Продукція > BCW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCW 60B E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF Transistors | на замовлення 47995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 60C E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 33021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 60C E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 60D E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 48541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 60D E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 60D E6327 | Infineon | NPN 100mA 32V 250mW 250MHz BCW60D TBCW60d кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 60FF E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 61A | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 61A E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 10917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 61A E6327 | Infineon | PNP 100mA 32V 330mW BCW61A TBCW61a кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 61B E6327 | Infineon | PNP 100mA 32V 250mW 100MHz BCW61BE6327HTSA1 BCW61B TBCW61b кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 61B E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 61C E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 61C E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 20596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 61D | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 61D E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 42000 шт: термін постачання 386-395 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 61D E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 66F E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 66G E6327 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 66G E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 66H B6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 66H E6327 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 66H E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 66KF E6327 | Infineon | NPN 800mA 45V 500mW 170MHz BCW66KF TBCW66kf кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 66KF E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA | на замовлення 45523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 66KG E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA | на замовлення 113600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 66KG E6433 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 66KH E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA | на замовлення 167955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 67A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 67A E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 67B E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 67C | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 67C | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 67C E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 27701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 68F | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 68F E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | на замовлення 32335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW 68G | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 68G E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW 68H E6327 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP 45 V 800 mA | на замовлення 32905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW-500X10- 3 GN Клема для друкованої плати | на замовлення 1000 шт: термін постачання 3-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||||
| BCW0001 | Balluff | Description: DIMENSION= 18 X 65 MM, SERIES=M1 Packaging: Bag Package / Case: Module Output Type: Analog Current Sensing Distance: 0" ~ 0.315" (0mm ~ 8mm) Shielding: Unshielded Operating Temperature: 10°C ~ 55°C Termination Style: Cable Voltage - Supply: 12V ~ 35V Material - Body: Stainless Steel Sensor Type: Capacitive Ingress Protection: IP67 Indicator: LED Part Status: Active | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW0004 | Balluff | Description: SENSOR LEVEL Packaging: Bag Voltage Rating: 4V ~ 8V Mounting Type: Cable Mount Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Material - Housing & Prism: Polyethylene Terephthalate (PET) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW29 | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW29 /T3 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW29 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW29,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW29,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW29,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW29,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW29,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 36700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW29,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW29,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PNP general purpose transistors | на замовлення 5758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW29,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW29,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW29,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW29,235 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW29,235 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW29,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PNP general purpose transistors | на замовлення 8735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW29,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW29,235 Код товару: 175652
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BCW29LT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW29TA | FERRANTI | SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30 | PHILIPS | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30 Код товару: 30973
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW30 | ST | SOT23/ | на замовлення 2292 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30 | FAIRCHILD | 07+ SOT-23 | на замовлення 1980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30 | PHILIPS | SOT23 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30 | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30 /T3 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW30,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 215...500 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 2676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PNP general purpose transistors | на замовлення 11502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW30,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 215...500 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2676 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30,235 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT NPN general purpose transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW30,235 - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30/C2P | PHILIPS | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW30235 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BCW30 - SMALL SIGNA Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30c2P | PHILIPS | 00+ sot-23 | на замовлення 69100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30GC2 | ROHM | 96+ SOT-23 | на замовлення 27100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30L | onsemi | onsemi SILICON TRANSISTOR PLAST | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30LT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30LT1 | onsemi | Description: TRANS PNP GP 32V 100MA SOT-23 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW30LT1 - TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT1C2H | MOTOROLA | 98+ SOT-23 | на замовлення 9100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW30LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 215 DC-Stromverstärkung hFE: 215 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 25823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 215...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | на замовлення 5515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 215...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5515 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 25823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V PNP | на замовлення 3091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 113272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT1G | ON-Semicoductor | PNP 100mA 32V 250mW 100MHz BCW30,215, BCW30LT1G BCW30 smd TBCW30 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT3 | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 215 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT3 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30LT3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW30LT3 - BCW30LT3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW30T116 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30T116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW30T146 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BCW30TA | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BCW30_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 500mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31 | PHILIPS | 03+ SOT23 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31 | PHILIPS | на замовлення 167900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW31 | PHILIPS | 09+ | на замовлення 258018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31 BK | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 20V 0.1A SOT-23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31 TR | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 20V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW31,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW31,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 190hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW31 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW31,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW31,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW31,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 110...220 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 32315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW31,215 Код товару: 194333
