Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128872) > Сторінка 2076 з 2148

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3410pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS02GXUMA1 ICE2QS02GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2QS02G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20÷150kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Topology: flyback
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: PG-DSO-8
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
Frequency: 20...150kHz
Input voltage: 80...265V
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.10 грн
7+67.67 грн
10+61.90 грн
25+54.47 грн
50+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBF IRLMS5703TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlms5703pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlms1503pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BE6327 BC850BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC850BE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Power dissipation: 0.33W
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.44 грн
51+8.17 грн
100+5.38 грн
250+4.57 грн
1000+3.63 грн
3000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CE6327 BC850CE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC850BE6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.55 грн
47+8.83 грн
48+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327XTSA1 BC850CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412APBF PVT412APBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; PV; 6Ω; THT; DIP6
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: PV
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+392.83 грн
100+328.46 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322PBF PVT322PBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt322.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 2÷25mA; 500mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: 0...250V AC; 0...250V DC
Manufacturer series: PVT322PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operate time: 3ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBF IRFI540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70TFI020 S29AL008J70TFI020 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; TSSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 8Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Interface: CFI; parallel
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+216.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC DIGITAL POWER EXPLORER KIT INFINEON TECHNOLOGIES Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1300,XMC4200; Add-on connectors: 1
Type of development kit: ARM Infineon
Components: BSC0924ND; IRS2011S; XMC1300; XMC4200
Kind of architecture: Cortex M4; Cortex M0
Number of add-on connectors: 1
Kit contents: base board with buck converter; board with XMC1300 microcontroller; board with XMC4200 microcontroller
Connection: pin strips; USB B micro
Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USB; USIC x2
Family: XMC1300; XMC4200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY3210-MINIPROG1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-MiniProg_Guide_e-Book-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eedc3cb7b94&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; Software: included
Type of development kit: Cypress
Kit contents: board with DIP 28 socket; CY8C29466-24PXI microcontroller; USB cable; USB programmer
Associated circuits: PSoC
Programmers and development kits features: ISP programmer
Interface: USB
Software: included
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC822MT1FRIAAFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-XC822_XC824-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a3043271faefd01273d68a3d968df Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: I2C,SPI,UART; DALI; -40÷85°C
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: PG-TSSOP-16
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Interface: I2C; SPI; UART
Integrated circuit features: LEDTSCU; MDU; RTC; watchdog
Memory: 500B SRAM; 4kB FLASH
Number of 16bit timers: 3
Number of PWM channels: 1
Number of 10bit A/D converters: 4
Kind of core: 8-bit
Operating temperature: -40...85°C
Number of input capture channels: 1
Communictions protocol: DALI
Number of output compare channels: 1
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.54 грн
6+80.88 грн
25+75.93 грн
100+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5267AXI-LP051 CY8C5267AXI-LP051 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 32kBSRAM,128kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Number of inputs/outputs: 72
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Clock frequency: 67MHz
Kind of core: 32-bit
Memory: 32kB SRAM; 128kB FLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+891.43 грн
10+820.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.78 грн
10+70.56 грн
40+23.60 грн
110+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20957STRPBF IRS20957STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS20957S.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Case: SO16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...15V DC
Type of integrated circuit: audio amplifier
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+189.31 грн
10+160.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7316pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+90.65 грн
10+47.29 грн
50+38.21 грн
100+34.50 грн
200+30.87 грн
500+26.41 грн
1000+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7708 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+26.66 грн
29+14.28 грн
50+10.63 грн
100+9.41 грн
500+7.20 грн
1000+6.39 грн
3000+5.37 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6372pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.1A
On-state resistance: 17.9mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.44 грн
12+36.97 грн
13+33.18 грн
25+26.82 грн
50+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021DV33-10ZSXI CY7C1021DV33-10ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1021DV33_1-Mbit_(64_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2ca4237bd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files description Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 3÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Memory: 1Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 64kx16bit
Operating voltage: 3...3.6V
Kind of memory: SRAM
Access time: 10ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
на замовлення 743 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+132.43 грн
10+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF IR2127SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127spbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+217.75 грн
5+172.48 грн
10+157.63 грн
25+140.30 грн
50+131.22 грн
