Продукція > IPG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IPG-22211Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 5.08-9.91MM PG11
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG11
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.730" (18.5mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.390" (9.91mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.200" (5.08mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22211Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-11) .2 to .39"
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.69 грн
10+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22211BUD IndustriesNYLON CABLE GLAND IP66
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+118.06 грн
109+112.77 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22211BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22211 - CABLE GLAND, NYLON, 9.9MM, BLACK
tariffCode: 39269097
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gewindemaß: PG11
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 5mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 9.9mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.20 грн
10+103.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22211-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 5-10MM PG11 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG11
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.730" (18.5mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.390" (9.91mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.200" (5.08mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.76 грн
10+157.84 грн
100+149.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22211-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-11) .2 to .39"
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.70 грн
10+175.29 грн
100+150.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22211-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 5.08-9.91MM PG11
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG11
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.730" (18.5mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.390" (9.91mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.200" (5.08mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.75 грн
10+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22211-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-11) .2 to .39"
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.69 грн
10+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-222114-GBUD IndustriesCABLE GLAND,IP66 0.20-0.39 LG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-222114-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 5.08-9.91MM PG11
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG11
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.710" (18.0mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.390" (9.91mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.200" (5.08mm)
Thread Length: 0.590" (14.99mm)
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-222114-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thick Wall (PG-11) .2 to .39"
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.60 грн
10+73.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-222135BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-222135 - CABLE GLAND, NYLON, 11.9MM, BLACK
tariffCode: 39269097
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gewindemaß: PG13.5
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 6.1mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 11.9mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.59 грн
10+120.20 грн
25+115.13 грн
50+103.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-222135Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 6.1-11.94MM PG13.5
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG13.5
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.800" (20.3mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.470" (11.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.240" (6.10mm)
Thread Length: 0.350" (8.89mm)
на замовлення 10645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.18 грн
10+56.99 грн
100+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-222135Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-13.5) .24 to .47"
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.80 грн
10+68.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-222135-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 6-12MM PG13.5 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG13.5
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.800" (20.3mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.470" (11.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.240" (6.10mm)
Thread Length: 0.350" (8.89mm)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.53 грн
10+200.44 грн
100+191.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-222135-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-13.5) .24 to .47"
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.20 грн
10+205.67 грн
100+177.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-222135-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 6.1-11.94MM PG13.5
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG13.5
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.800" (20.3mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.470" (11.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.240" (6.10mm)
Thread Length: 0.350" (8.89mm)
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.44 грн
10+59.82 грн
100+58.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-222135-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 0.24- 0.47"
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2221354-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 6.1-11.94MM PG13.5
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG13.5
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.790" (20.1mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.470" (11.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.240" (6.10mm)
Thread Length: 0.590" (14.99mm)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.93 грн
10+77.43 грн
100+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2221354-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips CABLE GLAND/LNG THRD WIRE DIA 0.24- 0.47
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2221354-GBUD IndustriesCable Accessories Gland Nylon Light Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22216Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 9.91-13.97MM PG16
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG16
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.890" (22.6mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.550" (13.97mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.390" (9.91mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22216Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-16) .39 to .55"