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW31,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT NPN general purpose transistors | на замовлення 13946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW31,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 110...220 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 91112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW31,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW31,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 190hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW31 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW31,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW31GD1 | ROHM | 96+ 23 | на замовлення 27100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31LT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31LT1 | на замовлення 5614 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BCW31R | PHILIPS | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31T116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31TAD1 | ZETEX | 99+ 23 | на замовлення 15100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW31_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 500mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2648 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW32,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 11571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 2648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW32,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 11571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT NPN general purpose transistors | на замовлення 8264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT NPN general purpose transistors | на замовлення 5428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,235 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW32,235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32,235 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32235 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BCW32 - SMALL SIGNA Packaging: Bulk | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32D2 | FAIRCHILD | 00+ SOT-23 | на замовлення 27100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32GD2 | ROHM | 96+ SOT-23 | на замовлення 24100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32LT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32LT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW32LT1 - BCW32LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 423000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 393000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1 | ON Semiconductor | на замовлення 5773 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW32LT1 | onsemi | Description: TRANS NPN GP 32V 100MA SOT-23 Packaging: Bulk | на замовлення 423000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | на замовлення 1625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1625 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 16868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN | на замовлення 8936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW32LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW32R | T | на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW32T116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32T116 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 32V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32T146 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BCW32TAD2 | ZETEX | 00+ SOT-23 | на замовлення 18100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW32_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33 | ONS | Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=32V; Ic=0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=420/800(аналог BCW33) | на замовлення 10122 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33 | FAIRCHILD | BCW33 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33 | ONS | Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=32V; Ic=0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=420/800(аналог BCW33) | на замовлення 152 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 32V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33 | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 30V Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Frequency: 300MHz Collector current: 0.1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW33 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW33 - TRANSISTOR SMD SOT 223 BIPOLAR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: TBA euEccn: Unknown hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: Unknown | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33 T116 | ROHM | SOT23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 15222
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uceo,V: 32 V Ic,A: 0,1 A h21: 800 Монтаж: SMD | у наявності 1292 шт: 862 шт - склад430 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
| BCW33 T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 32V Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: NPN Frequency: 100MHz Collector current: 0.1A | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33,215 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор NPN; Uceo, В = 32; Ic = 100 мА; ft, МГц = 100; hFE = 420 @ 2 мA, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.21 @ 2.5 мA, 50 мA; Р, Вт = 0,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW33,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 6021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 29500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT NPN general purpose transistor | на замовлення 3873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 32V Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: NPN Frequency: 100MHz Collector current: 0.1A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW33,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 6021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33L | onsemi | onsemi SILICON TRANSISTOR PLAST | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33LT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33LT1 | MOTOROLA | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW33LT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW33LT1G - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 32, SOT-23-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 59357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON SEMICONDUCTOR | NPN 32V 0.2A 0.25W SOT-23 | на замовлення 488 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN | на замовлення 12828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT3 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW33LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 32V Current gain: 420...800 Power dissipation: 0.225W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 165 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 96700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 760000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN | на замовлення 20314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 32V Current gain: 420...800 Power dissipation: 0.225W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW33LT3G Код товару: 183750
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW33LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW33T116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60 Код товару: 34842
Додати до обраних
Обраний товар
| Philips | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 250 MHz Uceo,V: 32 V Ucbo,V: 32 V Ic,A: 0,1 A | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BCW60 | SM | на замовлення 207000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW60A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60A | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60A | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60A | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW60A - BCW60 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60A E6327 | INFINEON | SOT23-AA | на замовлення 7306 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60A E6327 SOT23-AA | INFINEON | на замовлення 7306 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW60ALT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60A_D87Z | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60A_D87Z | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60A_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60B | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60B | PHILIPS | SOT23 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60B | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60B | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60B,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60B,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60B,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW60B/SOT23/TO-236AB | на замовлення 9868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60B,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60B,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60B,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60B,215 | NEXPERIA | BCW60B.215 NPN SMD transistors | на замовлення 5414 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60B,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60B,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60B,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW60B/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60B,235 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60B,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60B,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60B,235 - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60B/ABP | PHILIPS | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW60BE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60BE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | BCW60BE6327 NPN SMD transistors | на замовлення 1431 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60BE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW60BE6327HTSA1 - BCW60 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60BE6327HTSA1 | Infineon | NPN 100mA 32V 250mW 250MHz BCW60B TBCW60b кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60BLT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60BLT1 | MOTOROLA | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW60B_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60C Код товару: 175305
