Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149481) > Сторінка 2482 з 2492

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2477 2478 2479 2480 2481 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC60N04S6L030HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N031H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309103dd5fe9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65H5XKSA1 IKP30N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP30N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 36A; 188W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FB14F6AEA11C&compId=BSC0504NSI-DTE.pdf?ci_sign=d63935e40a03d855fe2b4edfdc5a882564f66b04 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 30W
Drain current: 64A
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60BE6327 BCW60BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5401881EE2469&compId=BCW60.pdf?ci_sign=d99b80daca59c88194d51478d004c1281c00cc49 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
143+3.09 грн
193+2.13 грн
232+1.77 грн
262+1.57 грн
283+1.45 грн
500+1.39 грн
1000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB042N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 4.2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2942DFAC9811C&compId=BSC030N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=90236da1284451d503f0fed752c2e6792526b2e2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C29AE622C2411C&compId=BSC030N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=fa74a2d00c0b3ef0eae78e3feb1591dabba26cf5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD030N03LF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES datasheet?p=RFNL20TJ6SFHG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: Transistors - Unclassified
Description: IPD030N03LF2SATMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
ITS711L1 ITS711L1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS711L1.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.7A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.7A
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: DSO20
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
Output voltage: 2...4V
Kind of output: N-Channel
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+442.45 грн
10+304.24 грн
50+261.60 грн
100+244.38 грн
250+222.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP77E6433 BSP77E6433 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975EB63FE4A469&compId=BSP77E6433.pdf?ci_sign=6239ab778401a773ab18950fa653d6f33d6eda79 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.58 грн
10+111.53 грн
25+99.23 грн
100+83.65 грн
250+73.81 грн
500+67.24 грн
1000+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d3b403a7a02ca Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 6A; 21W; TO220FP; SMT
Mounting: THT
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.49Ω
Drain current: 6A
Power dissipation: 21W
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 600V
Technology: MOSFET
Kind of channel: enhancement
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1804E6327HTSA1 BAT1804E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT18.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOT23; double series; Ufmax: 1.2V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1.2V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+43.27 грн
15+28.37 грн
25+23.13 грн
100+16.65 грн
500+12.14 грн
1000+10.74 грн
3000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 143W
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+145.72 грн
5+91.03 грн
10+83.65 грн
50+68.88 грн
75+65.60 грн
150+59.04 грн
450+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDSMFM010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Interface: QUAD SPI
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 80MHz
Type of integrated circuit: FLASH memory
Application: automotive
Case: SOIC16
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDSMFM013 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Interface: QUAD SPI
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 80MHz
Type of integrated circuit: FLASH memory
Application: automotive
Case: SOIC16
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP460H6327XTSA1 BFP460H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343
Kind of transistor: RF
Case: SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.23W
Collector-emitter voltage: 4.5V
Frequency: 22GHz
Current gain: 90...160
Polarisation: bipolar
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+20.31 грн
28+15.09 грн
31+13.37 грн
36+11.56 грн
50+10.50 грн
100+9.68 грн
250+8.86 грн
500+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS126I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017376e5a5f370d1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 280Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Application: automotive industry
Electrical mounting: SMT
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS064SAGNFB033 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; LGA8; serial
Application: automotive
Kind of package: reel; tape
Case: LGA8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Operating voltage: 1.7...2V
Memory: 64Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A2F20A319EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7424pbf.pdf?ci_sign=2acda5302fc942a596720f26cd0040453e140573 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9317pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.26 грн
21+20.17 грн
24+17.39 грн
50+11.81 грн
100+10.00 грн
500+6.97 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFA003 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL128SS25FL256S_128_Mb_(16_MB)256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
Operating frequency: 133MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBF008A81DDA143&compId=IRFS7734TRLPBF.pdf?ci_sign=378c073419cbee0051b53b13427597d9b9d84be5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+87.43 грн
10+75.45 грн
100+72.17 грн
250+64.78 грн
500+61.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBF IRFS4615TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C919EF3AF7F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4615pbf.pdf?ci_sign=00aacefc98a77bbdafb41717ba543c793224741a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP126N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCV27E6327 BCV27E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869911BE77406469&compId=BCV27E6327.pdf?ci_sign=0b7df3e49f8a209e013846618a78af40dc82aaae Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.73 грн
