Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24634) > Сторінка 255 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 287 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP020N06NAKSA1 IPP020N06NAKSA1 INFINEON IPP020N06N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465ce627962f5 Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.91 грн
10+171.86 грн
100+125.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 INFINEON INFNS15443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.60 грн
250+14.72 грн
1000+7.13 грн
5000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 INFINEON INFNS27618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+278.76 грн
10+182.55 грн
100+134.03 грн
500+102.32 грн
1000+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1 IPW60R160P6FKSA1 INFINEON INFNS28171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.12 грн
10+277.11 грн
100+193.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED020I12F2DBTOBO1 EVAL1ED020I12F2DBTOBO1 INFINEON Infineon-UG-2021-27_EVAL-1ED020I12F2-DB-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017ae1e966a8658f Description: INFINEON - EVAL1ED020I12F2DBTOBO1 - Tochterplatine, 1ED020I12-F2, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: 1ED020I12-F2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Tochterplatine 1ED020I12-F2
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD260N12KHPSA1 DD260N12KHPSA1 INFINEON 2577524.pdf Description: INFINEON - DD260N12KHPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 260 A, 1.32 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 9.5
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1.32
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 260
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12968.44 грн
5+12637.88 грн
10+12267.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310NPBF IRFI1310NPBF INFINEON INFN-S-A0003068083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFI1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.036 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.24 грн
10+91.27 грн
100+84.70 грн
500+61.31 грн
1000+55.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-046 CY8CKIT-046 INFINEON 3812116.pdf Description: INFINEON - CY8CKIT-046 - Pioneer-Kit, CY8C4248BZI-L489, Produktfamilie PSoC 4, ARM Cortex-M0
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Pioneer-Board CY8C4248BZI-L489, USB-Kabel, 4 Überbrückungsdrähte/2 Drähte für Näherungssensor, Stereo-Audio-Kopfhörer, Handbuch
Prozessorhersteller: NXP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: Cortex-M0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: PSoC 4
euEccn: NLR
Prozessorkern: CY8C4248BZI-L489
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9640.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U144N16RBPSA1 DDB6U144N16RBPSA1 INFINEON 2577526.pdf Description: INFINEON - DDB6U144N16RBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 100 A, 1.65 V, Brücke, Modul
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 1.2kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.65V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: eupec EconoBRIDGE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11623.98 грн
5+10765.51 грн
10+9906.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U215N16LHOSA1 DDB6U215N16LHOSA1 INFINEON 2577527.pdf Description: INFINEON - DDB6U215N16LHOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 300 A, 1.61 V, Brücke, Modul, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2.2kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.61V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: eupec IsoPACK
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12850.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U205N16LHOSA1 DDB6U205N16LHOSA1 INFINEON EUPCS02687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DDB6U205N16LHOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 200 A, 1.47 V, Brücke, ISOPACK, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: ISOPACK
Durchlassstoßstrom: 1.6kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.47V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: eupec IsoPACK
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14337.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U144N16RBOSA1 DDB6U144N16RBOSA1 INFINEON 2577526.pdf Description: INFINEON - DDB6U144N16RBOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 150 A, 1.65 V, Brücke, Modul
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 1.2
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1.65
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: eupec EconoBRIDGE
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK124N16RRBOSA1 TDB6HK124N16RRBOSA1 INFINEON 2354618.pdf Description: INFINEON - TDB6HK124N16RRBOSA1 - Thyristormodul, SCR, 1.6kV, 70A, 150mA, eupec EconoBRIDGE
tariffCode: 85423911
Haltestrom, max.: 200
hazardous: false
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 650
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 70
Zündspannung, max.: 2.5
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6
SCR-Modul: Brückengleichrichter, dreiphasig - SCR
Anzahl der Pins: 22
Produktpalette: eupec EconoBRIDGE
Zündstrom, max.: 150
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRL7PP IRLS3034TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012905555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+209.98 грн
250+189.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R070P6XKSA1 IPW60R070P6XKSA1 INFINEON INFNS30563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R070P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53.5 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.60 грн
10+409.50 грн
100+236.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.43 грн
250+40.46 грн
1000+26.57 грн
2000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 INFINEON 1686479.pdf Description: INFINEON - ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 INFINEON 1686479.pdf Description: INFINEON - ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.03 грн
37+22.61 грн
100+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6305E6327HTSA1 BAR6305E6327HTSA1 INFINEON INFNS15694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR6305E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.3 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.3pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.53 грн