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 250 MHz Uceo,V: 32 V Ucbo,V: 32 V Ic,A: 0,1 A h21: 40 Монтаж: SMD | у наявності 11 шт: 11 шт - склад |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60C | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60C | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60C Код товару: 192447
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 250 MHz Uceo,V: 32 V Ucbo,V: 32 V Ic,A: 0,1 A Монтаж: SMD | у наявності 623 шт: 388 шт - склад35 шт - РАДІОМАГ-Київ 200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C /T3 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60C,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 460hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW60 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C,215 | NEXPERIA | BCW60C.215 NPN SMD transistors | на замовлення 2651 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 25987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW60C/SOT23/TO-236AB | на замовлення 6940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 460hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW60 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 25987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60C,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW60C/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60C,235 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C,235 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C,235 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60C,235 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60C,235 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60C,235 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60C-E6327 | INFINEON | 00+/01 | на замовлення 456000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60C/2X | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW60C/Acp | PHI | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW60C215 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL BIPOLA Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60C235 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL BIPOLA Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60CAcp | PHILIPS | 95+ SOT-23 | на замовлення 33100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60CE-6327Acs | SIEMENS | 99+ SOT-23 | на замовлення 12100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60CE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 100918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60CE6327 | Infineon | NPN 100mA 32V 330mW 250MHz BCW60C smd TBCW60c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60CE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW60CE6327HTSA1 - BCW60 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 38100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 100918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 74100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60CE6327SOT23-ACPB-FREE | INFINEON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW60CLT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60CT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 32V 0.2A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60CWT106 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BCW60C_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60D | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60D | FSC | 07+; | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60D | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60D | PHI | на замовлення 2975 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW60D | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60D /T3 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60D,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW60D/SOT23/TO-236AB | на замовлення 17770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60D,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60D,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 11853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60D,215 Код товару: 162624
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW60D,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 34788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60D,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60D,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 380hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60D,215 | NEXPERIA | BCW60D.215 NPN SMD transistors | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60D,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 11370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60D,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60D,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60D,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 11853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60D,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60D,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60D,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 380hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60D,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 11370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60D,235 | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60D,235 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60D,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60D,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW60D/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60D,235 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60D,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60D,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60D,235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60DE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 13852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 37852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60DLT | Allegro | 07+ | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60DRTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60DRTA | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60DRTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60DRTC | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60DT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 32V 0.2A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60DTA | ZETEX | 09+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60D_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60E6422HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60E6422HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60E6422HTMA1 | Infineon Technologies | Description: BCW60 - BIPOLAR BJT TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.05V @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60E6422HTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW60E6422HTMA1 - BCW60 - BIPOLAR BJT TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60E6422HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60FE6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60FF | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60FF | infineon | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60FF | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60FF | INFINEON | 09+ | на замовлення 15018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60FFE6327 | Infineon Technologies | Description: BCW60 - LOW NOISE TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60FFE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW60FFE6327HTSA1 - BCW60 - LOW NOISE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60FFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60FFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60FFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 267000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW60FFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60FN | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60FN | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW60FN - BCW60 - LOW NOISE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60FNE-6393Ks | SIEMENS | 97+ SOT-23 | на замовлення 6100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60FNE6393HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW60R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BCW60RC | NEC# | 05+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61 | PH | 05+ SOT-23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61-B-MTFBB | SAMSUNG | SOT-23 | на замовлення 12100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW618 | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW61A | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61A Код товару: 81891
