Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24514) > Сторінка 254 з 409

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 280 320 360 400 409  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CYW20820A1KFBG INFINEON 3795130.pdf Description: INFINEON - CYW20820A1KFBG - Bluetooth-Modul, Version LE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 2.375-2.625V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.375V bis 2.625V
hazardous: false
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.375V
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.625V
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+395.83 грн
10+342.41 грн
25+323.79 грн
50+276.61 грн
100+235.21 грн
250+215.09 грн
500+207.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20819A1KFBGT CYW20819A1KFBGT INFINEON 3795129.pdf Description: INFINEON - CYW20819A1KFBGT - Bluetooth-Modul, Version LE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V
hazardous: false
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.84 грн
10+298.70 грн
25+282.51 грн
50+241.28 грн
100+205.38 грн
250+194.97 грн
500+187.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20820A1KFBGT CYW20820A1KFBGT INFINEON 3795130.pdf Description: INFINEON - CYW20820A1KFBGT - Bluetooth-Modul, BLE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.045V bis 1.26V, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.045V bis 1.26V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
isCanonical: N
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
usEccn: 5A992.c
euEccn: NLR
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: No
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.27 грн
10+285.75 грн
25+270.37 грн
50+241.28 грн
100+213.70 грн
500+192.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20820A1KFBGT CYW20820A1KFBGT INFINEON 3795130.pdf Description: INFINEON - CYW20820A1KFBGT - Bluetooth-Modul, BLE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.045V bis 1.26V, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
Versorgungsspannung: 1.045V bis 1.26V
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
hazardous: false
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
usEccn: 5A992.c
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
Produktpalette: AIROC Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.27 грн
10+285.75 грн
25+270.37 грн
50+241.28 грн
100+213.70 грн
500+192.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405WH6327XTSA1 BAR6405WH6327XTSA1 INFINEON 2333740.pdf Description: INFINEON - BAR6405WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 0.85 ohm, 150 V, SOT-323, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.19 грн
102+8.00 грн
113+7.22 грн
500+6.06 грн
1000+5.46 грн
5000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405E6327HTSA1 BAR6405E6327HTSA1 INFINEON 2333740.pdf Description: INFINEON - BAR6405E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.35 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+10.04 грн
135+6.04 грн
172+4.72 грн
500+4.10 грн
1000+3.59 грн
5000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405E6327HTSA1 BAR6405E6327HTSA1 INFINEON 2333740.pdf Description: INFINEON - BAR6405E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.35 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.10 грн
1000+3.59 грн
5000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6406E6327HTSA1 BAR6406E6327HTSA1 INFINEON 2333740.pdf Description: INFINEON - BAR6406E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 0.85 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Verlustleistung: 250
euEccn: NLR
hazardous: false
Durchlassspannung: 1.1
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24894-24LTXI CY8C24894-24LTXI INFINEON CYPR-S-A0011122916-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C24894-24LTXI - PSOC, 8BIT, PSOC1, 24MHZ, QFN-56
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 47Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
MPU-Familie: PSoC 1
Versorgungsspannung, min.: 3V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 1KB
MCU-Baureihe: CY8C24x94
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 49I/O(s)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x94 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: CY8C24x94
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: QFN
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: M8C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+699.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF INFINEON 1561362.pdf Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.32 грн
500+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360P7SXKSA1 IPAN60R360P7SXKSA1 INFINEON Infineon-IPAN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48364504a5a Description: INFINEON - IPAN60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.14 грн
14+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 INFINEON 2362696.pdf Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.61 грн
12+73.26 грн
100+67.92 грн
500+51.34 грн
1000+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRLPBF INFINEON 695248.pdf Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.59 грн
500+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60T IKB10N60T INFINEON 2332240.pdf Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF IRFR120NTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06 Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 33380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.79 грн
50+18.46 грн
250+11.66 грн
1000+6.52 грн
5000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON INFNS19483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.21 грн
66+12.30 грн
250+8.26 грн
1000+6.92 грн
5000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON 1849734.html Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.00 грн
250+12.22 грн
1000+7.14 грн
5000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON INFNS19483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.30 грн