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.80 грн
10+245.59 грн
100+187.90 грн
250+164.50 грн
500+159.98 грн
1000+136.58 грн
2500+126.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22216BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22216 - CABLE GLAND, NYLON, 14MM, BLACK
tariffCode: 39269097
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gewindemaß: PG16
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 9.9mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 14mm
Produktpalette: -
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22216-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 10-14MM PG16 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG16
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.890" (22.6mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.550" (13.97mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.390" (9.91mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.00 грн
10+253.50 грн
100+236.60 грн
250+221.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22216-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-16) .39 to .55"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22216-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 9.91-13.97MM PG16
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG16
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.890" (22.6mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.550" (13.97mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.390" (9.91mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.95 грн
10+70.67 грн
100+67.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22216-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-16) .39 to .55"
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.80 грн
10+245.59 грн
100+187.90 грн
250+164.50 грн
500+159.98 грн
1000+136.58 грн
2500+126.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22216-GBUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22216-G - CABLE GLAND, NYLON, 14MM, GREY
Gewindemaß - Imperial: PG16
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
Kabeldurchmesser, min.: 9.9
Gewindemaß - Metrisch: -
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Grey
Kabeldurchmesser, max.: 14
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-222164-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 10-14MM PG16 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG16
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.870" (22.1mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.550" (13.97mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.390" (9.91mm)
Thread Length: 0.590" (14.99mm)
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.87 грн
10+96.76 грн
100+90.29 грн
250+84.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-222164-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thick Wall - Gray (PG-16) .39 to .55"
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.56 грн
10+339.31 грн
100+260.34 грн
250+227.89 грн
500+221.85 грн
1000+188.65 грн
2500+175.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22219Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 11.94-14.99MM PG19
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG19
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.930" (23.6mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.590" (14.99mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.470" (11.94mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.75 грн
10+77.74 грн
100+73.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22219Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-19) 0.47 to 0.59
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.89 грн
10+91.99 грн
100+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22219-GBUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22219-G - CABLE GLAND, NYLON, 15MM, GREY
tariffCode: 39269097
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gewindemaß: PG19
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 11.9mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Grey
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 15mm
Produktpalette: -
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.70 грн
10+189.62 грн
25+181.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22219-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 11.94-14.99MM PG19
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG19
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.930" (23.6mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.590" (14.99mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.470" (11.94mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.75 грн
10+77.74 грн
100+73.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22219-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-19) 0.47 to 0.59
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.89 грн
10+91.99 грн
100+79.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22221Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 12.95-18.03MM PG21
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG21
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.110" (28.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.710" (18.03mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.510" (12.95mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.40 грн
10+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22221Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-21) .51 to .7"
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.83 грн
10+232.57 грн
100+178.09 грн
250+155.45 грн
500+151.68 грн
1000+129.04 грн
2500+119.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22221BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22221 - CABLE GLAND, NYLON, 18MM, BLACK
tariffCode: 39269097
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gewindemaß: PG21
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 12.9mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 18mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.80 грн
10+246.33 грн
25+236.18 грн
50+211.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22221-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-21) .51 to .7"
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+799.38 грн
10+709.86 грн
25+581.05 грн
100+551.62 грн
250+492.00 грн
500+461.82 грн
1000+408.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22221-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 13-17.8MM PG21 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG21
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.110" (28.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.700" (17.78mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.510" (12.95mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.81 грн
10+369.44 грн
100+349.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22221-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 12.95-18.03MM PG21
