НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FDN-010ChemtronicsDescription: S/S .010" NEEDLE, 10/PK
Packaging: Bag
Type: Dispenser Needle, Tip
Tip Type: Straight
Number of Pieces: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN-020ChemtronicsDescription: S/S .020" NEEDLE, 10/PK
Packaging: Bag
Type: Dispenser Needle, Tip
Tip Type: Straight
Number of Pieces: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN-47A-L103Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 1.0NM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN-63A-L903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.5NM
Features: Disk Type
Packaging: Bag
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2781.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDN-63A-R453Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 4.5NM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN-63A-R603Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 6.0NM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20ON Semiconductor / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 34578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.97 грн
10+34.43 грн
100+22.79 грн
500+16.33 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20ONSEMIFDN028N20 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.69 грн
6000+11.70 грн
9000+11.10 грн
15000+10.10 грн
21000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20onsemi / FairchildMOSFETs Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
на замовлення 27055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.03 грн
15+23.58 грн
100+15.38 грн
500+13.85 грн
1000+12.85 грн
3000+10.56 грн
6000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN028N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.1 A, 0.023 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.33 грн
19+46.78 грн
100+34.93 грн
500+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN1-187(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .187
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN1-187(8)KS TerminalsTerminals TerminalsQuick Disconnects22-16AWG,0.8x4.75Female,Non-Insulated
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+13.57 грн
100+8.62 грн
1000+5.89 грн
5000+5.13 грн
10000+4.44 грн
25000+3.67 грн
50000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FDN1-205(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .205
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+12.77 грн
100+8.10 грн
1000+5.51 грн
5000+4.90 грн
10000+4.21 грн
25000+3.52 грн
50000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
FDN1-250KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .032 x .250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN103
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN103AMOTOROLA09+ SOP24
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN143ROHM96+ QFP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN143ROHM99+ QFP
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN147ROHM97+ QFP
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN147ROHM96+ QFP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN147-626
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN147B97 TQFP
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN2-205(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 16-14 AWG, .020 x .205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN301
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN301A
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN301N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.83 грн
6000+11.57 грн
9000+11.39 грн
12000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P
Код товару: 31343
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,4 A
Rds(on),Om: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 882/9
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+14.00 грн
10+12.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.82 грн
500+10.92 грн
1500+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 14nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.91 грн
15+28.06 грн
17+24.87 грн
50+18.17 грн
79+11.88 грн
218+11.24 грн
1000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
на замовлення 11924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.51 грн
13+28.69 грн
100+13.47 грн
1000+10.25 грн
3000+9.26 грн
9000+8.19 грн
24000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+27.01 грн
785+15.44 грн
793+15.28 грн
802+14.58 грн
1324+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 449
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.73 грн
12+27.74 грн
100+15.30 грн
500+12.63 грн
1000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.50 грн
9000+10.17 грн
24000+9.82 грн
45000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.23 грн
50+27.47 грн
100+19.14 грн
500+14.98 грн
1500+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+41.86 грн
24+29.24 грн
25+28.94 грн
100+15.79 грн
250+14.48 грн
500+13.75 грн
1000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 14nC
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.29 грн
9+34.96 грн
10+29.84 грн
50+21.81 грн
79+14.25 грн
218+13.49 грн
1000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+38.93 грн
26+26.99 грн
100+14.91 грн
1000+10.49 грн
3000+7.55 грн
9000+6.98 грн
24000+6.90 грн
45000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.31 грн
9000+10.90 грн
24000+10.52 грн
45000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P .302..ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN302P TFDN302p
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.58 грн
1000+2.43 грн
3000+2.26 грн
6000+2.08 грн
15000+2.02 грн
30000+1.94 грн
75000+1.79 грн
150000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P\302FAIRCHILSOT-23
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 2394000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P_NLFairchild
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P_Qonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN303
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304??SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304N
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.02 грн
9000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
на замовлення 24524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.11 грн
10+37.14 грн
100+24.14 грн
500+17.32 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2098+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 2098
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 1.8V
на замовлення 19141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.67 грн
10+39.51 грн
100+22.65 грн
500+17.29 грн
1000+15.46 грн
3000+12.78 грн
6000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+51.56 грн
21+34.24 грн
100+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 141676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.01 грн
50+42.57 грн
100+27.64 грн
500+19.53 грн
1500+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.84 грн
6000+13.11 грн
9000+12.52 грн
15000+11.11 грн
21000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PUMWTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.82 грн
6000+16.82 грн
9000+15.88 грн
12000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P
Код товару: 127609
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.92 грн
500+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PONSEMIFDN304P SMD P channel transistors
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.77 грн
52+21.90 грн