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 Uке, В: 32 V Uкб, В: 32 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 120 | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BCW61A | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW61A E6327 | INFINEON | SOT23-BA PB-FREE | на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61A E6327 SOT23-BA PB | INFINEON | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW61AE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61AE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61AE6327HTSA1 - BCW61 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 342000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61AE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61AE6327SOT23-BAPB-FREE | INFINEON | на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW61ALT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61AMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61AMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61B | PHILIPS | SOT23-BB | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61B | PHILIPS | 07+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61B | Philips | Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=-32V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=180/310 | на замовлення 6239 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61B | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP/32V/100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61B | INFINEON | 09+ | на замовлення 186018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61B SOT23-BB | PHILIPS | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW61B E6327 | Infineon | SOT23 | на замовлення 111000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 | на замовлення 1801 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 17986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PNP general purpose transistors | на замовлення 5220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 Код товару: 194332
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 32V Current gain: 30...310 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2828 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW61 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW61 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61B,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 32V Current gain: 30...310 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape | на замовлення 2828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61B-E6327 | INFINEON | 01+ | на замовлення 168000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61B-E6327 | INFINEON | на замовлення 99000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW61BBSTA Код товару: 19076
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uке, В: 32 V Uкб, В: 32 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 310 | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BCW61BBSTA | Транзисторы биполярные PNP | на замовлення 160 шт: термін постачання 1-2 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW61BE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 745960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 193960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61BE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61BE6327HTSA1 - BCW61 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 264000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61BLT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61BLT1 | MOTO | на замовлення 555 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW61BLT1 | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 246000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61BLT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 246000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61BLT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW61BLT1 - BCW61BLT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 246000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61BLT3 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 39500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61BLT3 | ON Semiconductor | BCW61BLT3 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61BLT3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW61BLT3 - BCW61BLT3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 39500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61BMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61BMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61BMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 12581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61BMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61BMTF | FAIRCHILD | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61BMTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW61BMTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61BMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61BMTF-ON | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61BSOT143-1KP | PHILIPS | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW61BSOT23-BB | PHILIPS | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW61C | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bag Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 2262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61C | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61C Код товару: 30603
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uке, В: 32 V Uкб, В: 32 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 460 | у наявності 1041 шт: 205 шт - склад326 шт - РАДІОМАГ-Київ 155 шт - РАДІОМАГ-Львів 97 шт - РАДІОМАГ-Харків 210 шт - РАДІОМАГ-Одеса 48 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61C | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61C | Транзисторы биполярные PNP | на замовлення 42 шт: термін постачання 1-2 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW61C /T3 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61C T/R | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61C,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 32V Current gain: 40...460 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4287 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PNP general purpose transistors | на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61C,215 | BCW61C,215 Транзисторы | на замовлення 5078 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW61C,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61C,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 32V Current gain: 40...460 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape | на замовлення 4287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 370000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C,235 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61C,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C,235 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 32V Current gain: 40...460 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 11 inch reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61C,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61C,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 630000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61C,235 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 32V Current gain: 40...460 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 11 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61C,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61C,235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PNP general purpose transistors | на замовлення 278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C,235 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C/DG/B2,215 | NXP Semiconductors | BCW61C/DG/B2,215 | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C/DG/B2215 | NXP | Description: NXP - BCW61C/DG/B2215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C/DG/B2215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C/DG/B4,215 | NXP Semiconductors | BCW61C/DG/B4,215 | на замовлення 35990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C/DG/B4215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 35990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61C/DG/B4215 | NXP | Description: NXP - BCW61C/DG/B4215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 35990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61CE6327 | INFINEON | PNP Uce=32V, Ic=100mA, P=330mW, B>40, SOT23 | на замовлення 96 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61CE6327 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61CE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61CE6327HTSA1 - BCW61 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 56972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 47741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon | PNP 100mA 32V 330mW 250MHz BCW61C smd TBCW61c кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61CMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61CMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61CT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61CT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61CT116 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 200MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61D | Philips | Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=-32V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=380/630 | на замовлення 24684 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61D | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61D Код товару: 1360
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uке, В: 32 V Uкб, В: 32 V Iк, А: 0,2 A h21,max: 630 | у наявності 39 шт: 29 шт - РАДІОМАГ-Харків10 шт - РАДІОМАГ-Одеса |
| ||||||||||||||||||
