Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (140651) > Сторінка 652 з 2345

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 647 648 649 650 651 652 653 654 655 656 657 702 936 1170 1404 1638 1872 2106 2340 2345  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FOD2742B FOD2742B onsemi fod2742b-d.pdf description Description: OPTOISO 2.5KV 1CH TRANS 8-SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 10mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Output (Max): 70V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 7813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.83 грн
10+67.15 грн
100+50.49 грн
500+40.47 грн
1000+38.20 грн
3000+35.30 грн
6000+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KSE13003H1ASTU KSE13003H1ASTU onsemi kse13003-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.65 грн
60+33.52 грн
120+29.77 грн
540+22.08 грн
1020+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FODM3053V-NF098 FODM3053V-NF098 onsemi fodm3053_nf098-d.pdf Description: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4MFP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Current - Hold (Ih): 300µA (Typ)
Supplier Device Package: 4-SMD
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 1kV/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.78 грн
10+80.37 грн
100+59.46 грн
500+51.28 грн
1000+42.23 грн
2000+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80 FQPF2N80 onsemi fqpf2n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.72 грн
10+102.27 грн
100+69.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT14MTC MM74HCT14MTC onsemi mm74hct14-d.pdf Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Tube
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 4.8mA, 4.8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.9V ~ 2.1V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 20ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCHD040N65S3-F155 FCHD040N65S3-F155 onsemi fchd040n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+914.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 FCMT360N65S3 onsemi fcmt360n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L027N65S3F NTH4L027N65S3F onsemi nth4l027n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1583.68 грн
10+1103.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N65S3F NTH4L040N65S3F onsemi nth4l040n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1220.51 грн
30+732.07 грн
120+645.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HF NTHL027N65S3HF onsemi nthl027n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1504.46 грн
30+920.00 грн
120+846.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HF NTHL040N65S3HF onsemi nthl040n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1211.88 грн
10+830.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHLD040N65S3HF NTHLD040N65S3HF onsemi nthld040n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP095N65S3HF NTP095N65S3HF onsemi ntp095n65s3hf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 36A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.97 грн
50+273.45 грн
100+251.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS014N06CLTWG NTMYS014N06CLTWG onsemi ntmys014n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS025N06CLTWG NTMYS025N06CLTWG onsemi ntmys025n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS2D4N04CTWG NTMYS2D4N04CTWG onsemi ntmys2d4n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS7D3N04CLTWG NTMYS7D3N04CLTWG onsemi ntmys7d3n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS8D0N04CTWG NTMYS8D0N04CTWG onsemi ntmys8d0n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.72 грн
6000+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP171AMX180175TCG NCP171AMX180175TCG onsemi ncp171-d.pdf Description: IC REG LINEAR 1.8V 80MA 4-XDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 95 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 2
Supplier Device Package: 4-XDFN (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
PSRR: 65dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.11V @ 80mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP171AMX280275TCG NCP171AMX280275TCG onsemi ncp171-d.pdf Description: IC REG LINEAR 2.8V 80MA 4XDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 95 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 2
Supplier Device Package: 4-XDFN (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 65dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.075V @ 80mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NFAM3065L4BT NFAM3065L4BT onsemi nfam3065l4bt-d.pdf Description: IPM 650V 30A
Packaging: Tube
Package / Case: 39-PowerDIP Module (1.413", 35.90mm), 30 Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current: 30 A
Voltage: 650 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1778.21 грн
90+1331.13 грн
540+1135.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50250BS FSB50250BS onsemi fsb50250b-d.pdf Description: IPM 500V 2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 23-PowerSMD Module, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 1.9 A
Voltage: 500 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+324.50 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
EGP30J EGP30J onsemi egp30k-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.61 грн
10+49.47 грн
100+34.28 грн
500+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
EGP30J EGP30J onsemi egp30k-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T95SQDT FGY75T95SQDT onsemi fgy75t95sqdt-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 950V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 259 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.11V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28.8ns/117ns
Switching Energy: 8.8mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 137 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 434 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV51705MNTWG NCV51705MNTWG onsemi ncv51705-d.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 22V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: 24-QFNW (4x4)
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 8ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: SiC MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 6A, 6A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+144.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7357MW3R2G NCV7357MW3R2G onsemi ncv7357-d.pdf Description: IC TRANSCEIVER FULL 2/1 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 2/1
Data Rate: 1Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: 8-DFNW (3x3)
Duplex: Full
