Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24514) > Сторінка 247 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 280 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRFR2905ZTRL AUIRFR2905ZTRL INFINEON 2332337.pdf Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.71 грн
500+93.21 грн
1000+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBF IRF9410TRPBF INFINEON 138346.pdf Description: INFINEON - IRF9410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBF IRF9410TRPBF INFINEON 138346.pdf Description: INFINEON - IRF9410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65H5XKSA1 IKA08N65H5XKSA1 INFINEON 1756009.pdf Description: INFINEON - IKA08N65H5XKSA1 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 31.2 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.2W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.85 грн
11+76.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON INFN-S-A0012732583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.28 грн
10+86.61 грн
100+71.48 грн
500+59.46 грн
1000+46.70 грн
5000+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF.. IRF1104PBF.. INFINEON 2043020.pdf Description: INFINEON - IRF1104PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KT3BPSA1 FP25R12KT3BPSA1 INFINEON 2211615.pdf Description: INFINEON - FP25R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 40 A, 1.7 V, 155 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 155W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 40A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5586.20 грн
5+5406.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B212 IRL40B212 INFINEON INFN-S-A0012826446-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL40B212 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 195
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 231
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 231
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.70 грн
10+253.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60 Description: INFINEON - IGW75N60TFKSA1 - IGBT, 75 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+399.88 грн
10+265.51 грн
100+214.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON INFNS17501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.66 грн
50+36.83 грн
100+23.88 грн
500+16.91 грн
1500+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON INFNS17501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.88 грн
500+16.91 грн
1500+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120P7XKSA1 IPA60R120P7XKSA1 INFINEON 2718751.pdf Description: INFINEON - IPA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.08 грн
10+142.47 грн
100+129.52 грн
500+116.51 грн
1000+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03L G IPD060N03L G INFINEON 1859015.pdf Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR4780BZ15W1TOBO1 REF5BR4780BZ15W1TOBO1 INFINEON 3770277.pdf Description: INFINEON - REF5BR4780BZ15W1TOBO1 - Referenzplatine, ICE5BR4780BZ, Power-Management, nicht isoliertes 15W-Hilfsnetzteil, Flyback
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5BR4780BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Nicht isoliertes Flyback-Netzteil
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR4780BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6587.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR3995CZ16W1TOBO1 REF5BR3995CZ16W1TOBO1 INFINEON 3770276.pdf Description: INFINEON - REF5BR3995CZ16W1TOBO1 - Referenzplatine, ICE5BR3995CZ, Power-Management, isoliertes 16W-Flyback-Hilfsnetzteil
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5BR3995CZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierte Stromversorgung, Flyback
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR3995CZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6653.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR3995BZ16W1TOBO1 REF5BR3995BZ16W1TOBO1 INFINEON 3770275.pdf Description: INFINEON - REF5BR3995BZ16W1TOBO1 - Referenzplatine, ICE5BR3995BZ, Power-Management, nicht isoliertes 16W-Hilfsnetzteil, Flyback
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5BR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Nicht isoliertes Flyback-Netzteil
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6721.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBF IRL7833PBF INFINEON INFN-S-A0012838199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL7833PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.94 грн
10+135.99 грн
100+114.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833SPBF IRL7833SPBF INFINEON 107887.pdf Description: INFINEON - IRL7833SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C6XKSA1 IDH06G65C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0003489956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH06G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 16 A, 9.6 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.37 грн
10+137.61 грн
100+102.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON 1849735.pdf Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.31 грн
500+8.04 грн
1500+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS170WE6327HTSA1 BAS170WE6327HTSA1 INFINEON 45894.pdf Description: INFINEON - BAS170WE6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS170
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.48 грн
46+17.65 грн
100+13.76 грн
500+9.47 грн
1000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5099EPVSEPICEVALTOBO1 TLD5099EPVSEPICEVALTOBO1 INFINEON Infineon-Z8F67904874-TLD5099EP_VSEPIC-UG-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f443e50a67045 Description: INFINEON - TLD5099EPVSEPICEVALTOBO1 - Evaluationskit, TLD5099EP SEPIC, Power-Management, Aufwärtswandler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLD5099EP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLD5099EP SEPIC
