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IRL2703PBF IRL2703PBF INFINEON 140530.pdf description Description: INFINEON - IRL2703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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BB639E7904HTSA1 BB639E7904HTSA1 INFINEON INFNS15706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BB639E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 40 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 40pF
Produktpalette: BB639
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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BB639E7904HTSA1 BB639E7904HTSA1 INFINEON INFNS15706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BB639E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 40 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 40pF
Produktpalette: BB639
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 47 шт
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IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON INFNS30190-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKP20N65H5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVAL3KW2LLCCFD7TOBO1 EVAL3KW2LLCCFD7TOBO1 INFINEON Infineon-General_description_EvaluationBoard_EVAL_3kW_2LLC_CFD7-ATI-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fda288e4471ba Description: INFINEON - EVAL3KW2LLCCFD7TOBO1 - Evaluationsboard, CoolMOS-CDF7-Superjunction-MOSFET, LLC-SNT, 2-phasig, 3kW
Prozessorkern: IPW60R031CFD7
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IPW60R031CFD7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: SNT
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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EVAL3KW2LLCC720TOBO1 EVAL3KW2LLCC720TOBO1 INFINEON EVAL_3kW_2LLC_C7.pdf Description: INFINEON - EVAL3KW2LLCC720TOBO1 - Evaluationsboard, CoolMOS-C7-Superjunction-MOSFET, LLC, 2-phasig, 3kW
Prozessorkern: IPP60R040C7
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IPP60R040C7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: SNT
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
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IRF8721TRPBF IRF8721TRPBF INFINEON IRSDS11200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0069
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRF8721TRPBF IRF8721TRPBF INFINEON IRSDS11200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPA50R250CPXKSA1 IPA50R250CPXKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA50R250CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 13 A, 0.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 33
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLI493DA2B6HTSA1 TLI493DA2B6HTSA1 INFINEON INFN-S-A0008597374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLI493DA2B6HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLI4906KHTSA1 TLI4906KHTSA1 INFINEON INFNS14265-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLI4906KHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.01 T, 0.0085 T, 2.7 V, 18 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0085T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.01T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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CY7C64225-28PVXC CY7C64225-28PVXC INFINEON CYPR-S-A0003298042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY7C64225-28PVXC - Interface-Brücken, USB zu UART, 3 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), 0 °C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRLR8256TRPBF IRLR8256TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8256TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 63
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 59 шт
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S25FL064LABNFI013 S25FL064LABNFI013 INFINEON INFN-S-A0018717259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL064LABNFA010 S25FL064LABNFA010 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABNFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL064LABNFI013 S25FL064LABNFI013 INFINEON INFN-S-A0018717259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
Bauform - Speicherbaustein: WSON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRLR3714ZPBF IRLR3714ZPBF INFINEON 140851.pdf description Description: INFINEON - IRLR3714ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 37 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 37
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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FF1800R17IP5BPSA1 FF1800R17IP5BPSA1 INFINEON INFN-S-A0003257768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF1800R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.8 kA, 2.2 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 1.8kA
Produktpalette: PrimePACK 3+B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.8kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FP100R12W3T7B11BPSA1 FP100R12W3T7B11BPSA1 INFINEON 3177198.pdf Description: INFINEON - FP100R12W3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Dauer-Kollektorstrom: 100
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FP100R12N2T7BPSA1 FP100R12N2T7BPSA1 INFINEON 3437272.pdf Description: INFINEON - FP100R12N2T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Dauer-Kollektorstrom: 100
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: TRENCHSTOP EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F3L100R07W2H3B11BPSA1 F3L100R07W2H3B11BPSA1 INFINEON 3685648.pdf Description: INFINEON - F3L100R07W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 1.68 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.68V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FP100R12N3T7B11BPSA1 FP100R12N3T7B11BPSA1 INFINEON 3758284.pdf Description: INFINEON - FP100R12N3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IHW50N65R6XKSA1 IHW50N65R6XKSA1 INFINEON 3705454.pdf Description: INFINEON - IHW50N65R6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.3 V, 251 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 251W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AUIRGP4063D AUIRGP4063D INFINEON 2718662.pdf Description: INFINEON - AUIRGP4063D - IGBT, 100 A, 1.6 V, 330 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-247AC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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FS75R12KT3GBOSA1 FS75R12KT3GBOSA1 INFINEON 2255592.pdf Description: INFINEON - FS75R12KT3GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 355W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 355W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 INFINEON 2577560.pdf Description: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0001751104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPA65R110CFDXKSA1 IPA65R110CFDXKSA1 INFINEON INFNS16577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R110CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPA65R225C7XKSA1 IPA65R225C7XKSA1 INFINEON Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63 Description: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPA65R045C7XKSA1 IPA65R045C7XKSA1 INFINEON 2849597.pdf Description: INFINEON - IPA65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.04 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPA65R150CFDXKSA1 IPA65R150CFDXKSA1 INFINEON INFNS17309-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R150CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 34.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 34.7
