Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25964) > Сторінка 249 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 258 301 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF INFINEON IRFR4615TRLPBF.pdf Description: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.37 грн
50+121.21 грн
100+82.72 грн
500+63.20 грн
1500+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BB844E6327HTSA1 BB844E6327HTSA1 INFINEON INFNS15711-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BB844E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 45 pF, 50 mA, 18 V, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 45pF
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.90 грн
35+23.91 грн
100+15.23 грн
500+9.81 грн
1000+8.07 грн
5000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011SPBF INFINEON 2820281.pdf description Description: INFINEON - IR2011SPBF - MOSFET-TREIBER, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.94 грн
10+91.73 грн
50+79.12 грн
100+70.12 грн
250+63.67 грн
500+61.14 грн
1000+60.86 грн
2500+60.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF IR2011PBF INFINEON 2820281.pdf description Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.82 грн
10+208.84 грн
25+166.26 грн
50+152.10 грн
100+138.29 грн
250+134.78 грн
500+131.98 грн
1000+127.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF INFINEON IRSDS11292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.31 грн
12+71.09 грн
100+57.82 грн
500+44.72 грн
1000+38.19 грн
5000+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.74 грн
12+69.21 грн
100+41.77 грн
500+32.70 грн
1000+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF INFINEON 1912231.pdf Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, -10A, SOIC
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.66 грн
12+69.78 грн
100+49.88 грн
500+37.64 грн
1000+31.24 грн
5000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DF160R12W2H3FB11BPSA1 DF160R12W2H3FB11BPSA1 INFINEON INFN-S-A0003271527-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DF160R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 160 A, 1.55 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH6327XTSA1 BAT1504WH6327XTSA1 INFINEON 2333741.pdf Description: INFINEON - BAT1504WH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-323
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
Durchlassstrom If, max.: 110mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.79 грн
32+25.63 грн
100+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504RE6152HTSA1 BAT1504RE6152HTSA1 INFINEON INFN-S-A0009651248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT1504RE6152HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 4 V, 110 mA, 300 mV, 0.25 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 300mV
Diodenkapazität: 0.25pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.12 грн
26+32.02 грн
100+23.75 грн
500+16.88 грн
1000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1502LRHE6327XTSA1 BAT1502LRHE6327XTSA1 INFINEON 2820276.pdf Description: INFINEON - BAT1502LRHE6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.2 pF, TSLP-2-7
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-7
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.2pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.86 грн
20+41.36 грн
100+41.20 грн
500+34.37 грн
1000+28.99 грн
5000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099E6327HTSA1 BAT15099E6327HTSA1 INFINEON 2333741.pdf Description: INFINEON - BAT15099E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
Durchlassstrom If, max.: 110mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.38 грн
18+47.50 грн
100+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH6327XTSA1 BAT1504WH6327XTSA1 INFINEON 2333741.pdf Description: INFINEON - BAT1504WH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-323
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: No
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099RE6327HTSA1 BAT15099RE6327HTSA1 INFINEON 2820277.pdf Description: INFINEON - BAT15099RE6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.29 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.29pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.19 грн
13+64.70 грн
100+42.92 грн
500+31.18 грн
1000+26.11 грн
5000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF INFINEON INFN-S-A0012837739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.22 грн
10+111.38 грн
100+99.92 грн
500+74.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.59 грн
50+86.81 грн
100+61.02 грн
500+49.05 грн
1000+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF INFINEON irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 description Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.50 грн
50+80.43 грн
250+61.18 грн
1000+41.75 грн
2000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRGPS46160DPBF IRGPS46160DPBF INFINEON 1868673.pdf Description: INFINEON - IRGPS46160DPBF - IGBT, 240 A, 1.7 V, 750 W, 600 V, TO-274AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
DC-Kollektorstrom: 240
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-274AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 750
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP20B60PDPBF IRGP20B60PDPBF INFINEON 140476.pdf Description: INFINEON - IRGP20B60PDPBF - IGBT, 40 A, 2.35 V, 220 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
Verlustleistung Pd: 220
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: IRGP
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGPS60B120KDP IRGPS60B120KDP INFINEON 91434.pdf Description: INFINEON - IRGPS60B120KDP - IGBT, 105 A, 2.75 V, 595 W, 1.2 kV, TO-247AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.75
DC-Kollektorstrom: 105
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 595
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRGP
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP30B120KD-EP IRGP30B120KD-EP INFINEON 2332092.pdf Description: INFINEON - IRGP30B120KD-EP - IGBT, 60 A, 2.28 V, 300 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.28
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4650DPBF IRGP4650DPBF INFINEON 1916205.pdf Description: INFINEON - IRGP4650DPBF - IGBT, 76 A, 1.6 V, 268 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 76
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 268