25+16.98 грн
100+9.59 грн
500+6.42 грн
1000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFDF1FF656693D1&compId=IPN80R600P7.pdf?ci_sign=74698a736421a2fe8081b11c8402fd2740b28ada Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 7.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2 IPB120N06S402ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPB120N06S402.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 364A
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 757A
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 9A; 41W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFB8F0CDC860D5&compId=IRF100x201.pdf?ci_sign=06ba51b9318616c3f07bc1af27d7d1e387b87aee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF100P218-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d3eca4b83 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Case: PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
на замовлення 9599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.36 грн
46+8.94 грн
60+6.92 грн
100+6.22 грн
500+4.95 грн
1000+4.53 грн
3000+3.99 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT165N08S5N029.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 2.9mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3906E6327HTSA1 SMBT3906E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SMBT3906E6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.48 грн
63+6.56 грн
77+5.35 грн
100+4.85 грн
250+4.20 грн
500+3.70 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB030N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.82 грн
10+170.57 грн
100+123.01 грн
250+111.53 грн
500+103.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 235ns
Turn-on time: 320ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846SH6327XTSA1 BC846SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5E8A42A64A469&compId=BC846UE6327.pdf?ci_sign=ea630812afe3a68be987098d6de4ca9d0884f66b Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Mounting: SMD
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7446TRPBF IRFH7446TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH7446TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 117A; 78W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Trade name: StrongIRFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 117A
Power dissipation: 78W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBF IRFR7446TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR7446TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 98W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56A
Power dissipation: 98W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC69180631E11C&compId=BSC360N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=135a0d3070f5fa4bbd05a46b3c050f04f344d55f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 74W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 33A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 150V
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404WH6327XTSA1 BAT5404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+4.42 грн
117+3.53 грн
125+3.30 грн
250+3.15 грн
500+2.82 грн
1000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 BAT5405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
84+5.30 грн
95+4.35 грн
104+3.98 грн
250+3.79 грн
500+3.41 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC010N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 67nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N18TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T560N.pdf Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 559A
Case: BG-T4814K0-1
Max. forward impulse current: 8kA
Gate current: 200mA
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Max. load current: 809A
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T3160N18TOFVTXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES T3160N.pdf Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 7kA; 3.16kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 3.16kA
Case: BG-T11126K-1
Max. forward impulse current: 63kA
Gate current: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Max. load current: 7kA
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD160N18SOF INFINEON TECHNOLOGIES TT160N18SOF_TD160N18SOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.82V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 160A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 145mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT160N18SOF INFINEON TECHNOLOGIES TT160N18SOF_TD160N18SOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 160A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 145mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68FE6327 BCW68FE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCW68FE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+15.01 грн
42+9.92 грн
100+6.54 грн
250+5.58 грн
1000+4.49 грн
3000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68HE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 3489000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 IPA60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8121E29F2620C7&compId=IPA60R180P7.pdf?ci_sign=c50b97310bf5cc30162633128355da9e77326508 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.49 грн
21+20.01 грн
24+17.30 грн
50+11.73 грн
100+9.92 грн
500+6.89 грн
1000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 118W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 54A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L045H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753091111b5fec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 18A; Idm: 193A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 193A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N031H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309103dd5fe9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65H5XKSA1 IKP30N65H5-DTE.pdf
IKP30N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 36A; 188W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FB14F6AEA11C&compId=BSC0504NSI-DTE.pdf?ci_sign=d63935e40a03d855fe2b4edfdc5a882564f66b04
