Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149641) > Сторінка 2482 з 2495

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2477 2478 2479 2480 2481 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2490 2495  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC60N04S6N044ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFV040 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0017271261-1.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1 IPP027N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAFCABC5B6C11C&compId=IPP027N08N5-DTE.pdf?ci_sign=d638ad1442dc6e4a6a31df125f3b8d30b1be77b3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 BSC027N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C28C362FDB011C&compId=BSC027N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=b4036c8c678d896af86300efb48f1e355064edf4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC027N10NM6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISC027N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017babb690f45f94 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+172.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+221.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65H5XKSA1 IKP30N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP30N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 36A; 188W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL23I06PJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BD85B5CF77038BF&compId=2EDL23x06xx.pdf?ci_sign=b1ad70b6d943ae40ef982d8b7da102dac65c5aea Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,IGBT gate driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-14
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4122KV13-106FCXC INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 144MbSRAM; 8Mx18bit; FCBGA361; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 144Mb SRAM
Memory organisation: 8Mx18bit
Case: FCBGA361
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.3V DC
Frequency: 1066MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY2308SXC-2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY2308_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebcea4d2ec4&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Unclassified
Description: CY2308SXC-2
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
48+786.73 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A1D665F78576611C&compId=BSC018N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=a448f615d48397db4a1ff62d882c665a5be96e9f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD028N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a84489a82df3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 139A; 150W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 139A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 2.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Electrical mounting: SMT
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+56.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD038N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183ad6c7fb66010 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 120A; 107W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 3.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IKA08N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af92196985c58 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+123.09 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E449F0943811C&compId=BSZ123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=3c3f5976f273d1c142310ae9d70a9357326ae452 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42764GV50ATMA1 TLE42764GV50ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A500F9AACDF8BF&compId=TLE42764.pdf?ci_sign=630c4e85cd0b963d269fd0b6779c2d5202f2f373 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; PG-TO263-5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.4A
Case: PG-TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 4.5...41V
Tolerance: ±2%
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.30 грн
10+99.11 грн
25+93.51 грн
50+90.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E1D6F7216143&compId=IPN50R800CE.pdf?ci_sign=accad286030e42619725ab62412467d686624c67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.48 грн
12+34.37 грн
25+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 IPN50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E631A6348143&compId=IPN50R950CE.pdf?ci_sign=ac3de499a9fd2d8fc1a237d5338cae3102b6188d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+26.94 грн
25+22.62 грн
100+19.98 грн
500+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TLF80511TFV50ATMA1 TLF80511TFV50ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE44A76C40F8259&compId=TLF80511TF.pdf?ci_sign=ecd3e1499f0b989509bd5cb6445a5f7cfe6a9c9c Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; DPAK; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.4A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 3.3...40V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+92.10 грн
10+62.34 грн
18+52.75 грн
49+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E0C9155E0211C&compId=BSZ0506NS-DTE.pdf?ci_sign=732a43a878218d794f7544f1ee6aa17909633f10 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.4mΩ
Drain current: 40A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R520CPATMA1 IPD50R520CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE4422384511CC&compId=IPD50R520CP-DTE.pdf?ci_sign=59719c11dbc24ff54e5674dee8b83eaaebfc9d7f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.52Ω
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 66W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2F74B50B0811C&compId=BSC0501NSI-DTE.pdf?ci_sign=3e21b3e46ed68d71901e7df3c9e2d2453ebc58d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
Drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2F97603E5E11C&compId=BSC0503NSI-DTE.pdf?ci_sign=a6a74026fb5f694d37118891f31071200b7efebf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
Drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FB14F6AEA11C&compId=BSC0504NSI-DTE.pdf?ci_sign=d63935e40a03d855fe2b4edfdc5a882564f66b04 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 30W
Drain current: 64A
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0502NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe57d2cf66d3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500101TAEATMA1
+1
 		BTS500101TAEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995D9856FE6F5F8BF&compId=BTS500101TAE.pdf?ci_sign=5d0a2bebb22f6dcba9d96688de2a190e13c6a6f8 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 40A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 40A
