Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24634) > Сторінка 252 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 287 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON 2849722.pdf Description: INFINEON - IKFW50N60DH3EXKSA1 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 130 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.55 грн
10+241.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD104N16KHPSA1 DD104N16KHPSA1 INFINEON 2354709.pdf Description: INFINEON - DD104N16KHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 104 A, 1.4 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2.9kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.4V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9492.59 грн
5+8814.20 грн
10+8134.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBF IRLSL4030PBF INFINEON 332466.pdf Description: INFINEON - IRLSL4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0034 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 370
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 370
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4295GV33HTSA1 TLE4295GV33HTSA1 INFINEON 1932137.pdf Description: INFINEON - TLE4295GV33HTSA1 - LDO-Festspannungsregler, 3.8V bis 45V, 250mV Dropout, 3.3Vout/30mAout, SCT-595-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SCT-595
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.8V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 30mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.90 грн
250+30.66 грн
500+30.03 грн
1000+29.39 грн
2500+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CPROTO-062S3-4343W CY8CPROTO-062S3-4343W INFINEON Infineon-CY8CPROTO-062S3-4343W_PSoC_62S3_Wi-Fi_BT_Prototyping_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f01affd1913 Description: INFINEON - CY8CPROTO-062S3-4343W - Prototyping-Kit, S25HL512T, ARM Cortex-M0+/M4, Bluetooth und WiFi, Wireless-Entwicklung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Entwicklung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Prototyping-Board S25HL512T, USB-A/Micro-USB-B-Kabel, Handbuch
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4
Unterart Anwendung: Bluetooth und WiFi
Prozessorfamilie: PSoC 6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: S25HL512T
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: ARM
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4695.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256LAGBHI023 S25FL256LAGBHI023 INFINEON INFN-S-A0017271261-1.pdf Description: INFINEON - S25FL256LAGBHI023 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.38 грн
10+240.11 грн
25+233.53 грн
50+211.51 грн
100+191.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF IRF7331TRPBF INFINEON 137700.pdf description Description: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF IRF7331TRPBF INFINEON 137700.pdf description Description: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12KT3BOSA1 FS35R12KT3BOSA1 INFINEON Infineon-FS35R12KT3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431421f53f3 Description: INFINEON - FS35R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 55 A, 1.7 V, 210 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 55
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 210
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 55
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004SH6327XTSA1 BAS7004SH6327XTSA1 INFINEON 45894.pdf Description: INFINEON - BAS7004SH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.34 грн
31+26.89 грн
100+17.10 грн
500+11.91 грн
1000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64225-28PVXCT CY7C64225-28PVXCT INFINEON CYPR-S-A0003298042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C64225-28PVXCT - Interface-Brücken, USB zu UART, 3 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), 0 °C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.69 грн
10+214.62 грн
25+196.53 грн
50+174.09 грн
100+152.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD390N16SHPSA1 DD390N16SHPSA1 INFINEON Infineon-DD390N16S-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016390f2a8153f57 Description: INFINEON - DD390N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 390 A, 1.34 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 10kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.34V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 390A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7278.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ800R12KE3HOSA1 FZ800R12KE3HOSA1 INFINEON INFNS28678-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FZ800R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 800
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 3.55
Verlustleistung: 3.55
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11351.80 грн
5+11124.85 грн
10+10897.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2ED020I12F2TOBO1 EVAL2ED020I12F2TOBO1 INFINEON infineon-eval-2ep130r-pr-sic-usermanual-en.pdf Description: INFINEON - EVAL2ED020I12F2TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED020I12-F2, IGBT-Gate-Treiber
Prozessorkern: 2ED020I12-F2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED020I12-F2
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF INFINEON 1561362.pdf Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.55 грн
50+24.09 грн
100+20.64 грн
500+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R280CEXKSA1 IPAW60R280CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002362746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPAW60R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.3 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 19.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CE
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD102U102ELSE6327XTSA1 ESD102U102ELSE6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0001405741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ESD102U102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8 V, TSSLP-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: TSSLP-2-3
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.77 грн
500+8.86 грн
1000+6.47 грн
5000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF INFINEON 678074.pdf Description: INFINEON - IRFR13N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.235
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF INFINEON 678074.pdf Description: INFINEON - IRFR13N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 110
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24223A-24PVXI CY8C24223A-24PVXI INFINEON Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f Description: INFINEON - CY8C24223A-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 20 Pin(s)