95+127.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127PBF IR2127PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.53 грн
10+136.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271SPBF IR21271SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.98 грн
10+125.44 грн
25+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF IR21271PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+221.30 грн
5+181.56 грн
10+165.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.55 грн
12+35.57 грн
100+22.20 грн
250+19.06 грн
500+17.00 грн
1000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128SPBF IR2128SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFx2905ZPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4127pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF IRF7324TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7324pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6327HTSA1 BAV199E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV199E6327.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 1.5us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 330mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.33W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6433HTMA1 BAV199E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bav199series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141cba733104e5 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 1.5us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 330mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.33W
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 4.5A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 BFP760H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP760.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Frequency: 45GHz
Technology: SiGe:C
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 528 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+109.76 грн
10+84.18 грн
25+73.45 грн
50+69.32 грн
100+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.20 грн
10+101.51 грн
25+88.31 грн
50+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7424pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2HS01GXUMA1 ICE2HS01GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2HS01G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; resonant mode controller; 6mA; 0.03÷1MHz; PG-DSO-20
Output current: 6mA
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Kind of integrated circuit: resonant mode controller
Frequency: 30kHz...1MHz
Operating voltage: 11...18V DC
Topology: push-pull
Type of integrated circuit: PMIC
Application: SMPS
Case: PG-DSO-20
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.15 грн
7+144.42 грн
10+142.77 грн
18+136.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3 SPP11N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP11N80C3-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+194.64 грн
10+133.70 грн
11+94.08 грн
28+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBF IRFP3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFP3006PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50085-1TMA BTS50085-1TMA INFINEON TECHNOLOGIES BTS50085-1TMA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 38A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 38A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO220-7-4
On-state resistance: 7.2mΩ
Supply voltage: 5...58V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+563.48 грн
10+474.54 грн
25+439.05 грн
50+417.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441RG BTS441RG INFINEON TECHNOLOGIES BTS441RG.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Output voltage: 4.75...43V
Technology: Classic PROFET
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+302.18 грн
5+247.58 грн
25+222.00 грн
100+210.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6133D BTS6133D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6133D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
On-state resistance: 8mΩ
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+198.19 грн
4+163.41 грн
10+143.60 грн
25+127.92 грн
40+124.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752R BSP752R INFINEON TECHNOLOGIES BSP752R.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.09 грн
10+85.83 грн
25+79.23 грн
50+75.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4300SGA BTS4300SGA INFINEON TECHNOLOGIES BTS4300SGA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Number of channels: 1
Output current: 0.4A
Supply voltage: 5...34V DC
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: SO8
Kind of integrated circuit: high-side
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.53 грн
10+113.06 грн
17+57.77 грн
45+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R360P7SXKSA1 IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; Idm: 34A; 26.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 34A
Version: ESD
Kind of package: tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.87 грн
10+62.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPAN70R360P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.4nC
Version: ESD
Kind of package: tube
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.21 грн
6+80.88 грн
10+66.85 грн
50+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.4nC
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPS70R360P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.4nC
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP129H6327-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.34 грн
10+49.02 грн
34+28.39 грн
92+26.82 грн
200+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.33 грн
23+18.16 грн
50+12.38 грн
100+10.56 грн
250+8.58 грн
500+7.34 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.88 грн
10+44.48 грн
100+30.12 грн
250+25.75 грн
500+22.86 грн
1000+20.22 грн
3000+16.51 грн
6000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+180.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 43mΩ
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.32 грн
12+36.81 грн
50+29.96 грн
100+27.07 грн
500+20.55 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO207PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 1.6W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.44 грн
23+18.16 грн
25+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.87 грн
5+91.61 грн
6+76.92 грн
10+69.24 грн
20+62.80 грн
50+55.87 грн
100+51.50 грн
500+43.49 грн
1000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 INFINEON TECHNOLOGIES IRF40R207.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
On-state resistance: 5.1mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004Q-SXE CY15B004Q-SXE INFINEON TECHNOLOGIES CY15B004Q_RevC_6-4-19.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 3÷3.6VDC; 16MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 16MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Case: SO8