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IPA65R600E6XKSA1 IPA65R600E6XKSA1 INFINEON 2197792.pdf Description: INFINEON - IPA65R600E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700
Dauer-Drainstrom Id: 7.3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 63
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 63
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6XKSA1 INFINEON 2354619.pdf Description: INFINEON - IPA65R380C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 10.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C6
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IPA65R310CFDXKSA1 IPA65R310CFDXKSA1 INFINEON INFNS17578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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EVAL2ED2101HBLLCTOBO2 EVAL2ED2101HBLLCTOBO2 INFINEON infineon-2ed24427n01f-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - EVAL2ED2101HBLLCTOBO2 - Evaluationsboard, 2ED24427N01F/2ED2101S06F, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED24427N01F, 2ED2101S06F
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED24427N01F/2ED2101S06F
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVAL3K3WTPPFCSICTOBO1 EVAL3K3WTPPFCSICTOBO1 INFINEON Infineon-Evaluationboard_EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc2ae66e20040 Description: INFINEON - EVAL3K3WTPPFCSICTOBO1 - EVAL.BOARD, CCM-PFC-CONTROLLER, 3300W
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IMZA65R048M1, IPW60R017C7, IPU95R3K7P7
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: CCM-PFC-Controller
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IMZA65R048M1, IPW60R017C7, IPU95R3K7P7
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F3L400R07W3S5B59BPSA1 F3L400R07W3S5B59BPSA1 INFINEON 3624241.pdf Description: INFINEON - F3L400R07W3S5B59BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.17 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench Stop 5
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 200A
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002262830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP50R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPW60R070CFD7XKSA1 IPW60R070CFD7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004165862-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R070CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVALIHR5IPBAV1TOBO1 EVALIHR5IPBAV1TOBO1 INFINEON 3097846.pdf Description: INFINEON - EVALIHR5IPBAV1TOBO1 - Evaluationsboard, IEWS20R5135IPB, Single-Ended Parallel-Resonant (SEPR)-Wandler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IEWS20R5135IPB
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 10 x IEWS20R5135IPB, Ersatzteile, USB-Laufwerk, Dokumentation
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Induktionsheizung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRLI3705NPBF IRLI3705NPBF INFINEON INFN-S-A0003068451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLI3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.01 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BGSA14GN10E6327XTSA1 BGSA14GN10E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0010890417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGSA14GN10E6327XTSA1 - HF-Schalter, SP4T-Antennenabstimmung, 100MHz bis 5GHz, 1.8V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSNP-10
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SP4T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSNP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: 75dBm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.22dB
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 5GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 100MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 7779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BGSA14GN10E6327XTSA1 BGSA14GN10E6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0010890417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGSA14GN10E6327XTSA1 - HF-Schalter, SP4T-Antennenabstimmung, 100MHz bis 5GHz, 1.8V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSNP-10
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SP4T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSNP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: 75dBm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.22dB
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 5GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 100MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 7779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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CY7C1354C-166AXI CY7C1354C-166AXI INFINEON 2309593.pdf Description: INFINEON - CY7C1354C-166AXI - SRAM, Pipelined, Pipelined-SRAM, 9 Mbit, 256K x 36 Bit, TQFP, 100 Pin(s), 3.135 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Speicherdichte: 9Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pipelined-SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 36 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL127SABNFI100 S25FL127SABNFI100 INFINEON Infineon-S25FL127S_128-Mb_(16_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfa58c49f7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - S25FL127SABNFI100 - Flash-Speicher, MirrorBit-Architektur, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL127SABNFI101 S25FL127SABNFI101 INFINEON 2864248.pdf Description: INFINEON - S25FL127SABNFI101 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BFP183E7764HTSA1 BFP183E7764HTSA1 INFINEON INFNS30056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP183E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 65mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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DD600N16KHPSA3 DD600N16KHPSA3 INFINEON INFN-S-A0002955423-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DD600N16KHPSA3 - Diodenmodul, 1.6 kV, 600 A, 1.32 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 22kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.32V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 600A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DD600N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPA60R125C6XKSA1 IPA60R125C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R125C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CY8C4747LQS-S453 CY8C4747LQS-S453 INFINEON 3795126.pdf Description: INFINEON - CY8C4747LQS-S453 - ARM-MCU, PSoC 4 Family PSoC 4700S Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: true
