Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11116) > Сторінка 178 з 186

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 162 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 186  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIJ188DP-T1-GE3 SIJ188DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij188dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ188DP-T1-GE3 SIJ188DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij188dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.14 грн
10+95.21 грн
100+64.47 грн
500+48.16 грн
1000+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-BE3 SI1926DL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 510mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), 370mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-BE3 SI1926DL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 510mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), 370mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.65 грн
11+31.90 грн
100+20.47 грн
500+14.56 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DG213DJ-E3 DG213DJ-E3 Vishay Siliconix dg213.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 60OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 130ns, 100ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB085N60EF-GE3 SIHB085N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb085n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.32 грн
10+267.42 грн
100+199.52 грн
500+182.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG411DY DG411DY Vishay Siliconix DG411-413.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA22DP-T1-GE3 SIJA22DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sija22dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA22DP-T1-GE3 SIJA22DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sija22dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.97 грн
10+74.63 грн
100+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GPBF IRFIBF30GPBF Vishay Siliconix 91186.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.36 грн
50+208.74 грн
100+178.93 грн
500+149.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40081EL_GE3 SQM40081EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40081el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40081EL_GE3 SQM40081EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40081el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.95 грн
10+114.15 грн
100+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQA604CEJW-T1_GE3 SQA604CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa604cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA604CEJW-T1_GE3 SQA604CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa604cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.03 грн
10+32.80 грн
100+22.78 грн
500+16.69 грн
1000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50C-E3 SIHP12N50C-E3 Vishay Siliconix sihp12n5.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.17 грн
10+279.48 грн
100+200.38 грн
500+156.41 грн
1000+149.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164ADP-T1-GE3 SIR164ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir164adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.88 грн
6000+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164ADP-T1-GE3 SIR164ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir164adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 8814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.33 грн
10+76.92 грн
100+52.05 грн
500+39.32 грн
1000+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR166DP-T1-GE3 SIR166DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir166dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR166DP-T1-GE3 SIR166DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir166dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.59 грн
10+84.06 грн
100+66.79 грн
500+51.62 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG403BDJ-E3 DG403BDJ-E3 Vishay Siliconix dg401b.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 45OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 60pC
Crosstalk: -94.8dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 100ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.37 грн
10+263.16 грн
25+242.44 грн
100+206.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3 SIHF9630STRL-GE3 Vishay Siliconix sihf9630.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3 SIHF9630STRL-GE3 Vishay Siliconix sihf9630.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.40 грн
10+83.07 грн
100+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQS966ENW-T1_GE3 SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs966enw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS966ENW-T1_GE3 SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs966enw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+110.71 грн
10+67.49 грн
100+44.91 грн
500+33.05 грн
1000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR610DP-T1-RE3 SIR610DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir610dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.07 грн
6000+52.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR610DP-T1-RE3 SIR610DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir610dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
на замовлення 16007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.69 грн
10+109.07 грн
100+80.25 грн
500+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiR618DP-T1-GE3 SiR618DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir618dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiR618DP-T1-GE3 SiR618DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir618dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 4378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.65 грн
10+42.40 грн
100+36.39 грн
500+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR624DP-T1-RE3 SIR624DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir624dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3 SIA110DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia110dj.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3 SIA110DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia110dj.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.82 грн
10+70.28 грн
100+46.64 грн
500+34.25 грн
1000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4490dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 SISH114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-sish114adn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 SISH114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-sish114adn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.77 грн
11+31.33 грн
100+29.09 грн
500+26.04 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3 SQJQ131EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq131el.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3 SQJQ131EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq131el.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.86 грн
10+222.65 грн
100+157.19 грн
500+121.30 грн
1000+112.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF-BE3 IRFR9014PBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr901.pdf Description: P-CHANNEL 60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.44 грн
