Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25950) > Сторінка 250 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 258 301 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON DS_IG40N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d0125921b9364704d Description: INFINEON - IGW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 483W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.11 грн
10+510.52 грн
100+300.62 грн
500+239.51 грн
1000+216.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+49.18 грн
50+44.47 грн
100+39.76 грн
500+35.02 грн
1000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF INFINEON INFN-S-A0004664165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+107.62 грн
50+73.38 грн
250+57.37 грн
1000+38.07 грн
2000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC30UPBF IRG4PC30UPBF INFINEON 34692.pdf Description: INFINEON - IRG4PC30UPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52
Verlustleistung Pd: 100
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 23
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF INFINEON INFN-S-A0011842197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+143.20 грн
10+102.28 грн
100+70.00 грн
500+52.03 грн
1000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBF IRFH5007TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.45 грн
10+157.43 грн
100+126.30 грн
500+95.80 грн
1000+77.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0126 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.20 грн
10+99.61 грн
100+70.80 грн
500+50.46 грн
1000+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF INFINEON 717253.pdf Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+54.79 грн
50+46.07 грн
100+34.51 грн
500+27.17 грн
1000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+77.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.01 грн
50+44.83 грн
200+33.94 грн
500+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19504-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+95.17 грн
16+58.61 грн
50+49.98 грн
200+38.32 грн
500+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1 INFINEON 2331320.pdf Description: INFINEON - BAV70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, gemeinsame Kathode, 80V, 200mA, 1.25V, 4ns, 4.5A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5XKSA1 INFINEON 2718665.pdf Description: INFINEON - IHW30N135R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 330 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.75 грн
10+169.88 грн
100+152.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.51 грн
12+77.02 грн
100+54.34 грн
500+41.87 грн
1000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON INFN-S-A0002470594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+562.11 грн
10+542.54 грн
100+305.07 грн
500+270.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R090CFD7XKSA1 IPW60R090CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-MOSFET_CoolMOS_CFD7_600V-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fdd5758e81db7 Description: INFINEON - IPW60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+488.29 грн
10+359.32 грн
100+230.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS10752LTRPBF IRS10752LTRPBF INFINEON 2211669.pdf Description: INFINEON - IRS10752LTRPBF - MOSFET Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 140ns/215ns Ein/Aus, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ms
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.96 грн
500+35.84 грн
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS10752LTRPBF IRS10752LTRPBF INFINEON 2211669.pdf Description: INFINEON - IRS10752LTRPBF - MOSFET Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 140ns/215ns Ein/Aus, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ms
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.74 грн
12+79.87 грн
100+50.96 грн
500+35.84 грн
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IR2235JTRPBF IR2235JTRPBF INFINEON 131957.pdf Description: INFINEON - IR2235JTRPBF - MOSFET-Treiber, Drehstrombrücke, 10V-20V Versorgung, 200mA/420mAout, 700ns Ein/Aus, PLCC-44
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 6
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 250
Spitzenausgangsstrom: 500
Bauform - Treiber: PLCC
Anzahl der Pins: 44
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 750
Ausgabeverzögerung: 700
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF999E6327HTSA1 BF999E6327HTSA1 INFINEON 2255455.pdf Description: INFINEON - BF999E6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 mA, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BF999
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF999E6327HTSA1 BF999E6327HTSA1 INFINEON 2255455.pdf Description: INFINEON - BF999E6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 mA, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BF999
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-222014-01 CYBLE-222014-01 INFINEON 2309539.pdf Description: INFINEON - CYBLE-222014-01 - Evaluationsboard, CYBLE-222014-01 EZ-BLE™-PRoC™-Bluetooth 4.2-Modul, I2C/UART/SPI-Schnittstellen
tariffCode: 84733020
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: -
hazardous: false
Betriebstemperatur: -40°C bis 85°C
rohsPhthalatesCompliant: YES
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -87dBm
usEccn: 3A991.a.2
Bluetooth-Version: Bluetooth 4.1
Produktpalette: EZ-BLE PRoC Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1075.30 грн
5+1007.70 грн
10+939.22 грн
50+828.36 грн
100+708.99 грн
250+672.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6137BZI-F34 CY8C6137BZI-F34 INFINEON INFN-S-A0017169541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C6137BZI-F34 - ARM-MCU, PSoC 6 Family CY8C61xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 150 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 288KB
MCU-Baureihe: CY8C61xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 104I/O(s)
Anzahl der Pins: 124Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 6 Family CY8C61xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+771.12 грн
10+636.82 грн
25+595.91 грн
50+532.69 грн
100+471.90 грн
250+450.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6117BZI-F34 CY8C6117BZI-F34 INFINEON 2723000.pdf Description: INFINEON - CY8C6117BZI-F34 - ARM-MCU, PSoC 6 Family CY8C61xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 50 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 50MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 288KB
MCU-Baureihe: CY8C61xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 104I/O(s)
Anzahl der Pins: 124Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 6 Family CY8C61xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.56 грн
10+518.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6016BZI-F04. CY8C6016BZI-F04. INFINEON INFN-S-A0017169541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C6016BZI-F04. - MCU, 32BIT, 50MHZ, BGA-124
tariffCode: 85415000
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12Bit
IC-Montage: Surface Mount
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: -
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 512KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 50MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 128KB