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
MCU-Familie: PSoC 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C24x23A
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.39 грн
10+280.40 грн
25+240.93 грн
50+206.16 грн
100+182.55 грн
250+175.50 грн
500+169.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24123A-24SXI CY8C24123A-24SXI INFINEON 2081967.pdf Description: INFINEON - CY8C24123A-24SXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 4Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C24x23A
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 6I/O(s)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2 IDH12SG60CXKSA2 INFINEON Infineon-IDH12SG60C-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431f848401011fad82e993468c Description: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.54 грн
10+288.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CXKSA2 IDH06SG60CXKSA2 INFINEON INFNS19744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH06SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.69 грн
10+171.04 грн
100+167.75 грн
500+118.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2 IDH10SG60CXKSA2 INFINEON INFNS19747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+421.84 грн
10+231.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S90TFI010 S29GL256S90TFI010 INFINEON 2309619.pdf Description: INFINEON - S29GL256S90TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 90ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+741.71 грн
10+689.08 грн
25+668.53 грн
50+540.60 грн
100+484.22 грн
250+472.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAE800GXLLA1 SAE800GXLLA1 INFINEON 96879.pdf Description: INFINEON - SAE800GXLLA1 - Programmierbarer Tongenerator, einfach, zweifach, dreifach, 2.8-18V Versorgung, SOIC-8
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, min.: 2.8
Anzahl der Pins: 8
IC-Funktion: Tongenerator
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -25
Versorgungsspannung, max.: 18
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBF IRF7478TRPBF INFINEON INFN-S-A0002255706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7478TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBF IRF9333TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826343-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9333TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0156 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW9P62S1-43012EVB-01 CYW9P62S1-43012EVB-01 INFINEON Infineon-CYW9P62S1-43012EVB-01_PSoC_62S1_Wi-Fi_BT_Pioneer_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f0245c8198f Description: INFINEON - CYW9P62S1-43012EVB-01 - Wi-Fi-Bluetooth-Pioneer-Kit, CYW43012, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
IC-Funktion: WiFi- und Bluetooth-Kombi-Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Wi-Fi-BT-Pioneer-Kit CYW43012, WM-BAC-CYW-50-Modul
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth und WiFi
Leiterplatte: Pioneer-Kit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYW43012
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9665.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYBT-213043-02 CYBT-213043-02 INFINEON INFN-S-A0020855233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CYBT-213043-02 - Bluetooth-Modul, Version 5, 3MB/s, -95dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
euEccn: NLR
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V
hazardous: false
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.0
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -95dBm
Übertragungsrate: 3Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -95dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+757.34 грн
5+708.00 грн
10+657.84 грн
50+532.20 грн
100+454.61 грн
250+432.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C53150-20AXIT CY7C53150-20AXIT INFINEON CYPR-S-A0003299060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C53150-20AXIT - Mikroprozessor, 20MHz, 8 Bit, 512 Bytes, Serial, 4.5 bis 5.5V Versorgungsspannung, TQFP-64
tariffCode: 85423190
IC-Montage: Oberflächenmontage
Anzahl der CPU-Kerne: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Datenbusbreite: 8
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Programmspeichergröße: 512
MPU-Familie: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Betriebsfrequenz, max.: 20
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11
Anzahl der Pins: 64
Produktpalette: CY7C531x0 Series Microprocessors
MPU-Baureihe: CY7C531x0
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C53150-20AXIT CY7C53150-20AXIT INFINEON CYPR-S-A0003299060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C53150-20AXIT - Mikroprozessor, 20MHz, 8 Bit, 512 Bytes, Serial, 4.5 bis 5.5V Versorgungsspannung, TQFP-64
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.28 грн
50+18.01 грн
250+12.33 грн
1000+8.02 грн
5000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.05 грн
16+52.13 грн
50+43.99 грн
200+33.21 грн
500+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073 Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.16 грн
250+15.95 грн
1000+9.85 грн
5000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DPBF IRFR13N20DPBF INFINEON 678074.pdf description Description: INFINEON - IRFR13N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 13
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.235
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44175N01BXTSA1 1ED44175N01BXTSA1 INFINEON INFN-S-A0010773800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1ED44175N01BXTSA1 - IGBT-Treiber, Low-Side, 12.7V bis 20V, 50ns Verzögerung, SOT-23-6, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.6A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.6A
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.80 грн
18+47.78 грн
100+39.06 грн
500+32.91 грн
1000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44175N01BXTSA1 1ED44175N01BXTSA1 INFINEON INFN-S-A0010773800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1ED44175N01BXTSA1 - IGBT-Treiber, Low-Side, 12.7V bis 20V, 50ns Verzögerung, SOT-23-6, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.6A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.6A
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.06 грн
500+32.91 грн
1000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP28N65ES5XKSA1 IKP28N65ES5XKSA1 INFINEON Infineon-IKP28N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201697b6e31284429 Description: INFINEON - IKP28N65ES5XKSA1 - IGBT, 38 A, 1.5 V, 130 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 38A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.91 грн
10+156.24 грн