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 32Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: PSoC 4700S
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family PSoC 4700S Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF INFINEON 690338.pdf Description: INFINEON - IRFR9120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRF6620TRPBF IRF6620TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0021 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 89
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BC856SH6327XTSA1 BC856SH6327XTSA1 INFINEON INFNS16381-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BC856SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 250mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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BC856SH6327XTSA1 BC856SH6327XTSA1 INFINEON INFNS16381-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BC856SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 250mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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PVI5080NPBF PVI5080NPBF INFINEON 2005685.pdf Description: INFINEON - PVI5080NPBF - MOSFET-Relais, 8V DC, 10µA, SPST-NO
tariffCode: 85364110
Art der Last: -
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: -
Durchlassstrom If: 50mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: -
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 10µA
Produktpalette: PVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: -
Bauform MOSFET-Relais: DIP-8 (4 Pins verwendet)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRF7324TRPBF IRF7324TRPBF INFINEON IRSDS18150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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CY8C624AAZI-S2D44 CY8C624AAZI-S2D44 INFINEON Infineon-PSOC_6_MCU_CY8C62X8_CY8C62XA-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7d03a70b1 Description: INFINEON - CY8C624AAZI-S2D44 - ARM-MCU, PSoC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
MCU-Familie: PSoC 6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CY8C62xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 102I/O(s)
Anzahl der Pins: 128Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRF7607TRPBF IRF7607TRPBF INFINEON INFN-S-A0004145912-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 331 шт
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IRF7601TRPBF IRF7601TRPBF INFINEON 196757.pdf Description: INFINEON - IRF7601TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.035 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.8
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRL2703PBF description 140530.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL2703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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BB639E7904HTSA1 INFNS15706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB639E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 40 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 40pF
Produktpalette: BB639
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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BB639E7904HTSA1 INFNS15706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB639E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 40 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 40pF
Produktpalette: BB639
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 47 шт
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IKP20N65H5XKSA1 INFNS30190-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP20N65H5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVAL3KW2LLCCFD7TOBO1 Infineon-General_description_EvaluationBoard_EVAL_3kW_2LLC_CFD7-ATI-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fda288e4471ba
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL3KW2LLCCFD7TOBO1 - Evaluationsboard, CoolMOS-CDF7-Superjunction-MOSFET, LLC-SNT, 2-phasig, 3kW
Prozessorkern: IPW60R031CFD7
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IPW60R031CFD7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: SNT
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
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EVAL3KW2LLCC720TOBO1 EVAL_3kW_2LLC_C7.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL3KW2LLCC720TOBO1 - Evaluationsboard, CoolMOS-C7-Superjunction-MOSFET, LLC, 2-phasig, 3kW
Prozessorkern: IPP60R040C7
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IPP60R040C7
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: SNT
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IRF8721TRPBF IRSDS11200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0069
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRF8721TRPBF IRSDS11200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPA50R250CPXKSA1 INFN-S-A0004583242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA50R250CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 13 A, 0.22 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 33
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLI493DA2B6HTSA1 INFN-S-A0008597374-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI493DA2B6HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLI4906KHTSA1 INFNS14265-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI4906KHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Unipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.01 T, 0.0085 T, 2.7 V, 18 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Unipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0085T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.01T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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CY7C64225-28PVXC CYPR-S-A0003298042-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C64225-28PVXC - Interface-Brücken, USB zu UART, 3 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s), 0 °C
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Brücke: USB zu UART
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRLR8256TRPBF INFN-S-A0012813225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8256TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 63
