Результат пошуку "40n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AU40N120T3A5 AU40N120T3A5 LUXIN-SEMI TAU40n120t3a5_LUXIN-SEMI_0001.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,2V~5,8V; 239nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW40N120T2FKSA1; RGS80TSX2DHRC11; AU40N120T3A5 LUXIN-SEMI TAU40n120t3a5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+163.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+696.37 грн
3+583.30 грн
10+514.97 грн
30+463.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200 DACO Semiconductor DACMI40N1200.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2803.43 грн
3+2203.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+358.95 грн
10+303.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW40N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+243.19 грн
3+189.99 грн
10+154.16 грн
20+143.32 грн
30+136.66 грн
120+134.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.52 грн
10+180.72 грн
100+129.45 грн
480+116.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.27 грн
10+386.91 грн
100+283.83 грн
480+275.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ40N120CT2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+425.36 грн
5+372.48 грн
10+357.48 грн
30+323.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 IKW40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.28 грн
10+266.70 грн
100+193.83 грн
480+174.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120CS6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+372.41 грн
5+320.81 грн
10+292.48 грн
30+264.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 Infineon TIKW40n120cs6_INFINEON_0001.pdf IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+321.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+503.16 грн
10+284.21 грн
100+206.30 грн
480+188.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 IKW40N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+548.39 грн
10+359.84 грн
100+253.37 грн
480+224.29 грн
1200+198.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 IKW40N120H3 Infineon info-tikw40n120h3.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+253.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+465.74 грн
5+355.81 грн
10+314.98 грн
30+284.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.51 грн
10+281.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.54 грн
10+421.14 грн
100+295.60 грн
480+262.37 грн
1200+232.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 IKW40N120T2 Infineon info-tikw40n120t2.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+499.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+498.05 грн
2+436.64 грн
3+415.81 грн
5+387.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.31 грн
10+335.96 грн
100+245.75 грн
480+232.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 IKY140N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+902.95 грн
10+591.51 грн
100+460.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+661.46 грн
10+382.13 грн
100+281.06 грн
480+272.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA40N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.82 грн
10+305.71 грн
100+222.91 грн
480+206.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 IXGH40N120A2 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_40N120A2_Datasheet.PDF IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1563.60 грн
10+1151.17 грн
120+865.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120B2D1-Datasheet.PDF IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1540.99 грн
10+1134.45 грн
120+767.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 IXGH40N120C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH40N120C3D1_Datasheet.PDF IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1310.81 грн
10+890.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR IXSA40N120L2-7TR IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.89 грн
10+408.40 грн
100+261.68 грн
500+254.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV IXSH40N120L2KHV IXYS Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+587.97 грн
10+415.57 грн
120+277.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 IXYH40N120B3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120B3D1_Datasheet.PDF IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+905.37 грн
10+566.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 IXYH40N120B4H1 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120B4H1_Datasheet.pdf IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1020.86 грн
10+819.19 грн
120+593.27 грн
510+529.58 грн
1020+495.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 IXYH40N120C3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3_Datasheet.PDF IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+914.25 грн
10+671.91 грн
120+485.97 грн
510+433.36 грн
1020+411.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1 IXYH40N120C3D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3D1_Datasheet.PDF IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1045.90 грн
10+839.10 грн
120+607.81 грн
510+542.05 грн
1020+515.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 IXYH40N120C4H1 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120C4H1_Datasheet.pdf IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1020.86 грн
10+819.19 грн
120+593.27 грн
510+528.89 грн
1020+494.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 IXYK140N120A4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyk140n120a4_datasheet.pdf IGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3386.46 грн
10+2830.96 грн
100+2416.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 IXYN140N120A4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn140n120a4_datasheet.pdf IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4387.94 грн
10+3757.63 грн
100+2734.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4 IXYX140N120A4 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx140n120a4_datasheet.pdf IGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3358.19 грн
10+2607.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+300.62 грн
3+250.82 грн
10+221.65 грн
30+205.82 грн
120+192.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LGEGW40N120F2 LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120F2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+309.60 грн
3+258.32 грн
10+228.32 грн
30+211.65 грн
120+198.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW40N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+300.62 грн
3+250.82 грн
10+221.65 грн
30+205.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG ONSEMI ngtb40n120fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+487.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG NGTB40N120FL2WG onsemi ngtb40n120fl2w-d.pdf IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.12 грн
10+296.15 грн
120+215.99 грн
600+214.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+448.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+730.92 грн
10+503.14 грн
100+359.29 грн
500+335.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1 onsemi ntbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1331.81 грн
10+1055.64 грн
100+911.72 грн
500+880.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S onsemi nth4l040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1081.44 грн
10+679.88 грн
