НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FDN-010ChemtronicsDescription: S/S .010" NEEDLE, 10/PK
Packaging: Bag
Type: Dispenser Needle, Tip
Tip Type: Straight
Number of Pieces: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN-020ChemtronicsDescription: S/S .020" NEEDLE, 10/PK
Packaging: Bag
Type: Dispenser Needle, Tip
Tip Type: Straight
Number of Pieces: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN-47A-L103Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 1.0NM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN-63A-L903Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 8.5NM
Features: Disk Type
Packaging: Bag
Type: Rotary Damper
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2909.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDN-63A-R453Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 4.5NM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN-63A-R603Bansbach easyliftDescription: ROTARY DAMPER TORQUE 6.0NM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.28 грн
6000+12.24 грн
9000+11.61 грн
15000+10.56 грн
21000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20ON Semiconductor / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN028N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.1 A, 0.023 ohm, SuperSOT
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+56.84 грн
19+48.94 грн
100+36.55 грн
500+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20ONSEMIFDN028N20 SMD N channel transistors
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+47.84 грн
62+19.31 грн
170+18.31 грн
3000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 34578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+55.41 грн
10+36.02 грн
100+23.84 грн
500+17.08 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN028N20onsemi / FairchildMOSFETs Gaming/DT/Notebook/ NVDC/Server
на замовлення 27055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.55 грн
15+24.67 грн
100+16.09 грн
500+14.49 грн
1000+13.45 грн
3000+11.05 грн
6000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN1-187(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .187
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN1-187(8)KS TerminalsTerminals TerminalsQuick Disconnects22-16AWG,0.8x4.75Female,Non-Insulated
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+14.19 грн
100+9.02 грн
1000+6.16 грн
5000+5.36 грн
10000+4.64 грн
25000+3.84 грн
50000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
FDN1-205(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .020 x .205
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+13.35 грн
100+8.47 грн
1000+5.76 грн
5000+5.12 грн
10000+4.40 грн
25000+3.68 грн
50000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
FDN1-250KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 22-16 AWG, .032 x .250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN103
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN103AMOTOROLA09+ SOP24
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN143ROHM99+ QFP
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN143ROHM96+ QFP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN147ROHM97+ QFP
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN147ROHM96+ QFP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN147-626
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN147B97 TQFP
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN2-205(5)KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 16-14 AWG, .020 x .205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN2-250KS TerminalsTerminals Non-Insulated, Female, 16-14 AWG, .032 x .250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN301
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN301A
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN301N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+49.21 грн
50+28.02 грн
100+20.83 грн
500+15.68 грн
1500+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
на замовлення 11924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.42 грн
13+30.01 грн
100+14.09 грн
1000+10.73 грн
3000+9.69 грн
9000+8.56 грн
24000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.88 грн
9000+11.40 грн
24000+11.01 грн
45000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
6000+12.11 грн
9000+11.92 грн
12000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.78 грн
6000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+28.26 грн
785+16.15 грн
793+15.98 грн
802+15.25 грн
1324+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 449
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.60 грн
500+11.42 грн
1500+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P
Код товару: 31343
Додати до обраних Обраний товар

FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,4 A
Rds(on),Om: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 882/9
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+12.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.03 грн
9000+10.64 грн
24000+10.27 грн
45000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+43.79 грн
24+30.59 грн
25+30.28 грн
100+16.52 грн
250+15.14 грн
500+14.38 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PONSEMIFDN302P SMD P channel transistors
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+56.25 грн
79+15.11 грн
218+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+40.73 грн
26+28.23 грн
100+15.59 грн
1000+10.97 грн
3000+7.90 грн
9000+7.30 грн
24000+7.22 грн
45000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 6677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.76 грн
12+28.02 грн
100+17.93 грн
500+12.74 грн
1000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P .302..ON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN302P TFDN302p
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.70 грн
1000+2.54 грн
3000+2.37 грн
6000+2.18 грн
15000+2.11 грн
30000+2.02 грн
75000+1.87 грн
150000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P\302FAIRCHILSOT-23
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P_NLFairchild
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 2394000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN302P_Qonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN303
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304??SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304N
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.74 грн
19+39.09 грн
100+25.06 грн
500+18.25 грн
1000+15.08 грн
3000+11.68 грн
6000+10.64 грн
9000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.53 грн
6000+12.85 грн
9000+12.26 грн
15000+10.89 грн
21000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PONSEMIFDN304P SMD P channel transistors
на замовлення 6566 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+46.76 грн
105+11.41 грн
289+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 128146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+72.73 грн
50+44.99 грн
100+29.09 грн
500+20.68 грн
1500+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P
Код товару: 127609
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 47053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1759+18.02 грн
10000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 1759
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 1.8V
на замовлення 15330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.84 грн
10+40.23 грн
100+22.65 грн
500+17.29 грн
1000+15.61 грн
3000+13.37 грн
6000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 129141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.09 грн
500+20.68 грн
1500+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1759+18.02 грн
10000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 1759
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+12.12 грн
93+9.70 грн
130+6.94 грн
500+4.51 грн
1000+2.98 грн
5000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+73.22 грн
17+44.89 грн
100+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
на замовлення 25476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.48 грн
10+36.60 грн
