Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148446) > Сторінка 281 з 2475

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 276 277 278 279 280 281 282 283 284 285 286 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKD06N60RAATMA1 IKD06N60RAATMA1 Infineon Technologies IKD06N60RA.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA1 IKD06N60RAATMA1 Infineon Technologies IKD06N60RA.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041GE30-10VXI CY7C1041GE30-10VXI Infineon Technologies Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GE30-10ZSXI CY7C1049GE30-10ZSXI Infineon Technologies Infineon-CY7C1049G_and_CY7C1049GE_are_high-performance_CMOS_fast_static_RAM_devices_with_embedded_ECC-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7e2c15966&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_ Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1383KVE33-133AXI CY7C1383KVE33-133AXI Infineon Technologies Infineon-CY7C1381KV33_CY_7C1381KVE33_CY7C1383KV33_CY_7C1383KVE33_18-Mbit_(512_K_36_1_M_18)_Flow-Through_SRAM_(With_ECC)-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed61b255667&utm_source=cypress&utm_medium=referral&ut Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 6.5 ns
Memory Organization: 1M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7S1049GE30-10VXI CY7S1049GE30-10VXI Infineon Technologies Infineon-CY7S1049G_CY7S1049GE_4_Mbit_(512K_words_x_8_bit)_Static_RAM_with_PowerSnooze_and_Error_Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed8de7c5a8c Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 36-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127LTI-M475 CY8C4127LTI-M475 Infineon Technologies download Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b SAR; 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 55
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.48 грн
10+483.17 грн
25+460.69 грн
80+375.40 грн
260+358.53 грн
520+326.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4245AZI-M433 CY8C4245AZI-M433 Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_PSoC_4200M_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee45b436afc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integrati Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, LCD, LVD, POR, PWM, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.12 грн
10+232.58 грн
25+213.90 грн
80+184.12 грн
250+172.33 грн
500+166.80 грн
1000+159.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4246AZI-M443 CY8C4246AZI-M443 Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_PSoC_4200M_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee45b436afc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integrati Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, LCD, LVD, POR, PWM, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.71 грн
10+265.31 грн
25+245.04 грн
80+211.95 грн
250+211.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247AXI-M485 CY8C4247AXI-M485 Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_PSoC_4200M_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee45b436afc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integrati Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b SAR; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, LCD, LVD, POR, PWM, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 64-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 51
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.34 грн
10+347.53 грн
25+322.11 грн
90+282.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888AXQ-LP096 CY8C5888AXQ-LP096 Infineon Technologies Infineon-PSoC_5LP_CY8C58LP_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec547013ab9 Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 62
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2326.95 грн
10+1814.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888LTQ-LP097 CY8C5888LTQ-LP097 Infineon Technologies Infineon-PSoC_5LP_CY8C58LP_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec547013ab9 Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2050.01 грн
10+1592.21 грн
25+1496.84 грн
100+1306.33 грн
260+1257.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2302-68LTXI CYUSB2302-68LTXI Infineon Technologies Infineon-CYUSB330x_CYUSB331x_CYUSB332x_HX3_USB_3.0_Hub-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecb53f644b8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC USB 2.0 HUB 2-PORT 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V, 2.5V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
Controller Series: CYUSB
Program Memory Type: ROM (32kB)
Applications: USB 2.0 Hub Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.08 грн
10+210.59 грн
25+194.04 грн
80+167.29 грн
260+165.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2304-68LTXI CYUSB2304-68LTXI Infineon Technologies Infineon-CYUSB330x_CYUSB331x_CYUSB332x_HX3_USB_3.0_Hub-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecb53f644b8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC USB 2.0 HUB 4-PORT 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V, 2.5V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
Controller Series: CYUSB
Program Memory Type: ROM (32kB)
Applications: USB 2.0 Hub Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.31 грн
10+291.59 грн
25+269.08 грн
100+229.27 грн
260+217.78 грн
520+211.17 грн
1040+202.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I06FIXUMA1 2ED020I06FIXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2ED020I06-FI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fda7f8a9335d0 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 14V ~ 18V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-18-2
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.50 грн
10+149.82 грн
25+137.08 грн
100+115.54 грн
250+109.29 грн
500+105.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04N06PTXUMA1 6EDL04N06PTXUMA1 Infineon Technologies 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 17.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 620 V
Supplier Device Package: PG-DSO-28
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 26ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.13 грн
10+174.49 грн
25+160.01 грн
100+135.22 грн
250+128.09 грн
500+123.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP318S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8 Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
на замовлення 63986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.07 грн
10+66.29 грн
100+53.35 грн
500+46.74 грн
1000+43.50 грн
2000+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2213STRPBF IR2213STRPBF Infineon Technologies ir2213.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9621716d8 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 12V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.28 грн
10+353.74 грн
25+327.07 грн
