НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SB(MSB)709RMOT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB(PB)709ARPHI
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB(PB)709ASPHI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB-ALP28HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 28V SLIDE
товар відсутній
2SB-ALP60HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs LED Lamp T2 ANSI No. 2 60V Slide Amber
товар відсутній
2SB-BCA6HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 6V SLIDE
Packaging: Bulk
Color: Amber
Wavelength: 583nm
Size / Dimension: T- 2
Millicandela Rating: 100mcd
Configuration: Single
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 6V
Applications: General Purpose Lighting
Base Type: Telephone Slide Short
Can Replace Lamps: Multiple T2 Telephone Slide Base Lamps
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2SB-BCG24HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs LED Lamp T2 ANSI No. 2 24VDC Slide Base Green
товар відсутній
2SB-BCR120Visual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 120V SLID
Packaging: Bulk
Color: Red
Wavelength: 635nm
Size / Dimension: T- 2
Millicandela Rating: 120mcd
Configuration: Single
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 120VAC
Applications: General Purpose Lighting
Base Type: Telephone Slide Short
Can Replace Lamps: Multiple T2 Telephone Slide Base Lamps
товар відсутній
2SB-BCR12HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 12V SLIDE
Packaging: Bulk
Color: Red
Wavelength: 635nm
Size / Dimension: T- 2
Millicandela Rating: 120mcd
Configuration: Single
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 12V
Applications: General Purpose Lighting
Base Type: Telephone Slide Short
Can Replace Lamps: Multiple T2 Telephone Slide Base Lamps
товар відсутній
2SB-BCR5HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs PCN #517 OBSOLETE
товар відсутній
2SB-BCR60HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs LED Lamp T2 ANSI No. 2 60V Slide Red
товар відсутній
2SB-BCR60HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 60V SLIDE
товар відсутній
2SB-BCR6HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs LED Lamp T2 ANSI No. 2 6V Slide Red
товар відсутній
2SB-BCR6HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 6V SLIDE
товар відсутній
2SB-BG120Visual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 120V SLID
товар відсутній
2SB-BG12HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 12V SLIDE
товар відсутній
2SB-BG24HVisual Communications Company - VCCDescription: LED T-2 ANSI NO.2 24VDC SLIDE BA
Packaging: Bulk
товар відсутній
2SB-BG5HVisual Communications Company - VCCDescription: LED T-2 ANSI NO.2 5VDC SLIDE BAS
Packaging: Bulk
товар відсутній
2SB-BR24HVisual Communications Company - VCCDescription: LED T-2 ANSI NO.2 24VDC SLIDE BA
Packaging: Bulk
товар відсутній
2SB-BR5HVisual Communications Company - VCCDescription: LED T-2 ANSI NO.2 5VDC SLIDE BAS
Packaging: Bulk
товар відсутній
2SB-GLP28HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 28V SLIDE
товар відсутній
2SB-GLP60HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs LED Lamp T2 ANSI No. 2 60V Slide Green
товар відсутній
2SB-LRG48HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs LED Lamp T2 ANSI No. 2 48V Slide RED/GRN
товар відсутній
2SB-LRG48HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 48V SLIDE
товар відсутній
2SB-LRG60HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 60V SLIDE
товар відсутній
2SB-LRG60HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs LED Lamp T2 ANSI No. 2 60V Slide RED/GRN
товар відсутній
2SB-NFA24HVisual Communications Company - VCCDescription: LED T-2 ANSI NO.2 24VDC SLIDE BA
товар відсутній
2SB-NFL120Visual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 120V SLID
товар відсутній
2SB-NFL12HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 12V SLIDE
товар відсутній
2SB-NFL15HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs LED Lamp T2 ANSI No. 2 15V Slide WWht
товар відсутній
2SB-NFL15HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 15V SLIDE
товар відсутній
2SB-NFL60HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 60V SLIDE
Packaging: Bulk
товар відсутній
2SB-NFR120Visual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 120V SLID
Packaging: Bulk
Color: Red
Wavelength: 634nm
Size / Dimension: T- 2
Millicandela Rating: 780mcd
Configuration: Single
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 120VAC
Applications: General Purpose Lighting
Base Type: Telephone Slide Short
Can Replace Lamps: Multiple T2 Telephone Slide Base Lamps
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2SB-NFR15HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 15V SLIDE
товар відсутній
2SB-NFR24HVisual Communications Company - VCCDescription: LED T-2 ANSI NO.2 24VDC SLIDE BA
товар відсутній
2SB-NFR28HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 28V SLIDE
товар відсутній
2SB-NFR28HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs LED Lamp T2 ANSI No. 2 28V Slide Red
товар відсутній
2SB-NFW12HVisual Communications Company - VCCDescription: LED T-2 ANSI NO.2 12VDC SLIDE BA
Packaging: Bulk
Color: White, Cool
Size / Dimension: T- 2
Millicandela Rating: 280mcd
Configuration: Single
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 12V
Applications: General Purpose Lighting
Base Type: Telephone Slide Short
Can Replace Lamps: Multiple T2 Telephone Slide Base Lamps
товар відсутній
2SB-NKG48HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs PCN #517 OBSOLETE
товар відсутній
2SB-NKG48HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 48V SLIDE
товар відсутній
2SB-NKL24HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 24V SLIDE
товар відсутній
2SB-NKO28HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 28V SLIDE
товар відсутній
2SB-NKW60HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 60V SLIDE
товар відсутній
2SB-NWA24HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 24V SLIDE
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1340.2 грн
10+ 973.25 грн
2SB-NWA24HVisual Communications Company, LLCLED Modules Uni-Color Amber 592nm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+171.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SB-NWA24HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs T2 SLIDE BASED AMBER 24V LED LAMP
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1394.13 грн
10+ 1036.89 грн
100+ 738.24 грн
250+ 732.99 грн
500+ 681.15 грн
1000+ 660.81 грн
2500+ 654.25 грн
2SB-NWA60HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs LED Lamp T2 ANSI No. 2 60V Slide Amber
товар відсутній
2SB-NWA60HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 60V SLIDE
товар відсутній
2SB-NWB24HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs T2 SLIDE BASED BLUE 24V LED LAMP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB-NWB24HVisual Communications Company - VCCDescription: LED T-2 ANSI NO.2 24VDC SLIDE CL
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1401.95 грн
10+ 1018.57 грн
2SB-NWB24HVisual Communications Company, LLCLED Modules Uni-Color Blue 465nm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+336.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SB-NWG15HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 15V SLIDE
товар відсутній
2SB-NWG24HVisual Communications Company, LLCLED Modules Uni-Color Green 520nm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SB-NWG24HVisual Communications Company - VCCDescription: LED T-2 ANSI NO.2 24VDC SLIDE GR
Packaging: Bulk
Color: Green
Wavelength: 520nm
Size / Dimension: T- 2
Millicandela Rating: 2400mcd
Configuration: Single
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 24V
Applications: General Purpose Lighting
Base Type: Telephone Slide Standard
Can Replace Lamps: Multiple T2 Telephone Slide Base Lamps
товар відсутній
2SB-NWG24HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs T2 SLIDE BASED GREEN 24V LED LAMP
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1366.57 грн
10+ 1015.76 грн
30+ 756.62 грн
100+ 737.59 грн
250+ 732.99 грн
500+ 680.5 грн
1000+ 650.31 грн
2SB-NWG60HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 60V SLIDE
товар відсутній
2SB-NWO120Visual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 120V SLID
Packaging: Bulk
Color: Orange
Wavelength: 605nm
Size / Dimension: T- 2
Millicandela Rating: 2000mcd
Configuration: Single
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 120VAC
Applications: General Purpose Lighting
Base Type: Telephone Slide Standard
Can Replace Lamps: Multiple T2 Telephone Slide Base Lamps
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2SB-NWO28HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 28V SLIDE
товар відсутній
2SB-NWR24HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs T2 SLIDE BASED RED 24V LED LAMP
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1394.13 грн
10+ 1036.89 грн
100+ 741.53 грн
250+ 736.28 грн
500+ 681.15 грн
1000+ 660.15 грн
2500+ 652.94 грн
2SB-NWR24HVisual Communications Company, LLCLED Modules Uni-Color Red 634nm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+292.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
2SB-NWR24HVisual Communications Company - VCCDescription: LED T-2 ANSI NO.2 24VDC SLIDE CL
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1401.95 грн
10+ 1018.57 грн
2SB-NWW24HVisual Communications Company, LLCLED Modules Uni-Color White
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+231.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SB-NWW24HVisual Communications Company - VCCDescription: LED T-2 ANSI NO.2 24VDC SLIDE WH
Packaging: Bulk
Color: White, Cool
Size / Dimension: T- 2
Millicandela Rating: 2500mcd
Configuration: Single
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 24V
Applications: General Purpose Lighting
Base Type: Telephone Slide Standard
Can Replace Lamps: Multiple T2 Telephone Slide Base Lamps
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1362.2 грн
10+ 989.52 грн
2SB-NWW24HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs T2 SLIDE BASED WHITE 24V LED LAMP
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1366.57 грн
10+ 1015.76 грн
30+ 858.33 грн
100+ 738.24 грн
250+ 732.99 грн
500+ 681.15 грн
1000+ 660.81 грн
2SB-RLP120Visual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 120V SLID
товар відсутній
2SB-RLP120VCCLED Replacement Lamps - Based LEDs LED Lamp T2 ANSI No. 2 120V Slide Red
товар відсутній
2SB-RLP28HVisual Communications Company - VCCDescription: LED LAMP T2 ANSI NO. 2 28V SLIDE
товар відсутній
2SB-RLP60HVCCLED Replacement Lamps - Based LEDs LED Lamp T2 ANSI No. 2 60V Slide Red
товар відсутній
2SB06210RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 25V 1A TO-92
товар відсутній
2SB06210RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 25V 1A TO-92
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB0621ARAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 1A TO-92
товар відсутній
2SB0621ARAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 1A TO-92
товар відсутній
2SB0709A0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 45V 0.1A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0709A0LPANASONICSOT-23 07+
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB0709A0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 45V 0.1A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0709AQLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 45V 0.1A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0709AQLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 45V 0.1A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0709AQLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 45V 0.1A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0709AQLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 45V 0.1A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0709ARLPanasonicPNP 100mA 45V 200mW 80MHz 2SB0709ARL T2SB0709arl
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
600+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 600
2SB0709ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 45V 0.1A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0709ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 45V 0.1A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0709ASBPANASONICSOT23
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB0709ASLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 45V 0.1A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0709ASLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 45V 0.1A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0709AWLPANASONICSOT23
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB071