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 59 шт
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S25FL064LABNFI013 INFN-S-A0018717259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL064LABNFA010 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL064LABNFI013 INFN-S-A0018717259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
Bauform - Speicherbaustein: WSON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRLR3714ZPBF description 140851.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3714ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 37 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 37
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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FF1800R17IP5BPSA1 INFN-S-A0003257768-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF1800R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.8 kA, 2.2 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 1.8kA
Produktpalette: PrimePACK 3+B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.8kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FP100R12W3T7B11BPSA1 3177198.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R12W3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Dauer-Kollektorstrom: 100
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FP100R12N2T7BPSA1 3437272.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R12N2T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Dauer-Kollektorstrom: 100
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: TRENCHSTOP EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F3L100R07W2H3B11BPSA1 3685648.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L100R07W2H3B11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 100 A, 1.68 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.68V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FP100R12N3T7B11BPSA1 3758284.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP100R12N3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IHW50N65R6XKSA1 3705454.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW50N65R6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.3 V, 251 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 251W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AUIRGP4063D 2718662.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRGP4063D - IGBT, 100 A, 1.6 V, 330 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-247AC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
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FS75R12KT3GBOSA1 2255592.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS75R12KT3GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 355W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 355W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPA65R1K0CEXKSA1 2577560.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R1K0CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPA65R650CEXKSA1 INFN-S-A0001751104-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R650CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPA65R110CFDXKSA1 INFNS16577-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R110CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPA65R225C7XKSA1 Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R225C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPA65R045C7XKSA1 2849597.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.04 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPA65R150CFDXKSA1 INFNS17309-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R150CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 22.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 34.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 34.7
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IPA65R600E6XKSA1 2197792.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R600E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700
Dauer-Drainstrom Id: 7.3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 63
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 63
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IPA65R380C6XKSA1 2354619.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R380C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 10.6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 31
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C6
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IPA65R310CFDXKSA1 INFNS17578-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R310CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD2
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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EVAL2ED2101HBLLCTOBO2 infineon-2ed24427n01f-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2ED2101HBLLCTOBO2 - Evaluationsboard, 2ED24427N01F/2ED2101S06F, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 2ED24427N01F, 2ED2101S06F
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED24427N01F/2ED2101S06F
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVAL3K3WTPPFCSICTOBO1 Infineon-Evaluationboard_EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc2ae66e20040
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL3K3WTPPFCSICTOBO1 - EVAL.BOARD, CCM-PFC-CONTROLLER, 3300W
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IMZA65R048M1, IPW60R017C7, IPU95R3K7P7
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: CCM-PFC-Controller
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IMZA65R048M1, IPW60R017C7, IPU95R3K7P7
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F3L400R07W3S5B59BPSA1 3624241.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L400R07W3S5B59BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.17 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench Stop 5
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 200A
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPP50R380CEXKSA1 INFN-S-A0002262830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP50R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.1 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPW60R070CFD7XKSA1 INFN-S-A0004165862-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R070CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVALIHR5IPBAV1TOBO1 3097846.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALIHR5IPBAV1TOBO1 - Evaluationsboard, IEWS20R5135IPB, Single-Ended Parallel-Resonant (SEPR)-Wandler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IEWS20R5135IPB
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 10 x IEWS20R5135IPB, Ersatzteile, USB-Laufwerk, Dokumentation