BSC0504NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 30W
Drain current: 64A
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60BE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5401881EE2469&compId=BCW60.pdf?ci_sign=d99b80daca59c88194d51478d004c1281c00cc49
BCW60BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
143+3.09 грн
193+2.13 грн
232+1.77 грн
262+1.57 грн
283+1.45 грн
500+1.39 грн
1000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3G-DTE.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 4.2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2942DFAC9811C&compId=BSC030N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=90236da1284451d503f0fed752c2e6792526b2e2
BSC030N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C29AE622C2411C&compId=BSC030N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=fa74a2d00c0b3ef0eae78e3feb1591dabba26cf5
BSC030N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD030N03LF2SATMA1 datasheet?p=RFNL20TJ6SFHG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: IPD030N03LF2SATMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
ITS711L1 ITS711L1.pdf
ITS711L1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.7A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.7A
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: DSO20
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
Output voltage: 2...4V
Kind of output: N-Channel
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.45 грн
10+304.24 грн
50+261.60 грн
100+244.38 грн
250+222.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP77E6433 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586975EB63FE4A469&compId=BSP77E6433.pdf?ci_sign=6239ab778401a773ab18950fa653d6f33d6eda79
BSP77E6433
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.58 грн
10+111.53 грн
25+99.23 грн
100+83.65 грн
250+73.81 грн
500+67.24 грн
1000+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P7SXKSA1 Infineon-IPA60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d3b403a7a02ca
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 6A; 21W; TO220FP; SMT
Mounting: THT
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.49Ω
Drain current: 6A
Power dissipation: 21W
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 600V
Technology: MOSFET
Kind of channel: enhancement
Case: TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1804E6327HTSA1 BAT18.pdf
BAT1804E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOT23; double series; Ufmax: 1.2V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1.2V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.27 грн
15+28.37 грн
25+23.13 грн
100+16.65 грн
500+12.14 грн
1000+10.74 грн
3000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272
IRFU4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 143W
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+145.72 грн
5+91.03 грн
10+83.65 грн
50+68.88 грн
75+65.60 грн
150+59.04 грн
450+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDSMFM010 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Interface: QUAD SPI
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 80MHz
Type of integrated circuit: FLASH memory
Application: automotive
Case: SOIC16
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDSMFM013
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 80MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Interface: QUAD SPI
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 512Mb FLASH
Operating frequency: 80MHz
Type of integrated circuit: FLASH memory
Application: automotive
Case: SOIC16
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP460H6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
BFP460H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343
Kind of transistor: RF
Case: SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.23W
Collector-emitter voltage: 4.5V
Frequency: 22GHz
Current gain: 90...160
Polarisation: bipolar
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.31 грн
28+15.09 грн
31+13.37 грн
36+11.56 грн
50+10.50 грн
100+9.68 грн
250+8.86 грн
500+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126IXTSA1 Infineon-BSS126I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017376e5a5f370d1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 280Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Application: automotive industry
Electrical mounting: SMT
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS064SAGNFB033
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; LGA8; serial
Application: automotive
Kind of package: reel; tape
Case: LGA8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Interface: QUAD SPI
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Operating voltage: 1.7...2V
Memory: 64Mb FLASH
Operating frequency: 133MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A2F20A319EF1A303005056AB0C4F&compId=irf7424pbf.pdf?ci_sign=2acda5302fc942a596720f26cd0040453e140573
IRF7424TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF irf9317pbf.pdf
IRF9317TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.26 грн
21+20.17 грн
24+17.39 грн
50+11.81 грн
100+10.00 грн
500+6.97 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFA003 Infineon-S25FL128SS25FL256S_128_Mb_(16_MB)256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; WSON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: WSON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
Operating frequency: 133MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBF008A81DDA143&compId=IRFS7734TRLPBF.pdf?ci_sign=378c073419cbee0051b53b13427597d9b9d84be5
IRFS7734TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+87.43 грн
10+75.45 грн
100+72.17 грн
250+64.78 грн
500+61.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C919EF3AF7F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4615pbf.pdf?ci_sign=00aacefc98a77bbdafb41717ba543c793224741a
IRFS4615TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3G-DTE.pdf
IPP126N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCV27E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869911BE77406469&compId=BCV27E6327.pdf?ci_sign=0b7df3e49f8a209e013846618a78af40dc82aaae
BCV27E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.73 грн
25+16.98 грн
100+9.59 грн
500+6.42 грн
