Продукція > FDN

Description: ROTARY DAMPER TORQUE 1.0NM

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN-63A-L903

Description: ROTARY DAMPER TORQUE 8.5NM
Packaging: Bag
Features: Disk Type
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2388.64 грн

FDN-63A-R453

Description: ROTARY DAMPER TORQUE 4.5NM

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN-63A-R603

Description: ROTARY DAMPER TORQUE 6.0NM

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN028N20

Description: ONSEMI - FDN028N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.1 A, 0.023 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 1415 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.67 грн
19+	40.18 грн
100+	30.01 грн
500+	16.98 грн

Мінімальне замовлення: 16

FDN028N20

Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.42 грн
6000+	10.44 грн
9000+	9.69 грн
30000+	8.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN028N20

MOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server

на замовлення 74820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.34 грн
10+	30.99 грн
100+	18.8 грн
500+	14.66 грн
1000+	11.9 грн
3000+	10.06 грн
9000+	9.33 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDN028N20

ON Semiconductor / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V

на замовлення 37189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.12 грн
10+	27.86 грн
100+	19.39 грн
500+	14.21 грн
1000+	11.55 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDN028N20

MOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server

на замовлення 5880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDN1-205(5)

KS Terminals

Terminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .205

товар відсутній

FDN103

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN103A

MOTOROLA

09+ SOP24

на замовлення 1009 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN143

99+ QFP

на замовлення 98000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN143

96+ QFP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN147

96+ QFP

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN147

97+ QFP

на замовлення 128000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN147-626

на замовлення 498 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN147B

97 TQFP

на замовлення 157 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN2-205(5)

KS Terminals

Terminals Non-Insulated, Female, 16-14 AWG, .020 x .205

товар відсутній

FDN301

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN301A

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN301N-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN302P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.47 грн
6000+	8.89 грн
9000+	8.56 грн
15000+	7.93 грн
24000+	7 грн
30000+	6.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN302P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	35.96 грн
20+	29.38 грн
25+	29.1 грн
100+	19.17 грн
250+	17.57 грн
500+	12.63 грн
1000+	9.41 грн
3000+	8.48 грн

Мінімальне замовлення: 17

FDN302P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN302P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2723 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

14+	19.55 грн
25+	17.06 грн
79+	11.97 грн
216+	11.31 грн

Мінімальне замовлення: 14

FDN302P

MOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V

на замовлення 17927 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.65 грн
12+	27.36 грн
100+	12.75 грн
1000+	9.07 грн
3000+	7.95 грн
24000+	7.03 грн
45000+	6.83 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDN302P

Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.98 грн
500+	13.97 грн
1000+	9.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN302P

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN302P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN302P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.53 грн
6000+	8.96 грн
9000+	8.62 грн
15000+	7.99 грн
24000+	7.05 грн
30000+	6.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN302P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN302P

Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	41.51 грн
23+	32.73 грн
100+	19.98 грн
500+	13.97 грн
1000+	9.67 грн

Мінімальне замовлення: 18

FDN302P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN302P

на замовлення 2723 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

23+	16.29 грн
25+	13.69 грн
79+	9.97 грн
216+	9.43 грн

Мінімальне замовлення: 23

FDN302P
Код товару: 31343

Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,4 A
Rds(on),Om: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 882/9
Монтаж: SMD

товар відсутній

FDN302P

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V

на замовлення 6529 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.7 грн
12+	24.71 грн
100+	14.84 грн
500+	12.9 грн
1000+	8.77 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDN302P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

372+	31.34 грн
544+	21.41 грн
550+	21.19 грн
734+	15.3 грн
1000+	10.55 грн
3000+	9.13 грн

Мінімальне замовлення: 372

FDN302P .302..

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN302P TFDN302p
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	14.5 грн

Мінімальне замовлення: 50

FDN302P-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN302P\302

SOT-23

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN302P_NL

05+06+

на замовлення 2394000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN302P_NL

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN302P_Q

MOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V

товар відсутній

FDN303

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN304

SOT-23

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN304N

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN304P

Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm

на замовлення 58592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.26 грн
500+	16.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN304P

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V

на замовлення 9898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	35.55 грн
10+	28.89 грн
100+	20.1 грн
500+	14.73 грн
1000+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDN304P

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	2.71 грн

Мінімальне замовлення: 200

FDN304P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN304P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

на замовлення 4207 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	44.97 грн
25+	20.81 грн
51+	15.61 грн
140+	14.72 грн
3000+	14.24 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDN304P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN304P

MOSFET SSOT-3 P-CH 1.8V

на замовлення 94146 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	38.49 грн
10+	32.12 грн
100+	19.45 грн
500+	15.25 грн
1000+	12.36 грн
3000+	10.45 грн
9000+	9.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDN304P
Код товару: 127609

товар відсутній

FDN304P

Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.72 грн
9000+	10.91 грн
24000+	10.84 грн
45000+	9.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN304P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN304P

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.84 грн
6000+	10.82 грн
9000+	10.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN304P

на замовлення 4207 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	53.97 грн
25+	25.93 грн
51+	18.73 грн
140+	17.66 грн
3000+	17.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDN304P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN304P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN304P

на замовлення 58592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	43.28 грн
21+	35.53 грн
100+	22.26 грн
500+	16.22 грн

Мінімальне замовлення: 18

FDN304P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.85 грн
6000+	15.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN304P-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN304P-NL-ML

Description: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	3.28 грн
3000+	2.88 грн
6000+	2.78 грн
15000+	2.52 грн
30000+	2.43 грн
75000+	2.21 грн
150000+	2.04 грн

Мінімальне замовлення: 1000

FDN304PZ

MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.47 грн
10+	36.5 грн
100+	22.08 грн
500+	17.22 грн
1000+	14 грн
3000+	11.83 грн
9000+	10.98 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDN304PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN304PZ

Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm

на замовлення 12283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.29 грн
500+	14.86 грн
3000+	11.63 грн
9000+	10.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN304PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.96 грн
9000+	14.81 грн
24000+	14.48 грн
45000+	13.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN304PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.43 грн
6000+	12.27 грн
9000+	11.4 грн
30000+	10.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN304PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	43.35 грн
25+	28.49 грн
50+	19.14 грн
137+	18.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDN304PZ

Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm

на замовлення 12283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.8 грн
19+	40.25 грн
100+	25.29 грн
500+	14.86 грн
3000+	11.63 грн
9000+	10.74 грн

Мінімальне замовлення: 16

FDN304PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN304PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.89 грн
9000+	13.82 грн
24000+	13.51 грн
45000+	12.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN304PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

на замовлення 45734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.81 грн
10+	32.79 грн
100+	22.79 грн
500+	16.7 грн
1000+	13.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDN304PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	36.12 грн
25+	22.86 грн
50+	15.95 грн
137+	15.06 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDN304PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN304PZ-NL-ML

Description: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	3.28 грн
3000+	2.88 грн
6000+	2.78 грн
15000+	2.52 грн
30000+	2.43 грн
75000+	2.21 грн
150000+	2.04 грн

Мінімальне замовлення: 1000

FDN305

PANASONIC

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN306-NL

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN306P

Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN306P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	35.56 грн
10+	26.45 грн
25+	21.36 грн
66+	14.54 грн
180+	13.8 грн
3000+	13.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDN306P

Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN306P

Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 75 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	16.21 грн

Мінімальне замовлення: 50

FDN306P

Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm

на замовлення 11225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.06 грн
500+	13.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN306P

Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN306P

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	29.64 грн
17+	21.22 грн
25+	17.8 грн
66+	12.12 грн
180+	11.5 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDN306P

Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN306P

MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V

на замовлення 56209 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	30.67 грн
12+	26.07 грн
100+	15.77 грн
500+	12.36 грн
1000+	10.06 грн
3000+	8.41 грн
9000+	7.82 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN306P

Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V

на замовлення 2234 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.44 грн
12+	23.48 грн
100+	16.3 грн
500+	11.94 грн
1000+	9.71 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN306P

VBsemi

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 150 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

150+	5.2 грн

Мінімальне замовлення: 150

FDN306P

на замовлення 11225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.43 грн
26+	29.05 грн
100+	18.06 грн
500+	13.14 грн

Мінімальне замовлення: 22

FDN306P

TECH PUBLIC

Transistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN306P-F095

TRANS MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-PIN SUPERSOT T/R

товар відсутній

FDN306P-NL

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN306P-NL

09+

на замовлення 120018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN306P-NL-ML

Description: P-Channel -12V -2.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	3.28 грн
3000+	2.88 грн
6000+	2.78 грн
15000+	2.52 грн
30000+	2.43 грн
75000+	2.21 грн
150000+	2.04 грн

Мінімальне замовлення: 1000

FDN306P/306

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN306P_F095

Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A

на замовлення 5460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN306P_F095

Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A

на замовлення 5465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN306P_F095

Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A

товар відсутній

FDN307

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN308P

Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 18441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.28 грн
26+	28.83 грн
100+	21.6 грн
500+	12.66 грн
3000+	11.44 грн
9000+	11.25 грн

Мінімальне замовлення: 22

FDN308P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN308P

MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V

на замовлення 17412 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39.64 грн
10+	33.93 грн
100+	22.08 грн
500+	17.35 грн
1000+	13.41 грн
3000+	12.16 грн
6000+	11.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDN308P

Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V

на замовлення 3563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	33.41 грн
10+	27.66 грн
100+	19.24 грн
500+	14.1 грн
1000+	11.46 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDN308P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN308P

на замовлення 18441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.6 грн
500+	12.66 грн
3000+	11.44 грн
9000+	11.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN308P

Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN308P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	28.53 грн
24+	24.15 грн
26+	22.91 грн
100+	16.53 грн
250+	15.16 грн
500+	12.92 грн
1000+	9.22 грн

Мінімальне замовлення: 21

FDN308P-NL

ON Semiconductor / Fairchild

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN308P_F154

MOSFET Multi Market MOSFET

товар відсутній

FDN308P_NL

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN327N
Код товару: 176408

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

FDN327N

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 2695 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

15+	17.87 грн
25+	15.61 грн
85+	11.11 грн
235+	10.51 грн

Мінімальне замовлення: 15

FDN327N

на замовлення 2695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

25+	14.89 грн
30+	12.53 грн
85+	9.26 грн
235+	8.76 грн

Мінімальне замовлення: 25

FDN327N

Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 21382 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	38.93 грн
25+	30.45 грн
100+	18.58 грн
500+	9.72 грн
3000+	8.78 грн
9000+	8.59 грн

Мінімальне замовлення: 19

FDN327N

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN327N

MOSFET N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec

на замовлення 102029 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	34.2 грн
12+	25.39 грн
100+	13.67 грн
1000+	9.13 грн
3000+	7.82 грн
9000+	7.16 грн
24000+	6.7 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDN327N

Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V

на замовлення 15161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.86 грн
13+	22.73 грн
100+	13.6 грн
500+	11.82 грн
1000+	8.04 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN327N

Fairchild/ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	8.89 грн
1730+	8.19 грн
5000+	7.9 грн

Мінімальне замовлення: 35

FDN327N

N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3

на замовлення 2973 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

75+	8.35 грн
81+	7.78 грн
100+	7.22 грн

Мінімальне замовлення: 75

FDN327N

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN327N

Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.19 грн
6000+	7.56 грн
9000+	6.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN327N

Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN327N-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN327N/327

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN331N

FAirchild

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN332-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN332P-NL

FAIRCHTL

2007

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN335

FAITCHILD

04+ SOT-23

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN335

KEXIN

09+

на замовлення 300018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN335N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	26.8 грн
24+	24.77 грн
27+	21.99 грн
100+	16.2 грн
250+	14.02 грн
500+	11.47 грн
1000+	9.31 грн
3000+	7.25 грн

Мінімальне замовлення: 22

FDN335N

Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.89 грн
9000+	12.98 грн
24000+	10.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN335N

Description: SOT-23 MOSFETS ROHS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V

товар відсутній

FDN335N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN335N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

492+	23.68 грн
644+	18.09 грн
689+	16.9 грн
809+	13.89 грн
1000+	10.44 грн
3000+	7.81 грн