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Induktionsheizung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRLI3705NPBF INFN-S-A0003068451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLI3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.01 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BGSA14GN10E6327XTSA1 INFN-S-A0010890417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGSA14GN10E6327XTSA1 - HF-Schalter, SP4T-Antennenabstimmung, 100MHz bis 5GHz, 1.8V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSNP-10
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SP4T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSNP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: 75dBm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.22dB
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 5GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 100MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 7779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BGSA14GN10E6327XTSA1 INFN-S-A0010890417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGSA14GN10E6327XTSA1 - HF-Schalter, SP4T-Antennenabstimmung, 100MHz bis 5GHz, 1.8V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSNP-10
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
HF-Schalterkonfiguration: SP4T
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSNP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
Intercept-Punkt dritter Ordnung (IIP3), typ.: 75dBm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 100MHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Einfügungsdämpfung, typ.: 0.22dB
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 5GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 100MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 5GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 7779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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CY7C1354C-166AXI 2309593.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1354C-166AXI - SRAM, Pipelined, Pipelined-SRAM, 9 Mbit, 256K x 36 Bit, TQFP, 100 Pin(s), 3.135 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Speicherdichte: 9Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pipelined-SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 36 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL127SABNFI100 Infineon-S25FL127S_128-Mb_(16_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfa58c49f7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL127SABNFI100 - Flash-Speicher, MirrorBit-Architektur, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL127SABNFI101 2864248.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL127SABNFI101 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BFP183E7764HTSA1 INFNS30056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP183E7764HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 65 mA, SOT-143
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-143
Dauerkollektorstrom: 65mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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DD600N16KHPSA3 INFN-S-A0002955423-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD600N16KHPSA3 - Diodenmodul, 1.6 kV, 600 A, 1.32 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 22kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.32V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 600A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DD600N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPA60R125C6XKSA1 INFN-S-A0004583435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R125C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 34W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CY8C4747LQS-S453 3795126.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4747LQS-S453 - ARM-MCU, PSoC 4 Family PSoC 4700S Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: true
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 32Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: PSoC 4700S
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 4 Family PSoC 4700S Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRFR9120NTRLPBF 690338.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR9120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRF6620TRPBF INFN-S-A0012826950-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0021 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 89
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRF6662TRPBF INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BC856SH6327XTSA1 INFNS16381-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BC856SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 250mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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BC856SH6327XTSA1 INFNS16381-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BC856SH6327XTSA1 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 250mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 250MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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PVI5080NPBF 2005685.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVI5080NPBF - MOSFET-Relais, 8V DC, 10µA, SPST-NO
tariffCode: 85364110
Art der Last: -
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: -
Durchlassstrom If: 50mA
Isolationsspannung: 4kV
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: -
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 10µA
Produktpalette: PVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: -
Bauform MOSFET-Relais: DIP-8 (4 Pins verwendet)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRF7324TRPBF IRSDS18150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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CY8C624AAZI-S2D44 Infineon-PSOC_6_MCU_CY8C62X8_CY8C62XA-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7d03a70b1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C624AAZI-S2D44 - ARM-MCU, PSoC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 150MHz
MCU-Familie: PSoC 6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 1MB
MCU-Baureihe: CY8C62xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 102I/O(s)
Anzahl der Pins: 128Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSoC 6 Family CY8C62xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRF7607TRPBF INFN-S-A0004145912-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7607TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 331 шт
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IRF7601TRPBF 196757.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7601TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.035 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.8
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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