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB071000LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 25V 0.5A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB071000LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 25V 0.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB07100QLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 25V 0.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB07100RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 25V 0.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB07100SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 25V 0.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0710A0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.5A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0710A0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0710AQLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.5A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0710AQLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0710ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.5A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0710ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0710ASLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0710ASL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB0710ASLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.5A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0766-SPANASONI
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB07660RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 25V 1A MINI-PWR
товар відсутній
2SB07660RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 25V 1A MINI-PWR
товар відсутній
2SB07660RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 25V 1A MINI-PWR
товар відсутній
2SB0766AHLPANASONICSOT89
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB0766ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 1A MINIP3-F1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB0766ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 1A MINIP3-F1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB0766AWLPANASONIC07+ SOT-89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB0766AWLPANASONIC09+
на замовлення 4018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB0766GRLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 1A MINI-PWR
товар відсутній
2SB0766GRLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 1A MINI-PWR
товар відсутній
2SB0766GRLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 1A MINI-PWR
товар відсутній
2SB07670QLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 0.5A MINI PWR
товар відсутній
2SB07670QLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 0.5A MINI PWR
товар відсутній
2SB07670QLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 0.5A MINI PWR
товар відсутній
2SB07670RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 0.5A MINI PWR
товар відсутній
2SB07670RL05+ SOT-89
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB07670RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 0.5A MINI PWR
товар відсутній
2SB07670RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 0.5A MINI PWR
товар відсутній
2SB07740RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 25V 0.1A TO-92
на замовлення 8124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB07740RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 25V 0.1A TO-92
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB07790RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 0.5A MINI-3
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB07890RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 100V 0.5A MINI-PWR
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB07890RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 100V 0.5A MINI-PWR
товар відсутній
2SB07890RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 100V 0.5A MINI-PWR
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB0789AQLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 120V 0.5A MINIP3-F1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB0789AQLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 120V 0.5A MINIP3-F1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB0789ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 120V 0.5A MINIP3-F1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB0789ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 120V 0.5A MINIP3-F1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB0789GRLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 120V 0.5A MINIP-3
товар відсутній
2SB0789GRLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 120V 0.5A MINIP-3
товар відсутній
2SB0789GRLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 120V 0.5A MINIP-3
товар відсутній
2SB07920SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 150V 0.05A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 185 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB07920SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 150V 0.05A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 185 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0792A0LS0PANASONICSOT-23 03+
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB0792ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 185V 0.05A SC-59
товар відсутній
2SB0792ARLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 185V 0.05A SC-59
товар відсутній
2SB0792ARLPANASONICSOT-23 02+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB0792ASLPANASONICSOT-23 02+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB0792ASLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 185V 0.05A MINI 3P
товар відсутній
2SB0792ASLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 185V 0.05A MINI 3P
товар відсутній
2SB08730QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 5A TO-92L
товар відсутній
2SB08730RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 5A TO-92L
товар відсутній
2SB0940APPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 180V 2A TO220F-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220F-A1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SB09420PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 60V 4A TO-220F
товар відсутній
2SB0942APPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 4A TO-220F
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB09430PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 3A TO220F-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220F-A1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SB09440PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 4A TO-220F
товар відсутній
2SB09450QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 5A TO-220F
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB09460PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 7A TO-220F
товар відсутній
2SB0947APPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 40V 10A TO-220F
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB09480PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 10A TO-220F
товар відсутній
2SB0948APPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 40V 10A TO-220F
товар відсутній
2SB09490QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP DARL 60V 2A TO-220F
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB0949AQPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP DARL 80V 2A TO220F-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 4V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220F-A1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SB0950APPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP DARL 80V 4A TO220F-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 3A, 3V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220F-A1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SB09510PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP DARL 60V 8A TO-220F
товар відсутній
2SB0951AQPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP DARL 80V 8A TO220F-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 4A, 3V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220F-A1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SB0953AQPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 40V 7A TO-220F
товар відсутній
2SB09560RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 1A MINIP3-F1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB09560RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 1A MINIP3-F1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB0956GRLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 1A MINIP-3
товар відсутній
2SB0956GRLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 1A MINIP-3
товар відсутній
2SB0956GRLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 1A MINIP-3
товар відсутній
2SB09680RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 40V 1.5A U-G2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-G2
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 10 W
товар відсутній
2SB09680RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 40V 1.5A U-G2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-G2
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 10 W
товар відсутній
2SB09700RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 10V 0.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB09700SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 10V 0.5A MINI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB09700SLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 10V 0.5A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 8mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB0970X0LPANASONICSOT23
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB09760RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 18V 5A TO-92
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB09760RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 18V 5A TO-92
товар відсутній
2SB100NECCAN
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1000KESENES09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1000SANYO
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1000A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1000AAKHITACHISOT89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1001KESENES09+
на замовлення 109472 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1001NEC
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1001BJTR-ERenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: UPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 16 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
773+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 773
2SB1002HITACHI
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1002CJ90TLRenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
706+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 706
2SB1002CJTLHIT07+ SOT-89
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1002CJTLHITACHISOT89
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1002CJTRRenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
товар відсутній
2SB1003M3-TL-ESANYOSOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1005
на замовлення 9985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1007
на замовлення 17458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1008
на замовлення 25412 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1009
на замовлення 34578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB101NECCAN
на замовлення 697 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1010
Код товару: 152663
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92L
fT: 100 MHz
Uке, В: 32 V
Uкб, В: 40 V
Iк, А: 2 А
у наявності 49 шт:
29 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+10 грн
10+ 8.3 грн
2SB1010ROHMTO-92L
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1010; биполярный; PNP; 0,2A; 40V; 0,75W; 40 Mhz; Корпус: TO-92
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+216.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SB1011PANASONIC2005
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1011Panasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 400V 0.1A TO-126
товар відсутній
2SB1012HIT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1013
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1013TP-3onsemiDescription: BIP PNP 2A 16V
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 2664
2SB1013TP-3ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1013TP-3 - 2SB1013 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 2A 16V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 3206
2SB1013TP-3onsemionsemi
товар відсутній
2SB1013TP-3ON Semiconductor2SB1013TP-3
товар відсутній
2SB1014NECTO-92
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1015TOS96 TO220
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1015
Код товару: 152664
SavanticТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220FA
fT: 9 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 3 А
у наявності 16 шт:
8 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+9 грн
2SB1015-YSAMSUNGTO-126
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1015-YTOS
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1016
на замовлення 10245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1016
Код товару: 152665
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TP-220F
fT: 5 MHz
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 5 A
h21,max: 240
