Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11085) > Сторінка 178 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 162 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIZ200DT-T1-GE3 SIZ200DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz200dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA465EDJ-T1-GE3 SIA465EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia465edj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC820ED-T1-GE3 SIC820ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic820_sic820a.pdf Description: IC POWER STAGE 80A 5X6 MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: 39-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Output Configuration: High Side
Voltage - Supply: 3.3V ~ 5V
Applications: DC-DC Converters, Synchronous Buck Converter
Current - Output / Channel: 80A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 12V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP39-65
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, UVLO
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC820ED-T1-GE3 SIC820ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic820_sic820a.pdf Description: IC POWER STAGE 80A 5X6 MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: 39-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Output Configuration: High Side
Voltage - Supply: 3.3V ~ 5V
Applications: DC-DC Converters, Synchronous Buck Converter
Current - Output / Channel: 80A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 12V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP39-65
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, UVLO
Load Type: Inductive
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.02 грн
10+299.73 грн
25+276.82 грн
100+236.14 грн
250+224.88 грн
500+218.08 грн
1000+209.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58ADP-T1-RE3 SIRA58ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira58adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.82 грн
6000+33.04 грн
9000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58ADP-T1-RE3 SIRA58ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira58adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 10340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.67 грн
10+72.58 грн
100+55.83 грн
500+41.35 грн
1000+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA58ADP-T1-GE3 SIJA58ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sija58adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA58ADP-T1-GE3 SIJA58ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sija58adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.51 грн
10+56.04 грн
100+43.62 грн
500+34.69 грн
1000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3 SIHFL9014TR-GE3 Vishay Siliconix sihfl901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3 SIHFL9014TR-GE3 Vishay Siliconix sihfl901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.68 грн
10+49.55 грн
100+32.55 грн
500+23.70 грн
1000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR320-GE3 SIHFR320-GE3 Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.57 грн
10+52.16 грн
100+35.41 грн
500+25.87 грн
1000+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISH129DN-T1-GE3 SISH129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish129dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH129DN-T1-GE3 SISH129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish129dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.94 грн
10+56.43 грн
100+41.27 грн
500+30.32 грн
1000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA14N60E-GE3 SIHA14N60E-GE3 Vishay Siliconix siha14n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.27 грн
50+71.56 грн
100+70.87 грн
500+66.07 грн
1000+61.55 грн
2000+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3 SQ2310CES-T1_GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7946adp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 7.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 19.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 7.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-GE3 SI7439DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7439dp.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+140.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3 SUM80090E-GE3 Vishay Siliconix sum80090e.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V
на замовлення 5911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.55 грн
10+146.74 грн
100+125.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3 SI7738DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7738dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3 SI7738DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7738dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ860EP-T1_GE3 SQJ860EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj860ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.43 грн
6000+24.11 грн
9000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ860EP-T1_GE3 SQJ860EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj860ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.04 грн
10+58.09 грн
100+40.18 грн
500+31.51 грн
1000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDP-T1-RE3 SIR870BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir870bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1_GE3 SQS180ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs180elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1_GE3 SQS180ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs180elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.08 грн
10+54.22 грн
100+48.05 грн
500+40.06 грн
1000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ENW-T1_GE3 SQS180ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs180enw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ENW-T1_GE3 SQS180ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs180enw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.62 грн
10+59.84 грн
100+46.51 грн
500+36.99 грн
1000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SiR5112DP-T1-RE3 SiR5112DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5112dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 42.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiR5112DP-T1-RE3 SiR5112DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5112dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 42.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.51 грн
10+104.87 грн
100+83.47 грн
500+66.28 грн
1000+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5110DP-T1-RE3 SIR5110DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5110dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5110DP-T1-RE3 SIR5110DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5110dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_BE3 SQJ481EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj481ep.pdf Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_BE3 SQJ481EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj481ep.pdf Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_BE3 SQJ464EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj464ep.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.67 грн
6000+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_BE3 SQJ464EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj464ep.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.00 грн
10+72.97 грн
100+48.60 грн
500+35.79 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ418EP-T1_BE3 SQJ418EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj418ep.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.34 грн
6000+32.41 грн
9000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ418EP-T1_BE3 SQJ418EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj418ep.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.48 грн
10+67.28 грн
100+52.36 грн
500+41.64 грн