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4062DPBF IRGP4062DPBF INFINEON INFN-S-A0008993788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRGP4062DPBF - IGBT, 48 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 48
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4640-EPBF IRGP4640-EPBF INFINEON IRSD-S-Z0000001529-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRGP4640-EPBF - IGBT, 65 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 65
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4640PBF IRGP4640PBF INFINEON IRSD-S-Z0000001529-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRGP4640PBF - IGBT, 65 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 65
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP6630DPBF IRGP6630DPBF INFINEON 1868670.pdf Description: INFINEON - IRGP6630DPBF - IGBT, 47 A, 1.65 V, 192 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
DC-Kollektorstrom: 47
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 192
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4266PBF IRGP4266PBF INFINEON 1916203.pdf Description: INFINEON - IRGP4266PBF - IGBT, 140 A, 1.7 V, 450 W, 650 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
DC-Kollektorstrom: 140
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 450
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB4059DPBF. IRGB4059DPBF. INFINEON 140449.pdf Description: INFINEON - IRGB4059DPBF. - SINGLE IGBT, 600V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
DC-Kollektorstrom: 8
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 56
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: IRGB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.10 грн
50+19.82 грн
100+15.89 грн
500+12.70 грн
1500+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.89 грн
500+12.70 грн
1500+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 INFINEON 2718801.pdf Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+352.17 грн
10+233.42 грн
50+199.84 грн
100+153.62 грн
250+141.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 IRL40SC209 INFINEON 2718801.pdf Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.62 грн
250+141.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21864PBF IRS21864PBF INFINEON INFN-S-A0008993401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS21864PBF - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, DIP-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 170ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.92 грн
10+212.94 грн
25+195.74 грн
50+172.63 грн
100+143.91 грн
250+136.19 грн
500+131.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R07N2E4BPSA1 FS100R07N2E4BPSA1 INFINEON 2882449.pdf Description: INFINEON - FS100R07N2E4BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.55 V, 335 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 335W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5851.76 грн
5+5205.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R06KE3BOSA1 FS100R06KE3BOSA1 INFINEON INFNS28502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS100R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 335
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EconoPACK 3
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT3BOSA1 FS100R12KT3BOSA1 INFINEON Infineon-FS100R12KT3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431b56f553f Description: INFINEON - FS100R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.7 V, 480 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 480W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8638.81 грн
5+7959.86 грн
10+7280.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KE3BOSA1 FS100R12KE3BOSA1 INFINEON INFNS28508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FS100R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 140 A, 1.7 V, 480 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 480W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 140A
Produktpalette: Econo 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13809.16 грн
5+12082.71 грн
10+10011.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5109EVALKITTOBO2 INFINEON Infineon-TLE5x09A16(D)-Eval_Kit-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274b9648d0174baccfbbe52b4 Description: INFINEON - TLE5109EVALKITTOBO2 - Evaluation Kit, TLE5109A16D E1210, Angle Sensor
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLE5109A16D E1210
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Winkelsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE5109, XMC4700
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3463.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5309EVALKITTOBO1 TLE5309EVALKITTOBO1 INFINEON 3189167.pdf Description: INFINEON - TLE5309EVALKITTOBO1 - Evaluationskit, TLE5309 E1211, Winkelsensor
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLE5309 E1211
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Winkelsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE5309, XMC4700
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4478.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBF IRF7504TRPBF INFINEON 196754.pdf Description: INFINEON - IRF7504TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBF IRF7504TRPBF INFINEON 196754.pdf Description: INFINEON - IRF7504TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REFICL8820LED43WJTTOBO1 REFICL8820LED43WJTTOBO1 INFINEON 3437316.pdf Description: INFINEON - REFICL8820LED43WJTTOBO1 - Referenzdesign-Board, ICL8820, HPF-Flyback-Wandler
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICL8820 mit zwei Steckplatinen für Regulierung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: HPF-Flyback-Wandler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: ICL88xx
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICL8820
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4371.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R950C6XKSA1 IPA60R950C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA60R950C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.4 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.86
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.30 грн
10+104.01 грн