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG21
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.110" (28.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.710" (18.03mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.510" (12.95mm)
Thread Length: 0.390" (9.91mm)
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.91 грн
10+112.40 грн
100+107.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22221-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-21) .51 to .7"
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.83 грн
10+232.57 грн
100+178.09 грн
250+155.45 грн
500+151.68 грн
1000+129.04 грн
2500+119.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22225Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 14.99-19.05MM PG25
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG25
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.160" (29.5mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Outside Cable Diameter (Max): 0.750" (19.05mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.590" (14.99mm)
Thread Length: 0.430" (10.92mm)
на замовлення 10528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22225Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-25) 0.59 to 0.75
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.64 грн
10+259.47 грн
100+198.46 грн
250+173.56 грн
500+168.28 грн
1000+144.13 грн
2500+133.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22225BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-22225 - CABLE GLAND, NYLON, 19MM, BLACK
tariffCode: 39269097
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gewindemaß: PG25
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 15mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 19mm
Produktpalette: -
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+271.73 грн
10+263.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22225-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 14.99-19.05MM PG25
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG25
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.160" (29.5mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.750" (19.05mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.590" (14.99mm)
Thread Length: 0.430" (10.92mm)
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22225-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-25) 0.59 to 0.75
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.64 грн
10+259.47 грн
100+198.46 грн
250+173.56 грн
500+168.28 грн
1000+144.13 грн
2500+133.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22229Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 18-25MM PG29 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG29
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.460" (37.1mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Outside Cable Diameter (Max): 0.980" (24.89mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.710" (18.03mm)
Thread Length: 0.470" (11.94mm)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.52 грн
10+177.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22229Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-29) 0.71 to 0.98
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22229-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-29) 0.71 to 0.98
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.74 грн
10+384.43 грн
100+295.05 грн
250+257.32 грн
500+250.53 грн
1000+213.55 грн
2500+199.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22229-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 18-25MM PG29 NYLON
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.31 грн
10+184.88 грн
100+173.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22236Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 22.1-32MM PG36
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG36
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 1.850" (47.0mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Outside Cable Diameter (Max): 1.260" (32.00mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.870" (22.10mm)
Thread Length: 0.530" (13.46mm)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.38 грн
10+303.73 грн
100+284.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22236Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-36) 0.87 to 1.26
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22236-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 22-32MM PG36 NYLON
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22236-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-36) 0.87 to 1.26
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22242Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 29.97-38.1MM PG42
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG42
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 2.130" (54.1mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Outside Cable Diameter (Max): 1.500" (38.10mm)
Outside Cable Diameter (Min): 1.180" (29.97mm)
Thread Length: 0.570" (14.48mm)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.90 грн
10+424.15 грн
100+398.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22242Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-42) 1.18 to 1.50
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+638.27 грн
10+472.08 грн
25+409.75 грн
100+401.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22242-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 29.97-38.1MM PG42
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG42
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 2.130" (54.1mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Outside Cable Diameter (Max): 1.500" (38.10mm)
Outside Cable Diameter (Min): 1.180" (29.97mm)
Thread Length: 0.570" (14.48mm)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.09 грн
10+423.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22242-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-42) 1.18 to 1.50
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+638.27 грн
10+472.08 грн
100+401.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22248Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall (PG-48) 1.34 to 1.73
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+720.14 грн
10+532.83 грн
100+456.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22248Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 34-44MM PG48 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG48
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 2.320" (58.9mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 1.730" (43.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 1.340" (34.04mm)
Thread Length: 0.550" (13.97mm)
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+663.63 грн
10+479.02 грн
100+453.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22248-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 34-44MM PG48 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG48
