Результат пошуку "40n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+684.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+820.99 грн
2+587.31 грн
6+534.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2044.23 грн
2+1794.76 грн
3+1793.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2453.07 грн
2+2236.54 грн
3+2152.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.10 грн
4+297.34 грн
9+280.48 грн
90+274.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+622.92 грн
4+370.53 грн
9+336.57 грн
90+329.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+363.12 грн
5+190.82 грн
13+180.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+435.75 грн
5+237.79 грн
13+217.03 грн
60+207.83 грн
120+206.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN-3362245.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.67 грн
10+385.79 грн
25+189.07 грн
100+156.70 грн
240+150.81 грн
480+128.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ140N120CH7XKSA1 IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3361798.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1259.12 грн
25+763.12 грн
100+589.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN-3362362.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+672.90 грн
10+630.30 грн
25+342.83 грн
100+289.12 грн
240+288.39 грн
480+265.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ40N120CT2_DS_v02_03_EN-3362626.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+857.44 грн
10+843.50 грн
25+437.73 грн
100+371.52 грн
240+370.78 грн
480+357.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 IKW40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN-3083365.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.43 грн
10+496.62 грн
25+263.37 грн
100+219.97 грн
240+219.23 грн
1200+193.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+410.17 грн
4+254.42 грн
10+240.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+492.20 грн
4+317.05 грн
10+288.76 грн
510+283.24 грн
1020+275.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3361968.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+527.85 грн
10+487.32 грн
25+292.07 грн
100+250.13 грн
240+249.40 грн
480+229.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0 IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+284.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449057.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.82 грн
25+379.02 грн
100+277.35 грн
240+276.62 грн
480+269.26 грн
2640+253.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 IKW40N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.97 грн
10+522.85 грн
25+411.98 грн
100+378.14 грн
240+356.07 грн
480+334.00 грн
1200+314.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 Infineon Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+303.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.59 грн
10+629.45 грн
25+346.51 грн
100+292.07 грн
240+291.33 грн
480+270.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+706.38 грн
10+596.45 грн
100+431.85 грн
240+431.11 грн
480+381.08 грн
1200+342.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+442.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+592.55 грн
3+423.78 грн
6+400.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+711.06 грн
3+528.10 грн
6+480.95 грн
120+459.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+752.73 грн
10+721.67 грн
25+385.50 грн
100+327.38 грн
240+326.64 грн
480+306.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 IKY140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362251.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1065.14 грн
10+1033.01 грн
25+552.50 грн
100+474.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN-3362122.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.21 грн
10+469.55 грн
25+315.61 грн
240+314.87 грн
480+296.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 IKY40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3362419.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.48 грн
10+468.70 грн
25+316.34 грн
100+266.32 грн
240+256.75 грн
480+242.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA40N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3083270.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+594.80 грн
10+581.23 грн
25+332.53 грн
100+290.59 грн
240+289.12 грн
480+270.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1 IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA40N120CS7_DataSheet_v01_10_EN-3362097.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+687.49 грн
10+667.52 грн
25+376.67 грн
100+318.55 грн
240+292.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS media-3319048.pdf IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1487.43 грн
10+1388.34 грн
30+1024.80 грн
120+887.97 грн
270+852.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS media-3322693.pdf IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1556.95 грн
30+1127.76 грн
120+885.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS media-3320514.pdf IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1179.30 грн
30+875.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR IXSA40N120L2-7TR IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+573.34 грн
10+474.63 грн
100+342.83 грн
500+303.10 грн
800+272.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV IXSH40N120L2KHV IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.35 грн
10+478.86 грн
100+347.24 грн
450+305.31 грн
900+275.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS media-3322236.pdf IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+954.42 грн
10+825.73 грн
30+586.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 IXYH40N120B4H1 IXYS media-3321654.pdf IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+911.51 грн
10+875.65 грн
30+517.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS media-3321921.pdf IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+963.87 грн
10+944.17 грн
30+503.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 IXYH40N120C4H1 IXYS media-3323848.pdf IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+852.29 грн
30+593.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4 IXYS media-3319281.pdf IGBTs TO264 1200V 140A GENX4
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3954.17 грн
10+3657.41 грн
25+2496.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 IXYN140N120A4 IXYS media-3319578.pdf IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4250.28 грн
10+3809.69 грн
100+2980.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4 IXYX140N120A4 IXYS media-3321393.pdf IGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4100.94 грн
10+3862.99 грн
30+2610.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW40N120FLA_TO_247AB_-3044597.pdf IGBTs
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+907.22 грн
10+647.22 грн
100+423.02 грн
