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IRFS4510TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S25FS512SAGNFI011 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FS512SAGNFI011 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, WSON-EPtariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AUIRFS8409-7TRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AUIRFS8409-7TRL | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AUIRFS8409 | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRFS8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 970 µohm, TO-263AB, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 195 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 970 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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SGP15N120XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SGP15N120XKSA1 - IGBT, NPT, 30 A, 3.1 V, 198 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pin(s)MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 198 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPS2041LPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IPS2041LPBF - Intelligenter Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, 1 Ausgang, 5.5V, 1.4A, SOT-223-3Durchlasswiderstand: 0.1 Überhitzungsschutz: Ja Strombegrenzung: 1.4 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Betriebstemperatur, min.: -40 Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low Leistungsschaltertyp: Low-Side Eingangsspannung: 5.5 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOT-223 Betriebstemperatur, max.: 150 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRFPS3810PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFPS3810PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-274AA, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 170 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 441 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 441 Bauform - Transistor: TO-274AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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IPZ65R065C7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 171W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF7473TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF7473TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF7473PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7473PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 6.9 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRF7468TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7468TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9.4 A, 0.0117 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 9.4 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRF7468TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7468TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9.4 A, 0.0117 ohm, SOIC, OberflächenmontageVerlustleistung: 2.5 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BAR6502VH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6502VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.9 ohm, 30 V, SC-79, 2 Pins, 0.8 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Sperrspannung: 30V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1V Diodenkapazität: 0.8pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BAR65 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 0.9ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP60R099CPXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R099CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP60R099P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP60R099C6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.099 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP60R099P6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP60R070CFD7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R070CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP60R090CFD7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.075 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP60R040C7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP60R080P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 129W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP60R040S7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R040S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP60R065S7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R065S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP60R074C6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R074C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 57.7 A, 0.067 ohm, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 57.7 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 480.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 480.8 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS C6 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
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CYPD3176-24LQXQT | INFINEON |
Description: INFINEON - CYPD3176-24LQXQT - USB-Schnittstelle, USB-C- und PD-Controller, USB 3.0, 2.7 V, 5.5 V, QFN, 24 Pin(s)tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 3.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: QFN MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Anzahl der Anschlüsse: 1Anschlüsse euEccn: NLR USB-IC: USB-C- und PD-Controller Anzahl der Pins: 24Pin(s) Übertragungsrate: 1Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP50R190CEXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP50R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.5 A, 0.17 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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USB005 | INFINEON |
Description: INFINEON - USB005 - Programmierer, Schnittstellen-Dongle, digitale Steuerung, USB zu I2CProzessorarchitektur: - Prozessorfamilie: - Lieferumfang des Kits: USB-zu-I2C-Programmier-Dongle PowIRCenter mit Kabel Prozessorserie: - Merkmale: Schnittstelle zwischen IR PowIRCenter-GUI & IR-Controllern, kein externes Netzteil/Stromversorgung über 5V-USB-Stift IC-Produkttyp: Programmiergerät Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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TLS850B0TE33BOARDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLS850B0TE33BOARDTOBO1 - Demoboard, Power-Management, TLS850B0TE33, LDO-Linearregler tariffCode: 84733020 Prozessorkern: TLS850B0TE33 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Demoboard TLS850B0TE33 euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Low-Dropout-Linearregler hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFR3411TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLIZ34NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLIZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLI530NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLI530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.1 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 11 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 33 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 33 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRLI540NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 20 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 42 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 42 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRLI520NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLI520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.18 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 7.7 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 27 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 