Interface: SPI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS03GXUMA1 ICE3PCS03GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3PCS03G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-8; boost; 90÷270V; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description irfr3410pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF irfr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535630fe762090
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 31A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 31A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS02GXUMA1 ICE2QS02G.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20÷150kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Topology: flyback
Kind of integrated circuit: PWM controller
Case: PG-DSO-8
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
Frequency: 20...150kHz
Input voltage: 80...265V
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.10 грн
7+67.67 грн
10+61.90 грн
25+54.47 грн
50+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBF irlms5703pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF description irlms1503pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BE6327 BC850BE6327.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Power dissipation: 0.33W
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.44 грн
51+8.17 грн
100+5.38 грн
250+4.57 грн
1000+3.63 грн
3000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CE6327 BC850BE6327.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.55 грн
47+8.83 грн
48+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BWH6327XTSA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327XTSA1 bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412APBF IRSDS10638-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; 25mA; PV; 6Ω; THT; DIP6
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Case: DIP6
Body dimensions: 8.63x6.47x3.42mm
Leads: for PCB
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: PV
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+392.83 грн
100+328.46 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322PBF pvt322.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 2÷25mA; 500mA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: 0...250V AC; 0...250V DC
Manufacturer series: PVT322PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operate time: 3ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBF irfi540n.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J70TFI020 Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; TSSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 8Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: TSSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Interface: CFI; parallel
на замовлення 502 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+216.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC DIGITAL POWER EXPLORER KIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1300,XMC4200; Add-on connectors: 1
Type of development kit: ARM Infineon
Components: BSC0924ND; IRS2011S; XMC1300; XMC4200
Kind of architecture: Cortex M4; Cortex M0
Number of add-on connectors: 1
Kit contents: base board with buck converter; board with XMC1300 microcontroller; board with XMC4200 microcontroller
Connection: pin strips; USB B micro
Interface: CAN x2; Ethernet; GPIO; I2C; I2S; LIN; PWM; SPI; UART; USB; USIC x2
Family: XMC1300; XMC4200
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY3210-MINIPROG1 Infineon-MiniProg_Guide_e-Book-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eedc3cb7b94&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; Software: included
Type of development kit: Cypress
Kit contents: board with DIP 28 socket; CY8C29466-24PXI microcontroller; USB cable; USB programmer
Associated circuits: PSoC
Programmers and development kits features: ISP programmer
Interface: USB
Software: included
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC822MT1FRIAAFXUMA1 Infineon-XC822_XC824-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a3043271faefd01273d68a3d968df
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: I2C,SPI,UART; DALI; -40÷85°C
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Mounting: SMD
Case: PG-TSSOP-16
Supply voltage: 2.5...5.5V DC
Interface: I2C; SPI; UART
Integrated circuit features: LEDTSCU; MDU; RTC; watchdog
Memory: 500B SRAM; 4kB FLASH
Number of 16bit timers: 3
Number of PWM channels: 1
Number of 10bit A/D converters: 4
Kind of core: 8-bit
Operating temperature: -40...85°C
Number of input capture channels: 1
Communictions protocol: DALI
Number of output compare channels: 1
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+91.54 грн
6+80.88 грн
25+75.93 грн
100+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5267AXI-LP051 download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 67MHz; TQFP100; 32kBSRAM,128kBFLASH
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Mounting: SMD
Case: TQFP100
Number of inputs/outputs: 72
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Clock frequency: 67MHz
Kind of core: 32-bit
Memory: 32kB SRAM; 128kB FLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART; USB
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+891.43 грн
10+820.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description irf7343pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+120.78 грн
10+70.56 грн
40+23.60 грн
110+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20957STRPBF IRS20957S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Case: SO16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...15V DC
Type of integrated circuit: audio amplifier
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+189.31 грн
10+160.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+90.65 грн
10+47.29 грн
50+38.21 грн
100+34.50 грн
200+30.87 грн
500+26.41 грн
1000+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7708 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+26.66 грн
29+14.28 грн
50+10.63 грн
100+9.41 грн
500+7.20 грн
1000+6.39 грн
3000+5.37 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.1A
On-state resistance: 17.9mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+44.44 грн
12+36.97 грн
13+33.18 грн
25+26.82 грн
50+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021DV33-10ZSXI description Infineon-CY7C1021DV33_1-Mbit_(64_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2ca4237bd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 3÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Memory: 1Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 64kx16bit
Operating voltage: 3...3.6V
Kind of memory: SRAM
Access time: 10ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
на замовлення 743 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+132.43 грн
