Продукція > FDN

Description: ROTARY DAMPER TORQUE 1.0NM

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN-63A-L903

Description: ROTARY DAMPER TORQUE 8.5NM
Features: Disk Type
Packaging: Bag
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2635.55 грн

В кошику од. на суму грн.

FDN-63A-R453

Description: ROTARY DAMPER TORQUE 4.5NM

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN-63A-R603

Description: ROTARY DAMPER TORQUE 6.0NM

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN028N20

Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V

на замовлення 34578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.20 грн
10+	32.63 грн
100+	21.60 грн
500+	15.47 грн
1000+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDN028N20

MOSFETs Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server

на замовлення 27055 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.10 грн
15+	21.49 грн
100+	14.01 грн
500+	12.62 грн
1000+	11.71 грн
3000+	9.62 грн
6000+	9.34 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDN028N20

Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.03 грн
6000+	11.09 грн
9000+	10.52 грн
15000+	9.57 грн
21000+	9.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN028N20

ON Semiconductor / Fairchild

Description: ONSEMI - FDN028N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.1 A, 0.023 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 1415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.49 грн
19+	44.33 грн
100+	33.11 грн
500+	18.73 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

FDN028N20

MOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server

на замовлення 5880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN1-187(5)

Terminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .187

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN1-187(8)

Terminals TerminalsQuick Disconnects22-16AWG,0.8x4.75Female,Non-Insulated

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

27+	12.36 грн
100+	7.86 грн
1000+	5.37 грн
5000+	4.67 грн
10000+	4.04 грн
25000+	3.35 грн
50000+	2.86 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

FDN1-205(5)

Terminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .205

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

28+	11.63 грн
100+	7.38 грн
1000+	5.02 грн
5000+	4.46 грн
10000+	3.83 грн
25000+	3.21 грн
50000+	2.65 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

FDN1-250

Terminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .032 x .250

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN103

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN103A

MOTOROLA

09+ SOP24

на замовлення 1009 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN143

ROHM

99+ QFP

на замовлення 98000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN147

ROHM

97+ QFP

на замовлення 128000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN147-626

на замовлення 498 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN147B

97 TQFP

на замовлення 157 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN2-205(5)

Terminals Non-Insulated, Female, 16-14 AWG, .020 x .205

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN2-250

Terminals Non-Insulated, Female, 16-14 AWG, .032 x .250

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN301

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN301A

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN301N-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN302P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	41.49 грн
26+	28.75 грн
100+	15.88 грн
1000+	11.17 грн
3000+	8.04 грн
9000+	7.44 грн
24000+	7.36 грн
45000+	7.01 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

FDN302P

Код виробника: FDN302P RoHS .302.. Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 480 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	17.90 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

FDN302P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN302P
Код товару: 31343

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,4 A
Rds(on),Om: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 882/9
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

1+	20.00 грн
10+	12.00 грн

В кошику од. на суму грн.

FDN302P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.12 грн
9000+	11.62 грн
24000+	11.21 грн
45000+	10.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN302P

Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 5274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	44.58 грн
50+	25.38 грн
100+	18.87 грн
500+	14.20 грн
1500+	11.23 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

FDN302P

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V

на замовлення 9790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.28 грн
12+	27.19 грн
100+	17.42 грн
500+	12.38 грн
1000+	11.10 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDN302P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.61 грн
6000+	12.33 грн
9000+	12.14 грн
12000+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN302P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN302P

MOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V

на замовлення 11924 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.83 грн
13+	26.14 грн
100+	12.27 грн
1000+	9.34 грн
3000+	8.44 грн
9000+	7.46 грн
24000+	7.25 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDN302P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

449+	28.78 грн
785+	16.45 грн
793+	16.28 грн
802+	15.53 грн
1324+	8.70 грн

Мінімальне замовлення: 449

В кошику од. на суму грн.

FDN302P

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.79 грн
6000+	8.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN302P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.25 грн
9000+	10.84 грн
24000+	10.46 грн
45000+	9.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN302P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	44.60 грн
24+	31.16 грн
25+	30.84 грн
100+	16.83 грн
250+	15.43 грн
500+	14.65 грн
1000+	8.95 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

FDN302P

на замовлення 5197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	15.94 грн
500+	10.35 грн
1500+	9.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN302P .302..

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN302P TFDN302p
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 480 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	18.02 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

FDN302P-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN302P-NL-ML

Description: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.45 грн
1000+	2.30 грн
3000+	2.15 грн
6000+	1.97 грн
15000+	1.91 грн
30000+	1.83 грн
75000+	1.69 грн
150000+	1.52 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN302P\302

SOT-23

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN302P_NL

05+06+

на замовлення 2394000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN302P_Q

MOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN303

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN304

SOT-23

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN304N

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.97 грн
9000+	11.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V

на замовлення 25476 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.69 грн
10+	33.16 грн
100+	21.42 грн
500+	15.37 грн
1000+	13.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	64.92 грн
19+	39.82 грн
100+	25.53 грн
500+	18.59 грн
1000+	15.36 грн
3000+	11.90 грн
6000+	10.83 грн
9000+	9.59 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

Description: MULTICOMP PRO - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm

на замовлення 5170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.09 грн
1000+	2.70 грн
5000+	2.36 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

250+	2.65 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 47053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1759+	18.35 грн
10000+	16.36 грн

Мінімальне замовлення: 1759

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

на замовлення 128146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	65.89 грн
50+	40.75 грн
100+	26.36 грн
500+	18.73 грн
1500+	15.69 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.17 грн
6000+	11.64 грн
9000+	11.11 грн
15000+	9.86 грн
21000+	9.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 17274 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1759+	18.35 грн
10000+	16.36 грн

Мінімальне замовлення: 1759

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

на замовлення 129141 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.36 грн
500+	18.73 грн
1500+	15.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN304P
Код товару: 127609

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

SLKOR

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 0,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P SLKOR TFDN304p SLK
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	1.89 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	74.58 грн
17+	45.73 грн
100+	29.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

MOSFETs SSOT-3 P-CH 1.8V

на замовлення 4912 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.35 грн
10+	35.04 грн
100+	19.73 грн
500+	15.06 грн
1000+	13.60 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

на замовлення 5170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	10.98 грн
93+	8.79 грн
130+	6.29 грн
500+	4.09 грн
1000+	2.70 грн
5000+	2.36 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

FDN304P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.56 грн
6000+	16.12 грн
9000+	15.52 грн
12000+	14.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN304P SLKOR

SLKOR

Код виробника: FDN304P RoHS Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 0,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	1.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN304P UMW

Код виробника: FDN304P RoHS Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	2.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN304P-EV

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN304P-EV

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN304P-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN304P-NL-ML

Description: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 297000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.62 грн
1000+	2.46 грн
3000+	2.29 грн
6000+	2.11 грн
15000+	2.05 грн
30000+	1.96 грн
75000+	1.81 грн
150000+	1.63 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN304PZ

Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 4363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.55 грн
500+	20.32 грн
1000+	16.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN304PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 20319 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.40 грн
10+	36.33 грн
100+	23.57 грн
500+	16.97 грн
1000+	15.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDN304PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1551+	20.81 грн

Мінімальне замовлення: 1551

В кошику од. на суму грн.