Мінімальне замовлення: 492

FDN335N

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.64 грн
6000+	8.81 грн
9000+	8.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN335N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.06 грн
9000+	9.32 грн
24000+	9.15 грн
45000+	7.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN335N

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2242 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

9+	32.64 грн
25+	19.28 грн
72+	13.43 грн
196+	12.69 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDN335N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.34 грн
9000+	8.66 грн
24000+	8.5 грн
45000+	7.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN335N

Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99

на замовлення 48148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.39 грн
500+	14.1 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN335N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	29 грн
25+	23.76 грн
100+	16.29 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDN335N

Description: SOT-23 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V

товар відсутній

FDN335N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 38

FDN335N

на замовлення 2242 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	27.2 грн
25+	15.47 грн
72+	11.19 грн
196+	10.58 грн

Мінімальне замовлення: 14

FDN335N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.46 грн
6000+	13.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN335N

Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V

на замовлення 21518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.15 грн
12+	23.55 грн
100+	16.37 грн
500+	11.99 грн
1000+	9.75 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN335N

на замовлення 48148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	37.6 грн
24+	31.18 грн
100+	19.39 грн
500+	14.1 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDN335N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.93 грн
6000+	12.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN335N

MOSFET SSOT-3 N-CH 20V

на замовлення 121265 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.36 грн
12+	26.15 грн
100+	15.84 грн
500+	12.42 грн
1000+	10.06 грн
3000+	8.48 грн
9000+	7.89 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN335N

N-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	11.92 грн

Мінімальне замовлення: 50

FDN335N-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN335N-NL-ML

Description: N-Channel 20V 1.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	3.28 грн
3000+	2.88 грн
6000+	2.78 грн
15000+	2.52 грн
30000+	2.43 грн
75000+	2.21 грн
150000+	2.04 грн

Мінімальне замовлення: 1000

FDN335N_Q

MOSFET

товар відсутній

FDN336-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN336P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	30.41 грн
23+	25.97 грн
25+	25.71 грн
100+	18.83 грн
250+	11.63 грн

Мінімальне замовлення: 19

FDN336P

MOSFET SSOT-3 P-CH -20V

товар відсутній

FDN336P

Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.52 грн
500+	27.79 грн
1000+	25.09 грн
3000+	24.52 грн
6000+	24.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN336P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN336P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level

на замовлення 3033 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	35.53 грн
25+	17.11 грн
70+	11.29 грн
191+	10.67 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDN336P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN336P

P-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	7.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN336P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN336P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	8.89 грн
15000+	8.27 грн

Мінімальне замовлення: 6000

FDN336P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN336P

Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

на замовлення 18560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.44 грн
12+	23 грн
100+	15.98 грн
500+	11.71 грн
1000+	9.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN336P

Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 9641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	41.8 грн
24+	31.11 грн
100+	30.52 грн
500+	27.79 грн
1000+	25.09 грн
3000+	24.52 грн
6000+	24.01 грн

Мінімальне замовлення: 18

FDN336P
Код товару: 135239

товар відсутній

FDN336P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN336P

на замовлення 3033 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	42.64 грн
25+	21.33 грн
70+	13.55 грн
191+	12.81 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDN336P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN336P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.41 грн
6000+	8.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN336P

Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.42 грн
6000+	8.61 грн
9000+	7.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN336P-NL

Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R

товар відсутній

FDN336P-NL

SOT-23 08+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN336P-NL

товар відсутній

FDN336P-NL

09+

на замовлення 3018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN336P-NL

SOT23

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN336P-NL

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN336P/336

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN336P_NL

SOT23

на замовлення 8800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN336P_NL

05+06+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN337

09+

на замовлення 200018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN337

SOT23-337

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN337 SOT23-337

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN337N

Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.27 грн
9000+	8.85 грн
24000+	7.52 грн
45000+	7.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN337N
Код товару: 118654

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

FDN337N

Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN337N

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

на замовлення 28689 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.7 грн
11+	26.77 грн
100+	18.59 грн
500+	13.62 грн
1000+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDN337N

Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99

на замовлення 19157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.56 грн
500+	16.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN337N

N-MOSFET 30V 2.2A FDN337N TFDN337n
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 343 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	8.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN337N

Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN337N

MOSFET SSOT-3 N-CH 30V

на замовлення 893 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.65 грн
11+	29.7 грн
100+	19.32 грн
500+	15.18 грн
1000+	11.76 грн
3000+	10.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDN337N

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

на замовлення 28689 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.95 грн
6000+	10.01 грн
9000+	9.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN337N

на замовлення 19157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.11 грн
22+	33.69 грн
100+	22.56 грн
500+	16.43 грн

Мінімальне замовлення: 19

FDN337N

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

15+	22.82 грн
25+	19.62 грн
70+	13.9 грн
190+	13.14 грн

Мінімальне замовлення: 15

FDN337N

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	19.02 грн
25+	15.75 грн
70+	11.58 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDN337N

Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
usEccn: EAR99

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.02 грн
9000+	11.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN337N-F169

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V

товар відсутній

FDN337N-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN337N-NL-ML

Description: N-Channel 30V 2.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	3.28 грн
3000+	2.88 грн
6000+	2.78 грн
15000+	2.52 грн
30000+	2.43 грн
75000+	2.21 грн
150000+	2.04 грн

Мінімальне замовлення: 1000

FDN337N3DBBA

9918+

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN337NNL

на замовлення 9100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN337N_NL

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN337N_Q

MOSFET SSOT-3 N-CH 30V

товар відсутній

FDN338

09+

на замовлення 200018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN338

KEXIN

09+

на замовлення 300018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN338

SOT-23

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN338

SOT-23

на замовлення 360000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN338-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN338P

HUASHUO

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 809 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.06 грн

Мінімальне замовлення: 300

FDN338P

Description: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V

товар відсутній

FDN338P

Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.06 грн
9000+	10.84 грн
24000+	10.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN338P

JSMicro Semiconductor

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 260 шт

на замовлення 260 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

260+	2 грн

Мінімальне замовлення: 260

FDN338P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN338P

MSKSEMI

Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	5.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN338P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDN338P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	8.97 грн