100+23.65 грн
500+16.96 грн
1000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.52 грн
9000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.26 грн
6000+15.83 грн
9000+15.24 грн
12000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDN304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 5170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.51 грн
1000+2.98 грн
5000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P-NLFAIRCHILD
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.89 грн
1000+2.72 грн
3000+2.53 грн
6000+2.33 грн
15000+2.26 грн
30000+2.17 грн
75000+2.00 грн
150000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1551+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 1551
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.13 грн
6000+14.28 грн
9000+13.64 грн
15000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+66.98 грн
19+48.31 грн
100+31.52 грн
500+22.43 грн
1000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.09 грн
6000+17.18 грн
9000+15.95 грн
15000+15.22 грн
21000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZONSEMIFDN304PZ SMD P channel transistors
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+70.79 грн
50+23.81 грн
138+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+46.96 грн
416+30.47 грн
543+23.37 грн
1000+20.33 грн
3000+15.57 грн
6000+14.33 грн
9000+13.13 грн
15000+12.97 грн
21000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
на замовлення 20319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.67 грн
10+40.10 грн
100+26.02 грн
500+18.74 грн
1000+16.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDN304PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.52 грн
500+22.43 грн
1000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+74.07 грн
15+50.31 грн
100+32.65 грн
500+24.15 грн
1000+20.17 грн
3000+16.01 грн
6000+15.35 грн
9000+14.07 грн
15000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.41 грн
6000+18.44 грн
9000+17.12 грн
15000+16.34 грн
21000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZonsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 8308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.66 грн
10+43.45 грн
100+24.41 грн
500+18.89 грн
1000+16.81 грн
3000+13.53 грн
6000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN304PZ-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.79 грн
1000+2.62 грн
3000+2.44 грн
6000+2.25 грн
15000+2.18 грн
30000+2.09 грн
75000+1.93 грн
150000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN305PANASONIC
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306-NL
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
725+17.49 грн
893+14.19 грн
1103+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 725
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+18.84 грн
47+15.47 грн
48+15.31 грн
100+11.97 грн
250+10.98 грн
500+9.84 грн
1000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PonsemiMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 10934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.01 грн
13+28.81 грн
100+16.81 грн
500+13.21 грн
1000+11.69 грн
3000+9.37 грн
6000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+31.25 грн
15+21.51 грн
50+15.51 грн
100+13.61 грн
250+11.41 грн
500+10.41 грн
1000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
887+14.29 грн
1094+11.59 грн
1104+11.48 грн
1183+10.34 грн
1273+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 887
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Case: SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+26.04 грн
25+17.26 грн
50+12.92 грн
100+11.34 грн
250+9.51 грн
500+8.67 грн
1000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+48.40 грн
50+31.70 грн
100+22.45 грн
500+16.59 грн
1500+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.01 грн
9000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 29153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.09 грн
11+30.85 грн
100+19.81 грн
500+14.12 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 23540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+39.31 грн
15+26.23 грн
100+16.57 грн
500+13.53 грн
1000+11.53 грн
3000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.66 грн
9000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PVBsemiTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.60 грн
6000+11.54 грн
9000+11.34 грн
12000+10.87 грн
27000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.01 грн
6000+10.58 грн
9000+10.08 грн
15000+8.93 грн
21000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PTECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 47812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.45 грн
500+16.59 грн
1500+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P 306.ON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-PIN SUPERSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P-NLFAI09+
на замовлення 120018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P-NLFAIRCHILD
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -12V -2.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.91 грн
1000+2.73 грн
3000+2.55 грн
6000+2.34 грн
15000+2.27 грн
30000+2.18 грн
75000+2.01 грн
150000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P/306FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
на замовлення 5465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 2.6A
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN307
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.80 грн
10+39.27 грн
100+25.35 грн
500+18.16 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.23 грн
500+18.26 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+34.19 грн
560+22.65 грн
602+21.05 грн
763+16.01 грн
1000+13.89 грн
3000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 341 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN308P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.98 грн
24+38.88 грн
100+25.23 грн
500+18.26 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+56.33 грн
20+37.00 грн
25+36.63 грн
100+23.40 грн
250+20.14 грн
500+15.25 грн
1000+14.28 грн
3000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 6119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.51 грн
13+30.10 грн
100+19.53 грн
500+14.97 грн
1000+12.81 грн
3000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2192+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 2192
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P-NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.79 грн
1000+2.62 грн
3000+2.44 грн
6000+2.25 грн
15000+2.18 грн
30000+2.09 грн
75000+1.93 грн
150000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P_F154ON Semiconductor / FairchildMOSFET Multi Market MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN308P_NLFAIRCHILD
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2698+11.74 грн
10000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 2698
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+37.71 грн
12+27.01 грн
14+22.11 грн
50+15.21 грн
100+13.31 грн
500+10.41 грн
1000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.64 грн
500+13.09 грн
1500+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.46 грн
6000+10.30 грн
9000+10.07 грн
12000+9.48 грн
27000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN327N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+41.84 грн
50+22.27 грн
100+14.64 грн
500+13.09 грн
1500+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2698+11.74 грн
10000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 2698
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 10 V
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.16 грн
13+26.18 грн
100+16.71 грн
500+11.85 грн
1000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+31.43 грн
20+21.68 грн
23+18.43 грн
50+12.67 грн
100+11.09 грн
500+8.67 грн
1000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N
Код товару: 176408
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NonsemiMOSFETs N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec
на замовлення 3631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.77 грн