75+66.25 грн
150+59.57 грн
525+46.98 грн
1050+43.12 грн
2025+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBF-BE3 IRFR9120PBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr912.pdf Description: P-CHANNEL 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.98 грн
75+78.36 грн
150+74.24 грн
525+55.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-BE3 SI1553CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1553cdl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V, 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V, 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-BE3 SI1553CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1553cdl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V, 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V, 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.69 грн
12+28.70 грн
100+17.12 грн
500+13.00 грн
1000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3 SIS112LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis112ldn.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.97 грн
6000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3 SIS112LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis112ldn.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.80 грн
10+43.87 грн
100+30.36 грн
500+23.81 грн
1000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50C-E3 SIHF18N50C-E3 Vishay Siliconix SIHP18N50C%2C%20SIHF18N50C.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG70N60AEF-GE3 SIHG70N60AEF-GE3 Vishay Siliconix sihg70n60aef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 410 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5348 pF @ 100 V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+821.79 грн
10+641.12 грн
100+484.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3 SIHFR220TRL-GE3 Vishay Siliconix sihfr220.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ELNW-T1_GE3 SQS140ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs140elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ELNW-T1_GE3 SQS140ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs140elnw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.63 грн
10+74.79 грн
100+50.03 грн
500+36.99 грн
1000+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 SUM60061EL-GE3 Vishay Siliconix sum60061el.pdf Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+195.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 SUM60061EL-GE3 Vishay Siliconix sum60061el.pdf Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 8494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.11 грн
10+315.56 грн
100+230.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SISH112DN-T1-GE3 SISH112DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish112dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.66 грн
6000+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH112DN-T1-GE3 SISH112DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish112dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
на замовлення 11998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.03 грн
10+92.01 грн
100+62.19 грн
500+46.39 грн
1000+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH116DN-T1-GE3 SISH116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish116dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.05 грн
6000+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH116DN-T1-GE3 SISH116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish116dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.55 грн
10+105.71 грн
100+80.78 грн
500+60.74 грн
1000+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH110DN-T1-GE3 SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish110dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH110DN-T1-GE3 SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish110dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720 IRF720 Vishay Siliconix 91043.pdf description Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3 SI1902CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1902cdl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 420mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3 SI1902CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1902cdl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 420mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.13 грн
13+26.00 грн
100+15.08 грн
500+12.11 грн
1000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq184e.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+117.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 SQJQ184E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq184e.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+332.12 грн
10+211.16 грн
100+149.53 грн
500+129.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ188DP-T1-GE3 sij188dp.pdf
SIJ188DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ188DP-T1-GE3 sij188dp.pdf
SIJ188DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.14 грн
10+95.21 грн
100+64.47 грн
500+48.16 грн
1000+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-BE3 si1926dl.pdf
SI1926DL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 510mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), 370mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-BE3 si1926dl.pdf
SI1926DL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 510mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), 370mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.65 грн
11+31.90 грн
100+20.47 грн
500+14.56 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DG213DJ-E3 dg213.pdf
DG213DJ-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 60OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 130ns, 100ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB085N60EF-GE3 sihb085n60ef.pdf
SIHB085N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.32 грн
10+267.42 грн
100+199.52 грн
500+182.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG411DY DG411-413.pdf
DG411DY
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA22DP-T1-GE3 sija22dp.pdf
SIJA22DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA22DP-T1-GE3 sija22dp.pdf
SIJA22DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.97 грн
10+74.63 грн
100+57.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GPBF 91186.pdf
IRFIBF30GPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.36 грн
50+208.74 грн
100+178.93 грн
500+149.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40081EL_GE3 sqm40081el.pdf
SQM40081EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40081EL_GE3 sqm40081el.pdf
SQM40081EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.95 грн
10+114.15 грн
100+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQA604CEJW-T1_GE3 sqa604cejw.pdf
SQA604CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA604CEJW-T1_GE3 sqa604cejw.pdf
SQA604CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.03 грн
10+32.80 грн
100+22.78 грн
500+16.69 грн
1000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50C-E3 sihp12n5.pdf
SIHP12N50C-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.17 грн
10+279.48 грн
100+200.38 грн
500+156.41 грн
1000+149.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164ADP-T1-GE3 sir164adp.pdf