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Unterart Anwendung: Aufwärtsregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4266.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON 2331899.pdf Description: INFINEON - IKP15N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 30 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.18 грн
10+90.66 грн
100+75.52 грн
500+57.20 грн
1000+49.54 грн
5000+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 INFINEON 2849726.pdf Description: INFINEON - IKZ75N65EL5XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+580.39 грн
5+465.45 грн
10+349.69 грн
50+285.63 грн
100+226.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3715ZPBF IRLR3715ZPBF INFINEON 107852.pdf description Description: INFINEON - IRLR3715ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 49 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 49
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703PBF IRL2703PBF INFINEON 140530.pdf description Description: INFINEON - IRL2703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB639E7904HTSA1 BB639E7904HTSA1 INFINEON INFNS15706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BB639E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 40 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 40pF
Produktpalette: BB639
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BB639E7904HTSA1 BB639E7904HTSA1 INFINEON INFNS15706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BB639E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 40 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 40pF
Produktpalette: BB639
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON INFNS30190-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKP20N65H5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.99 грн
10+110.09 грн
100+98.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL3KW2LLCCFD7TOBO1 EVAL3KW2LLCCFD7TOBO1 INFINEON Infineon-General_description_EvaluationBoard_EVAL_3kW_2LLC_CFD7-ATI-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fda288e4471ba Description: INFINEON - EVAL3KW2LLCCFD7TOBO1 - Evaluationsboard, CoolMOS-CDF7-Superjunction-MOSFET, LLC-SNT, 2-phasig, 3kW
Prozessorkern: IPW60R031CFD7
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IPW60R031CFD7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: SNT
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL3KW2LLCC720TOBO1 EVAL3KW2LLCC720TOBO1 INFINEON EVAL_3kW_2LLC_C7.pdf Description: INFINEON - EVAL3KW2LLCC720TOBO1 - Evaluationsboard, CoolMOS-C7-Superjunction-MOSFET, LLC, 2-phasig, 3kW
Prozessorkern: IPP60R040C7
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IPP60R040C7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: SNT
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBF IRF8721TRPBF INFINEON IRSDS11200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0069
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.41 грн
15+57.80 грн
100+44.36 грн
500+32.55 грн
1000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBF IRF8721TRPBF INFINEON IRSDS11200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.36 грн
500+32.55 грн
1000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R250CPXKSA1 IPA50R250CPXKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA50R250CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 13 A, 0.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 33
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.56 грн
10+201.56 грн
100+165.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DA2B6HTSA1 TLI493DA2B6HTSA1 INFINEON INFN-S-A0008597374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLI493DA2B6HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.28 грн
12+72.21 грн
50+68.97 грн
100+61.26 грн
250+53.98 грн
500+51.41 грн
1000+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4906KHTSA1 TLI4906KHTSA1 INFINEON INFNS14265-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLI4906KHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.01 T, 0.0085 T, 2.7 V, 18 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0085T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.01T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.01 грн
500+23.38 грн
1000+20.82 грн
2500+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64225-28PVXC CY7C64225-28PVXC INFINEON CYPR-S-A0003298042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C64225-28PVXC - Interface-Brücken, USB zu UART, 3 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), 0 °C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.46 грн
10+210.46 грн
25+183.75 грн
50+164.61 грн
100+145.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256TRPBF IRLR8256TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8256TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 63
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFI013 S25FL064LABNFI013 INFINEON INFN-S-A0018717259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.80 грн
50+80.79 грн
100+73.59 грн
250+65.57 грн
500+64.04 грн
1000+62.45 грн
2500+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFA010 S25FL064LABNFA010 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABNFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.61 грн
10+97.95 грн
50+93.09 грн
100+84.19 грн
250+73.55 грн
500+71.47 грн
1000+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFI013 S25FL064LABNFI013 INFINEON INFN-S-A0018717259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
Bauform - Speicherbaustein: WSON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.59 грн
250+65.57 грн
500+64.04 грн
1000+62.45 грн
2500+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714ZPBF IRLR3714ZPBF INFINEON 140851.pdf description Description: INFINEON - IRLR3714ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 37 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 37
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800R17IP5BPSA1 FF1800R17IP5BPSA1 INFINEON INFN-S-A0003257768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF1800R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.8 kA, 2.2 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 1.8kA