500+9.32 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6702VH6327XTSA1 BAR6702VH6327XTSA1 INFINEON INFNS15417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR6702VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1.5 ohm, 150 V, SC-79, 2 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 200mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.75 грн
250+10.11 грн
1000+8.48 грн
5000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6304WH6327XTSA1 BAR6304WH6327XTSA1 INFINEON INFNS15694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR6304WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1 ohm, 50 V, SOT-323, 3 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.47 грн
1000+4.79 грн
5000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR66E6327HTSA1 BAR66E6327HTSA1 INFINEON INFNS15697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAR66E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1.8 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.9 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.9pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR66
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 200mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.77 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYT2BL5CAAQ0AZEGS CYT2BL5CAAQ0AZEGS INFINEON 3795128.pdf Description: INFINEON - CYT2BL5CAAQ0AZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT2BL Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 160 MHz, 4 MB
tariffCode: 85423190
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 39Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 160MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 512KB
MCU-Baureihe: CYT2BL
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 78I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT2BL Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1460.40 грн
10+1167.66 грн
25+1018.00 грн
50+869.70 грн
100+786.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4006E6327HTSA1 BAS4006E6327HTSA1 INFINEON INFNS19700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAS4006E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.18 грн
500+7.71 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPSIRS200XTOBO1 EVALPSIRS200XTOBO1 INFINEON Infineon-EVAL-PS-IRS200x-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae54769b13bd6 Description: INFINEON - EVALPSIRS200XTOBO1 - Evaluationsboard, IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12653.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BPLUSOFFLOADBOARDTOBO1 BPLUSOFFLOADBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-LITIX_Basic+_Offload_Board-PP-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167a839aa5c15e3 Description: INFINEON - BPLUSOFFLOADBOARDTOBO1 - Demoboard, TLD1114-1EP, LED-Treiber, linear, 0.36A, 7Vout, 8V bis 16V
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLD1114-1EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 360mA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 7V
Core-Chip: TLD1114-1EP
Eingangsspannung, max.: 16V
Dimmsteuerung: -
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Linear
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5655.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DTRPBF IRFR18N15DTRPBF INFINEON 139872.pdf Description: INFINEON - IRFR18N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 110
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4620TRL AUIRFR4620TRL INFINEON 2332921.pdf Description: INFINEON - AUIRFR4620TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+268.07 грн
50+232.71 грн
100+181.73 грн
500+150.42 грн
1500+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4620TRL AUIRFR4620TRL INFINEON 2332921.pdf Description: INFINEON - AUIRFR4620TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 144W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+181.73 грн
500+150.42 грн
1500+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4620 INFINEON 2332921.pdf Description: INFINEON - AUIRFR4620 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 144
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 BAS7004WH6327XTSA1 INFINEON INFNS30154-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAS7004WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247AZI-L485 CY8C4247AZI-L485 INFINEON CYPR-S-A0012903475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4247AZI-L485 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 53I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+867.52 грн
10+764.74 грн
25+703.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF INFINEON irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.72 грн
50+99.50 грн
250+66.85 грн
1000+45.81 грн
2000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5053TRPBF IRFH5053TRPBF INFINEON IRSDS11430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.04 грн
10+116.77 грн
100+83.87 грн
500+61.85 грн
1000+53.00 грн
5000+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 TDB6HK180N16RRB11BPSA1 INFINEON 2577587.pdf Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRB11BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 140A
Produktpalette: EconoBRIDGE
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6874.40 грн
5+6779.83 грн
10+6685.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRBPSA1 TDB6HK180N16RRBPSA1 INFINEON 2577588.pdf Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRBPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 140A
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7307.75 грн
5+6635.11 грн
10+5962.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.23 грн
250+37.66 грн
1000+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.49 грн
14+61.10 грн
100+46.87 грн
500+39.32 грн
1000+30.73 грн
5000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF IRFR3711ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.87 грн
500+39.32 грн
1000+30.73 грн
5000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1009D-10VXI. CY7C1009D-10VXI. INFINEON 2349104.pdf Description: INFINEON - CY7C1009D-10VXI. - SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 10NS, SOJ-32
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
Versorgungsspannung: 4.5V to 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 hours
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchronous SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8bit
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45SXI CY62128EV30LL-45SXI INFINEON CYPR-S-A0011166944-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45SXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.40 грн