Case: PG-TO263-7-10
Mounting: SMD
Technology: Power PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 1.6mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 8...18V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE21DE817C51CC&compId=IPB50R140CP-DTE.pdf?ci_sign=45627403317b96047f4f657018cd9396a8da34fd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPATMA1 IPB50R199CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE2013C528B1CC&compId=IPB50R199CP-DTE.pdf?ci_sign=39a3387fe3500f1534847defb15501961bc6e9ed Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 139W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.199Ω
Drain current: 17A
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1 IPB50R299CPATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE16838A8D31CC&compId=IPB50R299CP-DTE.pdf?ci_sign=21774922362582fa75c1396f564c139c0e9df58f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.299Ω
Drain current: 12A
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60BE6327 BCW60BE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5401881EE2469&compId=BCW60.pdf?ci_sign=d99b80daca59c88194d51478d004c1281c00cc49 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
143+3.01 грн
193+2.08 грн
232+1.73 грн
262+1.53 грн
283+1.41 грн
500+1.35 грн
1000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC40I12AHXUMA1 1EDC40I12AHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896B62E86916C33D6&compId=1EDCxxX12AH.pdf?ci_sign=da6f019cc801fa37109c75303e594cae5bfb0871 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -4÷4A
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Kind of package: reel; tape
Topology: single transistor
Output current: -4...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 600/650/1200V
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB042N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 4.2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BC30E9D769F1A303005056AB0C4F&compId=irfhs8342pbf.pdf?ci_sign=9841042d5a4e90aaa2733a943d1ed93cd7c4eeff Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 9.9A; 2.1W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80N08S2L07ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA38E1D3190C143&compId=IPB80N08S2L07.pdf?ci_sign=4b890f2806c1600f6c8c2c08ada4dbdb292ede4e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA180N08S5N026-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39a3760b35 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 546A; 179W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 179W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38725BC2E96811C&compId=BSC076N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=360dd0f290089c5f67d6f09e520aad476ca8d393 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1 IPW80R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBC0CC33F624143&compId=IPW80R280P7.pdf?ci_sign=1623f61fd440464f34971b01da5d47ae914d8f8a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 101W; PG-TO247-3; ESD
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 101W
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 800V
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.28Ω
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.15 грн
3+211.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TT251N16KOFHPSA1 TT251N16KOFHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE585CE787EB8C9E469&compId=TT251N18KOF.pdf?ci_sign=3a12e8551cff06ea6af1b7da4fcd294bd77f4081 Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 251A; BG-PB50-1; screw
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 300mA
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 251A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 9.1kA
Case: BG-PB50-1
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15911.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA431C5A27B2143&compId=IPD30N03S4L09.pdf?ci_sign=438adb46aa105baf766359ee5aef619066f5ec53 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E467F845CC11C&compId=BSZ130N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=4efa016b36e3e919650f3576dd46577ae855e941 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2942DFAC9811C&compId=BSC030N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=90236da1284451d503f0fed752c2e6792526b2e2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C29AE622C2411C&compId=BSC030N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=fa74a2d00c0b3ef0eae78e3feb1591dabba26cf5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E48AE7C69A11C&compId=BSZ130N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=f9ca3856ae6190f72d64bb628930d1076a5f9175 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N03S4L_14-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426f9b13b2c&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 30V; 30A; 31W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 31W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD030N03LF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES datasheet?p=RFNL20TJ6SFHG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: Transistors - Unclassified
Description: IPD030N03LF2SATMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM836-024MATR IRSM836-024MATR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF14B6DE88815EA&compId=IRSM836-024MATR.pdf?ci_sign=56c083589115c54c17e0717f86f2e27acf8be7a1 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; iMOTION™; PQFN12X12; 2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PQFN12X12
Integrated circuit features: charge pump; dead time; fault detection; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: iMOTION™
Output current: 2A
Operating voltage: 11.5...18.5/8.9...200V DC
Power dissipation: 16W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBF IRL1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D72F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404.pdf?ci_sign=93d40338644bb6c430ba859cd6b8fc4be9a355bf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS820R08A6P2LBBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS820R08A6P2LB-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015fe7bf83492945 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; 714W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 750V
Collector current: 450A
Case: AG-HYBRIDD-1
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.64kA
Power dissipation: 714W
Technology: HybridPACK™
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4130QEPDXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995D5E9F66F7C58BF&compId=ITS4130QEPD.pdf?ci_sign=70d93ca68b1f3a080aee042becae6f9c3ebb1475 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.25A; Ch: 4; N-Channel; SMD; reel,tape