500+406.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.12 грн
3+409.99 грн
7+387.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+764.54 грн
3+510.91 грн
7+465.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG onsemi ngtb40n120fl3w-d.pdf IGBTs IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.05 грн
10+437.40 грн
30+254.55 грн
120+205.26 грн
300+200.11 грн
600+182.45 грн
1050+155.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+751.01 грн
10+547.38 грн
100+379.61 грн
500+365.63 грн
800+357.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi ntbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1544.07 грн
10+1288.51 грн
100+1100.58 грн
250+1053.50 грн
500+940.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S onsemi nth4l040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1091.75 грн
10+1075.31 грн
30+573.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 onsemi nth4l040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1666.81 грн
10+1570.24 грн
30+1032.16 грн
120+1001.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S onsemi nthl040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+854.86 грн
10+778.35 грн
30+517.18 грн
120+476.72 грн
270+473.78 грн
510+454.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 onsemi nthl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1582.70 грн
10+1507.63 грн
30+928.43 грн
120+921.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1153.55 грн
10+1111.69 грн
500+907.83 грн
800+802.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 onsemi nvbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1905.42 грн
10+1648.92 грн
25+1431.64 грн
100+1367.63 грн
250+1223.44 грн
500+1174.88 грн
800+1135.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3S NVH4L040N120M3S onsemi nvh4l040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1527.77 грн
10+1486.48 грн
30+962.27 грн
120+946.09 грн
270+871.78 грн
510+870.31 грн
1020+863.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 onsemi nvh4l040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1488.28 грн
10+1462.79 грн
30+1176.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 onsemi nvhl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1330.36 грн
10+1307.12 грн
30+1132.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7 SCTH40N120G2V-7 STMicroelectronics scth40n120g2v-7.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1352.67 грн
10+998.32 грн
25+866.63 грн
100+762.17 грн
250+760.70 грн
500+759.22 грн
1000+645.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2V SCTW40N120G2V STMicroelectronics sctw40n120g2v.pdf SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1061.71 грн
10+1045.70 грн
25+712.88 грн
100+704.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+684.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+820.99 грн
2+587.31 грн
6+534.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183
DACMI40N1200
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2044.23 грн
2+1794.76 грн
3+1793.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA87FAFFE195C000C4&compId=DACMI40N1200.pdf?ci_sign=afc0347e263519ba2690c35291ab4f67593da183
DACMI40N1200
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Technology: SiC
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Operating temperature: -55...150°C
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2453.07 грн
2+2236.54 грн
3+2152.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.10 грн
4+297.34 грн
9+280.48 грн
90+274.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3717611A24FA8&compId=IGW40N120H3-DTE.pdf?ci_sign=6b7e50c22310b6e9d6b61594307c9e8b688024d8
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+622.92 грн
4+370.53 грн
9+336.57 грн
90+329.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+363.12 грн
5+190.82 грн
13+180.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCA5EF2915F820&compId=IHW40N120R5.pdf?ci_sign=ff87a8c36a7c399a49fec60936b41c23e7a4c9aa
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.75 грн
5+237.79 грн
13+217.03 грн
60+207.83 грн
120+206.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN-3362245.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.67 грн
10+385.79 грн
25+189.07 грн
100+156.70 грн
240+150.81 грн
480+128.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ140N120CH7XKSA1 Infineon_IKQ140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3361798.pdf
IKQ140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1259.12 грн
25+763.12 грн
100+589.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN-3362362.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+672.90 грн
10+630.30 грн
25+342.83 грн
100+289.12 грн
240+288.39 грн
480+265.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 Infineon_IKQ40N120CT2_DS_v02_03_EN-3362626.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+857.44 грн
10+843.50 грн
25+437.73 грн
100+371.52 грн
240+370.78 грн
480+357.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN-3083365.pdf
IKW40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+530.43 грн
10+496.62 грн
25+263.37 грн
100+219.97 грн
240+219.23 грн
1200+193.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+410.17 грн
4+254.42 грн
10+240.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0A66D3DFBB8BF&compId=IKW40N120CS6.pdf?ci_sign=31fae688f4eaa08099e8297f1be2823d2dbebf7b
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.20 грн
4+317.05 грн
10+288.76 грн
510+283.24 грн
1020+275.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon_IKW40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3361968.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+527.85 грн
10+487.32 грн
25+292.07 грн
100+250.13 грн
240+249.40 грн
480+229.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 Infineon-IKW40N120CS6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801e23716c0
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon_IKW40N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449057.pdf
IKW40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+612.82 грн
25+379.02 грн
100+277.35 грн
240+276.62 грн
480+269.26 грн
2640+253.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf
IKW40N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+617.97 грн
10+522.85 грн
25+411.98 грн
100+378.14 грн
240+356.07 грн
480+334.00 грн
1200+314.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+303.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362050.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+650.59 грн
10+629.45 грн
25+346.51 грн
100+292.07 грн
240+291.33 грн
480+270.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf
IKW40N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+706.38 грн
10+596.45 грн
100+431.85 грн
240+431.11 грн
480+381.08 грн
1200+342.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+442.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+592.55 грн