100+128.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF INFINEON 1911994.pdf Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 1800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.41 грн
250+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434TRL7PP IRFS7434TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012813670-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825PBF IRFR825PBF INFINEON 1915955.pdf Description: INFINEON - IRFR825PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 119
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.39 грн
18+47.36 грн
50+40.21 грн
200+30.70 грн
500+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.21 грн
200+30.70 грн
500+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C27643-24PVXI CY8C27643-24PVXI INFINEON CYPR-S-A0011123043-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C27643-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSoC 1 Family CY8C27x43 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 16 KB, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 3V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C27x43
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 44I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: PSoC 1 Family CY8C27x43 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+957.98 грн
10+754.87 грн
25+694.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JTRPBF IR2135JTRPBF INFINEON 131957.pdf Description: INFINEON - IR2135JTRPBF - Gate-Treiber, 10V bis 20V, invertierend, 6 Kanäle, 250mA Source, 500mA Sink, 700ns, PLCC-44
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PLCC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 700ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN50R500CEXKSA1 IPAN50R500CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002838054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPAN50R500CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.1 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.74 грн
13+65.95 грн
100+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTR AUIRF7343QTR INFINEON INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.48 грн
10+144.72 грн
100+116.77 грн
500+80.17 грн
1000+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTR AUIRF7343QTR INFINEON INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.77 грн
500+80.17 грн
1000+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR INFINEON INFN-S-A0002297172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: DirectFET SC
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.35 грн
10+149.66 грн
100+120.88 грн
500+93.92 грн
1000+81.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR INFINEON INFN-S-A0002298726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7316QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.46 грн
250+145.55 грн
1000+101.55 грн
2000+88.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7749L2TR AUIRF7749L2TR INFINEON 4127835.pdf Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1100 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+615.08 грн
5+517.22 грн
10+419.37 грн
50+358.11 грн
100+261.49 грн
250+256.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7769L2TR AUIRF7769L2TR INFINEON INFN-S-A0002297188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+879.86 грн
50+641.39 грн
250+483.51 грн
1000+426.07 грн
2000+385.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR INFINEON INFN-S-A0002298866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+819.01 грн
5+692.37 грн
10+564.92 грн
50+471.12 грн
100+385.54 грн
250+377.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7749L2TR AUIRF7749L2TR INFINEON 4127835.pdf Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1100 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+419.37 грн
50+358.11 грн
100+261.49 грн
250+256.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TR AUIRF7640S2TR INFINEON 2354677.pdf Description: INFINEON - AUIRF7640S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.027 ohm, DirectFET SB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: DirectFET SB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7769L2TR AUIRF7769L2TR INFINEON INFN-S-A0002297188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+879.86 грн
50+641.39 грн
250+483.51 грн
1000+426.07 грн
2000+385.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4630D-EPBF IRGP4630D-EPBF INFINEON INFN-S-A0002838041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRGP4630D-EPBF - IGBT, 47 A, 1.65 V, 206 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 47
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REFTWILD8150E60V1ATOBO1 REFTWILD8150E60V1ATOBO1 INFINEON Infineon-ILD8150_ILD8150E-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169ba96613f4c20 Description: INFINEON - REFTWILD8150E60V1ATOBO1 - Referenzdesign-Board, ILD8150E/IFX1117ME V33, LED-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ILD8150E/IFX1117ME V33
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ILD8150E, IFX1117ME V33
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5219.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420FH6327XTSA1 BFP420FH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009651501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP420FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.57 грн
500+11.91 грн
1500+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 2849722.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKFW50N60DH3EXKSA1 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 130 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+418.55 грн
10+241.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD104N16KHPSA1 2354709.pdf
DD104N16KHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD104N16KHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 104 A, 1.4 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2.9kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.4V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 104A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+9492.59 грн
5+8814.20 грн
10+8134.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBF 332466.pdf
IRLSL4030PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLSL4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0034 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 370
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 370
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4295GV33HTSA1 1932137.pdf
TLE4295GV33HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4295GV33HTSA1 - LDO-Festspannungsregler, 3.8V bis 45V, 250mV Dropout, 3.3Vout/30mAout, SCT-595-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SCT-595
