Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25880) > Сторінка 257 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 301 344 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SPP08N80C3XKSA1 SPP08N80C3XKSA1 INFINEON 1849678.html Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.11 грн
10+114.48 грн
100+106.73 грн
500+75.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XKSA1 INFINEON 1849677.html Description: INFINEON - SPP04N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.00 грн
10+103.29 грн
100+79.02 грн
500+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08P06PHXKSA1 SPP08P06PHXKSA1 INFINEON INFNS15666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPP08P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N50C3XKSA1 SPP04N50C3XKSA1 INFINEON 1686014.pdf Description: INFINEON - SPP04N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 560
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15P10PHXKSA1 SPP15P10PHXKSA1 INFINEON 2580924.pdf Description: INFINEON - SPP15P10PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 128
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SIPMOS
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HBRIDGEKIT2GOTOBO1 HBRIDGEKIT2GOTOBO1 INFINEON Infineon-IFX9201SG_PB-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f075af350158d Description: INFINEON - HBRIDGEKIT2GOTOBO1 - EVALUATIONSBOARD, DC-MOTORSTEUERUNG
Prozessorkern: IFX9201SG
Kit-Anwendungsbereich: Motorsteuerung
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IFX9201SG
Unterart Anwendung: Halbbrückentreiber
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1323.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 IPW60R017C7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0002363061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1523.54 грн
5+1332.45 грн
10+1141.36 грн
50+882.40 грн
100+721.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R055CFD7XKSA1 IPW60R055CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-MOSFET_CoolMOS_CFD7_600V-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fdd5758e81db7 Description: INFINEON - IPW60R055CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+592.20 грн
10+590.48 грн
100+325.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037CSFDXKSA1 IPW60R037CSFDXKSA1 INFINEON INFN-S-A0009362972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R037CSFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CSFD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+720.45 грн
5+689.47 грн
10+658.48 грн
50+418.82 грн
100+343.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7XKSA1 INFINEON infineon-ipw60r180p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.32 грн
10+311.59 грн
100+141.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R040C7XKSA1 IPW60R040C7XKSA1 INFINEON Infineon-IPW60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d4c6ece273fe9 Description: INFINEON - IPW60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+868.50 грн
5+751.44 грн
10+635.24 грн
50+481.16 грн
100+378.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1 IPW60R099CPAFKSA1 INFINEON 2820336.pdf Description: INFINEON - IPW60R099CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+605.97 грн
5+560.35 грн
10+514.73 грн
50+388.45 грн
100+334.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CPFKSA1 INFINEON INFNS16488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+562.93 грн
5+518.18 грн
10+472.55 грн
50+326.10 грн
100+280.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1 IPW60R125C6FKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R125C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.57 грн
10+324.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R145CFD7XKSA1 IPW60R145CFD7XKSA1 INFINEON 2643901.pdf Description: INFINEON - IPW60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R105CFD7XKSA1 IPW60R105CFD7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004992525-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R105CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.00 грн
10+268.56 грн
100+196.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CFD7XKSA1 IPW60R024CFD7XKSA1 INFINEON INFN-S-A0009362941-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R024CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1098.32 грн
5+954.58 грн
10+810.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R040CFD7XKSA1 IPW60R040CFD7XKSA1 INFINEON 2643897.pdf Description: INFINEON - IPW60R040CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+703.24 грн
5+702.38 грн
10+701.52 грн
50+360.47 грн
100+303.97 грн
250+303.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 INFINEON 2371114.pdf Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+710.12 грн
5+538.83 грн
10+366.68 грн
50+330.90 грн
100+295.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 INFINEON INFNS16356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+973.51 грн
5+914.12 грн
10+853.87 грн
50+617.84 грн
100+490.63 грн
250+489.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPAFKSA1 IPW60R045CPAFKSA1 INFINEON 2820335.pdf Description: INFINEON - IPW60R045CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1322.12 грн
5+1321.26 грн
10+1319.54 грн
50+782.49 грн
100+640.40 грн
250+639.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 INFINEON INFNS17427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1157.72 грн
5+1088.86 грн
10+1020.00 грн
50+685.78 грн
100+585.81 грн
250+585.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060C7XKSA1 IPW60R060C7XKSA1 INFINEON 2357026.pdf Description: INFINEON - IPW60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.68 грн
10+311.59 грн
100+256.51 грн
500+192.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 IPW60R031CFD7XKSA1 INFINEON 2372020.pdf Description: INFINEON - IPW60R031CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+816.86 грн
5+646.43 грн
10+475.14 грн
50+430.01 грн
100+386.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 IPW60R060P7XKSA1 INFINEON 2718793.pdf Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+500.10 грн
10+368.40 грн