Kind of output: N-Channel
Case: PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 75µs
Turn-off time: 75µs
On-state resistance: 0.13Ω
Output current: 1.25A
Power dissipation: 1.8W
Number of channels: 4
Supply voltage: 5...45V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: Industrial PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4024AZI-S413 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; Core: 32-bit
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
250+176.45 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4024LQI-S413T INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; Core: 32-bit
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+148.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025AZI-S413 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; Core: 32-bit
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
250+191.95 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025AZQ-S413 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_%28PSoC_%29-DataSheet-v16_00-EN.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; 24MHz; LQFP48; Features: PoR; Core: 32-bit
Operating temperature: -40...105°C
Kind of architecture: Cortex M0+
Case: LQFP48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 5
Number of inputs/outputs: 36
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: PoR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
250+86.94 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQI-S413T INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1 Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+185.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4125AZI-S413 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSOC_4_PSOC_4100S_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP_(PSOC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda5fc45c69&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: CY8C4125AZI-S413
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
250+211.75 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4745AZI-S413 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; Core: 32-bit
Mounting: SMD
Clock frequency: 48MHz
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
250+328.81 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC66C4BACBC11C&compId=BSC320N20NS3G-DTE.pdf?ci_sign=e94621bff73781cfbc11529d93a3f916a241adb4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 36A; 125W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 36A
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA320N20NM3SXKSA1 IPA320N20NM3SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA320N20NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d1035e86e3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 104A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 19A
Power dissipation: 38W
Pulsed drain current: 104A
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBBF0FB2C1C11C&compId=IPB320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=63968efc315030711006a495abbba2f99ce658c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 50A; Idm: 240A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N050H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201753090f4715fe6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 16A; Idm: 171A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 171A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABNFV040 INFN-S-A0017271261-1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; USON8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 108MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: USON8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAFCABC5B6C11C&compId=IPP027N08N5-DTE.pdf?ci_sign=d638ad1442dc6e4a6a31df125f3b8d30b1be77b3
IPP027N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C28C362FDB011C&compId=BSC027N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=b4036c8c678d896af86300efb48f1e355064edf4
BSC027N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC027N10NM6ATMA1 Infineon-ISC027N10NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017babb690f45f94
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+172.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+221.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IKP30N65H5XKSA1 IKP30N65H5-DTE.pdf
IKP30N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 36A; 188W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 36A
Pulsed collector current: 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL23I06PJXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BD85B5CF77038BF&compId=2EDL23x06xx.pdf?ci_sign=b1ad70b6d943ae40ef982d8b7da102dac65c5aea
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,IGBT gate driver
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-14
Output current: -2.5...1.8A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C4122KV13-106FCXC download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 144MbSRAM; 8Mx18bit; FCBGA361; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 144Mb SRAM
Memory organisation: 8Mx18bit
Case: FCBGA361
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.3V DC
Frequency: 1066MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY2308SXC-2 Infineon-CY2308_3.3_V_Zero_Delay_Buffer-DataSheet-v21_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebcea4d2ec4&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: CY2308SXC-2
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
48+786.73 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A1D665F78576611C&compId=BSC018N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=a448f615d48397db4a1ff62d882c665a5be96e9f
BSC018N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD028N06NF2SATMA1 Infineon-IPD028N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183a84489a82df3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 139A; 150W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 139A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 2.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Electrical mounting: SMT
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+56.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06NF2SATMA1 Infineon-IPD038N06NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183ad6c7fb66010
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 60V; 120A; 107W; DPAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 3.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5XKSA1 DS_IKA08N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af92196985c58