10+193.24 грн
25+187.48 грн
50+170.27 грн
100+154.36 грн
250+151.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45SXIT CY62128EV30LL-45SXIT INFINEON CYPRS08954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.37 грн
250+140.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45SXIT CY62128EV30LL-45SXIT INFINEON CYPRS08954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.66 грн
10+174.33 грн
25+168.57 грн
50+155.00 грн
100+142.37 грн
250+140.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B104Q-SXI CY15B104Q-SXI INFINEON CYPR-S-A0005170219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15B104Q-SXI - FRAM, 4MB (512K x 8), SPI, 40MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 40MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2285.98 грн
5+2217.73 грн
10+2053.27 грн
25+1845.53 грн
50+1623.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT68E6327HTSA1 BAT68E6327HTSA1 INFINEON infineon-bat68series-ds-en.pdf Description: INFINEON - BAT68E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT68
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.96 грн
500+7.86 грн
1000+6.93 грн
5000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-014008-EVAL CYBLE-014008-EVAL INFINEON 2148637.pdf Description: INFINEON - CYBLE-014008-EVAL - Evaluationsboard, Bluetooth, EZ-BLE™ PRoC
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard, EZ-BLE-PSoC-Modul (separat erhältlich)
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1418.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF80R12W2H3FB11BPSA1 DF80R12W2H3FB11BPSA1 INFINEON INFN-S-A0003069733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - DF80R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 80 A, 1.55 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 80A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4107.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9210823QXAPPKITTOBO1 TLE9210823QXAPPKITTOBO1 INFINEON 4474166.pdf Description: INFINEON - TLE9210823QXAPPKITTOBO1 - EVALUATION BOARD, MULTI-MOSFET DRIVER
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE92108-231QX/TLE92108-232QX
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE92108-231QX/TLE92108-232QX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Multi-MOSFET-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3951.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6FKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.81 грн
10+253.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R090CFD7XKSA1 IPW65R090CFD7XKSA1 INFINEON 3189139.pdf Description: INFINEON - IPW65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+444.86 грн
10+352.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.74 грн
250+67.18 грн
1000+46.42 грн
3000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.61 грн
10+92.10 грн
100+63.32 грн
500+46.58 грн
1000+39.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8259TRPBF IRLR8259TRPBF INFINEON 332458.pdf Description: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR6225TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.66 грн
250+45.88 грн
1000+32.53 грн
2000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.32 грн
500+46.58 грн
1000+39.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRLR3110ZTRLPBF INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 8083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.06 грн
250+87.16 грн
1000+61.24 грн
3000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.10 грн
250+12.66 грн
1000+7.51 грн
5000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R210CFD7XKSA1 IPP60R210CFD7XKSA1 INFINEON Infineon-IPP60R210CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633ab586a43b16 Description: INFINEON - IPP60R210CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.39 грн
10+144.72 грн
100+119.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1K4WZVSFBCFD7TOBO1 EVAL1K4WZVSFBCFD7TOBO1 INFINEON Infineon-General_description_evaluation_board_EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7-ATI-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626176435901617b035538189c Description: INFINEON - EVAL1K4WZVSFBCFD7TOBO1 - Evaluationsboard, Vollbrücken-Lösung, SNT, ZVS PSFB, Industrie/Server-Anwendungen, 1.4kW
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPP60R170CFD7
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IPP60R170CFD7
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: SNT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+38804.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NAKSA1 IPP020N06N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465ce627962f5
IPP020N06NAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP020N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+217.91 грн
10+171.86 грн
100+125.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 INFNS15443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS215PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+23.60 грн
250+14.72 грн
1000+7.13 грн
5000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 INFNS27618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+278.76 грн
10+182.55 грн
100+134.03 грн
500+102.32 грн
1000+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160P6FKSA1 INFNS28171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R160P6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+314.12 грн
10+277.11 грн
100+193.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1ED020I12F2DBTOBO1 Infineon-UG-2021-27_EVAL-1ED020I12F2-DB-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627aa5d4f5017ae1e966a8658f
EVAL1ED020I12F2DBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1ED020I12F2DBTOBO1 - Tochterplatine, 1ED020I12-F2, isolierter Gate-Treiber
tariffCode: 84733080
Prozessorkern: 1ED020I12-F2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Tochterplatine 1ED020I12-F2
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
hazardous: false
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD260N12KHPSA1 2577524.pdf
DD260N12KHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD260N12KHPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 260 A, 1.32 V, Zweifach, Reihenschaltung, Modul, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 9.5
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1.32
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 260
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+12968.44 грн