13+30.10 грн
100+16.73 грн
500+12.65 грн
1000+11.37 грн
3000+7.76 грн
6000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2698+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 2698
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.80 грн
1000+2.63 грн
3000+2.45 грн
6000+2.26 грн
15000+2.19 грн
30000+2.10 грн
75000+1.93 грн
150000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN327N/327FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN331NFAirchild
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN332-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN332P-NLFAIRCHTL2007
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335KEXIN09+
на замовлення 300018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335FAITCHILD04+ SOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.99 грн
6000+10.57 грн
9000+10.07 грн
15000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NONSEMIFDN335N SMD N channel transistors
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+50.21 грн
73+16.41 грн
200+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 68832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.73 грн
500+15.76 грн
1000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+23.16 грн
725+17.49 грн
741+17.12 грн
832+14.70 грн
1000+12.32 грн
3000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 548
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.76 грн
6000+12.51 грн
9000+12.32 грн
12000+11.69 грн
27000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.91 грн
9000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 93448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+44.26 грн
13+29.55 грн
100+17.53 грн
500+13.69 грн
1000+12.41 грн
3000+9.93 грн
9000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 68782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+44.36 грн
31+29.63 грн
100+21.73 грн
500+15.76 грн
1000+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+45.34 грн
24+30.30 грн
100+20.16 грн
500+15.92 грн
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 18701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.95 грн
11+30.77 грн
100+19.77 грн
500+14.10 грн
1000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON-SemiconductorN-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.12 грн
9000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN335N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.7 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.94 грн
9000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.85 грн
29+25.07 грн
30+24.82 грн
100+18.07 грн
250+16.38 грн
500+14.00 грн
1000+12.67 грн
3000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 1.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.82 грн
1000+2.65 грн
3000+2.47 грн
6000+2.27 грн
15000+2.20 грн
30000+2.11 грн
75000+1.95 грн
150000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN335N_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON-SemiconductorP-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.10 грн
500+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PONSEMIFDN336P SMD P channel transistors
на замовлення 479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+47.95 грн
72+16.61 грн
198+15.71 грн
1500+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P
Код товару: 135239
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.53 грн
6000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 12453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.62 грн
12+30.27 грн
100+21.22 грн
500+15.13 грн
1000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.35 грн
12+31.20 грн
100+18.81 грн
500+14.73 грн
1000+12.25 грн
3000+10.49 грн
45000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+47.77 грн
50+33.31 грн
100+23.97 грн
500+16.93 грн
1500+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.29 грн
6000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN336P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.91 грн
6000+11.06 грн
9000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLFAIRCHILDSOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A 3-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NLFAIRCHILDSOT-23 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.84 грн
1000+2.67 грн
3000+2.49 грн
6000+2.29 грн
15000+2.22 грн
30000+2.13 грн
75000+1.96 грн
150000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P/336FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P_NLFAIRCHILDSOT23
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337FAIRCHILDSOT23-337
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337FAI09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337 SOT23-337FAIRCHILD
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N
Код товару: 118654
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+40.46 грн
458+27.68 грн
584+21.73 грн
1000+18.87 грн
3000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+57.65 грн
50+41.75 грн
100+28.55 грн
500+21.26 грн
1500+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 912000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.55 грн
6000+10.92 грн
9000+9.83 грн
15000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NFairchildTranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN337N TFDN337n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.20 грн
15+50.32 грн
100+34.43 грн
500+26.05 грн
1000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337Nonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 48051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.20 грн
10+37.28 грн
100+22.17 грн
500+17.77 грн
1000+16.01 грн
3000+12.57 грн
6000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.58 грн
6000+18.61 грн
9000+16.68 грн
15000+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.94 грн
6000+13.21 грн
9000+12.61 грн
15000+11.20 грн
21000+10.83 грн
30000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.21 грн
6000+17.32 грн
9000+15.53 грн
15000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.62 грн
9000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NONSEMIFDN337N SMD N channel transistors
на замовлення 6369 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+34.16 грн
180+6.60 грн
495+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.35 грн
6000+16.88 грн
9000+15.13 грн
12000+14.51 грн
27000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN337N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.2 A, 0.065 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.55 грн
500+21.26 грн
1500+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.62 грн
17+43.35 грн
100+29.66 грн
500+22.45 грн
1000+18.72 грн
3000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 912000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.78 грн
6000+10.19 грн
9000+9.17 грн
15000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 76725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.21 грн
10+37.44 грн
100+24.25 грн
500+17.42 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.66 грн
58+5.84 грн
65+5.14 грн
100+4.04 грн
250+3.68 грн
500+3.46 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.89 грн
1000+2.71 грн
3000+2.53 грн
6000+2.33 грн
15000+2.26 грн
30000+2.16 грн
75000+2.00 грн
150000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N3DBBAFAI9918+
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337NNLFAIRCHILD
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N_NLFAIRCHILD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN337N_Qonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338??SOT-23
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338FAIRCHILDSOT-23
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338FAI09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338KEXIN09+
на замовлення 300018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+51.73 грн
21+34.62 грн
100+23.52 грн
500+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 370 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
370+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PONSEMIFDN338P SMD P channel transistors
