Результат пошуку "40n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIKZH40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikza40n120cs7-datasheet-en.pdf Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.19 грн
10+356.07 грн
25+329.56 грн
240+269.49 грн
480+261.55 грн
720+257.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKZH40N120CS7XKSA1 AIKZH40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon_aikzh40n120cs7_datasheet_en.pdf IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AU40N120T3A5 AU40N120T3A5 LUXIN-SEMI TAU40n120t3a5_LUXIN-SEMI_0001.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,2V~5,8V; 239nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW40N120T2FKSA1; RGS80TSX2DHRC11; AU40N120T3A5 LUXIN-SEMI TAU40n120t3a5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+163.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+712.81 грн
3+596.63 грн
10+527.17 грн
30+473.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor DACMI40N1200.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Technology: SiC
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 1.2kV
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2869.26 грн
3+2255.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+360.46 грн
10+304.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies DS_IG40N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d0125921b9364704d Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.16mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.05 грн
30+236.70 грн
120+196.91 грн
510+157.41 грн
1020+147.42 грн
2010+143.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.91 грн
10+216.73 грн
20+197.48 грн
30+185.77 грн
60+169.87 грн
120+157.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW40N120R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0f4a65430e9 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/420ns
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.61 грн
30+202.48 грн
120+167.49 грн
510+133.11 грн
1020+124.33 грн
2010+118.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ140N120CH7XKSA1 IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ140N120CH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a136c02d5f Description: IGBT TRENCH FS 1200V 175A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 144 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 68ns/541ns
Switching Energy: 8.84mJ (on), 3.38mJ (off)
Gate Charge: 970 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A
Power - Max: 962 W
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+962.73 грн
30+561.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikq40n120ch3-ds-en.pdf Description: IGBT 1200V 80A TO247-3-46
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/300ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+659.28 грн
30+372.43 грн
120+314.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ40N120CT2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+427.14 грн
5+374.04 грн
10+358.98 грн
30+324.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ40N120CT2-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c0be021fb0a7d Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/328ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+340.68 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 IKW40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 IKW40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a17ad12da3 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/336ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 920µJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.24 грн
30+257.61 грн
120+214.95 грн
510+172.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120CS6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+426.24 грн
5+334.71 грн
10+282.83 грн
30+254.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 285 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.83 грн
30+238.41 грн
120+198.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Infineon TIKW40n120cs6_INFINEON_0001.pdf IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+319.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 IKW40N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 IKW40N120H3 Infineon info-tikw40n120h3.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+252.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+474.91 грн
5+343.92 грн
10+308.77 грн
30+285.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies IKW40N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591d4832f7032 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 4.4mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+577.17 грн
30+322.58 грн
120+271.32 грн
510+219.38 грн
1020+210.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon info-tikw40n120t2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+497.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 165A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+514.56 грн
2+448.51 грн
3+426.76 грн
5+398.31 грн
10+389.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies IKW40N120T2_Rev2_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d87b3ad5 Description: IGBT TRENCH 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 258 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns
Switching Energy: 5.25mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+646.77 грн
30+364.78 грн
120+308.14 грн
510+250.24 грн
1020+244.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 IKY140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY140N120CH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e1ecc5300a3d Description: IGBT TRENCH FS 1200V 232A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U10
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/407ns
Switching Energy: 2.64mJ (on), 3.9mJ (off)
Gate Charge: 1032 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 232 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A
Power - Max: 962 W
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+929.10 грн
30+540.58 грн
120+462.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 IKY140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY40N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd81786540530 Description: IGBT 1200V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/280ns
Switching Energy: 2.18mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+652.25 грн
30+368.22 грн
120+311.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA40N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a0dd1a2d53 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 95A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/360ns
Switching Energy: 970µJ (on), 1.01mJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+530.24 грн
30+293.99 грн
120+246.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA40N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P40N120KD-EPBF IRG8P40N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 60A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 240 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 10475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+425.01 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P40N120KDPBF IRG8P40N120KDPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 60A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 240 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 8036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+401.00 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_40N120A2_Datasheet.PDF IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120B2D1-Datasheet.PDF IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH40N120C3D1_Datasheet.PDF IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgh40n120c3d1-datasheet?assetguid=464a9b07-f2ac-4c4a-a7fa-3d84393cb5aa Description: IGBT PT 1200V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/130ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 380 W
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1442.92 грн
30+872.47 грн
120+759.38 грн
510+693.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR IXSA40N120L2-7TR IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR IXSA40N120L2-7TR IXYS ixsa40n120l2-7-datasheet?assetguid=91c535e6-431a-48bd-bac5-7f59dc11aae0 Description: 1200V 80m (40A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.10 грн