5+12637.88 грн
10+12267.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310NPBF INFN-S-A0003068083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFI1310NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.036 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+193.24 грн
10+91.27 грн
100+84.70 грн
500+61.31 грн
1000+55.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-046 3812116.pdf
CY8CKIT-046
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CKIT-046 - Pioneer-Kit, CY8C4248BZI-L489, Produktfamilie PSoC 4, ARM Cortex-M0
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Pioneer-Board CY8C4248BZI-L489, USB-Kabel, 4 Überbrückungsdrähte/2 Drähte für Näherungssensor, Stereo-Audio-Kopfhörer, Handbuch
Prozessorhersteller: NXP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: Cortex-M0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: PSoC 4
euEccn: NLR
Prozessorkern: CY8C4248BZI-L489
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+9640.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U144N16RBPSA1 2577526.pdf
DDB6U144N16RBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U144N16RBPSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 100 A, 1.65 V, Brücke, Modul
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 1.2kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.65V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: eupec EconoBRIDGE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+11623.98 грн
5+10765.51 грн
10+9906.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U215N16LHOSA1 2577527.pdf
DDB6U215N16LHOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U215N16LHOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 300 A, 1.61 V, Brücke, Modul, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 2.2kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.61V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 300A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: eupec IsoPACK
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+12850.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U205N16LHOSA1 EUPCS02687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DDB6U205N16LHOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U205N16LHOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 200 A, 1.47 V, Brücke, ISOPACK, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: ISOPACK
Durchlassstoßstrom: 1.6kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.47V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6kV
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: eupec IsoPACK
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+14337.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U144N16RBOSA1 2577526.pdf
DDB6U144N16RBOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB6U144N16RBOSA1 - Diodenmodul, 1.6 kV, 150 A, 1.65 V, Brücke, Modul
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 1.2
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1.65
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.6
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: eupec EconoBRIDGE
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK124N16RRBOSA1 2354618.pdf
TDB6HK124N16RRBOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDB6HK124N16RRBOSA1 - Thyristormodul, SCR, 1.6kV, 70A, 150mA, eupec EconoBRIDGE
tariffCode: 85423911
Haltestrom, max.: 200
hazardous: false
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 650
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 70
Zündspannung, max.: 2.5
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6
SCR-Modul: Brückengleichrichter, dreiphasig - SCR
Anzahl der Pins: 22
Produktpalette: eupec EconoBRIDGE
Zündstrom, max.: 150
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3034TRL7PP INFN-S-A0012905555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS3034TRL7PP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+209.98 грн
250+189.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R070P6XKSA1 INFNS30563-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R070P6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R070P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53.5 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+501.60 грн
10+409.50 грн
100+236.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF INFN-S-A0012838399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF9362TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+61.43 грн
250+40.46 грн
1000+26.57 грн
2000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 1686479.pdf
ESD5V0S1U02VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 1686479.pdf
ESD5V0S1U02VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD5V0S1U02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 14.5 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+35.03 грн
37+22.61 грн
100+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6305E6327HTSA1 INFNS15694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR6305E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6305E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.3 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.3pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+10.53 грн
500+9.32 грн
1000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6702VH6327XTSA1 INFNS15417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR6702VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6702VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1.5 ohm, 150 V, SC-79, 2 Pins, 0.35 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.35pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 200mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+12.75 грн
250+10.11 грн
1000+8.48 грн
5000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6304WH6327XTSA1 INFNS15694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR6304WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6304WH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1 ohm, 50 V, SOT-323, 3 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+5.47 грн
1000+4.79 грн
5000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR66E6327HTSA1 INFNS15697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAR66E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR66E6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 1.8 ohm, 150 V, SOT-23, 3 Pins, 0.9 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 150V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.9pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAR66