100+279.41 грн
250+266.27 грн
500+258.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304STRPBF IR2304STRPBF Infineon Technologies ir2304.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9954a16e0 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 200ns, 100ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 60mA, 130mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.72 грн
10+63.30 грн
25+57.29 грн
100+47.57 грн
250+44.61 грн
500+42.83 грн
1000+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR3827MTRPBF IR3827MTRPBF Infineon Technologies ir3827m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d1d28317c0 Description: IC REG BUCK ADJ 6A 17PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 17-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.2MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 17-PQFN (4x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 5.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR7106STRPBF IR7106STRPBF Infineon Technologies ir7106s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d61a06182a Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Infineon Technologies irfh5020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ac6fe1e9e Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V
на замовлення 6246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.62 грн
10+139.70 грн
100+96.62 грн
500+73.39 грн
1000+67.84 грн
2000+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies irfs4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639fdc421a1 Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.80 грн
10+197.71 грн
100+139.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies irfs7530-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a9d1e21d8 Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.39 грн
10+183.84 грн
100+147.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 7221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.13 грн
10+192.89 грн
100+135.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.24 грн
10+138.02 грн
100+95.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies irfs7730-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ab68221e0 Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.38 грн
10+208.44 грн
100+147.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRL7PP IRFS7734TRL7PP Infineon Technologies irfs7734-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ac71b21e6 Description: MOSFET N-CH 75V 197A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBF IRFS7787TRLPBF Infineon Technologies irfs7787pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ad73d21eb Description: MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2117STRPBF IRS2117STRPBF Infineon Technologies irs2117pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356767f2127b9 Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.64 грн
10+46.82 грн
25+42.18 грн
100+34.82 грн
250+32.54 грн
500+31.17 грн
1000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25411STRPBF IRS25411STRPBF Infineon Technologies irs25401pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b06662826 Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 8V
Voltage - Supply (Max): 16.6V
Part Status: Active
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.26 грн
10+127.59 грн
25+116.51 грн
100+97.95 грн
250+92.52 грн
500+89.24 грн
1000+85.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N10LSFGATMA1 BSC105N10LSFGATMA1 Infineon Technologies BSC105N10LSF+Rev2.07.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b499b2aa07b26 Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 Infineon Technologies BSC118N10NS+Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647fdc2d4071c Description: MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.43 грн
10+89.51 грн
100+60.44 грн
500+45.03 грн
1000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 32634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.05 грн
10+41.46 грн
100+28.94 грн
500+21.94 грн
1000+19.02 грн
2000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12B2XUMA1 1ED020I12B2XUMA1 Infineon Technologies Infineon-1ED020I12_B2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344bf16f84ca6 Description: DGT ISO 4.5KV 1CH GT DVR DSO16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 4500Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-16-15
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 20V
на замовлення 9778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.54 грн
10+258.18 грн
25+237.87 грн
100+202.30 грн
250+192.32 грн
500+186.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12F2XUMA1 2ED020I12F2XUMA1 Infineon Technologies Infineon-2ED020I12_F2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344c70fc64cc8 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO36-58
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), 32 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 13V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: PG-DSO-36-58
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.5V, 3.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.00 грн
10+336.73 грн
25+311.25 грн
100+265.81 грн
250+253.28 грн
500+245.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06PTXUMA1 6EDL04I06PTXUMA1 Infineon Technologies 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO28
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 13V ~ 17.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-28
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 26ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.13 грн
10+174.49 грн
25+160.01 грн
100+135.22 грн
250+128.09 грн
500+123.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGM15LA12E6327XTSA1 BGM15LA12E6327XTSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0001299616-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC AMP LTE 700MHZ-1GHZ 12ATSLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 700MHz ~ 1GHz
RF Type: LTE, W-CDMA
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.3V
Gain: 17.3dB
Current - Supply: 4.9mA
Noise Figure: 1.1dB
P1dB: -8dBm
Test Frequency: 925MHz ~ 960MHz
Supplier Device Package: ATSLP-12-3
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA12GN10E6327XTSA1 BGSA12GN10E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_AntennaTuningSolutions_2014-06.pdf?fileId=5546d461464245d301468a636c8c6598 Description: IC RF SWITCH SPDT 5GHZ TSNP10-1
Features: DC Blocked, Single Line Control
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFQFN
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: Cellular, 3G, 4G
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Insertion Loss: 0.39dB
Frequency Range: 100MHz ~ 5GHz
Test Frequency: 2.69GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: PG-TSNP-10-1
Part Status: Active
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.32 грн
10+45.75 грн
25+42.98 грн