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 2.320" (58.9mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 1.730" (43.94mm)
Outside Cable Diameter (Min): 1.340" (34.04mm)
Thread Length: 0.550" (13.97mm)
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+663.63 грн
10+479.02 грн
100+453.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22248-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland, Thin Wall - Gray (PG-48) 1.34 to 1.73
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+720.14 грн
10+532.83 грн
100+456.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22263Bud IndustriesCable Mounting & Accessories NYLON CABLE GLAND WIRE DIA 1.65-1.97"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22263-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 1.65-1.97"
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2227Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 3.05-6.1MM PG7
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG7
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.490" (12.4mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.240" (6.10mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.120" (3.05mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 51786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.10 грн
13+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2227Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall (PG-7) .12 to .24"
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.82 грн
12+30.55 грн
100+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2227BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-2227 - CABLE GLAND, NYLON, 6MM, BLACK
tariffCode: 85472000
Gewindemaß - Imperial: PG7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 3mm
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 6mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2227-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 3-6MM PG7 NYLON
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG7
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.490" (12.4mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.240" (6.10mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.120" (3.05mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.09 грн
10+112.01 грн
100+104.54 грн
250+96.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2227-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-7) .12 to .24"
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.35 грн
10+117.15 грн
250+98.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2227-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 3.05-6.1MM PG7
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG7
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.490" (12.4mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.240" (6.10mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.120" (3.05mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.55 грн
12+27.20 грн
100+25.37 грн
250+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2227-GBUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-2227-G - CABLE GLAND, NYLON, 6MM, GREY
tariffCode: 85472000
Gewindemaß - Imperial: PG7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 3mm
Gewindemaß - Metrisch: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Grey
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 6mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.94 грн
26+32.59 грн
27+31.57 грн
50+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2227-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-7) .12 to .24"
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22274-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thick Wall - Gray (PG-7) .12 to .24"
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.54 грн
10+43.30 грн
100+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22274-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 3.05-6.1MM PG7
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG7
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.470" (11.9mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.240" (6.10mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.120" (3.05mm)
Thread Length: 0.590" (14.99mm)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.79 грн
10+36.16 грн
100+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2229BUD INDUSTRIESDescription: BUD INDUSTRIES - IPG-2229 - CABLE GLAND, NYLON, 7.9MM, BLACK
tariffCode: 85472000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Material der Kabelverschraubung: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Kabeldurchmesser, min.: 4mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
IP- / NEMA-Schutzart: IP66
Farbe d. Kabelverschraubung: Black
usEccn: EAR99
Kabeldurchmesser, max.: 0
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+64.76 грн
17+50.96 грн
25+49.35 грн
50+44.73 грн
100+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2229Bud IndustriesDescription: CABLE GLAND 4.06-7.87MM PG9
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG9
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.600" (15.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.310" (7.87mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.160" (4.06mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 10103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.98 грн
10+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2229Bud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips NYLON CABLE GLAND WI RE DIA 0.16- 0.31"
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2229-BPGBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 4.06-7.87MM PG9
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG9
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.600" (15.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.310" (7.87mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.160" (4.06mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.93 грн
10+134.89 грн
100+126.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2229-BPGBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Bend Proof (PG-9) .16 to .31"
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.32 грн
10+144.92 грн
100+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2229-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 4.06-7.87MM PG9
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG9
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.600" (15.2mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Part Status: Active
Outside Cable Diameter (Max): 0.310" (7.87mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.160" (4.06mm)
Thread Length: 0.320" (8.13mm)
на замовлення 7893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.06 грн
10+38.04 грн
100+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-2229-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thin Wall - Gray (PG-9) .16 to .31"
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.31 грн
10+42.35 грн
