-E3 si4830ad.pdf
SI4830ADY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SI4834BDY-T1-E3 72064.pdf
SI4834BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SI4835BDY-T1-E3
SI4835BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 5 V
товар відсутній
SI4838DY-T1-E3 si4838dy.pdf
SI4838DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+197.64 грн
10+ 159.68 грн
100+ 129.19 грн
500+ 107.77 грн
1000+ 92.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 18 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 54 72 90 108 126 144 162 180 183  Наступна Сторінка >> ]