100+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 18793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.61 грн
10+122.54 грн
100+84.36 грн
500+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03LSCGATMA1 Infineon Technologies BSC079N03LSCG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03LSGATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 34V 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 47276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
20+15.48 грн
100+10.20 грн
500+7.12 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL207SP-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142d8004cc24f74 Description: MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.71 грн
10+38.24 грн
100+26.05 грн
500+20.23 грн
1000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289 Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.28 грн
10+36.55 грн
100+23.63 грн
500+16.97 грн
1000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL307SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142dca7f3721687 Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.71 грн
10+38.16 грн
100+25.98 грн
500+20.19 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP320S-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b515cf1f42949 Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.76 грн
10+49.97 грн
100+32.85 грн
500+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.32 грн
32+9.73 грн
100+5.55 грн
500+4.40 грн
1000+4.12 грн
2000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS214NW-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b695aebc01bde Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 119479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
23+13.87 грн
100+8.66 грн
500+6.01 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 4039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.90 грн
10+87.21 грн
100+62.51 грн
500+48.51 грн
1000+44.61 грн
2000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies IPB011N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a601164373e07005f8 Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3GATMA1 IPD038N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPD038N06N3_Rev1.01.pdf?folderId=db3a3043132679fb0113346bdc4505a3&fileId=db3a304317a7483601181bf8dae11675 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.95 грн
10+123.38 грн
100+84.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1 Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 8605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.80 грн
10+106.60 грн
100+81.23 грн
500+67.35 грн
1000+62.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 28538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.84 грн
10+56.63 грн
100+40.62 грн
500+32.59 грн
1000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.45 грн
10+94.64 грн
100+65.10 грн
500+48.64 грн
1000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44 Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.43 грн
6000+11.43 грн
9000+10.94 грн
15000+10.07 грн
21000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 IPN70R1K5CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA1 IKD06N60RA.pdf
IKD06N60RAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RAATMA1 IKD06N60RA.pdf
IKD06N60RAATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/127ns
Switching Energy: 110µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041GE30-10VXI Infineon-CY7C1041G_CY7C1041GE_4-Mbit_(256K_words_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ece32d648bc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_g
CY7C1041GE30-10VXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GE30-10ZSXI Infineon-CY7C1049G_and_CY7C1049GE_are_high-performance_CMOS_fast_static_RAM_devices_with_embedded_ECC-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed7e2c15966&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_
CY7C1049GE30-10ZSXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1383KVE33-133AXI Infineon-CY7C1381KV33_CY_7C1381KVE33_CY7C1383KV33_CY_7C1383KVE33_18-Mbit_(512_K_36_1_M_18)_Flow-Through_SRAM_(With_ECC)-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed61b255667&utm_source=cypress&utm_medium=referral&ut
CY7C1383KVE33-133AXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x20)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 6.5 ns
Memory Organization: 1M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7S1049GE30-10VXI Infineon-CY7S1049G_CY7S1049GE_4_Mbit_(512K_words_x_8_bit)_Static_RAM_with_PowerSnooze_and_Error_Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed8de7c5a8c
CY7S1049GE30-10VXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 36-SOJ
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4127LTI-M475 download
CY8C4127LTI-M475
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b SAR; 2xIDAC
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I²C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 55
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+555.48 грн
10+483.17 грн
25+460.69 грн
80+375.40 грн
260+358.53 грн
520+326.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4245AZI-M433 Infineon-PSoC_4_PSoC_4200M_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee45b436afc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integrati
CY8C4245AZI-M433
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, LCD, LVD, POR, PWM, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+319.12 грн
10+232.58 грн
25+213.90 грн
80+184.12 грн
250+172.33 грн
500+166.80 грн
1000+159.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4246AZI-M443 Infineon-PSoC_4_PSoC_4200M_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee45b436afc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integrati
CY8C4246AZI-M443
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, LCD, LVD, POR, PWM, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.71 грн
10+265.31 грн
25+245.04 грн
80+211.95 грн
250+211.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247AXI-M485 Infineon-PSoC_4_PSoC_4200M_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee45b436afc&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integrati
CY8C4247AXI-M485
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 16x12b SAR; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, Cap Sense, LCD, LVD, POR, PWM, SmartSense, WDT
Supplier Device Package: 64-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 51
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.34 грн
10+347.53 грн
25+322.11 грн
90+282.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888AXQ-LP096 Infineon-PSoC_5LP_CY8C58LP_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec547013ab9
CY8C5888AXQ-LP096
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 62
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2326.95 грн