120+537.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 ONSEMI NTH4L040N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1346.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1 onsemi nth4l040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1410.96 грн
10+1007.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S NTHL040N120M3S onsemi nthl040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+818.95 грн
10+481.65 грн
120+355.83 грн
510+355.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 NTHL040N120SC1 onsemi nthl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1369.77 грн
10+1016.63 грн
120+863.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1459.42 грн
10+1029.37 грн
100+804.41 грн
500+751.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 onsemi nvbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1847.89 грн
10+1414.68 грн
100+1173.39 грн
500+1064.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3S NVH4L040N120M3S onsemi nvh4l040n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1497.37 грн
10+928.26 грн
120+799.57 грн
510+776.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 onsemi nvh4l040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1441.65 грн
10+1265.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 NVHL040N120SC1 onsemi nvhl040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1913.31 грн
10+1438.57 грн
120+1122.86 грн
510+1060.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics sctw40n120g2vag.pdf SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1278.50 грн
10+781.78 грн
100+634.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS40N120HB,S1Q TRS40N120HB,S1Q Toshiba TRS40N120HB_datasheet_en_20240612.pdf SiC Schottky Diodes 1200 V/40 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1359.27 грн
10+961.70 грн
100+733.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IHW40N1203 80A 1200V TO-247
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+720.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW40N120H3(K40H1203)+diode 40А 1200V TO-247
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+460.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
7MBI40N-120 module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7MBI40N120 FUJI MODULE
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AU40N120T3A5 TAU40n120t3a5_LUXIN-SEMI_0001.pdf
AU40N120T3A5
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 375W; 4,2V~5,8V; 239nC; -40°C~175°C; Similar to: IKW40N120T2FKSA1; RGS80TSX2DHRC11; AU40N120T3A5 LUXIN-SEMI TAU40n120t3a5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+163.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BGH40N120HS1
BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+696.37 грн
3+583.30 грн
10+514.97 грн
30+463.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DACMI40N1200 DACMI40N1200.pdf
DACMI40N1200
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2803.43 грн
3+2203.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3-DTE.pdf
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+358.95 грн
10+303.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 IHW40N120R5.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-off time: 440ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.19 грн
3+189.99 грн
10+154.16 грн
20+143.32 грн
30+136.66 грн
120+134.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N120R5XKSA1 Infineon_IHW40N120R5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IHW40N120R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.52 грн
10+180.72 грн
100+129.45 грн
480+116.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 Infineon_IKQ40N120CH3_DS_v02_03_EN.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+662.27 грн
10+386.91 грн
100+283.83 грн
480+275.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 40A
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+425.36 грн
5+372.48 грн
10+357.48 грн
30+323.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CH7XKSA1 Infineon_IKW40N120CH7_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.28 грн
10+266.70 грн
100+193.83 грн
480+174.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+372.41 грн
5+320.81 грн
10+292.48 грн
30+264.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 TIKW40n120cs6_INFINEON_0001.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 40A TO247-3-46 TrenchStop -40+175°C   IKW40N120CS6XKSA1 Infineon Technologies TIKW40n120cs6
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IKW40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.16 грн
10+284.21 грн
100+206.30 грн
480+188.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW40N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+548.39 грн
10+359.84 грн
100+253.37 грн
480+224.29 грн
1200+198.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3 info-tikw40n120h3.pdf
IKW40N120H3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C;   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+253.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 IKW40N120H3-DTE.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Manufacturer series: H3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.74 грн
5+355.81 грн
10+314.98 грн
30+284.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120H3FKSA1 Infineon_IKW40N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW40N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.51 грн
10+281.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf
IKW40N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+606.54 грн
10+421.14 грн
100+295.60 грн
480+262.37 грн
1200+232.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2 info-tikw40n120t2.pdf
IKW40N120T2
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+499.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 165A
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.05 грн
2+436.64 грн
3+415.81 грн
5+387.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120T2FKSA1 Infineon-IKW40N120T2-DS-v02_04-EN.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+540.31 грн
10+335.96 грн
100+245.75 грн
480+232.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY140N120CH7XKSA1 Infineon_IKY140N120CH7_DataSheet_v01_20_EN.pdf
IKY140N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+902.95 грн
10+591.51 грн
100+460.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 Infineon_IKY40N120CH3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKY40N120CH3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+661.46 грн
10+382.13 грн
100+281.06 грн
480+272.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA40N120CH7XKSA1 Infineon-IKZA40N120CH7-DataSheet-v01_20-EN.pdf
IKZA40N120CH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.82 грн
10+305.71 грн
100+222.91 грн
480+206.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120A2 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_40N120A2_Datasheet.PDF
IXGH40N120A2
Виробник: IXYS
IGBTs SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1563.60 грн
10+1151.17 грн
120+865.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120B2D1-Datasheet.PDF
IXGH40N120B2D1
Виробник: IXYS
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1540.99 грн
10+1134.45 грн
120+767.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXGH40N120C3D1_Datasheet.PDF
IXGH40N120C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs 75Amps 1200V
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1310.81 грн
