Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11808) > Сторінка 32 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 57 76 95 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7384DP-T1-E3 SI7384DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72656.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 SI7386DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7386dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.29 грн
10+93.89 грн
100+64.86 грн
500+54.56 грн
1000+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403BDN-T1-E3 SI7403BDN-T1-E3 Vishay Siliconix 73333.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7409ADN-T1-E3 SI7409ADN-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7411DN-T1-E3 SI7411DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72399.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7413DN-T1-E3 SI7413DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72616.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3 SI7414DN-T1-E3 Vishay Siliconix 71738.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.52 грн
10+131.04 грн
100+90.09 грн
500+68.11 грн
1000+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7415dn.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.11 грн
10+116.39 грн
100+79.60 грн
500+59.92 грн
1000+55.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-E3 SI7421DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72416.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3 SI7423DN-T1-E3 Vishay Siliconix Si7423DN.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+89.26 грн
100+69.44 грн
500+55.23 грн
1000+44.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7430dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 5574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.41 грн
10+229.63 грн
100+163.48 грн
500+135.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7431dp.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.42 грн
10+244.66 грн
100+174.33 грн
500+135.46 грн
1000+126.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-E3 SI7439DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7439dp.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.02 грн
10+240.96 грн
100+171.48 грн
500+133.12 грн
1000+124.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Si7448DP-T1-E3 Si7448DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7448dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 SI7450DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7450dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.16 грн
10+174.36 грн
100+121.97 грн
500+94.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3 SI7454DP-T1-E3 Vishay Siliconix 71618.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 SI7456DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7456dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 6561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.33 грн
10+134.51 грн
100+92.62 грн
500+70.13 грн
1000+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7459DP-T1-E3 SI7459DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7459dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-E3 SI7461DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7461dp.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 32129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.55 грн
10+162.64 грн
100+113.16 грн
500+86.36 грн
1000+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7462DP-T1-E3 SI7462DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7462dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7463dp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3 SI7464DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7464dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.46 грн
10+75.54 грн
100+64.68 грн
500+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 Vishay Siliconix 73113.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 37655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.28 грн
10+85.41 грн
50+64.26 грн
100+53.91 грн
500+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7469dp.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 51612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.95 грн
10+156.09 грн
100+108.61 грн
500+82.89 грн
1000+81.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7476DP-T1-E3 SI7476DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7476dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-E3 SI7478DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7478dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.35 грн
10+165.80 грн
100+115.70 грн
500+88.50 грн
1000+82.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7483ADP-T1-E3 SI7483ADP-T1-E3 Vishay Siliconix 73025.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7485DP-T1-E3 SI7485DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72275.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3 SI7489DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7489dp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 27663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.55 грн
10+162.64 грн
100+113.16 грн
500+86.36 грн
1000+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7491DP-T1-E3 SI7491DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72276.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7501DN-T1-E3 SI7501DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72173.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7530DP-T1-E3 SI7530DP-T1-E3 Vishay Siliconix 73249.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DP-T1-E3 SI7540DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7540dp.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7636DP-T1-E3 SI7636DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7636dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 SI7686DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7686dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.90 грн
10+101.75 грн
100+69.14 грн
500+51.79 грн
1000+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-T1-E3 SI7703EDN-T1-E3 Vishay Siliconix si7703edn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7802DN-T1-E3 SI7802DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7802dn.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3 SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72317.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-E3 SI7806ADN-T1-E3 Vishay Siliconix 72995.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-E3 SI7810DN-T1-E3 Vishay Siliconix 70689.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.09 грн