100+235.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC40FPBF IRG4BC40FPBF INFINEON 1916268.pdf description Description: INFINEON - IRG4BC40FPBF - IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
DC-Kollektorstrom: 49
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC20KDPBF IRG4BC20KDPBF INFINEON 2331892.pdf Description: INFINEON - IRG4BC20KDPBF - IGBT, 16 A, 2.27 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.27
DC-Kollektorstrom: 16
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4IBC30WPBF IRG4IBC30WPBF INFINEON irg4ibc30wpbf.pdf Description: INFINEON - IRG4IBC30WPBF - IGBT, 17 A, 2.1 V, 45 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
DC-Kollektorstrom: 17
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220FP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888AXI-LP096 CY8C5888AXI-LP096 INFINEON CYPR-S-A0011122087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C5888AXI-LP096 - PROGRAMMIERBARES SOC, 80MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 256KB
MPU-Familie: PSoC 5LP
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C58xx
CPU-Geschwindigkeit: 80MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: CY8C58LP
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2257.76 грн
5+2032.24 грн
10+1643.18 грн
25+1341.98 грн
50+1213.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888LTI-LP097 CY8C5888LTI-LP097 INFINEON 3760299.pdf Description: INFINEON - CY8C5888LTI-LP097 - ARM-MCU, PSOC 5LP, PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 80 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5LP
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C58LPxxx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1987.49 грн
5+1928.09 грн
10+1552.80 грн
25+1356.37 грн
50+1226.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFQ790H6327XTSA1 BFQ790H6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFQ790H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6.1 V, 20 GHz, 1.5 W, 300 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6.1V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 20GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.91 грн
10+166.13 грн
100+115.34 грн
500+85.52 грн
1000+70.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025AZI-S413 CY8C4025AZI-S413 INFINEON INFN-S-A0020864018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4025AZI-S413 - PROGRAMMIERBARES SOC, 24MHZ, TQFP-48
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 32KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 4KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
MCU-Familie: PSoC 4
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Produktpalette: -
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
MPU-Familie: PSoC 4
euEccn: NLR
MPU-Baureihe: PSoC 4000S
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
ADC-Auflösung: 10 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
isCanonical: Y
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+207.44 грн
10+155.80 грн
25+142.89 грн
50+122.29 грн
100+101.82 грн
250+96.65 грн
500+95.91 грн
1000+94.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQI-S411 CY8C4025LQI-S411 INFINEON INFN-S-A0020864018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4025LQI-S411 - PROGRAMMIERBARES SOC, 24MHZ, QFN-EP-24
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 19I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4000S
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: QFN-EP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.34 грн
10+136.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQI-S412 CY8C4025LQI-S412 INFINEON INFN-S-A0020864018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4025LQI-S412 - PROGRAMMIERBARES SOC, 24MHZ, QFN-EP-32
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 32KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Bauform - MPU: QFN-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 4KB
ADC-Kanäle: 16Kanäle
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
MCU-Familie: PSoC 4
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: PSoC 4000S
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
MPU-Familie: PSoC 4
euEccn: NLR
MPU-Baureihe: PSoC 4000S
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
ADC-Auflösung: 10 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 27I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
isCanonical: Y
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.97 грн
10+148.91 грн
25+136.00 грн
50+119.89 грн
100+104.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF INFINEON 674650.pdf Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.69 грн
50+63.95 грн
250+55.35 грн
1000+43.64 грн
3000+36.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12KT3BPSA1 FS35R12KT3BPSA1 INFINEON 2882451.pdf Description: INFINEON - FS35R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 55 A, 1.7 V, 210 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 55A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 210W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10773.22 грн
5+10099.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3FKSA1 INFINEON INFNS14369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPW32N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 560V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+710.98 грн
5+564.66 грн
10+417.47 грн
50+352.48 грн
100+292.17 грн
250+286.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728NH6327XTSA2 INFINEON BSS7728N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131184c5bf6450b Description: INFINEON - BSS7728NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.94 грн
50+17.39 грн
250+8.87 грн
1000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3FKSA1 SPW24N60C3FKSA1 INFINEON 1849674.html Description: INFINEON - SPW24N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24.3 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.82 грн
10+491.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON INFNS29923-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW30N60H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.48 грн
