Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149516) > Сторінка 281 з 2492

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 276 277 278 279 280 281 282 283 284 285 286 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ICE3AR4780JGXUMA1 ICE3AR4780JGXUMA1 Infineon Technologies Infineon-ICE3AR4780JG-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701549aaf358e750b Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Duty Cycle: 75%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.5V ~ 25V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-19
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 17 V
Part Status: Active
Power (Watts): 29 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR1080GXUMA1 ICE2QR1080GXUMA1 Infineon Technologies Infineon-ICE2QR1080G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701549aaf43e0750e Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 52kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.5V ~ 25V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-19
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 18 V
Part Status: Active
Power (Watts): 77 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR4780GXUMA2 ICE2QR4780GXUMA2 Infineon Technologies Infineon-ICE2QR4780G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701549aa61bab74fe Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 52kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.5V ~ 25V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-19
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 18 V
Part Status: Active
Power (Watts): 37 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CDM10VXTSA1 CDM10VXTSA1 Infineon Technologies Infineon-CDM10V-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596eeea3e040ee Description: 0-10V DIMMING INTERFACE IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Applications: Dimming Controller
Supplier Device Package: PG-SOT23-6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.79 грн
6000+16.68 грн
9000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BGS13SN8E6327XTSA1 BGS13SN8E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGS13SN8-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf52e3ae03a7 Description: IC RF SWITCH SP3T 6GHZ TSNP8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFQFN
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SP3T
RF Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.4V
Insertion Loss: 0.65dB
Frequency Range: 100MHz ~ 6GHz
Test Frequency: 5.725GHz
Isolation: 15dB
Supplier Device Package: PG-TSNP-8-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06NTXUMA1 6EDL04I06NTXUMA1 Infineon Technologies 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO28-17
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 13V ~ 17.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-28-17
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 26ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI10I12MHXUMA1 1EDI10I12MHXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1EDIxxI12MH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843b7f30277 Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-59
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 18V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20H12AHXUMA1 1EDI20H12AHXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1EDIxxy12AH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843c049027b Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-59
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12AHXUMA1 1EDI20I12AHXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1EDIxxy12AH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843c049027b Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-59
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12MHXUMA1 1EDI20I12MHXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1EDIxxI12MH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843b7f30277 Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-59
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 18V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+118.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI30I12MHXUMA1 1EDI30I12MHXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1EDIxxI12MH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843b7f30277 Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-59
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 18V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI40I12AHXUMA1 1EDI40I12AHXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1EDIxxy12AH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843c049027b Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-59
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60H12AHXUMA1 1EDI60H12AHXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1EDIxxy12AH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843c049027b Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-59
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 35V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+103.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60I12AHXUMA1 1EDI60I12AHXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1EDIxxy12AH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843c049027b Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-59
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 35V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 IKD04N60RFATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTR AUIRF7309QTR Infineon Technologies auirf7309q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad17f113d4 Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB55502VH7912XTSA1 BB55502VH7912XTSA1 Infineon Technologies BB535,BB555_Series.pdf Description: DIODE VAR CAP 30V 20MA SC79
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FESDH6327XTSA1 BFP740FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP740FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638969e2f4ead Description: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4-TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB ~ 31dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 47GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.66 грн
16+20.99 грн
25+18.70 грн
100+15.21 грн
250+14.09 грн
500+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BGA7H1N6E6327XTSA1 BGA7H1N6E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGA7H1N6-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304344e406b50144e45ad9af02ca Description: IC AMP LTE 2.3GHZ-2.69GHZ TSNP6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.69GHz
RF Type: LTE
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.3V
Gain: 12.5dB
Current - Supply: 4.7mA
Noise Figure: 0.6dB
P1dB: -8dBm
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.46 грн
10+70.77 грн
25+64.00 грн
100+52.55 грн
250+46.11 грн
500+40.75 грн
1000+31.64 грн
5000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BGA7L1N6E6327XTSA1 BGA7L1N6E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGA7L1N6-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304344e406b50144e46b396d02e6 Description: IC AMP LTE 728MHZ-960MHZ TSNP6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 728MHz ~ 960MHz
RF Type: LTE
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.3V
Gain: 13.3dB
Current - Supply: 4.4mA
Noise Figure: 0.9dB
P1dB: -10dBm
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 9638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.61 грн
