НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FDN-010ChemtronicsDescription: S/S .010" NEEDLE, 10/PK
Packaging: Bag
Type: Dispenser Needle, Tip
Tip Type: Straight
Number of Pieces: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN-020ChemtronicsDescription: S/S .020" NEEDLE, 10/PK
Packaging: Bag
Type: Dispenser Needle, Tip
Tip Type: Straight
Number of Pieces: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN-47A-L103Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 1.0NM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN-63A-L903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.5NM
Features: Disk Type
Packaging: Bag
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2704.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDN-63A-R453Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 4.5NM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN-63A-R603Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 6.0NM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 34578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.52 грн
10+33.49 грн
100+22.16 грн
500+15.88 грн
1000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20onsemi / FairchildMOSFETs Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
на замовлення 31977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.35 грн
11+34.06 грн
100+20.54 грн
500+17.04 грн
1000+15.18 грн
3000+11.53 грн
6000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.34 грн
6000+11.38 грн
9000+10.79 грн
15000+9.82 грн
21000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20ONSEMIFDN028N20 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20ON Semiconductor / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN028N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.1 A, 0.023 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.84 грн
19+45.49 грн
100+33.98 грн
500+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN1-187(8)KS TerminalsTerminals TerminalsQuick Disconnects22-16AWG,0.8x4.75Female,Non-Insulated
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+13.20 грн
100+8.39 грн
1000+5.73 грн
5000+4.99 грн
10000+4.32 грн
25000+3.57 грн
50000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FDN1-205(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .205
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+12.41 грн
100+7.87 грн
1000+5.36 грн
5000+4.76 грн
10000+4.09 грн
25000+3.42 грн
50000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
FDN1-250KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .032 x .250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN103
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN103AMOTOROLA09+ SOP24
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN143ROHM99+ QFP
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN143ROHM96+ QFP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN147ROHM97+ QFP
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN147ROHM96+ QFP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN147-626
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN147B97 TQFP
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN2-205(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 16-14 AWG, .020 x .205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN301
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN301A
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN301N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.75 грн
9000+9.52 грн
24000+9.18 грн
45000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.36 грн
500+10.62 грн
1500+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.92 грн
6000+11.66 грн
9000+11.48 грн
12000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
на замовлення 11924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.37 грн
13+27.90 грн
100+13.10 грн
1000+9.97 грн
3000+9.00 грн
9000+7.96 грн
24000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.64 грн
12+26.98 грн
100+14.88 грн
500+12.28 грн
1000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+27.21 грн
785+15.55 грн
793+15.39 грн
802+14.68 грн
1324+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 449
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.17 грн
50+31.30 грн
100+15.28 грн
500+13.41 грн
1500+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.58 грн
9000+10.25 грн
24000+9.89 грн
45000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+36.54 грн
24+25.53 грн
25+25.26 грн
100+13.79 грн
250+12.64 грн
500+12.00 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P
Код товару: 31343
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,4 A
Rds(on),Om: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 882/9
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+14.00 грн
10+12.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.99 грн
26+23.56 грн
100+13.01 грн
1000+9.16 грн
3000+6.59 грн
9000+6.09 грн
24000+6.03 грн
45000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PONSEMIFDN302P SMD P channel transistors
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.87 грн
79+13.77 грн
218+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P .302..ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN302P TFDN302p
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.51 грн
1000+2.36 грн
3000+2.20 грн
6000+2.03 грн
15000+1.96 грн
30000+1.88 грн
75000+1.74 грн
150000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P\302FAIRCHILSOT-23
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P_NLFairchild
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 2394000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P_Qonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN303
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304??SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304N
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
на замовлення 24524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.54 грн
10+36.12 грн
100+23.48 грн
500+16.84 грн
1000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 47453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2098+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 2098
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.61 грн
9000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PONSEMIFDN304P SMD P channel transistors
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.29 грн
52+21.30 грн
141+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P
Код товару: 127609
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2098+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 2098
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 1.8V
на замовлення 30738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.33 грн
10+40.56 грн
100+23.29 грн
500+17.71 грн
1000+15.85 грн
3000+13.17 грн
6000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.43 грн
6000+12.75 грн
9000+12.17 грн
15000+10.81 грн
21000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+45.01 грн
21+29.89 грн
100+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 141676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.12 грн
50+41.40 грн
100+26.88 грн
500+18.99 грн
1500+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.95 грн
6000+16.94 грн
9000+15.99 грн
12000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.21 грн