10+152.35 грн
100+124.81 грн
500+87.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+42.95 грн
50+35.38 грн
250+28.84 грн
1000+19.90 грн
2000+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF IRFU024NPBF INFINEON INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 SPW35N60C3FKSA1 INFINEON INFNS14370-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPW35N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34.6 A, 0.081 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+764.35 грн
5+723.90 грн
10+683.44 грн
50+414.82 грн
100+348.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBF IRFP4768PBF INFINEON 2332087.pdf Description: INFINEON - IRFP4768PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 56 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+580.15 грн
10+507.85 грн
100+420.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF INFINEON irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.01 грн
10+207.44 грн
100+147.19 грн
500+112.70 грн
1000+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF INFINEON 137515.pdf description Description: INFINEON - IRF7205TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, 4.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+52.51 грн
50+50.70 грн
250+39.85 грн
1000+26.14 грн
2000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON INFNS15856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.58 грн
10+195.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 INFINEON 2354552.pdf Description: INFINEON - IPI029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 10V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.24 грн
10+113.62 грн
100+107.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS4428SPBF IRS4428SPBF INFINEON 2064150.pdf Description: INFINEON - IRS4428SPBF - MOSFET-Treiber, zweifach, Low-Side, 6V-20V Versorgung, 2.3Aout, CMOS, 50ns Verzögerung, NSOIC-8
Sinkstrom: 3.3
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 6
Quellstrom: 2.3
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 50
Ausgabeverzögerung: 50
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA15N60C3XKSA1 SPA15N60C3XKSA1 INFINEON Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23 Description: INFINEON - SPA15N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.24 грн
10+203.14 грн
100+127.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA2 IPP80P03P4L04AKSA2 INFINEON Infineon-I80P03P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7 Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.82 грн
10+204.00 грн
100+121.37 грн
500+103.11 грн
1000+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA1 IPP80P03P4L04AKSA1 INFINEON Infineon-I80P03P4L_04-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7&ack=t Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 137
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1 ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1 INFINEON ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1_Web.pdf Description: INFINEON - ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1 - Zubehör für Development Kit, Drehknopf für 3D Magnetic 2GO-Kit
tariffCode: 90319000
Art des Zubehörs: Drehknopf
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor 2 Go-Evaluationsboard von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2183.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 INFINEON INFNS19502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.95 грн
18+49.58 грн
50+48.63 грн
200+31.41 грн
500+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BF771E6327HTSA1 BF771E6327HTSA1 INFINEON BF%20771.pdf Description: INFINEON - BF771E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+19.63 грн
73+11.88 грн
108+8.03 грн
500+6.79 грн
1000+6.07 грн
5000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BF771E6327HTSA1 BF771E6327HTSA1 INFINEON BF%20771.pdf Description: INFINEON - BF771E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.79 грн
1000+6.07 грн
5000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B104QI-20LPXC CY15B104QI-20LPXC INFINEON 2843376.pdf Description: INFINEON - CY15B104QI-20LPXC - FRAM, 4MB, 0 BIS 70°C
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: GQFN
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512 x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1875.59 грн
5+1806.73 грн
10+1737.01 грн
25+1561.78 грн
50+1406.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B108QI-20LPXI CY15B108QI-20LPXI INFINEON 2843377.pdf Description: INFINEON - CY15B108QI-20LPXI - FRAM, 8MB, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: GQFN
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2841.35 грн
5+2690.72 грн
10+2540.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TRPBF IRF6665TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.97 грн
10+108.46 грн
100+79.79 грн
500+63.22 грн
1000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DTRPBF IRFR18N15DTRPBF INFINEON 139872.pdf Description: INFINEON - IRFR18N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.125
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3XKSA1 1849678.html
SPP08N80C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP08N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.56ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.11 грн
10+114.48 грн
100+106.73 грн
500+75.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3XKSA1 1849677.html
SPP04N80C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP04N80C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+136.00 грн
10+103.29 грн
100+79.02 грн
500+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08P06PHXKSA1 INFNS15666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPP08P06PHXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP08P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.8 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N50C3XKSA1 1686014.pdf
SPP04N50C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP04N50C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 560
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15P10PHXKSA1 2580924.pdf
