Продукція > IQE

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IQE004NE1LM7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.79 грн
10+109.56 грн
25+96.01 грн
100+88.58 грн
250+81.20 грн
500+69.97 грн
1000+67.53 грн
3000+66.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.03 грн
84+168.58 грн
109+130.03 грн
118+115.63 грн
500+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 4423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+86.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.25 грн
10+118.65 грн
50+90.45 грн
100+76.35 грн
500+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+128.79 грн
130+109.56 грн
148+96.01 грн
154+88.58 грн
250+81.20 грн
500+69.97 грн
1000+67.53 грн
3000+66.67 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.03 грн
10+168.58 грн
50+130.03 грн
100+115.63 грн
500+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 транзистор польовий
Код товару: 222741
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
очікується: 2 шт
  • 2 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin TTFN EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+112.08 грн
20000+102.42 грн
30000+95.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 3903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 9667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.25 грн
10+118.65 грн
50+90.45 грн
100+76.35 грн
500+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.50 грн
10+143.60 грн
25+141.91 грн
100+136.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 5458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.07 грн
10+187.94 грн
50+145.78 грн
100+124.07 грн
500+104.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+283.68 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 32657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+192.88 грн
100+135.69 грн
500+109.53 грн
1000+101.88 грн
2500+93.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.50 грн
99+143.60 грн
100+136.66 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+192.88 грн
105+135.69 грн
500+109.53 грн
1000+101.88 грн
2500+93.91 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.96 грн
10+92.24 грн
25+85.29 грн
100+75.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
на замовлення 3521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+260.58 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 7769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.60 грн
10+119.86 грн
50+91.37 грн
100+77.14 грн
500+62.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin WHSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+243.23 грн
85+167.71 грн
86+164.86 грн
108+127.17 грн
120+105.57 грн
250+100.35 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
на замовлення 3521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+53.01 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.23 грн
10+167.71 грн
25+164.86 грн
50+127.17 грн
100+105.57 грн
250+100.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesKeeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.28 грн
10+147.26 грн
100+111.22 грн
500+90.10 грн
1000+77.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesKeeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.50 грн
10+115.63 грн
25+113.76 грн
100+107.90 грн
250+98.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesKeeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 575613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.90 грн
500+154.40 грн
1000+141.44 грн
10000+121.61 грн
100000+94.61 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 7413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesKeeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.50 грн
123+115.63 грн
125+113.76 грн
127+107.90 грн
250+98.23 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 5335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.90 грн
10+154.66 грн
50+119.03 грн
100+100.95 грн
500+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesKeeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesKeeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+252.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 13638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesKeeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 7413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.27 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesKeeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesKeeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.55 грн
10+134.60 грн
100+108.15 грн
500+87.61 грн
1000+74.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesKeeping the system in mind, Infineon sets new standards in power MOSFET performance
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.14 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCInfineon TechnologiesIQE006NE2LM5CGSC
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+244.85 грн
61+235.53 грн
100+227.53 грн
250+212.75 грн
500+191.64 грн
1000+179.47 грн
2500+175.51 грн
5000+172.01 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCInfineon Technologies IFX FET 15V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Package / Case: 9-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.06 грн
10+168.24 грн
50+129.64 грн
100+110.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCInfineon Technologies IFX FET 15V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.60 грн
10+120.54 грн
50+91.93 грн
100+77.61 грн
500+62.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 47A 8-Pin WHSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 47A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.49 грн
10+173.14 грн
100+124.71 грн
500+98.20 грн
1000+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 7843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 47A 8-Pin WHSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 47A 8-Pin WHSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.08 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE008N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 5069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE008N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.44 грн
10+125.45 грн
100+86.35 грн
500+65.36 грн
1000+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]