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8187AMN120TAG NCV8187AMN120TAG onsemi ncv8187-d.pdf Description: IC REG LINEAR 1.2V 1.2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Current - Output: 1.2A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 45 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable, Power Good
Grade: Automotive
PSRR: 75dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.495V @ 1.2A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8187AMT120TAG NCV8187AMT120TAG onsemi ncv8187-d.pdf Description: IC REG LINEAR 1.2V 1.2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1.2A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 45 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable, Power Good
Grade: Automotive
PSRR: 75dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.495V @ 1.2A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NIS5021MT2TXG onsemi NIS5020-21_NIS5820_Rev3_Jul2019.pdf Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 18V
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 10-WDFN (4x4)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS010N10MCLTAG NTTFS010N10MCLTAG onsemi nttfs010n10mcl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.46 грн
3000+43.06 грн
4500+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3F NVB150N65S3F onsemi nvb150n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.97 грн
1600+124.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G NVMFD6H852NLT1G onsemi nvmfd6h852nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1G NVMFD6H852NLWFT1G onsemi nvmfd6h852nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.76 грн
3000+37.27 грн
4500+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG NVMJS1D5N04CLTWG onsemi nvmjs1d5n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.90 грн
6000+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS2D5N06CLTWG NVMJS2D5N06CLTWG onsemi nvmjs2d5n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS011N04CTWG NVMYS011N04CTWG onsemi nvmys011n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.44 грн
6000+20.93 грн
9000+20.10 грн
15000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS014N06CLTWG NVMYS014N06CLTWG onsemi nvmys014n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS021N06CLTWG NVMYS021N06CLTWG onsemi nvmys021n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWG NVMYS025N06CLTWG onsemi nvmys025n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS3D3N06CLTWG NVMYS3D3N06CLTWG onsemi nvmys3d3n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS5D3N04CTWG NVMYS5D3N04CTWG onsemi nvmys5d3n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.26 грн
6000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS7D3N04CLTWG NVMYS7D3N04CLTWG onsemi nvmys7d3n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.04 грн
6000+25.70 грн
9000+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS010N10MCLTAG NVTFS010N10MCLTAG onsemi nvtfs010n10mcl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.37 грн
3000+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB308BVMPX FUSB308BVMPX onsemi fusb308b-d.pdf Description: USB TYPEC CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Function: Controller
Interface: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 5.5V
Current - Supply: 560mA
Protocol: USB
Standards: USB 3.1
Supplier Device Package: 16-WQFN (3x3)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB308BVMPX FUSB308BVMPX onsemi fusb308b-d.pdf Description: USB TYPEC CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Function: Controller
Interface: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 5.5V
Current - Supply: 560mA
Protocol: USB
Standards: USB 3.1
Supplier Device Package: 16-WQFN (3x3)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.33 грн
10+102.57 грн
25+93.48 грн
100+78.39 грн
250+73.94 грн
500+71.26 грн
1000+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 FCMT360N65S3 onsemi fcmt360n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.78 грн
10+218.67 грн
100+155.40 грн
500+127.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50250BS FSB50250BS onsemi fsb50250b-d.pdf Description: IPM 500V 2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 23-PowerSMD Module, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 1.9 A
Voltage: 500 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.56 грн
10+424.95 грн
100+354.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1095DBR2 NCP1095DBR2 onsemi ncp1095-d.pdf Description: IC POE CNTRL 1 CHANNEL 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Controller (PD)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 0V ~ 57V
Current - Supply: 336.7µA
Internal Switch(s): Yes
Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE), 802.3bt
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Auxiliary Sense: Yes
Number of Channels: 1
Power - Max: 90 W
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.58 грн
10+85.96 грн
25+78.22 грн
100+65.38 грн
250+61.56 грн
500+59.26 грн
1000+56.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1096PAR2G NCP1096PAR2G onsemi ncp1096-d.pdf Description: IC POE CNTRL 1 CHANNEL 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Controller (PD), DC/DC
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 0V ~ 57V
Current - Supply: 336.7µA
Internal Switch(s): Yes
Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE), 802.3bt
Supplier Device Package: 16-TSSOP-EP
Auxiliary Sense: Yes
Number of Channels: 1
Power - Max: 90 W
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.94 грн
10+117.23 грн
25+107.08 грн
100+90.00 грн
250+84.99 грн
500+81.98 грн
1000+78.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCP171AMX180175TCG NCP171AMX180175TCG onsemi ncp171-d.pdf Description: IC REG LINEAR 1.8V 80MA 4-XDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 95 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 2
Supplier Device Package: 4-XDFN (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
PSRR: 65dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.11V @ 80mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.32 грн
10+44.26 грн
25+39.97 грн
100+33.01 грн
250+30.86 грн
500+29.57 грн
1000+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8406BDTRKG NCV8406BDTRKG onsemi ncv8406-d.pdf Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 185mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: DPAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.74 грн
10+117.30 грн
25+99.22 грн
100+73.96 грн
250+64.55 грн
500+58.77 грн
1000+53.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS014N06CLTWG NTMYS014N06CLTWG onsemi ntmys014n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.78 грн
10+80.82 грн
100+54.36 грн
500+40.38 грн
1000+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS025N06CLTWG NTMYS025N06CLTWG onsemi ntmys025n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.66 грн