FDN304PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.43 грн
6000+	17.50 грн
9000+	16.25 грн
15000+	15.51 грн
21000+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN304PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN304PZ

MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V

на замовлення 8308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.58 грн
10+	37.85 грн
100+	21.27 грн
500+	16.45 грн
1000+	14.64 грн
3000+	11.78 грн
6000+	11.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDN304PZ

на замовлення 4363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	60.68 грн
19+	43.76 грн
100+	28.55 грн
500+	20.32 грн
1000+	16.52 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

FDN304PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.61 грн
6000+	12.94 грн
9000+	12.36 грн
15000+	10.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN304PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN304PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN304PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 23900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

270+	47.83 грн
416+	31.04 грн
543+	23.81 грн
1000+	20.71 грн
3000+	15.86 грн
6000+	14.60 грн
9000+	13.37 грн
15000+	13.21 грн
21000+	12.78 грн

Мінімальне замовлення: 270

В кошику од. на суму грн.

FDN304PZ

MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-33 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN304PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN304PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 23900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.45 грн
15+	51.25 грн
100+	33.25 грн
500+	24.60 грн
1000+	20.55 грн
3000+	16.31 грн
6000+	15.64 грн
9000+	14.33 грн
15000+	14.15 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDN304PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.77 грн
6000+	18.78 грн
9000+	17.43 грн
15000+	16.64 грн
21000+	15.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN304PZ-NL-ML

Description: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.53 грн
1000+	2.37 грн
3000+	2.21 грн
6000+	2.04 грн
15000+	1.97 грн
30000+	1.89 грн
75000+	1.75 грн
150000+	1.57 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN305

PANASONIC

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN306-NL

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

P-chanel, SSOT-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.83 грн
6000+	9.74 грн
9000+	9.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	20.15 грн
45+	16.54 грн
46+	16.37 грн
100+	12.32 грн
250+	11.30 грн
500+	9.47 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	11.80 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 40990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.93 грн
500+	14.96 грн
1500+	11.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.90 грн
6000+	9.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

Код виробника: FDN306P RoHS 306. Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 300 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	10.05 грн
1500+	9.55 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

VBsemi

Код виробника: FDN306P RoHS Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 150 шт

на замовлення 150 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

150+	6.35 грн
750+	5.51 грн
3000+	5.26 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

689+	18.76 грн
848+	15.23 грн

Мінімальне замовлення: 689

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

VBsemi

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 150 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

150+	5.32 грн

Мінімальне замовлення: 150

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 37705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.65 грн
50+	32.29 грн
100+	21.07 грн
500+	15.18 грн
1500+	12.55 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.54 грн
6000+	10.44 грн
9000+	10.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

TECH PUBLIC

Transistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V

на замовлення 46460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.20 грн
11+	29.91 грн
100+	19.24 грн
500+	13.72 грн
1000+	12.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.49 грн
6000+	12.64 грн
9000+	12.55 грн
12000+	12.00 грн
27000+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

Код виробника: FDN306P RoHS Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 5 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	9.88 грн
2000+	9.55 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

FDN306P

MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V

на замовлення 17688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.21 грн
13+	25.10 грн
100+	14.64 грн
500+	11.50 грн
1000+	10.18 грн
3000+	8.16 грн
6000+	7.67 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDN306P 306.

Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN306P SOT23 TEC

TECH PUBLIC

Код виробника: FDN306P RoHS Transistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; Transistors
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	7.67 грн
300+	6.62 грн
1000+	6.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN306P-NL

09+

на замовлення 120018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN306P-NL-ML

Description: P-Channel -12V -2.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.64 грн
1000+	2.48 грн
3000+	2.31 грн
6000+	2.12 грн
15000+	2.06 грн
30000+	1.97 грн
75000+	1.82 грн
150000+	1.64 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN306P/306

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN306P_F095

Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN306P_F095

Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A

на замовлення 5460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN306P_F095

Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A

на замовлення 5465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN307

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN308P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

371+	34.82 грн
560+	23.07 грн
602+	21.44 грн
763+	16.31 грн
1000+	14.14 грн
3000+	9.99 грн

Мінімальне замовлення: 371

В кошику од. на суму грн.

FDN308P

Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2066 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.86 грн
500+	16.54 грн
1000+	13.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN308P

Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V

на замовлення 3767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.61 грн
10+	35.58 грн
100+	22.96 грн
500+	16.45 грн
1000+	14.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDN308P

MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V

на замовлення 6119 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.81 грн
13+	26.22 грн
100+	17.01 грн
500+	13.04 грн
1000+	11.16 грн
3000+	9.76 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDN308P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	57.38 грн
20+	37.69 грн
25+	37.31 грн
100+	23.83 грн
250+	20.51 грн
500+	15.54 грн
1000+	14.55 грн
3000+	10.70 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDN308P

на замовлення 2066 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	54.34 грн
24+	35.22 грн
100+	22.86 грн
500+	16.54 грн
1000+	13.81 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

FDN308P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18487 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2192+	14.72 грн

Мінімальне замовлення: 2192

В кошику од. на суму грн.

FDN308P

Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN308P-NL

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN308P-NL-ML

ON Semiconductor / Fairchild

Description: P-Channel -20V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.53 грн
1000+	2.37 грн
3000+	2.21 грн
6000+	2.04 грн
15000+	1.97 грн
30000+	1.89 грн
75000+	1.75 грн
150000+	1.57 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN308P_F154

MOSFET Multi Market MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN308P_NL

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2698+	11.96 грн

Мінімальне замовлення: 2698

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.3nC
Technology: PowerTrench®

на замовлення 1836 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

12+	37.96 грн
15+	28.37 грн
18+	24.67 грн
50+	16.95 грн
100+	14.44 грн
500+	10.32 грн
1000+	9.23 грн
1500+	8.64 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2698+	11.96 грн
10000+	10.67 грн

Мінімальне замовлення: 2698

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V

на замовлення 28677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.36 грн
12+	25.53 грн
100+	16.31 грн
500+	11.56 грн
1000+	10.35 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN327N
Код товару: 176408

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 52199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.26 грн
500+	11.86 грн
1500+	10.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.65 грн
6000+	10.49 грн
9000+	10.26 грн
12000+	9.66 грн
27000+	8.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.12 грн
6000+	8.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

MOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec

на замовлення 3631 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.36 грн
13+	26.22 грн
100+	14.57 грн
500+	11.02 грн
1000+	9.90 грн
3000+	6.76 грн
6000+	6.21 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Fairchild/ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2698+	11.96 грн
10000+	10.67 грн

Мінімальне замовлення: 2698

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10, Qg, нКл = 6,3, Rds = 70 мОм, Ugs(th) = 1,5 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SSOT-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 2973 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