141+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 47453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2098+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 2098
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P-NLFAIRCHILD
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.76 грн
1000+2.60 грн
3000+2.42 грн
6000+2.23 грн
15000+2.16 грн
30000+2.07 грн
75000+1.91 грн
150000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 86255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.35 грн
10+42.48 грн
100+27.58 грн
500+19.85 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+64.03 грн
19+46.18 грн
100+30.13 грн
500+21.44 грн
1000+17.44 грн
5000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.06 грн
6000+14.66 грн
9000+14.18 грн
15000+12.85 грн
21000+12.43 грн
30000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZAptina ImagingTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.08 грн
6000+13.93 грн
9000+13.79 грн
15000+13.17 грн
45000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 20nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+48.92 грн
11+36.34 грн
50+18.73 грн
138+17.69 грн
1000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 20nC
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.71 грн
10+45.29 грн
50+22.48 грн
138+21.23 грн
1000+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1851+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 1851
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.53 грн
500+17.38 грн
3000+13.61 грн
9000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.66 грн
6000+14.51 грн
9000+14.36 грн
15000+13.71 грн
45000+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZonsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.41 грн
10+44.00 грн
100+24.94 грн
250+21.88 грн
500+19.05 грн
1000+17.22 грн
3000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.67 грн
1000+2.51 грн
3000+2.34 грн
6000+2.15 грн
15000+2.08 грн
30000+2.00 грн
75000+1.84 грн
150000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN305PANASONIC
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306-NL
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.92 грн
6000+11.68 грн
9000+11.31 грн
12000+10.85 грн
27000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
6000+9.06 грн
9000+8.70 грн
15000+7.99 грн
21000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+19.06 грн
743+16.31 грн
1000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 636
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+30.04 грн
21+19.85 грн
50+14.90 грн
95+9.96 грн
260+9.40 грн
1000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+20.49 грн
40+17.57 грн
100+14.50 грн
250+13.25 грн
500+11.17 грн
1000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.96 грн
50+32.27 грн
100+22.49 грн
500+16.18 грн
1500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.05 грн
13+24.73 грн
50+17.89 грн
95+11.96 грн
260+11.29 грн
1000+11.09 грн
3000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
739+16.41 грн
858+14.12 грн
875+13.85 грн
997+11.73 грн
1273+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 739
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.74 грн
13+27.98 грн
100+16.91 грн
500+13.31 грн
1000+11.55 грн
3000+8.72 грн
6000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 37403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.21 грн
13+26.38 грн
100+18.33 грн
500+13.52 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 48757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.49 грн
500+16.18 грн
1500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P 306.ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-PIN SUPERSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P-NLFAIRCHILD
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P-NLFAI09+
на замовлення 120018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -12V -2.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.78 грн
1000+2.61 грн
3000+2.44 грн
6000+2.24 грн
15000+2.17 грн
30000+2.08 грн
75000+1.92 грн
150000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P/306FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
на замовлення 5465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN307
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2192+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 2192
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 6119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.90 грн
13+28.77 грн
100+18.67 грн
500+14.31 грн
1000+12.24 грн
3000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.12 грн
500+17.45 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.90 грн
10+37.54 грн
100+24.23 грн
500+17.36 грн
1000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+32.68 грн
560+21.65 грн
602+20.12 грн
763+15.31 грн
1000+13.27 грн
3000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.34 грн
24+37.17 грн
100+24.12 грн
500+17.45 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+53.85 грн
20+35.37 грн
25+35.01 грн
100+22.37 грн
250+19.25 грн
500+14.58 грн
1000+13.65 грн
3000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P-NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.67 грн
1000+2.51 грн
3000+2.34 грн
6000+2.15 грн
15000+2.08 грн
30000+2.00 грн
75000+1.84 грн
150000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P_F154ON Semiconductor / FairchildMOSFET Multi Market MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P_NLFAIRCHILD
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
на замовлення 3755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.07 грн
16+19.93 грн
100+11.62 грн
500+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N
Код товару: 176408
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2708+11.18 грн
10000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 2708
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327Nonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
на замовлення 25443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.06 грн
19+18.92 грн
100+10.87 грн
500+10.41 грн
1000+10.10 грн
3000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 70609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.65 грн
500+12.19 грн
1500+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.93 грн
53+6.06 грн
100+3.71 грн
500+2.52 грн
1000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2708+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 2708
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NUMWDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.18 грн
24+13.63 грн
100+8.50 грн
500+5.89 грн
1000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.17 грн
11+28.21 грн
13+23.05 грн
50+15.97 грн
85+13.29 грн
233+12.62 грн
500+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2708+11.18 грн
10000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 2708
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 70609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.80 грн
50+24.55 грн
100+13.65 грн
500+12.19 грн
1500+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.99 грн
6000+1.70 грн
9000+1.59 грн
15000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+40.96 грн
33+21.13 грн
100+13.80 грн
500+12.71 грн
1000+11.40 грн
3000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+6.23 грн
121+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.48 грн
18+22.64 грн
21+19.21 грн
50+13.31 грн
85+11.08 грн
233+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NUMWDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.67 грн
1000+2.51 грн
3000+2.34 грн
6000+2.16 грн
15000+2.09 грн
30000+2.00 грн
75000+1.85 грн