10+72.29 грн
100+48.52 грн
500+35.98 грн
1000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS2D4N04CTWG NTMYS2D4N04CTWG onsemi ntmys2d4n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.11 грн
10+95.17 грн
100+75.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS7D3N04CLTWG NTMYS7D3N04CLTWG onsemi ntmys7d3n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.80 грн
10+99.10 грн
100+67.32 грн
500+50.39 грн
1000+46.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS8D0N04CTWG NTMYS8D0N04CTWG onsemi ntmys8d0n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.02 грн
10+98.57 грн
100+66.91 грн
500+50.07 грн
1000+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LC898150XH-MH onsemi Description: IC MOTOR DVR OIS AF 21WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 21-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 130mA
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.6V ~ 3.3V
Applications: General Purpose
Voltage - Load: 1.7V ~ 3.3V
Supplier Device Package: 21-WLCSP (1.17x2.77)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G14EDFT2G MC74VHC1G14EDFT2G onsemi Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1INP SC88A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 2.9V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.6ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLG MJD122RLG onsemi MJD122-D.PDF Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FOD2742B description fod2742b-d.pdf
FOD2742B
Виробник: onsemi
Description: OPTOISO 2.5KV 1CH TRANS 8-SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 10mA
Vce Saturation (Max): 400mV
Current Transfer Ratio (Max): 200% @ 10mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Output (Max): 70V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 7813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.83 грн
10+67.15 грн
100+50.49 грн
500+40.47 грн
1000+38.20 грн
3000+35.30 грн
6000+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KSE13003H1ASTU kse13003-d.pdf
KSE13003H1ASTU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.65 грн
60+33.52 грн
120+29.77 грн
540+22.08 грн
1020+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FODM3053V-NF098 fodm3053_nf098-d.pdf
FODM3053V-NF098
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLATOR 3.75KV TRIAC 4MFP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: cUR, UR, VDE
Current - Hold (Ih): 300µA (Typ)
Supplier Device Package: 4-SMD
Zero Crossing Circuit: No
Static dV/dt (Min): 1kV/µs
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - On State (It (RMS)) (Max): 70 mA
Voltage - Off State: 600 V
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.78 грн
10+80.37 грн
100+59.46 грн
500+51.28 грн
1000+42.23 грн
2000+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N80 fqpf2n80-d.pdf
FQPF2N80
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.72 грн
10+102.27 грн
100+69.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT14MTC mm74hct14-d.pdf
MM74HCT14MTC
Виробник: onsemi
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Tube
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 4.8mA, 4.8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.9V ~ 2.1V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 20ns @ 5V, 50pF
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCHD040N65S3-F155 fchd040n65s3-d.pdf
FCHD040N65S3-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+914.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 fcmt360n65s3-d.pdf
FCMT360N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L027N65S3F nth4l027n65s3f-d.pdf
NTH4L027N65S3F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1583.68 грн
10+1103.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N65S3F nth4l040n65s3f-d.pdf
NTH4L040N65S3F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1220.51 грн
30+732.07 грн
120+645.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL027N65S3HF nthl027n65s3hf-d.pdf
NTHL027N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1504.46 грн
30+920.00 грн
120+846.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HF nthl040n65s3hf-d.pdf
NTHL040N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1211.88 грн
10+830.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHLD040N65S3HF nthld040n65s3hf-d.pdf
NTHLD040N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTP095N65S3HF ntp095n65s3hf-d.pdf
NTP095N65S3HF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 36A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.97 грн
50+273.45 грн
100+251.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS014N06CLTWG ntmys014n06cl-d.pdf
NTMYS014N06CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS025N06CLTWG ntmys025n06cl-d.pdf
NTMYS025N06CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS2D4N04CTWG ntmys2d4n04c-d.pdf
NTMYS2D4N04CTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS7D3N04CLTWG ntmys7d3n04cl-d.pdf
NTMYS7D3N04CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS8D0N04CTWG ntmys8d0n04c-d.pdf
NTMYS8D0N04CTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+53.72 грн
6000+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP171AMX180175TCG ncp171-d.pdf
NCP171AMX180175TCG
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 1.8V 80MA 4-XDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 95 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 2
Supplier Device Package: 4-XDFN (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
PSRR: 65dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.11V @ 80mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP171AMX280275TCG ncp171-d.pdf
NCP171AMX280275TCG
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 2.8V 80MA 4XDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 95 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 2
Supplier Device Package: 4-XDFN (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 65dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.075V @ 80mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NFAM3065L4BT nfam3065l4bt-d.pdf
NFAM3065L4BT
Виробник: onsemi
Description: IPM 650V 30A
Packaging: Tube
Package / Case: 39-PowerDIP Module (1.413", 35.90mm), 30 Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current: 30 A
Voltage: 650 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1778.21 грн
90+1331.13 грн
540+1135.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50250BS fsb50250b-d.pdf
FSB50250BS
Виробник: onsemi
Description: IPM 500V 2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 23-PowerSMD Module, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 1.9 A
Voltage: 500 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
450+324.50 грн
Мінімальне замовлення: 450
В кошику  од. на суму  грн.