3000+	8.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN327N

Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 52199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	37.91 грн
50+	20.17 грн
100+	13.26 грн
500+	11.86 грн
1500+	10.60 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

FDN327N-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN327N-NL-ML

Description: N-Channel 20V 2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.53 грн
1000+	2.38 грн
3000+	2.22 грн
6000+	2.04 грн
15000+	1.98 грн
30000+	1.90 грн
75000+	1.75 грн
150000+	1.58 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN327N/327

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN331N

FAirchild

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN332-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN332P-NL

FAIRCHTL

2007

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN335

KEXIN

09+

на замовлення 300018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN335N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.55 грн
29+	25.54 грн
30+	25.28 грн
100+	18.40 грн
250+	16.68 грн
500+	14.26 грн
1000+	12.90 грн
3000+	10.50 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

FDN335N

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V

на замовлення 18701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.06 грн
11+	27.87 грн
100+	17.91 грн
500+	12.78 грн
1000+	11.47 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDN335N

Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.82 грн
9000+	10.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN335N

Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN335N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

548+	23.59 грн
725+	17.81 грн
741+	17.44 грн
832+	14.97 грн
1000+	12.55 грн
3000+	9.80 грн

Мінімальне замовлення: 548

В кошику од. на суму грн.

FDN335N

Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 68832 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.69 грн
500+	14.28 грн
1000+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN335N

MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V

на замовлення 93448 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.56 грн
13+	25.74 грн
100+	15.27 грн
500+	11.92 грн
1000+	10.81 грн
3000+	8.65 грн
9000+	8.37 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDN335N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.00 грн
6000+	12.74 грн
9000+	12.55 грн
12000+	11.91 грн
27000+	10.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN335N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.13 грн
9000+	11.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN335N

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.86 грн
6000+	9.57 грн
9000+	9.12 грн
15000+	8.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN335N

Код виробника: FDN335N RoHS N-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07? Transistors
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 498 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	14.33 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

FDN335N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.18 грн
24+	30.87 грн
100+	20.53 грн
500+	16.21 грн
1000+	13.38 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

FDN335N

на замовлення 68782 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.18 грн
31+	26.84 грн
100+	19.69 грн
500+	14.28 грн
1000+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

FDN335N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.32 грн
9000+	10.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN335N

N-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 498 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	14.82 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

FDN335N-EV

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN335N-EV

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN335N-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN335N-NL-ML

Description: N-Channel 20V 1.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.55 грн
1000+	2.40 грн
3000+	2.24 грн
6000+	2.06 грн
15000+	2.00 грн
30000+	1.91 грн
75000+	1.76 грн
150000+	1.59 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN335N_Q

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN336-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN336P

Description: ONSEMI - FDN336P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 12930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN336P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN336P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN336P

Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.79 грн
6000+	10.02 грн
9000+	9.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN336P

Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 17765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.12 грн
500+	13.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN336P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.73 грн
6000+	9.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN336P

Код виробника: FDN336P RoHS P-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122? Transistors
кількість в упаковці: 200 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	9.67 грн
1000+	9.05 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN336P

MOSFET SSOT-3 P-CH -20V

на замовлення 1239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.54 грн
12+	27.18 грн
100+	16.39 грн
500+	12.83 грн
1000+	10.67 грн
3000+	9.13 грн
45000+	8.16 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDN336P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN336P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.50 грн
6000+	10.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN336P
Код товару: 135239

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN336P

Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 11787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	43.28 грн
50+	30.18 грн
100+	21.72 грн
500+	15.33 грн
1500+	12.34 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

FDN336P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN336P

P-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	9.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN336P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN336P

Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

на замовлення 12453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.14 грн
12+	27.42 грн
100+	19.22 грн
500+	13.70 грн
1000+	12.30 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN336P-NL

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN336P-NL

Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN336P-NL-ML

Description: P-Channel -20V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.57 грн
1000+	2.42 грн
3000+	2.25 грн
6000+	2.07 грн
15000+	2.01 грн
30000+	1.93 грн
75000+	1.78 грн
150000+	1.60 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN336P/336

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN336P_NL

SOT23

на замовлення 8800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN337

09+

на замовлення 200018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN337 SOT23-337

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

Fairchild/ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

314+	41.22 грн
458+	28.20 грн
584+	22.13 грн
1000+	19.22 грн
3000+	14.31 грн

Мінімальне замовлення: 314

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2,2 А, Ptot, Вт = 0,46, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 10, Qg, нКл = 9 @ 4,5 В, Rds = 65 мОм @ 2,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SSOT-3 Од. ви
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

1+	624.00 грн
10+	62.40 грн
100+	13.18 грн

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 912000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.76 грн
6000+	11.12 грн
9000+	10.01 грн
15000+	6.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V

на замовлення 65941 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.73 грн
10+	35.84 грн
100+	21.20 грн
500+	16.73 грн
1000+	13.94 грн
3000+	12.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.49 грн
15+	51.26 грн
100+	35.07 грн
500+	26.54 грн
1000+	22.13 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

Код виробника: FDN337N RoHS Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 500 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

500+	9.65 грн
2000+	9.33 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 12917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	52.22 грн
50+	37.83 грн
100+	25.87 грн
500+	19.26 грн
1500+	15.97 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 117000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.94 грн
6000+	18.95 грн
9000+	16.99 грн
15000+	16.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

на замовлення 76725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.26 грн
10+	33.91 грн
100+	21.97 грн
500+	15.78 грн
1000+	14.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDN337N
Код товару: 118654

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

Код виробника: FDN337N Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 522000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

6000+	10.05 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 117000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.55 грн
6000+	17.64 грн
9000+	15.81 грн
15000+	14.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.67 грн
6000+	17.19 грн
9000+	15.41 грн
12000+	14.78 грн
27000+	13.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337n
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	9.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.15 грн
9000+	12.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	60.73 грн
17+	44.16 грн
100+	30.21 грн
500+	22.86 грн
1000+	19.07 грн
3000+	14.72 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V

на замовлення 48051 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.47 грн
10+	32.47 грн
100+	19.31 грн
500+	15.48 грн
1000+	13.94 грн
3000+	10.95 грн
6000+	10.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.53 грн
6000+	11.97 грн
9000+	11.43 грн
15000+	10.15 грн
21000+	9.81 грн
30000+	9.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

Код виробника: FDN337N Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	10.05 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

на замовлення 12917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.87 грн
500+	19.26 грн
1500+	15.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN337N

Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 912000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.98 грн
6000+	10.38 грн
9000+	9.34 грн
15000+	6.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN337N-EV

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

на замовлення 2574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	7.84 грн
58+	5.29 грн
65+	4.65 грн
100+	3.66 грн
250+	3.33 грн
500+	3.14 грн
1000+	2.93 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

FDN337N-EV

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN337N-F169

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN337N-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN337N-NL-ML

Description: N-Channel 30V 2.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.62 грн
1000+	2.46 грн
3000+	2.29 грн
6000+	2.11 грн
15000+	2.04 грн
30000+	1.96 грн
75000+	1.81 грн
150000+	1.63 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN337N3DBBA