10+63.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3065a7e2a05 Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 67µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 8064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.57 грн
10+123.01 грн
100+84.59 грн
500+64.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd Description: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.40 грн
10+82.66 грн
100+55.62 грн
500+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414 Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.42 грн
10+39.69 грн
100+25.75 грн
500+18.55 грн
1000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSR315P-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42acc6143f0 Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.06 грн
10+33.70 грн
100+21.75 грн
500+15.57 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSR316P-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae2bb4410 Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.80 грн
11+31.65 грн
100+20.35 грн
500+14.53 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSR92PH6327XTSA1 BSR92PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1 Description: MOSFET P-CH 250V 140MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.80 грн
11+31.49 грн
100+20.30 грн
500+14.49 грн
1000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120 Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+48.54 грн
11+31.90 грн
100+21.40 грн
500+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1 BSZ068N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ068N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c918e60710e Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.29 грн
10+79.63 грн
100+53.43 грн
500+39.60 грн
1000+36.21 грн
2000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 BSZ100N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ100N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cf112fd7173 Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 11153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.01 грн
10+53.22 грн
100+38.57 грн
500+28.79 грн
1000+25.84 грн
2000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ110N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd70d7261fe Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 36471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.08 грн
10+73.07 грн
100+48.85 грн
500+36.10 грн
1000+32.97 грн
2000+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies BSZ180P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304324fc7f9a0124fdf6df190050 Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.32 грн
10+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3028SDLATMA1 BTS3028SDLATMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS3028SDL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad9d497d4c29 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.20 грн
10+134.90 грн
25+123.37 грн
100+103.79 грн
250+98.08 грн
500+94.64 грн
1000+90.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50081EKBXUMA1 BTS50081EKBXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS5008-1EKB-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a85189c1a7779 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 8mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 11A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.87 грн
10+140.56 грн
25+128.52 грн
100+108.17 грн
250+102.24 грн
500+98.66 грн
1000+94.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50101EKBXUMA1 BTS50101EKBXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS5010-1EKB-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa42c62c7113e Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 10mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 10A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.35 грн
10+134.33 грн
25+122.78 грн
100+103.31 грн
250+97.63 грн
500+94.21 грн
1000+89.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50121EKBXUMA1 BTS50121EKBXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS5012-1EKB-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa42c52d5113a Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 12mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 10A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.73 грн
10+123.83 грн
25+113.07 грн
100+94.97 грн
250+89.66 грн
500+86.45 грн
1000+82.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50161EKBXUMA1 BTS50161EKBXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS5016-1EKB-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa41a7a3d1131 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 16mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50302EKAXUMA1 BTS50302EKAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS5030-2EKA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa41a4f9f1125 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 30mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-40-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.24 грн
10+130.39 грн
25+119.17 грн
100+100.25 грн
250+94.72 грн
500+91.39 грн
1000+87.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50902EKAXUMA1 BTS50902EKAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS5090-2EKA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa41130771071 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 90mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-40-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.07 грн
10+101.03 грн
25+92.04 грн
100+77.07 грн
250+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS51202EKAXUMA1 BTS51202EKAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS5120-2EKA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa41121fc106d Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-40-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.70 грн
10+94.55 грн
25+86.04 грн
100+71.96 грн
250+67.76 грн
500+65.23 грн
1000+62.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 IDM02G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDM02G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c3fa614236 Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 30996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.98 грн
10+110.05 грн
100+75.13 грн
500+56.48 грн
1000+55.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDM05G120C5XTMA1 IDM05G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDM05G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501340f8f84748 Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.85 грн
10+151.79 грн
100+105.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 IDM08G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDM08G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c4028b4239 Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.62 грн
10+175.16 грн
100+122.71 грн
500+101.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 IDM10G120C5XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDM10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c40a77423d Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.19 грн
10+218.87 грн
100+155.31 грн
