Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11835) > Сторінка 32 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 57 76 95 114 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI7309DN-T1-E3 SI7309DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7309dn.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 7217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.17 грн
10+69.55 грн
100+46.39 грн
500+34.20 грн
1000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 SI7336ADP-T1-E3 Vishay Siliconix si7336adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 7823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.41 грн
10+162.62 грн
100+114.15 грн
500+95.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7344DP-T1-E3 SI7344DP-T1-E3 Vishay Siliconix Si7344DP.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-E3 SI7366DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72296.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3 SI7370DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7370dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 24515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.42 грн
10+154.36 грн
100+107.44 грн
500+82.00 грн
1000+81.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7382DP-T1-E3 SI7382DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7382dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7384DP-T1-E3 SI7384DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72656.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 SI7386DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7386dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.90 грн
10+91.09 грн
100+62.93 грн
500+52.94 грн
1000+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403BDN-T1-E3 SI7403BDN-T1-E3 Vishay Siliconix 73333.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7409ADN-T1-E3 SI7409ADN-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7411DN-T1-E3 SI7411DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72399.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7413DN-T1-E3 SI7413DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72616.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3 SI7414DN-T1-E3 Vishay Siliconix 71738.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.25 грн
10+127.14 грн
100+87.40 грн
500+66.08 грн
1000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7415dn.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.51 грн
10+112.93 грн
100+77.22 грн
500+58.14 грн
1000+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-E3 SI7421DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72416.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3 SI7423DN-T1-E3 Vishay Siliconix Si7423DN.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.51 грн
10+86.60 грн
100+67.37 грн
500+53.58 грн
1000+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7430dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 5574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.71 грн
10+222.79 грн
100+158.61 грн
500+131.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3 SI7431DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7431dp.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.12 грн
10+237.37 грн
100+169.14 грн
500+131.43 грн
1000+122.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-E3 SI7439DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7439dp.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.79 грн
10+233.78 грн
100+166.37 грн
500+129.16 грн
1000+120.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Si7448DP-T1-E3 Si7448DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7448dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 SI7450DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7450dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.94 грн
10+169.17 грн
100+118.34 грн
500+91.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3 SI7454DP-T1-E3 Vishay Siliconix 71618.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 SI7456DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7456dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 6561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.91 грн
10+130.50 грн
100+89.86 грн
500+68.05 грн
1000+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7459DP-T1-E3 SI7459DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7459dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-E3 SI7461DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7461dp.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 32129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.85 грн
10+157.80 грн
100+109.79 грн
500+83.79 грн
1000+77.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7462DP-T1-E3 SI7462DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7462dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 SI7463DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7463dp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3 SI7464DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7464dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+73.29 грн
100+62.75 грн
500+56.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 SI7465DP-T1-E3 Vishay Siliconix 73113.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 46704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+83.09 грн
100+55.87 грн
500+41.50 грн
1000+37.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7469dp.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 51612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.53 грн
10+151.44 грн
100+105.37 грн
500+80.42 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7476DP-T1-E3 SI7476DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7476dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-E3 SI7478DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7478dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.51 грн
10+160.87 грн
100+112.26 грн
500+85.86 грн
1000+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7483ADP-T1-E3 SI7483ADP-T1-E3 Vishay Siliconix 73025.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7485DP-T1-E3 SI7485DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72275.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3 SI7489DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7489dp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 27663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.85 грн
10+157.80 грн
100+109.79 грн
500+83.79 грн