250+8.26 грн
1000+6.92 грн
5000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF IRFS3004TRLPBF INFINEON 356274.pdf Description: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S25HL512TFANHI010 S25HL512TFANHI010 INFINEON INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25HL512TFANHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+827.29 грн
10+770.62 грн
25+747.15 грн
50+684.76 грн
100+617.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD55421CHGSHIELDTOBO1 TLD55421CHGSHIELDTOBO1 INFINEON 3600273.pdf Description: INFINEON - TLD55421CHGSHIELDTOBO1 - Evaluationsboard, TLD5542-1, Buck-Boost, analog, PWM, 7V bis 35Vin, 30Vout, 5A, 1 Ausgang
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD5542-1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5A
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 30V
Core-Chip: TLD5542-1
Eingangsspannung, max.: 35Vrms
Dimmsteuerung: Analog
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Buck-Boost
Eingangsspannung, min.: 7Vrms
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11625.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBF IRLR120NTRLPBF INFINEON 1884190.pdf Description: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP INFINEON 1308991.pdf Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.97 грн
250+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S2GO2HALLTLE4966KTOBO1 S2GO2HALLTLE4966KTOBO1 INFINEON Infineon-Getting%20Started%20TLE4966K-GettingStarted-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c65fa716c1fd0 Description: INFINEON - S2GO2HALLTLE4966KTOBO1 - Evaluationsboard, TLE4966K, Magnetsensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Shield2Go-Evaluationsboard TLE4966K
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Magnetsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE4966K
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+864.52 грн
5+847.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2GOSECURITYOPTIGAETOBO1 S2GOSECURITYOPTIGAETOBO1 INFINEON 2611870.pdf Description: INFINEON - S2GOSECURITYOPTIGAETOBO1 - Entwicklungsboard, S2GO Sicherheit, OPTIGA Trust E, IoT-Sicherheit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: SLS32AIA
Kit-Anwendungsbereich: Sicherheit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard SLS32AIA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+521.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S2GOSECURITYOPTIGAXTOBO1 S2GOSECURITYOPTIGAXTOBO1 INFINEON 2774206.pdf Description: INFINEON - S2GOSECURITYOPTIGAXTOBO1 - Evaluationsboard, Shield2Go Optiga Trust X-Sicherheit, I2C-Schnittstelle, IoT-Sicherheit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: SLS32AIA
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: OPTIGA Trust X
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard SLS32AIA
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1482.96 грн
5+1453.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AHXKSA1 BUZ30AHXKSA1 INFINEON 1932539.pdf Description: INFINEON - BUZ30AHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.71 грн
250+64.76 грн
1000+42.92 грн
2000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCR420UE6327HTSA1 BCR420UE6327HTSA1 INFINEON INFN-S-A0000798853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BCR420UE6327HTSA1 - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 1.4V-40Vin, 10kHz Schaltfrequenz, 38V/150mAout, SC-74-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 38V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SC-74
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 122211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.17 грн
500+11.58 грн
1000+9.71 грн
5000+9.37 грн
10000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCR401UE6327HTSA1 BCR401UE6327HTSA1 INFINEON 2332197.pdf Description: INFINEON - BCR401UE6327HTSA1 - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 1.4V-40Vin, 38V/10mAout, SC-74-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 38V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SC-74
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4006WH6327XTSA1 BAS4006WH6327XTSA1 INFINEON INFNS19700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAS4006WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4006WH6327XTSA1 BAS4006WH6327XTSA1 INFINEON INFNS19700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAS4006WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF INFINEON INFN-S-A0003528766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.89 грн
25+33.43 грн
100+23.47 грн
500+15.56 грн
1000+11.80 грн
5000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
EVALSHNBV01DPS422TOBO1 EVALSHNBV01DPS422TOBO1 INFINEON Infineon-Quick%20Setup%20Guide%20for%20Barometric%20Pressure%20Sensor%20Hub%20Nano-GS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169bf3dccc11a5c Description: INFINEON - EVALSHNBV01DPS422TOBO1 - Evaluationsboard, Sensor-Hub Nano, DPS422 Luftdrucksensor, Bluetooth
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: DPS422, XMC1100
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS422/XMC1100
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4452.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.31 грн
200+32.70 грн
500+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBF IRF8915TRPBF INFINEON IRSDS09563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.73 грн
500+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 BAR6404WH6327XTSA1 INFINEON 2333740.pdf Description: INFINEON - BAR6404WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1.35 ohm, 150 V, SOT-323, 3 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.33 грн
250+8.82 грн
1000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6403WE6327HTSA1 BAR6403WE6327HTSA1 INFINEON INFNS29271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR6403WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.85 ohm, 150 V, SOD-323, 2 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.11 грн