10+96.20 грн
100+65.08 грн
500+48.56 грн
1000+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-E3 SI7812DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7812dn.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
на замовлення 4461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.33 грн
10+134.05 грн
100+92.31 грн
500+69.86 грн
1000+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-E3 SI7818DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7818dn.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.30 грн
10+103.60 грн
100+70.33 грн
500+52.65 грн
1000+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-E3 SI7820DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7820dn.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.30 грн
10+108.69 грн
100+86.96 грн
500+69.57 грн
1000+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7842DP-T1-E3 SI7842DP-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7844DP-T1-E3 Si7844DP-T1-E3 Vishay Siliconix 71328.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-E3 SI7846DP-T1-E3 Vishay Siliconix Si7846DP.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 15705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.70 грн
10+131.04 грн
100+101.70 грн
500+75.28 грн
1000+68.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848DP-T1-E3 SI7848DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7848dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 Vishay Siliconix 71625.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.33 грн
10+138.90 грн
50+106.17 грн
100+89.74 грн
500+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3 SI7852DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7852dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 16047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.57 грн
10+186.31 грн
50+144.31 грн
100+122.75 грн
500+102.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 SI7858ADP-T1-E3 Vishay Siliconix si7858ad.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.71 грн
10+154.70 грн
100+123.15 грн
500+97.79 грн
1000+82.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7866ADP-T1-E3 SI7866ADP-T1-E3 Vishay Siliconix 73380.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
на замовлення 8498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3 SI7892BDP-T1-E3 Vishay Siliconix si7892bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.69 грн
10+103.29 грн
100+73.68 грн
500+56.83 грн
1000+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7898dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.70 грн
10+107.84 грн
100+73.84 грн
500+55.65 грн
1000+55.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3 SI7900AEDN-T1-E3 Vishay Siliconix si7900aedn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 16748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.08 грн
10+86.64 грн
100+61.31 грн
500+46.98 грн
1000+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-E3 SI7904BDN-T1-E3 Vishay Siliconix si7904bdn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.66 грн
10+73.69 грн
100+57.36 грн
500+45.62 грн
1000+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-E3 SI7911DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72340.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-E3 SI7913DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72615.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.67 грн
10+109.15 грн
100+87.74 грн
500+67.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3 SI7922DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72031.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.68 грн
10+122.25 грн
100+98.26 грн
500+75.77 грн
1000+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-E3 SI7923DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72622.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.67 грн
10+105.22 грн
100+84.57 грн
500+65.21 грн
1000+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1-E3 SI7942DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72118.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.94 грн
10+201.72 грн
100+165.26 грн
500+132.03 грн
1000+111.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7384DP-T1-E3 72656.pdf
SI7384DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 si7386dp.pdf
SI7386DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.29 грн
10+93.89 грн
100+64.86 грн
500+54.56 грн
1000+54.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403BDN-T1-E3 73333.pdf
SI7403BDN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7409ADN-T1-E3
SI7409ADN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7411DN-T1-E3 72399.pdf
SI7411DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7413DN-T1-E3 72616.pdf
SI7413DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3 71738.pdf
SI7414DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+210.52 грн
10+131.04 грн
100+90.09 грн
500+68.11 грн
1000+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3 si7415dn.pdf
SI7415DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.11 грн
10+116.39 грн
100+79.60 грн
500+59.92 грн
1000+55.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-E3 72416.pdf
SI7421DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3 Si7423DN.PDF
SI7423DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.87 грн
10+89.26 грн
100+69.44 грн
500+55.23 грн
1000+44.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 5574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+359.41 грн
10+229.63 грн
100+163.48 грн
500+135.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3 si7431dp.pdf
SI7431DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+379.42 грн
10+244.66 грн
100+174.33 грн
500+135.46 грн
1000+126.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-E3 si7439dp.pdf
SI7439DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+377.02 грн
10+240.96 грн
100+171.48 грн
500+133.12 грн
1000+124.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Si7448DP-T1-E3 si7448dp.pdf
Si7448DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 si7450dp.pdf
SI7450DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.16 грн
10+174.36 грн
100+121.97 грн
500+94.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3 71618.pdf
SI7454DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 si7456dp.pdf
SI7456DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 6561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.33 грн
10+134.51 грн
