Продукція > FDN
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDN-010 | Chemtronics | Description: S/S .010" NEEDLE, 10/PK Packaging: Bag Type: Dispenser Needle, Tip Tip Type: Straight Number of Pieces: 10 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN-020 | Chemtronics | Description: S/S .020" NEEDLE, 10/PK Packaging: Bag Type: Dispenser Needle, Tip Tip Type: Straight Number of Pieces: 10 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN-47A-L103 | Bansbach easylift | Description: ROTARY DAMPER TORQUE 1.0NM | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN-63A-L903 | Bansbach easylift | Description: ROTARY DAMPER TORQUE 8.5NM Features: Disk Type Packaging: Bag Type: Rotary Damper Operating Temperature: -10°C ~ 50°C | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN-63A-R453 | Bansbach easylift | Description: ROTARY DAMPER TORQUE 4.5NM | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN-63A-R603 | Bansbach easylift | Description: ROTARY DAMPER TORQUE 6.0NM | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN028N20 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN028N20 | onsemi / Fairchild | MOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server | на замовлення 74820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN028N20 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN028N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.1 A, 0.023 ohm, SuperSOT Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 6.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 Verlustleistung Pd: 1.5 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 900 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN028N20 | ONSEMI | FDN028N20 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN028N20 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN028N20 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V | на замовлення 34578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN1-187(8) | KS Terminals | Terminals TerminalsQuick Disconnects22-16AWG,0.8x4.75Female,Non-Insulated | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN1-205(5) | KS Terminals | Terminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .205 | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN1-250 | KS Terminals | Terminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .032 x .250 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN103 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN103A | MOTOROLA | 09+ SOP24 | на замовлення 1009 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN143 | ROHM | 99+ QFP | на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN143 | ROHM | 96+ QFP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN147 | ROHM | 97+ QFP | на замовлення 128000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN147 | ROHM | 96+ QFP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN147-626 | на замовлення 498 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN147B | 97 TQFP | на замовлення 157 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN2-205(5) | KS Terminals | Terminals Non-Insulated, Female, 16-14 AWG, .020 x .205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN301 | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN301A | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN301N-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN302P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V | на замовлення 7220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN302P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN302P Код товару: 31343
Додати до обраних
Обраний товар
| Fairchild | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 20 V Id,A: 2,4 A Rds(on),Om: 0,055 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 882/9 Монтаж: SMD | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
FDN302P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V | на замовлення 11924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN302P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V | на замовлення 6960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN302P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN302P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN302P | ONSEMI | FDN302P SMD P channel transistors | на замовлення 2028 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN302P .302.. | ON-Semicoductor | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN302P TFDN302p кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 480 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN302P-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN302P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN302P\302 | FAIRCHIL | SOT-23 | на замовлення 3050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN302P_NL | Fairchild | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN302P_NL | FAIRCHILD | 05+06+ | на замовлення 2394000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN302P_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN303 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN304 | ?? | SOT-23 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN304N | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN304P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 47453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304P | ONSEMI | FDN304P SMD P channel transistors | на замовлення 2488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 17274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 141676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN304P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH 1.8V | на замовлення 61550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 165066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V | на замовлення 24524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304P | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304P Код товару: 127609
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN304P-EV | EVVO | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN304P-EV | EVVO | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304P-NL | FAIRCHILD | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN304P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 297000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN304PZ | ONSEMI | FDN304PZ SMD P channel transistors | на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304PZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V | на замовлення 7375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304PZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304PZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN304PZ | Aptina Imaging | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304PZ | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 10049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V | на замовлення 86255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN304PZ-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN305 | PANASONIC | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN306-NL | на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN306P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 33744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P | ON-Semicoductor | Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 29740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P | VBsemi | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V | на замовлення 32838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P | TECH PUBLIC | Transistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P | onsemi / Fairchild | MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V | на замовлення 44991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P | ONSEMI | FDN306P SMD P channel transistors | на замовлення 1835 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P 306. | ON-Semicoductor | Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P-F095 | ON Semiconductor | TRANS MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-PIN SUPERSOT T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN306P-NL | FAIRCHILD | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN306P-NL | FAI | 09+ | на замовлення 120018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN306P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -12V -2.6A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN306P/306 | FAIR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN306P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A | на замовлення 5465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN306P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN306P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A | на замовлення 5460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN307 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN308P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN308P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V | на замовлення 3767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN308P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN308P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN308P | onsemi / Fairchild | MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V | на замовлення 6119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN308P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN308P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN308P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN308P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN308P-NL | FAIRCHILD | на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN308P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -1.