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+50.86 грн
81+14.71 грн
223+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+21.36 грн
35+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+51.00 грн
50+34.57 грн
100+24.24 грн
500+17.09 грн
1500+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PHUASHUOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; REPLACEMENT: AT2301MSA; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.53 грн
6000+10.38 грн
9000+9.99 грн
24000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 47820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.35 грн
12+31.30 грн
100+18.73 грн
500+14.17 грн
1000+12.57 грн
3000+9.85 грн
6000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.24 грн
500+17.09 грн
1500+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PJSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 260 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
260+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 29782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.22 грн
12+29.93 грн
100+19.19 грн
500+13.67 грн
1000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.57 грн
6000+10.42 грн
9000+10.02 грн
24000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.40 грн
6000+11.17 грн
9000+10.73 грн
24000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PMSKSEMITransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON-SemiconductorP-Channel 20V 1.6A (Ta) 500mW (Ta) FDN338P TFDN338p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2260+14.02 грн
10000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 2260
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.65 грн
6000+12.32 грн
9000+12.00 грн
12000+11.40 грн
27000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.115 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PHUASHUOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; REPLACEMENT: AT2301MSA; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 809 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.61 грн
6000+10.22 грн
9000+9.73 грн
15000+8.62 грн
21000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.80 грн
6000+9.72 грн
9000+9.35 грн
24000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P SOT23-338FAIRCHILD
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.89 грн
13+27.26 грн
100+17.47 грн
500+12.40 грн
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P-NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P-NLFAIRCHIL09+ TSSOP20
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.90 грн
1000+2.73 грн
3000+2.54 грн
6000+2.34 грн
15000+2.27 грн
30000+2.17 грн
75000+2.01 грн
150000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P/338FAIRCHIL09+
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P/338FAIRCHILD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338PSOT23-338FAIRCHLD
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P\338FAIRCHILSOT-23
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P_NLFairchild
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 326730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN338P_Qonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339FAI4 SOT-23
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339FAI09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+35.56 грн
50+29.63 грн
100+23.62 грн
500+14.84 грн
1500+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 32049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+56.28 грн
10+33.52 грн
100+21.62 грн
500+15.46 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.62 грн
23+32.57 грн
25+31.60 грн
100+21.59 грн
250+19.54 грн
500+15.13 грн
1000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANON-SemiconductorN-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+29.49 грн
607+20.90 грн
621+20.43 грн
770+15.88 грн
1123+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 430
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.19 грн
6000+11.63 грн
9000+11.09 грн
15000+9.84 грн
21000+9.50 грн
30000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.29 грн
6000+14.89 грн
9000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 17193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.81 грн
12+31.57 грн
100+18.65 грн
500+14.65 грн
1000+13.29 грн
3000+10.65 грн
9000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 44639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.62 грн
500+14.84 грн
1500+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANONSEMIFDN339AN SMD N channel transistors
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+51.29 грн
60+19.91 грн
165+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.82 грн
1000+2.65 грн
3000+2.47 грн
6000+2.27 грн
15000+2.20 грн
30000+2.11 грн
75000+1.95 грн
150000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN_GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN3400ON SemiconductorSSOT-3. SINGLE. 2.5V. NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN3401FAIRCHILD
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN3401Fairchild SemiconductorDescription: FDN3401
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN3401/3401FAIRCHIL09+
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 30930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.16 грн
13+25.93 грн
100+16.58 грн
500+11.75 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 77516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2725+11.62 грн
10000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 2725
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+33.71 грн
20+18.59 грн
100+12.57 грн
500+11.45 грн
1000+10.33 грн
3000+8.08 грн
6000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.86 грн
9000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 31312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2725+11.62 грн
10000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 2725
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PONSEMIFDN340P SMD P channel transistors
на замовлення 5926 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+37.07 грн
129+9.20 грн
355+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.68 грн
6000+9.97 грн
9000+9.02 грн
24000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 102416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.07 грн
500+13.42 грн
1500+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.91 грн
6000+8.71 грн
9000+8.28 грн
15000+7.32 грн
21000+7.05 грн
30000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.04 грн
6000+10.57 грн
9000+10.30 грн
12000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P
Код товару: 191356
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 351000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2725+11.62 грн
10000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 2725
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340POn SemiconductorMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+11.83 грн
63+11.53 грн
100+10.98 грн
250+10.03 грн
500+9.50 грн
1000+9.37 грн
3000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN340P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 102416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.62 грн
50+21.01 грн
100+16.07 грн
500+13.42 грн
1500+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.97 грн
6000+9.31 грн
9000+8.42 грн
24000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1178+10.76 грн
1193+10.63 грн
1209+10.48 грн
1225+9.98 грн
1242+9.11 грн
3000+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 1178
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.66 грн
58+5.84 грн
65+5.14 грн
100+4.04 грн
250+3.68 грн
500+3.46 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 20V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P-NLFairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.91 грн
1000+2.73 грн
3000+2.55 грн
6000+2.34 грн
15000+2.27 грн
30000+2.18 грн
75000+2.01 грн
150000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P/340FAIRCHIL09+
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P\340FAIRCHILSOT-23