10+890.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSA40N120L2-7TR Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSA40N120L2-7_Datasheet.pdf
IXSA40N120L2-7TR
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+579.89 грн
10+408.40 грн
100+261.68 грн
500+254.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXSH40N120L2KHV Littelfuse_01-31-2025_Power_Semiconductor_SiC_MOSFET_IXSH40N120L2KHV_Datasheet.pdf
IXSH40N120L2KHV
Виробник: IXYS
SiC MOSFETs 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+587.97 грн
10+415.57 грн
120+277.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120B3D1_Datasheet.PDF
IXYH40N120B3D1
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 1200V 40A GENX3
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+905.37 грн
10+566.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120B4H1 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120B4H1_Datasheet.pdf
IXYH40N120B4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120B4H1
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1020.86 грн
10+819.19 грн
120+593.27 грн
510+529.58 грн
1020+495.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3_Datasheet.PDF
IXYH40N120C3
Виробник: IXYS
IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+914.25 грн
10+671.91 грн
120+485.97 грн
510+433.36 грн
1020+411.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C3D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH40N120C3D1_Datasheet.PDF
IXYH40N120C3D1
Виробник: IXYS
IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1045.90 грн
10+839.10 грн
120+607.81 грн
510+542.05 грн
1020+515.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH40N120C4H1 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYH40N120C4H1_Datasheet.pdf
IXYH40N120C4H1
Виробник: IXYS
IGBTs IXYH40N120C4H1
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1020.86 грн
10+819.19 грн
120+593.27 грн
510+528.89 грн
1020+494.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYK140N120A4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyk140n120a4_datasheet.pdf
IXYK140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs Disc IGBT XPT Gen4 1200V 140A TO264
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3386.46 грн
10+2830.96 грн
100+2416.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYN140N120A4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn140n120a4_datasheet.pdf
IXYN140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs SOT227 1200V 140A XPT
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4387.94 грн
10+3757.63 грн
100+2734.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYX140N120A4 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx140n120a4_datasheet.pdf
IXYX140N120A4
Виробник: IXYS
IGBTs PLUS247 1200V 140A GENX4
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3358.19 грн
10+2607.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F LGEGW40N120F.pdf
LGEGW40N120F
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 110W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 134ns
Turn-off time: 503ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.62 грн
3+250.82 грн
10+221.65 грн
30+205.82 грн
120+192.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120F2 LGEGW40N120F2.pdf
LGEGW40N120F2
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 417W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 135ns
Turn-off time: 270ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.60 грн
3+258.32 грн
10+228.32 грн
30+211.65 грн
120+198.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW40N120TS LGEGW40N120TS.pdf
LGEGW40N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 121ns
Turn-off time: 310ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.62 грн
3+250.82 грн
10+221.65 грн
30+205.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG ngtb40n120fl2w-d.pdf
NGTB40N120FL2WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 267W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 313nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL2WG ngtb40n120fl2w-d.pdf
NGTB40N120FL2WG
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V/40A FAST IGBT FSII
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+520.12 грн
10+296.15 грн
120+215.99 грн
600+214.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
NGTB40N120FL3WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 160A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S-D.PDF
NTBG040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+730.92 грн
10+503.14 грн
100+359.29 грн
500+335.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG040N120SC1 ntbg040n120sc1-d.pdf
NTBG040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1331.81 грн
10+1055.64 грн
100+911.72 грн
500+880.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120M3S nth4l040n120m3s-d.pdf
NTH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1081.44 грн
10+679.88 грн
120+537.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 NTH4L040N120SC1.PDF
NTH4L040N120SC1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1346.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L040N120SC1 nth4l040n120sc1-d.pdf
NTH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1410.96 грн
10+1007.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3S nthl040n120m3s-d.pdf
NTHL040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+818.95 грн
10+481.65 грн
120+355.83 грн
510+355.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1 nthl040n120sc1-d.pdf
NTHL040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1369.77 грн
10+1016.63 грн
120+863.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S-D.PDF
NVBG040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1459.42 грн
10+1029.37 грн
100+804.41 грн
500+751.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 nvbg040n120sc1-d.pdf
NVBG040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1847.89 грн
10+1414.68 грн
100+1173.39 грн
500+1064.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120M3S nvh4l040n120m3s-d.pdf
NVH4L040N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1497.37 грн
10+928.26 грн
120+799.57 грн
510+776.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L040N120SC1 nvh4l040n120sc1-d.pdf
NVH4L040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1441.65 грн
10+1265.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL040N120SC1 nvhl040n120sc1-d.pdf
NVHL040N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1913.31 грн
10+1438.57 грн
120+1122.86 грн
510+1060.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCTW40N120G2VAG sctw40n120g2vag.pdf
SCTW40N120G2VAG
Виробник: STMicroelectronics
SiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1278.50 грн
10+781.78 грн
100+634.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS40N120HB,S1Q TRS40N120HB_datasheet_en_20240612.pdf
TRS40N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes 1200 V/40 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1359.27 грн
10+961.70 грн
100+733.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IHW40N1203 80A 1200V TO-247
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+720.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW40N120H3(K40H1203)+diode 40А 1200V TO-247
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+460.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
7MBI40N-120
Виробник: module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
7MBI40N120
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]