1000+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_BE3 SQJ486EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj486ep.pdf Description: N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 37 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.09 грн
6000+33.10 грн
9000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_BE3 SQJ486EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj486ep.pdf Description: N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 37 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.12 грн
10+68.70 грн
100+53.47 грн
500+42.54 грн
1000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T2_GE3 SQJ459EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj459ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T2_GE3 SQJ459EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj459ep.pdf Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.05 грн
10+72.89 грн
100+56.71 грн
500+45.11 грн
1000+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_BE3 SQJ444EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj444ep.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.65 грн
6000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_BE3 SQJ444EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj444ep.pdf Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.16 грн
10+75.51 грн
100+58.74 грн
500+46.72 грн
1000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUA70090E-E3 SUA70090E-E3 Vishay Siliconix sua70090e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 42.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5110DN-T1-GE3 SISS5110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss5110dn.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 46.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5110DN-T1-GE3 SISS5110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss5110dn.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 46.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
на замовлення 11950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.34 грн
10+104.63 грн
100+72.13 грн
500+53.98 грн
1000+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA64EP-T1_BE3 SQJA64EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja64ep.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.19 грн
6000+18.42 грн
9000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA64EP-T1_BE3 SQJA64EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja64ep.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.42 грн
10+44.40 грн
100+30.69 грн
500+24.07 грн
1000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32501DNP-T1-GE4 SIP32501DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32501.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 66mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.9V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: Reverse Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-BE3 SI1869DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1869dh.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 132mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 20V
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-BE3 SI1869DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1869dh.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 132mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 20V
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3 SQJQ904E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq904e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3 SQJQ904E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq904e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.09 грн
10+178.87 грн
100+144.69 грн
500+120.70 грн
1000+103.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA100N60E-GE3 SIHA100N60E-GE3 Vishay Siliconix siha100n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.12 грн
50+226.90 грн
100+207.23 грн
500+162.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3 SQ1440EH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1440eh.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.11 грн
6000+12.56 грн
9000+11.72 грн
15000+10.98 грн
21000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3 SQ1440EH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1440eh.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.16 грн
13+25.80 грн
100+19.77 грн
500+17.01 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-GE3 SI4866DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4866dy.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-GE3 SI4866DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4866dy.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5800E-T1-GE3 SIJH5800E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh5800e.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+232.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5800E-T1-GE3 SIJH5800E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh5800e.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.53 грн
10+385.84 грн
100+312.11 грн
500+260.35 грн
1000+222.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ200DT-T1-GE3 siz200dt.pdf
SIZ200DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA465EDJ-T1-GE3 sia465edj.pdf
SIA465EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC820ED-T1-GE3 sic820_sic820a.pdf
SIC820ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC POWER STAGE 80A 5X6 MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: 39-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Output Configuration: High Side
Voltage - Supply: 3.3V ~ 5V
Applications: DC-DC Converters, Synchronous Buck Converter
Current - Output / Channel: 80A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 12V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP39-65
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, UVLO
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC820ED-T1-GE3 sic820_sic820a.pdf
SIC820ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC POWER STAGE 80A 5X6 MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: 39-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Output Configuration: High Side
Voltage - Supply: 3.3V ~ 5V
Applications: DC-DC Converters, Synchronous Buck Converter
Current - Output / Channel: 80A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 12V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP39-65
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, UVLO
Load Type: Inductive
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.02 грн
10+299.73 грн
25+276.82 грн
100+236.14 грн
250+224.88 грн
500+218.08 грн
1000+209.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58ADP-T1-RE3 sira58adp.pdf
SIRA58ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.82 грн
6000+33.04 грн
9000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58ADP-T1-RE3 sira58adp.pdf
SIRA58ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 10340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.67 грн
10+72.58 грн
100+55.83 грн
500+41.35 грн
1000+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA58ADP-T1-GE3 sija58adp.pdf
SIJA58ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA58ADP-T1-GE3 sija58adp.pdf
SIJA58ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.51 грн
10+56.04 грн
100+43.62 грн
500+34.69 грн
1000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3 sihfl901.pdf
SIHFL9014TR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFL9014TR-GE3 sihfl901.pdf
SIHFL9014TR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.68 грн
10+49.55 грн
100+32.55 грн
500+23.70 грн
1000+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR320-GE3 sihfr320.pdf
SIHFR320-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.57 грн
10+52.16 грн
100+35.41 грн
500+25.87 грн
1000+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISH129DN-T1-GE3 sish129dn.pdf
SISH129DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH129DN-T1-GE3 sish129dn.pdf
SISH129DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.94 грн
10+56.43 грн
100+41.27 грн
500+30.32 грн
