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IRFSL4310ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFSL4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 0.0048 ohm, TO-262, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 127 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF40B207 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF40B207 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 3600 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF40R207 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF40R207 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF4104PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF40H210 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF40H210 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 201 A, 0.0014 ohm, PQFN, OberflächenmontageSVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRF40H210 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF40H210 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 201 A, 0.0014 ohm, PQFN, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 201 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 125 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.7 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
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IRF7379TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7379TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.038 ohm, SOIC, OberflächenmontageSVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
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IRF7379TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7379TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.038 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 5.8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
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IRLR3114ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 15720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFI4228PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI4228PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 34 A, 0.0122 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 34 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 46 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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ICE5QR2270AZXKLA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ICE5QR2270AZXKLA1 - PWM-Controller, quasi-resonant, 10V bis 25.5V Versorgungsspannung, 3.6Vin, 700V/5.8Aout, DIP-7tariffCode: 85423990 Schaltfrequenz: - rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung Leistungsschalter: 700V Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DIP Maximale Nennleistung: 22W MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 300V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 85V Topologie: Flyback Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Isolation: Isoliert Nennstrom Leistungsschalter: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY7C1049G30-10VXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1049G30-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 VtariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: SOJ rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY7C1049GN30-10VXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 3.6 VtariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 2.2V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY7C1049GN30-10VXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 VtariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: SOJ rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit IC-Gehäuse / Bauform: SOJ Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 10ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Speichergröße: 4Mbit Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAR6303WE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR6303WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, SOD-323, 2 Pins, 0.21 pFtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach usEccn: EAR99 Sperrspannung: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Durchlassspannung: 1.2V Diodenkapazität: 0.21pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BAR63 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAT1705WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT1705WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 4 V, 130 mA, 600 mV, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT17 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAT1704WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT1704WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT17 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAT1704E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT1704E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-23tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 4V Durchlassstrom If, max.: 130mA euEccn: NLR Durchlassspannung: 600mV Diodenkapazität: 0.55pF Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BAT17 productTraceability: No Durchlassstrom: 130mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAT1707E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT1707E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-143tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-143 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 4V euEccn: NLR Durchlassspannung: 600mV Diodenkapazität: 0.55pF Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Durchlassstrom: 130mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAT1704WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT1704WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT17 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAT17E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT17E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.75 pF, SOT-23Bauform - Diode: SOT-23 Diodenkonfiguration: Einfach Sperrspannung: 4 Durchlassstrom If, max.: 130 Durchlassspannung: 600 Diodenkapazität: 0.75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: BAT17 Durchlassstrom: 130 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
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BAT17E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT17E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.75 pF, SOT-23SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IDH03SG60CXKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH03SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLS850C2TEV33BOARDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLS850C2TEV33BOARDTOBO1 - Demoboard, TLS850C2TEVxx, Power-Management, LinearreglertariffCode: 84733020 Prozessorkern: TLS850C2TEVxx Kit-Anwendungsbereich: Power-Management productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Demoboard TLS850C2TEVxx euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Linearregler hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPP076N15N5AKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 5900 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CYUSB3ACC-007 | INFINEON |