товар відсутній
2SB1016-YTOSHIBATO-220
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1017
на замовлення 25462 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1018
на замовлення 12012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1018A-Y(F)ToshibaTrans GP BJT NPN 80V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
товар відсутній
2SB1019
на замовлення 21578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB102NECCAN
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1020ToshibaToshiba
товар відсутній
2SB1020
на замовлення 16542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1020ATOSHIBA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1020AToshibaToshiba
товар відсутній
2SB1020A(F)ToshibaTrans Darlington PNP 100V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
товар відсутній
2SB1020A(F)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1021
на замовлення 15242 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1022
на замовлення 10325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1023
на замовлення 14521 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1024
на замовлення 13654 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1025
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1025DJTL-ERenesas ElectronicsRenesas Electronics
товар відсутній
2SB1025DJTRRenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2SB1025DJTR-ERenesas ElectronicsRenesas Electronics
товар відсутній
2SB1026SANYO00+ SOT-89
на замовлення 19999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1026
Код товару: 101844
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2SB1026RENESAS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1026DM90TLRENESASSOT89
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1026DM91TR
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1026DM91TR-ERENESASSOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1026DMTLRenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 812
2SB1026DMTRRenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
товар відсутній
2SB1026DMWS-ERenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1027
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1028
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1029
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB103NECCAN
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1030APanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.5A NS-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: NS-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
товар відсутній
2SB1030A-(TA)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP AF AMP 50V 500MA NEW S
товар відсутній
2SB1030A0APanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS PNP AF AMP 50V 500MA NEW S
товар відсутній
2SB1030ARAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.5A NS-B1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: NS-B1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
товар відсутній
2SB1031
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1032; биполярный; PNP; 10A; 120V; 80W; Корпус: TO-3P; (пара 2SD1436)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+650.16 грн
2SB1032K
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1032K-ERenesas Electronics CorporationDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+218.28 грн
Мінімальне замовлення: 91
2SB1033
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1034
на замовлення 24562 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1035
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1037
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1038
на замовлення 5213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1039
на замовлення 6241 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB104NECCAN
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1040
на замовлення 12452 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1045
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1046
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1047
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1048KESENES09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1048BTTL
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB105NECCAN
на замовлення 578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1050-R
Код товару: 152715
Транзистори > Біполярні PNP
fT: 120 MHz
Uке, В: 20 V
Uкб, В: 30 V
Iк, А: 5 А
у наявності 12 шт:
2 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+19 грн
2SB1051K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1051KT146R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1052
на замовлення 18542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1054-P
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB10540PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 100V 5A TOP-3F
Packaging: Bulk
Package / Case: TOP-3F
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TOP-3F-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
товар відсутній
2SB1056
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB106NECCAN
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1063
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB10630PPanasonicPanasonic
товар відсутній
2SB10630PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 100V 5A TO220F-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-220F-A1
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SB1064
Код товару: 28859
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SB1064
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1065-Q
на замовлення 6983 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1067ToshibaToshiba
товар відсутній
2SB1067
Код товару: 84335
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SB1067
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1068
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1069
на замовлення 18541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1069A
на замовлення 14785 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB107HIT98+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1070
на замовлення 32458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1071
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1072TT
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1072-TB
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1072STL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1072STR-ERenesas Electronics CorporationDescription: DARLINGTON POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+204.51 грн
Мінімальне замовлення: 97
2SB1073PANASONIC
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1073KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1073-QPANASONICSOT-89
на замовлення 21100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1073-QPANASONIC09+ SOT-89
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1073-Q-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 20V 4A SOT89
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB1073-RPanasonicSOT89
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1073-R(TX)PANASONICSOT89
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1073-R(TX)/1RPANASONIC09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1073-R-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 20V 4A SOT89
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB10730RLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 4A MINIP3-F1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MiniP3-F1
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB1073P
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1073Q
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1073R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1077
на замовлення 12354 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1078
на замовлення 10245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1079Renesas Electronics America IncDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
товар відсутній
2SB1079HIT09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1079-ERenesas Electronics America IncDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
товар відсутній
2SB107AHIT98+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB108NECCAN
на замовлення 829 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1080
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1085A
на замовлення 18542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1086A
на замовлення 15210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1087
на замовлення 15241 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1088
на замовлення 5412 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1089
на замовлення 14785 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB108ANECCAN
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB108BNECCAN
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB109NECCAN
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1090NEC09+
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1091
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1091Renesas Electronics CorporationDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 3V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+88.49 грн
Мінімальне замовлення: 222
2SB1092
на замовлення 19542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1093-AZRenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+88.49 грн
Мінімальне замовлення: 222
2SB1094
на замовлення 15428 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1094-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товар відсутній
2SB1095
на замовлення 18541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1096
на замовлення 20158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1097
на замовлення 21245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1098
на замовлення 10245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1098(5)-AZRenesas Electronics CorporationDescription: BIPOLAR PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 56511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+129.79 грн
Мінімальне замовлення: 152
2SB1098(6)-AZRenesas Electronics CorporationDescription: BIPOLAR PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+129.79 грн
Мінімальне замовлення: 152
2SB1099NEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB109ANECCAN
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB109BNECCAN
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB110NECCAN
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1100
на замовлення 8547 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1100
Код товару: 49798
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 10 A
h21,max: 60000
товар відсутній
2SB1100TO220
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1101
на замовлення 12365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1102
на замовлення 14521 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1103
на замовлення 13245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1104
на замовлення 12546 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1105
на замовлення 14521 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1106
на замовлення 12368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1107
на замовлення 5213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1108
на замовлення 8642 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1109
на замовлення 25469 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1109
Код товару: 152690
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126Mod
fT: 140 MHz
Uке, В: 160 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 0,1 A
товар відсутній
2SB1109-C
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1109C
Код товару: 108053
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SB111NECCAN
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1110
на замовлення 27845 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1111
на замовлення 21032 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1112
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1113NEC
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1114KESENES09+
на замовлення 292109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1114NEC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1114(ZL)
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1114(ZM)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1114-T1NECSOT89
на замовлення 824 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1114-T1NECSOT-89
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1114-T1(ZL)
на замовлення 52421 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1114-T1/2LNECSOT-89
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1114-T1/ZINEC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1114-T1B(ZK)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1114-T1B(ZL)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1114-T2NEC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1114/ZMNEC
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1115NEC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1115KEXIN09+
