Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11808) > Сторінка 31 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 38 57 76 95 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI5903DC-T1-E3 SI5903DC-T1-E3 Vishay Siliconix 71054.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5904DC-T1-E3 SI5904DC-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3 SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5908dc.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.09 грн
10+90.73 грн
100+61.20 грн
500+45.54 грн
1000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5920DC-T1-E3 SI5920DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5920dc.pdf Description: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.12W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933DC-T1-E3 SI5933DC-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935DC-T1-E3 SI5935DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5935dc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5938DU-T1-E3 SI5938DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73463.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5943DU-T1-E3 SI5943DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73669.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5944DU-T1-E3 SI5944DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73683.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5947DU-T1-E3 SI5947DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73695.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6410DQ-T1-E3 Si6410DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70661.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-E3 SI6415DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70639.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-E3 SI6423DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72257.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQ-T1-E3 SI6433BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72511.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6435ADQ-T1-E3 Si6435ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71104.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6459BDQ-T1-E3 SI6459BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72518.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6463BDQ-T1-E3 SI6463BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72018.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6467BDQ-T1-E3 SI6467BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72087.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6544BDQ-T1-E3 SI6544BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72244.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6562DQ-T1-E3 Si6562DQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 20V 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6913DQ-T1-E3 SI6913DQ-T1-E3 Vishay Siliconix si6913dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6924AEDQ-T1-E3 SI6924AEDQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 28V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6925ADQ-T1-E3 SI6925ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72623.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72754.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.68 грн
10+84.10 грн
100+56.44 грн
500+41.86 грн
1000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6928DQ-T1-E3 Si6928DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70663.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6943BDQ-T1-E3 SI6943BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72016.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6954ADQ-T1-E3 Si6954ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71130.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 21145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.46 грн
10+62.13 грн
100+41.12 грн
500+30.11 грн
1000+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6963BDQ-T1-E3 SI6963BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-E3 SI6968BEDQ-T1-E3 Vishay Siliconix si6968be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.46 грн
10+77.62 грн
100+60.39 грн
500+48.04 грн
1000+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6969BDQ-T1-E3 SI6969BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72017.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6981DQ-T1-E3 SI6981DQ-T1-E3 Vishay Siliconix si6981dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6983DQ-T1-E3 SI6983DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72367.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6993DQ-T1-E3 SI6993DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72369.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7100DN-T1-E3 SI7100DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7100dn.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3 SI7106DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7106dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
на замовлення 25505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.52 грн
10+131.04 грн
50+100.18 грн
100+84.66 грн
500+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7107DN-T1-E3 SI7107DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7107dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-E3 SI7108DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7108dn.pdf description Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
на замовлення 17800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.69 грн
10+136.05 грн
100+109.38 грн
500+84.33 грн
1000+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-E3 SI7110DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7110dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-E3 SI7112DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7112dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 SI7113DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7113dn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 10036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.16 грн
10+173.67 грн
100+121.36 грн
500+92.90 грн
1000+86.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-E3 SI7114DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7114dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.51 грн
10+118.01 грн
100+80.66 грн
500+60.70 грн
1000+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3 SI7116DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7116dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.53 грн
10+138.75 грн
100+95.82 грн
500+72.69 грн
1000+69.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-E3 SI7117DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7117dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.28 грн
10+85.41 грн
50+64.26 грн
100+53.91 грн
500+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-E3 SI7119DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7119dn.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V
на замовлення 33188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.27 грн
10+69.91 грн
100+46.57 грн
500+34.29 грн
1000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120DN-T1-E3 SI7120DN-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7136DP-T1-E3 SI7136DP-T1-E3 Vishay Siliconix 73601.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7138DP-T1-E3 SI7138DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7138dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3 SI7148DP-T1-E3 Vishay Siliconix 73314.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
на замовлення 5961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.56 грн
10+170.74 грн
100+119.82 грн
500+100.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-E3 SI7212DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7212dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 14310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.11 грн
10+153.55 грн
100+122.24 грн
500+97.07 грн
1000+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7214DN-T1-E3 SI7214DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7214dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3 SI7216DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7216dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 11219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.29 грн
10+93.27 грн
100+63.35 грн
500+47.43 грн
1000+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-E3 SI7220DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7220dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.57 грн
10+183.69 грн
100+128.96 грн
500+99.11 грн
1000+92.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7222DN-T1-E3 SI7222DN-T1-E3 Vishay Siliconix 73439.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 Vishay Siliconix 73419.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