150000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N/327FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN331NFAirchild
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN332-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN332P-NLFAIRCHTL2007
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335FAITCHILD04+ SOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335KEXIN09+
на замовлення 300018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+36.18 грн
29+23.97 грн
30+23.72 грн
100+17.27 грн
250+15.66 грн
500+13.38 грн
1000+12.11 грн
3000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.94 грн
500+15.62 грн
1500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+22.14 грн
725+16.72 грн
741+16.37 грн
832+14.05 грн
1000+11.77 грн
3000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 548
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 17222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.69 грн
12+26.94 грн
100+18.30 грн
500+14.04 грн
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NONSEMIFDN335N SMD N channel transistors
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+44.08 грн
72+15.69 грн
197+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.20 грн
6000+11.96 грн
9000+11.77 грн
12000+11.17 грн
27000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.39 грн
9000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.93 грн
50+30.99 грн
100+20.94 грн
500+15.62 грн
1500+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+43.34 грн
24+28.97 грн
100+19.27 грн
500+15.22 грн
1000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.69 грн
6000+9.72 грн
9000+9.15 грн
15000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.63 грн
9000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 93448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.31 грн
13+28.25 грн
100+16.76 грн
500+13.08 грн
1000+11.86 грн
3000+9.49 грн
9000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.42 грн
9000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON-SemicoductorN-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 1.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.69 грн
1000+2.53 грн
3000+2.36 грн
6000+2.17 грн
15000+2.11 грн
30000+2.02 грн
75000+1.86 грн
150000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.71 грн
12+29.83 грн
100+17.98 грн
500+14.08 грн
1000+11.71 грн
3000+10.02 грн
45000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 12453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.52 грн
12+28.93 грн
100+20.28 грн
500+14.46 грн
1000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.17 грн
500+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON-SemicoductorP-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.91 грн
16+26.30 грн
50+19.21 грн
72+13.15 грн
196+12.43 грн
1000+11.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
6000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.38 грн
6000+10.58 грн
9000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.94 грн
50+29.18 грн
100+19.91 грн
500+14.51 грн
1500+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.29 грн
10+32.78 грн
50+23.05 грн
72+15.78 грн
196+14.92 грн
1000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.79 грн
6000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P
Код товару: 135239
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLFAIRCHILDSOT-23 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLFAIRCHILDSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.71 грн
1000+2.55 грн
3000+2.38 грн
6000+2.19 грн
15000+2.12 грн
30000+2.03 грн
75000+1.88 грн
150000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P/336FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P_NLFAIRCHILDSOT23
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337FAI09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337FAIRCHILDSOT23-337
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337 SOT23-337FAIRCHILD
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.52 грн
26+12.59 грн
100+7.85 грн
500+5.44 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.17 грн
6000+12.06 грн
9000+10.81 грн
15000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.03 грн
24+17.06 грн
50+13.31 грн
100+12.04 грн
190+4.94 грн
520+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.10 грн
50+39.91 грн
100+27.30 грн
500+20.32 грн
1500+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+35.19 грн
501+24.19 грн
502+24.17 грн
632+18.50 грн
1000+15.31 грн
3000+12.70 грн
6000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 345
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 930000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.02 грн
6000+10.43 грн
9000+9.40 грн
15000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 2.2A 82M@2.5V,2A 0.5W 1.3V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 35984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.62 грн
6000+2.25 грн
9000+2.11 грн
15000+1.84 грн
21000+1.75 грн
30000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+55.25 грн
18+39.70 грн
100+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.36 грн
6000+14.53 грн
9000+13.08 грн
15000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N
Код товару: 118654
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NFairchildTranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.94 грн
9000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.47 грн
6000+13.68 грн
9000+12.34 грн
15000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 107493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.35 грн
10+32.60 грн
100+22.31 грн
500+16.43 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 16972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.30 грн
500+20.32 грн
1500+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 36526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.90 грн
10+35.64 грн
100+21.19 грн
500+16.99 грн
1000+15.30 грн
3000+12.01 грн
6000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+41.53 грн
19+38.06 грн
25+37.71 грн
100+25.19 грн
250+23.12 грн
500+17.61 грн
1000+15.74 грн
3000+10.96 грн
6000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 2.2A 82M@2.5V,2A 0.5W 1.3V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5711 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.84 грн
15+21.25 грн
50+15.97 грн
100+14.44 грн
190+5.93 грн
520+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 948000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.36 грн
6000+11.68 грн
9000+10.54 грн
15000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.28 грн
58+5.58 грн
66+4.88 грн
100+3.84 грн
250+3.50 грн
500+3.29 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.76 грн
1000+2.59 грн
3000+2.42 грн
6000+2.22 грн
15000+2.16 грн
30000+2.07 грн
75000+1.91 грн
150000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N3DBBAFAI9918+
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NNLFAIRCHILD
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N_NLFAIRCHILD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N_Qonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338FAI09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338KEXIN09+
на замовлення 300018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338??SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338FAIRCHILDSOT-23
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.47 грн
6000+9.64 грн
9000+9.27 грн
15000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON-SemicoductorP-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) FDN338P TFDN338p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.99 грн
6000+10.36 грн