10+439.96 грн
100+332.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV IXSH40N120L2KHV IXYS ixsh40n120l2khv-datasheet?assetguid=ecb921c0-eed4-4667-83f5-046994313c3d Description: 1200V 80M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.84 грн
10+447.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV IXSH40N120L2KHV IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120B3D1_Datasheet.PDF IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS DS100413BIXYH40N120B3D1.pdf Description: IGBT 1200V 86A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/177ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1013.56 грн
30+594.48 грн
120+510.81 грн
510+440.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 IXYH40N120B4H1 IXYS PdfFile_145990.pdf Description: IGBT TRENCH 1200V 112A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/220ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 112 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1030.77 грн
30+605.42 грн
120+520.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 IXYH40N120B4H1 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120B4H1_Datasheet.pdf IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3_Datasheet.PDF IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS DS100416BIXYH40N120C3.pdf Description: IGBT 1200V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/125ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 577 W
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+884.52 грн
30+512.26 грн
120+437.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1 IXYH40N120C3D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixyh40n120c3d1-datasheet?assetguid=0a9184c9-b984-421b-b5a1-4ac88a5bd1cd Description: IGBT 1200V 64A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/125ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1050.32 грн
30+617.75 грн
120+531.47 грн
510+460.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1 IXYH40N120C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 IXYH40N120C4H1 IXYS ixyh40n120c4h1-datasheet?assetguid=69e21d3b-5d3d-47d2-a572-40f1948d7b05 Description: IGBT TRENCH 1200V 110A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 380 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 680 W
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1030.77 грн
30+605.19 грн
120+520.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 IXYH40N120C4H1 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120C4H1_Datasheet.pdf IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyk140n120a4_datasheet.pdf IGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4 IXYS IXYK140N120A4_DS.pdf Description: IGBT PT 1200V 480A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/590ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 12mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3578.75 грн
25+2381.80 грн
100+2310.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 IXYN140N120A4 IXYS littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyn140n120a4-datasheet?assetguid=13a5ea28-9028-4ba7-bc80-764d7c886511 Description: IGBT MODULE 1200V 380A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1070 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.3 nF @ 25 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3957.27 грн
10+2896.13 грн
100+2614.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKZH40N120CS7XKSA1 infineon-ikza40n120cs7-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+480.19 грн
10+356.07 грн
25+329.56 грн
240+269.49 грн
480+261.55 грн
720+257.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKZH40N120CS7XKSA1 infineon_aikzh40n120cs7_datasheet_en.pdf
AIKZH40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AU40N120T3A5 TAU40n120t3a5_LUXIN-SEMI_0001.pdf
AU40N120T3A5
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,2V~5,8V; 239nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW40N120T2FKSA1; RGS80TSX2DHRC11; AU40N120T3A5 LUXIN-SEMI TAU40n120t3a5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+163.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+712.81 грн
3+596.63 грн
10+527.17 грн
30+473.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200.pdf
DACMI40N1200
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Technology: SiC
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 1.2kV
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Case: SOT227B
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2869.26 грн
3+2255.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3-DTE.pdf
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+360.46 грн
10+304.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 DS_IG40N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d0125921b9364704d
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.16mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+434.05 грн
30+236.70 грн
120+196.91 грн
510+157.41 грн
1020+147.42 грн
2010+143.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+261.91 грн
10+216.73 грн
20+197.48 грн
30+185.77 грн
60+169.87 грн
120+157.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 Infineon-IHW40N120R5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b0f4a65430e9
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/420ns
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 2131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+374.61 грн
30+202.48 грн
120+167.49 грн
510+133.11 грн
1020+124.33 грн
2010+118.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon-IKQ140N120CH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a136c02d5f
IKQ140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 175A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 144 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U01
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 68ns/541ns
Switching Energy: 8.84mJ (on), 3.38mJ (off)
Gate Charge: 970 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 175 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A
Power - Max: 962 W
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+962.73 грн
30+561.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 infineon-ikq40n120ch3-ds-en.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 80A TO247-3-46
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/300ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+659.28 грн
30+372.43 грн
120+314.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+427.14 грн
5+374.04 грн
10+358.98 грн
30+324.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon-IKQ40N120CT2-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015c0be021fb0a7d
IKQ40N120CT2XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/328ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+340.68 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 Infineon-IKW40N120CH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a17ad12da3
IKW40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/336ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 920µJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+469.24 грн
30+257.61 грн
120+214.95 грн
510+172.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+426.24 грн
5+334.71 грн
10+282.83 грн
30+254.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 285 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+434.83 грн
30+238.41 грн
120+198.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon_IKW40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 TIKW40n120cs6_INFINEON_0001.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+319.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IKW40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW40N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 info-tikw40n120h3.pdf
IKW40N120H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+252.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3-DTE.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+474.91 грн
5+343.92 грн
10+308.77 грн
30+285.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591d4832f7032
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 4.4mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+577.17 грн
30+322.58 грн