на замовлення 3897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3 SI7309DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7309dn.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 7217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.67 грн
10+71.69 грн
100+47.81 грн
500+35.25 грн
1000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 Vishay Siliconix si7336adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 7823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.31 грн
10+167.61 грн
100+117.65 грн
500+98.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7344DP-T1-E3 SI7344DP-T1-E3 Vishay Siliconix Si7344DP.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-E3 SI7366DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72296.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3 SI7370DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7370dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 24515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.95 грн
10+159.10 грн
100+110.74 грн
500+84.52 грн
1000+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7382DP-T1-E3 SI7382DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7382dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5903DC-T1-E3 71054.pdf
SI5903DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5904DC-T1-E3
SI5904DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3 si5908dc.pdf
SI5908DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.09 грн
10+90.73 грн
100+61.20 грн
500+45.54 грн
1000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5920DC-T1-E3 si5920dc.pdf
SI5920DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.12W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933DC-T1-E3
SI5933DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935DC-T1-E3 si5935dc.pdf
SI5935DC-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5938DU-T1-E3 73463.pdf
SI5938DU-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5943DU-T1-E3 73669.pdf
SI5943DU-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5944DU-T1-E3 73683.pdf
SI5944DU-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5947DU-T1-E3 73695.pdf
SI5947DU-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6410DQ-T1-E3 70661.pdf
Si6410DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-E3 70639.pdf
SI6415DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-E3 72257.pdf
SI6423DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQ-T1-E3 72511.pdf
SI6433BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6435ADQ-T1-E3 71104.pdf
Si6435ADQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6459BDQ-T1-E3 72518.pdf
SI6459BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6463BDQ-T1-E3 72018.pdf
SI6463BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6467BDQ-T1-E3 72087.pdf
SI6467BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6544BDQ-T1-E3 72244.pdf
SI6544BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6562DQ-T1-E3
Si6562DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6913DQ-T1-E3 si6913dq.pdf
SI6913DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6924AEDQ-T1-E3
SI6924AEDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 28V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6925ADQ-T1-E3 72623.pdf
SI6925ADQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-E3 72754.pdf
SI6926ADQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.68 грн
10+84.10 грн
100+56.44 грн
500+41.86 грн
1000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6928DQ-T1-E3 70663.pdf
Si6928DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6943BDQ-T1-E3 72016.pdf
SI6943BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6954ADQ-T1-E3 71130.pdf
Si6954ADQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 21145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.46 грн
10+62.13 грн
100+41.12 грн
500+30.11 грн
1000+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6963BDQ-T1-E3
SI6963BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-E3 si6968be.pdf
SI6968BEDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.46 грн
10+77.62 грн
100+60.39 грн
500+48.04 грн
1000+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6969BDQ-T1-E3 72017.pdf
SI6969BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6981DQ-T1-E3 si6981dq.pdf
SI6981DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6983DQ-T1-E3 72367.pdf
SI6983DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6993DQ-T1-E3 72369.pdf
SI6993DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7100DN-T1-E3 si7100dn.pdf
SI7100DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3 si7106dn.pdf
SI7106DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
на замовлення 25505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+210.52 грн
10+131.04 грн
50+100.18 грн
100+84.66 грн
500+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7107DN-T1-E3 si7107dn.pdf
SI7107DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-E3 description si7108dn.pdf
SI7108DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
на замовлення 17800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+157.69 грн
10+136.05 грн
100+109.38 грн
500+84.33 грн
1000+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-E3 si7110dn.pdf
SI7110DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-E3 si7112dn.pdf
SI7112DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 si7113dn.pdf
SI7113DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 10036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.16 грн
10+173.67 грн
100+121.36 грн
500+92.90 грн
1000+86.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-E3 si7114dn.pdf
SI7114DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.51 грн
10+118.01 грн
100+80.66 грн
500+60.70 грн
1000+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3 si7116dn.pdf
SI7116DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.53 грн
10+138.75 грн
100+95.82 грн
500+72.69 грн
1000+69.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-E3 si7117dn.pdf
SI7117DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.28 грн
10+85.41 грн
50+64.26 грн
100+53.91 грн
500+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-E3 si7119dn.pdf
SI7119DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V
на замовлення 33188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.27 грн
10+69.91 грн
100+46.57 грн
500+34.29 грн
1000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120DN-T1-E3
SI7120DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7136DP-T1-E3 73601.pdf
SI7136DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7138DP-T1-E3 si7138dp.pdf
SI7138DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3 73314.pdf
SI7148DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
на замовлення 5961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.56 грн
10+170.74 грн
100+119.82 грн
500+100.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-E3 si7212dn.pdf
SI7212DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 14310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+192.11 грн
10+153.55 грн
100+122.24 грн
500+97.07 грн
1000+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7214DN-T1-E3 si7214dn.pdf
SI7214DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3 si7216dn.pdf
SI7216DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 11219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.29 грн
10+93.27 грн
100+63.35 грн
500+47.43 грн
1000+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-E3 si7220dn.pdf
SI7220DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+290.57 грн
10+183.69 грн
100+128.96 грн
500+99.11 грн
1000+92.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7222DN-T1-E3 73439.pdf
SI7222DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 73419.pdf
SI7308DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
на замовлення 3897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3 si7309dn.pdf
SI7309DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 7217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.67 грн
10+71.69 грн
100+47.81 грн
500+35.25 грн
1000+32.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 si7336adp.pdf
SI7336ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 7823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.31 грн
10+167.61 грн
100+117.65 грн
500+98.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7344DP-T1-E3 Si7344DP.pdf
SI7344DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-E3 72296.pdf
SI7366DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3 si7370dp.pdf
SI7370DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 24515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.95 грн
10+159.10 грн
100+110.74 грн
500+84.52 грн
1000+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7382DP-T1-E3 si7382dp.pdf
SI7382DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 38 57 76 95 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]