9000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+47.71 грн
22+32.08 грн
100+22.65 грн
500+16.32 грн
1000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PHUASHUOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 809 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+16.35 грн
45+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+45.06 грн
50+29.87 грн
100+19.40 грн
500+14.27 грн
1500+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 370 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
370+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.2nC
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.35 грн
10+35.16 грн
50+24.58 грн
81+13.87 грн
223+13.10 грн
3000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.22 грн
6000+9.63 грн
9000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.40 грн
500+14.27 грн
1500+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 16387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.38 грн
12+27.02 грн
100+18.61 грн
500+13.55 грн
1000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PHUASHUOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.2nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 5603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+38.62 грн
15+28.21 грн
50+20.48 грн
81+11.56 грн
223+10.92 грн
3000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 260 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
260+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2266+13.36 грн
10000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 2266
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 74640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.38 грн
13+29.13 грн
100+18.29 грн
500+14.00 грн
1000+11.71 грн
3000+9.41 грн
6000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.10 грн
6000+11.77 грн
9000+11.47 грн
12000+10.90 грн
27000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PMSKSEMITransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P SOT23-338FAIRCHILD
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P-NLFAIRCHIL09+ TSSOP20
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P-NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.77 грн
1000+2.61 грн
3000+2.43 грн
6000+2.24 грн
15000+2.17 грн
30000+2.08 грн
75000+1.92 грн
150000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P/338FAIRCHIL09+
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P/338FAIRCHILD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PSOT23-338FAIRCHLD
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P\338FAIRCHILSOT-23
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 326730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P_NLFairchild
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P_Qonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339FAI4 SOT-23
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339FAI09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.62 грн
6000+14.24 грн
9000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.99 грн
50+28.32 грн
100+22.57 грн
500+14.19 грн
1500+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 17193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.70 грн
12+30.18 грн
100+17.83 грн
500+14.00 грн
1000+12.70 грн
3000+10.18 грн
9000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.38 грн
10+34.76 грн
50+25.63 грн
60+18.75 грн
165+17.69 грн
500+17.31 грн
1000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 20778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.35 грн
11+29.17 грн
100+20.16 грн
500+15.04 грн
1000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.48 грн
15+27.90 грн
50+21.36 грн
60+15.62 грн
165+14.74 грн
500+14.43 грн
1000+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 20200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.91 грн
6000+10.15 грн
9000+9.86 грн
15000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+34.05 грн
23+31.13 грн
25+30.20 грн
100+20.64 грн
250+18.68 грн
500+14.46 грн
1000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.57 грн
500+14.19 грн
1500+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANON-SemicoductorN-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+28.19 грн
607+19.98 грн
621+19.53 грн
770+15.18 грн
1123+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 430
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.69 грн
1000+2.53 грн
3000+2.36 грн
6000+2.17 грн
15000+2.11 грн
30000+2.02 грн
75000+1.86 грн
150000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN_GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN3400ON SemiconductorSSOT-3. SINGLE. 2.5V. NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN3401FAIRCHILD
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN3401Fairchild SemiconductorDescription: FDN3401
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN3401/3401FAIRCHIL09+
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SuperSOT-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -2A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.96 грн
14+21.35 грн
25+16.74 грн
50+14.44 грн
100+12.82 грн
128+8.80 грн
351+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 32194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.80 грн
18+18.09 грн
100+13.32 грн
500+10.83 грн
1000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.80 грн
6000+10.38 грн
9000+10.27 грн
12000+9.02 грн
27000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+13.50 грн
54+12.98 грн
59+11.77 грн
100+11.18 грн
250+10.27 грн
500+9.71 грн
1000+9.27 грн
3000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.36 грн
9000+8.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2733+11.09 грн
10000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 2733
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.35 грн
6000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 118786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.08 грн
500+12.51 грн
1500+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 351000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.05 грн
6000+8.34 грн
9000+7.15 грн
15000+6.58 грн
21000+6.45 грн
30000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.51 грн
6000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340POn SemiconductorMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.94 грн
18+20.24 грн
100+12.93 грн
500+11.25 грн
1000+10.02 грн
3000+8.42 грн
6000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 77516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2733+11.09 грн
10000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 2733
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 107777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.76 грн
50+21.63 грн
100+15.96 грн
500+12.83 грн
1500+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Case: SuperSOT-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -2A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.47 грн
24+17.14 грн
29+13.95 грн
50+12.04 грн
100+10.68 грн
128+7.33 грн
351+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 31312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2733+11.09 грн
10000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 2733
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1103+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 1103
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P
Код товару: 191356
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.31 грн
21+15.46 грн
26+12.59 грн
100+8.78 грн
250+7.29 грн
500+6.37 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 20V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.78 грн