100+92.62 грн
500+70.13 грн
1000+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7459DP-T1-E3 si7459dp.pdf
SI7459DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-E3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 32129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.55 грн
10+162.64 грн
100+113.16 грн
500+86.36 грн
1000+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7462DP-T1-E3 si7462dp.pdf
SI7462DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 si7463dp.pdf
SI7463DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3 si7464dp.pdf
SI7464DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.46 грн
10+75.54 грн
100+64.68 грн
500+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 73113.pdf
SI7465DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 37655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.28 грн
10+85.41 грн
50+64.26 грн
100+53.91 грн
500+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 si7469dp.pdf
SI7469DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 51612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.95 грн
10+156.09 грн
100+108.61 грн
500+82.89 грн
1000+81.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7476DP-T1-E3 si7476dp.pdf
SI7476DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-E3 si7478dp.pdf
SI7478DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+263.35 грн
10+165.80 грн
100+115.70 грн
500+88.50 грн
1000+82.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7483ADP-T1-E3 73025.pdf
SI7483ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7485DP-T1-E3 72275.pdf
SI7485DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3 si7489dp.pdf
SI7489DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 27663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.55 грн
10+162.64 грн
100+113.16 грн
500+86.36 грн
1000+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7491DP-T1-E3 72276.pdf
SI7491DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7501DN-T1-E3 72173.pdf
SI7501DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7530DP-T1-E3 73249.pdf
SI7530DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DP-T1-E3 si7540dp.pdf
SI7540DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7636DP-T1-E3 si7636dp.pdf
SI7636DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 si7686dp.pdf
SI7686DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+164.90 грн
10+101.75 грн
100+69.14 грн
500+51.79 грн
1000+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-T1-E3 si7703edn.pdf
SI7703EDN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7802DN-T1-E3 si7802dn.pdf
SI7802DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3 72317.pdf
SI7804DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-E3 72995.pdf
SI7806ADN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-E3 70689.pdf
SI7810DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.09 грн
10+96.20 грн
100+65.08 грн
500+48.56 грн
1000+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-E3 si7812dn.pdf
SI7812DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
на замовлення 4461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.33 грн
10+134.05 грн
100+92.31 грн
500+69.86 грн
1000+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-E3 si7818dn.pdf
SI7818DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.30 грн
10+103.60 грн
100+70.33 грн
500+52.65 грн
1000+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-E3 si7820dn.pdf
SI7820DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.30 грн
10+108.69 грн
100+86.96 грн
500+69.57 грн
1000+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7842DP-T1-E3
SI7842DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7844DP-T1-E3 71328.pdf
Si7844DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-E3 Si7846DP.PDF
SI7846DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 15705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.70 грн
10+131.04 грн
100+101.70 грн
500+75.28 грн
1000+68.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848DP-T1-E3 si7848dp.pdf
SI7848DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 71625.pdf
SI7850DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.33 грн
10+138.90 грн
50+106.17 грн
100+89.74 грн
500+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3 si7852dp.pdf
SI7852DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 16047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.57 грн
10+186.31 грн
50+144.31 грн
100+122.75 грн
500+102.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 si7858ad.pdf
SI7858ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.71 грн
10+154.70 грн
100+123.15 грн
500+97.79 грн
1000+82.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7866ADP-T1-E3 73380.pdf
SI7866ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
на замовлення 8498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3 si7892bd.pdf
SI7892BDP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+157.69 грн
10+103.29 грн
100+73.68 грн
500+56.83 грн
1000+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 si7898dp.pdf
SI7898DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.70 грн
10+107.84 грн
100+73.84 грн
500+55.65 грн
1000+55.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3 si7900aedn.pdf
SI7900AEDN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 16748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.08 грн
10+86.64 грн
100+61.31 грн
500+46.98 грн
1000+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-E3 si7904bdn.pdf
SI7904BDN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.66 грн
10+73.69 грн
100+57.36 грн
500+45.62 грн
1000+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-E3 72340.pdf
SI7911DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-E3 72615.pdf
SI7913DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.67 грн
10+109.15 грн
100+87.74 грн
500+67.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3 72031.pdf
SI7922DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.68 грн
10+122.25 грн
100+98.26 грн
500+75.77 грн
1000+62.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-E3 72622.pdf
SI7923DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.67 грн
10+105.22 грн
100+84.57 грн
500+65.21 грн
1000+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1-E3 72118.pdf
SI7942DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.94 грн
10+201.72 грн
100+165.26 грн
500+132.03 грн
1000+111.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 57 76 95 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]