на замовлення 647751 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1115-T1Renesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SC-62
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 11401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1082+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 1082
2SB1115-T1(YK)
на замовлення 31988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1115-T1-AZNECSOT89
на замовлення 929 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1115-T1-AZ/JM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1115-T1-AZJM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1115-T1-YM
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1115-T1/YLNEC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1115-T1BNEC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1115-tiNEC
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1115A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1115A-T1NECSOT89
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1115T1YLNEC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1116
на замовлення 68547 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1116-K-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній
2SB1116-L-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній
2SB1116-U-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній
2SB1116A
на замовлення 78541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1117
Код товару: 152666
NECТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-33
fT: 280 MHz
Uке, В: 25 V
Uкб, В: 30 V
Iк, А: 3 А
товар відсутній
2SB1117-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товар відсутній
2SB1117-AZRenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Frequency - Transition: 280MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1 W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1A, 2V
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
773+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 773
2SB1117-T-AZRenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
773+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 773
2SB1117-T-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товар відсутній
2SB1118SANYO03/04+ SOT89
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1118-TDSANYOSOT89-BA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1118-TD SOT89-BASANYO
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1118S-TDDOT89-BASSANYO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1118T-TD
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1119KESENES09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1119-SKESENES09+
на замовлення 335388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1119-TKESENES09+
на замовлення 635339 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1119-UKESENES09+
на замовлення 13018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1119S-TDMITSUBISHISOT-89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1119S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1119S-TD-E - 2SB1119 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 1A 25V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2466+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 2466
2SB1119S-TD-EonsemiDescription: BIP PNP 1A 25V
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 2049
2SB1119T-TD-EonsemiDescription: BIP PNP 1A 25V
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 1567
2SB1119T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1119T-TD-E - 2SB1119 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 1A 25V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1886+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 1886
2SB112NECCAN
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1120KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1120-FSANYO05+ SOT-89
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1120F-TDSANYO
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1120F-TD-ESANYOSOT-89
на замовлення 161000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1120F-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1120F-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1120F-TD-ESanyoDescription: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 2049
2SB1120G-TDSANYO09+
на замовлення 12018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1120G-TDSANYO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1120G-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1120G-TD-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2290+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 2290
2SB1120G-TD-EonsemiDescription: BIP PNP 2.5A 10V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 1902
2SB1121onsemionsemi BIP PNP 2A 25V
товар відсутній
2SB1121SANYOSOT-89
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1121-SKESENES09+
на замовлення 93008 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1121-T-TD 2A/30VSANYOSOT89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1121S-TDSANYOSOT-89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1121S-TD-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 25V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1121S-TD-ESANYO08+ SOT-89
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1121S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 25V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.17 грн
10+ 33.77 грн
100+ 23.47 грн
500+ 17.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1121S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1121S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1121S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 25V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1121TSANYOSOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1121T-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 25V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.2 грн
10+ 29.6 грн
100+ 20.57 грн
500+ 15.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1121T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1121T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1121T-TD-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 25V
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1121T-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 25V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1121T-TLSANYOSOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1122KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1122onsemionsemi BIP PNP 1A 50V
товар відсутній
2SB1122SANYO07+ SOT-89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1122-S-TD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1122-TD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1122/BESANYO
на замовлення 55355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1122SSANYO
на замовлення 547 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1122S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+9.42 грн
73+ 7.72 грн
75+ 7.6 грн
76+ 7.21 грн
77+ 6.57 грн
100+ 6.2 грн
250+ 6.1 грн
Мінімальне замовлення: 60
2SB1122S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.3
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+6.8 грн
Мінімальне замовлення: 109
2SB1122S-TD-ESANYOSOT89
на замовлення 67000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1122S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1122S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 1A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 73000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1854+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 1854
2SB1122S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1122S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+6.8 грн
Мінімальне замовлення: 109
2SB1122S-TD-ESANYO09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1122S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1122S-TD-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 50V
на замовлення 5467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1122S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1122S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1122T-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1122T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+1.63 грн
350+ 1.61 грн
356+ 1.58 грн
361+ 1.51 грн
366+ 1.38 грн
373+ 1.3 грн
500+ 1.28 грн
Мінімальне замовлення: 345
2SB1122T-TD-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 50V
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1122T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1122T-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.52 грн
11+ 25.43 грн
100+ 17.68 грн
500+ 12.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SB1122T-TD-ESANYOSOT89
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1122\BESANYOSOT-89
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123onsemionsemi BIP PNP 2A 50V
товар відсутній
2SB1123SANYO09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123SANYOSOT-89
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123
Код товару: 152075
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SB1123ROHM09+
на замовлення 17018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123(BF)
на замовлення 33200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123-SKESENES09+
на замовлення 90008 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123-SROHM09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123-S(BF/S2M)
на замовлення 192990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123-S(BF/S2N)
на замовлення 354019 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123-TKESENES09+
на замовлення 117993 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123-T(BF/T2N)
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123-T(BF/T3M)
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123/BFSANYO
на замовлення 134000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123R-TD
на замовлення 6595 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1123S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1123S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1123S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+19.86 грн
31+ 18.63 грн
Мінімальне замовлення: 29
2SB1123S-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
товар відсутній
2SB1123S-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.93 грн
12+ 25.73 грн
100+ 17.91 грн
500+ 15.29 грн
1000+ 11.42 грн
2000+ 10.04 грн
10000+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SB1123S-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SB1123S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1123S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.2 грн
10+ 29.87 грн
100+ 20.76 грн
500+ 15.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1123S-TD-EXSanyoDescription: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 2049
2SB1123S-TD-EXONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1123S-TD-EX - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2466+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 2466
2SB1123S-TD-EX-ONonsemiDescription: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2SB1123S/T-TDON Semiconductor2SB1123S/T-TD
товар відсутній
2SB1123SCZ-T-TD-EON Semiconductor2SB1123SCZ-T-TD-E
товар відсутній
2SB1123SCZ-T-TD-EonsemiDescription: 2SB1123 - SMALL SIGNAL BIPOLAR T
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2SB1123TROHM
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123T-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SB1123T-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
товар відсутній
2SB1123T-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.74 грн
10+ 32.6 грн
100+ 21.13 грн
500+ 16.6 грн
1000+ 12.8 грн
2000+ 11.68 грн
10000+ 10.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SB1123T-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1123T-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.07 грн
10+ 28.03 грн
100+ 19.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SB1123T-TD-ESANYOSOT89
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1123T-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+35.49 грн
10+ 29.26 грн
100+ 20.32 грн
500+ 14.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1123T-TD-EON Semiconductor
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1123T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1123T-TD-EXonsemiDescription: BIP PNP 2A 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 1567
2SB1123T-TD-EXONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1123T-TD-EX - 2SB1123 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 2A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1886+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 1886
2SB1124SANYO09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1124onsemionsemi BIP PNP 3A 50V
товар відсутній
2SB1124(транзистор)
Код товару: 88718
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
2SB1124S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1124S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1124S-TD-ESANYO09+