| BCW61D | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP; Uceo, В = -32; Ic = -100 мА; ft, МГц = 100; hFE = 380...630 @ Ic = -50 mA, Uce = -1 V; Icutoff-max = -20 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = -335 @ -50 mA, -1,25 mA; Р, Вт = 0,25 Вт; Тексп, °C = -65...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 | на замовлення 2317 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61D | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61D | NXP | PNP 200mA 32V 330mW 180MHz BCW61D TBCW61d кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61D T/R | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61D,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61D,215 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 630hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW61 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61D,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61D,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61D,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 45 V, 800 mA NPN general-purpose transistor | на замовлення 6974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61D,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 501000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61D,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61D,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61D,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW61D,215 - Bipolarer HF-Transistor, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 630hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: -100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW61 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61D,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61D,215 | NEXPERIA | Category: Transistors - Unclassified Description: BCW61D,215 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61D,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61D,215 | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61D,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 17575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61D/BDP | PHILIPS | на замовлення 5122 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW61DE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 64915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61DE6327 | Infineon | Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=-32V; Ic=-0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=380/630 | на замовлення 645 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61DE6327 | INFINEON | PNP, 32 В, 100 мА, 330 мВт | на замовлення 5402 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 190400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61DE6327HTSA1 - BCW61 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 190400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61DE6327HTSA1 : BCW61DE6327 | Infineon Technologies | BCW61DE6327 TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23 | на замовлення 171 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61DLT1 | onsemi | Description: TRANS GP BJT PNP 32V 0.1A Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61DLT1 | ON Semiconductor | BCW61DLT1 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61DMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61DMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61DTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61DTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61DTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 32V 0.2A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANSISTOR AF SOT23 Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | на замовлення 690000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 330000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANSISTOR AF SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW61E6384HTMA1 - BCW61 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 570000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61E6384HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW61FN | на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BCW62D | infineon | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW64FN | infineon | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65A | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65ALT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ONSEMI | BCW65ALT1G NPN SMD transistors | на замовлення 198 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW65ALT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN | на замовлення 5849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 45988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65ALT1G Код товару: 53614
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW65ALT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65B | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65B | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65B(Z) | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65BTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65BTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65BTC | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65C | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65C | SM | на замовлення 357000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW65C | INFINEON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW65C-T&R-SIE | Infineon Technologies | NPN 32 V 1 A 100 MHz SOT-23 | на замовлення 1175 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW65CLT1 - BCW65CLT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 31270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 14036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW65CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN | на замовлення 24525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ONSEMI | BCW65CLT1G NPN SMD transistors | на замовлення 1283 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 31270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65CLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW65CTA | ZETEX | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW65CTAEC | ZETEX | 01+ SOT-23 | на замовлення 90100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66 | onsemi | onsemi LESHANBE SS SOT23 GP XSTR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66E-6359 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BCW66F | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.6A; 300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 50...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2983 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66F | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 45V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66F | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66F | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.6A; 300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 50...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 2983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66F | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66F | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 45V, 600mA, NPN | на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66F | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 45V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 2575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66F | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66F | Rectron | Current & Power Monitors & Regulators Bipolar NPN Trans .8A, 75V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66F-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN SILICON TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66F-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66F215 | NXP USA Inc. | Description: BCW66 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TRA Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66FN | на замовлення 10540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BCW66FR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66FR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz Pulsed collector current: 1A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2123 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66FR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66FR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66FR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 45 V, 800 mA NPN general-purpose transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66FR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66FR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BCW66 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66FR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz Pulsed collector current: 1A | на замовлення 2123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66FR | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66FR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66FTAEF | ZETEX | 01+ SOT-23 | на замовлення 18100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66FTCEF | ZETEX | SOT-23 | на замовлення 90100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66FVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66FVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66FVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 45 V, 800 mA NPN general-purpose transistor | на замовлення 41904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66FVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66FVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66FVL | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66FVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66FVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 1A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66G | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BCW66G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 170MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66G | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66G-D87Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 1A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66G-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66G-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66G-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66G-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66G-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN Plastic-Encapsulate Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66G215 | NXP USA Inc. | Description: BCW66 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TRA Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1 | LRC | SOT-23 03+ | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1 | ON | SOT23 | на замовлення 302 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 45V | на замовлення 62295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 61284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 52766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G Код товару: 173997