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN308P_F154 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET Multi Market MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN308P_NL | FAIRCHILD | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN327N | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 742 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V | на замовлення 2364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 742 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | FAIRCHILD | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | UMW | Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 70609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3 | на замовлення 2973 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 20V 2A 500MW 70M@4.5V,2A 1.5V@25 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222 pF @ 10 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N Код товару: 176408
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN327N | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec | на замовлення 3349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | UMW | Description: MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN327N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 70609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN327N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V | на замовлення 3755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN327N-NL-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 20V 2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN327N/327 | FAIR | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN331N | FAirchild | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN332-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN332P-NL | FAIRCHTL | 2007 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN335 | KEXIN | 09+ | на замовлення 300018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN335 | FAITCHILD | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V | на замовлення 23469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 35088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V | на замовлення 93448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N | ON-Semicoductor | N-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 498 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 35088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N | ONSEMI | FDN335N SMD N channel transistors | на замовлення 2369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N-EV | EVVO | Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN335N-EV | EVVO | Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN335N-NL-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 20V 1.7A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN335N_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN336-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN336P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V | на замовлення 12453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN336P | ONSEMI | FDN336P SMD P channel transistors | на замовлення 2438 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN336P Код товару: 135239
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN336P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 17765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN336P | onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-3 P-CH -20V | на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN336P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN336P | ON-Semicoductor | P-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN336P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 14795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN336P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN336P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN336P - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN336P-NL | FAIRCHILD | SOT23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN336P-NL | FAIRCHILD | на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN336P-NL | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN336P-NL | FAIRCHILD | SOT-23 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN336P-NL | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN336P-NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN336P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -1.3A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN336P/336 | FAIR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN336P_NL | FAIRCHILD | 05+06+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN336P_NL | FAIRCHILD | SOT23 | на замовлення 8800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN337 | FAIRCHILD | SOT23-337 | на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN337 | FAI | 09+ | на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN337 SOT23-337 | FAIRCHILD | на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN337N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1260000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3 Case: SuperSOT-3 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.2A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 9nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1260000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | на замовлення 95768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.054 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 21196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3 Case: SuperSOT-3 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.2A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 9nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N Код товару: 118654
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N | Fairchild | N-MOSFET 30V 2.2A FDN337N TFDN337n кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 218 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | на замовлення 95500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V | на замовлення 52556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N-EV | EVVO | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN337N-EV | EVVO | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N-F169 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN337N-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN337N-NL-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 30V 2.2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN337N3DBBA | FAI | 9918+ | на замовлення 1920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN337NNL | FAIRCHILD | на замовлення 9100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN337N_NL | FAIRCHILD | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN337N_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN338 | FAIRCHILD | SOT-23 | на замовлення 360000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN338 | FAI | 09+ | на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN338 | KEXIN | 09+ | на замовлення 300018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN338 | ?? | SOT-23 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN338-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN338P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V | на замовлення 20653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V | на замовлення 109789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM кількість в упаковці: 370 шт | на замовлення 740 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 17975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | MSKSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN338P | ON-Semicoductor | P-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) FDN338P TFDN338p кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 18560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | HUASHUO | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2191 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | JSMicro Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM кількість в упаковці: 260 шт | на замовлення 260 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | ONSEMI | FDN338P SMD P channel transistors | на замовлення 5950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P UMW TFDN338p UMW кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P | HUASHUO | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 809 