10+1814.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888LTQ-LP097 Infineon-PSoC_5LP_CY8C58LP_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec547013ab9
CY8C5888LTQ-LP097
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 1x20b, 2x12b; D/A 4x8b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2050.01 грн
10+1592.21 грн
25+1496.84 грн
100+1306.33 грн
260+1257.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2302-68LTXI Infineon-CYUSB330x_CYUSB331x_CYUSB332x_HX3_USB_3.0_Hub-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecb53f644b8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CYUSB2302-68LTXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC USB 2.0 HUB 2-PORT 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V, 2.5V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
Controller Series: CYUSB
Program Memory Type: ROM (32kB)
Applications: USB 2.0 Hub Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.08 грн
10+210.59 грн
25+194.04 грн
80+167.29 грн
260+165.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CYUSB2304-68LTXI Infineon-CYUSB330x_CYUSB331x_CYUSB332x_HX3_USB_3.0_Hub-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecb53f644b8&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CYUSB2304-68LTXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC USB 2.0 HUB 4-PORT 68QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V, 2.5V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
Controller Series: CYUSB
Program Memory Type: ROM (32kB)
Applications: USB 2.0 Hub Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Part Status: Active
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.31 грн
10+291.59 грн
25+269.08 грн
100+229.27 грн
260+217.78 грн
520+211.17 грн
1040+202.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I06FIXUMA1 Infineon-2ED020I06-FI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fda7f8a9335d0
2ED020I06FIXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO18-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 14V ~ 18V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-18-2
Rise / Fall Time (Typ): 20ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.50 грн
10+149.82 грн
25+137.08 грн
100+115.54 грн
250+109.29 грн
500+105.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04N06PTXUMA1 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af
6EDL04N06PTXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 17.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 620 V
Supplier Device Package: PG-DSO-28
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 26ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.13 грн
10+174.49 грн
25+160.01 грн
100+135.22 грн
250+128.09 грн
500+123.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1 BSP318S.pdf
BSP318SH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8
BSZ075N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V
на замовлення 63986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.07 грн
10+66.29 грн
100+53.35 грн
500+46.74 грн
1000+43.50 грн
2000+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2213STRPBF ir2213.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9621716d8
IR2213STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 12V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.28 грн
10+353.74 грн
25+327.07 грн
100+279.41 грн
250+266.27 грн
500+258.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304STRPBF ir2304.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9954a16e0
IR2304STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 200ns, 100ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 60mA, 130mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.72 грн
10+63.30 грн
25+57.29 грн
100+47.57 грн
250+44.61 грн
500+42.83 грн
1000+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR3827MTRPBF ir3827m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d1d28317c0
IR3827MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 6A 17PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 17-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.2MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 17-PQFN (4x5)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 5.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR7106STRPBF ir7106s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d61a06182a
IR7106STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5020TRPBF irfh5020pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ac6fe1e9e
IRFH5020TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 100 V
на замовлення 6246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.62 грн
10+139.70 грн
100+96.62 грн
500+73.39 грн
1000+67.84 грн
2000+63.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF irfs4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639fdc421a1
IRFS4229TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.80 грн
10+197.71 грн
100+139.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PP irfs7530-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a9d1e21d8
IRFS7530TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.39 грн
10+183.84 грн
100+147.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3
IRFS7530TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 7221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.13 грн
10+192.89 грн
100+135.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb
IRFS7537TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.24 грн
10+138.02 грн
100+95.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP irfs7730-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ab68221e0
IRFS7730TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.38 грн
10+208.44 грн
100+147.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc
IRFS7730TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRL7PP irfs7734-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ac71b21e6
IRFS7734TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 197A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBF irfs7787pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ad73d21eb
IRFS7787TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2117STRPBF irs2117pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356767f2127b9
IRS2117STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.64 грн
10+46.82 грн
25+42.18 грн
100+34.82 грн
250+32.54 грн
500+31.17 грн
1000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25411STRPBF irs25401pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b06662826
IRS25411STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 8V
Voltage - Supply (Max): 16.6V
Part Status: Active
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.26 грн
10+127.59 грн
25+116.51 грн
100+97.95 грн
250+92.52 грн
500+89.24 грн
1000+85.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N10LSFGATMA1 BSC105N10LSF+Rev2.07.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b499b2aa07b26