500+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PUMWTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P-NLFAIRCHILD
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.68 грн
1000+2.52 грн
3000+2.35 грн
6000+2.17 грн
15000+2.10 грн
30000+2.01 грн
75000+1.86 грн
150000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZONSEMIFDN304PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.10 грн
50+21.77 грн
138+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 86255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.42 грн
10+41.32 грн
100+26.82 грн
500+19.31 грн
1000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.79 грн
6000+12.67 грн
9000+12.54 грн
15000+11.97 грн
45000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZonsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.45 грн
10+42.79 грн
100+24.26 грн
250+21.28 грн
500+18.53 грн
1000+16.74 грн
3000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.72 грн
500+16.90 грн
3000+13.24 грн
9000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.53 грн
20+43.07 грн
100+28.22 грн
500+20.23 грн
1000+16.89 грн
5000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.62 грн
6000+14.26 грн
9000+13.79 грн
15000+12.50 грн
21000+12.09 грн
30000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZAptina ImagingTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.18 грн
6000+14.03 грн
9000+13.89 грн
15000+13.26 грн
45000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1851+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 1851
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.59 грн
1000+2.44 грн
3000+2.27 грн
6000+2.09 грн
15000+2.03 грн
30000+1.94 грн
75000+1.79 грн
150000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN305PANASONIC
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306-NL
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.70 грн
6000+12.36 грн
9000+12.05 грн
12000+11.44 грн
27000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.44 грн
6000+9.02 грн
9000+8.95 грн
15000+8.31 грн
21000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 53614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.37 грн
500+15.58 грн
1500+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+17.55 грн
38+16.33 грн
41+14.98 грн
100+13.05 грн
250+11.80 грн
500+10.03 грн
1000+9.17 грн
3000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+27.14 грн
564+21.64 грн
592+20.61 грн
749+15.71 грн
1000+12.43 грн
3000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 10045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.49 грн
11+31.75 грн
100+19.65 грн
250+19.50 грн
500+15.03 грн
1000+12.65 грн
3000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 55104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.56 грн
50+30.72 грн
100+21.37 грн
500+15.58 грн
1500+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.10 грн
10+34.29 грн
67+16.46 грн
183+15.63 грн
1000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+46.75 грн
15+27.52 грн
67+13.72 грн
183+13.02 грн
1000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
618+19.77 грн
816+14.97 грн
1000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 618
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 26353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.91 грн
11+29.69 грн
100+19.09 грн
500+13.61 грн
1000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P 306.ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-PIN SUPERSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P-NLFAIRCHILD
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P-NLFAI09+
на замовлення 120018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -12V -2.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.70 грн
1000+2.54 грн
3000+2.37 грн
6000+2.18 грн
15000+2.11 грн
30000+2.03 грн
75000+1.87 грн
150000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P/306FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
на замовлення 5465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN307
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+32.92 грн
560+21.81 грн
602+20.27 грн
763+15.42 грн
1000+13.37 грн
3000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 6119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.95 грн
13+27.98 грн
100+18.16 грн
500+13.92 грн
1000+11.91 грн
3000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.18 грн
10+36.51 грн
100+23.56 грн
500+16.88 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.01 грн
20+30.88 грн
25+30.57 грн
100+19.53 грн
250+16.81 грн
500+12.73 грн
1000+11.92 грн
3000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.46 грн
500+16.98 грн
1000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2192+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 2192
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.76 грн
24+36.15 грн
100+23.46 грн
500+16.98 грн
1000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P-NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.59 грн
1000+2.44 грн
3000+2.27 грн
6000+2.09 грн
15000+2.03 грн
30000+1.94 грн
75000+1.79 грн
150000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P_F154ON Semiconductor / FairchildMOSFET Multi Market MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P_NLFAIRCHILD
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.41 грн
9000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NUMWDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+7.51 грн
140+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 70609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.65 грн
50+23.87 грн
100+13.27 грн
500+11.86 грн
1500+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2248+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 2248
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.03 грн
16+19.38 грн
100+11.30 грн
500+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2248+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 2248
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.3nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.23 грн
17+23.25 грн
21+19.30 грн
50+12.79 грн
85+10.70 грн
233+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.66 грн
53+5.89 грн
100+3.60 грн
500+2.45 грн
1000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
9000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327Nonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
на замовлення 32672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.24 грн
15+23.79 грн
100+12.95 грн
500+11.61 грн
1000+10.34 грн
3000+7.52 грн
6000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2248+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 2248
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NUMWDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.54 грн
24+13.25 грн
100+8.26 грн
500+5.73 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+21.82 грн
949+12.86 грн
984+12.40 грн
1039+11.33 грн
1436+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 560
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 70609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.27 грн
500+11.86 грн
1500+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.05 грн
6000+8.86 грн
9000+8.82 грн
12000+8.37 грн
27000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.94 грн
6000+1.65 грн
9000+1.55 грн