Description: INFINEON - CYUSB3ACC-007 - CPLD-Erweiterungsboard, für EZ-USB® FX3™ SuperSpeed-Explorer-KittariffCode: 84733080 Art des Zubehörs: CPLD-Erweiterungsboard productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: EZ-USB FX3 SuperSpeed-Explorer-Kit CYUSB3KIT-003 usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDWD30G120C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDWD30G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 154nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDWD15G120C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDWD15G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 49 A, 82 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 82nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDH16G120C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH16G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDWD10G120C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDWD10G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDWD20G120C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDWD20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 62 A, 106 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 106nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 62A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDWD40G120C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDWD40G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 202nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDH05G120C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH05G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDW15G120C5BFKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDW15G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 49 A, 82 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 82nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDW30G120C5BFKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDW30G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 154nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BGA715N7E6327XTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BGA715N7E6327XTSA2 - HF-Verstärker, 20dB Verstärkung / 0.7dB Rauschmaß, 1.55GHz-1.615GHz, 1.5V-3.3V Versorgung, TSNP-7tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: 0.7dB Bauform - HF-IC: TSNP Verstärkung: 20dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSNP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 1.55GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 7Pin(s) Frequenzgang HF, max.: 1.615GHz Produktpalette: - productTraceability: No Frequenzgang HF, min.: 1.55GHz Versorgungsspannung, max.: 3.3V Frequenz, max.: 1.615GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C Verstärkung, typ.: 20dB SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BGA715N7E6327XTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BGA715N7E6327XTSA2 - HF-Verstärker, 20dB Verstärkung / 0.7dB Rauschmaß, 1.55GHz-1.615GHz, 1.5V-3.3V Versorgung, TSNP-7tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES Rauschmaß, typ.: 0.7dB Bauform - HF-IC: TSNP Verstärkung: 20dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSNP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 1.55GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 7Pin(s) Frequenzgang HF, max.: 1.615GHz Produktpalette: - productTraceability: No Frequenzgang HF, min.: 1.55GHz Versorgungsspannung, max.: 3.3V Frequenz, max.: 1.615GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C Verstärkung, typ.: 20dB SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFU5410PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU5410PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 66W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFU120NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFU4510PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 143W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFU4615PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.042 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFU3910PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU3910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFU6215PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU6215PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-251AA, DurchsteckmontageSVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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IRFU3607PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY14B108N-ZSP25XI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY14B108N-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 8MB, 512Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-54tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 25ns Zugriffszeit für Lesen: 25ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8C27443-24PVXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C27443-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C27x43 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 16 KB, 28 Pin(s)tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 14 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: M8C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SSOP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 12Kanäle Programmspeichergröße: 16KB Versorgungsspannung, min.: 3V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 1 RAM-Speichergröße: 256Byte MCU-Baureihe: CY8C27x43 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C27x43 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SPP20N65C3XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SPP20N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.16 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8C24423A-24PVXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C24423A-24PVXIT - 8-Bit-MCU, PSoC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 28 Pin(s), SSOPtariffCode: 85423190 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Programmspeichergröße: 4KB Betriebstemperatur, max.: 85°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Pins: 28Pin(s) Betriebstemperatur, min.: -40°C RAM-Speichergröße: 256Byte ADC-Kanäle: 10Kanäle MSL: MSL 3 - 168 Stunden MCU-Familie: PSoC 1 hazardous: false IC-Montage: Oberflächenmontage MCU-Baureihe: CY8C24x23A Produktpalette: PSoC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers Embedded-Schnittstelle: I2C, SPI, UART Bausteinkern: M8C euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SSOP Bauform - MCU: SSOP Schnittstellen: I2C, SPI, UART ADC-Auflösung: 14 Bit Versorgungsspannung, min.: 2.4V CPU-Geschwindigkeit: 24MHz Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s) Qualifikation: - Betriebsfrequenz, max.: 24MHz rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY8C24423A-24PVXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C24423A-24PVXIT - 8-Bit-MCU, PSoC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 28 Pin(s), SSOPtariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 14 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: M8C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SSOP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 10Kanäle Programmspeichergröße: 4KB Versorgungsspannung, min.: 2.4V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 1 RAM-Speichergröße: 256Byte MCU-Baureihe: CY8C24x23A Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: PSoC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BFP405H6740XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP405H6740XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 75 Übergangsfrequenz ft: 25 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BFP405FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP405FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, TSFPtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 12mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 55mW euEccn: NLR Verlustleistung: 55mW Bauform - Transistor: TSFP Bauform - HF-Transistor: TSFP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 12mA Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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BFP405FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP405FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, TSFPtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 12mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 55mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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BFP405H6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP405H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 25mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 25GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BFP405 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFP405 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, SOT-343Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 95 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 55 Übergangsfrequenz ft: 25 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