1000+5.38 грн
5000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404E6327HTSA1 BAR6404E6327HTSA1 INFINEON 2333740.pdf Description: INFINEON - BAR6404E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1.35 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.43 грн
1000+2.99 грн
5000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS4127TRL AUIRFS4127TRL INFINEON 2849730.pdf Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+545.59 грн
10+379.64 грн
100+335.12 грн
500+250.30 грн
1000+226.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS4127TRL AUIRFS4127TRL INFINEON 2849730.pdf Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0186ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+379.64 грн
100+335.12 грн
500+250.30 грн
1000+226.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.35 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBF IRF7811AVTRPBF INFINEON 107877.pdf description Description: INFINEON - IRF7811AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06KE3BOSA1 FP50R06KE3BOSA1 INFINEON 2255573.pdf Description: INFINEON - FP50R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 60 A, 1.45 V, 190 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Dauer-Kollektorstrom: 60
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 190
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS512TGABHI010 S28HS512TGABHI010 INFINEON INFN-S-A0020855447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S28HS512TGABHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+690.48 грн
10+642.72 грн
25+622.49 грн
50+563.74 грн
100+505.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLPBF IRFR5410TRLPBF INFINEON 708122.pdf Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+51.64 грн
1000+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R600P7XKSA1 IPA80R600P7XKSA1 INFINEON 2327414.pdf Description: INFINEON - IPA80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.32 грн
10+83.38 грн
100+76.17 грн
500+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
T1400N16H75VTXPSA1 T1400N16H75VTXPSA1 INFINEON Infineon-T1400N16H75+VT-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f3890018234fa8d393058 Description: INFINEON - T1400N16H75VTXPSA1 - Thyristor-Modul, 1.6kV, 150mA, Phasensteuerung, Modul, Schraub
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
RMS-Durchlassstrom: 3.2kA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Phasenregelung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Schraub
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14115.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1 IDH12G65C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0003614499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.12 грн
10+268.75 грн
100+167.56 грн
500+134.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4IBC30KDPBF IRG4IBC30KDPBF INFINEON 2062492.pdf Description: INFINEON - IRG4IBC30KDPBF - IGBT, N-Kanal, 17 A, 2.88 V, 45 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 17
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WH6327XTSA1 BFP193WH6327XTSA1 INFINEON INFNS22467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.80 грн
57+14.25 грн
100+11.33 грн
500+9.92 грн
1000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NAKSA1 IPP020N06NAKSA1 INFINEON IPP020N06N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465ce627962f5 Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.51 грн
10+169.18 грн
100+123.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 INFINEON INFNS15443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.23 грн
250+14.49 грн
1000+7.02 грн
5000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 INFINEON INFNS27618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+259.84 грн
10+193.46 грн
100+157.04 грн
500+93.21 грн
1000+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1 IPW60R160P6FKSA1 INFINEON INFNS28171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.22 грн
10+272.79 грн
100+190.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED020I12F2DBTOBO1 EVAL1ED020I12F2DBTOBO1 INFINEON Infineon-UG-2021-27_EVAL-1ED020I12F2-DB-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017ae1e966a8658f Description: INFINEON - EVAL1ED020I12F2DBTOBO1 - Tochterplatine, 1ED020I12-F2, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: 1ED020I12-F2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Tochterplatine 1ED020I12-F2
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD260N12KHPSA1 DD260N12KHPSA1 INFINEON 2577524.pdf Description: INFINEON - DD260N12KHPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 260 A, 1.32 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 9.5
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1.32
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 260
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12766.26 грн
5+12440.85 грн
10+12075.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20820A1KFBG 3795130.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20820A1KFBG - Bluetooth-Modul, Version LE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 2.375-2.625V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.375V bis 2.625V
hazardous: false
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.375V
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.625V
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+395.83 грн
10+342.41 грн
25+323.79 грн
50+276.61 грн
100+235.21 грн
250+215.09 грн
500+207.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20819A1KFBGT 3795129.pdf
CYW20819A1KFBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20819A1KFBGT - Bluetooth-Modul, Version LE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.71 bis 3.3V Versorgungsspannung, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.71V bis 3.3V
hazardous: false
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 2
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
euEccn: NLR
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+344.84 грн