500+135.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1763XEJV50XUMA1 IFX1763XEJV50XUMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0001300355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC REG LINEAR 5V 500MA 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 20V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.48V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 31 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX54441EJV33XUMA1 IFX54441EJV33XUMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0000606214-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC REG LIN 3.3V 300MA 8DSO E-PAD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 20V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 12 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX81481ELVXUMA1 IFX81481ELVXUMA1 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: IC REG CTRLR BUCK 14SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 700kHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 45V
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-3
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Current Limit, Enable, Frequency Control
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 99%
Clock Sync: Yes
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILD2111XUMA2 ILD2111XUMA2 Infineon Technologies Infineon-ILD2111-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd8501521b9a7b9a2afd Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Lighting
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-58
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 6V
Voltage - Supply (Max): 24V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I100N04S4_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c2758925d17&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+74.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies IPx100N06S2-05.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S401ATMA1 IPB120N04S401ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c2ebd3b5d27&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.85 грн
10+166.47 грн
100+116.25 грн
500+95.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 IPB120N04S402ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.15 грн
10+150.07 грн
100+104.19 грн
500+83.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies Infineon-IPB160N04S2_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b97434564&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 IPB180N04S400ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB180N04S4_00-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c3debd55d57&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.14 грн
10+203.70 грн
100+149.68 грн
500+124.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 IPB180N04S401ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.47 грн
10+175.00 грн
100+122.34 грн
500+93.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB180N04S4_H0-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c4975375d77&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.89 грн
10+174.34 грн
100+137.20 грн
500+105.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S403ATMA1 IPB80N04S403ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c53fc8b5dab&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.91 грн
10+117.76 грн
100+80.51 грн
500+60.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S404ATMA1 IPB80N04S404ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I80N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c71d4085dfa&ack=t Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.13 грн
10+109.07 грн
100+74.27 грн
500+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S209ATMA2 IPB80N06S209ATMA2 Infineon Technologies INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.74 грн
10+148.18 грн
100+102.81 грн
500+81.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPP_B80N06S2_H5-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333c6c5ac2&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR4780JGXUMA1 Infineon-ICE3AR4780JG-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701549aaf358e750b
ICE3AR4780JGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Duty Cycle: 75%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.5V ~ 25V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-19
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 17 V
Part Status: Active
Power (Watts): 29 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR1080GXUMA1 Infineon-ICE2QR1080G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701549aaf43e0750e
ICE2QR1080GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 52kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.5V ~ 25V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-19
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 18 V
Part Status: Active
Power (Watts): 77 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR4780GXUMA2 Infineon-ICE2QR4780G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701549aa61bab74fe
ICE2QR4780GXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 52kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.5V ~ 25V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-19
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 18 V
Part Status: Active
Power (Watts): 37 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CDM10VXTSA1 Infineon-CDM10V-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101596eeea3e040ee
CDM10VXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 0-10V DIMMING INTERFACE IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Applications: Dimming Controller
Supplier Device Package: PG-SOT23-6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.79 грн
6000+16.68 грн
9000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BGS13SN8E6327XTSA1 Infineon-BGS13SN8-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf52e3ae03a7
BGS13SN8E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP3T 6GHZ TSNP8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFQFN
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SP3T
RF Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.4V
Insertion Loss: 0.65dB
Frequency Range: 100MHz ~ 6GHz
Test Frequency: 5.725GHz
Isolation: 15dB
Supplier Device Package: PG-TSNP-8-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06NTXUMA1 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af
6EDL04I06NTXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO28-17
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 13V ~ 17.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-28-17
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 26ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI10I12MHXUMA1 Infineon-1EDIxxI12MH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843b7f30277
1EDI10I12MHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-59
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 18V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20H12AHXUMA1 Infineon-1EDIxxy12AH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843c049027b
1EDI20H12AHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-59
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12AHXUMA1 Infineon-1EDIxxy12AH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843c049027b
1EDI20I12AHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-59
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI20I12MHXUMA1 Infineon-1EDIxxI12MH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843b7f30277
1EDI20I12MHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-59
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 18V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+118.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI30I12MHXUMA1 Infineon-1EDIxxI12MH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843b7f30277
1EDI30I12MHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-59
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 18V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI40I12AHXUMA1 Infineon-1EDIxxy12AH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843c049027b