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P SOT23-338 | FAIRCHILD | на замовлення 1510 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN338P-EV | EVVO | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN338P-EV | EVVO | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P-NL | FAIRCHIL | 09+ TSSOP20 | на замовлення 844 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN338P-NL | FAIRCHILD | на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN338P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -1.6A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN338P/338 | FAIRCHIL | 09+ | на замовлення 3418 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN338P/338 | FAIRCHILD | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN338PSOT23-338 | FAIRCHLD | на замовлення 1517 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN338P\338 | FAIRCHIL | SOT-23 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN338P_G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN338P_NL | FAIRCHILD | 05+06+ | на замовлення 326730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN338P_NL | Fairchild | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN338P_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN339 | FAI | 4 SOT-23 | на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN339 | FAI | 09+ | на замовлення 200018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN339AN | ONSEMI | FDN339AN SMD N channel transistors | на замовлення 4611 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN339AN | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 44639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN339AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN339AN | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN339AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN339AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN339AN | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 N-CH 20V | на замовлення 17193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN339AN | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN339AN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V | на замовлення 20816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN339AN | ON-Semicoductor | N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN339AN | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 44639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN339AN | Aptina Imaging | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN339AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN339AN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V | на замовлення 20800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN339AN-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN339AN-NL-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 20V 3A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN339AN_G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN3400 | ON Semiconductor | SSOT-3. SINGLE. 2.5V. NCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN3401 | Fairchild Semiconductor | Description: FDN3401 Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN3401 | FAIRCHILD | на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN3401/3401 | FAIRCHIL | 09+ | на замовлення 1618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN340P | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 3369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P Код товару: 191356
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 84016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 118786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V | на замовлення 15487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 351000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 31312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | On Semiconductor | MOSFET SSOT-3 P-CH -20V | на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 118606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH -20V | на замовлення 42737 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P-EV | EVVO | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN340P-EV | EVVO | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P-F095 | ON Semiconductor | TRANS MOSFET P-CH 20V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN340P-NL | Fairchild | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN340P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN340P/340 | FAIRCHIL | 09+ | на замовлення 3868 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN340P\340 | FAIRCHIL | SOT-23 | на замовлення 2550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN340P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 2A | на замовлення 1760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN340P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 2A | на замовлення 1760384000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN340P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 2A | на замовлення 384000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN342P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN342P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN342P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN342P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN342P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN342P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN342P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V | на замовлення 7281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN342P | onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-3 P-CH -20V | на замовлення 1775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN342P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN342P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN342P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN342P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN342P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN342P-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN352AP | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN352AP | onsemi / Fairchild | MOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET | на замовлення 162697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN352AP | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 90657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 32445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 32445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN352AP | ONSEMI | FDN352AP SMD P channel transistors | на замовлення 2217 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN352AP | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V | на замовлення 51592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN352AP | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 91217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN352AP | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN352AP-NL | Fairchild | SOT-23 0722+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN352AP-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -30V -1.3A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357 | FAITCHILD | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN357N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 1.9 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-3 Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5.9nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.9A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2003 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V | на замовлення 24295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.053 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 45430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 426000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 426000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V | на замовлення 16959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-3 Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 5.9nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.9A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN357N-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN357N-NL-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 30V 1.9A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN357N_NL | FAIRCHILD | 0448 | на замовлення 1742 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN357N_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-3 N-CH 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN358P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN358P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN358P | ONSEMI | FDN358P SMD P channel transistors | на замовлення 5063 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN358P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V | на замовлення 11524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN358P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 86434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN358P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN358P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN358P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN358P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN358P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 83634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN358P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN358P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN358P | ON-Semicoductor | P-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN358P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN358P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V | на замовлення 26387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN358P Код товару: 36466