1000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFDF1FF656693D1&compId=IPN80R600P7.pdf?ci_sign=74698a736421a2fe8081b11c8402fd2740b28ada
IPN80R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 7.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2 IPB120N06S402.pdf
IPB120N06S402ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 364A
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 757A
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon-IPD60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d550931ef0f70
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 9A; 41W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 41W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100S201 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFB8F0CDC860D5&compId=IRF100x201.pdf?ci_sign=06ba51b9318616c3f07bc1af27d7d1e387b87aee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 255nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100P218AKMA1 Infineon-IRF100P218-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d3eca4b83
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf
BSS314PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Case: PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
на замовлення 9599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.36 грн
46+8.94 грн
60+6.92 грн
100+6.22 грн
500+4.95 грн
1000+4.53 грн
3000+3.99 грн
6000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029.pdf
IAUT165N08S5N029ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 2.9mΩ
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3906E6327HTSA1 SMBT3906E6327.pdf
SMBT3906E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.33W; SOT23
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.33W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.48 грн
63+6.56 грн
77+5.35 грн
100+4.85 грн
250+4.20 грн
500+3.70 грн
1000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3G-DTE.pdf
IPB030N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 3mΩ
Drain current: 160A
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.82 грн
10+170.57 грн
100+123.01 грн
250+111.53 грн
500+103.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106STRPBF INFN-S-A0002363322-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 235ns
Turn-on time: 320ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846SH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5E8A42A64A469&compId=BC846UE6327.pdf?ci_sign=ea630812afe3a68be987098d6de4ca9d0884f66b
BC846SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Mounting: SMD
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7446TRPBF IRFH7446TRPBF.pdf
IRFH7446TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 117A; 78W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Trade name: StrongIRFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 117A
Power dissipation: 78W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7446TRPBF IRFR7446TRPBF.pdf
IRFR7446TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 56A; 98W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 56A
Power dissipation: 98W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC69180631E11C&compId=BSC360N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=135a0d3070f5fa4bbd05a46b3c050f04f344d55f
BSC360N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 74W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 33A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 150V
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404WH6327XTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5404WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.42 грн
117+3.53 грн
125+3.30 грн
250+3.15 грн
500+2.82 грн
1000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405WH6327XTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
84+5.30 грн
95+4.35 грн
104+3.98 грн
250+3.79 грн
500+3.41 грн
1000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 67nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T560N18TOFXPSA1 T560N.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 809A; 559A; Igt: 200mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 559A
Case: BG-T4814K0-1
Max. forward impulse current: 8kA
Gate current: 200mA
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Max. load current: 809A
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T3160N18TOFVTXPSA1 T3160N.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 7kA; 3.16kA; Igt: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 3.16kA
Case: BG-T11126K-1
Max. forward impulse current: 63kA
Gate current: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Features of semiconductor devices: phase controlled thyristor (PCT)
Max. load current: 7kA
Kind of package: in-tray
Mounting: Press-Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD160N18SOF TT160N18SOF_TD160N18SOF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; Ufmax: 1.82V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 160A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 145mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT160N18SOF TT160N18SOF_TD160N18SOF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.8kV; 160A; BG-PB34SB-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 160A
Case: BG-PB34SB-1
Max. forward voltage: 1.82V
Max. forward impulse current: 5.2kA
Gate current: 145mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68FE6327 BCW68FE6327.pdf
BCW68FE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.01 грн
42+9.92 грн
100+6.54 грн
250+5.58 грн
1000+4.49 грн
3000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCW68HE6327HTSA1 bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 3489000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8121E29F2620C7&compId=IPA60R180P7.pdf?ci_sign=c50b97310bf5cc30162633128355da9e77326508
IPA60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327-DTE.pdf
BSS215PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.49 грн
21+20.01 грн
24+17.30 грн
50+11.73 грн
100+9.92 грн
500+6.89 грн
1000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R400CEAUMA1 Infineon-IPD65R400CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539eb64cd44f67
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 118W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2477 2478 2479 2480 2481 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]