SPP15P10PHXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP15P10PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 128
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SIPMOS
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HBRIDGEKIT2GOTOBO1 Infineon-IFX9201SG_PB-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f075af350158d
HBRIDGEKIT2GOTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - HBRIDGEKIT2GOTOBO1 - EVALUATIONSBOARD, DC-MOTORSTEUERUNG
Prozessorkern: IFX9201SG
Kit-Anwendungsbereich: Motorsteuerung
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IFX9201SG
Unterart Anwendung: Halbbrückentreiber
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1323.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 INFN-S-A0002363061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R017C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1523.54 грн
5+1332.45 грн
10+1141.36 грн
50+882.40 грн
100+721.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R055CFD7XKSA1 Infineon-MOSFET_CoolMOS_CFD7_600V-PB-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f96303e015fdd5758e81db7
IPW60R055CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R055CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+592.20 грн
10+590.48 грн
100+325.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037CSFDXKSA1 INFN-S-A0009362972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R037CSFDXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R037CSFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CSFD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+720.45 грн
5+689.47 грн
10+658.48 грн
50+418.82 грн
100+343.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 infineon-ipw60r180p7-ds-en.pdf
IPW60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+313.32 грн
10+311.59 грн
100+141.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R040C7XKSA1 Infineon-IPW60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d4c6ece273fe9
IPW60R040C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+868.50 грн
5+751.44 грн
10+635.24 грн
50+481.16 грн
100+378.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1 2820336.pdf
IPW60R099CPAFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R099CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+605.97 грн
5+560.35 грн
10+514.73 грн
50+388.45 грн
100+334.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 INFNS16488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R099CPFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+562.93 грн
5+518.18 грн
10+472.55 грн
50+326.10 грн
100+280.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1 INFN-S-A0004583435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R125C6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R125C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+373.57 грн
10+324.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R145CFD7XKSA1 2643901.pdf
IPW60R145CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R105CFD7XKSA1 INFN-S-A0004992525-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R105CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R105CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+340.00 грн
10+268.56 грн
100+196.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R024CFD7XKSA1 INFN-S-A0009362941-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R024CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R024CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1098.32 грн
5+954.58 грн
10+810.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R040CFD7XKSA1 2643897.pdf
IPW60R040CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R040CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+703.24 грн
5+702.38 грн
10+701.52 грн
50+360.47 грн
100+303.97 грн
250+303.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 2371114.pdf
IPW60R037P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+710.12 грн
5+538.83 грн
10+366.68 грн
50+330.90 грн
100+295.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041C6FKSA1 INFNS16356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R041C6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+973.51 грн
5+914.12 грн
10+853.87 грн
50+617.84 грн
100+490.63 грн
250+489.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPAFKSA1 2820335.pdf
IPW60R045CPAFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R045CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1322.12 грн
5+1321.26 грн
10+1319.54 грн
50+782.49 грн
100+640.40 грн
250+639.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPFKSA1 INFNS17427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R045CPFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1157.72 грн
5+1088.86 грн
10+1020.00 грн
50+685.78 грн
100+585.81 грн
250+585.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060C7XKSA1 2357026.pdf
IPW60R060C7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+366.68 грн
10+311.59 грн
100+256.51 грн
500+192.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7XKSA1 2372020.pdf
IPW60R031CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R031CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+816.86 грн
5+646.43 грн
10+475.14 грн
50+430.01 грн
100+386.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 2718793.pdf
IPW60R060P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+500.10 грн
10+368.40 грн
100+235.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC40FPBF description 1916268.pdf
IRG4BC40FPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4BC40FPBF - IGBT, 49 A, 1.85 V, 160 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
DC-Kollektorstrom: 49
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC20KDPBF 2331892.pdf
IRG4BC20KDPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4BC20KDPBF - IGBT, 16 A, 2.27 V, 60 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.27
DC-Kollektorstrom: 16
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4IBC30WPBF irg4ibc30wpbf.pdf
IRG4IBC30WPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4IBC30WPBF - IGBT, 17 A, 2.1 V, 45 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
