Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25910) > Сторінка 253 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 301 344 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLE4998C3XALA1 TLE4998C3XALA1 INFINEON 2211514.pdf Description: INFINEON - TLE4998C3XALA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Linear
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5A
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+289.21 грн
10+255.81 грн
25+241.74 грн
50+198.36 грн
100+176.32 грн
250+170.29 грн
500+161.25 грн
1000+141.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49611KXTSA1 TLE49611KXTSA1 INFINEON 2577509.pdf Description: INFINEON - TLE49611KXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Genauigkeit, Bipolarer Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 3 V, 32 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Bipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.41 грн
25+36.57 грн
100+33.14 грн
500+25.14 грн
1000+21.70 грн
2500+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A3HTSA1 TLE493DW2B6A3HTSA1 INFINEON INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE493DW2B6A3HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+108.13 грн
10+94.06 грн
50+92.30 грн
100+83.26 грн
250+74.60 грн
500+72.26 грн
1000+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966V1KHTSA1 TLE4966V1KHTSA1 INFINEON 2354531.pdf Description: INFINEON - TLE4966V1KHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Genauigkeit, Hall-Effekt-Latch, 0.0025 T, -0.0025 T, 3.5 V, 32 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Signalspeicher
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.0025T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0025T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.30 грн
13+71.82 грн
50+60.48 грн
100+48.08 грн
250+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A2HTSA1 TLE493DW2B6A2HTSA1 INFINEON INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE493DW2B6A2HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.13 грн
10+109.88 грн
50+104.61 грн
100+93.06 грн
250+82.13 грн
500+78.36 грн
1000+75.35 грн
2500+73.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7821TRPBF IRLR7821TRPBF INFINEON 140866.pdf Description: INFINEON - IRLR7821TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256PBF IRLR8256PBF INFINEON 1911692.pdf description Description: INFINEON - IRLR8256PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 63
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBF IRLR3103TRPBF INFINEON 140831.pdf Description: INFINEON - IRLR3103TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 107
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF INFINEON IRSDS18765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.69 грн
50+55.73 грн
250+46.77 грн
1000+36.32 грн
2000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF INFINEON IRSDS18765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.73 грн
250+46.77 грн
1000+36.32 грн
2000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON 2333744.pdf Description: INFINEON - IKW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+421.95 грн
10+261.96 грн
100+215.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0014934680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.73 грн
10+224.16 грн
100+183.73 грн
500+157.54 грн
1000+132.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N110R3FKSA1 IHW30N110R3FKSA1 INFINEON INFN-S-A0001300630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW30N110R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.17 грн
10+245.26 грн
100+197.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 INFINEON 2718664.pdf Description: INFINEON - IHW30N120R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.83 грн
10+172.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R6XKSA1 IHW30N65R6XKSA1 INFINEON 3208412.pdf Description: INFINEON - IHW30N65R6XKSA1 - IGBT, 65 A, 1.26 V, 163 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.26V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 65A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.78 грн
10+134.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5XKSA1 INFINEON 2354580.pdf Description: INFINEON - IHW30N65R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 176 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35
Verlustleistung Pd: 176
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4019H-117P IRFI4019H-117P INFINEON 516936.pdf Description: INFINEON - IRFI4019H-117P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 8.7 A, 0.08 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 8.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 18
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF INFINEON INFN-S-A0012838362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.90 грн
10+216.25 грн
100+179.33 грн
500+149.38 грн
1000+127.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.73 грн
10+118.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED020I12B2TOBO1 EVAL1ED020I12B2TOBO1 INFINEON INFN-S-A0004150295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - EVAL1ED020I12B2TOBO1 - Evaluationsboard, 1ED020I12-B2, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1ED020I12-B2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED020I12-B2
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED020I12BTTOBO1 EVAL1ED020I12BTTOBO1 INFINEON Infineon-1ED020I12-BT_Evaluationboard-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029a4589402ef Description: INFINEON - EVAL1ED020I12BTTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED020I12-BT, IGBT-Gate-Treiber
Prozessorkern: 1ED020I12-BT
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED020I12-BT
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21349.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF INFINEON irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114 Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+143.29 грн
50+85.01 грн
100+64.79 грн
500+52.73 грн
1500+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF INFINEON irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114 Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.79 грн
500+52.73 грн
1500+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215PBF IRFR6215PBF INFINEON INFN-S-A0002298973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFR6215PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 13
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+26.11 грн
56+15.82 грн
250+12.57 грн
1000+10.53 грн
5000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 295A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.81 грн
10+163.51 грн
100+137.13 грн
500+117.54 грн
1000+85.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405WH6327XTSA1 BAR6405WH6327XTSA1 INFINEON 2333740.pdf Description: INFINEON - BAR6405WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 0.85 ohm, 150 V, SOT-323, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.58 грн
1000+5.93 грн
5000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1K6WPSUG7DDTOBO1 EVAL1K6WPSUG7DDTOBO1 INFINEON Infineon-General_description_EVAL_1K6W_PSU_G7_DD-ATI-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163cb0fe5a40336 Description: INFINEON - EVAL1K6WPSUG7DDTOBO1 - Evaluationsboard, Server-Netzteil, CoolMOS-G7-MOSFET, 80Plus Titanium, 1.6kW
Prozessorkern: IPDD60R150G7, IPDD60R050G7
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IPDD60R150G7/IPDD60R050G7
Unterart Anwendung: SNT
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7007E6327HTSA1 BAS7007E6327HTSA1 INFINEON INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - BAS7007E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+20.57 грн
81+10.90 грн
109+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