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FD300R17KE4PHOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FD300R17KE4PHOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 300 A, 1.95 V, 150 °C, ModuleIGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: C IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 300 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
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FS300R12OE4PNOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS300R12OE4PNOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 300 A, 1.75 V, 150 °C, ModuleIGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: EconoPACK+ IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 300 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
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IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
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IRF9388TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9388TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 8500 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF9332TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IRFSL4310ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFSL4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 0.0048 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 127
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFSL4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 0.0048 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 127
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 248.98 грн |
| 10+ | 217.04 грн |
| IRF40B207 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF40B207 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 3600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF40B207 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 3600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 56.59 грн |
| 19+ | 44.80 грн |
| 100+ | 43.41 грн |
| 500+ | 33.46 грн |
| 1000+ | 28.36 грн |
| IRF40R207 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 60.52 грн |
| 50+ | 47.01 грн |
| 100+ | 39.31 грн |
| IRF40R207 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.31 грн |
| IRF4104PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 156.43 грн |
| 10+ | 103.19 грн |
| 100+ | 75.35 грн |
| IRF40H210 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF40H210 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 201 A, 0.0014 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF40H210 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 201 A, 0.0014 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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| IRF40H210 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF40H210 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 201 A, 0.0014 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 201
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF40H210 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 201 A, 0.0014 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 201
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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| IRF7379TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7379TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7379TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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| IRF7379TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7379TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF7379TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 5.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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| IRLR3114ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 134.32 грн |
| 50+ | 90.91 грн |
| 250+ | 62.41 грн |
| 1000+ | 42.21 грн |
| 3000+ | 36.93 грн |
| IRFI4228PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4228PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 34 A, 0.0122 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 34
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFI4228PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 34 A, 0.0122 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 34
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ICE5QR2270AZXKLA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5QR2270AZXKLA1 - PWM-Controller, quasi-resonant, 10V bis 25.5V Versorgungsspannung, 3.6Vin, 700V/5.8Aout, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 22W
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 300V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - ICE5QR2270AZXKLA1 - PWM-Controller, quasi-resonant, 10V bis 25.5V Versorgungsspannung, 3.6Vin, 700V/5.8Aout, DIP-7
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: -
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 22W
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 300V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 85V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isoliert
Nennstrom Leistungsschalter: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 86.81 грн |
| 11+ | 80.92 грн |
| 50+ | 74.94 грн |
| 100+ | 64.11 грн |
| CY7C1049G30-10VXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1049G30-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - CY7C1049G30-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| CY7C1049GN30-10VXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10VXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 544.64 грн |
| 10+ | 496.31 грн |
| 25+ | 484.85 грн |
| 50+ | 443.37 грн |
| 100+ | 399.44 грн |
| CY7C1049GN30-10VXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY7C1049GN30-10VXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, SOJ, 36 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: SOJ
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 512K x 8bit
IC-Gehäuse / Bauform: SOJ
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 10ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Speichergröße: 4Mbit
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BAR6303WE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR6303WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, SOD-323, 2 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BAR6303WE6327HTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 1 ohm, 50 V, SOD-323, 2 Pins, 0.21 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.21pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR63
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 10.97 грн |
| 128+ | 6.42 грн |
| 159+ | 5.17 грн |
| 500+ | 4.43 грн |
| 1000+ | 3.90 грн |
| 5000+ | 3.09 грн |
| BAT1705WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1705WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 4 V, 130 mA, 600 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT17