1000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA14N60E-GE3 siha14n60e.pdf
SIHA14N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.27 грн
50+71.56 грн
100+70.87 грн
500+66.07 грн
1000+61.55 грн
2000+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3
SQ2310CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946ADP-T1-GE3 si7946adp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 150V 7.7A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 19.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 7.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7439DP-T1-GE3 si7439dp.pdf
SI7439DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+140.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3 sum80090e.pdf
SUM80090E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V
на замовлення 5911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.55 грн
10+146.74 грн
100+125.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3 si7738dp.pdf
SI7738DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-E3 si7738dp.pdf
SI7738DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ860EP-T1_GE3 sqj860ep.pdf
SQJ860EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.43 грн
6000+24.11 грн
9000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ860EP-T1_GE3 sqj860ep.pdf
SQJ860EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.04 грн
10+58.09 грн
100+40.18 грн
500+31.51 грн
1000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870BDP-T1-RE3 sir870bdp.pdf
SIR870BDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+69.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1_GE3 sqs180elnw.pdf
SQS180ELNW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ELNW-T1_GE3 sqs180elnw.pdf
SQS180ELNW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.08 грн
10+54.22 грн
100+48.05 грн
500+40.06 грн
1000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ENW-T1_GE3 sqs180enw.pdf
SQS180ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS180ENW-T1_GE3 sqs180enw.pdf
SQS180ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.62 грн
10+59.84 грн
100+46.51 грн
500+36.99 грн
1000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SiR5112DP-T1-RE3 sir5112dp.pdf
SiR5112DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 42.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiR5112DP-T1-RE3 sir5112dp.pdf
SiR5112DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 42.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.51 грн
10+104.87 грн
100+83.47 грн
500+66.28 грн
1000+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5110DP-T1-RE3 sir5110dp.pdf
SIR5110DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5110DP-T1-RE3 sir5110dp.pdf
SIR5110DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_BE3 sqj481ep.pdf
SQJ481EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_BE3 sqj481ep.pdf
SQJ481EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_BE3 sqj464ep.pdf
SQJ464EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.67 грн
6000+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ464EP-T1_BE3 sqj464ep.pdf
SQJ464EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.00 грн
10+72.97 грн
100+48.60 грн
500+35.79 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ418EP-T1_BE3 sqj418ep.pdf
SQJ418EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.34 грн
6000+32.41 грн
9000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ418EP-T1_BE3 sqj418ep.pdf
SQJ418EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.48 грн
10+67.28 грн
100+52.36 грн
500+41.64 грн
1000+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_BE3 sqj486ep.pdf
SQJ486EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 37 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.09 грн
6000+33.10 грн
9000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ486EP-T1_BE3 sqj486ep.pdf
SQJ486EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 75-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 37 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.12 грн
10+68.70 грн
100+53.47 грн
500+42.54 грн
1000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T2_GE3 sqj459ep.pdf
SQJ459EP-T2_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ459EP-T2_GE3 sqj459ep.pdf
SQJ459EP-T2_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4586 pF @ 30 V
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.05 грн
10+72.89 грн
100+56.71 грн
500+45.11 грн
1000+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_BE3 sqj444ep.pdf
SQJ444EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.65 грн
6000+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ444EP-T1_BE3 sqj444ep.pdf
SQJ444EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.16 грн
10+75.51 грн
100+58.74 грн
500+46.72 грн
1000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUA70090E-E3 sua70090e.pdf
SUA70090E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 42.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5110DN-T1-GE3 siss5110dn.pdf
SISS5110DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 46.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS5110DN-T1-GE3 siss5110dn.pdf
SISS5110DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 46.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
на замовлення 11950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.34 грн
10+104.63 грн
100+72.13 грн
500+53.98 грн
1000+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA64EP-T1_BE3 sqja64ep.pdf
SQJA64EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.19 грн
6000+18.42 грн
9000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA64EP-T1_BE3 sqja64ep.pdf
SQJA64EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.42 грн
10+44.40 грн
100+30.69 грн
500+24.07 грн
1000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32501DNP-T1-GE4 sip32501.pdf
SIP32501DNP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 4TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 66mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0.9V ~ 2.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: Reverse Current
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-BE3 si1869dh.pdf
SI1869DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 132mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 20V
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-BE3 si1869dh.pdf
SI1869DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 132mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 20V
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3 sqjq904e.pdf
SQJQ904E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ904E-T1_GE3 sqjq904e.pdf
SQJQ904E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 75W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.09 грн
10+178.87 грн
100+144.69 грн
500+120.70 грн
1000+103.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA100N60E-GE3 siha100n60e.pdf
SIHA100N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.12 грн
50+226.90 грн
100+207.23 грн
500+162.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3 sq1440eh.pdf
SQ1440EH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.11 грн
6000+12.56 грн
9000+11.72 грн
15000+10.98 грн
21000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3 sq1440eh.pdf
SQ1440EH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.16 грн
13+25.80 грн
100+19.77 грн
500+17.01 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-GE3 si4866dy.pdf
SI4866DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-GE3 si4866dy.pdf
SI4866DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5800E-T1-GE3 sijh5800e.pdf
SIJH5800E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+232.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5800E-T1-GE3 sijh5800e.pdf
SIJH5800E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.53 грн
10+385.84 грн
100+312.11 грн
500+260.35 грн
1000+222.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 162 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 185  [ Наступна Сторінка >> ]