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.8V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 30mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 30mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 250mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+33.90 грн
250+30.66 грн
500+30.03 грн
1000+29.39 грн
2500+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CPROTO-062S3-4343W Infineon-CY8CPROTO-062S3-4343W_PSoC_62S3_Wi-Fi_BT_Prototyping_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f01affd1913
CY8CPROTO-062S3-4343W
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CPROTO-062S3-4343W - Prototyping-Kit, S25HL512T, ARM Cortex-M0+/M4, Bluetooth und WiFi, Wireless-Entwicklung
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Entwicklung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Prototyping-Board S25HL512T, USB-A/Micro-USB-B-Kabel, Handbuch
Prozessorhersteller: Cypress
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M4
Unterart Anwendung: Bluetooth und WiFi
Prozessorfamilie: PSoC 6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: S25HL512T
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Prozessorarchitektur: ARM
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4695.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL256LAGBHI023 INFN-S-A0017271261-1.pdf
S25FL256LAGBHI023
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256LAGBHI023 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+257.38 грн
10+240.11 грн
25+233.53 грн
50+211.51 грн
100+191.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF description 137700.pdf
IRF7331TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF description 137700.pdf
IRF7331TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7331TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12KT3BOSA1 Infineon-FS35R12KT3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431421f53f3
FS35R12KT3BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS35R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 55 A, 1.7 V, 210 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 55
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 210
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 55
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004SH6327XTSA1 45894.pdf
BAS7004SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS7004SH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+43.34 грн
31+26.89 грн
100+17.10 грн
500+11.91 грн
1000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64225-28PVXCT CYPR-S-A0003298042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C64225-28PVXCT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C64225-28PVXCT - Interface-Brücken, USB zu UART, 3 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), 0 °C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+283.69 грн
10+214.62 грн
25+196.53 грн
50+174.09 грн
100+152.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD390N16SHPSA1 Infineon-DD390N16S-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016390f2a8153f57
DD390N16SHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD390N16SHPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 390 A, 1.34 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 7 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 10kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.34V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 390A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+7278.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ800R12KE3HOSA1 INFNS28678-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FZ800R12KE3HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ800R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 800
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 3.55
Verlustleistung: 3.55
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+11351.80 грн
5+11124.85 грн
10+10897.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2ED020I12F2TOBO1 infineon-eval-2ep130r-pr-sic-usermanual-en.pdf
EVAL2ED020I12F2TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2ED020I12F2TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED020I12-F2, IGBT-Gate-Treiber
Prozessorkern: 2ED020I12-F2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED020I12-F2
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF 1561362.pdf
IRLTS6342TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+27.55 грн
50+24.09 грн
100+20.64 грн
500+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAW60R280CEXKSA1 INFN-S-A0002362746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPAW60R280CEXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAW60R280CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.3 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 19.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CE
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD102U102ELSE6327XTSA1 INFN-S-A0001405741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ESD102U102ELSE6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD102U102ELSE6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 8 V, TSSLP-2-3, 2 Pin(s), 3.3 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: TSSLP-2-3
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.77 грн
500+8.86 грн
1000+6.47 грн
5000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF 678074.pdf
IRFR13N20DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR13N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.235
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF 678074.pdf
IRFR13N20DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR13N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 110
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24223A-24PVXI Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f
CY8C24223A-24PVXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C24223A-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 20 Pin(s)
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
MCU-Familie: PSoC 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C24x23A
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+368.39 грн
10+280.40 грн
25+240.93 грн
50+206.16 грн
100+182.55 грн
250+175.50 грн
500+169.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24123A-24SXI 2081967.pdf
CY8C24123A-24SXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C24123A-24SXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 4Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C24x23A
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 6I/O(s)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+143.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12SG60CXKSA2 Infineon-IDH12SG60C-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431f848401011fad82e993468c