100+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTS133BKSA1 BTS133BKSA1 INFINEON 2334166.pdf Description: INFINEON - BTS133BKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 60V, 28A, TO-220-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 28A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R07W2H3B77BPSA1 DF200R07W2H3B77BPSA1 INFINEON 3685646.pdf Description: INFINEON - DF200R07W2H3B77BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 200 A, 1.46 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3393.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720ESDH6327XTSA1 BFP720ESDH6327XTSA1 INFINEON 2354690.pdf Description: INFINEON - BFP720ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 43 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 30mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.12 грн
36+22.77 грн
100+18.43 грн
500+16.27 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720FH6327XTSA1 BFP720FH6327XTSA1 INFINEON 2354691.pdf Description: INFINEON - BFP720FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, TSFP
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 160
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: 45
Bauform - HF-Transistor: TSFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.7
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.14 грн
19+44.80 грн
100+31.29 грн
500+21.75 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720H6327XTSA1 BFP720H6327XTSA1 INFINEON 2354688.pdf Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.10 грн
40+20.72 грн
100+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720ESDH6327XTSA1 BFP720ESDH6327XTSA1 INFINEON 2354690.pdf Description: INFINEON - BFP720ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 43 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 30mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.43 грн
500+16.27 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720H6327XTSA1 BFP720H6327XTSA1 INFINEON 2354688.pdf Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720FH6327XTSA1 BFP720FH6327XTSA1 INFINEON 2354691.pdf Description: INFINEON - BFP720FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, TSFP
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 160
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: 45
Bauform - HF-Transistor: TSFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.7
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.29 грн
500+21.75 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002955147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP111N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 9400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.38 грн
10+132.68 грн
100+131.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON DS_IG40N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d0125921b9364704d Description: INFINEON - IGW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 483W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+524.98 грн
10+470.11 грн
100+276.82 грн
500+220.54 грн
1000+199.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.74 грн
50+57.49 грн
100+46.52 грн
500+37.34 грн
1000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF INFINEON INFN-S-A0004664165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.10 грн
50+67.57 грн
250+52.83 грн
1000+35.06 грн
2000+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC30UPBF IRG4PC30UPBF INFINEON 34692.pdf Description: INFINEON - IRG4PC30UPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52
Verlustleistung Pd: 100
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 23
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF INFINEON INFN-S-A0011842197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.86 грн
10+94.18 грн
100+64.46 грн
500+47.91 грн
1000+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBF IRFH5007TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.82 грн
10+144.96 грн
100+116.30 грн
500+88.22 грн
1000+71.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF IRFH5210TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0126 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.23 грн
10+91.73 грн
100+65.19 грн
500+46.47 грн
1000+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF INFINEON 717253.pdf Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.45 грн
50+42.42 грн
100+31.78 грн
500+25.02 грн
1000+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF.pdf
IRFR4615TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+188.37 грн
50+121.21 грн
100+82.72 грн
500+63.20 грн
1500+50.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BB844E6327HTSA1 INFNS15711-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BB844E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB844E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 45 pF, 50 mA, 18 V, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 45pF
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.90 грн
35+23.91 грн
100+15.23 грн
500+9.81 грн
1000+8.07 грн
5000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011SPBF description 2820281.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2011SPBF - MOSFET-TREIBER, -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+117.94 грн
10+91.73 грн
50+79.12 грн
100+70.12 грн
250+63.67 грн
500+61.14 грн
1000+60.86 грн
2500+60.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF description 2820281.pdf
IR2011PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2011PBF - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), DIP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 80ns
Ausgabeverzögerung: 75ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+276.82 грн
10+208.84 грн
25+166.26 грн
50+152.10 грн
100+138.29 грн
250+134.78 грн
500+131.98 грн
1000+127.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRSDS11292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR4104TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR4104TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 5500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.31 грн
12+71.09 грн
100+57.82 грн
500+44.72 грн
1000+38.19 грн
5000+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRPBF INFN-S-A0012837732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR540ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR540ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.74 грн
12+69.21 грн
100+41.77 грн
500+32.70 грн
1000+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF 1912231.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, -10A, SOIC
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.66 грн
12+69.78 грн
100+49.88 грн
500+37.64 грн
1000+31.24 грн
5000+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DF160R12W2H3FB11BPSA1 INFN-S-A0003271527-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DF160R12W2H3FB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF160R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 160 A, 1.55 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH6327XTSA1 2333741.pdf