9918+

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN337NNL

на замовлення 9100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN337N_NL

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN337N_Q

MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN338

SOT-23

на замовлення 360000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN338-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 260 шт

на замовлення 260 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

260+	2.21 грн

Мінімальне замовлення: 260

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.00 грн
6000+	9.90 грн
9000+	9.53 грн
24000+	7.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	52.69 грн
21+	35.26 грн
100+	23.96 грн
500+	17.36 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P UMW TFDN338p UMW
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

250+	2.86 грн

Мінімальне замовлення: 250

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; REPLACEMENT: AT2301MSA; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2191 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.29 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	21.76 грн
35+	21.59 грн

Мінімальне замовлення: 34

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V

на замовлення 19200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.54 грн
6000+	9.28 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 370 шт

на замовлення 740 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

370+	2.12 грн

Мінімальне замовлення: 370

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.75 грн
6000+	10.57 грн
9000+	10.18 грн
24000+	7.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4313 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	56.62 грн
50+	34.41 грн
100+	22.04 грн
500+	15.86 грн
1500+	13.11 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

MSKSEMI

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 95 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	5.90 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 237000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.79 грн
6000+	10.62 грн
9000+	10.20 грн
24000+	7.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 237000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.63 грн
6000+	11.38 грн
9000+	10.93 грн
24000+	8.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 12952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.96 грн
500+	15.48 грн
1500+	12.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; REPLACEMENT: AT2301MSA; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 809 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.29 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 37900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2260+	14.28 грн
10000+	12.73 грн

Мінімальне замовлення: 2260

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.89 грн
6000+	12.55 грн
9000+	12.23 грн
12000+	11.62 грн
27000+	10.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V

на замовлення 19431 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	48.63 грн
11+	29.00 грн
100+	18.64 грн
500+	13.28 грн
1000+	11.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDN338P

MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V

на замовлення 47820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.24 грн
12+	27.26 грн
100+	16.32 грн
500+	12.34 грн
1000+	10.95 грн
3000+	8.58 грн
6000+	8.23 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN338P JSMICRO

Код виробника: FDN338P RoHS Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; Transistors
кількість в упаковці: 740 шт

на замовлення 740 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

740+	2.34 грн
3700+	2.16 грн

Мінімальне замовлення: 740

В кошику од. на суму грн.

FDN338P JSMICRO

Код виробника: FDN338P RoHS Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; Transistors
кількість в упаковці: 260 шт

на замовлення 260 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

260+	2.55 грн
1300+	2.16 грн

Мінімальне замовлення: 260

В кошику од. на суму грн.

FDN338P SOT23 MSKSEMI

MSKSEMI

Код виробника: FDN338P RoHS Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 95 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	4.58 грн
500+	3.47 грн
2000+	3.15 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN338P SOT23-3 HUASHUO

Код виробника: FDN338P RoHS Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; REPLACEMENT: AT2301MSA; Transistors
кількість в упаковці: 2191 шт

на замовлення 2191 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2191+	2.25 грн

Мінімальне замовлення: 2191

В кошику од. на суму грн.

FDN338P SOT23-3 HUASHUO

Код виробника: FDN338P RoHS Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; REPLACEMENT: AT2301MSA; Transistors
кількість в упаковці: 809 шт

на замовлення 809 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

809+	2.47 грн
2427+	2.25 грн

Мінімальне замовлення: 809

В кошику од. на суму грн.

FDN338P SOT23-338

на замовлення 1510 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN338P UMW

Код виробника: FDN338P RoHS Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN338P-EV

Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.57 грн
13+	24.70 грн
100+	15.82 грн
500+	11.23 грн
1000+	10.06 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN338P-EV

Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN338P-NL

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN338P-NL-ML

Description: P-Channel -20V -1.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.63 грн
1000+	2.47 грн
3000+	2.30 грн
6000+	2.12 грн
15000+	2.05 грн
30000+	1.97 грн
75000+	1.82 грн
150000+	1.64 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN338P/338

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN338PSOT23-338

FAIRCHLD

на замовлення 1517 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN338P\338

SOT-23

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN338P_G

Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN338P_NL

05+06+

на замовлення 326730 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN338P_Q

MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN339

09+

на замовлення 200018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN

MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V

на замовлення 13245 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.47 грн
11+	31.83 грн
100+	18.06 грн
500+	13.74 грн
1000+	12.27 грн
3000+	10.53 грн
6000+	9.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN

MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.29 грн
23+	33.17 грн
25+	32.18 грн
100+	21.99 грн
250+	19.90 грн
500+	15.41 грн
1000+	10.56 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN

Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 44639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	32.21 грн
50+	26.84 грн
100+	21.39 грн
500+	13.45 грн
1500+	12.13 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

430+	30.04 грн
607+	21.29 грн
621+	20.81 грн
770+	16.18 грн
1123+	10.26 грн

Мінімальне замовлення: 430

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN

Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V

на замовлення 32049 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.99 грн
10+	30.36 грн
100+	19.59 грн
500+	14.00 грн
1000+	12.59 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN

N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	13.10 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.57 грн
6000+	15.17 грн
9000+	14.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®

на замовлення 2220 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

10+	47.90 грн
15+	28.70 грн
17+	25.09 грн
50+	19.14 грн
100+	17.12 грн
500+	15.11 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN

на замовлення 44639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.39 грн
500+	13.45 грн
1500+	12.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN

Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.94 грн
6000+	10.54 грн
9000+	10.05 грн
15000+	8.91 грн
21000+	8.61 грн
30000+	8.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)

Код виробника: FDN339AN N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035? Transistors
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	13.33 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)

Код виробника: FDN339AN RoHS N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035? Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	12.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)

Код виробника: FDN339AN N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035? Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	13.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN-NL-ML

Description: N-Channel 20V 3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.55 грн
1000+	2.40 грн
3000+	2.24 грн
6000+	2.06 грн
15000+	2.00 грн
30000+	1.91 грн
75000+	1.76 грн
150000+	1.59 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN339AN_G

Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN3401

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN3401

Description: FDN3401
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN3401/3401

09+

на замовлення 1618 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN340P
Код товару: 191356

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN340P

Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 88556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.12 грн
50+	27.09 грн
100+	18.30 грн
500+	13.29 грн
1500+	10.88 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

FDN340P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 77516 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2725+	11.84 грн
10000+	10.55 грн

Мінімальне замовлення: 2725

В кошику од. на суму грн.

FDN340P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2357 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

16+	29.83 грн
22+	19.14 грн
50+	14.10 грн
100+	12.51 грн
500+	9.82 грн
1000+	8.90 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

FDN340P

MOSFET SSOT-3 P-CH -20V Група товару: Транзистори Од. вим: шт

на замовлення 3 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

3+	104.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDN340P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 31312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2725+	11.84 грн
10000+	10.55 грн

Мінімальне замовлення: 2725

В кошику од. на суму грн.