IDH12SG60CXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH12SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 12 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+543.54 грн
10+288.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH06SG60CXKSA2 INFNS19744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDH06SG60CXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH06SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 8nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+283.69 грн
10+171.04 грн
100+167.75 грн
500+118.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH10SG60CXKSA2 INFNS19747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDH10SG60CXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH10SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+421.84 грн
10+231.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S90TFI010 2309619.pdf
S29GL256S90TFI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29GL256S90TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, CFI, parallel, TSOP, 56 Pin(s)
tariffCode: 85423261
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 90ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+741.71 грн
10+689.08 грн
25+668.53 грн
50+540.60 грн
100+484.22 грн
250+472.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SAE800GXLLA1 96879.pdf
SAE800GXLLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SAE800GXLLA1 - Programmierbarer Tongenerator, einfach, zweifach, dreifach, 2.8-18V Versorgung, SOIC-8
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, min.: 2.8
Anzahl der Pins: 8
IC-Funktion: Tongenerator
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -25
Versorgungsspannung, max.: 18
Betriebstemperatur, max.: 125
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7478TRPBF description INFN-S-A0002255706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7478TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7478TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBF INFN-S-A0012826343-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9333TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9333TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0156 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW9P62S1-43012EVB-01 Infineon-CYW9P62S1-43012EVB-01_PSoC_62S1_Wi-Fi_BT_Pioneer_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0f0245c8198f
CYW9P62S1-43012EVB-01
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW9P62S1-43012EVB-01 - Wi-Fi-Bluetooth-Pioneer-Kit, CYW43012, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
IC-Funktion: WiFi- und Bluetooth-Kombi-Modul
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Wi-Fi-BT-Pioneer-Kit CYW43012, WM-BAC-CYW-50-Modul
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth und WiFi
Leiterplatte: Pioneer-Kit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: CYW43012
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+9665.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYBT-213043-02 INFN-S-A0020855233-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CYBT-213043-02
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBT-213043-02 - Bluetooth-Modul, Version 5, 3MB/s, -95dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
euEccn: NLR
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V
hazardous: false
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.0
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -95dBm
Übertragungsrate: 3Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -95dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+757.34 грн
5+708.00 грн
10+657.84 грн
50+532.20 грн
100+454.61 грн
250+432.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C53150-20AXIT CYPR-S-A0003299060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C53150-20AXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C53150-20AXIT - Mikroprozessor, 20MHz, 8 Bit, 512 Bytes, Serial, 4.5 bis 5.5V Versorgungsspannung, TQFP-64
tariffCode: 85423190
IC-Montage: Oberflächenmontage
Anzahl der CPU-Kerne: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Datenbusbreite: 8
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40
Programmspeichergröße: 512
MPU-Familie: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Betriebsfrequenz, max.: 20
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 11
Anzahl der Pins: 64
Produktpalette: CY7C531x0 Series Microprocessors
MPU-Baureihe: CY7C531x0
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C53150-20AXIT CYPR-S-A0003299060-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY7C53150-20AXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C53150-20AXIT - Mikroprozessor, 20MHz, 8 Bit, 512 Bytes, Serial, 4.5 bis 5.5V Versorgungsspannung, TQFP-64
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
hazardous: false
usEccn: EAR99
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+35.28 грн
50+18.01 грн
250+12.33 грн
1000+8.02 грн
5000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+83.05 грн
16+52.13 грн
50+43.99 грн
200+33.21 грн
500+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073
BSS308PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+25.16 грн
250+15.95 грн
1000+9.85 грн
5000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DPBF description 678074.pdf
IRFR13N20DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR13N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.235 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 13
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.235
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44175N01BXTSA1 INFN-S-A0010773800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1ED44175N01BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED44175N01BXTSA1 - IGBT-Treiber, Low-Side, 12.7V bis 20V, 50ns Verzögerung, SOT-23-6, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.6A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.6A
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+64.80 грн
18+47.78 грн
100+39.06 грн
500+32.91 грн
1000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED44175N01BXTSA1 INFN-S-A0010773800-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1ED44175N01BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED44175N01BXTSA1 - IGBT-Treiber, Low-Side, 12.7V bis 20V, 50ns Verzögerung, SOT-23-6, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.6A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.6A
Versorgungsspannung, min.: 12.7V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOT-23
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 50ns
Ausgabeverzögerung: 50ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+39.06 грн
500+32.91 грн
1000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP28N65ES5XKSA1 Infineon-IKP28N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf1201697b6e31284429