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAT1705WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 4 V, 130 mA, 600 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT17
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 12.61 грн |
| 93+ | 8.85 грн |
| 100+ | 8.60 грн |
| 500+ | 7.45 грн |
| 1000+ | 6.73 грн |
| 5000+ | 5.05 грн |
| BAT1704WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1704WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT17
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAT1704WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT17
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 31.37 грн |
| 40+ | 20.56 грн |
| 100+ | 13.43 грн |
| 500+ | 9.43 грн |
| 1000+ | 7.51 грн |
| 5000+ | 6.11 грн |
| BAT1704E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1704E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
Durchlassstrom If, max.: 130mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 600mV
Diodenkapazität: 0.55pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT17
productTraceability: No
Durchlassstrom: 130mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAT1704E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einpaarig in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-23
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einpaarig in Reihe
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
Durchlassstrom If, max.: 130mA
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 600mV
Diodenkapazität: 0.55pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT17
productTraceability: No
Durchlassstrom: 130mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 12.61 грн |
| 101+ | 8.17 грн |
| 108+ | 7.62 грн |
| 500+ | 6.35 грн |
| 1000+ | 5.45 грн |
| BAT1707E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1707E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 600mV
Diodenkapazität: 0.55pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Durchlassstrom: 130mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAT1707E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.55 pF, SOT-143
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-143
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4V
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 600mV
Diodenkapazität: 0.55pF
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Durchlassstrom: 130mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 26.62 грн |
| 51+ | 16.13 грн |
| 100+ | 12.86 грн |
| 500+ | 11.33 грн |
| 1000+ | 10.04 грн |
| 5000+ | 9.41 грн |
| BAT1704WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT1704WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT17
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BAT1704WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 4 V, 130 mA, 600 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT17
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.43 грн |
| 500+ | 9.43 грн |
| 1000+ | 7.51 грн |
| 5000+ | 6.11 грн |
| BAT17E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT17E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.75 pF, SOT-23
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrspannung: 4
Durchlassstrom If, max.: 130
Durchlassspannung: 600
Diodenkapazität: 0.75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT17
Durchlassstrom: 130
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - BAT17E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.75 pF, SOT-23
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrspannung: 4
Durchlassstrom If, max.: 130
Durchlassspannung: 600
Diodenkapazität: 0.75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BAT17
Durchlassstrom: 130
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BAT17E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT17E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.75 pF, SOT-23
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - BAT17E6327HTSA1 - HF-Schottky-Diode, Einfach, 4 V, 130 mA, 600 mV, 0.75 pF, SOT-23
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IDH03SG60CXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH03SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IDH03SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 134.32 грн |
| 10+ | 92.55 грн |
| 100+ | 73.71 грн |
| TLS850C2TEV33BOARDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS850C2TEV33BOARDTOBO1 - Demoboard, TLS850C2TEVxx, Power-Management, Linearregler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLS850C2TEVxx
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLS850C2TEVxx
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Linearregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - TLS850C2TEV33BOARDTOBO1 - Demoboard, TLS850C2TEVxx, Power-Management, Linearregler
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLS850C2TEVxx
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLS850C2TEVxx
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Linearregler
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4299.75 грн |
| IPP076N15N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 5900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 191.65 грн |
| 10+ | 167.90 грн |
| 100+ | 139.23 грн |
| CYUSB3ACC-007 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB3ACC-007 - CPLD-Erweiterungsboard, für EZ-USB® FX3™ SuperSpeed-Explorer-Kit
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: CPLD-Erweiterungsboard
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: EZ-USB FX3 SuperSpeed-Explorer-Kit CYUSB3KIT-003
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - CYUSB3ACC-007 - CPLD-Erweiterungsboard, für EZ-USB® FX3™ SuperSpeed-Explorer-Kit
tariffCode: 84733080
Art des Zubehörs: CPLD-Erweiterungsboard
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: EZ-USB FX3 SuperSpeed-Explorer-Kit CYUSB3KIT-003
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4831.28 грн |
| IDWD30G120C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD30G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 154nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDWD30G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 154nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1071.25 грн |
| 5+ | 830.47 грн |
| 10+ | 588.86 грн |
| 50+ | 512.58 грн |
| 100+ | 441.56 грн |
| 250+ | 432.43 грн |
| IDWD15G120C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD15G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 49 A, 82 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 82nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDWD15G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 49 A, 82 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 82nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 615.07 грн |
| 5+ | 524.98 грн |
| 10+ | 434.89 грн |
| 50+ | 370.36 грн |
| 100+ | 310.28 грн |
| IDH16G120C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH16G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDH16G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 517.61 грн |
| 10+ | 284.19 грн |
| 100+ | 259.62 грн |
| IDWD10G120C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD10G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDWD10G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 458.64 грн |
| 10+ | 260.44 грн |