FDN340P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN340P

Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V

на замовлення 82245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.36 грн
12+	25.38 грн
100+	16.19 грн
500+	11.47 грн
1000+	10.27 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN340P

Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.17 грн
9000+	8.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN340P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

759+	17.02 грн
3000+	9.65 грн
6000+	9.54 грн
9000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 759

В кошику од. на суму грн.

FDN340P

Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 88556 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.30 грн
500+	13.29 грн
1500+	10.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN340P

MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V

на замовлення 34569 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.97 грн
14+	23.41 грн
100+	11.36 грн
500+	9.55 грн
1000+	8.79 грн
3000+	7.39 грн
6000+	7.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN340P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2725+	11.84 грн
10000+	10.55 грн

Мінімальне замовлення: 2725

В кошику од. на суму грн.

FDN340P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

41+	18.07 грн
42+	17.88 грн
50+	14.82 грн
100+	9.14 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

FDN340P

Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V

на замовлення 81000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.04 грн
6000+	7.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN340P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	38.99 грн
34+	21.81 грн
100+	16.89 грн
500+	14.69 грн
1000+	11.69 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

FDN340P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN340P-EV

Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN340P-EV

Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V

на замовлення 1616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	7.84 грн
57+	5.36 грн
65+	4.65 грн
100+	3.67 грн
250+	3.35 грн
500+	3.15 грн
1000+	2.94 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

FDN340P-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN340P-NL-ML

Description: P-Channel -20V -2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.64 грн
1000+	2.48 грн
3000+	2.31 грн
6000+	2.12 грн
15000+	2.06 грн
30000+	1.97 грн
75000+	1.82 грн
150000+	1.64 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN340P/340

09+

на замовлення 3868 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN340P\340

SOT-23

на замовлення 2550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN340P_F095

Description: MOSFET P-CH 20V 2A

на замовлення 1760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN340P_F095

Description: MOSFET P-CH 20V 2A

на замовлення 1760384000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN340P_F095

Description: MOSFET P-CH 20V 2A

на замовлення 384000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN342P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	16.87 грн
15000+	16.47 грн
30000+	15.95 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

FDN342P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN342P

Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V

на замовлення 7281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.46 грн
10+	40.56 грн
100+	26.32 грн
500+	18.95 грн
1000+	17.10 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDN342P

Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	47.34 грн
20+	40.67 грн
100+	28.23 грн
500+	20.55 грн
1000+	15.41 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

FDN342P

MOSFET SSOT-3 P-CH -20V

на замовлення 1775 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.13 грн
10+	46.83 грн
100+	30.40 грн
500+	23.43 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDN342P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.14 грн
6000+	16.30 грн
15000+	15.88 грн
30000+	14.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN342P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN342P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.36 грн
6000+	17.46 грн
15000+	17.01 грн
30000+	15.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN342P

Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.32 грн
6000+	14.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN342P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.21 грн
9000+	24.87 грн
18000+	23.14 грн
27000+	21.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN342P

Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.66 грн
500+	20.09 грн
1000+	12.76 грн
5000+	12.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN342P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN342P-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN352AP

Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 88635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.72 грн
500+	14.73 грн
1000+	11.23 грн
5000+	8.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 81000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.86 грн
9000+	10.66 грн
24000+	10.33 грн
45000+	9.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 32445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

434+	29.81 грн
631+	20.46 грн
637+	20.26 грн
807+	15.44 грн
1094+	10.54 грн
3000+	10.11 грн
15000+	10.10 грн

Мінімальне замовлення: 434

В кошику од. на суму грн.

FDN352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 32445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.66 грн
23+	32.26 грн
25+	31.93 грн
100+	21.14 грн
250+	19.38 грн
500+	14.71 грн
1000+	10.84 грн
3000+	10.83 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

FDN352AP

Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

на замовлення 38727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.99 грн
11+	30.14 грн
100+	19.39 грн
500+	13.83 грн
1000+	12.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDN352AP

на замовлення 82416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.04 грн
26+	31.32 грн
100+	21.88 грн
500+	14.65 грн
1000+	11.64 грн
5000+	8.58 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

FDN352AP

MOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET

на замовлення 162697 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.37 грн
13+	25.74 грн
100+	15.76 грн
500+	12.34 грн
1000+	10.25 грн
3000+	8.79 грн
9000+	8.37 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

FDN352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.61 грн
32+	23.31 грн
100+	15.86 грн
500+	11.96 грн
1000+	8.59 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

FDN352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.67 грн
9000+	10.49 грн
24000+	10.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.50 грн
9000+	11.24 грн
24000+	10.90 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN352AP

Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.99 грн
6000+	9.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.00 грн
6000+	12.74 грн
9000+	12.55 грн
12000+	11.93 грн
27000+	10.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN352AP

MOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET

на замовлення 31198 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.47 грн
12+	27.02 грн
100+	16.11 грн
500+	12.76 грн
1000+	11.57 грн
3000+	8.37 грн
6000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 81000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.65 грн
9000+	11.38 грн
24000+	11.03 грн
45000+	10.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN352AP-NL

SOT-23 0722+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN352AP-NL-ML

Description: P-Channel -30V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.51 грн
1000+	2.36 грн
3000+	2.20 грн
6000+	2.02 грн
15000+	1.96 грн
30000+	1.88 грн
75000+	1.74 грн
150000+	1.56 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN357

FAITCHILD

04+ SOT-23

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN357N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.44 грн
6000+	16.97 грн
9000+	16.30 грн
12000+	15.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN357N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	43.86 грн
20+	37.63 грн
25+	35.29 грн
100+	24.94 грн
250+	21.85 грн
500+	17.28 грн
1000+	13.90 грн
3000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

FDN357N

MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V

на замовлення 4252 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.58 грн
10+	33.52 грн
100+	18.83 грн
500+	14.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDN357N

Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V

на замовлення 2851 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.48 грн
10+	33.84 грн
100+	21.80 грн
500+	15.61 грн
1000+	14.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDN357N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 426000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.45 грн
6000+	12.17 грн
9000+	12.04 грн
24000+	11.17 грн
30000+	10.24 грн
45000+	9.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN357N

Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.78 грн
9000+	15.46 грн
24000+	15.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN357N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.10 грн
6000+	12.34 грн
12000+	12.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN357N

MOSFET SSOT-3 N-CH 30V Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN357N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

FDN357N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 426000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.41 грн
6000+	13.04 грн
9000+	12.90 грн
24000+	11.97 грн
30000+	10.97 грн
45000+	10.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN357N

Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN357N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 4290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

392+	32.94 грн
535+	24.14 грн
566+	22.84 грн
686+	18.15 грн
1000+	13.51 грн
3000+	11.65 грн

Мінімальне замовлення: 392

В кошику од. на суму грн.