IKP28N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP28N65ES5XKSA1 - IGBT, 38 A, 1.5 V, 130 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 38A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+254.91 грн
10+156.24 грн
100+128.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF 1911994.pdf
IRFS7437TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 1800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+79.41 грн
250+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434TRL7PP INFN-S-A0012813670-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7434TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+112.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR825PBF 1915955.pdf
IRFR825PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR825PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 119
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+70.39 грн
18+47.36 грн
50+40.21 грн
200+30.70 грн
500+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+40.21 грн
200+30.70 грн
500+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C27643-24PVXI CYPR-S-A0011123043-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C27643-24PVXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C27643-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSoC 1 Family CY8C27x43 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 16 KB, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 3V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C27x43
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 44I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: PSoC 1 Family CY8C27x43 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+957.98 грн
10+754.87 грн
25+694.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JTRPBF 131957.pdf
IR2135JTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2135JTRPBF - Gate-Treiber, 10V bis 20V, invertierend, 6 Kanäle, 250mA Source, 500mA Sink, 700ns, PLCC-44
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PLCC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -
Quellstrom: 250mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 750ns
Ausgabeverzögerung: 700ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN50R500CEXKSA1 INFN-S-A0002838054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPAN50R500CEXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN50R500CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.1 A, 0.45 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+93.74 грн
13+65.95 грн
100+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTR INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7343QTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+187.48 грн
10+144.72 грн
100+116.77 грн
500+80.17 грн
1000+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTR INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7343QTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+116.77 грн
500+80.17 грн
1000+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR INFN-S-A0002297172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7647S2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7647S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.031 ohm, DirectFET SC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: DirectFET SC
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+234.35 грн
10+149.66 грн
100+120.88 грн
500+93.92 грн
1000+81.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR INFN-S-A0002298726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7316QTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7316QTR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+164.46 грн
250+145.55 грн
1000+101.55 грн
2000+88.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7749L2TR 4127835.pdf
AUIRF7749L2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1100 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+615.08 грн
5+517.22 грн
10+419.37 грн
50+358.11 грн
100+261.49 грн
250+256.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7769L2TR INFN-S-A0002297188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7769L2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+879.86 грн
50+641.39 грн
250+483.51 грн
1000+426.07 грн
2000+385.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR INFN-S-A0002298866-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7759L2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+819.01 грн
5+692.37 грн
10+564.92 грн
50+471.12 грн
100+385.54 грн
250+377.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7749L2TR 4127835.pdf
AUIRF7749L2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7749L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 345 A, 1100 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 345A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+419.37 грн
50+358.11 грн
100+261.49 грн
250+256.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TR 2354677.pdf
AUIRF7640S2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7640S2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.027 ohm, DirectFET SB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: DirectFET SB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7769L2TR INFN-S-A0002297188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIRF7769L2TR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7769L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+879.86 грн
50+641.39 грн
250+483.51 грн
1000+426.07 грн
2000+385.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4630D-EPBF INFN-S-A0002838041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRGP4630D-EPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4630D-EPBF - IGBT, 47 A, 1.65 V, 206 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 206
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 47
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REFTWILD8150E60V1ATOBO1 Infineon-ILD8150_ILD8150E-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169ba96613f4c20
REFTWILD8150E60V1ATOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFTWILD8150E60V1ATOBO1 - Referenzdesign-Board, ILD8150E/IFX1117ME V33, LED-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ILD8150E/IFX1117ME V33
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ILD8150E, IFX1117ME V33
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+5219.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420FH6327XTSA1 INFN-S-A0009651501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP420FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP420FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 210 mW, 60 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.57 грн
500+11.91 грн
1500+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 287 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]