15000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.64 грн
30+20.26 грн
100+11.51 грн
250+10.28 грн
500+9.35 грн
1000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N
Код товару: 176408
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.3nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.07 грн
10+28.98 грн
13+23.16 грн
50+15.35 грн
85+12.84 грн
233+12.19 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.60 грн
1000+2.44 грн
3000+2.28 грн
6000+2.10 грн
15000+2.03 грн
30000+1.95 грн
75000+1.80 грн
150000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N/327FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN331NFAirchild
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN332-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN332P-NLFAIRCHTL2007
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335KEXIN09+
на замовлення 300018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335FAITCHILD04+ SOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+22.30 грн
725+16.84 грн
741+16.49 грн
832+14.15 грн
1000+11.86 грн
3000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 548
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 93448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.15 грн
13+27.47 грн
100+16.30 грн
500+12.72 грн
1000+11.53 грн
3000+9.23 грн
9000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.29 грн
6000+12.05 грн
9000+11.86 грн
12000+11.26 грн
27000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.94 грн
9000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON-SemicoductorN-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.10 грн
9000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+37.83 грн
24+25.29 грн
100+16.82 грн
500+13.28 грн
1000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 17222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.47 грн
12+26.20 грн
100+17.80 грн
500+13.65 грн
1000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.37 грн
500+15.19 грн
1500+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.70 грн
9000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NONSEMIFDN335N SMD N channel transistors
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.87 грн
72+15.25 грн
197+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+31.59 грн
29+20.92 грн
30+20.71 грн
100+15.08 грн
250+13.67 грн
500+11.68 грн
1000+10.57 грн
3000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.40 грн
6000+9.45 грн
9000+8.90 грн
15000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.50 грн
50+30.14 грн
100+20.37 грн
500+15.19 грн
1500+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 1.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.62 грн
1000+2.46 грн
3000+2.29 грн
6000+2.11 грн
15000+2.05 грн
30000+1.96 грн
75000+1.81 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.40 грн
16+24.65 грн
50+19.84 грн
71+12.79 грн
195+12.09 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.08 грн
10+30.72 грн
50+23.81 грн
71+15.35 грн
195+14.51 грн
1000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.82 грн
50+28.38 грн
100+19.37 грн
500+14.11 грн
1500+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.73 грн
12+29.01 грн
100+17.49 грн
500+13.69 грн
1000+11.39 грн
3000+9.75 грн
45000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.14 грн
6000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 12453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
12+28.14 грн
100+19.73 грн
500+14.06 грн
1000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P
Код товару: 135239
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.42 грн
6000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON-SemicoductorP-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.62 грн
500+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.07 грн
6000+10.29 грн
9000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLFAIRCHILDSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLFAIRCHILDSOT-23 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.64 грн
1000+2.48 грн
3000+2.31 грн
6000+2.13 грн
15000+2.06 грн
30000+1.98 грн
75000+1.82 грн
150000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P/336FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P_NLFAIRCHILDSOT23
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337FAIRCHILDSOT23-337
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337FAI09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337 SOT23-337FAIRCHILD
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.38 грн
500+19.30 грн
1500+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N
Код товару: 118654
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 72830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.99 грн
6000+11.89 грн
9000+11.26 грн
15000+10.28 грн
21000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.07 грн
14+21.83 грн
100+15.72 грн
145+7.53 грн
397+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+48.16 грн
18+34.49 грн
100+23.05 грн
500+17.46 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.01 грн
50+38.23 грн
100+26.38 грн
500+19.30 грн
1500+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.00 грн
6000+11.87 грн
9000+11.75 грн
15000+10.37 грн
21000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 984000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.38 грн
6000+9.65 грн
9000+9.55 грн
15000+8.43 грн
21000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 7137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+35.06 грн
23+17.52 грн
100+13.10 грн
145+6.28 грн
397+5.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 372000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.01 грн
6000+11.03 грн
9000+10.92 грн
15000+9.64 грн
21000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 73105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.08 грн
10+32.09 грн
100+21.90 грн
500+16.48 грн
1000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.11 грн
9000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 23074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.78 грн
10+37.57 грн
100+22.25 грн
500+17.86 грн
1000+16.07 грн
3000+12.72 грн
6000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 984000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.43 грн
6000+15.96 грн
9000+15.12 грн
12000+14.47 грн
27000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.76 грн
22+14.50 грн
27+11.84 грн
100+8.26 грн
250+6.86 грн
500+5.99 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.68 грн
1000+2.52 грн
3000+2.35 грн
6000+2.16 грн
15000+2.10 грн
30000+2.01 грн
75000+1.86 грн
150000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N3DBBAFAI9918+
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NNLFAIRCHILD
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N_NLFAIRCHILD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N_Qonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338??SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338FAIRCHILDSOT-23
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338FAI09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338KEXIN09+
на замовлення 300018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.18 грн
6000+11.86 грн
9000+11.56 грн
12000+10.98 грн
27000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 260 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
