Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11833) > Сторінка 31 з 198

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI5943DU-T1-E3 SI5943DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73669.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5944DU-T1-E3 SI5944DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73683.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5947DU-T1-E3 SI5947DU-T1-E3 Vishay Siliconix 73695.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6410DQ-T1-E3 Si6410DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70661.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-E3 SI6415DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70639.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-E3 SI6423DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72257.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQ-T1-E3 SI6433BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72511.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6435ADQ-T1-E3 Si6435ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71104.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6459BDQ-T1-E3 SI6459BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72518.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6463BDQ-T1-E3 SI6463BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72018.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6467BDQ-T1-E3 SI6467BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72087.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6544BDQ-T1-E3 SI6544BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72244.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6562DQ-T1-E3 Si6562DQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 20V 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6913DQ-T1-E3 SI6913DQ-T1-E3 Vishay Siliconix si6913dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6924AEDQ-T1-E3 SI6924AEDQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 28V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6925ADQ-T1-E3 SI6925ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72623.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72754.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.58 грн
10+81.59 грн
100+54.76 грн
500+40.61 грн
1000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6928DQ-T1-E3 Si6928DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 70663.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6943BDQ-T1-E3 SI6943BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72016.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6954ADQ-T1-E3 Si6954ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix 71130.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 21145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+60.28 грн
100+39.89 грн
500+29.22 грн
1000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6963BDQ-T1-E3 SI6963BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-E3 SI6968BEDQ-T1-E3 Vishay Siliconix si6968be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.46 грн
10+84.28 грн
50+63.51 грн
100+53.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6969BDQ-T1-E3 SI6969BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72017.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6981DQ-T1-E3 SI6981DQ-T1-E3 Vishay Siliconix si6981dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6983DQ-T1-E3 SI6983DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72367.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6993DQ-T1-E3 SI6993DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72369.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7100DN-T1-E3 SI7100DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7100dn.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3 SI7106DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7106dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
на замовлення 25475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.37 грн
10+124.45 грн
50+95.16 грн
100+80.42 грн
500+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7107DN-T1-E3 SI7107DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7107dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-E3 SI7108DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7108dn.pdf description Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
на замовлення 17800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.00 грн
10+132.00 грн
100+106.12 грн
500+81.82 грн
1000+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-E3 SI7110DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7110dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-E3 SI7112DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7112dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 SI7113DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7113dn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 10036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.94 грн
10+168.49 грн
100+117.74 грн
500+90.13 грн
1000+83.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-E3 SI7114DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7114dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.84 грн
10+114.50 грн
100+78.26 грн
500+58.89 грн
1000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3 SI7116DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7116dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.90 грн
10+134.62 грн
100+92.97 грн
500+70.53 грн
1000+67.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-E3 SI7117DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7117dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+82.86 грн
50+62.34 грн
100+52.30 грн
500+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-E3 SI7119DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7119dn.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V
на замовлення 42143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.06 грн
10+67.68 грн
50+50.59 грн
100+42.29 грн
500+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120DN-T1-E3 SI7120DN-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7136DP-T1-E3 SI7136DP-T1-E3 Vishay Siliconix 73601.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7138DP-T1-E3 SI7138DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7138dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3 SI7148DP-T1-E3 Vishay Siliconix 73314.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
на замовлення 5961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.50 грн
10+165.65 грн
100+116.25 грн
500+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-E3 SI7212DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7212dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 13237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.98 грн
10+150.62 грн
50+115.99 грн
100+98.37 грн
500+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3 SI7216DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7216dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 17774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.88 грн
10+96.70 грн
50+73.22 грн
100+61.61 грн
500+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-E3 SI7220DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7220dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 SI7308DN-T1-E3 Vishay Siliconix 73419.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
на замовлення 3897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3 SI7309DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7309dn.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 7217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.17 грн
10+69.55 грн
100+46.39 грн
500+34.20 грн
1000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 Vishay Siliconix si7336adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 6228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.03 грн
10+175.60 грн
50+136.05 грн
100+115.71 грн
500+96.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7344DP-T1-E3 SI7344DP-T1-E3 Vishay Siliconix Si7344DP.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-E3 SI7366DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72296.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3 SI7370DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7370dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 24515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.42 грн
10+154.36 грн
100+107.44 грн
500+82.00 грн
1000+81.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7382DP-T1-E3 SI7382DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7382dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7384DP-T1-E3 SI7384DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72656.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 SI7386DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7386dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.90 грн