MCU-Baureihe: CY8C60x6
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 100I/O(s)
Anzahl der Pins: 124Pin(s)
Datenbusbreite: 32 bit
Produktpalette: PSoC 6 Family CY8C60x6 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+496.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6036BZI-F04 CY8C6036BZI-F04 INFINEON 2723000.pdf Description: INFINEON - CY8C6036BZI-F04 - ARM-MCU, PSoC 6 Family CY8C60xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 150 MHz, 512 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 512KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 128KB
MCU-Baureihe: CY8C60xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 104I/O(s)
Anzahl der Pins: 124Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 6 Family CY8C60xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6016BZI-F04 CY8C6016BZI-F04 INFINEON INFN-S-A0017169541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C6016BZI-F04 - ARM-MCU, PSOC 6 Family CY8C60xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 50 MHz, 512 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 512KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 50MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 128KB
MCU-Baureihe: CY8C60x6
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 100I/O(s)
Anzahl der Pins: 124Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 6 Family CY8C60xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+463.38 грн
10+369.11 грн
25+345.09 грн
50+310.53 грн
100+267.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6137BZI-F54 CY8C6137BZI-F54 INFINEON 2723000.pdf Description: INFINEON - CY8C6137BZI-F54 - ARM-MCU, PSoC 6 Family CY8C61xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 150 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 288KB
MCU-Baureihe: CY8C61xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 104I/O(s)
Anzahl der Pins: 124Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 6 Family CY8C61xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1041.50 грн
10+825.37 грн
25+767.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF INFINEON INFN-S-A0002485109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.61 грн
50+72.13 грн
250+71.69 грн
1000+58.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBF IRF7807ZTRPBF INFINEON 107876.pdf Description: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF IRF7831TRPBF INFINEON irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10 description Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.65 грн
50+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBF IRF7455TRPBF INFINEON INFN-S-A0004664425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7455TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7779L2TRPBF IRF7779L2TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+482.06 грн
50+343.31 грн
250+269.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+121.85 грн
50+77.20 грн
250+51.32 грн
1000+34.03 грн
2000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBF IRF7328TRPBF INFINEON IRSDS11354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7328TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
Dauer-Drainstrom Id: 8A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.09 грн
10+129.85 грн
100+98.72 грн
500+75.49 грн
1000+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BCX41E6327HTSA1 BCX41E6327HTSA1 INFINEON SIEMD095-881.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCX41E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+32.29 грн
50+19.92 грн
250+12.54 грн
1000+7.74 грн
5000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BCX41E6327HTSA1 BCX41E6327HTSA1 INFINEON SIEMD095-881.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCX41E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.92 грн
250+12.54 грн
1000+7.74 грн
5000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFU9024NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.95 грн
19+49.10 грн
100+38.16 грн
500+31.88 грн
1000+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR9024NTRL AUIRFR9024NTRL INFINEON 2882439.pdf Description: INFINEON - AUIRFR9024NTRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+176.99 грн
10+132.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR9024NTRL AUIRFR9024NTRL INFINEON 2882439.pdf Description: INFINEON - AUIRFR9024NTRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF IRF2804PBF INFINEON INFN-S-A0012732418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.78 грн
10+117.40 грн
100+112.96 грн
500+86.72 грн
1000+77.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303TRPBF IRLL3303TRPBF INFINEON 140753.pdf description Description: INFINEON - IRLL3303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.031 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303TRPBF IRLL3303TRPBF INFINEON 140753.pdf description Description: INFINEON - IRLL3303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.031 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBF IRLL2703TRPBF INFINEON 140750.pdf Description: INFINEON - IRLL2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBF IRLL2703TRPBF INFINEON 140750.pdf Description: INFINEON - IRLL2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR141E6327HTSA1 BCR141E6327HTSA1 INFINEON SIEMD095-635.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR141E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR141 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+21.61 грн
60+14.94 грн
100+9.52 грн
500+5.28 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740ESDH6327XTSA1 BFP740ESDH6327XTSA1 INFINEON 1836009.pdf Description: INFINEON - BFP740ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+30.51 грн
45+20.01 грн
100+17.97 грн
500+15.20 грн
1000+13.49 грн
5000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 BFP760H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP760H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 240 mW, 70 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFP760
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.87 грн
34+26.24 грн
100+19.30 грн
500+15.20 грн
1000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 44GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 BFP760H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP760H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 240 mW, 70 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFP760
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.30 грн
500+15.20 грн
1000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFP780H6327XTSA1 BFP780H6327XTSA1 INFINEON 2354880.pdf Description: INFINEON - BFP780H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6.6 V, 20 GHz, 600 mW, 120 mA, SOT-343
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 85
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 20
Bauform - HF-Transistor: SOT-343
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 6.6
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP780H6327XTSA1 BFP780H6327XTSA1 INFINEON 2354880.pdf Description: INFINEON - BFP780H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6.6 V, 20 GHz, 600 mW, 120 mA, SOT-343
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 85