100+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22294-GBud IndustriesDescription: CABLE GLAND 4.06-7.87MM PG9
Packaging: Bulk
Color: Gray
Material: Polyamide (PA), Nylon
Thread Size: PG9
Type: Cable Gland
Operating Temperature: -20°C ~ 65°C
Panel Hole Size: 0.630" (16.0mm)
Includes: Gasket
Ingress Protection: IP66 - Dust Tight, Water Resistant
Outside Cable Diameter (Max): 0.310" (7.87mm)
Outside Cable Diameter (Min): 0.160" (4.06mm)
Thread Length: 0.590" (14.99mm)
на замовлення 37902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPG-22294-GBud IndustriesCable Glands, Strain Reliefs & Cord Grips IP66 Nylon Cable Gland - Thick Wall - Gray (PG-9) .16 to .31"
на замовлення 5013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.58 грн
10+59.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG1-25828-1Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG1-25828-3Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG1-25828-6Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG1-30037-1Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Number of Poles: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG15N06S3L-45Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 15A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 21W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S4-61Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 7761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.36 грн
10+81.66 грн
100+55.24 грн
500+46.79 грн
1000+38.11 грн
2500+35.92 грн
5000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S4-61
Код товару: 177704
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.10 грн
10+69.88 грн
100+46.63 грн
500+34.41 грн
1000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461AATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 5187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.49 грн
10+76.11 грн
100+43.84 грн
500+35.92 грн
1000+31.47 грн
2500+28.98 грн
5000+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+84.89 грн
151+81.45 грн
188+65.19 грн
250+56.95 грн
500+48.26 грн
1000+35.63 грн
3000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 16 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25; Qg, нКл = 7; Rds = 61 @ 16 А; 10 В мОм; Ugs(th) = 3,5 В; Р, Вт = 29; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; PowerVDFN-8
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.11 грн
500+39.46 грн
1000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 17995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.10 грн
10+59.44 грн
100+45.73 грн
500+39.54 грн
1000+36.22 грн
2500+35.69 грн
5000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+101.47 грн
10+90.95 грн
25+87.26 грн
100+67.35 грн
250+56.50 грн
500+49.64 грн
1000+38.17 грн
3000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.05 грн
10+81.43 грн
100+54.76 грн
500+40.67 грн
1000+37.23 грн
2000+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG16N10S461ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.053 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.37 грн
100+50.20 грн
500+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S461ATMA1
Код товару: 155670
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.24 грн
10+80.81 грн
100+53.01 грн
500+38.24 грн
1000+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG16N10S4L61AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 6132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.98 грн
10+87.65 грн
100+49.95 грн
500+38.41 грн
1000+37.35 грн
2500+35.39 грн
5000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG2-0820A5P167SICK, Inc.Description: IP-HOUSING
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Sensor
Accessory Type: Pipe
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG2-1720A5P167SICK, Inc.Description: IP-HOUSING
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Sensor
Accessory Type: Pipe
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG2-2020A5P167SICK, Inc.Description: IP-HOUSING
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Sensor
Accessory Type: Pipe
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG2-2320A5P167SICK, Inc.Description: IP-HOUSING
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Sensor
Accessory Type: Pipe
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4-08Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 9812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.11 грн
10+101.53 грн
100+59.84 грн
500+47.69 грн
1000+44.60 грн
2500+41.13 грн
5000+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4-08Infineon TechnologiesDescription: IPG20N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4-09Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
3+132.06 грн
10+117.15 грн
100+79.23 грн
500+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4-12Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 20167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.49 грн
10+64.04 грн
100+41.13 грн
500+34.56 грн
1000+27.69 грн
2500+26.34 грн
5000+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.16 грн
10+165.75 грн
100+118.47 грн
250+116.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.15 грн
10+113.43 грн
100+80.59 грн
500+60.21 грн
1000+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+60.21 грн
1000+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.46 грн
10+120.58 грн
100+82.84 грн
500+62.59 грн
1000+57.72 грн
2000+53.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.06 грн
10+89.73 грн
100+71.19 грн
500+55.02 грн
1000+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 13190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.64 грн
10+94.01 грн
100+63.72 грн
500+47.62 грн
1000+45.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S408ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.19 грн
500+55.02 грн
1000+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 65W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 65W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408BATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.07 грн
10+100.93 грн
100+68.35 грн
500+51.06 грн
1000+46.85 грн
2000+43.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408BATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408BATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408BATMA1Infineon TechnologiesIPG20N04S408BATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.87 грн
10+81.59 грн
100+54.90 грн
500+40.78 грн
1000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409AATMA1Infineon TechnologiesSP001200172
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
3+132.94 грн
5000+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.91 грн
10+150.68 грн
100+146.45 грн
500+132.06 грн
1000+119.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 54W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 54W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S409ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+146.45 грн
500+132.06 грн