Produktpalette: PrimePACK 3+B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.8kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+79783.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12W3T7B11BPSA1 FP100R12W3T7B11BPSA1 INFINEON 3177198.pdf Description: INFINEON - FP100R12W3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Dauer-Kollektorstrom: 100
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12590.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12N2T7BPSA1 FP100R12N2T7BPSA1 INFINEON 3437272.pdf Description: INFINEON - FP100R12N2T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Dauer-Kollektorstrom: 100
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: TRENCHSTOP EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13913.29 грн
5+13459.17 грн
10+12996.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L100R07W2H3B11BPSA1 F3L100R07W2H3B11BPSA1 INFINEON 3685648.pdf Description: INFINEON - F3L100R07W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 1.68 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.68V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4428.65 грн
5+3862.82 грн
10+3297.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12N3T7B11BPSA1 FP100R12N3T7B11BPSA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - FP100R12N3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10173.50 грн
5+8901.82 грн
10+7375.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 INFINEON 3705454.pdf Description: INFINEON - IHW50N65R6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.3 V, 251 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 251W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.37 грн
10+147.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP4063D AUIRGP4063D INFINEON 2718662.pdf Description: INFINEON - AUIRGP4063D - IGBT, 100 A, 1.6 V, 330 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-247AC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT3GBOSA1 FS75R12KT3GBOSA1 INFINEON 2255592.pdf Description: INFINEON - FS75R12KT3GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 355W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 355W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8332.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 INFINEON 2577560.pdf Description: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.18 грн
15+55.45 грн
100+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0001751104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.94 грн
14+59.66 грн
100+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R110CFDXKSA1 IPA65R110CFDXKSA1 INFINEON INFNS16577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R110CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+493.78 грн
10+433.07 грн
25+358.60 грн
100+298.41 грн
500+253.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1 IPA65R225C7XKSA1 INFINEON Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63 Description: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.42 грн
10+157.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R045C7XKSA1 IPA65R045C7XKSA1 INFINEON INFNS29944-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IPA65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.04 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+634.63 грн
5+568.25 грн
10+501.07 грн
50+426.94 грн
100+358.02 грн
250+351.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R150CFDXKSA1 IPA65R150CFDXKSA1 INFINEON INFNS17309-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R150CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 34.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 34.7
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R600E6XKSA1 IPA65R600E6XKSA1 INFINEON 2197792.pdf Description: INFINEON - IPA65R600E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700
Dauer-Drainstrom Id: 7.3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 63
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 63
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6XKSA1 INFINEON 2354619.pdf Description: INFINEON - IPA65R380C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 10.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C6
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310CFDXKSA1 IPA65R310CFDXKSA1 INFINEON INFNS17578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2ED2101HBLLCTOBO2 EVAL2ED2101HBLLCTOBO2 INFINEON Infineon-UG2021-02_EVAL-2ED2101-HB-LLC-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a3df9183b2104 Description: INFINEON - EVAL2ED2101HBLLCTOBO2 - Evaluationsboard, 2ED24427N01F/2ED2101S06F, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED24427N01F, 2ED2101S06F
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED24427N01F/2ED2101S06F
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16608.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2905ZTRL 2332337.pdf
AUIRFR2905ZTRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR2905ZTRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 59 A, 0.0111 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+111.71 грн
500+93.21 грн
1000+74.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBF 138346.pdf
IRF9410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBF 138346.pdf
IRF9410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65H5XKSA1 1756009.pdf
IKA08N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKA08N65H5XKSA1 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 31.2 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.2W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.85 грн
11+76.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF INFN-S-A0012732583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1104PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.28 грн
10+86.61 грн
100+71.48 грн
500+59.46 грн
1000+46.70 грн
5000+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF.. 2043020.pdf
IRF1104PBF..