1000+2.61 грн
3000+2.44 грн
6000+2.24 грн
15000+2.17 грн
30000+2.08 грн
75000+1.92 грн
150000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P/340FAIRCHIL09+
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P\340FAIRCHILSOT-23
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
на замовлення 1760384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.96 грн
20+42.92 грн
100+29.78 грн
500+21.68 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+15.83 грн
15000+15.46 грн
30000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.59 грн
10+51.39 грн
100+33.36 грн
500+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.09 грн
6000+15.29 грн
15000+14.90 грн
30000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
на замовлення 7281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.18 грн
10+42.80 грн
100+27.78 грн
500+20.00 грн
1000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.23 грн
6000+16.39 грн
15000+15.96 грн
30000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.18 грн
500+21.20 грн
1000+13.46 грн
5000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.53 грн
9000+23.34 грн
18000+21.71 грн
27000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.22 грн
6000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.13 грн
9000+10.01 грн
24000+9.70 грн
45000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APONSEMIDescription: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 82416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.58 грн
26+33.05 грн
100+23.09 грн
500+15.46 грн
1000+12.29 грн
5000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+27.97 грн
631+19.20 грн
637+19.02 грн
807+14.49 грн
1094+9.89 грн
3000+9.49 грн
15000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+38.16 грн
23+30.27 грн
25+29.97 грн
100+19.84 грн
250+18.19 грн
500+13.80 грн
1000+10.17 грн
15000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1.9nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.48 грн
15+26.86 грн
50+20.32 грн
84+11.24 грн
230+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+32.48 грн
32+21.88 грн
100+14.88 грн
500+11.22 грн
1000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 42285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.21 грн
12+28.45 грн
100+19.77 грн
500+14.11 грн
1000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1.9nC
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.38 грн
10+33.47 грн
50+24.39 грн
84+13.49 грн
230+12.72 грн
3000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.95 грн
9000+9.84 грн
24000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.73 грн
9000+10.55 грн
24000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APONSEMIDescription: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.92 грн
500+15.54 грн
1000+11.84 грн
5000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.20 грн
6000+11.96 грн
9000+11.78 грн
12000+11.20 грн
27000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APonsemi / FairchildMOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET
на замовлення 162697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.21 грн
13+28.25 грн
100+17.29 грн
500+13.54 грн
1000+11.25 грн
3000+9.64 грн
9000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.87 грн
9000+10.68 грн
24000+10.35 грн
45000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.32 грн
6000+9.57 грн
9000+9.42 грн
15000+8.62 грн
21000+8.31 грн
30000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP-NLFairchildSOT-23 0722+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.65 грн
1000+2.49 грн
3000+2.32 грн
6000+2.13 грн
15000+2.07 грн
30000+1.98 грн
75000+1.83 грн
150000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357FAITCHILD04+ SOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.37 грн
6000+15.92 грн
9000+15.29 грн
12000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.65 грн
9000+16.31 грн
24000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+41.17 грн
20+35.32 грн
25+33.12 грн
100+23.40 грн
250+20.50 грн
500+16.22 грн
1000+13.04 грн
3000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.32 грн
19+22.00 грн
20+20.08 грн
50+17.85 грн
64+14.90 грн
174+14.03 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.62 грн
6000+11.42 грн
9000+11.30 грн
24000+10.48 грн
30000+9.61 грн
45000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.29 грн
6000+11.58 грн
12000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 45203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.76 грн
14+22.79 грн
100+18.29 грн
500+15.10 грн
1000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.99 грн
11+27.41 грн
12+24.10 грн
50+21.42 грн
64+17.89 грн
174+16.83 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.89 грн
50+29.18 грн
100+23.09 грн
500+18.01 грн
1500+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
6000+12.23 грн
9000+12.10 грн
24000+11.23 грн
30000+10.30 грн
45000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 14247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.06 грн
15+24.11 грн
100+17.14 грн
500+14.31 грн
1000+12.93 грн
3000+9.79 грн
6000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+30.91 грн
535+22.65 грн
566+21.43 грн
686+17.03 грн
1000+12.68 грн
3000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.84 грн
45000+19.05 грн
90000+17.73 грн
135000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.72 грн
6000+10.19 грн
9000+9.84 грн
15000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.13 грн
6000+13.32 грн
12000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 1.9A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N_NLFAIRCHILD0448
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
на замовлення 11524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.11 грн
10+35.71 грн
100+23.26 грн
500+16.64 грн
1000+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.6nC
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.41 грн
10+36.75 грн
50+26.88 грн
67+16.83 грн
184+15.97 грн
3000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.31 грн
500+14.67 грн
1000+11.92 грн
5000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.87 грн
6000+14.61 грн
12000+13.40 грн
24000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.51 грн
6000+11.97 грн
9000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P
Код товару: 36466
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+34.16 грн
36+24.03 грн
100+19.31 грн
500+14.67 грн
1000+11.92 грн
5000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 62768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.35 грн
15+24.46 грн
100+17.14 грн
500+14.77 грн
1000+13.01 грн
3000+10.02 грн
6000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.6nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.34 грн
14+29.49 грн
50+22.40 грн
67+14.03 грн
184+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON-SemicoductorP-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P(2DCEA)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P-NL
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.65 грн
1000+2.49 грн
3000+2.32 грн
6000+2.13 грн
15000+2.07 грн
30000+1.98 грн
75000+1.83 грн
150000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANFairchildN-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
60+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.34 грн
14+29.01 грн
50+21.92 грн
71+13.39 грн
193+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.93 грн
6000+9.49 грн
9000+9.15 грн
15000+8.54 грн
21000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 159624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2015+15.03 грн