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 200mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+6.77 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYT2BL5CAAQ0AZEGS 3795128.pdf
CYT2BL5CAAQ0AZEGS
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT2BL5CAAQ0AZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT2BL Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, 32 Bit, 160 MHz, 4 MB
tariffCode: 85423190
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F
hazardous: false
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 5A992.c
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 39Kanäle
Programmspeichergröße: 4MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 160MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: Traveo T2G
RAM-Speichergröße: 512KB
MCU-Baureihe: CYT2BL
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 78I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT2BL Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1460.40 грн
10+1167.66 грн
25+1018.00 грн
50+869.70 грн
100+786.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4006E6327HTSA1 INFNS19700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS4006E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS4006E6327HTSA1 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS4
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+11.18 грн
500+7.71 грн
1000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPSIRS200XTOBO1 Infineon-EVAL-PS-IRS200x-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ae54769b13bd6
EVALPSIRS200XTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALPSIRS200XTOBO1 - Evaluationsboard, IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+12653.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BPLUSOFFLOADBOARDTOBO1 Infineon-LITIX_Basic+_Offload_Board-PP-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167a839aa5c15e3
BPLUSOFFLOADBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BPLUSOFFLOADBOARDTOBO1 - Demoboard, TLD1114-1EP, LED-Treiber, linear, 0.36A, 7Vout, 8V bis 16V
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLD1114-1EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 360mA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 7V
Core-Chip: TLD1114-1EP
Eingangsspannung, max.: 16V
Dimmsteuerung: -
euEccn: NLR
Bausteintopologie: Linear
Eingangsspannung, min.: 8V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+5655.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR18N15DTRPBF 139872.pdf
IRFR18N15DTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR18N15DTRPBF - Leistungs-MOSFET, SNT, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.125 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 110
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4620TRL 2332921.pdf
AUIRFR4620TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR4620TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+268.07 грн
50+232.71 грн
100+181.73 грн
500+150.42 грн
1500+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4620TRL 2332921.pdf
AUIRFR4620TRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR4620TRL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 144W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+181.73 грн
500+150.42 грн
1500+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4620 2332921.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFR4620 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.064 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 24
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 144
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 INFNS30154-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS7004WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS7004WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 100mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 70mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4247AZI-L485 CYPR-S-A0012903475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4247AZI-L485
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4247AZI-L485 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C42xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 53I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C42xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+867.52 грн
10+764.74 грн
25+703.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27
IRFH9310TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+144.72 грн
50+99.50 грн
250+66.85 грн
1000+45.81 грн
2000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5053TRPBF IRSDS11430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5053TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+171.04 грн
10+116.77 грн
100+83.87 грн
500+61.85 грн
1000+53.00 грн
5000+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRB11BPSA1 2577587.pdf
TDB6HK180N16RRB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRB11BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 140A
Produktpalette: EconoBRIDGE
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+6874.40 грн
5+6779.83 грн
10+6685.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRBPSA1 2577588.pdf
TDB6HK180N16RRBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDB6HK180N16RRBPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 515W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 515W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 140A
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 140A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+7307.75 грн
5+6635.11 грн
10+5962.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF INFN-S-A0012837968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8734TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+57.23 грн
250+37.66 грн
1000+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF INFN-S-A0012837859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3711ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+75.49 грн
14+61.10 грн
100+46.87 грн
500+39.32 грн
1000+30.73 грн
5000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711ZTRPBF INFN-S-A0012837859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR3711ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3711ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 93 A, 0.0045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+46.87 грн
500+39.32 грн
1000+30.73 грн
5000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1009D-10VXI. 2349104.pdf
CY7C1009D-10VXI.