Мінімальне замовлення: 35

FDN338P

товар відсутній

FDN338P

Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 800
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 87145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	31.18 грн
28+	26.98 грн
100+	20.2 грн
500+	11.36 грн
3000+	9.48 грн
9000+	9.29 грн
24000+	9.1 грн
45000+	8.91 грн

Мінімальне замовлення: 24

FDN338P

HUASHUO

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 2191 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

300+	2.06 грн

Мінімальне замовлення: 300

FDN338P

Description: 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V

на замовлення 148 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	22.75 грн
15+	18.76 грн
25+	16.48 грн
50+	14.53 грн
100+	12.39 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDN338P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN338P

Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 87145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.2 грн
500+	11.36 грн
3000+	9.48 грн
9000+	9.29 грн
24000+	9.1 грн
45000+	8.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN338P

JSMicro Semiconductor

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 370 шт

на замовлення 740 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

370+	1.86 грн

Мінімальне замовлення: 370

FDN338P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN338P

MOSFET SSOT-3 P-CH -20V

на замовлення 74343 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.74 грн
12+	26.6 грн
100+	17.28 грн
500+	13.6 грн
1000+	10.52 грн
3000+	9.59 грн
6000+	9.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN338P

Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P UMW TFDN338p UMW
кількість в упаковці: 250 шт

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

250+	2.3 грн

Мінімальне замовлення: 250

FDN338P SOT23-338

на замовлення 1510 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN338P-NL

09+ TSSOP20

на замовлення 844 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN338P-NL

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN338P/338

09+

на замовлення 3418 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN338P/338

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN338PSOT23-338

FAIRCHLD

на замовлення 1517 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN338P\338

SOT-23

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN338P_G

Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V

товар відсутній

FDN338P_NL

05+06+

на замовлення 326730 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN338P_NL

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN338P_Q

MOSFET SSOT-3 P-CH -20V

товар відсутній

FDN339

4 SOT-23

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN339

09+

на замовлення 200018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN339AN

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN339AN

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level

на замовлення 5626 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	35.09 грн
25+	19.44 грн
56+	14.12 грн
153+	13.35 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDN339AN

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN339AN

на замовлення 5626 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	42.11 грн
25+	24.23 грн
56+	16.95 грн
153+	16.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDN339AN

MOSFET SSOT-3 N-CH 20V

на замовлення 19000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.51 грн
11+	28.64 грн
100+	18.6 грн
500+	14.59 грн
1000+	11.24 грн
3000+	10.25 грн
9000+	8.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN339AN

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN339AN

Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm

на замовлення 84508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.81 грн
23+	33.18 грн
100+	22.41 грн
500+	16.57 грн
1000+	11.75 грн

Мінімальне замовлення: 19

FDN339AN

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.92 грн
6000+	10.9 грн
9000+	10.22 грн
24000+	9.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN339AN

Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V

на замовлення 33380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.28 грн
11+	25.67 грн
100+	17.87 грн
500+	13.09 грн
1000+	10.64 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN339AN

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN339AN

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN339AN

N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	11.77 грн

Мінімальне замовлення: 50

FDN339AN

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

407+	28.67 грн
539+	21.63 грн
548+	21.25 грн
686+	16.37 грн
1000+	12.36 грн
3000+	10.09 грн

Мінімальне замовлення: 407

FDN339AN

Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.52 грн
6000+	9.62 грн
9000+	8.93 грн
30000+	8.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN339AN

Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 5120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	33.56 грн
21+	28.34 грн
25+	26.62 грн
100+	19.37 грн
250+	17.62 грн
500+	13.51 грн
1000+	11.02 грн
3000+	9.37 грн

Мінімальне замовлення: 18

FDN339AN

на замовлення 84508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.41 грн
500+	16.57 грн
1000+	11.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN339AN-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN339AN_G

Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V

товар відсутній

FDN3401

Description: FDN3401
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

FDN3401

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN3401/3401

09+

на замовлення 1618 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN340P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN340P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN340P

On Semiconductor

MOSFET SSOT-3 P-CH -20V

на замовлення 3 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

FDN340P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN340P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 276000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.3 грн
9000+	6.88 грн
24000+	6.74 грн
45000+	6.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN340P

Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V

на замовлення 102000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.1 грн
6000+	7.48 грн
9000+	6.73 грн
30000+	6.22 грн
75000+	5.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN340P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN340P

Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.11 грн
9000+	7.89 грн
24000+	7.67 грн
45000+	6.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN340P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 276000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN340P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN340P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 605 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	35.39 грн
11+	25.17 грн
25+	18.48 грн
92+	10.43 грн
250+	10.35 грн
252+	9.86 грн
3000+	9.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDN340P

на замовлення 605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	29.49 грн
17+	20.19 грн
25+	15.4 грн
92+	8.69 грн
250+	8.63 грн
252+	8.21 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDN340P

MOSFET SSOT-3 P-CH -20V

на замовлення 127255 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.82 грн
13+	23.96 грн
100+	12.03 грн
1000+	8.28 грн
3000+	7.23 грн
9000+	6.51 грн
24000+	6.37 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN340P
Код товару: 191356

товар відсутній

FDN340P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 276000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.59 грн
69000+	8.76 грн
138000+	8.15 грн
207000+	7.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN340P

Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V

на замовлення 105061 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.86 грн
13+	22.45 грн
100+	13.47 грн
500+	11.7 грн
1000+	7.96 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN340P-F095

TRANS MOSFET P-CH 20V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R

товар відсутній

FDN340P-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN340P-NL-ML

Description: P-Channel -20V -2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	3.25 грн
3000+	2.85 грн
6000+	2.75 грн
15000+	2.5 грн
30000+	2.41 грн
75000+	2.19 грн
150000+	2.02 грн

Мінімальне замовлення: 1000

FDN340P/340

09+

на замовлення 3868 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN340P\340

SOT-23

на замовлення 2550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN340P_F095

Description: MOSFET P-CH 20V 2A

на замовлення 384000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN340P_F095

Description: MOSFET P-CH 20V 2A

на замовлення 1760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN340P_F095

Description: MOSFET P-CH 20V 2A

на замовлення 1760384000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN342P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN342P