260+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 109789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.05 грн
12+29.52 грн
100+16.45 грн
500+12.95 грн
1000+11.76 грн
3000+9.30 грн
9000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PONSEMIFDN338P SMD P channel transistors
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.77 грн
65+17.02 грн
177+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.26 грн
22+27.55 грн
100+17.68 грн
500+12.53 грн
1000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PUMWTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P UMW TFDN338p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PHUASHUOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 809 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 16387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.25 грн
12+26.28 грн
100+18.10 грн
500+13.18 грн
1000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.84 грн
63+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 370 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
370+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.83 грн
50+29.05 грн
100+18.87 грн
500+13.88 грн
1500+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PMSKSEMITransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON-SemicoductorP-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) FDN338P TFDN338p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.18 грн
6000+9.37 грн
9000+9.02 грн
15000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.87 грн
500+13.88 грн
1500+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PHUASHUOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P SOT23-338FAIRCHILD
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P-NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P-NLFAIRCHIL09+ TSSOP20
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.70 грн
1000+2.53 грн
3000+2.36 грн
6000+2.17 грн
15000+2.11 грн
30000+2.02 грн
75000+1.87 грн
150000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P/338FAIRCHILD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P/338FAIRCHIL09+
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PSOT23-338FAIRCHLD
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P\338FAIRCHILSOT-23
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P_NLFairchild
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 326730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P_Qonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339FAI09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339FAI4 SOT-23
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANON-SemicoductorN-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.72 грн
6000+14.34 грн
9000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.95 грн
500+13.80 грн
1500+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 17193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.45 грн
12+29.35 грн
100+17.34 грн
500+13.62 грн
1000+12.35 грн
3000+9.90 грн
9000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 20200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.61 грн
6000+9.87 грн
9000+9.59 грн
15000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANONSEMIFDN339AN SMD N channel transistors
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.08 грн
57+19.16 грн
157+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.06 грн
50+27.55 грн
100+21.95 грн
500+13.80 грн
1500+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+29.73 грн
23+27.18 грн
25+26.37 грн
100+18.02 грн
250+16.31 грн
500+12.62 грн
1000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+28.40 грн
607+20.12 грн
621+19.67 грн
770+15.29 грн
1123+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 430
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 20778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.08 грн
11+28.37 грн
100+19.60 грн
500+14.63 грн
1000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.62 грн
1000+2.46 грн
3000+2.29 грн
6000+2.11 грн
15000+2.05 грн
30000+1.96 грн
75000+1.81 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN_GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN3400ON SemiconductorSSOT-3. SINGLE. 2.5V. NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN3401FAIRCHILD
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN3401Fairchild SemiconductorDescription: FDN3401
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN3401/3401FAIRCHIL09+
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
982+12.43 грн
992+12.31 грн
1002+12.18 грн
1053+11.18 грн
1140+9.56 грн
3000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 982
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.24 грн
6000+10.09 грн
9000+9.83 грн
12000+9.24 грн
27000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+13.91 грн
50+12.20 грн
53+11.54 грн
100+11.02 грн
250+10.10 грн
500+9.23 грн
1000+8.52 грн
3000+6.56 грн
6000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 118606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.91 грн
50+24.63 грн
100+13.69 грн
500+12.17 грн
1500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -10A
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 4640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.72 грн
18+21.70 грн
25+16.59 грн
95+9.53 грн
260+9.07 грн
3000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 351000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.28 грн
6000+8.33 грн
9000+7.58 грн
15000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3254+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 3254
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -10A
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.07 грн
11+27.05 грн
25+19.91 грн
95+11.44 грн
260+10.88 грн
3000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.54 грн
6000+6.91 грн
9000+6.25 грн
24000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.20 грн
6000+7.52 грн
9000+6.80 грн
24000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.10 грн
9000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P
Код товару: 191356
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3254+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 3254
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 118786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.69 грн
500+12.17 грн
1500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 42737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.24 грн
15+23.19 грн
100+11.46 грн
1000+10.42 грн
3000+8.04 грн
9000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 15487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.25 грн
13+25.04 грн
100+16.74 грн
500+11.94 грн
1000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 31312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3254+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 3254
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340POn SemiconductorMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.56 грн
21+15.04 грн
26+12.25 грн
100+8.54 грн
250+7.09 грн
500+6.19 грн
1000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 20V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.70 грн
1000+2.54 грн
3000+2.37 грн
6000+2.18 грн
15000+2.11 грн
30000+2.03 грн
75000+1.87 грн
150000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P/340FAIRCHIL09+