1000+77.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7491DP-T1-E3 SI7491DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72276.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7501DN-T1-E3 SI7501DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72173.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7530DP-T1-E3 SI7530DP-T1-E3 Vishay Siliconix 73249.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DP-T1-E3 SI7540DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7540dp.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7636DP-T1-E3 SI7636DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7636dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 SI7686DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7686dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.99 грн
10+98.72 грн
100+67.08 грн
500+50.25 грн
1000+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-T1-E3 SI7703EDN-T1-E3 Vishay Siliconix si7703edn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7802DN-T1-E3 SI7802DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7802dn.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3 SI7804DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72317.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-E3 SI7806ADN-T1-E3 Vishay Siliconix 72995.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-E3 SI7810DN-T1-E3 Vishay Siliconix 70689.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.44 грн
10+93.33 грн
100+63.14 грн
500+47.11 грн
1000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-E3 SI7812DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7812dn.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
на замовлення 4461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.91 грн
10+130.05 грн
100+89.56 грн
500+67.78 грн
1000+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-E3 SI7818DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7818dn.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.32 грн
10+100.51 грн
100+68.24 грн
500+51.08 грн
1000+46.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-E3 SI7820DN-T1-E3 Vishay Siliconix si7820dn.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.43 грн
10+105.45 грн
100+84.37 грн
500+67.50 грн
1000+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7842DP-T1-E3 SI7842DP-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7844DP-T1-E3 Si7844DP-T1-E3 Vishay Siliconix 71328.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-E3 SI7846DP-T1-E3 Vishay Siliconix Si7846DP.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 15705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.88 грн
10+127.14 грн
100+98.67 грн
500+73.04 грн
1000+66.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848DP-T1-E3 SI7848DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7848dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 Vishay Siliconix 71625.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.68 грн
10+134.77 грн
50+103.01 грн
100+87.06 грн
500+70.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3 SI7852DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7852dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 16047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.80 грн
10+180.76 грн
50+140.02 грн
100+119.10 грн
500+99.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 SI7858ADP-T1-E3 Vishay Siliconix si7858ad.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.95 грн
10+150.10 грн
100+119.48 грн
500+94.87 грн
1000+80.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7866ADP-T1-E3 SI7866ADP-T1-E3 Vishay Siliconix 73380.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
на замовлення 8498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3 SI7892BDP-T1-E3 Vishay Siliconix si7892bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.00 грн
10+100.21 грн
100+71.49 грн
500+55.14 грн
1000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7898dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.53 грн
10+104.63 грн
100+71.65 грн
500+54.00 грн
1000+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3 SI7900AEDN-T1-E3 Vishay Siliconix si7900aedn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 16748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.14 грн
10+84.06 грн
100+59.49 грн
500+45.58 грн
1000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3 si7309dn.pdf
SI7309DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 7217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.17 грн
10+69.55 грн
100+46.39 грн
500+34.20 грн
1000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1-E3 si7336adp.pdf
SI7336ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 7823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.41 грн
10+162.62 грн
100+114.15 грн
500+95.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7344DP-T1-E3 Si7344DP.pdf
SI7344DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-E3 72296.pdf
SI7366DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-E3 si7370dp.pdf
SI7370DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 24515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.42 грн
10+154.36 грн
100+107.44 грн
500+82.00 грн
1000+81.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7382DP-T1-E3 si7382dp.pdf
SI7382DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7384DP-T1-E3 72656.pdf
SI7384DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-E3 si7386dp.pdf
SI7386DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.90 грн
10+91.09 грн
100+62.93 грн
500+52.94 грн
1000+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7403BDN-T1-E3 73333.pdf
SI7403BDN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7409ADN-T1-E3
SI7409ADN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7411DN-T1-E3 72399.pdf
SI7411DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7413DN-T1-E3 72616.pdf
SI7413DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-E3 71738.pdf
SI7414DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.25 грн
10+127.14 грн
100+87.40 грн
500+66.08 грн
1000+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-E3 si7415dn.pdf
SI7415DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.51 грн
10+112.93 грн
100+77.22 грн
500+58.14 грн
1000+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7421DN-T1-E3 72416.pdf
SI7421DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7423DN-T1-E3 Si7423DN.PDF
SI7423DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.51 грн
10+86.60 грн
100+67.37 грн
500+53.58 грн
1000+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-E3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 5574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+348.71 грн
10+222.79 грн