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
на замовлення 1760384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN340P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+52.26 грн
20+44.90 грн
100+31.16 грн
500+22.68 грн
1000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+16.56 грн
15000+16.17 грн
30000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.01 грн
6000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.83 грн
6000+16.00 грн
15000+15.59 грн
30000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.03 грн
6000+17.14 грн
15000+16.70 грн
30000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.53 грн
500+22.18 грн
1000+14.08 грн
5000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.71 грн
9000+24.41 грн
18000+22.72 грн
27000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 10 V
на замовлення 7281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+44.77 грн
100+29.06 грн
500+20.92 грн
1000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH -20V
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.43 грн
10+53.76 грн
100+34.90 грн
500+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN342P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.64 грн
9000+10.47 грн
24000+10.15 грн
45000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APonsemiMOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET
на замовлення 31198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.20 грн
12+31.02 грн
100+18.49 грн
500+14.65 грн
1000+13.29 грн
3000+9.61 грн
6000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.84 грн
21+16.09 грн
100+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+29.26 грн
631+20.09 грн
637+19.89 грн
807+15.16 грн
1094+10.35 грн
3000+9.93 грн
15000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 434
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APONSEMIDescription: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 82416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+50.82 грн
26+34.57 грн
100+24.15 грн
500+16.18 грн
1000+12.85 грн
5000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.91 грн
23+31.67 грн
25+31.35 грн
100+20.75 грн
250+19.03 грн
500+14.44 грн
1000+10.64 грн
15000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+45.26 грн
10+32.42 грн
50+23.61 грн
100+20.91 грн
250+17.71 грн
500+15.71 грн
1000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.11 грн
6000+10.67 грн
9000+10.17 грн
15000+9.01 грн
21000+8.70 грн
30000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.98 грн
32+22.89 грн
100+15.57 грн
500+11.74 грн
1000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APonsemi / FairchildMOSFETs SINGLE PCH TRENCH MOSFET
на замовлення 162697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.20 грн
13+29.55 грн
100+18.09 грн
500+14.17 грн
1000+11.77 грн
3000+10.09 грн
9000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.71 грн
17+26.01 грн
50+19.68 грн
100+17.43 грн
250+14.76 грн
500+13.09 грн
1000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.45 грн
9000+10.30 грн
24000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.27 грн
9000+11.03 грн
24000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 54273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1425+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 1425
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.76 грн
6000+12.51 грн
9000+12.33 грн
12000+11.71 грн
27000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APONSEMIDescription: ONSEMI - FDN352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.97 грн
500+16.26 грн
1000+12.39 грн
5000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.42 грн
9000+11.17 грн
24000+10.82 грн
45000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 30938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.95 грн
11+31.02 грн
100+19.95 грн
500+14.24 грн
1000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP-NLFairchildSOT-23 0722+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN352AP-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.77 грн
1000+2.60 грн
3000+2.43 грн
6000+2.23 грн
15000+2.17 грн
30000+2.08 грн
75000+1.92 грн
150000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357FAITCHILD04+ SOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.84 грн
20+21.34 грн
22+19.43 грн
50+17.34 грн
100+16.51 грн
250+14.92 грн
500+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Gate charge: 5.9nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+33.40 грн
12+26.60 грн
13+23.31 грн
50+20.81 грн
100+19.81 грн
250+17.91 грн
500+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.20 грн
6000+11.94 грн
9000+11.82 грн
24000+10.96 грн
30000+10.05 грн
45000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.86 грн
6000+12.11 грн
12000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 426000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.15 грн
6000+12.80 грн
9000+12.66 грн
24000+11.75 грн
30000+10.77 грн
45000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+42.11 грн
50+28.82 грн
100+23.35 грн
500+18.01 грн
1500+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 28019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+57.15 грн
10+34.18 грн
100+22.05 грн
500+15.80 грн
1000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+32.34 грн
535+23.70 грн
566+22.42 грн
686+17.82 грн
1000+13.27 грн
3000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.80 грн
45000+19.93 грн
90000+18.54 грн
135000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NonsemiMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 12627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.76 грн
13+30.28 грн
100+20.25 грн
500+16.09 грн
1000+14.65 грн
3000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.78 грн
6000+13.93 грн
12000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.50 грн
6000+11.92 грн
9000+11.37 грн
15000+10.09 грн
21000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.12 грн
6000+16.66 грн
9000+16.00 грн
12000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+43.06 грн
20+36.95 грн
25+34.65 грн
100+24.48 грн
250+21.45 грн
500+16.97 грн
1000+13.65 грн
3000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN357N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.053 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.9
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.42 грн
9000+17.06 грн
24000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 1.9A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N_NLFAIRCHILD0448
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N_Qonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P
Код товару: 36466
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
на замовлення 11524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.74 грн
10+37.35 грн
100+24.33 грн
500+17.41 грн
1000+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.60 грн
6000+15.28 грн
12000+14.01 грн
24000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.20 грн
500+15.34 грн
1000+12.47 грн
5000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON-SemiconductorP-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.09 грн
6000+12.52 грн
9000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN358P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+35.74 грн
36+25.14 грн
100+20.20 грн
500+15.34 грн
1000+12.47 грн
5000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 62768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.98 грн
15+25.59 грн
100+17.93 грн
500+15.45 грн
1000+13.61 грн
3000+10.49 грн
6000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358PONSEMIFDN358P SMD P channel transistors
на замовлення 383 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+47.30 грн
68+17.61 грн
186+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P(2DCEA)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P-NL
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.77 грн
1000+2.60 грн
3000+2.43 грн
6000+2.23 грн
15000+2.17 грн
30000+2.08 грн
75000+1.92 грн