10+91.09 грн
100+62.93 грн
500+52.94 грн
1000+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403BDN-T1-E3 SI7403BDN-T1-E3 Vishay Siliconix 73333.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7409ADN-T1-E3 SI7409ADN-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7411DN-T1-E3 SI7411DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72399.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7413DN-T1-E3 SI7413DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72616.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3 SI7414DN-T1-E3 Vishay Siliconix 71738.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 26742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.25 грн
10+127.14 грн
100+87.40 грн
500+66.08 грн
1000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7415dn.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.51 грн
10+112.93 грн
100+77.22 грн
500+58.14 грн
1000+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-E3 SI7421DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72416.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5943DU-T1-E3 73669.pdf
SI5943DU-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5944DU-T1-E3 73683.pdf
SI5944DU-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5947DU-T1-E3 73695.pdf
SI5947DU-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6410DQ-T1-E3 70661.pdf
Si6410DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-E3 70639.pdf
SI6415DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-E3 72257.pdf
SI6423DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQ-T1-E3 72511.pdf
SI6433BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6435ADQ-T1-E3 71104.pdf
Si6435ADQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6459BDQ-T1-E3 72518.pdf
SI6459BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6463BDQ-T1-E3 72018.pdf
SI6463BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6467BDQ-T1-E3 72087.pdf
SI6467BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6544BDQ-T1-E3 72244.pdf
SI6544BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6562DQ-T1-E3
Si6562DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6913DQ-T1-E3 si6913dq.pdf
SI6913DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6924AEDQ-T1-E3
SI6924AEDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 28V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6925ADQ-T1-E3 72623.pdf
SI6925ADQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-E3 72754.pdf
SI6926ADQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.58 грн
10+81.59 грн
100+54.76 грн
500+40.61 грн
1000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6928DQ-T1-E3 70663.pdf
Si6928DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6943BDQ-T1-E3 72016.pdf
SI6943BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6954ADQ-T1-E3 71130.pdf
Si6954ADQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 21145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.41 грн
10+60.28 грн
100+39.89 грн
500+29.22 грн
1000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6963BDQ-T1-E3
SI6963BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-E3 si6968be.pdf
SI6968BEDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.46 грн
10+84.28 грн
50+63.51 грн
100+53.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6969BDQ-T1-E3 72017.pdf
SI6969BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6981DQ-T1-E3 si6981dq.pdf
SI6981DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6983DQ-T1-E3 72367.pdf
SI6983DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6993DQ-T1-E3 72369.pdf
SI6993DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7100DN-T1-E3 si7100dn.pdf
SI7100DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-E3 si7106dn.pdf
SI7106DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
на замовлення 25475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.37 грн
10+124.45 грн
50+95.16 грн
100+80.42 грн
500+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7107DN-T1-E3 si7107dn.pdf
SI7107DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-E3 description si7108dn.pdf
SI7108DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
на замовлення 17800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.00 грн
10+132.00 грн
100+106.12 грн
500+81.82 грн
1000+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7110DN-T1-E3 si7110dn.pdf
SI7110DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-E3 si7112dn.pdf
SI7112DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3 si7113dn.pdf
SI7113DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 10036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+267.94 грн
10+168.49 грн
100+117.74 грн
500+90.13 грн
1000+83.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-E3 si7114dn.pdf
SI7114DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.84 грн
10+114.50 грн
100+78.26 грн
500+58.89 грн
1000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3 si7116dn.pdf
SI7116DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.90 грн
10+134.62 грн
100+92.97 грн
500+70.53 грн
1000+67.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-E3 si7117dn.pdf
SI7117DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.13 грн
10+82.86 грн
50+62.34 грн
100+52.30 грн
500+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-E3 si7119dn.pdf
SI7119DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V
на замовлення 42143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.06 грн
10+67.68 грн
50+50.59 грн
100+42.29 грн
500+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120DN-T1-E3
SI7120DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7136DP-T1-E3 73601.pdf
SI7136DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7138DP-T1-E3 si7138dp.pdf
SI7138DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7148DP-T1-E3 73314.pdf
SI7148DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 35 V
на замовлення 5961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.50 грн
10+165.65 грн
100+116.25 грн
500+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7212DN-T1-E3 si7212dn.pdf
SI7212DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 13237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.98 грн
10+150.62 грн
50+115.99 грн
100+98.37 грн
500+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-E3 si7216dn.pdf
SI7216DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 17774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.88 грн
10+96.70 грн
50+73.22 грн
100+61.61 грн
500+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-E3 si7220dn.pdf
SI7220DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3 73419.pdf
SI7308DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
на замовлення 3897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3 si7309dn.pdf
SI7309DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 7217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.17 грн
10+69.55 грн
100+46.39 грн
500+34.20 грн
1000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 si7336adp.pdf
SI7336ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 6228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+278.03 грн
10+175.60 грн
50+136.05 грн
100+115.71 грн
500+96.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7344DP-T1-E3 Si7344DP.pdf
SI7344DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-E3 72296.pdf
SI7366DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3 si7370dp.pdf
SI7370DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 24515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.42 грн
10+154.36 грн
100+107.44 грн
500+82.00 грн
1000+81.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7382DP-T1-E3 si7382dp.pdf
SI7382DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7384DP-T1-E3 72656.pdf
SI7384DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 si7386dp.pdf
SI7386DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.90 грн
10+91.09 грн
100+62.93 грн
500+52.94 грн
1000+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403BDN-T1-E3 73333.pdf
SI7403BDN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7409ADN-T1-E3
SI7409ADN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7411DN-T1-E3 72399.pdf
SI7411DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7413DN-T1-E3 72616.pdf
SI7413DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3 71738.pdf
SI7414DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 26742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.25 грн
10+127.14 грн
100+87.40 грн
500+66.08 грн
1000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3 si7415dn.pdf
SI7415DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.51 грн
10+112.93 грн
100+77.22 грн
500+58.14 грн
1000+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-E3 72416.pdf
SI7421DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.