10000+13.40 грн
100000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 2015
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.15 грн
500+17.93 грн
1500+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 7nC
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.41 грн
10+36.15 грн
50+26.30 грн
71+16.07 грн
193+15.21 грн
1500+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.33 грн
50+36.65 грн
100+25.15 грн
500+17.93 грн
1500+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 10763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.26 грн
11+32.47 грн
100+19.43 грн
500+14.84 грн
1000+13.31 грн
3000+9.18 грн
6000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 32848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.21 грн
11+29.73 грн
100+20.16 грн
500+14.41 грн
1000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.76 грн
1000+2.59 грн
3000+2.42 грн
6000+2.22 грн
15000+2.16 грн
30000+2.07 грн
75000+1.91 грн
150000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN/359AFAIRCHIL09+
на замовлення 243018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN/F40
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN\359AFAIRCHILSOT-23
на замовлення 243100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.65 грн
6000+9.49 грн
9000+9.01 грн
15000+8.45 грн
21000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.75 грн
6000+10.98 грн
9000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2039+14.86 грн
10000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 2039
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 18809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.22 грн
12+30.62 грн
100+19.05 грн
500+14.77 грн
1000+13.08 грн
3000+9.72 грн
6000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2039+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 2039
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
6000+11.93 грн
9000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.29 грн
500+17.38 грн
1500+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 82086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.73 грн
12+28.06 грн
100+19.97 грн
500+14.27 грн
1000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+40.41 грн
23+31.32 грн
100+23.45 грн
500+17.73 грн
1000+14.69 грн
3000+10.58 грн
6000+9.93 грн
9000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+34.80 грн
500+26.89 грн
1000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 349
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+38.12 грн
24+29.71 грн
25+29.47 грн
100+21.22 грн
250+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.18 грн
50+33.99 грн
100+24.29 грн
500+17.38 грн
1500+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN транзистор
Код товару: 213980
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
очікується 100 шт:
100 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN-F095ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN-F095ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN-NLFairchildSOT-23 0701+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.76 грн
1000+2.59 грн
3000+2.42 грн
6000+2.22 грн
15000+2.16 грн
30000+2.07 грн
75000+1.91 грн
150000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN_F095onsemi / FairchildMOSFET 30V NCh; PowerTrench AU Wire Parts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359N/359FAIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+52.76 грн
23+30.55 грн
100+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360POn Semiconductor/FairchildSOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 158255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.01 грн
27+32.62 грн
100+18.20 грн
500+14.74 грн
1000+12.21 грн
5000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.04 грн
9000+8.78 грн
24000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 9nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.34 грн
13+32.36 грн
14+28.61 грн
50+20.24 грн
100+17.30 грн
101+9.33 грн
277+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 16052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.52 грн
12+26.86 грн
100+14.79 грн
500+12.74 грн
1000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.61 грн
24000+11.52 грн
36000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.18 грн
6000+10.89 грн
9000+10.61 грн
12000+10.08 грн
27000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 9nC
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.41 грн
8+40.32 грн
10+34.34 грн
50+24.29 грн
100+20.75 грн
101+11.19 грн
277+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 62255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.19 грн
13+29.13 грн
100+13.47 грн
1000+12.40 грн
3000+8.95 грн
9000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.58 грн
9000+7.51 грн
24000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 171104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.79 грн
500+14.11 грн
1500+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P
Код товару: 75653
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.86 грн
6000+8.90 грн
9000+8.39 грн
15000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.20 грн
9000+8.05 грн
24000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 30V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P-NBGT003BonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P-NLFAIRCHILD09+ QFP
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.77 грн
1000+2.61 грн
3000+2.43 грн
6000+2.24 грн
15000+2.17 грн
30000+2.08 грн
75000+1.92 грн
150000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P/360FAIRCHIL09+
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PSOT23-360PB-FREEFAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P_NBGT003Bonsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANFAISOT-23
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANFAIRCHILDSOT23
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANFAIRCHILD09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANFAIRCHILDSOT23-361 PB-FRE
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN-NLFAIRCHILDSOT23-361 PB-FRE
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN-NLFAIRCHILDSOT23 11+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN-NLSOT23-361PB-FREEFAIRCHLD
на замовлення 173821 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN/361FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN_NLFAIRCHILDSOT23
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+13.45 грн
53+13.07 грн
54+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.14 грн
20+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.04 грн
6000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BN-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361P/361FAIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN363NFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 42602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 1665
В кошику  од. на суму  грн.
FDN363N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN371NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN371NFairchild SemiconductorDescription: 2.5A, 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN371N
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN371NON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN371N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN372SSAMSOT 08+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN372SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
на замовлення 105541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 1902
В кошику  од. на суму  грн.