27 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRLIB9343PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLIB9343PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 14 A, 0.093 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 14 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 33 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 33 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.093 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRLIZ44NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLIZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.022 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 28 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 38 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 38 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 62A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAT6804E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT6804E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 500mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT68 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRDC3811 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRDC3811 - EVALUATION BOARD, 750mV, 7A SYNCHRONOUS BUCK REGULATORProzessorkern: IR3811 Kit-Anwendungsbereich: Power Management Prozessorhersteller: International Rectifier Lieferumfang des Kits: Evaluation Board IR3811 Unterart Anwendung: Synchronous Buck Regulator Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
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IRDC3821 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRDC3821 - EVALUATION BOARD, 1.8V, 7A SYNCHRONOUS BUCK REGULATORProzessorkern: IR3821 Kit-Anwendungsbereich: Power Management Prozessorhersteller: International Rectifier Lieferumfang des Kits: Evaluation Board IR3821 Unterart Anwendung: Synchronous Buck Regulator Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
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IRFS3004TRL7PP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS3004TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1250 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FP150R12N3T7BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FP150R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 150 A, 1.55 V, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 150A Produktpalette: TRENCHSTOP EconoPIM 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FP150R12N3T7PB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FP150R12N3T7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 150 A, 1.55 V, 175 °C, ModuleIGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55 Dauer-Kollektorstrom: 150 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55 Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: IGBT7 [Trench Stop] Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter DC-Kollektorstrom: 150 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FP150R12N3T7B11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FP150R12N3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 150 A, 1.55 V, 175 °C, ModuleIGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55 Dauer-Kollektorstrom: 150 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55 Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: EconoPIM 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter DC-Kollektorstrom: 150 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFH3707TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFH3707TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP50R140CPXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP50R140CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CP productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DCSHIELDBTN7030TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - DCSHIELDBTN7030TOBO1 - Evaluationsboard, BTN7030-1EPA, Arduino-BoardstariffCode: 84733020 Prozessorkern: BTN7030-1EPA productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorarchitektur: - Prozessorfamilie: - Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTN7030-1EPA euEccn: NLR Prozessorserie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Arduino-Boards usEccn: EAR99 Produktpalette: Compute Module 3+ Series SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE94112ELSHIELDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE94112ELSHIELDTOBO1 - Evaluationsboard, TLE94112EL, Halbbrückentreiber, DC-Motor-Shield für Arduino, 12 AusgängeProzessorkern: TLE94112EL Prozessorarchitektur: - Prozessorfamilie: - Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE94112EL Prozessorserie: - Zur Verwendung mit: Arduino-Boards Produktpalette: - SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF7463TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7463TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, OberflächenmontageVerlustleistung: 2.5 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRF7463TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7463TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 14 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IKFW75N65ES5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKFW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 148W, HSIP247, 1.35VsattariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: HSIP247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IKZA75N65RH5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKZA75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 H5 Coolsic Gen Vi, 395WtariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDW80C65D1XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDW80C65D1XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 80 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 77 ns, 320 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 320A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 77ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Rapid1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SPA06N60C3XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPA06N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220F, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 6.2 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 32 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 32 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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FS50R12KE3BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS50R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.7 V, 270 W, 150 °C, ModuleIGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 75 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 270 Verlustleistung: 270 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: EconoPACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] DC-Kollektorstrom: 75 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FS50R12KE3BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS50R12KE3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 75 A, 1.7 V, 270 W, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 270W euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 75A Produktpalette: EconoPACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP015N04NGXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE9210423QXAPPKITTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE9210423QXAPPKITTOBO1 - Motorsteuerungs-Board, TLE92104-233QX, Power-Management, DC-MotortariffCode: 84733020 Prozessorkern: TLE92104-233QX Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE92104-233QX euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: DC-Motor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IRFS4510TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 91.47 грн |