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1104PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 100
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KT3BPSA1 2211615.pdf
FP25R12KT3BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 40 A, 1.7 V, 155 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 155W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 40A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5586.20 грн
5+5406.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40B212 INFN-S-A0012826446-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL40B212
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40B212 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 195
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 231
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 231
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+281.70 грн
10+253.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60T_Rev2_5G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42817e13d60
IGW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW75N60TFKSA1 - IGBT, 75 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+399.88 грн
10+265.51 грн
100+214.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 INFNS17501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+59.66 грн
50+36.83 грн
100+23.88 грн
500+16.91 грн
1500+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 INFNS17501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSR315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 620 mA, 0.8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.88 грн
500+16.91 грн
1500+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R120P7XKSA1 2718751.pdf
IPA60R120P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+280.08 грн
10+142.47 грн
100+129.52 грн
500+116.51 грн
1000+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03L G 1859015.pdf
IPD060N03L G
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR4780BZ15W1TOBO1 3770277.pdf
REF5BR4780BZ15W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR4780BZ15W1TOBO1 - Referenzplatine, ICE5BR4780BZ, Power-Management, nicht isoliertes 15W-Hilfsnetzteil, Flyback
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5BR4780BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Nicht isoliertes Flyback-Netzteil
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR4780BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6587.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR3995CZ16W1TOBO1 3770276.pdf
REF5BR3995CZ16W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR3995CZ16W1TOBO1 - Referenzplatine, ICE5BR3995CZ, Power-Management, isoliertes 16W-Flyback-Hilfsnetzteil
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5BR3995CZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Isolierte Stromversorgung, Flyback
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR3995CZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6653.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5BR3995BZ16W1TOBO1 3770275.pdf
REF5BR3995BZ16W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5BR3995BZ16W1TOBO1 - Referenzplatine, ICE5BR3995BZ, Power-Management, nicht isoliertes 16W-Hilfsnetzteil, Flyback
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ICE5BR3995BZ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Nicht isoliertes Flyback-Netzteil
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5BR3995BZ
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6721.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833PBF INFN-S-A0012838199-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL7833PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7833PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.94 грн
10+135.99 грн
100+114.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833SPBF 107887.pdf
IRL7833SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7833SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06G65C6XKSA1 INFN-S-A0003489956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDH06G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH06G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 16 A, 9.6 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+185.37 грн
10+137.61 грн
100+102.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 1849735.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS806NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.31 грн
500+8.04 грн
1500+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS170WE6327HTSA1 45894.pdf
BAS170WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS170WE6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS170
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.48 грн
46+17.65 грн
100+13.76 грн
500+9.47 грн
1000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5099EPVSEPICEVALTOBO1 Infineon-Z8F67904874-TLD5099EP_VSEPIC-UG-UserManual-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f443e50a67045
TLD5099EPVSEPICEVALTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5099EPVSEPICEVALTOBO1 - Evaluationskit, TLD5099EP SEPIC, Power-Management, Aufwärtswandler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLD5099EP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLD5099EP SEPIC
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Unterart Anwendung: Aufwärtsregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4266.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 2331899.pdf
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP15N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 30 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+169.18 грн
10+90.66 грн
100+75.52 грн
500+57.20 грн
1000+49.54 грн
5000+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKZ75N65EL5XKSA1 2849726.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZ75N65EL5XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+580.39 грн
5+465.45 грн
10+349.69 грн
50+285.63 грн
100+226.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3715ZPBF description 107852.pdf
IRLR3715ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3715ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 49 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 49
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2703PBF description 140530.pdf
IRL2703PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL2703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB639E7904HTSA1 INFNS15706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BB639E7904HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB639E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 40 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 40pF
Produktpalette: BB639
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BB639E7904HTSA1 INFNS15706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BB639E7904HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB639E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 40 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 40pF
Produktpalette: BB639
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 INFNS30190-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP20N65H5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+220.99 грн
10+110.09 грн
100+98.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL3KW2LLCCFD7TOBO1 Infineon-General_description_EvaluationBoard_EVAL_3kW_2LLC_CFD7-ATI-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fda288e4471ba
EVAL3KW2LLCCFD7TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL3KW2LLCCFD7TOBO1 - Evaluationsboard, CoolMOS-CDF7-Superjunction-MOSFET, LLC-SNT, 2-phasig, 3kW
Prozessorkern: IPW60R031CFD7
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IPW60R031CFD7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: SNT
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL3KW2LLCC720TOBO1 EVAL_3kW_2LLC_C7.pdf
EVAL3KW2LLCC720TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL3KW2LLCC720TOBO1 - Evaluationsboard, CoolMOS-C7-Superjunction-MOSFET, LLC, 2-phasig, 3kW
Prozessorkern: IPP60R040C7
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IPP60R040C7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: SNT
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBF IRSDS11200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8721TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0069
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.41 грн
15+57.80 грн
100+44.36 грн
500+32.55 грн
1000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBF IRSDS11200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8721TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.36 грн