120+271.32 грн
510+219.38 грн
1020+210.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf
IKW40N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 info-tikw40n120t2.pdf
IKW40N120T2
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+497.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 165A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+514.56 грн
2+448.51 грн
3+426.76 грн
5+398.31 грн
10+389.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2_Rev2_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d87b3ad5
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 258 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns
Switching Energy: 5.25mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 2382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+646.77 грн
30+364.78 грн
120+308.14 грн
510+250.24 грн
1020+244.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 Infineon-IKY140N120CH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e1ecc5300a3d
IKY140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 232A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U10
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/407ns
Switching Energy: 2.64mJ (on), 3.9mJ (off)
Gate Charge: 1032 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 232 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 560 A
Power - Max: 962 W
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+929.10 грн
30+540.58 грн
120+462.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf
IKY140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 Infineon-IKY40N120CH3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bd81786540530
IKY40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/280ns
Switching Energy: 2.18mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 190 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+652.25 грн
30+368.22 грн
120+311.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKY40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon-IKZA40N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84a33f400184e2a0dd1a2d53
IKZA40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 95A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/360ns
Switching Energy: 970µJ (on), 1.01mJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 95 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+530.24 грн
30+293.99 грн
120+246.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon-IKZA40N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IKZA40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P40N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P40N120KD-EPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 60A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 240 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 10475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+425.01 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P40N120KDPBF IRSD-S-A0000034004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P40N120KDPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 60A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/245ns
Switching Energy: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 240 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 8036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+401.00 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_40N120A2_Datasheet.PDF
IXGH40N120A2
Виробник: IXYS
IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120B2D1-Datasheet.PDF
IXGH40N120B2D1
Виробник: IXYS
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH40N120C3D1_Datasheet.PDF
IXGH40N120C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixgh40n120c3d1-datasheet?assetguid=464a9b07-f2ac-4c4a-a7fa-3d84393cb5aa
IXGH40N120C3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/130ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 380 W
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1442.92 грн
30+872.47 грн
120+759.38 грн
510+693.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf
IXSA40N120L2-7TR
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR ixsa40n120l2-7-datasheet?assetguid=91c535e6-431a-48bd-bac5-7f59dc11aae0
IXSA40N120L2-7TR
Виробник: IXYS
Description: 1200V 80m (40A @ 25C) SiC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+667.10 грн
10+439.96 грн
100+332.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV ixsh40n120l2khv-datasheet?assetguid=ecb921c0-eed4-4667-83f5-046994313c3d
IXSH40N120L2KHV
Виробник: IXYS
Description: 1200V 80M (40A @ 25C) SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 800 V
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+678.84 грн
10+447.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf
IXSH40N120L2KHV
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120B3D1_Datasheet.PDF
IXYH40N120B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 DS100413BIXYH40N120B3D1.pdf
IXYH40N120B3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 86A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/177ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1013.56 грн
30+594.48 грн
120+510.81 грн
510+440.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 PdfFile_145990.pdf
IXYH40N120B4H1
Виробник: IXYS
Description: IGBT TRENCH 1200V 112A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/220ns
Switching Energy: 5.9mJ (on), 2.9mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 112 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1030.77 грн
30+605.42 грн
120+520.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120B4H1_Datasheet.pdf
IXYH40N120B4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3_Datasheet.PDF
IXYH40N120C3
Виробник: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 DS100416BIXYH40N120C3.pdf
IXYH40N120C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 70A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/125ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 577 W
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+884.52 грн
30+512.26 грн
120+437.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1 littelfuse-discrete-igbts-ixyh40n120c3d1-datasheet?assetguid=0a9184c9-b984-421b-b5a1-4ac88a5bd1cd
IXYH40N120C3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 64A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/125ns
Switching Energy: 3.9mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1050.32 грн
30+617.75 грн
120+531.47 грн
510+460.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3D1_Datasheet.PDF
IXYH40N120C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 ixyh40n120c4h1-datasheet?assetguid=69e21d3b-5d3d-47d2-a572-40f1948d7b05
IXYH40N120C4H1
Виробник: IXYS
Description: IGBT TRENCH 1200V 110A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 380 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247 (IXYH)
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 680 W
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1030.77 грн
30+605.19 грн
120+520.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120C4H1_Datasheet.pdf
IXYH40N120C4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyk140n120a4_datasheet.pdf
IXYK140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4_DS.pdf
IXYK140N120A4
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 480A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
Supplier Device Package: TO-264 (IXYK)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/590ns
Switching Energy: 4.9mJ (on), 12mJ (off)
Test Condition: 600V, 70A, 1.5Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 1200 A
Power - Max: 1500 W
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3578.75 грн
25+2381.80 грн
100+2310.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 littelfuse-discrete-igbts-xpt-ixyn140n120a4-datasheet?assetguid=13a5ea28-9028-4ba7-bc80-764d7c886511
IXYN140N120A4
Виробник: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 380A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 140A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 380 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1070 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.3 nF @ 25 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3957.27 грн
10+2896.13 грн
100+2614.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]