1000+119.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S412AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.03 грн
500+39.38 грн
1000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S412AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.58 грн
13+67.04 грн
100+50.03 грн
500+39.38 грн
1000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 16438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.21 грн
10+71.07 грн
100+44.30 грн
500+35.92 грн
1000+32.22 грн
2500+30.41 грн
5000+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.18 грн
10+72.55 грн
100+48.55 грн
500+35.87 грн
1000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412AATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S412ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.25 грн
500+34.19 грн
1000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S412ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0111 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0111ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0111ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.31 грн
14+63.15 грн
100+48.25 грн
500+34.19 грн
1000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S418AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S418AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.05 грн
10+68.12 грн
100+39.31 грн
500+31.09 грн
1000+28.07 грн
2500+25.73 грн
5000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S418AATMA1Infineon TechnologiesIPG20N04S418AATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S418AATMA1Infineon TechnologiesSP003127446
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L-07Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.11 грн
10+95.46 грн
100+58.63 грн
500+47.77 грн
1000+44.22 грн
2500+40.60 грн
5000+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L-08Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.07 грн
10+96.33 грн
100+55.84 грн
500+45.80 грн
1000+40.07 грн
2500+38.94 грн
5000+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L-11Infineon
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L-11Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 18672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.37 грн
10+71.42 грн
100+43.47 грн
500+35.01 грн
1000+31.17 грн
2500+29.43 грн
5000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L-11AInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8
на замовлення 6124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.15 грн
10+105.87 грн
100+62.93 грн
500+52.29 грн
1000+45.80 грн
2500+42.33 грн
5000+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L07ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.56 грн
500+63.20 грн
1000+50.79 грн
5000+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.64 грн
10+94.17 грн
100+63.84 грн
500+47.72 грн
1000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L07ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L07ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.05 грн
10+92.27 грн
100+78.56 грн
500+63.20 грн
1000+50.79 грн
5000+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL_30/40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.58 грн
10+85.60 грн
100+57.74 грн
500+42.98 грн
1000+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0072ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 54W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+104.97 грн
11+84.14 грн
100+58.75 грн
500+39.85 грн
1000+31.56 грн
5000+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 4123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.50 грн
10+91.12 грн
100+53.05 грн
500+41.96 грн
1000+39.01 грн
2500+37.81 грн
5000+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.32 грн
10+83.79 грн
100+56.43 грн
500+41.96 грн
1000+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L08ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L08ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0072ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 54W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 54W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.75 грн
500+39.85 грн
1000+31.56 грн
5000+30.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0101ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0101ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.84 грн
500+35.37 грн
1000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11AATMA1
Код товару: 158575
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.65 грн
10+77.58 грн
100+46.33 грн
500+37.96 грн
1000+33.20 грн
2500+32.98 грн
5000+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0101ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0101ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.34 грн
15+60.02 грн
100+48.84 грн
500+35.37 грн
1000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.91 грн
10+70.82 грн
100+47.30 грн
500+34.92 грн
1000+31.88 грн
2000+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+29.37 грн
10000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L18AATMA1Infineon TechnologiesSP003127442
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L18AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L18AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1071pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.85 грн
10+62.41 грн
100+41.45 грн
500+30.45 грн
1000+27.72 грн
2000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L18AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1071pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L-35Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.14 грн
10+84.35 грн
100+52.82 грн
500+42.86 грн
1000+39.16 грн
2500+36.15 грн
5000+33.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L-35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L-50Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.69 грн
10+68.82 грн
100+43.31 грн
500+36.37 грн
1000+32.37 грн
2500+31.84 грн
5000+28.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L-65Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.85 грн
10+73.94 грн
100+42.86 грн
500+33.88 грн
1000+29.88 грн
2500+29.05 грн
5000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.22 грн
10+85.99 грн
100+56.45 грн
500+42.17 грн
1000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.66 грн
10+93.72 грн
100+53.28 грн
500+42.41 грн
1000+40.22 грн
2500+37.20 грн
5000+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S2L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.81 грн
50+71.61 грн
250+61.37 грн
1000+43.78 грн
3000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+84.89 грн
100+57.23 грн
500+42.60 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesIPG20N06S2L35ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S2L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 22850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.61 грн
250+61.37 грн
1000+43.78 грн
3000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.94 грн
10+82.87 грн
100+46.56 грн
500+36.90 грн
1000+34.86 грн