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P\340FAIRCHILSOT-23
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
на замовлення 1760384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.38 грн
500+20.62 грн
1000+13.09 грн
5000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.75 грн
6000+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.05 грн
6000+14.31 грн
15000+13.94 грн
30000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
на замовлення 7281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.23 грн
10+41.63 грн
100+27.01 грн
500+19.45 грн
1000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.72 грн
9000+23.51 грн
18000+21.87 грн
27000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.58 грн
20+41.74 грн
100+28.97 грн
500+21.08 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.90 грн
10+49.98 грн
100+32.44 грн
500+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+13.82 грн
15000+13.50 грн
30000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.20 грн
6000+15.41 грн
15000+15.01 грн
30000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APonsemi / FairchildMOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET
на замовлення 162697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.02 грн
13+27.47 грн
100+16.82 грн
500+13.17 грн
1000+10.94 грн
3000+9.38 грн
9000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+28.35 грн
32+19.10 грн
100+12.99 грн
500+9.80 грн
1000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APONSEMIDescription: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.29 грн
500+15.12 грн
1000+11.52 грн
5000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.03 грн
9000+9.92 грн
24000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.24 грн
9000+9.21 грн
24000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 42285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.05 грн
12+27.67 грн
100+19.23 грн
500+13.72 грн
1000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.29 грн
6000+12.05 грн
9000+11.87 грн
12000+11.28 грн
27000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.36 грн
9000+9.32 грн
24000+9.03 грн
45000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APONSEMIDescription: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.33 грн
27+31.47 грн
100+22.37 грн
500+15.12 грн
1000+11.73 грн
5000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.21 грн
9000+10.08 грн
24000+9.77 грн
45000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.03 грн
6000+9.30 грн
9000+9.16 грн
15000+8.38 грн
21000+8.09 грн
30000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+28.18 грн
631+19.34 грн
637+19.16 грн
807+14.60 грн
1094+9.96 грн
3000+9.56 грн
15000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+33.31 грн
23+26.43 грн
25+26.16 грн
100+17.32 грн
250+15.88 грн
500+12.05 грн
1000+8.88 грн
15000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APONSEMIFDN352AP SMD P channel transistors
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.58 грн
84+13.02 грн
230+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP-NLFairchildSOT-23 0722+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.58 грн
1000+2.42 грн
3000+2.26 грн
6000+2.08 грн
15000+2.01 грн
30000+1.93 грн
75000+1.78 грн
150000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357FAITCHILD04+ SOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.81 грн
6000+10.68 грн
9000+10.57 грн
24000+9.80 грн
30000+8.99 грн
45000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.03 грн
13+25.35 грн
100+19.39 грн
500+15.09 грн
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+31.14 грн
535+22.82 грн
566+21.59 грн
686+17.15 грн
1000+12.77 грн
3000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.99 грн
45000+19.19 грн
90000+17.85 грн
135000+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.19 грн
9000+15.86 грн
24000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.33 грн
6000+11.62 грн
12000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.49 грн
6000+16.04 грн
9000+15.41 грн
12000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.94 грн
20+30.83 грн
25+28.91 грн
100+20.43 грн
250+17.90 грн
500+14.16 грн
1000+11.39 грн
3000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.11 грн
12+29.78 грн
100+19.79 грн
250+19.65 грн
500+15.55 грн
1000+13.62 грн
3000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.08 грн
10+32.46 грн
50+21.86 грн
138+20.65 грн
500+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.053 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.85 грн
50+34.81 грн
100+22.87 грн
500+16.67 грн
1500+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.71 грн
6000+11.50 грн
9000+11.38 грн
24000+10.56 грн
30000+9.68 грн
45000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.23 грн
15+26.04 грн
50+18.22 грн
138+17.21 грн
500+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
6000+11.66 грн
12000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 1.9A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N_NLFAIRCHILD0448
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON-SemicoductorP-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P
Код товару: 36466
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.17 грн
6000+11.64 грн
9000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+30.58 грн
575+21.22 грн
581+21.01 грн
730+16.13 грн
1000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.86 грн
22+28.68 грн
25+28.39 грн
100+19.00 грн
250+17.42 грн
500+13.31 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PONSEMIFDN358P SMD P channel transistors
на замовлення 5063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.37 грн
67+16.37 грн
184+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 86434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.54 грн
500+13.88 грн
1500+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 26387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.15 грн
12+30.89 грн
100+18.31 грн
500+14.36 грн
1000+12.72 грн
3000+10.42 грн
9000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
на замовлення 11524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.54 грн
10+34.73 грн
100+22.62 грн
500+16.18 грн
1000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 83634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.76 грн
50+34.73 грн
100+22.96 грн
500+17.36 грн
1500+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P(2DCEA)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P-NL
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.58 грн
1000+2.42 грн
3000+2.26 грн
6000+2.08 грн
15000+2.01 грн
30000+1.93 грн
75000+1.78 грн
150000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 17115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.54 грн
12+29.44 грн
100+17.49 грн
500+13.77 грн
1000+12.50 грн
3000+10.05 грн
9000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.11 грн
6000+9.52 грн
9000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 51903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.17 грн
50+33.56 грн
100+22.20 грн
500+16.05 грн
1500+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.72 грн
6000+14.45 грн
9000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 1600
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANFairchildN-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