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 29350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW66GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 800 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 219000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 61284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 288000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 220000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW66GLT3G - Transistor, NPN, 45V, 0.8A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160 hazardous: false DC-Stromverstärkung hFE: 160 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GLT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 225090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT GENRL TRANSISTOR | на замовлення 629312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GLT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 10000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GR Код товару: 202835
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW66GR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 45 V, 800 mA NPN general-purpose transistor | на замовлення 6333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 160...400 Collector current: 0.8A Pulsed collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.25W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9843 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 160...400 Collector current: 0.8A Pulsed collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.25W | на замовлення 9843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GR | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66GR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB (SOT-23) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BCW66 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 62204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 17515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GVL | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GVL | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 17515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66GVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66GVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 45 V, 800 mA NPN general-purpose transistor | на замовлення 28355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66G_D87Z | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66H | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66H | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BCW66H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 630hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 170MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66H (BCW66HTA) транзистор Код товару: 79944
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW66H EH. | Infineon | NPN 800mA 45V 330mW 100MHz-170MHz hfe160min (100mA) BCW66HB6327, BCW66HE6327, BCW66HTA, BCW66HTC BCW66H INFINEON TBCW66h кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66H-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66H-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN Plastic-Encapsulate Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66H-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 45V 1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66HQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor | на замовлення 2414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HQTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 350mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 80...630 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry Quantity in set/package: 1000pcs. Pulsed collector current: 1A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66HQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCW66HQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HQTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66HQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66HQTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 350mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 80...630 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry Quantity in set/package: 1000pcs. Pulsed collector current: 1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66HQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCW66HQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HR | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66HR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz Pulsed collector current: 1A | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66HR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 45 V, 800 mA NPN general-purpose transistor | на замовлення 349230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz Pulsed collector current: 1A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 760 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66HTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 330mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Current gain: 80...630 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Quantity in set/package: 1000pcs. | на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 1298778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN Low Saturation | на замовлення 19807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCW66HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66HTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 330mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Current gain: 80...630 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Quantity in set/package: 1000pcs. кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1919 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1293000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCW66HTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 1296000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66HTA | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66HTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66HVL | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66HVL | NEXPERIA | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66HVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 45 V, 800 mA PNP general-purpose transistor | на замовлення 20418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66HVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 19970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 80486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW66HVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW66 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 19970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66HVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66KE6359HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66KE6359HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66KFE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 170MHz кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66KFE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 170MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66KFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66KFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66KFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66KFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66KFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66KFE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66KGE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66KGE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66KGE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66KGE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66KGE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66KGE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66KGE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66KH E6327 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66KHB6327 | INFINEON | 09+ SOT-235 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66KHB6327HTLA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66KHE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | BCW66KHE6327 NPN SMD transistors | на замовлення 232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA | на замовлення 321992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 500mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 47314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW66KHE6327HTSA1 | Infineon | NPN 800mA 45V 500mW 170MHz BCW66KH TBCW66kh кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2850 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67 | INFINEON | 04+ SOT-23 | на замовлення 12100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW67A | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW67A | SM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW67A | INFINEON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW67AE6327 