10+298.70 грн
25+282.51 грн
50+241.28 грн
100+205.38 грн
250+194.97 грн
500+187.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20820A1KFBGT 3795130.pdf
CYW20820A1KFBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20820A1KFBGT - Bluetooth-Modul, BLE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.045V bis 1.26V, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.045V bis 1.26V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
isCanonical: N
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
usEccn: 5A992.c
euEccn: NLR
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: No
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+330.27 грн
10+285.75 грн
25+270.37 грн
50+241.28 грн
100+213.70 грн
500+192.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20820A1KFBGT 3795130.pdf
CYW20820A1KFBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20820A1KFBGT - Bluetooth-Modul, BLE 5.2, 3MB/s, -94.5dBm, 1.045V bis 1.26V, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
Versorgungsspannung: 1.045V bis 1.26V
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
hazardous: false
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
usEccn: 5A992.c
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
Produktpalette: AIROC Series
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+330.27 грн
10+285.75 грн
25+270.37 грн
50+241.28 грн
100+213.70 грн
500+192.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405WH6327XTSA1 2333740.pdf
BAR6405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6405WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 0.85 ohm, 150 V, SOT-323, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+13.19 грн
102+8.00 грн
113+7.22 грн
500+6.06 грн
1000+5.46 грн
5000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405E6327HTSA1 2333740.pdf
BAR6405E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6405E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.35 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+10.04 грн
135+6.04 грн
172+4.72 грн
500+4.10 грн
1000+3.59 грн
5000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405E6327HTSA1 2333740.pdf
BAR6405E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6405E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.35 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.10 грн
1000+3.59 грн
5000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6406E6327HTSA1 2333740.pdf
BAR6406E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6406E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 0.85 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Verlustleistung: 250
euEccn: NLR
hazardous: false
Durchlassspannung: 1.1
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24894-24LTXI CYPR-S-A0011122916-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C24894-24LTXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C24894-24LTXI - PSOC, 8BIT, PSOC1, 24MHZ, QFN-56
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 47Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
MPU-Familie: PSoC 1
Versorgungsspannung, min.: 3V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 1KB
MCU-Baureihe: CY8C24x94
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 49I/O(s)
Anzahl der Pins: 56Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C24x94 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: CY8C24x94
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: QFN
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Prozessorarchitektur: M8C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+699.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF 1561362.pdf
IRLTS6342TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.32 грн
500+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360P7SXKSA1 Infineon-IPAN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48364504a5a
IPAN60R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.14 грн
14+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 2362696.pdf
IPP60R360P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.61 грн
12+73.26 грн
100+67.92 грн
500+51.34 грн
1000+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRLPBF 695248.pdf
IRLR2705TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.59 грн
500+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60T 2332240.pdf
IKB10N60T
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF INFN-S-A0012837609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR120ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.7 A, 0.19 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRLPBF INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR120NTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06
BSS315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 33380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.79 грн
50+18.46 грн
250+11.66 грн
1000+6.52 грн
5000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 INFNS19483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS314PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+18.21 грн
66+12.30 грн
250+8.26 грн
1000+6.92 грн
5000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 1849734.html
BSS315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.00 грн
250+12.22 грн
1000+7.14 грн
5000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 INFNS19483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS314PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.30 грн
250+8.26 грн
1000+6.92 грн
5000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF 356274.pdf
IRFS3004TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS3004TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S25HL512TFANHI010 INFN-S-A0014638040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25HL512TFANHI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25HL512TFANHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, QPI, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+827.29 грн
10+770.62 грн
25+747.15 грн