| IDWD20G120C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 62 A, 106 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 106nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 62A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDWD20G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 62 A, 106 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 106nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 62A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 670.76 грн |
| 5+ | 527.44 грн |
| 10+ | 383.29 грн |
| 50+ | 335.38 грн |
| 100+ | 290.63 грн |
| IDWD40G120C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD40G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 202nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDWD40G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 202nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G 1200V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1063.06 грн |
| 5+ | 855.04 грн |
| 10+ | 646.19 грн |
| 50+ | 557.45 грн |
| 100+ | 475.25 грн |
| IDH05G120C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH05G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDH05G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 311.22 грн |
| 10+ | 150.70 грн |
| 100+ | 137.59 грн |
| IDW15G120C5BFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW15G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 49 A, 82 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 82nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDW15G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 49 A, 82 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 82nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 591.32 грн |
| 10+ | 353.81 грн |
| 100+ | 316.95 грн |
| IDW30G120C5BFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW30G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 154nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IDW30G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 154nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 87A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 864.04 грн |
| 5+ | 693.69 грн |
| 10+ | 523.34 грн |
| 50+ | 478.35 грн |
| 100+ | 434.54 грн |
| 250+ | 426.11 грн |
| BGA715N7E6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA715N7E6327XTSA2 - HF-Verstärker, 20dB Verstärkung / 0.7dB Rauschmaß, 1.55GHz-1.615GHz, 1.5V-3.3V Versorgung, TSNP-7
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.7dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 20dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 1.615GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 1.55GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Verstärkung, typ.: 20dB
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BGA715N7E6327XTSA2 - HF-Verstärker, 20dB Verstärkung / 0.7dB Rauschmaß, 1.55GHz-1.615GHz, 1.5V-3.3V Versorgung, TSNP-7
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.7dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 20dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 1.615GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 1.55GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Verstärkung, typ.: 20dB
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 158.89 грн |
| 10+ | 101.56 грн |
| 50+ | 90.09 грн |
| 100+ | 63.88 грн |
| 250+ | 51.18 грн |
| 500+ | 48.44 грн |
| 1000+ | 40.72 грн |
| 2500+ | 39.87 грн |
| BGA715N7E6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA715N7E6327XTSA2 - HF-Verstärker, 20dB Verstärkung / 0.7dB Rauschmaß, 1.55GHz-1.615GHz, 1.5V-3.3V Versorgung, TSNP-7
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.7dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 20dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 1.615GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 1.55GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Verstärkung, typ.: 20dB
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BGA715N7E6327XTSA2 - HF-Verstärker, 20dB Verstärkung / 0.7dB Rauschmaß, 1.55GHz-1.615GHz, 1.5V-3.3V Versorgung, TSNP-7
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.7dB
Bauform - HF-IC: TSNP
Verstärkung: 20dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSNP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Frequenzgang HF, max.: 1.615GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
Frequenzgang HF, min.: 1.55GHz
Versorgungsspannung, max.: 3.3V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Verstärkung, typ.: 20dB
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 63.88 грн |
| 250+ | 51.18 грн |
| 500+ | 48.44 грн |
| 1000+ | 40.72 грн |
| 2500+ | 39.87 грн |
| IRFU5410PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU5410PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFU5410PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 111.38 грн |
| 13+ | 67.73 грн |
| 100+ | 50.37 грн |
| 500+ | 40.38 грн |
| 1000+ | 32.92 грн |
| IRFU120NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 63.64 грн |
| 27+ | 30.71 грн |
| 100+ | 28.66 грн |
| 500+ | 25.25 грн |
| 1000+ | 21.20 грн |
| 5000+ | 20.78 грн |
| IRFU4510PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 95.00 грн |
| 14+ | 60.69 грн |
| 100+ | 57.41 грн |
| 500+ | 51.87 грн |
| 1000+ | 47.81 грн |
| IRFU4615PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.042 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFU4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.042 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 194.10 грн |
| 10+ | 87.63 грн |
| 100+ | 80.34 грн |
| 500+ | 60.08 грн |
| 1000+ | 55.39 грн |
| 5000+ | 55.32 грн |
| IRFU3910PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU3910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFU3910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 44.23 грн |
| 100+ | 42.92 грн |
| 500+ | 32.85 грн |
| 1000+ | 27.24 грн |
| IRFU6215PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU6215PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: INFINEON - IRFU6215PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFU3607PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 53.56 грн |
| 100+ | 53.48 грн |
| 500+ | 49.58 грн |
| 1000+ | 45.70 грн |
| 5000+ | 45.63 грн |
| CY14B108N-ZSP25XI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY14B108N-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 8MB, 512Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-54
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY14B108N-ZSP25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 8MB, 512Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-54
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 25ns
Zugriffszeit für Lesen: 25ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5099.09 грн |
| 5+ | 4904.99 грн |
| 10+ | 4710.07 грн |
| 25+ | 4218.49 грн |
| CY8C27443-24PVXI | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C27443-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C27x43 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 16 KB, 28 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 3V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C27x43
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C27x43 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C27443-24PVXI - 8-Bit-MCU, PSOC1, PSOC 1 Family CY8C27x43 Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 16 KB, 28 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 3V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C27x43
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: PSOC 1 Family CY8C27x43 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 887.80 грн |
| 10+ | 695.33 грн |
| 25+ | 621.62 грн |
| 50+ | 552.12 грн |
| 100+ | 485.78 грн |
| 250+ | 475.25 грн |