1EDI40I12AHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-59
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60H12AHXUMA1 Infineon-1EDIxxy12AH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843c049027b
1EDI60H12AHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-59
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 35V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+103.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI60I12AHXUMA1 Infineon-1EDIxxy12AH-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701543843c049027b
1EDI60I12AHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Supplier Device Package: PG-DSO-8-59
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 9ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 35V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+117.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RFATMA1 Infineon-IKD04N60RF-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5d6c806d00dc
IKD04N60RFATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTR auirf7309q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad17f113d4
AUIRF7309QTR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB55502VH7912XTSA1 BB535,BB555_Series.pdf
BB55502VH7912XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE VAR CAP 30V 20MA SC79
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FESDH6327XTSA1 Infineon-BFP740FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016638969e2f4ead
BFP740FESDH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4-TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB ~ 31dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 47GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.66 грн
16+20.99 грн
25+18.70 грн
100+15.21 грн
250+14.09 грн
500+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BGA7H1N6E6327XTSA1 Infineon-BGA7H1N6-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304344e406b50144e45ad9af02ca
BGA7H1N6E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LTE 2.3GHZ-2.69GHZ TSNP6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.69GHz
RF Type: LTE
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.3V
Gain: 12.5dB
Current - Supply: 4.7mA
Noise Figure: 0.6dB
P1dB: -8dBm
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.46 грн
10+70.77 грн
25+64.00 грн
100+52.55 грн
250+46.11 грн
500+40.75 грн
1000+31.64 грн
5000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BGA7L1N6E6327XTSA1 Infineon-BGA7L1N6-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304344e406b50144e46b396d02e6
BGA7L1N6E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LTE 728MHZ-960MHZ TSNP6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 728MHz ~ 960MHz
RF Type: LTE
Voltage - Supply: 1.5V ~ 3.3V
Gain: 13.3dB
Current - Supply: 4.4mA
Noise Figure: 0.9dB
P1dB: -10dBm
Supplier Device Package: PG-TSNP-6-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be
BSC034N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 41µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 30 V
на замовлення 9638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.61 грн
10+63.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N08NS5ATMA1 Infineon-BSC040N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae3065a7e2a05
BSC040N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 67µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 8064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.57 грн
10+123.01 грн
100+84.59 грн
500+64.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd
BSC098N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.40 грн
10+82.66 грн
100+55.62 грн
500+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414
BSL211SPH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.42 грн
10+39.69 грн
100+25.75 грн
500+18.55 грн
1000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 Infineon-BSR315P-DS-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42acc6143f0
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 620mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 176 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.06 грн
10+33.70 грн
100+21.75 грн
500+15.57 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 Infineon-BSR316P-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae2bb4410
BSR316PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.80 грн
11+31.65 грн
100+20.35 грн
500+14.53 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSR92PH6327XTSA1 Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1
BSR92PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 250V 140MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.80 грн
11+31.49 грн
100+20.30 грн
500+14.49 грн
1000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120
BSS606NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.54 грн
11+31.90 грн
100+21.40 грн
500+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1 Infineon-BSZ068N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c918e60710e
BSZ068N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.29 грн
10+79.63 грн
100+53.43 грн
500+39.60 грн
1000+36.21 грн
2000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N06NSATMA1 Infineon-BSZ100N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cf112fd7173
BSZ100N06NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
на замовлення 11153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.01 грн
10+53.22 грн
100+38.57 грн
500+28.79 грн
1000+25.84 грн
2000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon-BSZ110N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd70d7261fe
BSZ110N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
на замовлення 36471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.08 грн
10+73.07 грн
100+48.85 грн
500+36.10 грн
1000+32.97 грн
2000+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304324fc7f9a0124fdf6df190050
BSZ180P03NS3EGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.32 грн
10+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3028SDLATMA1 Infineon-BTS3028SDL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad9d497d4c29
BTS3028SDLATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.20 грн
10+134.90 грн
25+123.37 грн
100+103.79 грн
250+98.08 грн
500+94.64 грн
1000+90.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50081EKBXUMA1 Infineon-BTS5008-1EKB-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a85189c1a7779
BTS50081EKBXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 8mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 11A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
на замовлення 2657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.87 грн
10+140.56 грн
25+128.52 грн
100+108.17 грн
250+102.24 грн
500+98.66 грн
1000+94.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50101EKBXUMA1 Infineon-BTS5010-1EKB-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa42c62c7113e
BTS50101EKBXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 10mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 10A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.35 грн
10+134.33 грн
25+122.78 грн
100+103.31 грн
250+97.63 грн
500+94.21 грн
1000+89.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50121EKBXUMA1 Infineon-BTS5012-1EKB-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa42c52d5113a
BTS50121EKBXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 12mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 10A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.73 грн
10+123.83 грн