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+123.09 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E449F0943811C&compId=BSZ123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=3c3f5976f273d1c142310ae9d70a9357326ae452
BSZ123N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42764GV50ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A500F9AACDF8BF&compId=TLE42764.pdf?ci_sign=630c4e85cd0b963d269fd0b6779c2d5202f2f373
TLE42764GV50ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; PG-TO263-5; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.4A
Case: PG-TO263-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 4.5...41V
Tolerance: ±2%
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.30 грн
10+99.11 грн
25+93.51 грн
50+90.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E1D6F7216143&compId=IPN50R800CE.pdf?ci_sign=accad286030e42619725ab62412467d686624c67
IPN50R800CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.48 грн
12+34.37 грн
25+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E631A6348143&compId=IPN50R950CE.pdf?ci_sign=ac3de499a9fd2d8fc1a237d5338cae3102b6188d
IPN50R950CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+26.94 грн
25+22.62 грн
100+19.98 грн
500+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
TLF80511TFV50ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE44A76C40F8259&compId=TLF80511TF.pdf?ci_sign=ecd3e1499f0b989509bd5cb6445a5f7cfe6a9c9c
TLF80511TFV50ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.4A; DPAK; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.25V
Output voltage: 5V
Output current: 0.4A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Input voltage: 3.3...40V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.10 грн
10+62.34 грн
18+52.75 грн
49+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E0C9155E0211C&compId=BSZ0506NS-DTE.pdf?ci_sign=732a43a878218d794f7544f1ee6aa17909633f10
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.4mΩ
Drain current: 40A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R520CPATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE4422384511CC&compId=IPD50R520CP-DTE.pdf?ci_sign=59719c11dbc24ff54e5674dee8b83eaaebfc9d7f
IPD50R520CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.52Ω
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 66W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0501NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2F74B50B0811C&compId=BSC0501NSI-DTE.pdf?ci_sign=3e21b3e46ed68d71901e7df3c9e2d2453ebc58d4
BSC0501NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
Drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2F97603E5E11C&compId=BSC0503NSI-DTE.pdf?ci_sign=a6a74026fb5f694d37118891f31071200b7efebf
BSC0503NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
Drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2FB14F6AEA11C&compId=BSC0504NSI-DTE.pdf?ci_sign=d63935e40a03d855fe2b4edfdc5a882564f66b04
BSC0504NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 30W
Drain current: 64A
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0502NSIATMA1 Infineon-BSZ0502NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efe57d2cf66d3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500101TAEATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995D9856FE6F5F8BF&compId=BTS500101TAE.pdf?ci_sign=5d0a2bebb22f6dcba9d96688de2a190e13c6a6f8
BTS500101TAEATMA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 40A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 40A
Case: PG-TO263-7-10
Mounting: SMD
Technology: Power PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 1.6mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 8...18V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE21DE817C51CC&compId=IPB50R140CP-DTE.pdf?ci_sign=45627403317b96047f4f657018cd9396a8da34fd
IPB50R140CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 25W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R199CPATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE2013C528B1CC&compId=IPB50R199CP-DTE.pdf?ci_sign=39a3387fe3500f1534847defb15501961bc6e9ed
IPB50R199CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 139W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.199Ω
Drain current: 17A
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R299CPATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE16838A8D31CC&compId=IPB50R299CP-DTE.pdf?ci_sign=21774922362582fa75c1396f564c139c0e9df58f
IPB50R299CPATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 104W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.299Ω
Drain current: 12A
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60BE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5401881EE2469&compId=BCW60.pdf?ci_sign=d99b80daca59c88194d51478d004c1281c00cc49
BCW60BE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 32V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
143+3.01 грн
193+2.08 грн
232+1.73 грн
262+1.53 грн
283+1.41 грн
500+1.35 грн
1000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
1EDC40I12AHXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE896B62E86916C33D6&compId=1EDCxxX12AH.pdf?ci_sign=da6f019cc801fa37109c75303e594cae5bfb0871
1EDC40I12AHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -4÷4A
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Kind of package: reel; tape
Topology: single transistor
Output current: -4...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 600/650/1200V
Case: PG-DSO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3G-DTE.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 4.2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHS8342TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BC30E9D769F1A303005056AB0C4F&compId=irfhs8342pbf.pdf?ci_sign=9841042d5a4e90aaa2733a943d1ed93cd7c4eeff
IRFHS8342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 9.9A; 2.1W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2L07ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA38E1D3190C143&compId=IPB80N08S2L07.pdf?ci_sign=4b890f2806c1600f6c8c2c08ada4dbdb292ede4e
IPB80N08S2L07ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1 Infineon-IAUA180N08S5N026-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39a3760b35
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 546A; 179W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 179W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38725BC2E96811C&compId=BSC076N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=360dd0f290089c5f67d6f09e520aad476ca8d393
BSC076N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBC0CC33F624143&compId=IPW80R280P7.pdf?ci_sign=1623f61fd440464f34971b01da5d47ae914d8f8a
IPW80R280P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 101W; PG-TO247-3; ESD
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 101W