| SPP20N65C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP20N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - SPP20N65C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.16 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 330.06 грн |
| 10+ | 328.42 грн |
| 100+ | 140.05 грн |
| 500+ | 112.55 грн |
| CY8C24423A-24PVXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C24423A-24PVXIT - 8-Bit-MCU, PSoC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 28 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Programmspeichergröße: 4KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 256Byte
ADC-Kanäle: 10Kanäle
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
MCU-Familie: PSoC 1
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C24x23A
Produktpalette: PSoC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers
Embedded-Schnittstelle: I2C, SPI, UART
Bausteinkern: M8C
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Bauform - MCU: SSOP
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
ADC-Auflösung: 14 Bit
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C24423A-24PVXIT - 8-Bit-MCU, PSoC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 28 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Programmspeichergröße: 4KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 256Byte
ADC-Kanäle: 10Kanäle
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
MCU-Familie: PSoC 1
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: CY8C24x23A
Produktpalette: PSoC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers
Embedded-Schnittstelle: I2C, SPI, UART
Bausteinkern: M8C
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Bauform - MCU: SSOP
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
ADC-Auflösung: 14 Bit
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
CPU-Geschwindigkeit: 24MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 250.61 грн |
| 250+ | 238.68 грн |
| 500+ | 231.66 грн |
| CY8C24423A-24PVXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C24423A-24PVXIT - 8-Bit-MCU, PSoC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 28 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 10Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C24x23A
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: PSoC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - CY8C24423A-24PVXIT - 8-Bit-MCU, PSoC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers, M8C, 24 MHz, 4 KB, 28 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 14 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: M8C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 10Kanäle
Programmspeichergröße: 4KB
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 1
RAM-Speichergröße: 256Byte
MCU-Baureihe: CY8C24x23A
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 24I/O(s)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: PSoC 1 Family CY8C24x23A Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 454.54 грн |
| 10+ | 342.34 грн |
| 25+ | 321.87 грн |
| 50+ | 295.83 грн |
| 100+ | 250.61 грн |
| 250+ | 238.68 грн |
| 500+ | 231.66 грн |
| BFP405H6740XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP405H6740XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Übergangsfrequenz ft: 25
Bauform - HF-Transistor: SOT-343
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - BFP405H6740XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Übergangsfrequenz ft: 25
Bauform - HF-Transistor: SOT-343
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 39.72 грн |
| 24+ | 34.32 грн |
| 100+ | 25.72 грн |
| 500+ | 18.78 грн |
| 1000+ | 12.14 грн |
| BFP405FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP405FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, TSFP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 12mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 55mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55mW
Bauform - Transistor: TSFP
Bauform - HF-Transistor: TSFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12mA
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BFP405FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, TSFP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 12mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 55mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55mW
Bauform - Transistor: TSFP
Bauform - HF-Transistor: TSFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12mA
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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| BFP405FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP405FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, TSFP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 12mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BFP405FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, TSFP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 12mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| BFP405H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP405H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BFP405H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 75 mW, 25 mA, SOT-343
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75mW
Bauform - Transistor: SOT-343
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 25GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 29.89 грн |
| 46+ | 18.02 грн |
| 100+ | 17.85 грн |
| BFP405 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP405 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, SOT-343
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 95
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Übergangsfrequenz ft: 25
Bauform - HF-Transistor: SOT-343
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BFP405 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, SOT-343
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 95
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Übergangsfrequenz ft: 25
Bauform - HF-Transistor: SOT-343
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
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| FD300R17KE4PHOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FD300R17KE4PHOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 300 A, 1.95 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: C
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FD300R17KE4PHOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 300 A, 1.95 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: C
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
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| FS300R12OE4PNOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS300R12OE4PNOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 300 A, 1.75 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPACK+
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FS300R12OE4PNOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 300 A, 1.75 V, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPACK+
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
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| IKW50N65H5FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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| IRF9388TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9388TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 8500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9388TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 8500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 12A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 86.00 грн |
| 50+ | 52.01 грн |
| 250+ | 34.07 грн |
| IRF9332TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.