DC-Kollektorstrom: 17
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220FP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 45
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888AXI-LP096 CYPR-S-A0011122087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C5888AXI-LP096
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5888AXI-LP096 - PROGRAMMIERBARES SOC, 80MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 256KB
MPU-Familie: PSoC 5LP
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C58xx
CPU-Geschwindigkeit: 80MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: CY8C58LP
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2257.76 грн
5+2032.24 грн
10+1643.18 грн
25+1341.98 грн
50+1213.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888LTI-LP097 3760299.pdf
CY8C5888LTI-LP097
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5888LTI-LP097 - ARM-MCU, PSOC 5LP, PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M3, 32 Bit, 80 MHz
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5LP
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C58LPxxx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 38I/O(s)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 5 Family CY8C58xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1987.49 грн
5+1928.09 грн
10+1552.80 грн
25+1356.37 грн
50+1226.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFQ790H6327XTSA1 INFN-S-A0009690430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFQ790H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFQ790H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6.1 V, 20 GHz, 1.5 W, 300 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6.1V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 20GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+216.91 грн
10+166.13 грн
100+115.34 грн
500+85.52 грн
1000+70.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025AZI-S413 INFN-S-A0020864018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4025AZI-S413
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4025AZI-S413 - PROGRAMMIERBARES SOC, 24MHZ, TQFP-48
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 32KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 4KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
MCU-Familie: PSoC 4
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Produktpalette: -
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
MPU-Familie: PSoC 4
euEccn: NLR
MPU-Baureihe: PSoC 4000S
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
ADC-Auflösung: 10 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
isCanonical: Y
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+207.44 грн
10+155.80 грн
25+142.89 грн
50+122.29 грн
100+101.82 грн
250+96.65 грн
500+95.91 грн
1000+94.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQI-S411 INFN-S-A0020864018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4025LQI-S411
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4025LQI-S411 - PROGRAMMIERBARES SOC, 24MHZ, QFN-EP-24
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
MPU-Familie: PSoC 4
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 4KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 19I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: PSoC 4000S
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Bauform - MPU: QFN-EP
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.34 грн
10+136.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQI-S412 INFN-S-A0020864018-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4025LQI-S412
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4025LQI-S412 - PROGRAMMIERBARES SOC, 24MHZ, QFN-EP-32
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 32KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Bauform - MPU: QFN-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 4KB
ADC-Kanäle: 16Kanäle
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M0+
MCU-Familie: PSoC 4
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: PSoC 4000S
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
MPU-Familie: PSoC 4
euEccn: NLR
MPU-Baureihe: PSoC 4000S
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
ADC-Auflösung: 10 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 27I/O(s)
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
isCanonical: Y
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.97 грн
10+148.91 грн
25+136.00 грн
50+119.89 грн
100+104.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF 674650.pdf
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR15N20DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.165 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.69 грн
50+63.95 грн
250+55.35 грн
1000+43.64 грн
3000+36.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12KT3BPSA1 2882451.pdf
FS35R12KT3BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS35R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 55 A, 1.7 V, 210 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 55A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 210W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10773.22 грн
5+10099.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW32N50C3FKSA1 INFNS14369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPW32N50C3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPW32N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 560V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+710.98 грн
5+564.66 грн
10+417.47 грн
50+352.48 грн
100+292.17 грн
250+286.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131184c5bf6450b
BSS7728NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS7728NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.94 грн
50+17.39 грн
250+8.87 грн
1000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
SPW24N60C3FKSA1 1849674.html
SPW24N60C3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPW24N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24.3 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+501.82 грн