3+423.78 грн
6+400.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD0E2F7E6320259&compId=IKW40N120T2.pdf?ci_sign=6bbbb8c74de3acef3716a77652baf5b260d1e5ac
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+711.06 грн
3+528.10 грн
6+480.95 грн
120+459.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 Infineon_IKW40N120T2_DS_v02_04_EN-3362199.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+752.73 грн
10+721.67 грн
25+385.50 грн
100+327.38 грн
240+326.64 грн
480+306.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3362251.pdf
IKY140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1065.14 грн
10+1033.01 грн
25+552.50 грн
100+474.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN-3362122.pdf
IKY40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.21 грн
10+469.55 грн
25+315.61 грн
240+314.87 грн
480+296.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 Infineon_IKY40N120CS6_DataSheet_v02_01_EN-3362419.pdf
IKY40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+566.48 грн
10+468.70 грн
25+316.34 грн
100+266.32 грн
240+256.75 грн
480+242.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon_IKZA40N120CH7_DataSheet_v01_20_EN-3083270.pdf
IKZA40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+594.80 грн
10+581.23 грн
25+332.53 грн
100+290.59 грн
240+289.12 грн
480+270.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CS7XKSA1 Infineon_IKZA40N120CS7_DataSheet_v01_10_EN-3362097.pdf
IKZA40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+687.49 грн
10+667.52 грн
25+376.67 грн
100+318.55 грн
240+292.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 media-3319048.pdf
IXGH40N120A2
Виробник: IXYS
IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1487.43 грн
10+1388.34 грн
30+1024.80 грн
120+887.97 грн
270+852.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 media-3322693.pdf
IXGH40N120B2D1
Виробник: IXYS
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1556.95 грн
30+1127.76 грн
120+885.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 media-3320514.pdf
IXGH40N120C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1179.30 грн
30+875.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf
IXSA40N120L2-7TR
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.34 грн
10+474.63 грн
100+342.83 грн
500+303.10 грн
800+272.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf
IXSH40N120L2KHV
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+579.35 грн
10+478.86 грн
100+347.24 грн
450+305.31 грн
900+275.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 media-3322236.pdf
IXYH40N120B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+954.42 грн
10+825.73 грн
30+586.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 media-3321654.pdf
IXYH40N120B4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+911.51 грн
10+875.65 грн
30+517.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 media-3321921.pdf
IXYH40N120C3
Виробник: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+963.87 грн
10+944.17 грн
30+503.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 media-3323848.pdf
IXYH40N120C4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+852.29 грн
30+593.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 media-3319281.pdf
IXYK140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs TO264 1200V 140A GENX4
на замовлення 3234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3954.17 грн
10+3657.41 грн
25+2496.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 media-3319578.pdf
IXYN140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4250.28 грн
10+3809.69 грн
100+2980.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4 media-3321393.pdf
IXYX140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4100.94 грн
10+3862.99 грн
30+2610.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MIW40N120FLA-BP MIW40N120FLA_TO_247AB_-3044597.pdf
MIW40N120FLA-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBTs
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+907.22 грн
10+647.22 грн
100+423.02 грн
500+406.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+637.12 грн
3+409.99 грн
7+387.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+764.54 грн
3+510.91 грн
7+465.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: onsemi
IGBTs IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.05 грн
10+437.40 грн
30+254.55 грн
120+205.26 грн
300+200.11 грн
600+182.45 грн
1050+155.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+751.01 грн
10+547.38 грн
100+379.61 грн
500+365.63 грн
800+357.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1544.07 грн
10+1288.51 грн
100+1100.58 грн
250+1053.50 грн
500+940.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S nth4l040n120m3s-d.pdf
NTH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1091.75 грн
10+1075.31 грн
30+573.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 nth4l040n120sc1-d.pdf
NTH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1666.81 грн
10+1570.24 грн
30+1032.16 грн
120+1001.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S nthl040n120m3s-d.pdf
NTHL040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+854.86 грн
10+778.35 грн
30+517.18 грн
120+476.72 грн
270+473.78 грн
510+454.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 nthl040n120sc1-d.pdf
NTHL040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1582.70 грн
10+1507.63 грн
30+928.43 грн
120+921.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S-D.PDF
NVBG040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1153.55 грн
10+1111.69 грн
500+907.83 грн
800+802.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 nvbg040n120sc1-d.pdf
NVBG040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1905.42 грн
10+1648.92 грн
25+1431.64 грн
100+1367.63 грн
250+1223.44 грн
500+1174.88 грн
800+1135.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3S nvh4l040n120m3s-d.pdf
NVH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1527.77 грн
10+1486.48 грн
30+962.27 грн
120+946.09 грн
270+871.78 грн
510+870.31 грн
1020+863.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1 nvh4l040n120sc1-d.pdf
NVH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1488.28 грн
10+1462.79 грн
30+1176.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
NVHL040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1330.36 грн
10+1307.12 грн
30+1132.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTH40N120G2V-7 scth40n120g2v-7.pdf
SCTH40N120G2V-7
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1352.67 грн
10+998.32 грн
25+866.63 грн
100+762.17 грн
250+760.70 грн
500+759.22 грн
1000+645.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2V sctw40n120g2v.pdf
SCTW40N120G2V
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1061.71 грн
10+1045.70 грн
25+712.88 грн
100+704.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]