BAT1504WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1504WH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-323
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
Durchlassstrom If, max.: 110mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.79 грн
32+25.63 грн
100+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504RE6152HTSA1 INFN-S-A0009651248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT1504RE6152HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1504RE6152HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 4 V, 110 mA, 300 mV, 0.25 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 300mV
Diodenkapazität: 0.25pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.12 грн
26+32.02 грн
100+23.75 грн
500+16.88 грн
1000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1502LRHE6327XTSA1 2820276.pdf
BAT1502LRHE6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1502LRHE6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.2 pF, TSLP-2-7
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSLP-2-7
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.2pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.86 грн
20+41.36 грн
100+41.20 грн
500+34.37 грн
1000+28.99 грн
5000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099E6327HTSA1 2333741.pdf
BAT15099E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT15099E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
Durchlassstrom If, max.: 110mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.38 грн
18+47.50 грн
100+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH6327XTSA1 2333741.pdf
BAT1504WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1504WH6327XTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.35 pF, SOT-323
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT15
productTraceability: No
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT15099RE6327HTSA1 2820277.pdf
BAT15099RE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT15099RE6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweipaarig in Reihe, 4 V, 110 mA, 410 mV, 0.29 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 410mV
Diodenkapazität: 0.29pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 110mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+103.19 грн
13+64.70 грн
100+42.92 грн
500+31.18 грн
1000+26.11 грн
5000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF INFN-S-A0012837739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1310NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+225.22 грн
10+111.38 грн
100+99.92 грн
500+74.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF description INFN-S-A0012838715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR2405TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2405TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 56 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+137.59 грн
50+86.81 грн
100+61.02 грн
500+49.05 грн
1000+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25
IRF7842TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.50 грн
50+80.43 грн
250+61.18 грн
1000+41.75 грн
2000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRGPS46160DPBF 1868673.pdf
IRGPS46160DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGPS46160DPBF - IGBT, 240 A, 1.7 V, 750 W, 600 V, TO-274AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
DC-Kollektorstrom: 240
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-274AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 750
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP20B60PDPBF 140476.pdf
IRGP20B60PDPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP20B60PDPBF - IGBT, 40 A, 2.35 V, 220 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35
Verlustleistung Pd: 220
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: IRGP
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGPS60B120KDP 91434.pdf
IRGPS60B120KDP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGPS60B120KDP - IGBT, 105 A, 2.75 V, 595 W, 1.2 kV, TO-247AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.75
DC-Kollektorstrom: 105
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 595
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRGP
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP30B120KD-EP 2332092.pdf
IRGP30B120KD-EP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP30B120KD-EP - IGBT, 60 A, 2.28 V, 300 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.28
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4650DPBF 1916205.pdf
IRGP4650DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4650DPBF - IGBT, 76 A, 1.6 V, 268 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 76
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 268
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4062DPBF INFN-S-A0008993788-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRGP4062DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4062DPBF - IGBT, 48 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 48
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4640-EPBF IRSD-S-Z0000001529-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRGP4640-EPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4640-EPBF - IGBT, 65 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 65
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AD
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4640PBF IRSD-S-Z0000001529-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRGP4640PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4640PBF - IGBT, 65 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 65
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP6630DPBF 1868670.pdf
IRGP6630DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP6630DPBF - IGBT, 47 A, 1.65 V, 192 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
DC-Kollektorstrom: 47
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 192
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4266PBF 1916203.pdf
IRGP4266PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGP4266PBF - IGBT, 140 A, 1.7 V, 450 W, 650 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
DC-Kollektorstrom: 140
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 450
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB4059DPBF. 140449.pdf
IRGB4059DPBF.
