Продукція > BCW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCW 60B E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF Transistors | на замовлення 47995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 60C E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 33021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 60C E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 60D E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 60D E6327 | Infineon | NPN 100mA 32V 250mW 250MHz BCW60D TBCW60d кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 60D E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 48541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 60FF E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 61A | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 61A E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 10917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 61A E6327 | Infineon | PNP 100mA 32V 330mW BCW61A TBCW61a кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 61B E6327 | Infineon | PNP 100mA 32V 250mW 100MHz BCW61BE6327HTSA1 BCW61B TBCW61b кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 61B E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 61C E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 1051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 61C E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 61D | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 61D E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 62364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 61D E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 66F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 170MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Power - Max: 330 mW Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 66G E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 170MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 66H B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Frequency - Transition: 170MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: PG-SOT23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 66H E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 170MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 66KF E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA | на замовлення 28898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 66KF E6327 | Infineon | Tranzystor NPN; 250; 500mW; 45V; 800mA; 170MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW66KFE6327HTSA1; BCW66KFE6327; BCW66KF TBCW66kf кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 66KG E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA | на замовлення 62169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 66KG E6433 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 66KH E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA | на замовлення 1735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 67A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 67A E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.8A PG-SOT23 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 67B | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 67B E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 67C | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 67C | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 67C E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 27701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 68F | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 68F E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 31508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW 68G | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 68G E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 68H | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW 68H E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP 45 V 800 mA | на замовлення 2702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW0001 | Balluff | Description: DIMENSION= 18 X 65 MM, SERIES=M1 Packaging: Bag Package / Case: Module Output Type: Analog Current Sensing Distance: 0" ~ 0.315" (0mm ~ 8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 10°C ~ 55°C Termination Style: Cable Voltage - Supply: 12V ~ 35V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Capacitive Ingress Protection: IP67 Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW0004 | Balluff | Description: SENSOR LEVEL Material - Housing & Prism: Polyethylene Terephthalate (PET) Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Mounting Type: Cable Mount Voltage Rating: 4V ~ 8V Packaging: Bag | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW29 | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCW29 /T3 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW29 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW29,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW29,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW29,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW29,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 36700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW29,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW29/SOT23/TO-236AB | на замовлення 859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW29,215 | NXP | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW29,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW29,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW29,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW29,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW29/SOT23/TO-236AB | на замовлення 8511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW29,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW29,235 Код товару: 175652
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BCW29,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW29,235 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW29LT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW29T1 | NXP | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW29TA | FERRANTI | SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30 Код товару: 30973
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP УКТЗЕД: 8541 21 00 90 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCW30 | PHILIPS | SOT23 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30 | Diotec | PNP, Uкэ=32V, Iк=0.1A, h21=215...500, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30 | ONS/FAI | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30 | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30 /T3 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 215...500 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 967 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Power - Max: 250 mW Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA | на замовлення 4226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW30,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 8695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Power - Max: 250 mW Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW30,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 8695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW30,235 - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 32V .1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30,235 | NXP Semiconductors | BCW30,235 | на замовлення 9628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30/C2P | PHILIPS | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCW30235 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BCW30 - SMALL SIGNA Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9628 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30c2P | PHILIPS | 00+ sot-23 | на замовлення 69100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30GC2 | ROHM | 96+ SOT-23 | на замовлення 27100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30L | onsemi | onsemi SILICON TRANSISTOR PLAST | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30LT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW30LT1 - TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30LT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30LT1 | onsemi | Description: TRANS PNP GP 32V 100MA SOT-23 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30LT1C2H | MOTOROLA | 98+ SOT-23 | на замовлення 9100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V PNP | на замовлення 1561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON-Semiconductor | PNP 100mA 32V 250mW 100MHz BCW30,215, BCW30LT1G BCW30 smd TBCW30 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 234 шт В кошику од. на суму грн. |