FDN357N

Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 39038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	38.15 грн
50+	26.11 грн
100+	21.15 грн
500+	16.32 грн
1500+	13.67 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

FDN357N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 186000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.21 грн
45000+	20.30 грн
90000+	18.89 грн
135000+	17.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN357N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.05 грн
6000+	14.19 грн
12000+	14.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN357N

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar

на замовлення 1061 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

11+	43.38 грн
14+	30.05 грн
16+	26.35 грн
50+	19.97 грн
100+	17.96 грн
500+	14.27 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDN357N-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN357N-NL-ML

Description: N-Channel 30V 1.9A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN357N_NL

0448

на замовлення 1742 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN357N_Q

MOSFET SSOT-3 N-CH 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN358P

Код виробника: FDN358P RoHS P-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125? Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN358P

MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V

на замовлення 62768 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	32.21 грн
15+	22.29 грн
100+	15.62 грн
500+	13.46 грн
1000+	11.85 грн
3000+	9.13 грн
6000+	9.06 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDN358P

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN358P

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.91 грн
6000+	15.57 грн
12000+	14.27 грн
24000+	13.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN358P

Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 32110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.30 грн
500+	13.90 грн
1000+	11.30 грн
5000+	8.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN358P
Код товару: 36466

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN358P

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN358P

MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN358P

Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 19083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	57.35 грн
50+	33.27 грн
100+	23.35 грн
500+	17.52 грн
1500+	14.57 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

FDN358P

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN358P(2DCEA)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN358P-NL

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN358P-NL-ML

Description: P-Channel -30V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.51 грн
1000+	2.36 грн
3000+	2.20 грн
6000+	2.02 грн
15000+	1.96 грн
30000+	1.88 грн
75000+	1.74 грн
150000+	1.56 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN358P_Q

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN359AN

Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 36874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	48.64 грн
50+	34.73 грн
100+	23.83 грн
500+	17.00 грн
1500+	14.01 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

FDN359AN

Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V

на замовлення 16700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.59 грн
6000+	10.22 грн
9000+	9.74 грн
15000+	8.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN359AN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN359AN

Код виробника: FDN359AN RoHS N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046? Transistors
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 80 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	12.57 грн
300+	11.63 грн
1000+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN359AN

MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V

на замовлення 16293 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.20 грн
11+	30.63 грн
100+	17.71 грн
500+	13.53 грн
1000+	12.13 грн
3000+	8.99 грн
6000+	8.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN359AN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 159624 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2011+	16.05 грн
10000+	14.32 грн
100000+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 2011

В кошику од. на суму грн.

FDN359AN

N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 80 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

60+	11.30 грн

Мінімальне замовлення: 60

В кошику од. на суму грн.

FDN359AN

на замовлення 36874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.83 грн
500+	17.00 грн
1500+	14.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN359AN

Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V

на замовлення 16819 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.45 грн
11+	29.52 грн
100+	19.01 грн
500+	13.59 грн
1000+	12.22 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDN359AN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN359AN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN359AN-NL-ML

Description: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.62 грн
1000+	2.46 грн
3000+	2.29 грн
6000+	2.11 грн
15000+	2.04 грн
30000+	1.96 грн
75000+	1.81 грн
150000+	1.63 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN359AN/359A

09+

на замовлення 243018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN359AN/F40

на замовлення 72500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN359AN\359A

SOT-23

на замовлення 243100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN359AN_NL

05+06+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 22365 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.74 грн
11+	29.59 грн
100+	17.36 грн
500+	13.46 грн
1000+	11.92 грн
3000+	8.85 грн
6000+	8.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 11911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2039+	15.83 грн
10000+	14.11 грн

Мінімальне замовлення: 2039

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN

Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 17036 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	43.76 грн
50+	32.21 грн
100+	23.02 грн
500+	16.47 грн
1500+	13.60 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2039+	15.83 грн

Мінімальне замовлення: 2039

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.75 грн
24+	31.58 грн
26+	29.08 грн
100+	19.42 грн
250+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN

на замовлення 79130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.20 грн
11+	29.84 грн
100+	19.18 грн
500+	13.70 грн
1000+	12.32 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 17300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	35.73 грн
26+	29.01 грн
100+	22.60 грн
500+	17.59 грн
1000+	14.72 грн
3000+	11.35 грн
6000+	10.61 грн
9000+	9.62 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

364+	35.54 грн
500+	26.59 грн
1000+	18.76 грн

Мінімальне замовлення: 364

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN

на замовлення 17036 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.02 грн
500+	16.47 грн
1500+	13.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.68 грн
6000+	10.30 грн
9000+	9.82 грн
15000+	8.71 грн
21000+	8.40 грн
30000+	8.11 грн
75000+	7.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.98 грн
6000+	12.02 грн
9000+	10.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.83 грн
6000+	12.81 грн
9000+	11.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN транзистор
Код товару: 213980

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN-NL

SOT-23 0701+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN-NL-ML

Description: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.62 грн
1000+	2.46 грн
3000+	2.29 грн
6000+	2.11 грн
15000+	2.04 грн
30000+	1.96 грн
75000+	1.81 грн
150000+	1.63 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN359BN_F095

MOSFET 30V NCh; PowerTrench AU Wire Parts

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN359N/359

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN360

на замовлення 670 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

335+	48.79 грн
500+	30.89 грн

Мінімальне замовлення: 335

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.70 грн
6000+	11.04 грн
9000+	9.71 грн
24000+	8.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

Код виробника: FDN360P RoHS Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 300 шт

на замовлення 190 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	9.29 грн
1500+	8.84 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V

на замовлення 26279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.47 грн
12+	27.50 грн
100+	15.34 грн
500+	11.64 грн
1000+	10.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V

на замовлення 42200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.28 грн
12+	27.42 грн
100+	17.57 грн
500+	12.49 грн
1000+	11.20 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	58.39 грн
21+	36.04 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

Код виробника: FDN360P Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 864000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

6000+	9.52 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 125445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.49 грн
50+	31.64 грн
100+	20.25 грн
500+	14.28 грн
1500+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 9nC
Technology: PowerTrench®

на замовлення 6826 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

11+	41.58 грн
15+	29.54 грн
17+	25.51 грн
50+	17.96 грн
100+	15.53 грн
500+	11.41 грн
1000+	10.16 грн
3000+	8.56 грн
6000+	8.06 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 86850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2443+	13.21 грн
10000+	11.77 грн

Мінімальне замовлення: 2443

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 190 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	8.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V

на замовлення 41000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.88 грн
6000+	8.69 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.99 грн
6000+	13.14 грн
9000+	11.55 грн
12000+	10.95 грн
27000+	9.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

Код виробника: FDN360P Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Transistors
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	10.86 грн

Мінімальне замовлення: 300

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V

на замовлення 17453 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.09 грн
12+	27.50 грн
100+	13.60 грн
500+	11.64 грн
1000+	10.46 грн
3000+	8.44 грн
6000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN360P
Код товару: 75653

Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.92 грн
6000+	10.30 грн
9000+	9.06 грн
24000+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

Fairchild/ON Semiconductor

SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

10+	31.20 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 298 @ 15, Qg, нКл = 9 @ 10 В, Rds = 80 мОм @ 2 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SSOT-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN360P

Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 125445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.25 грн
500+	14.28 грн
1500+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN360P-NBGT003B

Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN360P-NL

09+ QFP

на замовлення 930 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN360P-NL-ML

Description: P-Channel -30V -2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

200+	2.63 грн
1000+	2.47 грн
3000+	2.30 грн
6000+	2.12 грн
15000+	2.05 грн
30000+	1.97 грн
75000+	1.82 грн
150000+	1.64 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN360P/360

09+

на замовлення 2118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN360PSOT23-360PB-FREE

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN360P_F095

Description: MOSFET P-CH 30V 2A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN360P_F095

Description: MOSFET P-CH 30V 2A

на замовлення 3873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN360P_F095

Description: MOSFET P-CH 30V 2A

на замовлення 3873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN360P_NBGT003B

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN361AN

MOSFET SSOT-3 N-CH 30V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN361AN

SOT23

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN361AN

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN361AN-NL

SOT23-361 PB-FRE

на замовлення 153000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN361AN-NLSOT23-361PB-FREE

FAIRCHLD

на замовлення 173821 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN361AN/361

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN361AN_NL

SOT23

на замовлення 363000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN361BN

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.67 грн
20+	15.86 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

FDN361BN

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN361BN

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 8310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.73 грн
6000+	4.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN361BN

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN361BN

MOSFETs 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN361BN

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3036 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	14.34 грн
53+	13.93 грн
54+	13.78 грн

Мінімальне замовлення: 52

В кошику од. на суму грн.

FDN361BN

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN361BN-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN361P/361

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN363N

ON Semiconductor / Fairchild

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V

на замовлення 42602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1366+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 1366

В кошику од. на суму грн.

FDN363N-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN371N

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN371N

MOSFET 20V N-Ch PowerTrench

на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN371N

Description: 2.5A, 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL,

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN371N-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN372S

FSC

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN372S

Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V

на замовлення 105541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1902+	11.58 грн

Мінімальне замовлення: 1902

В кошику од. на суму грн.

FDN372S-NL

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN377N

FSC

на замовлення 1365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN5330SX

SOT-153

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN537N

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V

на замовлення 60133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.73 грн
10+	44.72 грн
100+	29.65 грн
500+	21.90 грн
1000+	19.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDN537N

Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN537N

Description: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 14824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.18 грн
500+	21.98 грн
1500+	18.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN537N

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.23 грн
6000+	16.88 грн
9000+	16.16 грн
15000+	14.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN537N

на замовлення 14824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.87 грн
50+	44.98 грн
100+	30.18 грн
500+	21.98 грн
1500+	18.41 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

FDN537N

на замовлення 1535 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN537N

Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN537N

MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 421-430 дні (днів)

7+	49.78 грн
10+	43.54 грн
100+	29.00 грн
500+	22.94 грн
1000+	18.34 грн
3000+	16.66 грн
6000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P

Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.86 грн
9000+	10.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P

ElecSuper

60V 2A 1W 1.7V@250uA SOT-23 Single FETs, MOSFETs FDN5618P SOT23(T/R) ElecSuper TFDN5618p ES
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 600 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.28 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P

Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V

на замовлення 59344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.49 грн
12+	27.27 грн
100+	17.52 грн
500+	12.48 грн
1000+	11.20 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P

Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.42 грн
9000+	10.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P

Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.70 грн
6000+	12.44 грн
9000+	12.15 грн
12000+	11.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P

Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 230551 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.23 грн
500+	15.71 грн
1500+	13.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P

Код виробника: FDN5618P Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 1485000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

6000+	8.58 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P

MOSFETs SSOT-3 P-CH 60V

на замовлення 40190 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	31.81 грн
13+	26.46 грн
100+	16.04 грн
500+	12.48 грн
1000+	10.18 грн
3000+	8.58 грн
9000+	7.95 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P

Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.66 грн
9000+	9.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P

Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V

на замовлення 59330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.60 грн
6000+	9.33 грн
9000+	8.89 грн
15000+	7.87 грн
21000+	7.59 грн
30000+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P

Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P

Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 218206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	55.07 грн
50+	34.16 грн
100+	21.88 грн
500+	15.48 грн
1500+	12.83 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P

Код виробника: FDN5618P RoHS 618. Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 2468 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	7.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P

Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P

Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.12 грн
9000+	9.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P 618.

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 2468 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	8.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P-B8

Description: FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P-NL

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN5618P_G

Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN5630

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

на замовлення 3166 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

12+	37.96 грн
18+	24.09 грн
50+	16.95 грн
100+	14.60 грн
500+	10.74 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

FDN5630

Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 93000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.68 грн
9000+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN5630

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.09 грн
6000+	10.38 грн
9000+	8.87 грн
15000+	8.47 грн
21000+	7.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN5630

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.96 грн
6000+	11.19 грн
9000+	9.57 грн
15000+	9.13 грн
21000+	8.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN5630

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2750+	11.74 грн

Мінімальне замовлення: 2750

В кошику од. на суму грн.

FDN5630
Код товару: 208281

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN5630

Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 142116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.12 грн
50+	29.69 грн
100+	18.95 грн
500+	13.29 грн
1500+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

FDN5630

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V

на замовлення 31333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.93 грн
12+	26.06 грн
100+	16.68 грн
500+	11.84 грн
1000+	10.60 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN5630

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.68 грн
6000+	9.06 грн
9000+	7.74 грн
15000+	7.39 грн
21000+	6.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN5630

Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 142116 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.95 грн
500+	13.29 грн
1500+	11.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN5630

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	44.84 грн
23+	32.75 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

FDN5630

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 11550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1158+	11.15 грн

Мінімальне замовлення: 1158

В кошику од. на суму грн.

FDN5630

MOSFETs SSOT-3 N-CH 60V

на замовлення 22176 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.24 грн
13+	25.34 грн
100+	14.01 грн
500+	10.60 грн
1000+	9.48 грн
3000+	8.02 грн
6000+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN5630

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.34 грн
6000+	8.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN5630

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.37 грн
6000+	9.71 грн
9000+	8.30 грн
15000+	7.92 грн
21000+	7.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN5630-B8

Description: FET 60V 1.0 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN5630-G

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN5630-NL

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN5630_F095

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN5630_F095

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A

на замовлення 2548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN5630_F095

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A

на замовлення 2548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN5632N-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN5632N-F085

Description: ONSEMI - FDN5632N-F085 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN5632N-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN5632N-F085

MOSFETs Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

на замовлення 440330 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.08 грн
10+	40.33 грн
100+	23.57 грн
500+	19.73 грн
1000+	17.78 грн
3000+	13.32 грн
6000+	13.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDN5632N-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.60 грн
10+	42.22 грн
100+	27.63 грн
500+	20.02 грн
1000+	18.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDN5632N-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN5632N_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

на замовлення 393000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN5632N_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

на замовлення 13848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN5632N_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

на замовлення 4294967295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN6301N

SOT-163

на замовлення 172 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN8601

Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.60 грн
6000+	25.68 грн
9000+	25.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN8601

Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN8601

Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN8601

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 23773 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.60 грн
12+	28.71 грн
100+	18.20 грн
500+	14.43 грн
1000+	13.11 грн
3000+	11.36 грн
6000+	11.16 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

FDN8601

Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	80.37 грн
242+	53.50 грн
244+	52.98 грн
264+	47.25 грн
500+	40.21 грн
1000+	35.20 грн

Мінімальне замовлення: 161

В кошику од. на суму грн.