150000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 16819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.59 грн
11+32.58 грн
100+20.99 грн
500+15.00 грн
1000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANONSEMIFDN359AN SMD N channel transistors
на замовлення 355 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+53.55 грн
71+16.91 грн
194+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 16700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.79 грн
6000+11.28 грн
9000+10.75 грн
15000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 159624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2011+15.75 грн
10000+14.06 грн
100000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 2011
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.31 грн
500+18.76 грн
1500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANFairchildN-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
60+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+53.70 грн
50+38.34 грн
100+26.31 грн
500+18.76 грн
1500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359ANonsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 30V
на замовлення 16293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+53.04 грн
11+35.16 грн
100+20.33 грн
500+15.53 грн
1000+13.93 грн
3000+10.33 грн
6000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.89 грн
1000+2.71 грн
3000+2.53 грн
6000+2.33 грн
15000+2.26 грн
30000+2.16 грн
75000+2.00 грн
150000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN/359AFAIRCHIL09+
на замовлення 243018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN/F40
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN\359AFAIRCHILSOT-23
на замовлення 243100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2039+15.54 грн
10000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 2039
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+48.31 грн
50+35.56 грн
100+25.41 грн
500+18.18 грн
1500+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2039+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 2039
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.89 грн
6000+11.37 грн
9000+10.84 грн
15000+9.61 грн
21000+9.28 грн
30000+8.95 грн
75000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.01 грн
24+31.00 грн
26+28.55 грн
100+19.07 грн
250+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.08 грн
26+28.48 грн
100+22.19 грн
500+17.27 грн
1000+14.45 грн
3000+11.14 грн
6000+10.42 грн
9000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 22365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.36 грн
11+33.97 грн
100+19.93 грн
500+15.45 грн
1000+13.69 грн
3000+10.17 грн
6000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+34.89 грн
500+26.10 грн
1000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 364
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNONSEMIDescription: ONSEMI - FDN359BN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.7 A, 0.046 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.41 грн
500+18.18 грн
1500+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.74 грн
6000+11.80 грн
9000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 79130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+55.41 грн
11+32.93 грн
100+21.17 грн
500+15.13 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.58 грн
6000+12.58 грн
9000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN транзистор
Код товару: 213980
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN-F095ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN-F095ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN-NLFairchildSOT-23 0701+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 2.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.89 грн
1000+2.71 грн
3000+2.53 грн
6000+2.33 грн
15000+2.26 грн
30000+2.16 грн
75000+2.00 грн
150000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359BN_F095onsemi / FairchildMOSFET 30V NCh; PowerTrench AU Wire Parts
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359N/359FAIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+47.90 грн
500+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.49 грн
6000+10.83 грн
9000+9.53 грн
24000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.89 грн
6000+9.58 грн
9000+9.11 грн
15000+8.06 грн
21000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PONSEMIFDN360P SMD P channel transistors
на замовлення 7343 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+49.13 грн
113+10.61 грн
309+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+57.33 грн
21+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 158255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+51.27 грн
27+34.12 грн
100+19.04 грн
500+15.42 грн
1000+12.78 грн
5000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P
Код товару: 75653
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 86850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2443+12.97 грн
10000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 2443
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360POn Semiconductor/FairchildSOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.74 грн
6000+12.90 грн
9000+11.34 грн
12000+10.75 грн
27000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 28150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.62 грн
12+28.18 грн
100+18.08 грн
500+12.86 грн
1000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH -30V
на замовлення 17453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.61 грн
12+31.57 грн
100+15.61 грн
500+13.37 грн
1000+12.01 грн
3000+9.69 грн
6000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.72 грн
6000+10.11 грн
9000+8.90 грн
24000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN360P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench® MOSFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 171104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.52 грн
500+14.76 грн
1500+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET P-CH 30V 2A 3-PIN SUPERSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P-NBGT003BonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P-NLFAIRCHILD09+ QFP
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.90 грн
1000+2.73 грн
3000+2.54 грн
6000+2.34 грн
15000+2.27 грн
30000+2.17 грн
75000+2.01 грн
150000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P/360FAIRCHIL09+
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360PSOT23-360PB-FREEFAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A
на замовлення 3873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P_NBGT003Bonsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANFAISOT-23
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANFAIRCHILDSOT23
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANFAIRCHILD09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANFAIRCHILDSOT23-361 PB-FRE
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361ANonsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN-NLFAIRCHILDSOT23-361 PB-FRE
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN-NLFAIRCHILDSOT23 11+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN-NLSOT23-361PB-FREEFAIRCHLD
на замовлення 173821 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN/361FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN_NLFAIRCHILDSOT23
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361AN_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.44 грн
20+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNonsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.07 грн
53+13.68 грн
54+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BNUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.32 грн
6000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361BN-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN361P/361FAIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN363NFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 42602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1366+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 1366
В кошику  од. на суму  грн.