10+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF ir2127spbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+217.75 грн
5+172.48 грн
10+157.63 грн
25+140.30 грн
50+131.22 грн
95+127.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127PBF description IR21271SPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+163.53 грн
10+136.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271SPBF IR21271SPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.98 грн
10+125.44 грн
25+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF description IR21271SPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+221.30 грн
5+181.56 грн
10+165.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.55 грн
12+35.57 грн
100+22.20 грн
250+19.06 грн
500+17.00 грн
1000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128SPBF IR21271SPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+119.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFx2905ZPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF irfb4127pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF irf7324pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6327HTSA1 BAV199E6327.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 1.5us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 330mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.33W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6433HTMA1 bav199series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141cba733104e5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 1.5us; SOT23; Ufmax: 1.25V; 330mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.33W
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 4.5A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 BFP760.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Frequency: 45GHz
Technology: SiGe:C
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+111.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF irfb4227pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 528 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+109.76 грн
10+84.18 грн
25+73.45 грн
50+69.32 грн
100+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+174.20 грн
10+101.51 грн
25+88.31 грн
50+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF irf7424pbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2HS01GXUMA1 ICE2HS01G.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; resonant mode controller; 6mA; 0.03÷1MHz; PG-DSO-20
Output current: 6mA
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Kind of integrated circuit: resonant mode controller
Frequency: 30kHz...1MHz
Operating voltage: 11...18V DC
Topology: push-pull
Type of integrated circuit: PMIC
Application: SMPS
Case: PG-DSO-20
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.15 грн
7+144.42 грн
10+142.77 грн
18+136.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N80C3 SPP11N80C3-dte.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 156W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+194.64 грн
10+133.70 грн
11+94.08 грн
28+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBF IRFP3006PBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50085-1TMA BTS50085-1TMA.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 38A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 38A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO220-7-4
On-state resistance: 7.2mΩ
Supply voltage: 5...58V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+563.48 грн
10+474.54 грн
25+439.05 грн
50+417.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441RG BTS441RG.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Output voltage: 4.75...43V
Technology: Classic PROFET
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+302.18 грн
5+247.58 грн
25+222.00 грн
100+210.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6133D BTS6133D.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
On-state resistance: 8mΩ
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+198.19 грн
4+163.41 грн
10+143.60 грн
25+127.92 грн
40+124.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752R BSP752R.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+127.09 грн
10+85.83 грн
25+79.23 грн
50+75.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4300SGA BTS4300SGA.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Number of channels: 1
Output current: 0.4A
Supply voltage: 5...34V DC
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: SO8
Kind of integrated circuit: high-side
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+187.53 грн
10+113.06 грн
17+57.77 грн
45+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R360P7SXKSA1 Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; Idm: 34A; 26.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 34A
Version: ESD
Kind of package: tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+104.87 грн
10+62.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.4nC
Version: ESD
Kind of package: tube
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+102.21 грн
6+80.88 грн
10+66.85 грн
50+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.4nC
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R360P7SAKMA1 IPS70R360P7S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.4nC
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.34 грн
10+49.02 грн
34+28.39 грн
92+26.82 грн
200+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.33 грн
23+18.16 грн
50+12.38 грн
100+10.56 грн
250+8.58 грн
500+7.34 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+80.88 грн
10+44.48 грн
100+30.12 грн
250+25.75 грн
500+22.86 грн
1000+20.22 грн
3000+16.51 грн
6000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; 150W; PG-TO252-5
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO252-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+180.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 43mΩ
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.32 грн
12+36.81 грн
50+29.96 грн
100+27.07 грн
500+20.55 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO207PHXUMA1 BSO207PHXUMA1-dte.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 1.6W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+20.44 грн
23+18.16 грн
25+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+120.87 грн
5+91.61 грн
6+76.92 грн
10+69.24 грн
20+62.80 грн
50+55.87 грн
100+51.50 грн
500+43.49 грн
1000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK
On-state resistance: 5.1mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004Q-SXE CY15B004Q_RevC_6-4-19.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 3÷3.6VDC; 16MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 16MHz
Memory: 4kb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512x8bit
Case: SO8
Interface: SPI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS03GXUMA1 ICE3PCS03G.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-8; boost; 90÷270V; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.