50+684.76 грн
100+617.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD55421CHGSHIELDTOBO1 3600273.pdf
TLD55421CHGSHIELDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD55421CHGSHIELDTOBO1 - Evaluationsboard, TLD5542-1, Buck-Boost, analog, PWM, 7V bis 35Vin, 30Vout, 5A, 1 Ausgang
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLD5542-1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5A
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 30V
Core-Chip: TLD5542-1
Eingangsspannung, max.: 35Vrms
Dimmsteuerung: Analog
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Buck-Boost
Eingangsspannung, min.: 7Vrms
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11625.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBF 1884190.pdf
IRLR120NTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP 1308991.pdf
IRFS52N15DTRLP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.97 грн
250+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S2GO2HALLTLE4966KTOBO1 Infineon-Getting%20Started%20TLE4966K-GettingStarted-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c65fa716c1fd0
S2GO2HALLTLE4966KTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S2GO2HALLTLE4966KTOBO1 - Evaluationsboard, TLE4966K, Magnetsensor
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Shield2Go-Evaluationsboard TLE4966K
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Magnetsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: TLE4966K
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+864.52 грн
5+847.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2GOSECURITYOPTIGAETOBO1 2611870.pdf
S2GOSECURITYOPTIGAETOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S2GOSECURITYOPTIGAETOBO1 - Entwicklungsboard, S2GO Sicherheit, OPTIGA Trust E, IoT-Sicherheit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: SLS32AIA
Kit-Anwendungsbereich: Sicherheit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard SLS32AIA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+521.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S2GOSECURITYOPTIGAXTOBO1 2774206.pdf
S2GOSECURITYOPTIGAXTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S2GOSECURITYOPTIGAXTOBO1 - Evaluationsboard, Shield2Go Optiga Trust X-Sicherheit, I2C-Schnittstelle, IoT-Sicherheit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: SLS32AIA
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: OPTIGA Trust X
Anzahl der Bits: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard SLS32AIA
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1482.96 грн
5+1453.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUZ30AHXKSA1 1932539.pdf
BUZ30AHXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BUZ30AHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 21
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description INFN-S-A0012837733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7842TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7842TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.71 грн
250+64.76 грн
1000+42.92 грн
2000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCR420UE6327HTSA1 INFN-S-A0000798853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCR420UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR420UE6327HTSA1 - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 1.4V-40Vin, 10kHz Schaltfrequenz, 38V/150mAout, SC-74-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 38V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SC-74
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 122211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.17 грн
500+11.58 грн
1000+9.71 грн
5000+9.37 грн
10000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCR401UE6327HTSA1 2332197.pdf
BCR401UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR401UE6327HTSA1 - LED-Treiber, 1 Ausgang, Konstantstrom, 1.4V-40Vin, 38V/10mAout, SC-74-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 38V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SC-74
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 10mA
Eingangsspannung, min.: 1.4V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4006WH6327XTSA1 INFNS19700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS4006WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS4006WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4006WH6327XTSA1 INFNS19700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS4006WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS4006WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7509TRPBF INFN-S-A0003528766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7509TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF INFN-S-A0012813547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLHS6376TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.89 грн
25+33.43 грн
100+23.47 грн
500+15.56 грн
1000+11.80 грн
5000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
EVALSHNBV01DPS422TOBO1 Infineon-Quick%20Setup%20Guide%20for%20Barometric%20Pressure%20Sensor%20Hub%20Nano-GS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169bf3dccc11a5c
EVALSHNBV01DPS422TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALSHNBV01DPS422TOBO1 - Evaluationsboard, Sensor-Hub Nano, DPS422 Luftdrucksensor, Bluetooth
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: DPS422, XMC1100
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard DPS422/XMC1100
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Luftdrucksensor
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4452.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.31 грн
200+32.70 грн
500+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBF IRSDS09563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8915TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8915TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8.9 A, 8.9 A, 0.0146 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0146ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0146ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.73 грн