FDN372SFSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN372S-NLFAIRCHIL09+ SSOP16
на замовлення 847 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN372S-NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN377NFSC
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5330SXFAIRCHILDSOT-153
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NONSEMIFDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.47 грн
40+28.12 грн
110+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 60133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.80 грн
10+47.18 грн
100+31.28 грн
500+23.10 грн
1000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 14824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.73 грн
50+47.47 грн
100+31.84 грн
500+23.19 грн
1500+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NON Semiconductor
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537Nonsemi / FairchildMOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 421-430 дні (днів)
7+54.63 грн
10+47.78 грн
100+31.83 грн
500+25.17 грн
1000+20.12 грн
3000+18.29 грн
6000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.23 грн
6000+17.82 грн
9000+17.05 грн
15000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 14824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.84 грн
500+23.19 грн
1500+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 230551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.40 грн
500+16.58 грн
1500+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 60V
на замовлення 40190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.90 грн
13+29.04 грн
100+17.60 грн
500+13.70 грн
1000+11.17 грн
3000+9.41 грн
9000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.19 грн
9000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 218206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.11 грн
50+36.05 грн
100+23.09 грн
500+16.34 грн
1500+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.72 грн
9000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.92 грн
6000+11.68 грн
9000+11.40 грн
12000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.79 грн
9000+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.01 грн
9000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P 618.ON-SemicoductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 818 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P-B8onsemiDescription: FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P-NLFAIRCHILD
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P-SB4N007ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.72 грн
6000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.51 грн
9000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 152425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.03 грн
50+31.33 грн
100+20.00 грн
500+14.03 грн
1500+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630
Код товару: 208281
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3283+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 3283
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 159759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.85 грн
500+11.56 грн
1500+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.56 грн
13+26.14 грн
100+16.69 грн
500+11.82 грн
1000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630onsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 60V
на замовлення 32114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.01 грн
12+30.36 грн
100+16.83 грн
500+12.85 грн
1000+10.64 грн
3000+8.42 грн
6000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.13 грн
6000+10.96 грн
9000+10.68 грн
12000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ONSEMIFDN5630 SMD N channel transistors
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.10 грн
84+13.39 грн
230+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.30 грн
9000+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.05 грн
9000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630-B8onsemiDescription: FET 60V 1.0 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-PIN SUPERSOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630-NL
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085ONSEMIFDN5632N-F085 SMD N channel transistors
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.78 грн
41+27.45 грн
113+26.01 грн
3000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5632N-F085 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.85 грн
6000+17.20 грн
9000+15.92 грн
30000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085onsemi / FairchildMOSFETs Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
на замовлення 440330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.74 грн
10+44.26 грн
100+25.86 грн
500+21.65 грн
1000+19.51 грн
3000+14.61 грн
6000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.66 грн
10+41.37 грн
100+28.66 грн
500+22.48 грн
1000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
на замовлення 4294967295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
на замовлення 13848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN6301NFAIRCHILDSOT-163
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.12 грн
6000+27.10 грн
9000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ONSEMIFDN8601 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.40 грн
500+32.68 грн
1000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+75.43 грн
242+50.21 грн
244+49.72 грн
264+44.35 грн
500+37.74 грн
1000+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.09 грн
16+55.28 грн
100+43.09 грн
500+33.40 грн
1000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 21597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.14 грн
10+50.13 грн
100+41.69 грн
500+32.29 грн
1000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.57 грн
10+80.82 грн
25+53.80 грн
100+51.37 грн
250+43.99 грн
500+38.82 грн
1000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 46053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.86 грн
10+55.96 грн
100+39.33 грн
500+31.91 грн
1000+29.53 грн
3000+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
на замовлення 23546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.84 грн
10+88.87 грн
100+59.87 грн
500+44.50 грн
1000+40.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.50 грн
12+59.16 грн
25+58.78 грн
100+42.87 грн
250+39.02 грн
500+32.15 грн
1000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.12 грн
6000+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.91 грн
10+77.52 грн
25+67.26 грн
100+52.49 грн
250+51.95 грн
500+40.09 грн
1000+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246ONSEMIFDN86246 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.195 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.16 грн
11+81.54 грн
100+62.14 грн
500+44.63 грн
1000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 45360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.27 грн
500+35.07 грн
1000+29.94 грн
5000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265Ponsemi / FairchildMOSFETs PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET
на замовлення 16102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.45 грн
10+63.09 грн
100+42.16 грн
500+34.89 грн
1000+32.60 грн
3000+29.15 грн
6000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
на замовлення 220362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.73 грн
10+60.49 грн
100+46.47 грн
500+36.09 грн
1000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PONSEMIFDN86265P SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 45360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.10 грн
14+65.23 грн
100+49.27 грн
500+35.07 грн
1000+29.94 грн
5000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.21 грн
6000+29.74 грн
9000+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZON Semiconductor
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
на замовлення 60344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.02 грн