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN358P(2DCEA) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN358P-NL | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN358P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -30V -1.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN358P_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN359AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359AN | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 N-CH 30V | на замовлення 17115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359AN | Fairchild | N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN359AN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359AN | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 57927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359AN | ONSEMI | FDN359AN SMD N channel transistors | на замовлення 2775 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359AN | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 51903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359AN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V | на замовлення 11460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359AN-NL-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359AN/359A | FAIRCHIL | 09+ | на замовлення 243018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN359AN/F40 | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN359AN\359A | FAIRCHIL | SOT-23 | на замовлення 243100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN359AN_NL | FAIRCHILD | 05+06+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN359BN | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 22734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN | ONSEMI | FDN359BN SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN359BN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 900000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 22734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN | onsemi / Fairchild | MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 58835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V | на замовлення 106066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN-F095 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN359BN-F095 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN359BN-NL | Fairchild | SOT-23 0701+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN359BN-NL-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN359BN_F095 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V NCh; PowerTrench AU Wire Parts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN359N/359 | FAIR | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN360 | на замовлення 670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN360P | On Semiconductor/Fairchild | SOT-23-3 | на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN360P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN360P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench® MOSFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 170244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN360P | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 136mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1066 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN360P | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 136mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 1066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN360P Код товару: 75653
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN360P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V | на замовлення 25444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN360P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench® MOSFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 171104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN360P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH -30V | на замовлення 62255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN360P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN360P-F095 | ON Semiconductor | TRANS MOSFET P-CH 30V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN360P-NBGT003B | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN360P-NL | FAIRCHILD | 09+ QFP | на замовлення 930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN360P-NL-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -30V -2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN360P/360 | FAIRCHIL | 09+ | на замовлення 2118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN360PSOT23-360PB-FREE | FAIRCHILD | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN360P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 2A | на замовлення 3873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN360P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 2A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN360P_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 2A | на замовлення 3873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN360P_NBGT003B | onsemi / Fairchild | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361AN | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 9018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361AN | onsemi / Fairchild | MOSFET SSOT-3 N-CH 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361AN | FAIRCHILD | SOT23-361 PB-FRE | на замовлення 2821 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361AN | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361AN | FAI | SOT-23 | на замовлення 2352 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361AN | FAIRCHILD | SOT23 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361AN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SuperSOT T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361AN | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361AN-NL | FAIRCHILD | SOT23-361 PB-FRE | на замовлення 153000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361AN-NL | FAIRCHILD | SOT23 11+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361AN-NLSOT23-361PB-FREE | FAIRCHLD | на замовлення 173821 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN361AN/361 | FAIR | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN361AN_NL | FAIRCHILD | 05+06+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361AN_NL | FAIRCHILD | SOT23 | на замовлення 363000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361BN | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN361BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361BN | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 8310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN361BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361BN | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET | на замовлення 11696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN361BN | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN361BN-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN361P/361 | FAIR | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN363N | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 42602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN363N-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN371N | на замовлення 111000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN371N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SuperSOT T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN371N | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 20V N-Ch PowerTrench | на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN371N | Fairchild Semiconductor | Description: 2.5A, 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN371N-NL | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN372S | FSC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN372S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V | на замовлення 105541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN372S | SAM | SOT 08+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN372S-NL | FAIRCHILD | на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN372S-NL | FAIRCHIL | 09+ SSOP16 | на замовлення 847 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN377N | FSC | на замовлення 1365 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN5330SX | FAIRCHILD | SOT-153 | на замовлення 