EGP30J egp30k-d.pdf
EGP30J
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.61 грн
10+49.47 грн
100+34.28 грн
500+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
EGP30J egp30k-d.pdf
EGP30J
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGY75T95SQDT fgy75t95sqdt-d.pdf
FGY75T95SQDT
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 950V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 259 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.11V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28.8ns/117ns
Switching Energy: 8.8mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 137 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 950 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 434 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV51705MNTWG ncv51705-d.pdf
NCV51705MNTWG
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 22V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: 24-QFNW (4x4)
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 8ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: SiC MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 6A, 6A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+144.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7357MW3R2G ncv7357-d.pdf
NCV7357MW3R2G
Виробник: onsemi
Description: IC TRANSCEIVER FULL 2/1 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 2/1
Data Rate: 1Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: 8-DFNW (3x3)
Duplex: Full
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8187AMN120TAG ncv8187-d.pdf
NCV8187AMN120TAG
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 1.2V 1.2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Current - Output: 1.2A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 45 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable, Power Good
Grade: Automotive
PSRR: 75dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.495V @ 1.2A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8187AMT120TAG ncv8187-d.pdf
NCV8187AMT120TAG
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 1.2V 1.2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1.2A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 45 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Control Features: Enable, Power Good
Grade: Automotive
PSRR: 75dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.495V @ 1.2A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NIS5021MT2TXG NIS5020-21_NIS5820_Rev3_Jul2019.pdf
Виробник: onsemi
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 18V
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 10-WDFN (4x4)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS010N10MCLTAG nttfs010n10mcl-d.pdf
NTTFS010N10MCLTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+45.46 грн
3000+43.06 грн
4500+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVB150N65S3F nvb150n65s3f-d.pdf
NVB150N65S3F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+130.97 грн
1600+124.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLT1G nvmfd6h852nl-d.pdf
NVMFD6H852NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFD6H852NLWFT1G nvmfd6h852nl-d.pdf
NVMFD6H852NLWFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+41.76 грн
3000+37.27 грн
4500+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG nvmjs1d5n04cl-d.pdf
NVMJS1D5N04CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.90 грн
6000+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS2D5N06CLTWG nvmjs2d5n06cl-d.pdf
NVMJS2D5N06CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS011N04CTWG nvmys011n04c-d.pdf
NVMYS011N04CTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.44 грн
6000+20.93 грн
9000+20.10 грн
15000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS014N06CLTWG nvmys014n06cl-d.pdf
NVMYS014N06CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS021N06CLTWG nvmys021n06cl-d.pdf
NVMYS021N06CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWG nvmys025n06cl-d.pdf
NVMYS025N06CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS3D3N06CLTWG nvmys3d3n06cl-d.pdf
NVMYS3D3N06CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS5D3N04CTWG nvmys5d3n04c-d.pdf
NVMYS5D3N04CTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.26 грн
6000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS7D3N04CLTWG nvmys7d3n04cl-d.pdf
NVMYS7D3N04CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.04 грн
6000+25.70 грн
9000+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS010N10MCLTAG nvtfs010n10mcl-d.pdf
NVTFS010N10MCLTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+40.37 грн
3000+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB308BVMPX fusb308b-d.pdf
FUSB308BVMPX
Виробник: onsemi
Description: USB TYPEC CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Function: Controller
Interface: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 5.5V
Current - Supply: 560mA
Protocol: USB
Standards: USB 3.1
Supplier Device Package: 16-WQFN (3x3)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB308BVMPX fusb308b-d.pdf
FUSB308BVMPX
Виробник: onsemi
Description: USB TYPEC CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Function: Controller