60+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 10036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.25 грн
11+28.68 грн
100+20.09 грн
500+14.48 грн
1000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 57927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.20 грн
500+13.41 грн
1500+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1114+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 1114
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANONSEMIFDN359AN SMD N channel transistors
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.18 грн
70+15.63 грн
193+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.83 грн
23+26.60 грн
25+25.66 грн
100+17.79 грн
250+16.45 грн
500+12.53 грн
1000+11.28 грн
3000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.68 грн
1000+2.52 грн
3000+2.35 грн
6000+2.16 грн
15000+2.10 грн
30000+2.01 грн
75000+1.86 грн
150000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN/359AFAIRCHIL09+
на замовлення 243018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN/F40
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN\359AFAIRCHILSOT-23
на замовлення 243100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.74 грн
9000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.02 грн
9000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.97 грн
6000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 22734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.22 грн
50+23.71 грн
100+19.20 грн
500+12.71 грн
1500+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNONSEMIFDN359BN SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 105701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.83 грн
12+27.52 грн
100+19.43 грн
500+13.89 грн
1000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2428+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 2428
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 58835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.54 грн
12+29.35 грн
100+17.41 грн
500+13.62 грн
1000+12.35 грн
3000+9.90 грн
9000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+25.22 грн
679+17.98 грн
686+17.81 грн
821+14.34 грн
1000+11.50 грн
3000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 484
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.37 грн
6000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.49 грн
450000+7.76 грн
675000+7.22 грн
900000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 22734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.20 грн
500+12.71 грн
1500+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+32.77 грн
26+23.41 грн
100+16.10 грн
250+14.76 грн
500+11.83 грн
1000+10.25 грн
3000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN-F095ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN-F095ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN-NLFairchildSOT-23 0701+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.68 грн
1000+2.52 грн
3000+2.35 грн
6000+2.16 грн
15000+2.10 грн
30000+2.01 грн
75000+1.86 грн
150000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN_F095onsemi / FairchildMOSFET 30V NCh; PowerTrench AU Wire Parts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359N/359FAIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+46.06 грн
23+26.67 грн
100+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 171104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.36 грн
500+13.72 грн
1500+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 16052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.27 грн
12+26.12 грн
100+14.39 грн
500+12.39 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.76 грн
9000+7.67 грн
24000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360POn Semiconductor/FairchildSOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.70 грн
24000+11.60 грн
36000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.27 грн
6000+10.96 грн
9000+10.69 грн
12000+10.15 грн
27000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 168614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.08 грн
50+30.22 грн
100+16.70 грн
500+14.57 грн
1500+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.59 грн
6000+8.66 грн
9000+8.16 грн
15000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.65 грн
9000+7.56 грн
24000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PONSEMIFDN360P SMD P channel transistors
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.66 грн
98+11.12 грн
270+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 62255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.84 грн
13+28.33 грн
100+13.10 грн
1000+12.06 грн
3000+8.71 грн
9000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.03 грн
9000+7.02 грн
24000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P
Код товару: 75653
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 30V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P-NBGT003BonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P-NLFAIRCHILD09+ QFP
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.70 грн
1000+2.53 грн
3000+2.36 грн
6000+2.17 грн
15000+2.11 грн
30000+2.02 грн
75000+1.87 грн
150000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P/360FAIRCHIL09+
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PSOT23-360PB-FREEFAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P_NBGT003Bonsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANFAIRCHILD09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANFAIRCHILDSOT23-361 PB-FRE
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANFAISOT-23
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANFAIRCHILDSOT23
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN-NLFAIRCHILDSOT23 11+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN-NLFAIRCHILDSOT23-361 PB-FRE
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN-NLSOT23-361PB-FREEFAIRCHLD
на замовлення 173821 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN/361FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN_NLFAIRCHILDSOT23
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.37 грн
20+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+11.74 грн
53+11.41 грн
54+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.88 грн
6000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNonsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BN-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361P/361FAIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN363NFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 42602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 1665
В кошику  од. на суму  грн.
FDN363N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN371NON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN371NFairchild SemiconductorDescription: 2.5A, 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN371N
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN371NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN371N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN372SSAMSOT 08+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN372SFSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN372SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
на замовлення 105541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 1902
В кошику  од. на суму  грн.
