Сторінка 30 з 185

Name: SI4423DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 1656927-3
Price: 405.86 UAH
Availability: InStock

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 18 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 54 72 90 108 126 144 162 180 185 [ Наступна Сторінка >> ]

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI4423DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	202.93 грн
10+	134.11 грн
100+	96.83 грн
500+	75.45 грн
1000+	70.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4425BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V

на замовлення 2716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	134.49 грн
10+	82.38 грн
100+	55.34 грн
500+	41.09 грн
1000+	37.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4427BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V

на замовлення 2508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.92 грн
10+	84.14 грн
100+	59.49 грн
500+	45.54 грн
1000+	42.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Si4430BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V

на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.92 грн
10+	103.15 грн
100+	79.01 грн
500+	58.54 грн
1000+	54.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4431BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V

на замовлення 13423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.15 грн
10+	76.02 грн
100+	50.83 грн
500+	37.55 грн
1000+	34.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4434DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V

на замовлення 8790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	272.17 грн
10+	171.43 грн
100+	119.94 грн
500+	91.90 грн
1000+	85.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4435BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4436DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V

на замовлення 11843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.97 грн
10+	52.80 грн
100+	36.70 грн
500+	27.64 грн
1000+	25.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Si4442DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V

на замовлення 6379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.03 грн
10+	179.71 грн
100+	145.37 грн
500+	121.27 грн
1000+	103.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4446DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4447DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.69 грн
10+	49.20 грн
100+	34.10 грн
500+	26.74 грн
1000+	22.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

Si4456DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

на замовлення 1779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.17 грн
10+	202.08 грн
100+	162.40 грн
500+	125.22 грн
1000+	107.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4462DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4463BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V

на замовлення 7749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.83 грн
10+	113.57 грн
100+	77.68 грн
500+	58.47 грн
1000+	53.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4464DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V

на замовлення 4252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.19 грн
10+	78.63 грн
100+	55.59 грн
500+	49.28 грн
1000+	46.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4465ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V

на замовлення 1811 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	197.36 грн
10+	122.54 грн
100+	84.15 грн
500+	63.56 грн
1000+	58.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4466DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4470EY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Si4472DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

на замовлення 4669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Si4480DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4483EDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4484EY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4486EY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4488DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V

на замовлення 4291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.60 грн
10+	142.08 грн
100+	98.14 грн
500+	74.47 грн
1000+	68.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4490DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V

на замовлення 2029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	268.98 грн
10+	168.82 грн
100+	117.77 грн
500+	90.05 грн
1000+	83.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4500BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4501ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4511DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Si4559ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 68110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.65 грн
10+	108.67 грн
100+	72.34 грн
500+	53.01 грн
1000+	48.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4563DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4565ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4567DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 40V 5A/4.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.75W, 2.95W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4569DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4618DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4630DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

на замовлення 11109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4632DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4642DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4686DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V

на замовлення 5463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	124.94 грн
10+	91.73 грн
100+	66.51 грн
500+	49.68 грн
1000+	45.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4800BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V

на замовлення 6799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.30 грн
10+	42.53 грн
100+	33.01 грн
500+	29.20 грн
1000+	27.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

Si4804BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4812BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4816BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 2148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.85 грн
10+	109.74 грн
100+	75.75 грн
500+	56.89 грн
1000+	52.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4825DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4830ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4834BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4835BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4838DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V

на замовлення 7205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	311.16 грн
10+	196.87 грн
100+	138.61 грн
500+	106.73 грн
1000+	99.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4840DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4845DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4848DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V

на замовлення 8817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.58 грн
10+	82.23 грн
100+	66.61 грн
500+	49.83 грн
1000+	45.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4850EY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V

на замовлення 3920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.16 грн
10+	109.59 грн
100+	77.68 грн
500+	58.47 грн
1000+	53.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Si4874BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V

на замовлення 6760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.88 грн
10+	90.89 грн
100+	67.67 грн
500+	62.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Si4876DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4890DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	219.64 грн
10+	145.07 грн
100+	105.19 грн
500+	82.20 грн
1000+	78.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4894BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V

на замовлення 11198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.60 грн
10+	77.55 грн
100+	58.19 грн
500+	43.23 грн
1000+	39.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4896DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V

на замовлення 4098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.09 грн
10+	144.61 грн
100+	99.86 грн
500+	82.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4900DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 13283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.31 грн
10+	80.39 грн
100+	53.95 грн
500+	40.01 грн
1000+	36.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Si4904DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 4050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	217.26 грн
10+	135.64 грн
100+	93.68 грн
500+	71.08 грн
1000+	65.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Si4906DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4908DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4423DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 600µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 5 V