| 500+ | 75.92 грн |
| S25FS512SAGNFI011 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FS512SAGNFI011 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, WSON-EP
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - S25FS512SAGNFI011 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, WSON-EP
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 416.07 грн |
| 10+ | 395.83 грн |
| 25+ | 386.93 грн |
| 50+ | 351.02 грн |
| AUIRFS8409-7TRL |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - AUIRFS8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 494.59 грн |
| 10+ | 365.07 грн |
| 100+ | 295.46 грн |
| 500+ | 221.74 грн |
| AUIRFS8409-7TRL |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - AUIRFS8409-7TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 295.46 грн |
| 500+ | 221.74 грн |
| AUIRFS8409 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 970 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 195
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 970
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - AUIRFS8409 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 970 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 195
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 970
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| SGP15N120XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SGP15N120XKSA1 - IGBT, NPT, 30 A, 3.1 V, 198 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 198
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - SGP15N120XKSA1 - IGBT, NPT, 30 A, 3.1 V, 198 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 198
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IPS2041LPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPS2041LPBF - Intelligenter Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, 1 Ausgang, 5.5V, 1.4A, SOT-223-3
Durchlasswiderstand: 0.1
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 1.4
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: Low-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOT-223
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPS2041LPBF - Intelligenter Leistungsschalter, Low-Side, Active-Low, 1 Ausgang, 5.5V, 1.4A, SOT-223-3
Durchlasswiderstand: 0.1
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 1.4
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: Low-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOT-223
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IRFPS3810PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFPS3810PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-274AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 441
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 441
Bauform - Transistor: TO-274AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: INFINEON - IRFPS3810PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-274AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 441
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 441
Bauform - Transistor: TO-274AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPZ65R065C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 417.69 грн |
| 5+ | 407.17 грн |
| 10+ | 396.64 грн |
| 50+ | 248.80 грн |
| 100+ | 224.80 грн |
| IRF7473TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF7473TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7473TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF7473PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7473PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 6.9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7473PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 6.9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7468TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7468TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9.4 A, 0.0117 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 9.4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7468TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9.4 A, 0.0117 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 9.4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7468TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7468TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9.4 A, 0.0117 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7468TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9.4 A, 0.0117 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BAR6502VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6502VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.9 ohm, 30 V, SC-79, 2 Pins, 0.8 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.8pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR65
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAR6502VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.9 ohm, 30 V, SC-79, 2 Pins, 0.8 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 30V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1V
Diodenkapazität: 0.8pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR65
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 29.63 грн |
| 38+ | 21.86 грн |
| 100+ | 12.38 грн |
| 500+ | 7.82 грн |
| 1000+ | 5.65 грн |
| IPP60R099CPXKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R099CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP60R099CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 462.21 грн |
| 10+ | 428.21 грн |
| 100+ | 287.36 грн |
| 500+ | 220.24 грн |
| IPP60R099P7XKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPP60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 322.98 грн |
| 10+ | 165.94 грн |
| 100+ | 150.56 грн |
| IPP60R099C6XKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP60R099C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 417.69 грн |
| 10+ | 354.55 грн |
| 100+ | 239.61 грн |
| IPP60R099P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPP60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 378.84 грн |
| 10+ | 267.94 грн |
| IPP60R070CFD7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R070CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPP60R070CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 467.07 грн |
| 10+ | 248.51 грн |
| 100+ | 226.65 грн |
| IPP60R090CFD7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 389.36 грн |
| 10+ | 374.79 грн |
| 100+ | 197.51 грн |
| IPP60R040C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 775.48 грн |
| 5+ | 767.38 грн |
| 10+ | 759.29 грн |
| 50+ | 491.58 грн |
| 100+ | 415.61 грн |
| 250+ | 414.91 грн |
| IPP60R080P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 350.50 грн |
| 10+ | 338.36 грн |
| 100+ | 165.94 грн |
| IPP60R040S7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R040S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP60R040S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 372.36 грн |
| 10+ | 369.93 грн |
| 100+ | 238.80 грн |
| IPP60R065S7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R065S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP60R065S7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 397.45 грн |
| 10+ | 295.46 грн |
| 100+ | 193.46 грн |
| IPP60R074C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R074C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 57.7 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 57.7
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 480.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 480.8
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C6
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPP60R074C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 57.7 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 57.7