HFA15PB60PBF HFA15PB60PBF INFINEON 1916260.pdf Description: INFINEON - HFA15PB60PBF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 15 A, Einfach, 1.7 V, 60 ns, 150 A
Bauform - Diode: TO-247AC
Durchlassstoßstrom: 150
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 60
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7
Sperrverzögerungszeit: 60
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 15
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4321PBF IRFB4321PBF INFINEON INFN-S-A0012838500-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB4321PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.14 грн
10+208.34 грн
100+174.06 грн
500+134.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TRPBF IRF7807TRPBF INFINEON 107874.pdf Description: INFINEON - IRF7807TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TRPBF IRF7807TRPBF INFINEON 107874.pdf Description: INFINEON - IRF7807TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1 IPW60R165CPFKSA1 INFINEON IPW60R165CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d915e489f Description: INFINEON - IPW60R165CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+511.62 грн
10+452.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CPXKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA50R140CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+385.91 грн
10+232.07 грн
100+200.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBF IRF7457TRPBF INFINEON 107865.pdf Description: INFINEON - IRF7457TRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBF IRF7457TRPBF INFINEON 107865.pdf Description: INFINEON - IRF7457TRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HFA08TB60PBF HFA08TB60PBF INFINEON 2255607.pdf Description: INFINEON - HFA08TB60PBF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.7 V, 55 ns, 60 A
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 60
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 55
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7
Sperrverzögerungszeit: 55
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 8
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P7XKSA1 IPA60R600P7XKSA1 INFINEON 2362702.pdf Description: INFINEON - IPA60R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.84 грн
11+82.90 грн
100+68.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R600P7SXKSA1 IPA70R600P7SXKSA1 INFINEON Infineon-IPA70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf80e8880d96 Description: INFINEON - IPA70R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24.9W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+96.70 грн
19+48.79 грн
100+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R210PFD7SXKSA1 IPAN60R210PFD7SXKSA1 INFINEON 3154676.pdf Description: INFINEON - IPAN60R210PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 25
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.69 грн
10+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3XKSA1 SPP07N60C3XKSA1 INFINEON INFNS14188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPP07N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.53 грн
10+125.71 грн
100+116.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R280PFD7SXKSA1 IPAN60R280PFD7SXKSA1 INFINEON 3154677.pdf Description: INFINEON - IPAN60R280PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.47 грн
11+80.87 грн
100+74.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPA07N60C3XKSA1 SPA07N60C3XKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPA07N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.87 грн
10+125.71 грн
100+114.28 грн
500+96.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF INFINEON INFN-S-A0004664150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.80 грн
12+76.92 грн
100+52.13 грн
500+42.28 грн
1000+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF IRFB4615PBF INFINEON INFN-S-A0012837764-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+85.09 грн
13+72.00 грн
100+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4137PBF IRFB4137PBF INFINEON INFN-S-A0012838195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4137PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.069 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.78 грн
10+144.17 грн
100+141.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF INFINEON 1627131.pdf Description: INFINEON - IRFB4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.49 грн
12+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON 3733158.pdf Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.35 грн
10+203.07 грн
100+168.78 грн
500+135.50 грн
1000+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF INFINEON INFN-S-A0012838427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+141.53 грн
10+116.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON 3732402.pdf Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+278.67 грн
10+137.13 грн
100+130.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PBF IRFB4332PBF INFINEON INFN-S-A0008740647-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4332PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.37 грн
10+166.14 грн
100+154.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBF IRFB4228PBF INFINEON INFN-S-A0012837890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4228PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.77 грн
10+219.77 грн
100+169.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF IRFB4610PBF INFINEON INFN-S-A0012838145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB42N20DPBF IRFB42N20DPBF INFINEON 676745.pdf Description: INFINEON - IRFB42N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 42.6 A, 0.055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 42.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB41N15DPBF IRFB41N15DPBF INFINEON 1309733.pdf description Description: INFINEON - IRFB41N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41 A, 0.045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 41
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF.. IRFB4510PBF.. INFINEON 1627131.pdf Description: INFINEON - IRFB4510PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0107 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 62
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0107
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF INFINEON INFN-S-A0012837665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.08 грн
12+74.02 грн
100+73.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4998C3XALA1 2211514.pdf
TLE4998C3XALA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4998C3XALA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4.5 V, 5.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Linear
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 5A
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+289.21 грн
10+255.81 грн
25+241.74 грн
50+198.36 грн
100+176.32 грн
250+170.29 грн
500+161.25 грн
1000+141.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49611KXTSA1 2577509.pdf
TLE49611KXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49611KXTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Genauigkeit, Bipolarer Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 3 V, 32 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Bipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.41 грн
25+36.57 грн
100+33.14 грн
500+25.14 грн
1000+21.70 грн
2500+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A3HTSA1 INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE493DW2B6A3HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW2B6A3HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+108.13 грн
10+94.06 грн
50+92.30 грн
100+83.26 грн
250+74.60 грн
500+72.26 грн
1000+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966V1KHTSA1 2354531.pdf