FDN363N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN371NON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN371NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN371NFairchild SemiconductorDescription: 2.5A, 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN371N
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN371N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN372SFSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN372SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
на замовлення 105541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 1902
В кошику  од. на суму  грн.
FDN372SSAMSOT 08+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN372S-NLFAIRCHIL09+ SSOP16
на замовлення 847 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN372S-NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN377NFSC
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5330SXFAIRCHILDSOT-153
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 14824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.31 грн
500+24.26 грн
1500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NONSEMIFDN537N SMD N channel transistors
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+77.04 грн
40+29.92 грн
110+28.32 грн
1000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 60133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.39 грн
10+49.36 грн
100+32.73 грн
500+24.17 грн
1000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NONSEMIDescription: ONSEMI - FDN537N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.019 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 14824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+77.13 грн
50+49.65 грн
100+33.31 грн
500+24.26 грн
1500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NON Semiconductor
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537Nonsemi / FairchildMOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 421-430 дні (днів)
7+57.15 грн
10+49.98 грн
100+33.30 грн
500+26.33 грн
1000+21.05 грн
3000+19.13 грн
6000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.12 грн
6000+18.64 грн
9000+17.84 грн
15000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN537NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.21 грн
9000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.47 грн
6000+12.22 грн
9000+11.93 грн
12000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 230551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.44 грн
500+17.34 грн
1500+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618Ponsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 P-CH 60V
на замовлення 40190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+36.51 грн
13+30.38 грн
100+18.41 грн
500+14.33 грн
1000+11.69 грн
3000+9.85 грн
9000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.47 грн
9000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.25 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 218206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.79 грн
50+37.71 грн
100+24.15 грн
500+17.09 грн
1500+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 88397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.22 грн
12+29.85 грн
100+19.16 грн
500+13.65 грн
1000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PElecSuper60V 2A 1W 1.7V@250uA SOT-23 Single FETs, MOSFETs FDN5618P SOT23(T/R) ElecSuper TFDN5618p ES
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5618P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.17 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.38 грн
9000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.66 грн
9000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 88397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.59 грн
6000+10.20 грн
9000+9.72 грн
15000+8.61 грн
21000+8.30 грн
30000+8.01 грн
75000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P 618.ON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 818 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P 618.ON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P-B8onsemiDescription: FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A 3-Pin SuperSOT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P-NLFAIRCHILD
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P-SB4N007ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 1.25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630
Код товару: 208281
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.78 грн
9000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 23836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.29 грн
13+25.93 грн
100+16.55 грн
500+11.73 грн
1000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ONSEMIFDN5630 SMD N channel transistors
на замовлення 3176 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+41.70 грн
85+14.01 грн
233+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.64 грн
6000+11.46 грн
9000+11.18 грн
12000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 152425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+42.92 грн
50+32.77 грн
100+20.92 грн
500+14.67 грн
1500+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.89 грн
6000+8.68 грн
9000+8.25 грн
15000+7.30 грн
21000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.42 грн
9000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.7 A, 0.1 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 159759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.68 грн
500+12.09 грн
1500+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.86 грн
9000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630onsemi / FairchildMOSFETs SSOT-3 N-CH 60V
на замовлення 24450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.57 грн
13+29.09 грн
100+16.09 грн
500+12.17 грн
1000+10.97 грн
3000+8.64 грн
6000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3283+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 3283
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630-B8onsemiDescription: FET 60V 1.0 MOHM SSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630-F095ON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-PIN SUPERSOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630-NL
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630_F095Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN5632N-F085 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 58370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.19 грн
10+45.94 грн
100+30.06 грн
500+21.78 грн
1000+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085ONSEMIFDN5632N-F085 SMD N channel transistors
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+74.78 грн
41+29.22 грн
113+27.61 грн
1000+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085onsemi / FairchildMOSFETs Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
на замовлення 440330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.68 грн
10+46.30 грн
100+27.05 грн
500+22.65 грн
1000+20.41 грн
3000+15.29 грн
6000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.89 грн
6000+16.78 грн
9000+16.06 грн
15000+14.31 грн
21000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
на замовлення 13848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
на замовлення 4294967295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5632N_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
на замовлення 393000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN6301NFAIRCHILDSOT-163
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+78.91 грн
242+52.53 грн
244+52.01 грн
264+46.39 грн
500+39.48 грн
1000+34.56 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.57 грн
12+32.95 грн
100+20.89 грн
500+16.57 грн
1000+15.05 грн
3000+13.05 грн
6000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 21597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.55 грн
10+52.44 грн
100+43.62 грн
500+33.78 грн
1000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.36 грн
500+34.18 грн
1000+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.93 грн
10+84.55 грн
25+56.28 грн
100+53.74 грн
250+46.02 грн
500+40.61 грн
1000+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.47 грн