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V

товар відсутній

FDN342P

Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.05
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.87 грн
18+	43.05 грн
100+	32.14 грн
500+	23 грн

Мінімальне замовлення: 15

FDN342P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	13.19 грн
15000+	12.88 грн
30000+	12.47 грн

Мінімальне замовлення: 6000

FDN342P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN342P

MOSFET SSOT-3 P-CH -20V

на замовлення 1775 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.9 грн
10+	44.14 грн
100+	28.65 грн
500+	22.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDN342P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN342P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.46 грн
6000+	14.7 грн
15000+	14.32 грн
30000+	13.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN342P

Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V

товар відсутній

FDN342P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN342P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.36 грн
6000+	13.65 грн
15000+	13.3 грн
30000+	12.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN342P

Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.54 грн
9000+	22.43 грн
18000+	20.87 грн
27000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN342P

Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V

товар відсутній

FDN342P-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN352AP

Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

на замовлення 82636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.15 грн
12+	23.69 грн
100+	16.46 грн
500+	12.07 грн
1000+	9.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN352AP

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

25+	15.48 грн
30+	12.94 грн
85+	9.7 грн
225+	9.17 грн

Мінімальне замовлення: 25

FDN352AP

Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm

на замовлення 60719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.4 грн
500+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.69 грн
9000+	8.49 грн
24000+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	8.59 грн

Мінімальне замовлення: 36

FDN352AP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

15+	18.58 грн
25+	16.12 грн
85+	11.64 грн
225+	11.01 грн

Мінімальне замовлення: 15

FDN352AP

Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V

на замовлення 81000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.7 грн
6000+	8.87 грн
9000+	8.23 грн
30000+	7.55 грн
75000+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN352AP

на замовлення 60719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	24.84 грн
31+	23.81 грн
100+	17.4 грн
500+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 30

FDN352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	17.26 грн
38+	15.35 грн
100+	15.19 грн
500+	12.7 грн
1000+	8.3 грн

Мінімальне замовлення: 34

FDN352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN352AP

MOSFET SINGLE PCH TRENCH MOSFET

на замовлення 233806 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	26.38 грн
13+	23.58 грн
100+	15.51 грн
500+	12.49 грн
1000+	10.06 грн
3000+	8.28 грн
9000+	7.89 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDN352AP

Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.7 грн
9000+	8.5 грн
24000+	8.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN352AP-NL

SOT-23 0722+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN352AP-NL-ML

Description: P-Channel -30V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

FDN357

FAITCHILD

04+ SOT-23

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN357N

Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V

на замовлення 4737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.7 грн
11+	27.18 грн
100+	18.91 грн
500+	13.85 грн
1000+	11.26 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDN357N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.81 грн
6000+	11.13 грн
12000+	11.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN357N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN357N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	11.4 грн

Мінімальне замовлення: 6000

FDN357N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN357N

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	34.68 грн
25+	28.49 грн
50+	19.22 грн
137+	18.15 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDN357N

Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V

на замовлення 4737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN357N

MOSFET SSOT-3 N-CH 30V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	34.2 грн
11+	28.57 грн
100+	17.61 грн
500+	14.59 грн
1000+	11.83 грн
3000+	9.86 грн
9000+	9.13 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDN357N

Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.3 грн
9000+	14.01 грн
24000+	13.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN357N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 186000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.03 грн
45000+	18.31 грн
90000+	17.04 грн
135000+	15.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN357N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.77 грн
6000+	11.09 грн
12000+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN357N

на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	28.9 грн
25+	22.86 грн
50+	16.02 грн
137+	15.13 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDN357N

Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.053 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 4735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	42.91 грн
21+	35.76 грн
100+	23.96 грн
500+	13.55 грн
3000+	12.26 грн

Мінімальне замовлення: 18

FDN357N

Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN357N-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN357N-NL-ML

Description: N-Channel 30V 1.9A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

FDN357N_NL

0448

на замовлення 1742 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN357N_Q

MOSFET SSOT-3 N-CH 30V

товар відсутній

FDN358P

Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm

на замовлення 10634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.41 грн
23+	32.59 грн
100+	20.27 грн
500+	14.72 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDN358P

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.28 грн
6000+	10.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN358P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 5.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDN358P

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V

товар відсутній

FDN358P

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN358P
Код товару: 36466

товар відсутній

FDN358P

товар відсутній

FDN358P

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN358P

MOSFET SSOT-3 P-CH -30V

на замовлення 23792 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	34.2 грн
11+	28.34 грн
100+	17.35 грн
500+	13.87 грн
1000+	11.24 грн
3000+	9.86 грн
9000+	9.2 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDN358P

на замовлення 10634 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.27 грн
500+	14.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN358P

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN358P

P-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 1180 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	12.91 грн

Мінімальне замовлення: 50

FDN358P

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN358P

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V

товар відсутній

FDN358P

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN358P(2DCEA)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN358P-NL

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN358P-NL-ML

Description: P-Channel -30V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

FDN359AN

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 7nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 485 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	18.87 грн
25+	15.81 грн
70+	11.57 грн
190+	10.94 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDN359AN

N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 80 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	10.88 грн

Мінімальне замовлення: 50

FDN359AN

MOSFET SSOT-3 N-CH 30V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

10+	32.82 грн
11+	28.11 грн
100+	17.22 грн
500+	13.47 грн
1000+	10.91 грн
3000+	9.2 грн
9000+	8.54 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN359AN

Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm

на замовлення 7263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	36.86 грн
24+	31.26 грн
100+	19.68 грн
500+	14.31 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDN359AN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN359AN

на замовлення 485 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

15+	22.65 грн
25+	19.71 грн
70+	13.88 грн
190+	13.13 грн

Мінімальне замовлення: 15

FDN359AN

Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V

на замовлення 13189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.57 грн
11+	25.6 грн
100+	17.81 грн
500+	13.05 грн
1000+	10.61 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN359AN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN359AN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN359AN

Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V

на замовлення 12980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.49 грн
6000+	9.59 грн
9000+	8.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN359AN-NL-ML

Description: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

FDN359AN/359A

09+

на замовлення 243018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN359AN/F40

на замовлення 72500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN359AN\359A

