Продукція > FDN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDN-010 | Chemtronics | Description: S/S .010" NEEDLE, 10/PK Number of Pieces: 10 Tip Type: Straight Type: Dispenser Needle, Tip Packaging: Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN-020 | Chemtronics | Description: S/S .020" NEEDLE, 10/PK Number of Pieces: 10 Tip Type: Straight Type: Dispenser Needle, Tip Packaging: Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN-47A-L103 | Bansbach easylift | Description: ROTARY DAMPER TORQUE 1.0NM | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN-63A-L903 | Bansbach easylift | Description: ROTARY DAMPER TORQUE 8.5NM Features: Disk Type Packaging: Bag Type: Rotary Damper Operating Temperature: -10°C ~ 50°C | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN-63A-R453 | Bansbach easylift | Description: ROTARY DAMPER TORQUE 4.5NM | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN-63A-R603 | Bansbach easylift | Description: ROTARY DAMPER TORQUE 6.0NM | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN028N20 | onsemi / Fairchild | MOSFETs Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server | на замовлення 27055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN028N20 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN028N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.1 A, 0.023 ohm, SuperSOT Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 6.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 1.5 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 900 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN028N20 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN028N20 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN028N20 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V | на замовлення 34578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN1-110(5) | KS Terminals | Terminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .110 | на замовлення 1534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN1-187(5) | KS Terminals | Terminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .187 | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN1-187(8) | KS Terminals | Terminals TerminalsQuick Disconnects22-16AWG,0.8x4.75Female,Non-Insulated | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN1-205(5) | KS Terminals | Terminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .205 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN1-250 | KS Terminals | Terminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .032 x .250 | на замовлення 1863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN103 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDN103A | MOTOROLA | 09+ SOP24 | на замовлення 1009 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN143 | ROHM | 99+ QFP | на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN147 | ROHM | 97+ QFP | на замовлення 128000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN147-626 | на замовлення 498 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDN147B | 97 TQFP | на замовлення 157 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDN2-205(5) | KS Terminals | Terminals Non-Insulated, Female, 16-14 AWG, .020 x .205 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN2-250 | KS Terminals | Terminals Non-Insulated, Female, 16-14 AWG, .032 x .250 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN301 | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDN301A | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDN301N-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN302P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN302P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN302P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm | на замовлення 6531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN302P Код товару: 31343
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 20 V Струм стоку Id, A: 2,4 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 882/9 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN302P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V | на замовлення 11924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN302P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN302P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V | на замовлення 9790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN302P .302.. | ON-Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN302P TFDN302p кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 480 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN302P-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDN302P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN302P\302 | FAIRCHIL | SOT-23 | на замовлення 3050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN302P_NL | FAIRCHILD | 05+06+ | на замовлення 2394000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN302P_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN303 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDN304 | ?? | SOT-23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN304N | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN304P | onsemi | MOSFETs SSOT-3 P-CH 1.8V | на замовлення 4912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 47053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304P | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304P | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm | на замовлення 5170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304P Код товару: 127609
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 17274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN304P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm | на замовлення 81816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304P | SLKOR | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 0,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P SLKOR TFDN304p SLK кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm | на замовлення 81816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) FET Type: P-Channel | на замовлення 25476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304P | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304P-EV | EVVO | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304P-EV | EVVO | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN304P-NL | FAIRCHILD | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDN304P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 297000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304PZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304PZ | On Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-33 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN304PZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm | на замовлення 4201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 23900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN304PZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V | на замовлення 8308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 23900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 20319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN304PZ-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN305 | PANASONIC | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| FDN306-NL | на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN306P | ONS/FAI | P-chanel, SSOT-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDN306P | onsemi | MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V | на замовлення 17688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN306P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm | на замовлення 32823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN306P | ON-Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN306P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V | на замовлення 33564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| FDN306P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm | на замовлення 32823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