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1009D-10VXI. - SRAM, 1MBIT, PARALLEL, 10NS, SOJ-32
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
Versorgungsspannung: 4.5V to 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 hours
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 1Mbit
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchronous SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8bit
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+327.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45SXI CYPR-S-A0011166944-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62128EV30LL-45SXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45SXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+206.40 грн
10+193.24 грн
25+187.48 грн
50+170.27 грн
100+154.36 грн
250+151.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45SXIT CYPRS08954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62128EV30LL-45SXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+142.37 грн
250+140.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62128EV30LL-45SXIT CYPRS08954-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY62128EV30LL-45SXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY62128EV30LL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+186.66 грн
10+174.33 грн
25+168.57 грн
50+155.00 грн
100+142.37 грн
250+140.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B104Q-SXI CYPR-S-A0005170219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY15B104Q-SXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B104Q-SXI - FRAM, 4MB (512K x 8), SPI, 40MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 40MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2285.98 грн
5+2217.73 грн
10+2053.27 грн
25+1845.53 грн
50+1623.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT68E6327HTSA1 infineon-bat68series-ds-en.pdf
BAT68E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT68E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT68
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 57155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+8.96 грн
500+7.86 грн
1000+6.93 грн
5000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-014008-EVAL 2148637.pdf
CYBLE-014008-EVAL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-014008-EVAL - Evaluationsboard, Bluetooth, EZ-BLE™ PRoC
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard, EZ-BLE-PSoC-Modul (separat erhältlich)
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1418.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF80R12W2H3FB11BPSA1 INFN-S-A0003069733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DF80R12W2H3FB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DF80R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 80 A, 1.55 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 80A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4107.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9210823QXAPPKITTOBO1 4474166.pdf
TLE9210823QXAPPKITTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9210823QXAPPKITTOBO1 - EVALUATION BOARD, MULTI-MOSFET DRIVER
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE92108-231QX/TLE92108-232QX
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE92108-231QX/TLE92108-232QX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Multi-MOSFET-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3951.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R160C6FKSA1 INFN-S-A0004583452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R160C6FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+324.81 грн
10+253.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R090CFD7XKSA1 3189139.pdf
IPW65R090CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+444.86 грн
10+352.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRSDS11330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+93.74 грн
250+67.18 грн
1000+46.42 грн
3000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF INFN-S-A0012905623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3915TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+140.61 грн
10+92.10 грн
100+63.32 грн
500+46.58 грн
1000+39.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8259TRPBF 332458.pdf
IRLR8259TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF INFN-S-A0012905543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR6225TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR6225TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2703TRPBF INFN-S-A0012905542-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR2703TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+68.66 грн
250+45.88 грн
1000+32.53 грн
2000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF INFN-S-A0012905623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3915TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+63.32 грн
500+46.58 грн
1000+39.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3110ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 8083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+120.06 грн
250+87.16 грн
1000+61.24 грн
3000+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 56535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+17.10 грн
250+12.66 грн
1000+7.51 грн
5000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R210CFD7XKSA1 Infineon-IPP60R210CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633ab586a43b16
IPP60R210CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R210CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+169.39 грн
10+144.72 грн
100+119.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL1K4WZVSFBCFD7TOBO1 Infineon-General_description_evaluation_board_EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7-ATI-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626176435901617b035538189c
EVAL1K4WZVSFBCFD7TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1K4WZVSFBCFD7TOBO1 - Evaluationsboard, Vollbrücken-Lösung, SNT, ZVS PSFB, Industrie/Server-Anwendungen, 1.4kW
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IPP60R170CFD7
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IPP60R170CFD7
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Unterart Anwendung: SNT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+38804.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 250 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 287 328 369 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]