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 20
Bauform - HF-Transistor: SOT-343
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 6.6
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FH6327XTSA1 BFP740FH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+35.58 грн
40+22.24 грн
100+19.21 грн
500+15.77 грн
1000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SBCSHIELDTLE9471TOBO1 SBCSHIELDTLE9471TOBO1 INFINEON Infineon-Lite_SBC_Shield-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a2f7ee8aa76de Description: INFINEON - SBCSHIELDTLE9471TOBO1 - Evaluationsboard, System-Basis-Chip (SBC) TLE9471, CAN, Kfz, Arduino-Shield
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9471-3ES
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: TLE94x1
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Eval Lite DCDC SBC-Shield TLE9471-3ES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino-Entwicklungsboards
usEccn: EAR99
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3291.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYBT-343026-EVAL CYBT-343026-EVAL INFINEON 2629397.pdf Description: INFINEON - CYBT-343026-EVAL - Evaluationsboard, CYBT-343026 EZ-BT WICED-Bluetooth-Modul, Arduino-Shield
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBT-343026-01
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBT-353026-01, Bluetooth- & Bluetooth LE-Modul, USB-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3967.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBF IRF7501TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+71.60 грн
50+51.59 грн
250+40.74 грн
1000+31.55 грн
2000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBF IRF7501TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.59 грн
250+40.74 грн
1000+31.55 грн
2000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF INFINEON INFN-S-A0002185062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+94.28 грн
100+92.50 грн
500+84.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF INFINEON INFN-S-A0002185062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.50 грн
500+84.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+62.53 грн
50+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 DS_IG40N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d0125921b9364704d
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 483W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+570.11 грн
10+510.52 грн
100+300.62 грн
500+239.51 грн
1000+216.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+49.18 грн
50+44.47 грн
100+39.76 грн
500+35.02 грн
1000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF INFN-S-A0004664165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+107.62 грн
50+73.38 грн
250+57.37 грн
1000+38.07 грн
2000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC30UPBF 34692.pdf
IRG4PC30UPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC30UPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52
Verlustleistung Pd: 100
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 23
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF INFN-S-A0011842197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5300TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+143.20 грн
10+102.28 грн
100+70.00 грн
500+52.03 грн
1000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBF INFN-S-A0012813572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5007TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.45 грн
10+157.43 грн
100+126.30 грн
500+95.80 грн
1000+77.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF INFN-S-A0012813298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5210TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0126 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.20 грн
10+99.61 грн
100+70.80 грн
500+50.46 грн
1000+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF 717253.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+54.79 грн
50+46.07 грн
100+34.51 грн
500+27.17 грн
1000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF INFN-S-A0012838684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+77.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 Infineon-BSP322P-DS-v01_06-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60a022246d9c
BSP322PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+53.01 грн
50+44.83 грн
200+33.94 грн
500+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 INFNS19504-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP170PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP170PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+95.17 грн
16+58.61 грн
50+49.98 грн
200+38.32 грн
500+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 2331320.pdf
BAV70E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAV70E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, gemeinsame Kathode, 80V, 200mA, 1.25V, 4ns, 4.5A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5XKSA1 2718665.pdf
IHW30N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW30N135R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 330 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+331.75 грн
10+169.88 грн
100+152.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRLPBF INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3410TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.51 грн
12+77.02 грн
100+54.34 грн
500+41.87 грн
1000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 INFN-S-A0002470594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW25N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+562.11 грн
10+542.54 грн
100+305.07 грн
500+270.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R090CFD7XKSA1 Infineon-MOSFET_CoolMOS_CFD7_600V-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fdd5758e81db7
IPW60R090CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+488.29 грн
10+359.32 грн
100+230.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS10752LTRPBF 2211669.pdf
IRS10752LTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS10752LTRPBF - MOSFET Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 140ns/215ns Ein/Aus, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ms
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.96 грн
500+35.84 грн
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS10752LTRPBF 2211669.pdf
IRS10752LTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS10752LTRPBF - MOSFET Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 140ns/215ns Ein/Aus, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ms
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.74 грн
12+79.87 грн
100+50.96 грн
500+35.84 грн
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IR2235JTRPBF 131957.pdf
IR2235JTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2235JTRPBF - MOSFET-Treiber, Drehstrombrücke, 10V-20V Versorgung, 200mA/420mAout, 700ns Ein/Aus, PLCC-44
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 6
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 10
Quellstrom: 250
Spitzenausgangsstrom: 500
Bauform - Treiber: PLCC
Anzahl der Pins: 44
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 750
Ausgabeverzögerung: 700
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF999E6327HTSA1 2255455.pdf