BSC105N10LSFGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NS+Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647fdc2d4071c
BSC118N10NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.43 грн
10+89.51 грн
100+60.44 грн
500+45.03 грн
1000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd
BSZ120P03NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 32634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.05 грн
10+41.46 грн
100+28.94 грн
500+21.94 грн
1000+19.02 грн
2000+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12B2XUMA1 Infineon-1ED020I12_B2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344bf16f84ca6
1ED020I12B2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGT ISO 4.5KV 1CH GT DVR DSO16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 4500Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-16-15
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 20V
на замовлення 9778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.54 грн
10+258.18 грн
25+237.87 грн
100+202.30 грн
250+192.32 грн
500+186.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12F2XUMA1 Infineon-2ED020I12_F2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344c70fc64cc8
2ED020I12F2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO36-58
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), 32 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 13V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: PG-DSO-36-58
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.5V, 3.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.00 грн
10+336.73 грн
25+311.25 грн
100+265.81 грн
250+253.28 грн
500+245.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06PTXUMA1 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af
6EDL04I06PTXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO28
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 13V ~ 17.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-28
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 26ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.13 грн
10+174.49 грн
25+160.01 грн
100+135.22 грн
250+128.09 грн
500+123.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGM15LA12E6327XTSA1 INFN-S-A0001299616-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BGM15LA12E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LTE 700MHZ-1GHZ 12ATSLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 700MHz ~ 1GHz
RF Type: LTE, W-CDMA
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.3V
Gain: 17.3dB
Current - Supply: 4.9mA
Noise Figure: 1.1dB
P1dB: -8dBm
Test Frequency: 925MHz ~ 960MHz
Supplier Device Package: ATSLP-12-3
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA12GN10E6327XTSA1 Infineon_AntennaTuningSolutions_2014-06.pdf?fileId=5546d461464245d301468a636c8c6598
BGSA12GN10E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SPDT 5GHZ TSNP10-1
Features: DC Blocked, Single Line Control
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFQFN
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: Cellular, 3G, 4G
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Insertion Loss: 0.39dB
Frequency Range: 100MHz ~ 5GHz
Test Frequency: 2.69GHz
Isolation: 20dB
Supplier Device Package: PG-TSNP-10-1
Part Status: Active
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.32 грн
10+45.75 грн
25+42.98 грн
100+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 18793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.61 грн
10+122.54 грн
100+84.36 грн
500+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03LSCG.pdf
BSC079N03LSCGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03LSGATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BSC882N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 47276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
20+15.48 грн
100+10.20 грн
500+7.12 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 Infineon-BSL207SP-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142d8004cc24f74
BSL207SPH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.71 грн
10+38.24 грн
100+26.05 грн
500+20.23 грн
1000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289
BSL215CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.28 грн
10+36.55 грн
100+23.63 грн
500+16.97 грн
1000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 Infineon-BSL307SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142dca7f3721687
BSL307SPH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.71 грн
10+38.16 грн
100+25.98 грн
500+20.19 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1 Infineon-BSP320S-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b515cf1f42949
BSP320SH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.76 грн
10+49.97 грн
100+32.85 грн
500+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb
BSS138NH6433XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.32 грн
32+9.73 грн
100+5.55 грн
500+4.40 грн
1000+4.12 грн
2000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 Infineon-BSS214NW-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b695aebc01bde
BSS214NWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 119479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
23+13.87 грн
100+8.66 грн
500+6.01 грн
1000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f
BSZ150N10LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 4039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.90 грн
10+87.21 грн
100+62.51 грн
500+48.51 грн
1000+44.61 грн
2000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a601164373e07005f8
IPB011N04NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3GATMA1 IPD038N06N3_Rev1.01.pdf?folderId=db3a3043132679fb0113346bdc4505a3&fileId=db3a304317a7483601181bf8dae11675
IPD038N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.95 грн
10+123.38 грн
100+84.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1
IPD068N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 8605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.80 грн
10+106.60 грн
100+81.23 грн
500+67.35 грн
1000+62.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 28538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.84 грн
10+56.63 грн
100+40.62 грн
500+32.59 грн
1000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
IPD80R1K0CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.45 грн
10+94.64 грн
100+65.10 грн
500+48.64 грн
1000+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1 Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44
IPN60R2K1CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.43 грн
6000+11.43 грн
9000+10.94 грн
15000+10.07 грн
21000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d
IPN60R3K4CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f
IPN70R1K5CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 276 277 278 279 280 281 282 283 284 285 286 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]