TLE4966V1KHTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4966V1KHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Genauigkeit, Hall-Effekt-Latch, 0.0025 T, -0.0025 T, 3.5 V, 32 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Signalspeicher
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.0025T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0025T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.30 грн
13+71.82 грн
50+60.48 грн
100+48.08 грн
250+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLE493DW2B6A2HTSA1 INFN-S-A0004457413-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE493DW2B6A2HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE493DW2B6A2HTSA1 - Hall-Effekt-Sensor, Energiesparend, TSOP, 6 Pin(s), 2.8 V, 3.5 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Magnetischer Positionssensor
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Energiesparend
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Bauform - Sensor: TSOP
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+137.13 грн
10+109.88 грн
50+104.61 грн
100+93.06 грн
250+82.13 грн
500+78.36 грн
1000+75.35 грн
2500+73.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7821TRPBF 140866.pdf
IRLR7821TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR7821TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0075 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256PBF description 1911692.pdf
IRLR8256PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8256PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 63
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBF 140831.pdf
IRLR3103TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3103TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 107
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRSDS18765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7380TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.69 грн
50+55.73 грн
250+46.77 грн
1000+36.32 грн
2000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRSDS18765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7380TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.73 грн
250+46.77 грн
1000+36.32 грн
2000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 2333744.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+421.95 грн
10+261.96 грн
100+215.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 INFN-S-A0014934680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+401.73 грн
10+224.16 грн
100+183.73 грн
500+157.54 грн
1000+132.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N110R3FKSA1 INFN-S-A0001300630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHW30N110R3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW30N110R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+333.17 грн
10+245.26 грн
100+197.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 2718664.pdf
IHW30N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW30N120R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+313.83 грн
10+172.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R6XKSA1 3208412.pdf
IHW30N65R6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW30N65R6XKSA1 - IGBT, 65 A, 1.26 V, 163 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.26V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 65A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+248.78 грн
10+134.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N65R5XKSA1 2354580.pdf
IHW30N65R5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IHW30N65R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 176 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35
Verlustleistung Pd: 176
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4019H-117P 516936.pdf
IRFI4019H-117P
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4019H-117P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 8.7 A, 0.08 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 8.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 18
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description INFN-S-A0012838362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4410ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+247.90 грн
10+216.25 грн
100+179.33 грн
500+149.38 грн
1000+127.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF INFN-S-A0012813748-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR8314TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR8314TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 0.0016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.73 грн
10+118.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED020I12B2TOBO1 INFN-S-A0004150295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
EVAL1ED020I12B2TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1ED020I12B2TOBO1 - Evaluationsboard, 1ED020I12-B2, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1ED020I12-B2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED020I12-B2
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED020I12BTTOBO1 Infineon-1ED020I12-BT_Evaluationboard-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029a4589402ef
EVAL1ED020I12BTTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1ED020I12BTTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED020I12-BT, IGBT-Gate-Treiber
Prozessorkern: 1ED020I12-BT
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED020I12-BT
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21349.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114
IRFR6215TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+143.29 грн
50+85.01 грн
100+64.79 грн
500+52.73 грн
1500+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRLPBF irfr6215pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563595592114
IRFR6215TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR6215TRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.79 грн
500+52.73 грн
1500+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215PBF description INFN-S-A0002298973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR6215PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR6215PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 13
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f
BFR181WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+26.11 грн
56+15.82 грн
250+12.57 грн
1000+10.53 грн
5000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7530TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 295A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.81 грн
10+163.51 грн
100+137.13 грн
500+117.54 грн
1000+85.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6405WH6327XTSA1 2333740.pdf
BAR6405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6405WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 0.85 ohm, 150 V, SOT-323, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.1V
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR64
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.58 грн
1000+5.93 грн
5000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1K6WPSUG7DDTOBO1 Infineon-General_description_EVAL_1K6W_PSU_G7_DD-ATI-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163cb0fe5a40336
EVAL1K6WPSUG7DDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1K6WPSUG7DDTOBO1 - Evaluationsboard, Server-Netzteil, CoolMOS-G7-MOSFET, 80Plus Titanium, 1.6kW
Prozessorkern: IPDD60R150G7, IPDD60R050G7
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IPDD60R150G7/IPDD60R050G7
Unterart Anwendung: SNT
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2705TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF INFN-S-A0012905630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2705TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7007E6327HTSA1 INFNS30154-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS7007E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS7007E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+20.57 грн