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67AE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS 32V 0.8A PG-SOT23-3-1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67AE6327 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67AE6327XT | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW67B | INFINEON | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW67B | SM | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW67BE6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 388951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67BE6327HTSA1 | Infineon | PNP 800mA 32V 330mW 200MHz BCW67B TBCW67b кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 14951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW67BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW67C | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW67C - BCW67 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 176900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67C | INFINEON | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW67C | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 | на замовлення 173900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67C | infineon | 04+ SOT-23 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW67C | Infineon Technologies | Description: TRANS 32V 0.8A PG-SOT23-3-1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 176800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67C | INFINEON | 04+ DIP | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW67CE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1270 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67CE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 32V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 32V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz | на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 32V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW67CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW67CE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW67CE6327HTSA1 - BCW67 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 49000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW67CE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68 | SIEMENS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW68 | INF | SOT23 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68 | NFINEON | 10+ SOT-23 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68 | INFINEON | 02+ QFP | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68/D6S | INF | на замовлення 2984 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW68E-6359 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BCW68E6327 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BCW68E6359HTMA1 | Infineon Technologies | BCW68E6359HTMA1^INFINEON | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68E6359HTMA1 | Infineon Technologies | BCW68E6359HTMA1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68E6359HTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW68E6359HTMA1 - TRANS BJTS SINGLE45V 800MA SOT23-3 TOR R tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68E6359HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANSISTOR AF SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68F | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68F | SMBT | на замовлення 342000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW68F | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68FE-6327DFs | INFINEON | 00+ SOT-23 | на замовлення 15100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68FE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | BCW68FE6327 PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68FE6327/DF | INF | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW68FE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68FE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68FE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68FE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68FE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68FR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68FR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 45 V, 800 mA PNP general-purpose transistor | на замовлення 6800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68FR | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68FR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68FR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68FR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68FR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68FR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 158000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68FR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68FVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68FVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68FVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68FVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68FVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68FVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 45 V, 800 mA PNP general-purpose transistor | на замовлення 8766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68FVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68FVL | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68G | FAIRCHILD | BCW68G | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68G | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68G | FAIRCHILD | BCW68G | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68G | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 209660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68G | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BCW68G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68G | FAIRCHILD | BCW68G | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68G | FAIRCHILD | BCW68G | на замовлення 17660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68G-ON | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 44530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68G-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68G-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68G-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT-23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68G-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | BCW68G-TP PNP SMD transistors | на замовлення 2475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68G-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN Plastic-Encapsulate Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GE6327 Код товару: 122761
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 200 MHz Uке, В: 45 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 1 А h21,max: 400 | у наявності 2753 шт: 2210 шт - склад95 шт - РАДІОМАГ-Київ 75 шт - РАДІОМАГ-Львів 93 шт - РАДІОМАГ-Харків 90 шт - РАДІОМАГ-Одеса 190 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GE6327 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GE6327 | Infineon | PNP 800mA 45V 225mW 100MHz BCW68GLT3G, BCW68GLT1G, BCW68GE6327HTSA1, BCW68GE6327, BCW68G BCW68G TBCW68g кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.8A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Case: SOT23 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.33W Polarisation: bipolar Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GE6327 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GE6327HTSA1 | Infineon | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCW68GE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP Type of transistor: PNP | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.8A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GLT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT1 | onsemi | Description: TRANS PNP GP 45V 800MA SOT-23 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW68GLT1 - TRANSISTOR, PNP SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT1 | на замовлення 4100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BCW68GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT1G | ONSEMI | BCW68GLT1G PNP SMD transistors | на замовлення 4890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GLT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 16511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW68GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP | на замовлення 29625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW68GLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW68GLT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GLT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT GENRL TRANSISTOR | на замовлення 23562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 570000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 14276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 29975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GLT3G | ONSEMI | BCW68GLT3G PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 29975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GLT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GR | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GR | NEXPERIA | BCW68GR PNP SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68GR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 45 V, 800 mA PNP general-purpose transistor | на замовлення 5082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GTA | на замовлення 54000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BCW68GVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW68GVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCW68 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCW68GVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.8A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCW68GVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 45 V, 800 mA PNP general-purpose transistor | на замовлення 11414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|