FDN8601

Description: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	40.18 грн
500+	30.97 грн
1000+	27.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN8601

Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN8601

Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V

на замовлення 21597 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.42 грн
10+	47.51 грн
100+	39.51 грн
500+	30.60 грн
1000+	28.08 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

FDN8601

Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN8601

Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.76 грн
10+	86.11 грн
25+	57.32 грн
100+	54.73 грн
250+	46.88 грн
500+	41.36 грн
1000+	37.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDN8601

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	59.79 грн
16+	52.39 грн
100+	40.83 грн
500+	31.65 грн
1000+	26.36 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

FDN8601

Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN8601

ONN

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN86246

Description: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.261 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.261ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3701 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	136.66 грн
10+	82.97 грн
100+	59.79 грн
500+	42.45 грн
1000+	38.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDN86246

Description: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V

на замовлення 11400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.09 грн
6000+	31.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN86246

Trans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN86246

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 6A; 1.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 261mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN86246

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 23222 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.24 грн
10+	70.64 грн
25+	61.29 грн
100+	47.83 грн
250+	47.34 грн
500+	36.54 грн
1000+	35.00 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDN86246

Description: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V

на замовлення 11729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.86 грн
10+	78.33 грн
100+	52.77 грн
500+	39.23 грн
1000+	36.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDN86246

Trans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	72.99 грн
12+	63.04 грн
25+	62.63 грн
100+	45.68 грн
250+	41.58 грн
500+	34.26 грн
1000+	27.97 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDN86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.87 грн
10+	71.15 грн
100+	47.52 грн
500+	35.10 грн
1000+	32.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

FDN86265P

Trans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN86265P

Description: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 45360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.69 грн
500+	33.23 грн
1000+	28.38 грн
5000+	24.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

FDN86265P

MOSFETs PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET

на замовлення 9996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.96 грн
10+	51.64 грн
100+	35.28 грн
500+	30.05 грн
1000+	28.10 грн
3000+	24.47 грн
6000+	23.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

FDN86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.13 грн
6000+	26.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN86265P

Trans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN86265P

MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDN86265P

на замовлення 45360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	65.48 грн
14+	61.82 грн
100+	46.69 грн
500+	33.23 грн
1000+	28.38 грн
5000+	24.47 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

FDN86501LZ

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDN86501LZ

Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V

на замовлення 60344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	204.73 грн
10+	127.43 грн
100+	87.73 грн
500+	66.40 грн
1000+	61.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

FDN86501LZ

Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	62.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

FDN86501LZ

MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO

на замовлення 37483 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	106.56 грн
10+	84.19 грн
100+	65.26 грн
500+	62.47 грн
1000+	59.47 грн
3000+	54.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDNA3763

Electrical Enclosure Accessories Wall Mounting Bracket for FDN, 1/pkg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDNC1602A-NLAFBW-51LR

Група товару: РКІ символьні Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDNC1602A-NLAFBW-51LR

Група товару: Рідкокристалічні індикатори (РКІ) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDNC1602A-NLAFBW-51LR

Група товару: Рідкокристалічні індикатори (РКІ) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDNC1602A-NLAFBW-51LR

Група товару: Індикатори, дисплеї Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDNIRABBAXX

Electrical Enclosures FDN IR 16P AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDNIRABBCXX

Electrical Enclosures FDN IR 59 port AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDNIRBXBAWX

Electrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 24 SE trays (288 fibers), PP, Black, 1/pkg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDNIRBXBAXN

Electrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 48 SC-B trays (576 fibers), PP, Black, 1/pkg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDNIRBXBAXX

Electrical Enclosures FDN IR 16P B-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDNIRCXBCWX

Electrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 36 SE trays (432 fibers), PP, Black, 1/pkg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDNIRCXBCXN

Electrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 72 SC-B trays (864 fibers), PP, Black, 1/pkg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDNIRCXBCXX

Electrical Enclosures FDN IR 59 port C-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDNM012.0025

Category: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 12mm
Piston stroke: 25mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Application: compressed air
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDNM020.0080

Category: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 20mm
Piston stroke: 80mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Application: compressed air
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	2082.41 грн

В кошику од. на суму грн.

FDNM025.0010

Category: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 10mm; 1÷10bar
Application: compressed air
Pneumatic components features: mechanical amortization
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Piston stroke: 10mm
Piston diameter: 25mm
Operating pressure: 1...10bar
Manufacturer series: Flowmatik
Body material: aluminium

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	2086.93 грн

В кошику од. на суму грн.

FDNM025.0120

Category: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 10mm; Piston stroke: 120mm; 1÷10bar
Thread: M10x1,25; M22x1,5
Pneumatic components features: medium: compressed air, filtered, lubricated or not; pneumatic amortization
Seal material: NBR caoutchouc
Type of pneumatic module: round cylinder
Operating temperature: -20...80°C
Piston stroke: 120mm
Piston diameter: 10mm
Body material: aluminium
Operating pressure: 1...10bar
Manufacturer series: Flowmatik

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDNY1-187(5)

Terminals Nylon, Female, 22-16 AWG, .020 x .187

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDNY1-187(8)

Terminals Nylon, Female, 22-16 AWG, .032 x .187

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDNYD1-110(5)

Terminals Nylon, Double Crimp Female, 22-16 AWG, .020 x .110

на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	24.89 грн
100+	16.12 грн
1000+	11.02 грн
5000+	9.69 грн
10000+	8.37 грн
25000+	6.97 грн
50000+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

FDNYD1-110(8)

Terminals Nylon, Double Crimp Female, 22-16 AWG, .032 x .110

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	24.89 грн
100+	16.12 грн
1000+	11.02 грн
5000+	9.69 грн
10000+	8.37 грн
25000+	6.97 грн
50000+	5.86 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

FDNYD1-250

Description: MULTICOMP PRO - FDNYD1-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 22 AWG, 16 AWG
tariffCode: 85369010
Isoliermaterial: Nylon (Polyamid)
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leiterstärke (AWG), max.: 16AWG
Leiterquerschnitt CSA: 1.5mm²
euEccn: NLR
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Rot
Leiterstärke (AWG), min.: 22AWG
Produktpalette: FDNYD
productTraceability: No
Anschlussmaterial: Messing
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	950.10 грн
10+	736.98 грн
25+	699.56 грн
100+	562.73 грн

В кошику од. на суму грн.

FDNYD5-250

Terminals Nylon, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .032 x .250

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDNYD5-250