BF999E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BF999E6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 mA, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BF999
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BF999E6327HTSA1 2255455.pdf
BF999E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BF999E6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 mA, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BF999
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-222014-01 2309539.pdf
CYBLE-222014-01
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-222014-01 - Evaluationsboard, CYBLE-222014-01 EZ-BLE™-PRoC™-Bluetooth 4.2-Modul, I2C/UART/SPI-Schnittstellen
tariffCode: 84733020
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: -
hazardous: false
Betriebstemperatur: -40°C bis 85°C
rohsPhthalatesCompliant: YES
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -87dBm
usEccn: 3A991.a.2
Bluetooth-Version: Bluetooth 4.1
Produktpalette: EZ-BLE PRoC Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1075.30 грн
5+1007.70 грн
10+939.22 грн
50+828.36 грн
100+708.99 грн
250+672.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6137BZI-F34 INFN-S-A0017169541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C6137BZI-F34
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C6137BZI-F34 - ARM-MCU, PSoC 6 Family CY8C61xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 150 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 288KB
MCU-Baureihe: CY8C61xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 104I/O(s)
Anzahl der Pins: 124Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 6 Family CY8C61xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+771.12 грн
10+636.82 грн
25+595.91 грн
50+532.69 грн
100+471.90 грн
250+450.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6117BZI-F34 2723000.pdf
CY8C6117BZI-F34
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C6117BZI-F34 - ARM-MCU, PSoC 6 Family CY8C61xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 50 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 50MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 288KB
MCU-Baureihe: CY8C61xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 104I/O(s)
Anzahl der Pins: 124Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 6 Family CY8C61xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+574.56 грн
10+518.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6016BZI-F04. INFN-S-A0017169541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C6016BZI-F04.
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C6016BZI-F04. - MCU, 32BIT, 50MHZ, BGA-124
tariffCode: 85415000
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12Bit
IC-Montage: Surface Mount
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: -
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 512KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 50MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 128KB
MCU-Baureihe: CY8C60x6
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 100I/O(s)
Anzahl der Pins: 124Pin(s)
Datenbusbreite: 32 bit
Produktpalette: PSoC 6 Family CY8C60x6 Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+496.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6036BZI-F04 2723000.pdf
CY8C6036BZI-F04
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C6036BZI-F04 - ARM-MCU, PSoC 6 Family CY8C60xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 150 MHz, 512 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 512KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 128KB
MCU-Baureihe: CY8C60xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 104I/O(s)
Anzahl der Pins: 124Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 6 Family CY8C60xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+263.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6016BZI-F04 INFN-S-A0017169541-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C6016BZI-F04
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C6016BZI-F04 - ARM-MCU, PSOC 6 Family CY8C60xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 50 MHz, 512 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 512KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 50MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 128KB
MCU-Baureihe: CY8C60x6
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 100I/O(s)
Anzahl der Pins: 124Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 6 Family CY8C60xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+463.38 грн
10+369.11 грн
25+345.09 грн
50+310.53 грн
100+267.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C6137BZI-F54 2723000.pdf
CY8C6137BZI-F54
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C6137BZI-F54 - ARM-MCU, PSoC 6 Family CY8C61xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 150 MHz, 1 MB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 1MB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 6
RAM-Speichergröße: 288KB
MCU-Baureihe: CY8C61xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 104I/O(s)
Anzahl der Pins: 124Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 6 Family CY8C61xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1041.50 грн
10+825.37 грн
25+767.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF description INFN-S-A0002485109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7470TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7470TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.009 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.61 грн
50+72.13 грн
250+71.69 грн
1000+58.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBF 107876.pdf
IRF7807ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7831TRPBF description irf7831pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608fe711d10
IRF7831TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+163.65 грн
50+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7455TRPBF INFN-S-A0004664425-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7455TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7455TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7779L2TRPBF INFN-S-A0012826943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7779L2TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+482.06 грн
50+343.31 грн
250+269.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7389TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+121.85 грн
50+77.20 грн
250+51.32 грн
1000+34.03 грн
2000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBF IRSDS11354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7328TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7328TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
Dauer-Drainstrom Id: 8A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.09 грн
10+129.85 грн
100+98.72 грн
500+75.49 грн
1000+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BCX41E6327HTSA1 SIEMD095-881.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCX41E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCX41E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+32.29 грн
50+19.92 грн
250+12.54 грн
1000+7.74 грн