2500+32.98 грн
5000+29.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.89 грн
10+76.25 грн
100+49.41 грн
500+36.75 грн
1000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.039 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 51W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.039ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.88 грн
13+70.35 грн
100+51.04 грн
500+32.54 грн
1000+25.69 грн
5000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S2L50ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.039 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 51W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.039ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 51W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.04 грн
500+32.54 грн
1000+25.69 грн
5000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 51W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 4954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.44 грн
10+74.75 грн
100+50.09 грн
500+37.07 грн
1000+33.88 грн
2000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L50ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.91 грн
10+70.51 грн
100+47.08 грн
500+34.75 грн
1000+31.72 грн
2000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65AAUMA1Infineon TechnologiesIPG20N06S2L-65A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65AAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3440.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.48 грн
500+39.07 грн
1000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.73 грн
13+70.26 грн
100+52.48 грн
500+39.07 грн
1000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.65 грн
10+68.46 грн
100+45.69 грн
500+33.69 грн
1000+30.73 грн
2000+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L65AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S3L-23Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S3L-35Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 30W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S3L23XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4-15Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+53.83 грн
Мінімальне замовлення: 402
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S415AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0129ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+62.49 грн
1000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S415AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0129ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.98 грн
10+104.97 грн
100+81.35 грн
500+62.49 грн
1000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_55/60V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.10 грн
10+122.36 грн
100+83.01 грн
500+68.59 грн
1000+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.13 грн
10+95.66 грн
100+68.48 грн
500+50.46 грн
1000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.22 грн
10+86.31 грн
100+58.25 грн
500+43.38 грн
1000+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.78 грн
10+93.72 грн
100+54.94 грн
500+43.62 грн
1000+40.07 грн
2500+38.64 грн
5000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.48 грн
500+50.46 грн
1000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L-11Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.42 грн
10+102.40 грн
100+65.58 грн
500+53.05 грн
1000+50.26 грн
2500+48.22 грн
5000+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L-14Infineon
на замовлення 95092 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L-26Infineon
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L-26Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 20630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.89 грн
10+78.36 грн
100+45.50 грн
500+37.28 грн
1000+32.67 грн
2500+29.96 грн
5000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L-26AInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8
на замовлення 6336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.30 грн
10+81.31 грн
100+47.09 грн
500+38.64 грн
1000+33.81 грн
2500+32.83 грн
5000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.79 грн
10+105.02 грн
100+71.62 грн
500+53.79 грн
1000+52.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL_55/60V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.48 грн
10+114.55 грн
100+68.14 грн
500+54.03 грн
1000+50.18 грн
2500+46.48 грн
5000+44.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.20 грн
250+81.60 грн
1000+52.27 грн
3000+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.34 грн
10+103.29 грн
100+70.37 грн
500+52.81 грн
1000+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7103.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.53 грн
50+109.20 грн
250+81.60 грн
1000+52.27 грн
3000+47.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA1Infineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.13 грн
500+56.44 грн
1000+47.16 грн
5000+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA2Infineon TechnologiesSP001404020
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L11ATMA2 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0095ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.85 грн
10+118.51 грн
100+83.13 грн
500+56.44 грн
1000+47.16 грн
5000+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.07 грн
10+104.14 грн
100+64.22 грн
500+53.05 грн
1000+49.05 грн
2500+45.43 грн
5000+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.34 грн
10+103.37 грн
100+70.38 грн
500+52.83 грн
1000+51.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L11ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Unclassified
Description: IPG20N06S4L11ATMA2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.77 грн
10+57.01 грн
100+41.65 грн
500+40.22 грн
1000+39.62 грн
2500+38.79 грн
5000+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.79 грн
500+40.87 грн
1000+35.26 грн
5000+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+119.93 грн
10+99.45 грн
25+98.50 грн
50+94.06 грн
100+67.33 грн
250+45.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L14AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 50W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.20 грн
15+57.73 грн
100+50.79 грн
500+40.87 грн
1000+35.26 грн
5000+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.60 грн
10+59.11 грн
100+46.76 грн
500+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 50W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.22 грн
10+86.78 грн
100+58.60 грн
500+43.65 грн
1000+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L14ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 20A TDSON-8
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.77 грн
10+79.84 грн
100+46.41 грн
500+36.52 грн
1000+32.90 грн
2500+31.84 грн
5000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.99 грн
10+73.42 грн
100+49.16 грн
500+36.36 грн
1000+33.21 грн
2000+32.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 365000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.77 грн
250+41.56 грн