на замовлення 64218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1124S-TD-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1124S-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1124S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1124S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 34863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1319+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 1319
2SB1124S-TD-ESANYOSOT-89
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1124S-TD-E/BGSANYOSOT-89
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1124S-TD-E/BGSANYO09+
на замовлення 10980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1124S-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1124S-TD-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1124S-TD-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1124T-TDSANYOSOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1124T-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1124T-TD-ESANYO0537+ SOT-89
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1124T-TD-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1124T-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.91 грн
10+ 30.69 грн
100+ 21.25 грн
500+ 16.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1124T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1124T-TD-ESANYOSOT89
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1124T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1124T-TD-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1124T-TD-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1332+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 1332
2SB1124T-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1124T-TD-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1124T-TD-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1124T-TD-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SB1125KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1125(BH)
на замовлення 132440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1125-TC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1125-TD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1126
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1126-TD
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1126-TD-EonsemiDescription: TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+11.8 грн
Мінімальне замовлення: 1665
2SB1126-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1126-TD-E - 2SB1126 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2004+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 2004
2SB113NECCAN
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1131SonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 23626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 1268
2SB1131SONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1131S - 2SB1131S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1527+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 1527
2SB1131S-AEonsemiDescription: BIP PNP 5A 20V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 1902
2SB1131S-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1131S-AE - 2SB1131 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 5A 20V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2290+10.6 грн
Мінімальне замовлення: 2290
2SB1131TonsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 1211
2SB1131TONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1131T - 2SB1131T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1457+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 1457
2SB1131T-AEonsemiDescription: BIP PNP 5A 20V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 1268
2SB1131T-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1131T-AE - 2SB1131 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 5A 20V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1527+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 1527
2SB1132HT Jinyu SemiconductorTransistor (PNP)
на замовлення 1191000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3349+3.4 грн
Мінімальне замовлення: 3349
2SB1132ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1132
Код товару: 30149
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-89
fT: 150 MHz
Uке, В: 32 V
Uкб, В: 40 V
Iк, А: 1 A
h21,max: 390
товар відсутній
2SB1132 T100RROHMSOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132 T100QROHMSOT89
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132 T100RROHMSOT89
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132 T100RROHM09+
на замовлення 87986 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132(RY)ROHM09+
на замовлення 16018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132-BAKEXIN09+
на замовлення 55018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132-P-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 32V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1132-QKESENES09+
на замовлення 102068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132-QROHMSOT89
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132-QROHM05+ SOT-89
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132-Q-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 32V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1132-R-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 32V 1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1132-R-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 32V 1A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1132-RFROHM09+
на замовлення 66018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132-T100QROHMSOT89
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132-T113QROHMSOT89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132/QROHMSOT-89
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132/RROHMSOT-89
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132LUNISONIC09+
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132MHTT100QROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1132MHTT100RROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1132MHXT100RROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1132QROHMSOT89
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132RRCR0529+ SOT-89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132T 100RROHM
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1132T100ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1132T100PRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SB1132T100PROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DVR PNP 32V 1A
товар відсутній
2SB1132T100PRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.68 грн
12+ 22.9 грн
100+ 15.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SB1132T100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 32V 1A SO-89
товар відсутній
2SB1132T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SB1132T100Q
Код товару: 73435
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SB1132T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SB1132T100RRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1132T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.68 грн
12+ 22.9 грн
100+ 15.91 грн
500+ 11.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SB1132T100RRohmТранзистор PNP; Uceo, В = 32; Ic = 1 А; ft, МГц = 150; hFE = 180 @ 100 мA, 3 В; Icutoff-max = 500 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-89-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+124.8 грн
10+ 62.4 грн
100+ 41.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1132T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SB1132T100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 32V 1A
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.93 грн
12+ 25.51 грн
100+ 15.42 грн
500+ 12.01 грн
1000+ 9.32 грн
2000+ 8.2 грн
10000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SB1133
на замовлення 15247 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1133RONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1133R - 2SB1133R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 891
2SB1133RonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 740
2SB1134LJ ENTERPRISEn/a
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1134RONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1134R - 2SB1134R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1106+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 1106
2SB1134RonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 21054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 919
2SB1134SonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
товар відсутній
2SB1135
на замовлення 11325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1135RSanyoDescription: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 32253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 485
2SB1135RONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1135R - 2SB1135R, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 583
2SB1135SSANYOTO-220
на замовлення 11550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1136RSanyoDescription: TRANS PNP 50V 12A TO220ML
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220ML
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+55.72 грн
Мінімальне замовлення: 355
2SB114NECCAN
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1140
на замовлення 5687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1140-R-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1140-R-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1140-R-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1140-R-TPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR TO-92 MOD
товар відсутній
2SB1140-S-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1140-S-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1140-S-TPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR TO-92 MOD
товар відсутній
2SB1140-S-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1140TONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1140T - 2SB1140T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1140TonsemiDescription: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 1480
2SB1141
на замовлення 5784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1142SANYO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1143
Код товару: 152667
ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
fT: 150 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 4 А
у наявності 6 шт:
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+18 грн
2SB1143SANYO09+ SOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1143HIT09+
на замовлення 16818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1143SonsemiDescription: TRANS PNP 50V 4A TO126ML
Packaging: Bag
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 291818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 1268
2SB1143SonsemiBipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
товар відсутній
2SB1143SonsemiDescription: TRANS PNP 50V 4A TO126ML
Packaging: Bag
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
2SB1143SSANYOЈ°Ј¶Ј« QFN
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1143SONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1143S - 2SB1143 - POWER BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 291818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+21.5 грн
Мінімальне замовлення: 1600
2SB1143TonsemiDescription: TRANS PNP 50V 4A TO126ML
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
860+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 860
2SB1143TONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1143T - 2SB1143T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 1200
2SB1143TonsemiDescription: TRANS PNP 50V 4A TO126ML
Packaging: Bag
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
2SB1143TonsemiBipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
товар відсутній
2SB1144SONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1144S - 2SB1144S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1687+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 1687
2SB1144SON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 1.5A 1500mW 3-Pin TO-126ML
товар відсутній
2SB1144SonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-126ML
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 13694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 1402
2SB1148A-PPANASONIC09+
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1149
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1149-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товар відсутній
2SB1149-AZRenesas Electronics America IncDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
товар відсутній
2SB115NECCAN
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1150-AZRenesas Electronics CorporationDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
406+48.51 грн
Мінімальне замовлення: 406
2SB1151FSC09+
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1151-AZRenesas Electronics CorporationDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 7546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+59.65 грн