500+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404WH6327XTSA1 2333740.pdf
BAR6404WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6404WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1.35 ohm, 150 V, SOT-323, 3 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.33 грн
250+8.82 грн
1000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6403WE6327HTSA1 INFNS29271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR6403WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6403WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.85 ohm, 150 V, SOD-323, 2 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.11 грн
1000+5.38 грн
5000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404E6327HTSA1 2333740.pdf
BAR6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6404E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1.35 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: No
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.43 грн
1000+2.99 грн
5000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS4127TRL 2849730.pdf
AUIRFS4127TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+545.59 грн
10+379.64 грн
100+335.12 грн
500+250.30 грн
1000+226.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFS4127TRL 2849730.pdf
AUIRFS4127TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFS4127TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0186ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+379.64 грн
100+335.12 грн
500+250.30 грн
1000+226.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.35 грн
1000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBF description 107877.pdf
IRF7811AVTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7811AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06KE3BOSA1 2255573.pdf
FP50R06KE3BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP50R06KE3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 60 A, 1.45 V, 190 W, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Dauer-Kollektorstrom: 60
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 190
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S28HS512TGABHI010 INFN-S-A0020855447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S28HS512TGABHI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S28HS512TGABHI010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+690.48 грн
10+642.72 грн
25+622.49 грн
50+563.74 грн
100+505.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRLPBF 708122.pdf
IRFR5410TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR5410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+51.64 грн
1000+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R600P7XKSA1 2327414.pdf
IPA80R600P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.32 грн
10+83.38 грн
100+76.17 грн
500+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
T1400N16H75VTXPSA1 Infineon-T1400N16H75+VT-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c821f3890018234fa8d393058
T1400N16H75VTXPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - T1400N16H75VTXPSA1 - Thyristor-Modul, 1.6kV, 150mA, Phasensteuerung, Modul, Schraub
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
RMS-Durchlassstrom: 3.2kA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
SCR-Modul: Phasenregelung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Schraub
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14115.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH12G65C6XKSA1 INFN-S-A0003614499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDH12G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+369.12 грн
10+268.75 грн
100+167.56 грн
500+134.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4IBC30KDPBF 2062492.pdf
IRG4IBC30KDPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4IBC30KDPBF - IGBT, N-Kanal, 17 A, 2.88 V, 45 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 17
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WH6327XTSA1 INFNS22467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+23.80 грн
57+14.25 грн
100+11.33 грн
500+9.92 грн
1000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NAKSA1 IPP020N06N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465ce627962f5
IPP020N06NAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.51 грн
10+169.18 грн
100+123.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 INFNS15443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS215PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.23 грн
250+14.49 грн
1000+7.02 грн
5000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 INFNS27618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+259.84 грн
10+193.46 грн
100+157.04 грн
500+93.21 грн
1000+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1 INFNS28171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R160P6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+309.22 грн
10+272.79 грн
100+190.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED020I12F2DBTOBO1 Infineon-UG-2021-27_EVAL-1ED020I12F2-DB-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017ae1e966a8658f
EVAL1ED020I12F2DBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1ED020I12F2DBTOBO1 - Tochterplatine, 1ED020I12-F2, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: 1ED020I12-F2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Tochterplatine 1ED020I12-F2
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD260N12KHPSA1 2577524.pdf
DD260N12KHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD260N12KHPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 260 A, 1.32 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 9.5
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1.32
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 260
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12766.26 грн
5+12440.85 грн
10+12075.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 280 320 360 400 409  Наступна Сторінка >> ]