Interface: USB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 5.5V
Current - Supply: 560mA
Protocol: USB
Standards: USB 3.1
Supplier Device Package: 16-WQFN (3x3)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.33 грн
10+102.57 грн
25+93.48 грн
100+78.39 грн
250+73.94 грн
500+71.26 грн
1000+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCMT360N65S3 fcmt360n65s3-d.pdf
FCMT360N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.78 грн
10+218.67 грн
100+155.40 грн
500+127.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSB50250BS fsb50250b-d.pdf
FSB50250BS
Виробник: onsemi
Description: IPM 500V 2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 23-PowerSMD Module, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Current: 1.9 A
Voltage: 500 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+514.56 грн
10+424.95 грн
100+354.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1095DBR2 ncp1095-d.pdf
NCP1095DBR2
Виробник: onsemi
Description: IC POE CNTRL 1 CHANNEL 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Controller (PD)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 0V ~ 57V
Current - Supply: 336.7µA
Internal Switch(s): Yes
Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE), 802.3bt
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Auxiliary Sense: Yes
Number of Channels: 1
Power - Max: 90 W
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.58 грн
10+85.96 грн
25+78.22 грн
100+65.38 грн
250+61.56 грн
500+59.26 грн
1000+56.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1096PAR2G ncp1096-d.pdf
NCP1096PAR2G
Виробник: onsemi
Description: IC POE CNTRL 1 CHANNEL 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Controller (PD), DC/DC
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 0V ~ 57V
Current - Supply: 336.7µA
Internal Switch(s): Yes
Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE), 802.3bt
Supplier Device Package: 16-TSSOP-EP
Auxiliary Sense: Yes
Number of Channels: 1
Power - Max: 90 W
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.94 грн
10+117.23 грн
25+107.08 грн
100+90.00 грн
250+84.99 грн
500+81.98 грн
1000+78.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCP171AMX180175TCG ncp171-d.pdf
NCP171AMX180175TCG
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 1.8V 80MA 4-XDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 80mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 95 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 2
Supplier Device Package: 4-XDFN (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
PSRR: 65dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.11V @ 80mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.32 грн
10+44.26 грн
25+39.97 грн
100+33.01 грн
250+30.86 грн
500+29.57 грн
1000+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8406BDTRKG ncv8406-d.pdf
NCV8406BDTRKG
Виробник: onsemi
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto Restart
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 185mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: DPAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.74 грн
10+117.30 грн
25+99.22 грн
100+73.96 грн
250+64.55 грн
500+58.77 грн
1000+53.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS014N06CLTWG ntmys014n06cl-d.pdf
NTMYS014N06CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.78 грн
10+80.82 грн
100+54.36 грн
500+40.38 грн
1000+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS025N06CLTWG ntmys025n06cl-d.pdf
NTMYS025N06CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.66 грн
10+72.29 грн
100+48.52 грн
500+35.98 грн
1000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS2D4N04CTWG ntmys2d4n04c-d.pdf
NTMYS2D4N04CTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.11 грн
10+95.17 грн
100+75.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS7D3N04CLTWG ntmys7d3n04cl-d.pdf
NTMYS7D3N04CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.80 грн
10+99.10 грн
100+67.32 грн
500+50.39 грн
1000+46.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMYS8D0N04CTWG ntmys8d0n04c-d.pdf
NTMYS8D0N04CTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.02 грн
10+98.57 грн
100+66.91 грн
500+50.07 грн
1000+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LC898150XH-MH
Виробник: onsemi
Description: IC MOTOR DVR OIS AF 21WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 21-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 130mA
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.6V ~ 3.3V
Applications: General Purpose
Voltage - Load: 1.7V ~ 3.3V
Supplier Device Package: 21-WLCSP (1.17x2.77)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G14EDFT2G
MC74VHC1G14EDFT2G
Виробник: onsemi
Description: IC INVERT SCHMITT 1CH 1INP SC88A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 2.9V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.6ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD122RLG MJD122-D.PDF
MJD122RLG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 647 648 649 650 651 652 653 654 655 656 657 702 936 1170 1404 1638 1872 2106 2340 2345  [ Наступна Сторінка >> ]