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 800V
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.28Ω
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.15 грн
3+211.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TT251N16KOFHPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE585CE787EB8C9E469&compId=TT251N18KOF.pdf?ci_sign=3a12e8551cff06ea6af1b7da4fcd294bd77f4081
TT251N16KOFHPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 251A; BG-PB50-1; screw
Semiconductor structure: double series
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
Gate current: 300mA
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 251A
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward impulse current: 9.1kA
Case: BG-PB50-1
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15911.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA431C5A27B2143&compId=IPD30N03S4L09.pdf?ci_sign=438adb46aa105baf766359ee5aef619066f5ec53
IPD30N03S4L09ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E467F845CC11C&compId=BSZ130N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=4efa016b36e3e919650f3576dd46577ae855e941
BSZ130N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2942DFAC9811C&compId=BSC030N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=90236da1284451d503f0fed752c2e6792526b2e2
BSC030N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C29AE622C2411C&compId=BSC030N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=fa74a2d00c0b3ef0eae78e3feb1591dabba26cf5
BSC030N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E48AE7C69A11C&compId=BSZ130N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=f9ca3856ae6190f72d64bb628930d1076a5f9175
BSZ130N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon-IPD30N03S4L_14-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426f9b13b2c&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 30V; 30A; 31W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 31W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD030N03LF2SATMA1 datasheet?p=RFNL20TJ6SFHG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: IPD030N03LF2SATMA1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRSM836-024MATR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF14B6DE88815EA&compId=IRSM836-024MATR.pdf?ci_sign=56c083589115c54c17e0717f86f2e27acf8be7a1
IRSM836-024MATR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; iMOTION™; PQFN12X12; 2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PQFN12X12
Integrated circuit features: charge pump; dead time; fault detection; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: iMOTION™
Output current: 2A
Operating voltage: 11.5...18.5/8.9...200V DC
Power dissipation: 16W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D72F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404.pdf?ci_sign=93d40338644bb6c430ba859cd6b8fc4be9a355bf
IRL1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS820R08A6P2LBBPSA1 Infineon-FS820R08A6P2LB-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015fe7bf83492945
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; 714W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 750V
Collector current: 450A
Case: AG-HYBRIDD-1
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.64kA
Power dissipation: 714W
Technology: HybridPACK™
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4130QEPDXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995D5E9F66F7C58BF&compId=ITS4130QEPD.pdf?ci_sign=70d93ca68b1f3a080aee042becae6f9c3ebb1475
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.25A; Ch: 4; N-Channel; SMD; reel,tape
Kind of output: N-Channel
Case: PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 75µs
Turn-off time: 75µs
On-state resistance: 0.13Ω
Output current: 1.25A
Power dissipation: 1.8W
Number of channels: 4
Supply voltage: 5...45V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: Industrial PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4024AZI-S413 Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; Core: 32-bit
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
250+176.45 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4024LQI-S413T Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; Core: 32-bit
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+148.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025AZI-S413 Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; Core: 32-bit
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
250+191.95 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025AZQ-S413 Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_%28PSoC_%29-DataSheet-v16_00-EN.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; 24MHz; LQFP48; Features: PoR; Core: 32-bit
Operating temperature: -40...105°C
Kind of architecture: Cortex M0+
Case: LQFP48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 5
Number of inputs/outputs: 36
Clock frequency: 24MHz
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: PoR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
250+86.94 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQI-S413T Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+185.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4125AZI-S413 Infineon-PSOC_4_PSOC_4100S_DATASHEET_PROGRAMMABLE_SYSTEM-ON-CHIP_(PSOC)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda5fc45c69&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: CY8C4125AZI-S413
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
250+211.75 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4745AZI-S413 download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 48MHz; Core: 32-bit
Mounting: SMD
Clock frequency: 48MHz
Kind of core: 32-bit
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
250+328.81 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC66C4BACBC11C&compId=BSC320N20NS3G-DTE.pdf?ci_sign=e94621bff73781cfbc11529d93a3f916a241adb4
BSC320N20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 36A; 125W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 36A
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA320N20NM3SXKSA1 Infineon-IPA320N20NM3S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5d1035e86e3a
IPA320N20NM3SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 104A; 38W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 19A
Power dissipation: 38W
Pulsed drain current: 104A
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBBF0FB2C1C11C&compId=IPB320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=63968efc315030711006a495abbba2f99ce658c8
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2477 2478 2479 2480 2481 2482 2483 2484 2485 2486 2487 2490 2495  [ Наступна Сторінка >> ]