FDN372S-NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN372S-NLFAIRCHIL09+ SSOP16
на замовлення 847 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN377NFSC
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5330SXFAIRCHILDSOT-153
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NON Semiconductor
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 14824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.97 грн
500+22.56 грн
1500+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.71 грн
6000+17.33 грн
9000+16.59 грн
15000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 14824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.71 грн
50+46.16 грн
100+30.97 грн
500+22.56 грн
1500+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537Nonsemi / FairchildMOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 421-430 дні (днів)
7+53.13 грн
10+46.47 грн
100+30.96 грн
500+24.48 грн
1000+19.57 грн
3000+17.78 грн
6000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NONSEMIFDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.90 грн
40+27.35 грн
110+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 60133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.67 грн
10+45.89 грн
100+30.42 грн
500+22.47 грн
1000+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.90 грн
9000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 60V
на замовлення 40190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.95 грн
13+28.24 грн
100+17.12 грн
500+13.32 грн
1000+10.86 грн
3000+9.15 грн
9000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 246429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.79 грн
500+16.12 грн
1500+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.36 грн
9000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.01 грн
6000+11.76 грн
9000+11.49 грн
12000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.08 грн
9000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 246279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.50 грн
50+30.14 грн
100+21.79 грн
500+16.12 грн
1500+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P 618.ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 818 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P-B8onsemiDescription: FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P-NLFAIRCHILD
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P-SB4N007ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 156175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.24 грн
50+29.55 грн
100+18.87 грн
500+13.25 грн
1500+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.56 грн
9000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 159759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.36 грн
500+11.24 грн
1500+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3283+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 3283
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+35.90 грн
17+22.94 грн
50+17.21 грн
84+10.85 грн
229+10.23 грн
1000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630
Код товару: 208281
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.44 грн
13+25.42 грн
100+16.23 грн
500+11.50 грн
1000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.07 грн
11+28.59 грн
50+20.65 грн
84+13.02 грн
229+12.28 грн
1000+12.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.073 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.02 грн
9000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.21 грн
6000+11.04 грн
9000+10.76 грн
12000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.48 грн
6000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.02 грн
9000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630onsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 60V
на замовлення 32114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.94 грн
12+29.52 грн
100+16.37 грн
500+12.50 грн
1000+10.34 грн
3000+8.19 грн
6000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630-B8onsemiDescription: FET 60V 1.0 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-PIN SUPERSOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630-NL
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+62.61 грн
11+37.98 грн
41+22.25 грн
113+21.01 грн
500+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.33 грн
6000+16.73 грн
9000+15.49 грн
30000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085onsemi / FairchildMOSFETs Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
на замовлення 459656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.85 грн
10+46.64 грн
25+40.48 грн
100+27.24 грн
500+22.47 грн
1000+19.87 грн
3000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.30 грн
10+40.23 грн
100+27.87 грн
500+21.86 грн
1000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+75.13 грн
10+47.33 грн
41+26.70 грн
113+25.21 грн
500+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5632N-F085 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
на замовлення 13848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
на замовлення 4294967295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN6301NFAIRCHILDSOT-163
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ONSEMIFDN8601 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.24 грн
500+31.78 грн
1000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.32 грн
6000+26.35 грн
9000+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 46053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.30 грн
10+54.43 грн
100+38.25 грн
500+31.03 грн
1000+28.72 грн
3000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.36 грн
16+53.76 грн
100+41.91 грн
500+32.48 грн
1000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+75.98 грн
242+50.58 грн
244+50.08 грн
264+44.67 грн
500+38.01 грн
1000+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 21597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.71 грн
10+48.76 грн
100+40.55 грн
500+31.40 грн
1000+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+82.55 грн
10+70.55 грн
25+46.96 грн
100+44.84 грн
250+38.41 грн
500+33.88 грн
1000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+59.80 грн
12+51.65 грн
25+51.32 грн
100+37.43 грн
250+34.06 грн
500+28.06 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.04 грн
6000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246ONSEMIFDN86246 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.195 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.69 грн
11+77.55 грн
100+56.01 грн
500+41.63 грн
1000+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 34232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.33 грн
10+79.07 грн
100+49.71 грн
500+39.81 грн
1000+38.17 грн
3000+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
на замовлення 23546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.87 грн
10+86.43 грн
100+58.23 грн
500+43.28 грн
1000+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
на замовлення 220362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.98 грн
10+58.83 грн
100+45.19 грн
500+35.10 грн
1000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PONSEMIFDN86265P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.02 грн
100+46.16 грн
500+32.63 грн
1000+25.19 грн
5000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265Ponsemi / FairchildMOSFETs PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET
на замовлення 16102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.68 грн
10+61.36 грн
100+41.00 грн
500+33.93 грн
1000+31.70 грн
3000+28.35 грн