25+113.07 грн
100+94.97 грн
250+89.66 грн
500+86.45 грн
1000+82.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50161EKBXUMA1 Infineon-BTS5016-1EKB-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa41a7a3d1131
BTS50161EKBXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 16mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-47-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50302EKAXUMA1 Infineon-BTS5030-2EKA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa41a4f9f1125
BTS50302EKAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 30mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-40-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.24 грн
10+130.39 грн
25+119.17 грн
100+100.25 грн
250+94.72 грн
500+91.39 грн
1000+87.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50902EKAXUMA1 Infineon-BTS5090-2EKA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa41130771071
BTS50902EKAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 90mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-40-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.07 грн
10+101.03 грн
25+92.04 грн
100+77.07 грн
250+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS51202EKAXUMA1 Infineon-BTS5120-2EKA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa41121fc106d
BTS51202EKAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 120mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-40-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.70 грн
10+94.55 грн
25+86.04 грн
100+71.96 грн
250+67.76 грн
500+65.23 грн
1000+62.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDM02G120C5XTMA1 Infineon-IDM02G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c3fa614236
IDM02G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 182pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
на замовлення 30996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.98 грн
10+110.05 грн
100+75.13 грн
500+56.48 грн
1000+55.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDM05G120C5XTMA1 Infineon-IDM05G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501340f8f84748
IDM05G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.85 грн
10+151.79 грн
100+105.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDM08G120C5XTMA1 Infineon-IDM08G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c4028b4239
IDM08G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.62 грн
10+175.16 грн
100+122.71 грн
500+101.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDM10G120C5XTMA1 Infineon-IDM10G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f72be57014f97c40a77423d
IDM10G120C5XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 38A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 62 µA @ 12 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.19 грн
10+218.87 грн
100+155.31 грн
500+135.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1763XEJV50XUMA1 INFN-S-A0001300355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IFX1763XEJV50XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 500MA 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 20V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
Part Status: Obsolete
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.48V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 31 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX54441EJV33XUMA1 INFN-S-A0000606214-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IFX54441EJV33XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 3.3V 300MA 8DSO E-PAD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 20V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.4V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 12 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IFX81481ELVXUMA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
IFX81481ELVXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR BUCK 14SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 700kHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 45V
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-3
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Current Limit, Enable, Frequency Control
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 99%
Clock Sync: Yes
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILD2111XUMA2 Infineon-ILD2111-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd8501521b9a7b9a2afd
ILD2111XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Lighting
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-58
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 6V
Voltage - Supply (Max): 24V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon-IPP_B_I100N04S4_H2-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c2758925d17&ack=t
IPB100N04S4H2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.08 грн
10+74.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 IPx100N06S2-05.pdf
IPB100N06S205ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S401ATMA1 Infineon-IPP_B_I120N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c2ebd3b5d27&ack=t
IPB120N04S401ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.85 грн
10+166.47 грн
100+116.25 грн
500+95.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N04S402ATMA1 Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t
IPB120N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10740 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.15 грн
10+150.07 грн
100+104.19 грн
500+83.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S203ATMA4 Infineon-IPB160N04S2_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b97434564&ack=t
IPB160N04S203ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S400ATMA1 Infineon-IPB180N04S4_00-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c3debd55d57&ack=t
IPB180N04S400ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.98mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 286 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.14 грн
10+203.70 грн
100+149.68 грн
500+124.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67&ack=t
IPB180N04S401ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.47 грн
10+175.00 грн
100+122.34 грн
500+93.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 Infineon-IPB180N04S4_H0-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c4975375d77&ack=t
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17940 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.89 грн
10+174.34 грн
100+137.20 грн
500+105.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S403ATMA1 Infineon-IPP_B_I80N04S4_03-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c53fc8b5dab&ack=t
IPB80N04S403ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.91 грн
10+117.76 грн
100+80.51 грн
500+60.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N04S404ATMA1 Infineon-IPP_B_I80N04S4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c71d4085dfa&ack=t
IPB80N04S404ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.13 грн
10+109.07 грн
100+74.27 грн
500+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S209ATMA2 INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB80N06S209ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.74 грн
10+148.18 грн
100+102.81 грн
500+81.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2H5ATMA2 Infineon-IPP_B80N06S2_H5-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4333c6c5ac2&ack=t
IPB80N06S2H5ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 276 277 278 279 280 281 282 283 284 285 286 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]