1000+33.96 грн
3000+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 33W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.54 грн
10+56.20 грн
100+40.07 грн
500+33.70 грн
1000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.96 грн
50+49.77 грн
250+41.56 грн
1000+33.96 грн
3000+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
на замовлення 74268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.84 грн
10+55.19 грн
100+36.82 грн
500+32.90 грн
1000+30.41 грн
2500+29.73 грн
5000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S436AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.43 грн
10+91.42 грн
100+69.41 грн
500+53.29 грн
1000+38.24 грн
2500+37.22 грн
5000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.75 грн
10000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 13822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.50 грн
10+85.04 грн
100+52.37 грн
500+42.11 грн
1000+37.81 грн
2500+36.90 грн
5000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S436AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S436AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.031ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.41 грн
500+53.29 грн
1000+38.24 грн
2500+37.22 грн
5000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.13 грн
10+83.87 грн
100+56.55 грн
500+42.05 грн
1000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S436AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L-22Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.48 грн
10+113.68 грн
100+67.46 грн
500+55.92 грн
1000+49.28 грн
2500+45.65 грн
5000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L-22AInfineon
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L-22AInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.00 грн
10+116.28 грн
100+68.82 грн
500+57.27 грн
1000+50.33 грн
2500+46.56 грн
5000+45.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L-35Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.14 грн
10+92.85 грн
100+55.39 грн
500+46.94 грн
1000+39.16 грн
2500+36.22 грн
5000+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.98 грн
10+98.20 грн
100+77.79 грн
500+58.56 грн
1000+47.31 грн
5000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
на замовлення 20540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.60 грн
10+98.73 грн
100+71.96 грн
500+54.15 грн
1000+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.87 грн
10+98.93 грн
100+64.67 грн
500+54.18 грн
1000+50.33 грн
2500+48.90 грн
5000+45.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.79 грн
500+58.56 грн
1000+47.31 грн
5000+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+79.53 грн
162+75.89 грн
181+67.67 грн
200+62.76 грн
1000+54.02 грн
2000+49.63 грн
5000+48.83 грн
10000+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 49838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.12 грн
250+76.69 грн
1000+51.25 грн
3000+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.46 грн
10+112.71 грн
25+111.52 грн
100+84.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+87.11 грн
142+86.39 грн
182+67.57 грн
200+62.66 грн
1000+53.84 грн
2000+49.54 грн
5000+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 7223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.91 грн
10+105.00 грн
100+64.67 грн
500+53.20 грн
1000+49.28 грн
2500+47.69 грн
5000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L22ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 60W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 60W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 49838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.28 грн
50+104.12 грн
250+76.69 грн
1000+51.25 грн
3000+46.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 60W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.34 грн
10+103.52 грн
100+70.56 грн
500+52.97 грн
1000+51.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L22ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+121.77 грн
117+105.20 грн
118+104.09 грн
150+78.67 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.66 грн
10+93.72 грн
100+53.35 грн
500+42.41 грн
1000+40.37 грн
2500+37.28 грн
5000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.92 грн
500+32.39 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.63 грн
14+61.03 грн
100+42.92 грн
500+32.39 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+96.69 грн
139+88.05 грн
171+71.63 грн
200+64.66 грн
1000+53.00 грн
2000+47.50 грн
5000+46.24 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.03 грн
10+86.31 грн
100+56.75 грн
500+42.40 грн
1000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.58 грн
10+85.36 грн
100+57.54 грн
500+42.82 грн
1000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.50 грн
250+63.32 грн
1000+40.64 грн
3000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 28070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.30 грн
10+80.62 грн
100+52.60 грн
500+42.86 грн
1000+37.96 грн
2500+36.22 грн
5000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPG20N10S4L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.82 грн
50+85.50 грн
250+63.32 грн
1000+40.64 грн
3000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG6-27390-1Sensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH11-20845-2-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH11-28676-25-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH11-30036-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Number of Poles: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH11-30036-7Sensata-AirpaxDescription: CIR BRKR MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH111-25450-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH1111-23259-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH1111-28676-2-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH266-20628-2Sensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH66-20788-1-VSensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH66-20788-2-VSensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH66-20788-3-VSensata Technologies/AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGH666-1REC4-23578-1-VSensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Part Status: Active
Number of Poles: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGHB111-22761-1Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Panel Mount
Actuator Type: Lever
Breaker Type: Magnetic (Hydraulic Delay)
Number of Poles: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGHF666-32689-30Sensata-AirpaxDescription: CIRCUIT BREAKER MAG-HYDR LEVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPGSK-1316ITTIPGSK-1316
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+270.09 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IPGSK-1316Sure-SealDescription: GASKET CIRCULAR 13/16 10PK
Packaging: Box
Accessory Type: Gasket
Part Status: Active
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+715.88 грн
10+689.21 грн
25+551.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.