10+491.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 INFNS29923-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW30N60H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+250.48 грн
10+152.35 грн
100+124.81 грн
500+87.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR8726TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 5800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.95 грн
50+35.38 грн
250+28.84 грн
1000+19.90 грн
2000+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU024NPBF INFN-S-A0012837883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU024NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.075 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 17
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 45
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3FKSA1 INFNS14370-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPW35N60C3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPW35N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34.6 A, 0.081 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+764.35 грн
5+723.90 грн
10+683.44 грн
50+414.82 грн
100+348.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBF 2332087.pdf
IRFP4768PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4768PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 56 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+580.15 грн
10+507.85 грн
100+420.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d
IRLS3036TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+309.01 грн
10+207.44 грн
100+147.19 грн
500+112.70 грн
1000+85.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF description 137515.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7205TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, 4.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.51 грн
50+50.70 грн
250+39.85 грн
1000+26.14 грн
2000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 INFNS15856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP048N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+342.58 грн
10+195.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 2354552.pdf
IPI029N06NAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPI029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 10V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+227.24 грн
10+113.62 грн
100+107.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS4428SPBF 2064150.pdf
IRS4428SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS4428SPBF - MOSFET-Treiber, zweifach, Low-Side, 6V-20V Versorgung, 2.3Aout, CMOS, 50ns Verzögerung, NSOIC-8
Sinkstrom: 3.3
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 6
Quellstrom: 2.3
Bauform - Treiber: NSOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 50
Ausgabeverzögerung: 50
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA15N60C3XKSA1 Infineon-SPP_I_A15N60C3-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182d5124a105c23
SPA15N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPA15N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+295.24 грн
10+203.14 грн
100+127.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon-I80P03P4L_04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7
IPP80P03P4L04AKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+229.82 грн
10+204.00 грн
100+121.37 грн
500+103.11 грн
1000+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80P03P4L04AKSA1 Infineon-I80P03P4L_04-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e95eb827d7&ack=t
IPP80P03P4L04AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80P03P4L04AKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0037 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 137
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1 ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1_Web.pdf
ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ROTATEKNOB3D2GOKITTOBO1 - Zubehör für Development Kit, Drehknopf für 3D Magnetic 2GO-Kit
tariffCode: 90319000
Art des Zubehörs: Drehknopf
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: 3D-Magnetsensor 2 Go-Evaluationsboard von Infineon
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2183.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1 INFNS19502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP324H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.95 грн
18+49.58 грн
50+48.63 грн
200+31.41 грн
500+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BF771E6327HTSA1 BF%20771.pdf
BF771E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BF771E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+19.63 грн
73+11.88 грн
108+8.03 грн
500+6.79 грн
1000+6.07 грн
5000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BF771E6327HTSA1 BF%20771.pdf
BF771E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BF771E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.79 грн
1000+6.07 грн
5000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B104QI-20LPXC 2843376.pdf
CY15B104QI-20LPXC
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B104QI-20LPXC - FRAM, 4MB, 0 BIS 70°C
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: GQFN
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512 x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1875.59 грн
5+1806.73 грн
10+1737.01 грн
25+1561.78 грн
50+1406.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B108QI-20LPXI 2843377.pdf
CY15B108QI-20LPXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B108QI-20LPXI - FRAM, 8MB, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: GQFN
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2841.35 грн
5+2690.72 грн
10+2540.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TRPBF INFN-S-A0012838751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6665TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.97 грн
10+108.46 грн
100+79.79 грн
500+63.22 грн
1000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DTRPBF 139872.pdf
IRFR18N15DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR18N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.125
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 262 301 344 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]