Мінімальне замовлення: 332
2SB1151-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товар відсутній
2SB1151-G-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1151-G-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1151-G-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 60V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
товар відсутній
2SB1151-G-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1151-O-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1151-O-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 60V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
товар відсутній
2SB1151-O-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1151-O-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1151-S1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+59.65 грн
Мінімальне замовлення: 332
2SB1151-Y-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1151-Y-BPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 60V 5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
товар відсутній
2SB1151-Y-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1151-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1152
на замовлення 5874 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1153
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1154
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB11540QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 10A TOP-3F
товар відсутній
2SB11560PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 80V 20A TOP-3F
товар відсутній
2SB116NECCAN
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1163
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1165
на замовлення 20368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1165SONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1165S - 2SB1165S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 1145
2SB1165SonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 13086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 952
2SB1166
на замовлення 18547 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1166SONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1166S - 2SB1166S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1166SonsemiDescription: PNP SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 10834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 606
2SB1167
на замовлення 12451 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1167SONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1167S - 2SB1167S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1188+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 1188
2SB1167SonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 987
2SB1167TONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1167T - 2SB1167T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 158205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 1145
2SB1167TonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 158205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 952
2SB1168
на замовлення 15478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1168SONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1168S - 2SB1168S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 844
2SB1168SonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-126LP
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 17267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 701
2SB1169
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1169A
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB117NECCAN
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB117N/A
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1170
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1171A-P(TX)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1171AP
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1172
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1173
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1174
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1175
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1176
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB118HIT98+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1181
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1181 TL RROHMSOT252/2.5
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1181TLPRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 1A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB1181TLPROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DVR PNP 80V 1A
товар відсутній
2SB1181TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+44.09 грн
269+ 42.33 грн
500+ 40.8 грн
1000+ 38.06 грн
2500+ 34.19 грн
Мінімальне замовлення: 259
2SB1181TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 1A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
товар відсутній
2SB1181TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80V 1A
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.08 грн
10+ 56.6 грн
100+ 38.32 грн
500+ 31.7 грн
1000+ 25 грн
2500+ 22.25 грн
5000+ 21.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1181TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+44.09 грн
269+ 42.33 грн
Мінімальне замовлення: 259
2SB1181TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 1A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.5 грн
10+ 45.66 грн
100+ 35.48 грн
500+ 28.22 грн
1000+ 22.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1181TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 1A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.5 грн
10+ 45.66 грн
100+ 35.48 грн
500+ 28.22 грн
1000+ 22.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1181TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 1A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
товар відсутній
2SB1181TLRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80V 1A
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.63 грн
10+ 52.83 грн
100+ 35.76 грн
500+ 29.99 грн
1000+ 24.08 грн
2500+ 22.51 грн
5000+ 21.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1182ROHM09+
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1182ROHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1182ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1182ROHMSOT252
на замовлення 3319 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1182 TLROHM05+
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1182 TL QROHMSOT252/2.5
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1182 TL RROHMSOT252/2.5
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1182 TLQROHMTO252
на замовлення 743 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1182-P-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 32V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
2SB1182-Q-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 32V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
2SB1182-R-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 32V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
2SB1182TLROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1182TL
Код товару: 86544
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SB1182TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 2A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 6090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.15 грн
10+ 53.52 грн
100+ 41.64 грн
500+ 33.12 грн
1000+ 26.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1182TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+38.4 грн
309+ 36.86 грн
500+ 35.53 грн
1000+ 33.14 грн
2500+ 29.78 грн
Мінімальне замовлення: 297
2SB1182TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2SB1182TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q
товар відсутній
2SB1182TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 2A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+38.4 грн
309+ 36.86 грн
Мінімальне замовлення: 297
2SB1182TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 2A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.63 грн
10+ 47.17 грн
100+ 36.69 грн
500+ 29.18 грн
1000+ 23.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1182TLRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 32V 2A
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.08 грн
10+ 52.37 грн
100+ 35.44 грн
500+ 30.05 грн
1000+ 24.48 грн
2500+ 21.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1182TLR
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1182TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
товар відсутній
2SB1183
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1183TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 40V 2A SOT-428
товар відсутній
2SB1183TLROHM SemiconductorDarlington Transistors DVR PNP 40V 2A
товар відсутній
2SB1184ROHMSOT252
на замовлення 957 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1184
Код товару: 152668
SecosТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-252
fT: 70 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 3 А
у наявності 29 шт:
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+10 грн
10+ 9 грн
2SB1184ROHM09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1184ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1184ROHM
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1184 TL RROHM09+
на замовлення 7518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1184 TL SROHMSOT252
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1184-P-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Epitaxial Transistor
товар відсутній
2SB1184-P-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB1184-Q-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SB1184-Q-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB1184-Q-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.66 грн
5000+ 12.33 грн
10000+ 12.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2SB1184-Q-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Epitaxial Transistor
товар відсутній
2SB1184-Q-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: DPAK
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 70MHz
товар відсутній
2SB1184-Q-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: DPAK
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 70MHz
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
2SB1184-Q-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.63 грн
5000+ 13.28 грн
10000+ 13.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2SB1184-RROHM09+
на замовлення 99018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1184-R-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Epitaxial Transistor
товар відсутній
2SB1184-R-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB1184-TL-RROHMTO252 0536+
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1184S-RROHM08+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1184TLROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1184TL-RRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
товар відсутній
2SB1184TLPRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 3A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB1184TLPROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DVR PNP 50V 3A
товар відсутній
2SB1184TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT D-PAK;BCE PNP;DRIVER SMT HFE RANK Q
товар відсутній
2SB1184TLQ
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1184TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 3A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB1184TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 3A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB1184TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 3A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB1184TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 3A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2SB1184TLRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50V 3A
товар відсутній
2SB1184TLRROHM09+
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1184TLSSOT252-B1184SROHM
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1185
Код товару: 152669
SavanticТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220FA
fT: 70 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 3 А
у наявності 29 шт:
19 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+10 грн
10+ 8.9 грн
2SB1185
на замовлення 18945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1185FROHM
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1186
на замовлення 19854 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1186
Код товару: 112685
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SB1186A
Код товару: 124426
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SB1186AERohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 160V 1.5A TO220FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SB1186AEROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products
товар відсутній
2SB1187
Код товару: 152670
SavanticТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220FA