10+134.46 грн
100+92.57 грн
500+70.07 грн
1000+64.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZONSEMIFDN86501LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO
на замовлення 37483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.94 грн
10+92.39 грн
100+71.62 грн
500+68.56 грн
1000+65.27 грн
3000+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDNA3763HellermannTytonElectrical Enclosure Accessories Wall Mounting Bracket for FDN, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNC1602A-NLAFBW-51LRFordata
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRABBAXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 16P AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRABBCXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 59 port AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRBXBAWXHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 24 SE trays (288 fibers), PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRBXBAXNHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 48 SC-B trays (576 fibers), PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRBXBAXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 16P B-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRCXBCWXHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 36 SE trays (432 fibers), PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRCXBCXNHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 72 SC-B trays (864 fibers), PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRCXBCXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 59 port C-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM008.0010PNEUMATFDNM008.0010 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM008.0025PNEUMATFDNM008.0025 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM008.0050PNEUMATFDNM008.0050 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM010.0010PNEUMATFDNM010.0010 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM010.0025PNEUMATFDNM010.0025 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM010.0050PNEUMATFDNM010.0050 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0010PNEUMATFDNM012.0010 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0025PNEUMATFDNM012.0025 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0050PNEUMATFDNM012.0050 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0080PNEUMATFDNM012.0080 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0100PNEUMATFDNM012.0100 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0125PNEUMATFDNM012.0125 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0160PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 160mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 12mm
Piston stroke: 160mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Application: compressed air
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0160PNEUMATCategory: Actuators
Description: Round cylinder; Piston diam: 12mm; Piston stroke: 160mm; 1÷10bar
Type of pneumatic module: round cylinder
Piston diameter: 12mm
Piston stroke: 160mm
Operating pressure: 1...10bar
Body material: aluminium
Seal material: NBR caoutchouc
Application: compressed air
Tube material: stainless steel
Operating temperature: 0...40°C
Pneumatic components features: mechanical amortization
Manufacturer series: Flowmatik
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM012.0200PNEUMATFDNM012.0200 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0010PNEUMATFDNM016.0010 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0025PNEUMATFDNM016.0025 Actuators
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1484.38 грн
3+1403.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0050PNEUMATFDNM016.0050 Actuators
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1536.98 грн
3+1452.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0080PNEUMATFDNM016.0080 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0100PNEUMATFDNM016.0100 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0125PNEUMATFDNM016.0125 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0160PNEUMATFDNM016.0160 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0200PNEUMATFDNM016.0200 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0010PNEUMATFDNM020.0010 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0025PNEUMATFDNM020.0025 Actuators
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1770.35 грн
2+1673.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0050PNEUMATFDNM020.0050 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0080PNEUMATFDNM020.0080 Actuators
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1935.81 грн
2+1830.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0100PNEUMATFDNM020.0100 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0125PNEUMATFDNM020.0125 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0160PNEUMATFDNM020.0160 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0200PNEUMATFDNM020.0200 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0010PNEUMATFDNM025.0010 Actuators
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1880.34 грн
2+1778.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0025PNEUMATFDNM025.0025 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0050PNEUMATFDNM025.0050 Actuators
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2058.23 грн
2+1946.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0080PNEUMATFDNM025.0080 Actuators
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2196.92 грн
2+2076.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0100PNEUMATFDNM025.0100 Actuators
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2280.13 грн
2+2155.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0120PNEUMATFDNM025.0120 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0125PNEUMATFDNM025.0125 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0160PNEUMATFDNM025.0160 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0200PNEUMATFDNM025.0200 Actuators
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNYD1-110(5)KS TerminalsTerminals Nylon, Double Crimp Female, 22-16 AWG, .020 x .110
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.32 грн
100+17.69 грн
1000+12.09 грн
5000+10.64 грн
10000+9.18 грн
25000+7.65 грн
50000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDNYD1-110(8)KS TerminalsTerminals Nylon, Double Crimp Female, 22-16 AWG, .032 x .110
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.32 грн
100+17.69 грн
1000+12.09 грн
5000+10.64 грн
10000+9.18 грн
25000+7.65 грн
50000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDNYD1-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDNYD1-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 22 AWG, 16 AWG
tariffCode: 85369010
Isoliermaterial: Nylon (Polyamid)
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
usEccn: EAR99
Leiterstärke (AWG), max.: 16AWG
Leiterquerschnitt CSA: 1.5mm²
euEccn: NLR
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Rot
Leiterstärke (AWG), min.: 22AWG
Produktpalette: FDNYD
productTraceability: No
Anschlussmaterial: Messing
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1211.97 грн
5+1009.40 грн
10+836.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNYD5-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDNYD5-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 12 AWG, 10 AWG
Isoliermaterial: Nylon (Polyamid)
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
Leiterstärke (AWG), max.: 10
Leiterquerschnitt CSA: 6
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Gelb
Leiterstärke (AWG), min.: 12
Produktpalette: FDNYD
Anschlussmaterial: Messing
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1558.73 грн
5+1298.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNYD5-250KS TerminalsTerminals Nylon, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .032 x .250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.