на замовлення 2383 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	202.93 грн
10+	134.11 грн
100+	96.83 грн
500+	75.45 грн
1000+	70.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4425BDY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V

на замовлення 2716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	134.49 грн
10+	82.38 грн
100+	55.34 грн
500+	41.09 грн
1000+	37.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4427BDY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V

на замовлення 2508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	128.92 грн
10+	84.14 грн
100+	59.49 грн
500+	45.54 грн
1000+	42.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Si4430BDY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V

на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	128.92 грн
10+	103.15 грн
100+	79.01 грн
500+	58.54 грн
1000+	54.00 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4431BDY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V

на замовлення 13423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	124.15 грн
10+	76.02 грн
100+	50.83 грн
500+	37.55 грн
1000+	34.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4434DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V

на замовлення 8790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	272.17 грн
10+	171.43 грн
100+	119.94 грн
500+	91.90 грн
1000+	85.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4435BDY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4436DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V

на замовлення 11843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	81.97 грн
10+	52.80 грн
100+	36.70 грн
500+	27.64 грн
1000+	25.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Si4442DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V

на замовлення 6379 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	222.03 грн
10+	179.71 грн
100+	145.37 грн
500+	121.27 грн
1000+	103.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4446DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4447DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 20 V

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	59.69 грн
10+	49.20 грн
100+	34.10 грн
500+	26.74 грн
1000+	22.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

Si4456DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

на замовлення 1779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	233.17 грн
10+	202.08 грн
100+	162.40 грн
500+	125.22 грн
1000+	107.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4462DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4463BDY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V

на замовлення 7749 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	183.83 грн
10+	113.57 грн
100+	77.68 грн
500+	58.47 грн
1000+	53.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4464DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V

на замовлення 4252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	116.19 грн
10+	78.63 грн
100+	55.59 грн
500+	49.28 грн
1000+	46.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4465ADY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V

на замовлення 1811 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	197.36 грн
10+	122.54 грн
100+	84.15 грн
500+	63.56 грн
1000+	58.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4466DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4470EY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9A 8SO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Si4472DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

на замовлення 4669 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Si4480DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4483EDY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4484EY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4486EY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4488DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V

на замовлення 4291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	227.60 грн
10+	142.08 грн
100+	98.14 грн
500+	74.47 грн
1000+	68.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4490DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V

на замовлення 2029 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	268.98 грн
10+	168.82 грн
100+	117.77 грн
500+	90.05 грн
1000+	83.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4500BDY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4501ADY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4511DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Si4559ADY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 68110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	180.65 грн
10+	108.67 грн
100+	72.34 грн
500+	53.01 грн
1000+	48.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4563DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4565ADY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4567DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 5A/4.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.75W, 2.95W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4569DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4618DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4630DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

на замовлення 11109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4632DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4642DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4686DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V

на замовлення 5463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	124.94 грн
10+	91.73 грн
100+	66.51 грн
500+	49.68 грн
1000+	45.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4800BDY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V

на замовлення 6799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	57.30 грн
10+	42.53 грн
100+	33.01 грн
500+	29.20 грн
1000+	27.15 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

Si4804BDY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4812BDY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4816BDY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 2148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	179.85 грн
10+	109.74 грн
100+	75.75 грн
500+	56.89 грн
1000+	52.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4825DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4830ADY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4834BDY-T1-E3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4835BDY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4838DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V

на замовлення 7205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	311.16 грн
10+	196.87 грн
100+	138.61 грн
500+	106.73 грн
1000+	99.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4840DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4845DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4848DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V

на замовлення 8817 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	118.58 грн
10+	82.23 грн
100+	66.61 грн
500+	49.83 грн
1000+	45.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4850EY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V

на замовлення 3920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	159.16 грн
10+	109.59 грн
100+	77.68 грн
500+	58.47 грн
1000+	53.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Si4874BDY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V

на замовлення 6760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	136.88 грн
10+	90.89 грн
100+	67.67 грн
500+	62.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Si4876DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4890DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	219.64 грн
10+	145.07 грн
100+	105.19 грн
500+	82.20 грн
1000+	78.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4894BDY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V

на замовлення 11198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	114.60 грн
10+	77.55 грн
100+	58.19 грн
500+	43.23 грн
1000+	39.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI4896DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V

на замовлення 4098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	210.09 грн
10+	144.61 грн
100+	99.86 грн
500+	82.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SI4900DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 13283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	131.31 грн
10+	80.39 грн
100+	53.95 грн
500+	40.01 грн
1000+	36.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Si4904DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 4050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	217.26 грн
10+	135.64 грн
100+	93.68 грн
500+	71.08 грн
1000+	65.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Si4906DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4908DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 18 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 54 72 90 108 126 144 162 180 185 [ Наступна Сторінка >> ]