500+32.55 грн
1000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R250CPXKSA1 INFN-S-A0004583242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA50R250CPXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA50R250CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 13 A, 0.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 33
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+252.56 грн
10+201.56 грн
100+165.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DA2B6HTSA1 INFN-S-A0008597374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLI493DA2B6HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI493DA2B6HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+92.28 грн
12+72.21 грн
50+68.97 грн
100+61.26 грн
250+53.98 грн
500+51.41 грн
1000+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLI4906KHTSA1 INFNS14265-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLI4906KHTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI4906KHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.01 T, 0.0085 T, 2.7 V, 18 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0085T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.01T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.01 грн
500+23.38 грн
1000+20.82 грн
2500+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64225-28PVXC CYPR-S-A0003298042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C64225-28PVXC
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C64225-28PVXC - Interface-Brücken, USB zu UART, 3 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), 0 °C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+278.46 грн
10+210.46 грн
25+183.75 грн
50+164.61 грн
100+145.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256TRPBF INFN-S-A0012813225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR8256TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8256TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 63
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFI013 INFN-S-A0018717259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABNFI013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.80 грн
50+80.79 грн
100+73.59 грн
250+65.57 грн
500+64.04 грн
1000+62.45 грн
2500+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFA010 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABNFA010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+103.61 грн
10+97.95 грн
50+93.09 грн
100+84.19 грн
250+73.55 грн
500+71.47 грн
1000+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFI013 INFN-S-A0018717259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABNFI013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
Bauform - Speicherbaustein: WSON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.59 грн
250+65.57 грн
500+64.04 грн
1000+62.45 грн
2500+61.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3714ZPBF description 140851.pdf
IRLR3714ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3714ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 37 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 37
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF1800R17IP5BPSA1 INFN-S-A0003257768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF1800R17IP5BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1800R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.8 kA, 2.2 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 1.8kA
Produktpalette: PrimePACK 3+B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.8kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+79783.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12W3T7B11BPSA1 3177198.pdf
FP100R12W3T7B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R12W3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Dauer-Kollektorstrom: 100
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12590.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12N2T7BPSA1 3437272.pdf
FP100R12N2T7BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R12N2T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Dauer-Kollektorstrom: 100
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: TRENCHSTOP EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13913.29 грн
5+13459.17 грн
10+12996.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L100R07W2H3B11BPSA1 3685648.pdf
F3L100R07W2H3B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L100R07W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 1.68 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.68V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4428.65 грн
5+3862.82 грн
10+3297.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12N3T7B11BPSA1 3758284.pdf
FP100R12N3T7B11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R12N3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10173.50 грн
5+8901.82 грн
10+7375.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW50N65R6XKSA1 3705454.pdf
IHW50N65R6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW50N65R6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.3 V, 251 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 251W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+270.37 грн
10+147.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP4063D 2718662.pdf
AUIRGP4063D
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRGP4063D - IGBT, 100 A, 1.6 V, 330 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-247AC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KT3GBOSA1 2255592.pdf
FS75R12KT3GBOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS75R12KT3GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 355W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 355W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8332.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R1K0CEXKSA1 2577560.pdf
IPA65R1K0CEXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.18 грн
15+55.45 грн
100+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 INFN-S-A0001751104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA65R650CEXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.94 грн
14+59.66 грн
100+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R110CFDXKSA1 INFNS16577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA65R110CFDXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R110CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+493.78 грн
10+433.07 грн
25+358.60 грн
100+298.41 грн
500+253.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1 Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63
IPA65R225C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.42 грн
10+157.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R045C7XKSA1 INFNS29944-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA65R045C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.04 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+634.63 грн
5+568.25 грн
10+501.07 грн
50+426.94 грн
100+358.02 грн
250+351.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R150CFDXKSA1 INFNS17309-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA65R150CFDXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R150CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 34.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 34.7
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R600E6XKSA1 2197792.pdf
IPA65R600E6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R600E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700
Dauer-Drainstrom Id: 7.3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 63
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 63
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 2354619.pdf
IPA65R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R380C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 10.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C6
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310CFDXKSA1 INFNS17578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA65R310CFDXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2ED2101HBLLCTOBO2 Infineon-UG2021-02_EVAL-2ED2101-HB-LLC-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a3df9183b2104
EVAL2ED2101HBLLCTOBO2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2ED2101HBLLCTOBO2 - Evaluationsboard, 2ED24427N01F/2ED2101S06F, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED24427N01F, 2ED2101S06F
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED24427N01F/2ED2101S06F
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16608.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 242 243 244 245 246 247 248 249 250 251 252 280 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]