fT: 12 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 3 А
у наявності 29 шт:
19 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+13.5 грн
10+ 11 грн
2SB1187
на замовлення 20132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188ROHMSOT89
на замовлення 51385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188N/A09+ SOT-89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 82...390
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.4 грн
90+ 3.82 грн
250+ 3.44 грн
290+ 2.75 грн
800+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 70
2SB1188ROHMSOT-89
на замовлення 10010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188LUGUANG ELECTRONICCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 82...390
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+6.48 грн
60+ 4.76 грн
250+ 4.13 грн
290+ 3.3 грн
800+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
2SB1188ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1188ROHM09+
на замовлення 128682 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188 T100R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188 T100PROHMSOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188 T100QROHMSOT89
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188 T100RROHMSOT89
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188-PROHM0349+ SOT-89
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188-P-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 32V 2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1188-QYangjie Electronic Technology2SB1188-Q
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4871+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 4871
2SB1188-QYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+2.84 грн
5000+ 2.6 грн
10000+ 2.46 грн
20000+ 2.12 грн
40000+ 1.92 грн
100000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1188-Q-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1188-Q-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 32V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1188-Q-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 32V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 1200
2SB1188-Q-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP MEDIUM POWER BIPOLAR TRANSISTORS
товар відсутній
2SB1188-Q-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 32V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SB1188-RROHM09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188-RYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+2.56 грн
5000+ 2.32 грн
10000+ 2.19 грн
20000+ 1.92 грн
40000+ 1.73 грн
100000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1188-RYangjie Electronic Technology2SB1188-R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5358+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 5358
2SB1188-R-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP MEDIUM POWER BIPOLAR TRANSISTORS
товар відсутній
2SB1188-R-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2SB1188/QROHMSOT-89
на замовлення 520000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188/RROHMSOT-89
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188LTOSHIBAsot89
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188RROHM09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188RKESENES09+
на замовлення 166018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188RROM
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188T100ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1188T100PROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT DVR PNP 32V 2A
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.86 грн
10+ 37.73 грн
100+ 24.54 грн
500+ 19.29 грн
1000+ 14.37 грн
2000+ 12.21 грн
10000+ 11.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1188T100PRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SB1188T100QROHMDescription: ROHM - 2SB1188T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1188T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.51 грн
2000+ 13.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1188T100QROHM - JapanPNP -2A -32V 500mW 100MHz 2SB1188 T2SB1188
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 40
2SB1188T100QROHMDescription: ROHM - 2SB1188T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.33 грн
22+ 33.57 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SB1188T100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 32V 2A SO-89
на замовлення 16974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+38.43 грн
10+ 30.87 грн
100+ 20.87 грн
500+ 17.78 грн
1000+ 14.37 грн
2000+ 12.21 грн
10000+ 11.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1188T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.17 грн
10+ 33.84 грн
100+ 23.53 грн
500+ 17.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1188T100QCTRohmТранзистор PNP; Uceo, В = 32; Ic = 2; ft, МГц = 100; hFE = 120 @ 500 мА, 3 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,8 @ 200 мA, 2 А; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-89-3
на замовлення 13 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
13+48 грн
100+ 31.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
2SB1188T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.17 грн
10+ 33.84 грн
100+ 23.53 грн
500+ 17.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1188T100RROHM03+ SOT-89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188T100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 32V 2A SO-89
товар відсутній
2SB1188T100RRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
680+16.73 грн
684+ 16.63 грн
Мінімальне замовлення: 680
2SB1188T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.51 грн
2000+ 13.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1188T100RROHM
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1188T100RROHMSOT-89
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1189ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1189 FRAT100RROHMSOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1189 T100QROHMSOT89
на замовлення 798 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1189 T100RROHMSOT89
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1189-QROHMSOT89
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1189-RROHMSOT89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1189-RKESENES09+
на замовлення 426694 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1189/QROHMSOT-89
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1189/RROHMSOT-89
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1189T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.46 грн
10+ 33.63 грн
100+ 23.37 грн
500+ 17.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1189T100QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.7A
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.17 грн
10+ 37.43 грн
100+ 22.64 грн
500+ 17.72 грн
1000+ 14.37 грн
2000+ 12.14 грн
10000+ 11.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1189T100QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.4 грн
2000+ 13.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB1189T100R10+ SOT-89
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1189T100RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.7A
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.17 грн
10+ 37.51 грн
100+ 24.35 грн
500+ 19.16 грн
1000+ 14.17 грн
2000+ 12.93 грн
10000+ 11.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1189T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.46 грн
10+ 33.63 грн
100+ 23.37 грн
500+ 17.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SB1189T100RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.4 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SB119HIT98+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1190
на замовлення 20123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1192A
на замовлення 15243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1193
на замовлення 5841 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1195
на замовлення 7854 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1196
на замовлення 5201 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197 T146QROHMSOT23
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197 T146QROHMSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197 T146RROHMSOT23-GA STN2907
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197-P-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB1197-P-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Epitaxial Transistor
товар відсутній
2SB1197-QYangjie Electronic Technology2SB1197-Q
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2SB1197-QYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.32 грн
15000+ 2.11 грн
30000+ 1.98 грн
60000+ 1.74 грн
120000+ 1.56 грн
300000+ 1.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SB1197-Q-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB1197-Q-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Epitaxial Transistor
товар відсутній
2SB1197-R-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
товар відсутній
2SB1197-R-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB1197/RROHMSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197A-R1-00001PanjitBipolar Transistors - BJT SOT-23/TRA/SOT/GPT-04TP
товар відсутній
2SB1197A-R2-00001PanjitBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2SB1197A_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS PNP 50V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 8730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.39 грн
15+ 19.14 грн
100+ 9.65 грн
500+ 8.03 грн
1000+ 6.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SB1197A_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS PNP 50V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.19 грн
6000+ 5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SB1197A_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 3.5A
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Frequency: 180MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+13.07 грн
35+ 8.26 грн
100+ 7.14 грн
170+ 5.66 грн
465+ 5.33 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SB1197A_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT PNP Low Vce(sat) Transistor
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.62 грн
15+ 21.28 грн
100+ 8.27 грн
1000+ 6.5 грн
3000+ 5.64 грн
9000+ 4.92 грн
24000+ 4.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SB1197A_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 3.5A
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Frequency: 180MHz
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+10.89 грн
55+ 6.63 грн
100+ 5.95 грн
170+ 4.72 грн
465+ 4.44 грн
Мінімальне замовлення: 35
2SB1197A_R2_00001PanjitBipolar Transistors - BJT PNP Low Vce(sat) Transistor
товар відсутній
2SB1197KROHMSOT23
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197KN/A
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197KROHM09+
на замовлення 54056 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197KROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197KROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197K T146ROHMSOT23-AHR
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197K T146 SOT23-AHRROHM
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197K-RROHMSOT23
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197K-RROHM01+ SOT-23
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197K-T146QROHMSOT23
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197K/RROHMSOT-23
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197KPTCHENMKO07+
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197KT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.39 грн
14+ 20.64 грн
100+ 12.88 грн
500+ 8.27 грн
1000+ 6.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SB1197KT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1103+10.32 грн
1141+ 9.97 грн
Мінімальне замовлення: 1103
2SB1197KT146QROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.8A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
2SB1197KT146QROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.8A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товар відсутній
2SB1197KT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB1197KT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 31955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2942+3.87 грн
3074+ 3.7 грн
3119+ 3.65 грн
3139+ 3.5 грн
6000+ 3.22 грн
12000+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 2942
2SB1197KT146QROHMDescription: ROHM - 2SB1197KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 800 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: -°C
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+25.76 грн
42+ 17.89 грн
100+ 7.44 грн
500+ 5.33 грн
1000+ 3.53 грн
Мінімальне замовлення: 29
2SB1197KT146QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.8A
на замовлення 8521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.17 грн
15+ 20.38 грн
100+ 7.94 грн
1000+ 6.17 грн