5000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BCX41E6327HTSA1 SIEMD095-881.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCX41E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCX41E6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 125 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 125V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.92 грн
250+12.54 грн
1000+7.74 грн
5000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF description INFN-S-A0012837985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU9024NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU9024NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.95 грн
19+49.10 грн
100+38.16 грн
500+31.88 грн
1000+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR9024NTRL 2882439.pdf
AUIRFR9024NTRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR9024NTRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+176.99 грн
10+132.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR9024NTRL 2882439.pdf
AUIRFR9024NTRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR9024NTRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 11 A, 0.175 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF INFN-S-A0012732418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2804PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.78 грн
10+117.40 грн
100+112.96 грн
500+86.72 грн
1000+77.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303TRPBF description 140753.pdf
IRLL3303TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL3303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.031 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL3303TRPBF description 140753.pdf
IRLL3303TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL3303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.6 A, 0.031 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBF 140750.pdf
IRLL2703TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2703TRPBF 140750.pdf
IRLL2703TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.5 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR141E6327HTSA1 SIEMD095-635.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR141E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR141E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR141 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+21.61 грн
60+14.94 грн
100+9.52 грн
500+5.28 грн
1000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740ESDH6327XTSA1 1836009.pdf
BFP740ESDH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+30.51 грн
45+20.01 грн
100+17.97 грн
500+15.20 грн
1000+13.49 грн
5000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 INFN-S-A0009690881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP760H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP760H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 240 mW, 70 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFP760
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+38.87 грн
34+26.24 грн
100+19.30 грн
500+15.20 грн
1000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 INFN-S-A0009690864-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP740H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 45mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 44GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 INFN-S-A0009690881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP760H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP760H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 240 mW, 70 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFP760
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.30 грн
500+15.20 грн
1000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFP780H6327XTSA1 2354880.pdf
BFP780H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP780H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6.6 V, 20 GHz, 600 mW, 120 mA, SOT-343
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 85
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 20
Bauform - HF-Transistor: SOT-343
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 6.6
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP780H6327XTSA1 2354880.pdf
BFP780H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP780H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6.6 V, 20 GHz, 600 mW, 120 mA, SOT-343
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 85
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 20
Bauform - HF-Transistor: SOT-343
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 6.6
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FH6327XTSA1 INFN-S-A0009690805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP740FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 45mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+35.58 грн
40+22.24 грн
100+19.21 грн
500+15.77 грн
1000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SBCSHIELDTLE9471TOBO1 Infineon-Lite_SBC_Shield-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a2f7ee8aa76de
SBCSHIELDTLE9471TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SBCSHIELDTLE9471TOBO1 - Evaluationsboard, System-Basis-Chip (SBC) TLE9471, CAN, Kfz, Arduino-Shield
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE9471-3ES
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: TLE94x1
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Eval Lite DCDC SBC-Shield TLE9471-3ES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino-Entwicklungsboards
usEccn: EAR99
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3291.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYBT-343026-EVAL 2629397.pdf
CYBT-343026-EVAL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBT-343026-EVAL - Evaluationsboard, CYBT-343026 EZ-BT WICED-Bluetooth-Modul, Arduino-Shield
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYBT-343026-01
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYBT-353026-01, Bluetooth- & Bluetooth LE-Modul, USB-Kabel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3967.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBF INFN-S-A0002542228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7501TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+71.60 грн
50+51.59 грн
250+40.74 грн
1000+31.55 грн
2000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7501TRPBF INFN-S-A0002542228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7501TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7501TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.59 грн
250+40.74 грн
1000+31.55 грн
2000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBF INFN-S-A0002185062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7507TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+94.28 грн
100+92.50 грн
500+84.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7507TRPBF INFN-S-A0002185062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7507TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.50 грн
500+84.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7530TRPBF INFN-S-A0002542223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7530TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+62.53 грн
50+44.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 258 301 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]