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 480.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 480.8
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C6
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| CYPD3176-24LQXQT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPD3176-24LQXQT - USB-Schnittstelle, USB-C- und PD-Controller, USB 3.0, 2.7 V, 5.5 V, QFN, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Anschlüsse: 1Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CYPD3176-24LQXQT - USB-Schnittstelle, USB-C- und PD-Controller, USB 3.0, 2.7 V, 5.5 V, QFN, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Anschlüsse: 1Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 170.80 грн |
| 10+ | 127.09 грн |
| 50+ | 114.95 грн |
| 100+ | 96.21 грн |
| 250+ | 83.26 грн |
| IPP50R190CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP50R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.5 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP50R190CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18.5 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 161.90 грн |
| 10+ | 116.56 грн |
| 100+ | 89.85 грн |
| 500+ | 67.12 грн |
| USB005 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - USB005 - Programmierer, Schnittstellen-Dongle, digitale Steuerung, USB zu I2C
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Lieferumfang des Kits: USB-zu-I2C-Programmier-Dongle PowIRCenter mit Kabel
Prozessorserie: -
Merkmale: Schnittstelle zwischen IR PowIRCenter-GUI & IR-Controllern, kein externes Netzteil/Stromversorgung über 5V-USB-Stift
IC-Produkttyp: Programmiergerät
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - USB005 - Programmierer, Schnittstellen-Dongle, digitale Steuerung, USB zu I2C
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Lieferumfang des Kits: USB-zu-I2C-Programmier-Dongle PowIRCenter mit Kabel
Prozessorserie: -
Merkmale: Schnittstelle zwischen IR PowIRCenter-GUI & IR-Controllern, kein externes Netzteil/Stromversorgung über 5V-USB-Stift
IC-Produkttyp: Programmiergerät
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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| TLS850B0TE33BOARDTOBO1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS850B0TE33BOARDTOBO1 - Demoboard, Power-Management, TLS850B0TE33, LDO-Linearregler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLS850B0TE33
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLS850B0TE33
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Low-Dropout-Linearregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - TLS850B0TE33BOARDTOBO1 - Demoboard, Power-Management, TLS850B0TE33, LDO-Linearregler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLS850B0TE33
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLS850B0TE33
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Low-Dropout-Linearregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1765.47 грн |
| IRFR3411TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR3411TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.044 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 102.80 грн |
| 12+ | 71.64 грн |
| 100+ | 55.13 грн |
| 500+ | 44.20 грн |
| 1000+ | 37.61 грн |
| IRLIZ34NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLIZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IRLIZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 97.14 грн |
| 10+ | 86.61 грн |
| 100+ | 67.83 грн |
| 500+ | 52.01 грн |
| 1000+ | 33.58 грн |
| IRLI530NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLI530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 33
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 33
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLI530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 33
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 33
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IRLI540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.044 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IRLI520NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLI520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 7.7
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 27
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 27
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLI520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 7.7
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 27
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 27
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IRLIB9343PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLIB9343PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 14 A, 0.093 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 33
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 33
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.093
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLIB9343PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 14 A, 0.093 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 33
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 33
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.093
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IRLIZ44NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLIZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.022 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLIZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.022 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IKW30N65ES5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 62A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 62A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 348.88 грн |
| 10+ | 229.08 грн |
| BAT6804E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT6804E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT68
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAT6804E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT68
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.77 грн |
| 500+ | 9.47 грн |
| 1000+ | 8.33 грн |
| IRDC3811 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRDC3811 - EVALUATION BOARD, 750mV, 7A SYNCHRONOUS BUCK REGULATOR
Prozessorkern: IR3811
Kit-Anwendungsbereich: Power Management
Prozessorhersteller: International Rectifier
Lieferumfang des Kits: Evaluation Board IR3811
Unterart Anwendung: Synchronous Buck Regulator
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: INFINEON - IRDC3811 - EVALUATION BOARD, 750mV, 7A SYNCHRONOUS BUCK REGULATOR
Prozessorkern: IR3811
Kit-Anwendungsbereich: Power Management
Prozessorhersteller: International Rectifier
Lieferumfang des Kits: Evaluation Board IR3811
Unterart Anwendung: Synchronous Buck Regulator
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
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| IRDC3821 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRDC3821 - EVALUATION BOARD, 1.8V, 7A SYNCHRONOUS BUCK REGULATOR
Prozessorkern: IR3821
Kit-Anwendungsbereich: Power Management
Prozessorhersteller: International Rectifier
Lieferumfang des Kits: Evaluation Board IR3821
Unterart Anwendung: Synchronous Buck Regulator
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: INFINEON - IRDC3821 - EVALUATION BOARD, 1.8V, 7A SYNCHRONOUS BUCK REGULATOR
Prozessorkern: IR3821
Kit-Anwendungsbereich: Power Management
Prozessorhersteller: International Rectifier
Lieferumfang des Kits: Evaluation Board IR3821
Unterart Anwendung: Synchronous Buck Regulator
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
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од. на суму грн.