6000+28.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.30 грн
6000+28.93 грн
9000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 800
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
на замовлення 60344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.09 грн
10+130.77 грн
100+90.03 грн
500+68.14 грн
1000+62.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZONSEMIFDN86501LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZON Semiconductor
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO
на замовлення 38208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.07 грн
10+92.42 грн
25+78.88 грн
100+71.44 грн
250+69.13 грн
500+66.67 грн
1000+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDNA3763HellermannTytonElectrical Enclosure Accessories Wall Mounting Bracket for FDN, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNC1602A-NLAFBW-51LRFordata
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRABBAXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 16P AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRABBCXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 59 port AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRBXBAWXHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 24 SE trays (288 fibers), PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRBXBAXNHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 48 SC-B trays (576 fibers), PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRBXBAXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 16P B-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRCXBCWXHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 36 SE trays (432 fibers), PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRCXBCXNHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 72 SC-B trays (864 fibers), PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRCXBCXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 59 port C-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM008.0010PNEUMATFDNM008.0010 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM008.0025PNEUMATFDNM008.0025 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM008.0050PNEUMATFDNM008.0050 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM010.0010PNEUMATFDNM010.0010 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM010.0025PNEUMATFDNM010.0025 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM010.0050PNEUMATFDNM010.0050 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0010PNEUMATFDNM012.0010 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0025PNEUMATFDNM012.0025 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0050PNEUMATFDNM012.0050 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0080PNEUMATFDNM012.0080 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0100PNEUMATFDNM012.0100 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0125PNEUMATFDNM012.0125 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0160PNEUMATFDNM012.0160 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0200PNEUMATFDNM012.0200 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0010PNEUMATFDNM016.0010 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0025PNEUMATFDNM016.0025 Actuators
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1443.63 грн
3+1364.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0050PNEUMATFDNM016.0050 Actuators
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1494.79 грн
3+1412.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0080PNEUMATFDNM016.0080 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0100PNEUMATFDNM016.0100 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0125PNEUMATFDNM016.0125 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0160PNEUMATFDNM016.0160 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0200PNEUMATFDNM016.0200 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0010PNEUMATFDNM020.0010 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0025PNEUMATFDNM020.0025 Actuators
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1721.75 грн
2+1627.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0050PNEUMATFDNM020.0050 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0080PNEUMATFDNM020.0080 Actuators
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1882.67 грн
2+1780.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0100PNEUMATFDNM020.0100 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0125PNEUMATFDNM020.0125 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0160PNEUMATFDNM020.0160 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0200PNEUMATFDNM020.0200 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0010PNEUMATFDNM025.0010 Actuators
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1828.72 грн
2+1729.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0025PNEUMATFDNM025.0025 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0050PNEUMATFDNM025.0050 Actuators
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2001.73 грн
2+1892.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0080PNEUMATFDNM025.0080 Actuators
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2136.61 грн
2+2019.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0100PNEUMATFDNM025.0100 Actuators
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2217.53 грн
2+2096.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0120PNEUMATFDNM025.0120 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0125PNEUMATFDNM025.0125 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0160PNEUMATFDNM025.0160 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0200PNEUMATFDNM025.0200 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNYD1-110(5)KS TerminalsTerminals Nylon, Double Crimp Female, 22-16 AWG, .020 x .110
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.04 грн
100+18.14 грн
1000+12.43 грн
5000+10.86 грн
10000+9.38 грн
25000+7.81 грн
50000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDNYD1-110(8)KS TerminalsTerminals Nylon, Double Crimp Female, 22-16 AWG, .032 x .110
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.04 грн
100+18.14 грн
1000+12.43 грн
5000+10.86 грн
10000+9.38 грн
25000+7.81 грн
50000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDNYD1-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDNYD1-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 22 AWG, 16 AWG
tariffCode: 85369010
Isoliermaterial: Nylon (Polyamid)
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
usEccn: EAR99
Leiterstärke (AWG), max.: 16AWG
Leiterquerschnitt CSA: 1.5mm²
euEccn: NLR
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Rot
Leiterstärke (AWG), min.: 22AWG
Produktpalette: FDNYD
productTraceability: No
Anschlussmaterial: Messing
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1294.73 грн
5+1078.52 грн
10+892.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNYD5-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDNYD5-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 12 AWG, 10 AWG
Isoliermaterial: Nylon (Polyamid)
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
Leiterstärke (AWG), max.: 10
Leiterquerschnitt CSA: 6
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Gelb
Leiterstärke (AWG), min.: 12
Produktpalette: FDNYD
Anschlussmaterial: Messing
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1515.94 грн
5+1263.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNYD5-250KS TerminalsTerminals Nylon, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .032 x .250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.