SOT-23

на замовлення 243100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN359AN_NL

05+06+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN359BN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN359BN

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт

товар відсутній

FDN359BN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9000+	8.1 грн

Мінімальне замовлення: 9000

FDN359BN

на замовлення 125142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.86 грн
11+	24.99 грн
100+	17.37 грн
500+	12.73 грн
1000+	10.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN359BN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.92 грн
6000+	38.62 грн
12000+	35.53 грн
15000+	32.5 грн
24000+	28.49 грн
30000+	26.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN359BN

Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.09 грн
500+	14.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN359BN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	42.93 грн
18+	33.28 грн
25+	31.84 грн
100+	23.62 грн
250+	20.08 грн
500+	17.01 грн
1000+	14.08 грн
3000+	12.73 грн

Мінімальне замовлення: 14

FDN359BN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN359BN

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

FDN359BN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.75 грн
9000+	13.48 грн
18000+	12.54 грн
27000+	11.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN359BN

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.24 грн
6000+	9.36 грн
9000+	8.69 грн
30000+	7.97 грн
75000+	7.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN359BN

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3052 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

340+	34.29 грн
442+	26.37 грн
481+	24.22 грн
545+	20.6 грн
1000+	15.8 грн
3000+	13.7 грн

Мінімальне замовлення: 340

FDN359BN

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 32433 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.82 грн
11+	27.74 грн
100+	16.82 грн
500+	13.14 грн
1000+	10.71 грн
3000+	9.07 грн
9000+	8.35 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN359BN

Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 2.7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2161 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	50.87 грн
18+	41.29 грн
100+	28.09 грн
500+	14.72 грн

Мінімальне замовлення: 15

FDN359BN-F095

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23

товар відсутній

FDN359BN-F095

Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23

товар відсутній

FDN359BN-NL

SOT-23 0701+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN359BN-NL-ML

Description: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

FDN359BN_F095

MOSFET 30V NCh; PowerTrench AU Wire Parts

товар відсутній

FDN359N/359

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN360

на замовлення 670 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN360P

Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN360P

MOSFET SSOT-3 P-CH -30V

на замовлення 14964 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.11 грн
11+	27.81 грн
100+	13.6 грн
1000+	9.27 грн
3000+	8.48 грн
9000+	7.49 грн
24000+	7.16 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDN360P

Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm

на замовлення 75045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.84 грн
23+	32.29 грн
100+	14.82 грн
500+	13.49 грн

Мінімальне замовлення: 19

FDN360P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 4504 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

10+	29.02 грн
25+	18.77 грн
80+	12.34 грн
215+	11.67 грн
3000+	11.5 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN360P

Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V

на замовлення 61416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	33.41 грн
11+	25.06 грн
100+	15.01 грн
500+	13.05 грн
1000+	8.87 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDN360P

на замовлення 4504 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

20+	24.18 грн
25+	15.06 грн
80+	10.28 грн
215+	9.72 грн
3000+	9.58 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDN360P

On Semiconductor/Fairchild

Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN360P

SOT-23-3

на замовлення 10 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

FDN360P

Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN360P

Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.04 грн
6000+	8.34 грн
9000+	7.51 грн
30000+	6.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN360P

Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN360P

на замовлення 75045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.82 грн
500+	13.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN360P

Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	10.64 грн

Мінімальне замовлення: 50

FDN360P

Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN360P
Код товару: 75653

товар відсутній

FDN360P-F095

TRANS MOSFET P-CH 30V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R

товар відсутній

FDN360P-NBGT003B

Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V

товар відсутній

FDN360P-NL

09+ QFP

на замовлення 930 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN360P/360

09+

на замовлення 2118 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN360PSOT23-360PB-FREE

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN360P_F095

Description: MOSFET P-CH 30V 2A

товар відсутній

FDN360P_F095

Description: MOSFET P-CH 30V 2A

на замовлення 3873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN360P_F095

Description: MOSFET P-CH 30V 2A

на замовлення 3873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN361AN

SOT-23

на замовлення 2352 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN361AN

SOT23

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN361AN

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

товар відсутній

FDN361AN

09+

на замовлення 9018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN361AN

MOSFET SSOT-3 N-CH 30V

товар відсутній

FDN361AN

Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SuperSOT T/R

товар відсутній

FDN361AN

SOT23-361 PB-FRE

на замовлення 2821 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN361AN

Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3

товар відсутній

FDN361AN-NL

SOT23-361 PB-FRE

на замовлення 153000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN361AN-NL

SOT23 11+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN361AN-NLSOT23-361PB-FREE

FAIRCHLD

на замовлення 173821 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN361AN/361

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN361AN_NL

SOT23

на замовлення 363000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN361AN_NL

05+06+

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN361BN

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN361BN

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3036 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

52+	11.21 грн
53+	10.89 грн
54+	10.77 грн

Мінімальне замовлення: 52

FDN361BN

MOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET

на замовлення 11696 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDN361BN

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN361BN

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193 pF @ 15 V

товар відсутній

FDN361BN

Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN361BN

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level

товар відсутній

FDN361BN-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN361P/361

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN363N

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V

на замовлення 48344 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1664+	12.8 грн

Мінімальне замовлення: 1664

FDN363N-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN371N

Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SuperSOT T/R

товар відсутній

FDN371N

ON Semiconductor / Fairchild

Description: 2.5A, 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL,

товар відсутній

FDN371N

на замовлення 111000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN371N

MOSFET 20V N-Ch PowerTrench

на замовлення 132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDN371N-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN372S

Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V

на замовлення 105742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1902+	10.4 грн

Мінімальне замовлення: 1902

FDN372S

SAM

SOT 08+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN372S

Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V

товар відсутній

FDN372S

FSC

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN372S-NL

09+ SSOP16

на замовлення 847 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN372S-NL

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN377N

FSC

на замовлення 1365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN5330SX

SOT-153

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN537N

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V

на замовлення 4993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.21 грн
10+	39.36 грн
100+	30.19 грн
500+	22.4 грн
1000+	17.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDN537N

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2971 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	64.49 грн
7+	42.06 грн
25+	30.56 грн
40+	23.64 грн
110+	22.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDN537N

Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN537N

Description: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 10039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	53.97 грн
17+	45.49 грн
100+	31.7 грн
500+	23.21 грн
1000+	17.19 грн
3000+	15.55 грн
6000+	14.79 грн

Мінімальне замовлення: 14

FDN537N

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN537N

на замовлення 2971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.74 грн
11+	33.75 грн
25+	25.47 грн
40+	19.7 грн
110+	18.63 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDN537N

MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 421-430 дні (днів)

7+	46.92 грн
10+	41.04 грн
100+	27.34 грн
500+	21.62 грн
1000+	17.28 грн
3000+	15.71 грн
6000+	15.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDN537N

на замовлення 1535 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN537N

Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN537N

на замовлення 10039 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.7 грн
500+	23.21 грн
1000+	17.19 грн
3000+	15.55 грн
6000+	14.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN537N

Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN5618P

MOSFET SSOT-3 P-CH 60V

на замовлення 62425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.98 грн
13+	24.94 грн
100+	15.12 грн
500+	11.76 грн
1000+	9.59 грн
3000+	8.08 грн
9000+	7.82 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDN5618P

Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN5618P

Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
MSL: -999
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm

на замовлення 359943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.95 грн
500+	13.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN5618P

Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V

на замовлення 6142 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.73 грн
13+	22.45 грн
100+	15.6 грн
500+	11.43 грн
1000+	9.29 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDN5618P

Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN5618P

на замовлення 359943 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.36 грн
26+	28.46 грн
100+	18.95 грн
500+	13.83 грн

Мінімальне замовлення: 22

FDN5618P

Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.19 грн
6000+	8.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN5618P

Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN5618P

Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN5618P 618.

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

40+	13.92 грн

Мінімальне замовлення: 40

FDN5618P-B8

Description: FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V

товар відсутній

FDN5618P-NL

на замовлення 120000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN5618P-NL

Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SuperSOT T/R

товар відсутній

FDN5618P-SB4N007

Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A

товар відсутній

FDN5618P_G

Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V

товар відсутній

FDN5630

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN5630

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

25+	17.4 грн
30+	12.46 грн
85+	9.58 грн
230+	9.04 грн

Мінімальне замовлення: 25

FDN5630

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN5630

Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.073 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 423000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.54 грн
9000+	9.22 грн
24000+	7.67 грн
45000+	6.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN5630

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V

на замовлення 9894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.86 грн
13+	22.25 грн
100+	13.34 грн
500+	11.59 грн
1000+	7.88 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN5630

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 156000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN5630

MOSFET SSOT-3 N-CH 60V

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.13 грн
13+	24.71 грн
100+	11.76 грн
1000+	8.15 грн
3000+	7.16 грн
9000+	6.44 грн
24000+	6.37 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN5630

Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 29973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	33.69 грн
30+	24.92 грн
100+	17.03 грн
500+	11.91 грн

Мінімальне замовлення: 22

FDN5630

Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 29973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.03 грн
500+	11.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDN5630

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

15+	20.88 грн
25+	15.53 грн
85+	11.5 грн
230+	10.84 грн

Мінімальне замовлення: 15

FDN5630

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.03 грн
6000+	7.41 грн
9000+	6.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN5630-B8

Description: FET 60V 1.0 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V

товар відсутній

FDN5630-F095

TRANS MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-PIN SUPERSOT

товар відсутній

FDN5630-G

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V

товар відсутній

FDN5630-NL

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN5630_F095

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A

товар відсутній

FDN5630_F095

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A

на замовлення 2548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN5630_F095

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A

на замовлення 2548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN5632N-F085

FDN5632N-F085 SMD N channel transistors

на замовлення 1885 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	36.54 грн
41+	23.49 грн
113+	22.26 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDN5632N-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.03 грн
6000+	14.63 грн
9000+	13.54 грн
30000+	12.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN5632N-F085

MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 1.7A

на замовлення 487942 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.62 грн
10+	39.15 грн
100+	23.53 грн
500+	19.65 грн
1000+	16.76 грн
3000+	14.39 грн
6000+	13.8 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDN5632N-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN5632N-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN5632N-F085

Description: ONSEMI - FDN5632N-F085 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDN5632N-F085

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 51103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	41.94 грн
10+	35.19 грн
100+	24.38 грн
500+	19.12 грн
1000+	16.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDN5632N-F085

Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN5632N_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

на замовлення 393000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN5632N_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

на замовлення 13848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN5632N_F085

Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

на замовлення 4294967295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN6301N

SOT-163

на замовлення 172 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN8601

Description: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.67 грн
13+	59.57 грн
100+	42.76 грн
500+	27.45 грн
3000+	24.64 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDN8601

Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V

на замовлення 11304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.32 грн
6000+	24.14 грн
9000+	23.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN8601

Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN8601

Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	78.77 грн
10+	67.32 грн
25+	44.81 грн
100+	42.79 грн
250+	36.65 грн
500+	32.33 грн
1000+	29.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDN8601

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 1.5W; SuperSOT-3
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 183mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDN8601

Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN8601

Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN8601

Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN8601

товар відсутній

FDN8601

Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V

на замовлення 11304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.98 грн
10+	50.11 грн
100+	38.99 грн
500+	31.02 грн
1000+	25.27 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDN8601

Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	72.5 грн
242+	48.26 грн
244+	47.79 грн
264+	42.62 грн
500+	36.27 грн
1000+	31.75 грн

Мінімальне замовлення: 161

FDN8601

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 50626 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.85 грн
10+	53.66 грн
100+	37.72 грн
500+	32.27 грн
1000+	26.29 грн
3000+	24.38 грн
6000+	23.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDN8601

Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN8601

Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN86246

Description: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN86246

Trans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	57.06 грн
12+	49.28 грн
25+	48.97 грн
100+	35.72 грн
250+	32.5 грн
500+	26.78 грн
1000+	21.87 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDN86246

MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

на замовлення 337 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDN86246

Trans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN86246

Description: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.195 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN86246

Trans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN86246

Description: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V

на замовлення 5577 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.6 грн
10+	66.81 грн
100+	51.97 грн
500+	41.34 грн
1000+	33.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDN86265P