6000+28.35 грн
9000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN8601 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.7 A, 0.0854 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0854ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+66.00 грн
16+57.83 грн
100+45.08 грн
500+34.94 грн
1000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN8601ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246ONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86246 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.6 A, 0.195 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+119.42 грн
11+85.30 грн
100+65.01 грн
500+46.69 грн
1000+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
на замовлення 11729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.13 грн
10+86.46 грн
100+58.25 грн
500+43.30 грн
1000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.66 грн
12+61.89 грн
25+61.49 грн
100+44.85 грн
250+40.82 грн
500+33.63 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 23222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.93 грн
10+81.10 грн
25+70.36 грн
100+54.91 грн
250+54.35 грн
500+41.94 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86246onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 261mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 75 V
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.74 грн
6000+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.34 грн
6000+28.07 грн
9000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 45360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.54 грн
500+36.69 грн
1000+31.32 грн
5000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265Ponsemi / FairchildMOSFETs PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET
на замовлення 9996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.25 грн
10+59.28 грн
100+40.50 грн
500+34.50 грн
1000+32.26 грн
3000+28.10 грн
6000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V
на замовлення 18541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.76 грн
10+71.87 грн
100+47.95 грн
500+35.37 грн
1000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PONSEMIDescription: ONSEMI - FDN86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 45360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+72.28 грн
14+68.24 грн
100+51.54 грн
500+36.69 грн
1000+31.32 грн
5000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86265PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 150V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZON Semiconductor
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 30 V
на замовлення 60344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.99 грн
10+140.66 грн
100+96.84 грн
500+73.30 грн
1000+67.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDN86501LZonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET60 V, 2.6 A, 116 mO
на замовлення 37483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+122.33 грн
10+96.65 грн
100+74.92 грн
500+71.72 грн
1000+68.28 грн
3000+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDNA3763HellermannTytonElectrical Enclosure Accessories Wall Mounting Bracket for FDN, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNC1602A-NLAFBW-51LRFordata
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRABBAXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 16P AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRABBCXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 59 port AB-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRBXBAWXHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 24 SE trays (288 fibers), PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRBXBAXNHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 16 Port Cover-B Basket with 48 SC-B trays (576 fibers), PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRBXBAXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 16P B-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRCXBCWXHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 36 SE trays (432 fibers), PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRCXBCXNHellermannTytonElectrical Enclosures IR FDN 59 Port Cover-C Basket with 72 SC-B trays (864 fibers), PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNIRCXBCXXHellermannTytonElectrical Enclosures FDN IR 59 port C-Length with basket, No Trays, PP, Black, 1/pkg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0025PNEUMATFDNM016.0025 Actuators
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1578.85 грн
3+1492.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM016.0050PNEUMATFDNM016.0050 Actuators
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1634.88 грн
3+1545.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0025PNEUMATFDNM020.0025 Actuators
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1884.01 грн
2+1780.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0050PNEUMATFDNM020.0050 Actuators
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1962.05 грн
2+1855.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM020.0080PNEUMATFDNM020.0080 Actuators
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2060.10 грн
2+1947.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0010PNEUMATFDNM025.0010 Actuators
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2001.07 грн
2+1892.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0025PNEUMATFDNM025.0025 Actuators
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2072.11 грн
2+1959.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0050PNEUMATFDNM025.0050 Actuators
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2195.18 грн
2+2075.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0080PNEUMATFDNM025.0080 Actuators
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2335.25 грн
2+2208.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNM025.0100PNEUMATFDNM025.0100 Actuators
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2425.30 грн
2+2293.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNY1-187(5)KS TerminalsTerminals Nylon, Female, 22-16 AWG, .020 x .187
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNY1-187(8)KS TerminalsTerminals Nylon, Female, 22-16 AWG, .032 x .187
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNYD1-110(5)KS TerminalsTerminals Nylon, Double Crimp Female, 22-16 AWG, .020 x .110
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.58 грн
100+18.50 грн
1000+12.65 грн
5000+11.13 грн
10000+9.61 грн
25000+8.00 грн
50000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDNYD1-110(8)KS TerminalsTerminals Nylon, Double Crimp Female, 22-16 AWG, .032 x .110
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.58 грн
100+18.50 грн
1000+12.65 грн
5000+11.13 грн
10000+9.61 грн
25000+8.00 грн
50000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDNYD1-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDNYD1-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 22 AWG, 16 AWG
tariffCode: 85369010
Isoliermaterial: Nylon (Polyamid)
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Leiterstärke (AWG), max.: 16AWG
Leiterquerschnitt CSA: 1.5mm²
euEccn: NLR
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Rot
Leiterstärke (AWG), min.: 22AWG
Produktpalette: FDNYD
productTraceability: No
Anschlussmaterial: Messing
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+985.01 грн
5+651.89 грн
10+589.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDNYD5-250KS TerminalsTerminals Nylon, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .032 x .250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDNYD5-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDNYD5-250 - Steckhülse, FDNYD, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 12 AWG, 10 AWG
Isoliermaterial: Nylon (Polyamid)
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
Leiterstärke (AWG), max.: 10
Leiterquerschnitt CSA: 6
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Gelb
Leiterstärke (AWG), min.: 12
Produktpalette: FDNYD
Anschlussmaterial: Messing
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1630.62 грн
5+1358.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.