81+10.90 грн
109+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
HFA15PB60PBF 1916260.pdf
HFA15PB60PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - HFA15PB60PBF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 15 A, Einfach, 1.7 V, 60 ns, 150 A
Bauform - Diode: TO-247AC
Durchlassstoßstrom: 150
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 60
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7
Sperrverzögerungszeit: 60
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 15
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4321PBF description INFN-S-A0012838500-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4321PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4321PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+246.14 грн
10+208.34 грн
100+174.06 грн
500+134.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TRPBF 107874.pdf
IRF7807TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7807TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807TRPBF 107874.pdf
IRF7807TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7807TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R165CPFKSA1 IPW60R165CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d915e489f
IPW60R165CPFKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R165CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+511.62 грн
10+452.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 INFN-S-A0004583226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA50R140CPXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA50R140CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.14 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+385.91 грн
10+232.07 грн
100+200.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBF 107865.pdf
IRF7457TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7457TRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBF 107865.pdf
IRF7457TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7457TRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HFA08TB60PBF 2255607.pdf
HFA08TB60PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - HFA08TB60PBF - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 1.7 V, 55 ns, 60 A
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 60
Durchlassspannung Vf max.: 1.7
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 55
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7
Sperrverzögerungszeit: 55
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 8
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P7XKSA1 2362702.pdf
IPA60R600P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R600P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.84 грн
11+82.90 грн
100+68.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R600P7SXKSA1 Infineon-IPA70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf80e8880d96
IPA70R600P7SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA70R600P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24.9W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+96.70 грн
19+48.79 грн
100+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R210PFD7SXKSA1 3154676.pdf
IPAN60R210PFD7SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R210PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 25
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.69 грн
10+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3XKSA1 INFNS14188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPP07N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP07N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.53 грн
10+125.71 грн
100+116.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R280PFD7SXKSA1 3154677.pdf
IPAN60R280PFD7SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN60R280PFD7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.47 грн
11+80.87 грн
100+74.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPA07N60C3XKSA1 INFN-S-A0004583442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPA07N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPA07N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+240.87 грн
10+125.71 грн
100+114.28 грн
500+96.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF INFN-S-A0004664150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7329TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.80 грн
12+76.92 грн
100+52.13 грн
500+42.28 грн
1000+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF INFN-S-A0012837764-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4615PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+85.09 грн
13+72.00 грн
100+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4137PBF INFN-S-A0012838195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4137PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4137PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.069 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+357.78 грн
10+144.17 грн
100+141.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF 1627131.pdf
IRFB4510PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.49 грн
12+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF 3733158.pdf
IRFB4227PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+237.35 грн
10+203.07 грн
100+168.78 грн
500+135.50 грн
1000+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF INFN-S-A0012838427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4127PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 76 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+141.53 грн
10+116.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF 3732402.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+278.67 грн
10+137.13 грн
100+130.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PBF INFN-S-A0008740647-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4332PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4332PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+295.37 грн
10+166.14 грн
100+154.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBF INFN-S-A0012837890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4228PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4228PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+328.77 грн
10+219.77 грн
100+169.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF description INFN-S-A0012838145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4610PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB42N20DPBF 676745.pdf
IRFB42N20DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB42N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 42.6 A, 0.055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 42.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB41N15DPBF description 1309733.pdf
IRFB41N15DPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB41N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41 A, 0.045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 41
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF.. 1627131.pdf
IRFB4510PBF..
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4510PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0107 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 62
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0107
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF INFN-S-A0012837665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB5620PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.08 грн
12+74.02 грн
100+73.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 248 249 250 251 252 253 254 255 256 257 258 301 344 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]