| IRFS3004TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3004TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1250 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFS3004TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1250 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1250µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 162.70 грн |
| FP150R12N3T7BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP150R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 150 A, 1.55 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 150A
Produktpalette: TRENCHSTOP EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FP150R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 150 A, 1.55 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - T7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 150A
Produktpalette: TRENCHSTOP EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8239.66 грн |
| FP150R12N3T7PB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP150R12N3T7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 150 A, 1.55 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Dauer-Kollektorstrom: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: IGBT7 [Trench Stop]
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 150
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: INFINEON - FP150R12N3T7PB11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 150 A, 1.55 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Dauer-Kollektorstrom: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: IGBT7 [Trench Stop]
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 150
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 28947.70 грн |
| 5+ | 28368.92 грн |
| FP150R12N3T7B11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP150R12N3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 150 A, 1.55 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Dauer-Kollektorstrom: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 150
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: INFINEON - FP150R12N3T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 150 A, 1.55 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Dauer-Kollektorstrom: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPIM 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
DC-Kollektorstrom: 150
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 28398.06 грн |
| 5+ | 27829.81 грн |
| IRFH3707TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.20 грн |
| 500+ | 17.29 грн |
| 1000+ | 13.60 грн |
| IRFH3707TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 57.39 грн |
| 22+ | 37.15 грн |
| 100+ | 24.20 грн |
| 500+ | 17.29 грн |
| 1000+ | 13.60 грн |
| IPP50R140CPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP50R140CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPP50R140CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 286.55 грн |
| 10+ | 225.03 грн |
| 100+ | 162.70 грн |
| 500+ | 121.77 грн |
| DCSHIELDBTN7030TOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DCSHIELDBTN7030TOBO1 - Evaluationsboard, BTN7030-1EPA, Arduino-Boards
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTN7030-1EPA
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTN7030-1EPA
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino-Boards
usEccn: EAR99
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - DCSHIELDBTN7030TOBO1 - Evaluationsboard, BTN7030-1EPA, Arduino-Boards
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTN7030-1EPA
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTN7030-1EPA
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino-Boards
usEccn: EAR99
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3543.08 грн |
| TLE94112ELSHIELDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE94112ELSHIELDTOBO1 - Evaluationsboard, TLE94112EL, Halbbrückentreiber, DC-Motor-Shield für Arduino, 12 Ausgänge
Prozessorkern: TLE94112EL
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE94112EL
Prozessorserie: -
Zur Verwendung mit: Arduino-Boards
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - TLE94112ELSHIELDTOBO1 - Evaluationsboard, TLE94112EL, Halbbrückentreiber, DC-Motor-Shield für Arduino, 12 Ausgänge
Prozessorkern: TLE94112EL
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE94112EL
Prozessorserie: -
Zur Verwendung mit: Arduino-Boards
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1648.90 грн |
| IRF7463TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7463TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7463TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7463TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7463TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7463TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IKFW75N65ES5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKFW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 148W, HSIP247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: HSIP247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKFW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 148W, HSIP247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: HSIP247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 749.58 грн |
| 5+ | 593.35 грн |
| 10+ | 436.31 грн |
| 50+ | 396.87 грн |
| 100+ | 358.71 грн |
| IKZA75N65RH5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKZA75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 H5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKZA75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, TO-247, Produktreihe Trenchstop 5 H5 Coolsic Gen Vi, 395W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 864.52 грн |
| 5+ | 756.86 грн |
| IDW80C65D1XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW80C65D1XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 80 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 77 ns, 320 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 77ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Rapid1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDW80C65D1XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 80 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.7 V, 77 ns, 320 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 77ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Rapid1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 274.41 грн |
| 10+ | 154.61 грн |
| 100+ | 110.09 грн |
| SPA06N60C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPA06N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 6.2
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - SPA06N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 6.2
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 32
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 32
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FS50R12KE3BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS50R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.7 V, 270 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 75
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 270
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FS50R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.7 V, 270 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 75
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 270
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8721.30 грн |
| 5+ | 8398.32 грн |
| 10+ | 8070.48 грн |
| FS50R12KE3BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS50R12KE3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 75 A, 1.7 V, 270 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 270W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FS50R12KE3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 75 A, 1.7 V, 270 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 270W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5889.75 грн |
| 5+ | 5265.65 грн |
| 10+ | 4641.54 грн |
| IPP015N04NGXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 378.03 грн |
| 10+ | 366.69 грн |
| 100+ | 188.61 грн |
| TLE9210423QXAPPKITTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9210423QXAPPKITTOBO1 - Motorsteuerungs-Board, TLE92104-233QX, Power-Management, DC-Motor
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE92104-233QX
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE92104-233QX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: DC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - TLE9210423QXAPPKITTOBO1 - Motorsteuerungs-Board, TLE92104-233QX, Power-Management, DC-Motor
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE92104-233QX
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE92104-233QX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: DC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2509.38 грн |
