2850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN537N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V | на замовлення 60133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN537N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN537N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 14824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN537N | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN537N | ONSEMI | FDN537N SMD N channel transistors | на замовлення 2605 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN537N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN537N | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN537N | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET | на замовлення 63000 шт: термін постачання 421-430 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN537N | ON Semiconductor | на замовлення 1535 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN537N | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 14824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5618P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 270280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5618P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5618P | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 P-CH 60V | на замовлення 40190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5618P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 250459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5618P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5618P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5618P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5618P 618. | ON-Semicoductor | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 818 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5618P-B8 | onsemi | Description: FET -60V 1.7 MOHM SSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5618P-NL | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SuperSOT T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5618P-NL | FAIRCHILD | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN5618P-SB4N007 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 1.25A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5618P_G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5630 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V | на замовлення 8466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5630 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5630 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SSOT-3 N-CH 60V | на замовлення 14646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5630 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Case: SuperSOT-3 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 10nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 4153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5630 Код товару: 208281
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN5630 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5630 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3 Mounting: SMD Case: SuperSOT-3 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 10nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4153 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5630 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 156175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5630 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5630 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5630 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 159759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5630 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5630 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V | на замовлення 8466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5630 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5630 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5630 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.073 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5630 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5630-B8 | onsemi | Description: FET 60V 1.0 MOHM SSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5630-F095 | ON Semiconductor | TRANS MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-PIN SUPERSOT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5630-G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5630-NL | на замовлення 5200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
FDN5630_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5630_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A | на замовлення 2548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5630_F095 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A | на замовлення 2548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5632N-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN5632N-F085 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5632N-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5632N-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5632N-F085 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A On-state resistance: 135mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SuperSOT-3 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1294 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5632N-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFETs Trans MOS N-Ch 60V 1.7A | на замовлення 462831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5632N-F085 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 1.1W; SuperSOT-3 Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A On-state resistance: 135mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SuperSOT-3 | на замовлення 1294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5632N-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5632N-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 41621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN5632N-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5632N_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 | на замовлення 393000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5632N_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 | на замовлення 13848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN5632N_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 | на замовлення 4294967295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN6301N | FAIRCHILD | SOT-163 | на замовлення 172 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN8601 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN8601 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 46053 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN8601 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN8601 | ONSEMI | FDN8601 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN8601 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN8601 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V | на замовлення 21597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN8601 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN86246 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN86246 | ONSEMI | FDN86246 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN86246 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN86246 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN86246 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 34232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN86246 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V | на замовлення 23546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN86246 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.195 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN86246 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN86265P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 800 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.5 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.3 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN86265P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V | на замовлення 220362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN86265P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN86265P | onsemi / Fairchild | MOSFETs PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET | на замовлення 16102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN86265P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V | на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN86265P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 47536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN86265P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN86265P | ONSEMI | FDN86265P SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN86265P | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN86501LZ | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO | на замовлення 39177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN86501LZ | ONSEMI | FDN86501LZ SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDN86501LZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V | на замовлення 60344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDN86501LZ | ON Semiconductor | на замовлення 2850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDN86501LZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNA3763 | HellermannTyton | Electrical Enclosure Accessories Wall Mounting Bracket for FDN, 1/pkg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNC1602A-NLAFBW-51LR | Fordata | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDNIRABBAXX | HellermannTyton | Electrical Enclosures FDN IR 16P AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNIRABBCXX | HellermannTyton | Electrical Enclosures FDN IR 59 port AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNIRBXBAWX | HellermannTyton | Electrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 24 SE trays (288 fibers), PP, Black, 1/pkg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNIRBXBAXN | HellermannTyton | Electrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 48 SC-B trays (576 fibers), PP, Black, 1/pkg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNIRBXBAXX | HellermannTyton | Electrical Enclosures FDN IR 16P B-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNIRCXBCWX | HellermannTyton | Electrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 36 SE trays (432 fibers), PP, Black, 1/pkg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNIRCXBCXN | HellermannTyton | Electrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 72 SC-B trays (864 fibers), PP, Black, 1/pkg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNIRCXBCXX | HellermannTyton | Electrical Enclosures FDN IR 59 port C-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM008.0010 | PNEUMAT | FDNM008.0010 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM008.0025 | PNEUMAT | FDNM008.0025 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM008.0050 | PNEUMAT | FDNM008.0050 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM010.0010 | PNEUMAT | FDNM010.0010 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM010.0025 | PNEUMAT | FDNM010.0025 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM010.0050 | PNEUMAT | FDNM010.0050 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM012.0010 | PNEUMAT | FDNM012.0010 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM012.0025 | PNEUMAT | FDNM012.0025 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM012.0050 | PNEUMAT | FDNM012.0050 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM012.0080 | PNEUMAT | FDNM012.0080 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM012.0100 | PNEUMAT | FDNM012.0100 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM012.0125 | PNEUMAT | FDNM012.0125 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM012.0160 | PNEUMAT | FDNM012.0160 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM012.0200 | PNEUMAT | FDNM012.0200 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM016.0010 | PNEUMAT | FDNM016.0010 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM016.0025 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 16mm Piston stroke: 25mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM016.0025 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 16mm Piston stroke: 25mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM016.0050 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 16mm Piston stroke: 50mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM016.0050 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 16mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 16mm Piston stroke: 50mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM016.0080 | PNEUMAT | FDNM016.0080 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM016.0100 | PNEUMAT | FDNM016.0100 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM016.0125 | PNEUMAT | FDNM016.0125 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM016.0160 | PNEUMAT | FDNM016.0160 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM016.0200 | PNEUMAT | FDNM016.0200 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM020.0010 | PNEUMAT | FDNM020.0010 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM020.0025 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 20mm Piston stroke: 25mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM020.0025 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 20mm Piston stroke: 25mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM020.0050 | PNEUMAT | FDNM020.0050 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM020.0080 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 20mm Piston stroke: 80mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM020.0080 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 20mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 20mm Piston stroke: 80mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM020.0100 | PNEUMAT | FDNM020.0100 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM020.0125 | PNEUMAT | FDNM020.0125 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM020.0160 | PNEUMAT | FDNM020.0160 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM020.0200 | PNEUMAT | FDNM020.0200 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM025.0010 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 10mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 10mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM025.0010 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 10mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 10mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM025.0025 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 25mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM025.0025 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 25mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 25mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM025.0050 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 50mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM025.0050 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 50mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 50mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM025.0080 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 80mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM025.0080 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 80mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 80mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM025.0100 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 100mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 100mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM025.0100 | PNEUMAT | Category: Actuators Description: Round cylinder; Piston diam: 25mm; Piston stroke: 100mm; 1÷10bar Type of pneumatic module: round cylinder Piston diameter: 25mm Piston stroke: 100mm Operating pressure: 1...10bar Body material: aluminium Seal material: NBR caoutchouc Application: compressed air Tube material: stainless steel Operating temperature: 0...40°C Pneumatic components features: mechanical amortization Manufacturer series: Flowmatik кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNM025.0120 | PNEUMAT | FDNM025.0120 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM025.0125 | PNEUMAT | FDNM025.0125 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM025.0160 | PNEUMAT | FDNM025.0160 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNM025.0200 | PNEUMAT | FDNM025.0200 Actuators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNYD1-110(5) | KS Terminals | Terminals Nylon, Double Crimp Female, 22-16 AWG, .020 x .110 | на замовлення 872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNYD1-110(8) | KS Terminals | Terminals Nylon, Double Crimp Female, 22-16 AWG, .032 x .110 | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNYD1-250 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - FDNYD1-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 22 AWG, 16 AWG tariffCode: 85369010 Isoliermaterial: Nylon (Polyamid) rohsCompliant: YES Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032" usEccn: EAR99 Leiterstärke (AWG), max.: 16AWG Leiterquerschnitt CSA: 1.5mm² euEccn: NLR Klemmentyp: Flachsteckhülse Isolatorfarbe: Rot Leiterstärke (AWG), min.: 22AWG Produktpalette: FDNYD productTraceability: No Anschlussmaterial: Messing SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDNYD5-250 | KS Terminals | Terminals Nylon, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .032 x .250 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDNYD5-250 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - FDNYD5-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 12 AWG, 10 AWG Isoliermaterial: Nylon (Polyamid) Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032" Leiterstärke (AWG), max.: 10 Leiterquerschnitt CSA: 6 Klemmentyp: Flachsteckhülse Isolatorfarbe: Gelb Leiterstärke (AWG), min.: 12 Produktpalette: FDNYD Anschlussmaterial: Messing SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|