SIR164ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.88 грн
6000+31.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164ADP-T1-GE3 sir164adp.pdf
SIR164ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 8814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.33 грн
10+76.92 грн
100+52.05 грн
500+39.32 грн
1000+35.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR166DP-T1-GE3 sir166dp.pdf
SIR166DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR166DP-T1-GE3 sir166dp.pdf
SIR166DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.59 грн
10+84.06 грн
100+66.79 грн
500+51.62 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG403BDJ-E3 dg401b.pdf
DG403BDJ-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 45OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 60pC
Crosstalk: -94.8dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 100ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.37 грн
10+263.16 грн
25+242.44 грн
100+206.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3 sihf9630.pdf
SIHF9630STRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3 sihf9630.pdf
SIHF9630STRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.40 грн
10+83.07 грн
100+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQS966ENW-T1_GE3 sqs966enw.pdf
SQS966ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQS966ENW-T1_GE3 sqs966enw.pdf
SQS966ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.71 грн
10+67.49 грн
100+44.91 грн
500+33.05 грн
1000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR610DP-T1-RE3 sir610dp.pdf
SIR610DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+55.07 грн
6000+52.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR610DP-T1-RE3 sir610dp.pdf
SIR610DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
на замовлення 16007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.69 грн
10+109.07 грн
100+80.25 грн
500+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiR618DP-T1-GE3 sir618dp.pdf
SiR618DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiR618DP-T1-GE3 sir618dp.pdf
SiR618DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 4378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.65 грн
10+42.40 грн
100+36.39 грн
500+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR624DP-T1-RE3 sir624dp.pdf
SIR624DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3 sia110dj.pdf
SIA110DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3 sia110dj.pdf
SIA110DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.82 грн
10+70.28 грн
100+46.64 грн
500+34.25 грн
1000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3 si4490dy.pdf
SI4490DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 tf-sish114adn-t1-ge3.pdf
SISH114ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 tf-sish114adn-t1-ge3.pdf
SISH114ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.77 грн
11+31.33 грн
100+29.09 грн
500+26.04 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3 sqjq131el.pdf
SQJQ131EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3 sqjq131el.pdf
SQJQ131EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.86 грн
10+222.65 грн
100+157.19 грн
500+121.30 грн
1000+112.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF-BE3 sihfr901.pdf
IRFR9014PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.44 грн
75+66.25 грн
150+59.57 грн
525+46.98 грн
1050+43.12 грн
2025+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBF-BE3 sihfr912.pdf
IRFR9120PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.98 грн
75+78.36 грн
150+74.24 грн
525+55.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-BE3 si1553cdl.pdf
SI1553CDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V, 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V, 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-BE3 si1553cdl.pdf
SI1553CDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V, 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V, 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.69 грн
12+28.70 грн
100+17.12 грн
500+13.00 грн
1000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3 sis112ldn.pdf
SIS112LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.97 грн
6000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3 sis112ldn.pdf
SIS112LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.80 грн
10+43.87 грн
100+30.36 грн
500+23.81 грн
1000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF18N50C-E3 SIHP18N50C%2C%20SIHF18N50C.pdf
SIHF18N50C-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG70N60AEF-GE3 sihg70n60aef.pdf
SIHG70N60AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 410 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5348 pF @ 100 V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+821.79 грн
10+641.12 грн
100+484.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3 sihfr220.pdf
SIHFR220TRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ELNW-T1_GE3 sqs140elnw.pdf
SQS140ELNW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS140ELNW-T1_GE3 sqs140elnw.pdf
SQS140ELNW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.63 грн
10+74.79 грн
100+50.03 грн
500+36.99 грн
1000+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
SUM60061EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+195.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
SUM60061EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 8494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.11 грн
10+315.56 грн
100+230.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SISH112DN-T1-GE3 sish112dn.pdf
SISH112DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.66 грн
6000+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH112DN-T1-GE3 sish112dn.pdf
SISH112DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
на замовлення 11998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.03 грн
10+92.01 грн
100+62.19 грн
500+46.39 грн
1000+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH116DN-T1-GE3 sish116dn.pdf
SISH116DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+55.05 грн
6000+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH116DN-T1-GE3 sish116dn.pdf
SISH116DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.55 грн
10+105.71 грн
100+80.78 грн
500+60.74 грн
1000+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH110DN-T1-GE3 sish110dn.pdf
SISH110DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH110DN-T1-GE3 sish110dn.pdf
SISH110DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720 description 91043.pdf
IRF720
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 420mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-BE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 420mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.13 грн
13+26.00 грн
100+15.08 грн
500+12.11 грн
1000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 sqjq184e.pdf
SQJQ184E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+117.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184E-T1_GE3 sqjq184e.pdf
SQJQ184E-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 272 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+332.12 грн
10+211.16 грн
100+149.53 грн
500+129.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 162 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 186  [ Наступна Сторінка >> ]