100+158.61 грн
500+131.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-E3 si7431dp.pdf
SI7431DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+368.12 грн
10+237.37 грн
100+169.14 грн
500+131.43 грн
1000+122.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-E3 si7439dp.pdf
SI7439DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+365.79 грн
10+233.78 грн
100+166.37 грн
500+129.16 грн
1000+120.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Si7448DP-T1-E3 si7448dp.pdf
Si7448DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-E3 si7450dp.pdf
SI7450DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+267.94 грн
10+169.17 грн
100+118.34 грн
500+91.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-E3 71618.pdf
SI7454DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-E3 si7456dp.pdf
SI7456DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 6561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.91 грн
10+130.50 грн
100+89.86 грн
500+68.05 грн
1000+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7459DP-T1-E3 si7459dp.pdf
SI7459DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-E3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 32129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+250.85 грн
10+157.80 грн
100+109.79 грн
500+83.79 грн
1000+77.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7462DP-T1-E3 si7462dp.pdf
SI7462DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-E3 si7463dp.pdf
SI7463DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7464DP-T1-E3 si7464dp.pdf
SI7464DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.64 грн
10+73.29 грн
100+62.75 грн
500+56.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 73113.pdf
SI7465DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 46704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.13 грн
10+83.09 грн
100+55.87 грн
500+41.50 грн
1000+37.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469DP-T1-E3 si7469dp.pdf
SI7469DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 51612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.53 грн
10+151.44 грн
100+105.37 грн
500+80.42 грн
1000+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7476DP-T1-E3 si7476dp.pdf
SI7476DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7478DP-T1-E3 si7478dp.pdf
SI7478DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.51 грн
10+160.87 грн
100+112.26 грн
500+85.86 грн
1000+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7483ADP-T1-E3 73025.pdf
SI7483ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7485DP-T1-E3 72275.pdf
SI7485DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-E3 si7489dp.pdf
SI7489DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 27663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+250.85 грн
10+157.80 грн
100+109.79 грн
500+83.79 грн
1000+77.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7491DP-T1-E3 72276.pdf
SI7491DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7501DN-T1-E3 72173.pdf
SI7501DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7530DP-T1-E3 73249.pdf
SI7530DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DP-T1-E3 si7540dp.pdf
SI7540DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7636DP-T1-E3 si7636dp.pdf
SI7636DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-E3 si7686dp.pdf
SI7686DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.99 грн
10+98.72 грн
100+67.08 грн
500+50.25 грн
1000+46.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-T1-E3 si7703edn.pdf
SI7703EDN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7802DN-T1-E3 si7802dn.pdf
SI7802DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7804DN-T1-E3 72317.pdf
SI7804DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7806ADN-T1-E3 72995.pdf
SI7806ADN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7810DN-T1-E3 70689.pdf
SI7810DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.44 грн
10+93.33 грн
100+63.14 грн
500+47.11 грн
1000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7812DN-T1-E3 si7812dn.pdf
SI7812DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
на замовлення 4461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.91 грн
10+130.05 грн
100+89.56 грн
500+67.78 грн
1000+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-E3 si7818dn.pdf
SI7818DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+162.32 грн
10+100.51 грн
100+68.24 грн
500+51.08 грн
1000+46.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-E3 si7820dn.pdf
SI7820DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.43 грн
10+105.45 грн
100+84.37 грн
500+67.50 грн
1000+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7842DP-T1-E3
SI7842DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7844DP-T1-E3 71328.pdf
Si7844DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-E3 Si7846DP.PDF
SI7846DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 15705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.88 грн
10+127.14 грн
100+98.67 грн
500+73.04 грн
1000+66.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848DP-T1-E3 si7848dp.pdf
SI7848DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 71625.pdf
SI7850DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.68 грн
10+134.77 грн
50+103.01 грн
100+87.06 грн
500+70.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3 si7852dp.pdf
SI7852DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 16047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+285.80 грн
10+180.76 грн
50+140.02 грн
100+119.10 грн
500+99.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 si7858ad.pdf
SI7858ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+187.95 грн
10+150.10 грн
100+119.48 грн
500+94.87 грн
1000+80.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7866ADP-T1-E3 73380.pdf
SI7866ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
на замовлення 8498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3 si7892bd.pdf
SI7892BDP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.00 грн
10+100.21 грн
100+71.49 грн
500+55.14 грн
1000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 si7898dp.pdf
SI7898DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.53 грн
10+104.63 грн
100+71.65 грн
500+54.00 грн
1000+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3 si7900aedn.pdf
SI7900AEDN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 16748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.14 грн
10+84.06 грн
100+59.49 грн
500+45.58 грн
1000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 57 76 95 114 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]