3000+ 4 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SB1197KT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.39 грн
14+ 20.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
2SB1197KT146RROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.8A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товар відсутній
2SB1197KT146R
Код товару: 175155
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2SB1197KT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB1197KT146RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 32V 0.8A
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.17 грн
15+ 20.38 грн
100+ 9.52 грн
1000+ 6.17 грн
3000+ 4.99 грн
9000+ 4.79 грн
24000+ 4.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
2SB1197KT146RROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.8A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
2SB1197KT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.8A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SB1197KT146RRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 32V 0.8A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1197KT146RROHM10+ROHS SOT-23
на замовлення 42344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197QROHM09+
на замовлення 12038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197RROHM09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1197T146RSOT23-GASTN2907SFROHM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198ROHM03/04+ SOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198-QROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198-RYANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
2SB1198-RYangjie Electronic Technology2SB1198-R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4286+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 4286
2SB1198-RYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.19 грн
15000+ 2.94 грн
30000+ 2.73 грн
60000+ 2.44 грн
120000+ 2.18 грн
300000+ 2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SB1198-RYANGJIE TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
товар відсутній
2SB1198-RQYangjie Electronic Technology2SB1198-RQ
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3572+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3572
2SB1198-RQYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.83 грн
15000+ 3.49 грн
30000+ 3.28 грн
60000+ 2.89 грн
120000+ 2.63 грн
300000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SB1198/AKQROHM
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198HE3-R-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
товар відсутній
2SB1198HE3-R-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+15.62 грн
27+ 10.32 грн
100+ 5.05 грн
500+ 3.95 грн
1000+ 2.75 грн
Мінімальне замовлення: 19
2SB1198HE3-R-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2SB1198KROHMSOT-23
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198KROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1198KROHM09+
на замовлення 66056 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198K FRAT146QROHMSOT23/SOT323
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198K HR8T146QROHMSOT23
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198K T146QROHMSOT23/SOT323
на замовлення 4121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198K T146QROHMSOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198K T146RROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198K-QROHM08+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198K-RROHMSOT-23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198K/AKQROHM02+ SOT-23
на замовлення 26785 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198K/AKRROHM02+ SOT-23
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198K/RROHMSOT-23
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198KFRAT146QROHMDescription: ROHM - 2SB1198KFRAT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+49.4 грн
20+ 37.69 грн
100+ 20.76 грн
500+ 15.38 грн
1000+ 9.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SB1198KHRAT146Q
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198KT146ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товар відсутній
2SB1198KT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.73 грн
6000+ 6.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SB1198KT146QROHM04+
на замовлення 85180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198KT146QROHMDescription: ROHM - 2SB1198KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 200 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+17.89 грн
52+ 14.28 грн
112+ 6.63 грн
500+ 6.02 грн
Мінімальне замовлення: 42
2SB1198KT146QROHMSOT346
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198KT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+23.42 грн
505+ 22.57 грн
1000+ 21.84 грн
2500+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 486
2SB1198KT146QROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
товар відсутній
2SB1198KT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 8090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.84 грн
15+ 18.59 грн
100+ 11.19 грн
500+ 9.72 грн
1000+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SB1198KT146QROHM09+
на замовлення 94198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198KT146QROHMDescription: ROHM - 2SB1198KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 200 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.28 грн
112+ 6.63 грн
500+ 6.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SB1198KT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin SMT T/R
на замовлення 4225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1185+9.6 грн
1388+ 8.2 грн
1464+ 7.77 грн
2000+ 7.01 грн
3000+ 6.46 грн
Мінімальне замовлення: 1185
2SB1198KT146QROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
2SB1198KT146QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.5A
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.03 грн
14+ 21.66 грн
100+ 9.65 грн
1000+ 7.28 грн
3000+ 6.17 грн
9000+ 5.77 грн
24000+ 5.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SB1198KT146RROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
2SB1198KT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
товар відсутній
2SB1198KT146RROHM
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198KT146RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.5A
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.03 грн
14+ 21.66 грн
100+ 11.62 грн
1000+ 7.42 грн
3000+ 6.56 грн
9000+ 5.38 грн
24000+ 5.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SB1198KT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1198KT146RRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 10055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1203+9.46 грн
1408+ 8.09 грн
1484+ 7.67 грн
2000+ 6.91 грн
3000+ 6.37 грн
6000+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 1203
2SB1198KT146RROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Current gain: 180...390
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
товар відсутній
2SB1198K\ADQROHMSOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1198T146R
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB119AHIT98+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB12NECCAN
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB120NECCAN
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1201onsemionsemi BIP PNP 2A 50V
товар відсутній
2SB1201
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1201S-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
825+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 825
2SB1201S-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2SB1201S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній
2SB1201S-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.37 грн
10+ 59.54 грн
100+ 39.7 грн
500+ 31.37 грн
1000+ 22.71 грн
2500+ 21.06 грн
5000+ 20.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1201S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній
2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SB1201S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.5 грн
10+ 45.25 грн
100+ 35.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1201S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 150MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 2A
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.63 грн
21+ 35.19 грн
100+ 24.29 грн
500+ 20.58 грн
700+ 17.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+26.28 грн
435+ 26.16 грн
437+ 26.06 грн
439+ 25.01 грн
500+ 23.07 грн
Мінімальне замовлення: 434
2SB1201S-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 15357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.63 грн
10+ 42.79 грн
100+ 32.15 грн
700+ 25.33 грн
1400+ 23.1 грн
2100+ 21.72 грн
4900+ 21.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SB1201S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
980+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 980
2SB1201S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+24.5 грн
24+ 24.4 грн
25+ 24.29 грн
100+ 23.33 грн
250+ 21.51 грн
500+ 20.56 грн
Мінімальне замовлення: 23
2SB1201S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.29 грн
500+ 20.58 грн
700+ 17.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SB1201STL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1201T-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2SB1201T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SB1201T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1201T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2100+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 2100
2SB1201T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
2SB1201T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SB1201T-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1201T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.17 грн
10+ 33.7 грн
100+ 23.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SB1202TOSHIBASOT252/2.5
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1202onsemionsemi BIP PNP 3A 50V
товар відсутній
2SB1202SAYNOSOT252
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1202RTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1202SSANYO09+
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1202S-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1202S-EONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1W; IPAK
Mounting: THT
Power dissipation: 1W
Case: IPAK
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 140...280
Frequency: 150MHz
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2SB1202S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+25.05 грн
26+ 22.36 грн
28+ 20.58 грн
50+ 18.77 грн
100+ 16.51 грн
500+ 15.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
2SB1202S-EONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1W; IPAK
Mounting: THT
Power dissipation: 1W
Case: IPAK
Kind of package: tube
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 140...280
Frequency: 150MHz
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 50V
товар відсутній
2SB1202S-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP
товар відсутній
2SB1202S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній
2SB1202S-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500
2SB1202S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SB1202S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
товар відсутній
2SB1202S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SB1202S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+30.99 грн
25+ 30.4 грн
100+ 29.74 грн
Мінімальне замовлення: 24
2SB1202S-TL-ESANYOTO263
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1202S-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1202S-TL-ESANYOSOT-252
на замовлення 22929 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1202S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+56.79 грн
10+ 48.05 грн
100+ 36.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SB1202S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 15
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SB1202STL
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1202T
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1202T-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SB1202T-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP
товар відсутній
2SB1202T-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202T-E - 2SB1202T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 22600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1690+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 1690
2SB1202T-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
товар відсутній
2SB1202T-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP
на замовлення 24600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1519+14.4 грн
Мінімальне замовлення: 1519
2SB1202T-TLSANYO03+ TO252
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SB1202T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TPFA
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.43 грн
10+ 38.35 грн
100+ 29.4 грн
Мінімальне замовлення: 7