MOSFET PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET

на замовлення 331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.14 грн
10+	58.42 грн
100+	39.83 грн
500+	34.5 грн
1000+	28.06 грн
3000+	26.09 грн
6000+	24.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDN86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3

товар відсутній

FDN86265P

Trans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDN86265P

Description: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 800
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDN86265P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.8A; 1.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.8A
On-state resistance: 2.2Ω
Case: SuperSOT-3
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -150V

товар відсутній

FDN86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3

товар відсутній

FDN86265P

Trans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

FDN86265P

товар відсутній

FDN86265P

товар відсутній

FDN86265P

Trans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDN86501LZ

Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V

на замовлення 36536 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.1 грн
10+	103.85 грн
100+	82.64 грн
500+	65.62 грн
1000+	55.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDN86501LZ

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDN86501LZ

MOSFET N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 60 V, 2.6 A, 116 mohm

на замовлення 34398 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	151.04 грн
10+	133.77 грн
100+	93.98 грн
500+	77.55 грн
1000+	63.62 грн
3000+	59.21 грн
6000+	58.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

FDN86501LZ

Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	58.53 грн
6000+	54.24 грн
9000+	52.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDNA3763

Electrical Enclosure Accessories Wall Mounting Bracket for FDN, 1/pkg

товар відсутній

FDNC1602A-NLAFBW-51LR

Fordata

на замовлення 1 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

FDNIRABBAXX

Electrical Enclosures FDN IR 16P AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg

товар відсутній

FDNIRABBCXX

Electrical Enclosures FDN IR 59 port AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg

товар відсутній

FDNIRBXBAWX

Electrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 24 SE trays (288 fibers), PP, Black, 1/pkg

товар відсутній

FDNIRBXBAXN

Electrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 48 SC-B trays (576 fibers), PP, Black, 1/pkg

товар відсутній

FDNIRBXBAXX

Electrical Enclosures FDN IR 16P B-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg

товар відсутній

FDNIRCXBCWX

Electrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 36 SE trays (432 fibers), PP, Black, 1/pkg

товар відсутній

FDNIRCXBCXN

Electrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 72 SC-B trays (864 fibers), PP, Black, 1/pkg

товар відсутній

FDNIRCXBCXX

Electrical Enclosures FDN IR 59 port C-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg

товар відсутній

FDNM008.0010

FDNM008.0010 Actuators

товар відсутній

FDNM008.0025

FDNM008.0025 Actuators

товар відсутній

FDNM008.0050

FDNM008.0050 Actuators

товар відсутній

FDNM010.0010

FDNM010.0010 Actuators

товар відсутній

FDNM010.0025

FDNM010.0025 Actuators

товар відсутній

FDNM010.0050

FDNM010.0050 Actuators

товар відсутній

FDNM012.0010

FDNM012.0010 Actuators

товар відсутній

FDNM012.0025

FDNM012.0025 Actuators

товар відсутній

FDNM012.0050

Category: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar
Manufacturer series: Flowmatik
Operating temperature: 0...40°C
Tube material: stainless steel
Type of pneumatic module: round cylinder
Body material: aluminium
Application: compressed air
Piston stroke: 50mm
Piston diameter: 12mm
Operating pressure: 1...10bar
Seal material: NBR rubber
Pneumatic components features: mechanical amortization
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDNM012.0050

товар відсутній

FDNM012.0080

Category: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar
Application: compressed air
Manufacturer series: Flowmatik
Body material: aluminium
Operating temperature: 0...40°C
Seal material: NBR rubber
Type of pneumatic module: round cylinder
Pneumatic components features: mechanical amortization
Piston diameter: 12mm
Piston stroke: 80mm
Tube material: stainless steel
Operating pressure: 1...10bar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDNM012.0080

товар відсутній

FDNM012.0100

FDNM012.0100 Actuators

товар відсутній

FDNM012.0125

FDNM012.0125 Actuators

товар відсутній

FDNM012.0160

FDNM012.0160 Actuators

товар відсутній

FDNM012.0200

FDNM012.0200 Actuators

товар відсутній

FDNM016.0010

FDNM016.0010 Actuators

товар відсутній

FDNM016.0025

FDNM016.0025 Actuators

товар відсутній

FDNM016.0050

FDNM016.0050 Actuators

товар відсутній

FDNM016.0080

FDNM016.0080 Actuators

товар відсутній

FDNM016.0100

FDNM016.0100 Actuators

товар відсутній

FDNM016.0125

FDNM016.0125 Actuators

товар відсутній

FDNM016.0160

FDNM016.0160 Actuators

товар відсутній

FDNM016.0200

FDNM016.0200 Actuators

товар відсутній

FDNM020.0010

FDNM020.0010 Actuators

товар відсутній

FDNM020.0025

FDNM020.0025 Actuators

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2703.58 грн
10+	2169.4 грн

FDNM020.0050

FDNM020.0050 Actuators

товар відсутній

FDNM020.0080

FDNM020.0080 Actuators

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2951.3 грн
10+	2407.41 грн

FDNM020.0100

FDNM020.0100 Actuators

товар відсутній

FDNM020.0125

Category: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 125mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 20mm
Piston stroke: 125mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR rubber
Application: compressed air
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik

товар відсутній

FDNM020.0125

товар відсутній

FDNM020.0160

FDNM020.0160 Actuators

товар відсутній

FDNM020.0200

FDNM020.0200 Actuators

товар відсутній

FDNM025.0010

FDNM025.0010 Actuators

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2843.36 грн
10+	2303.33 грн

FDNM025.0025

FDNM025.0025 Actuators

товар відсутній

FDNM025.0050

FDNM025.0050 Actuators

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	3097.27 грн
10+	2533.66 грн

FDNM025.0080

FDNM025.0080 Actuators

на замовлення 3 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	3327.28 грн
10+	2697.46 грн

FDNM025.0100

FDNM025.0100 Actuators

на замовлення 4 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	3446.72 грн
10+	2791.29 грн

FDNM025.0120

FDNM025.0120 Actuators

товар відсутній

FDNM025.0125

FDNM025.0125 Actuators

товар відсутній

FDNM025.0160

FDNM025.0160 Actuators

товар відсутній

FDNM025.0200