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRGB4059DPBF. - SINGLE IGBT, 600V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
DC-Kollektorstrom: 8
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 56
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: IRGB Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 INFN-S-A0009690326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP640H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.10 грн
50+19.82 грн
100+15.89 грн
500+12.70 грн
1500+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 INFN-S-A0009690326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP640H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 40GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.89 грн
500+12.70 грн
1500+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 2718801.pdf
IRL40SC209
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+352.17 грн
10+233.42 грн
50+199.84 грн
100+153.62 грн
250+141.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40SC209 2718801.pdf
IRL40SC209
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+153.62 грн
250+141.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21864PBF INFN-S-A0008993401-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRS21864PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21864PBF - MOSFET-Treiber, 2 Ausgänge, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 4Aout, DIP-14
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 170ns
Ausgabeverzögerung: 170ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+280.92 грн
10+212.94 грн
25+195.74 грн
50+172.63 грн
100+143.91 грн
250+136.19 грн
500+131.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R07N2E4BPSA1 2882449.pdf
FS100R07N2E4BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R07N2E4BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.55 V, 335 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 335W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 335W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5851.76 грн
5+5205.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R06KE3BOSA1 INFNS28502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FS100R06KE3BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.45 V, 335 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 335
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: EconoPACK 3
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KT3BOSA1 Infineon-FS100R12KT3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431b56f553f
FS100R12KT3BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.7 V, 480 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 480W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8638.81 грн
5+7959.86 грн
10+7280.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12KE3BOSA1 INFNS28508-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FS100R12KE3BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 140 A, 1.7 V, 480 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 480W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 140A
Produktpalette: Econo 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13809.16 грн
5+12082.71 грн
10+10011.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5109EVALKITTOBO2 Infineon-TLE5x09A16(D)-Eval_Kit-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274b9648d0174baccfbbe52b4
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5109EVALKITTOBO2 - Evaluation Kit, TLE5109A16D E1210, Angle Sensor
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLE5109A16D E1210
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Winkelsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE5109, XMC4700
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3463.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5309EVALKITTOBO1 3189167.pdf
TLE5309EVALKITTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5309EVALKITTOBO1 - Evaluationskit, TLE5309 E1211, Winkelsensor
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluationskit TLE5309 E1211
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Winkelsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE5309, XMC4700
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4478.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBF 196754.pdf
IRF7504TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7504TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7504TRPBF 196754.pdf
IRF7504TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7504TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.27 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
REFICL8820LED43WJTTOBO1 3437316.pdf
REFICL8820LED43WJTTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFICL8820LED43WJTTOBO1 - Referenzdesign-Board, ICL8820, HPF-Flyback-Wandler
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICL8820 mit zwei Steckplatinen für Regulierung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: HPF-Flyback-Wandler
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: ICL88xx
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICL8820
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4371.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R950C6XKSA1 INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA60R950C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R950C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.4 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.86
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.30 грн
10+104.01 грн
100+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTS133BKSA1 2334166.pdf
BTS133BKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS133BKSA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Low-Side, 1 Ausgang, 60V, 28A, TO-220-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.04ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 28A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-220
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF200R07W2H3B77BPSA1 3685646.pdf
DF200R07W2H3B77BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF200R07W2H3B77BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 200 A, 1.46 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3393.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720ESDH6327XTSA1 2354690.pdf
BFP720ESDH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP720ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 43 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 30mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.12 грн
36+22.77 грн
100+18.43 грн
500+16.27 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720FH6327XTSA1 2354691.pdf
BFP720FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP720FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, TSFP
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 160
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: 45
Bauform - HF-Transistor: TSFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.7
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.14 грн
19+44.80 грн
100+31.29 грн
500+21.75 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720H6327XTSA1 2354688.pdf
BFP720H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.10 грн
40+20.72 грн
100+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720ESDH6327XTSA1 2354690.pdf
BFP720ESDH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP720ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 43 GHz, 100 mW, 30 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 30mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.43 грн
500+16.27 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720H6327XTSA1 2354688.pdf
BFP720H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFP720FH6327XTSA1 2354691.pdf
BFP720FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP720FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, TSFP
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 160
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: 45
Bauform - HF-Transistor: TSFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.7
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.29 грн
500+21.75 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1 INFN-S-A0002955147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP111N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 9400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.38 грн
10+132.68 грн
100+131.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 DS_IG40N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d0125921b9364704d
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 483W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+524.98 грн
10+470.11 грн
100+276.82 грн
500+220.54 грн
1000+199.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3410TRPBF description INFN-S-A0012838716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.74 грн
50+57.49 грн
100+46.52 грн
500+37.34 грн
1000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF INFN-S-A0004664165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.10 грн
50+67.57 грн
250+52.83 грн
1000+35.06 грн
2000+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC30UPBF 34692.pdf
IRG4PC30UPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PC30UPBF - IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.52
Verlustleistung Pd: 100
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 23
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5300TRPBF INFN-S-A0011842197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5300TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5300TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.86 грн
10+94.18 грн
100+64.46 грн
500+47.91 грн
1000+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5007TRPBF INFN-S-A0012813572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5007TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5007TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 0.0051 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.82 грн
10+144.96 грн
100+116.30 грн
500+88.22 грн
1000+71.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5210TRPBF INFN-S-A0012813298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5210TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0126 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+139.23 грн
10+91.73 грн
100+65.19 грн
500+46.47 грн
1000+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF 717253.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.45 грн
50+42.42 грн
100+31.78 грн
500+25.02 грн
1000+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 244 245 246 247 248 249 250 251 252 253 254 258 301 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]