Продукція > IQE

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 24A 120W 8-Pin Quarter-Brick

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE-480-17A-120V/001-R

Module DC-DC 48VIN 1-OUT 12V 17A 204W 8-Pin Quarter-Brick

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.46 грн
10+	154.77 грн
100+	123.16 грн
500+	97.80 грн
1000+	82.98 грн
2000+	78.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7ATMA1

TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7ATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	94.81 грн
500+	71.69 грн
1000+	58.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.13 грн
10+	167.48 грн
100+	115.45 грн
250+	106.40 грн
500+	96.59 грн
1000+	83.01 грн
2500+	78.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	83.95 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7ATMA1

на замовлення 4608 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	175.23 грн
10+	126.13 грн
100+	94.81 грн
500+	71.69 грн
1000+	58.55 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4879 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.13 грн
10+	167.48 грн
100+	115.45 грн
250+	106.40 грн
500+	96.59 грн
1000+	83.01 грн
2500+	78.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	97.35 грн
500+	72.00 грн
1000+	57.18 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 9980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.56 грн
10+	151.00 грн
100+	120.16 грн
500+	95.41 грн
1000+	80.95 грн
2000+	76.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGATMA1

на замовлення 4847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	197.24 грн
10+	134.60 грн
100+	97.35 грн
500+	72.00 грн
1000+	57.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	81.90 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGATMA1

TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

на замовлення 402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	216.97 грн
69+	178.97 грн
70+	177.10 грн
100+	136.88 грн
250+	93.26 грн

Мінімальне замовлення: 57

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	99.04 грн
500+	77.19 грн
1000+	61.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 7847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.50 грн
10+	120.50 грн
100+	87.41 грн
500+	70.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.97 грн
10+	180.50 грн
100+	125.26 грн
250+	115.45 грн
500+	104.89 грн
1000+	89.80 грн
2500+	85.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

на замовлення 1585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	188.77 грн
10+	135.44 грн
100+	99.04 грн
500+	77.19 грн
1000+	61.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

на замовлення 402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	232.46 грн
10+	191.76 грн
25+	189.75 грн
100+	146.66 грн
250+	99.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	63.39 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7SCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.97 грн
10+	180.50 грн
100+	125.26 грн
250+	115.45 грн
500+	104.89 грн
1000+	89.80 грн
2500+	85.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	97.35 грн
500+	77.19 грн
1000+	62.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 10543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.89 грн
10+	115.63 грн
100+	87.41 грн
500+	70.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7SCATMA1

TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7SCATMA1

на замовлення 5426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	175.23 грн
10+	128.67 грн
100+	97.35 грн
500+	77.19 грн
1000+	62.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	168.46 грн
10+	123.59 грн
100+	92.27 грн
500+	65.08 грн
1000+	51.44 грн
5000+	51.37 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 41A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5ATMA1

на замовлення 8694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	92.27 грн
500+	65.08 грн
1000+	51.44 грн
5000+	51.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	191.92 грн
10+	137.11 грн
100+	90.55 грн
250+	80.74 грн
500+	78.48 грн
1000+	69.80 грн
5000+	59.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	195.91 грн
10+	121.60 грн
100+	83.59 грн
500+	63.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 9470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	209.78 грн
10+	137.95 грн
100+	98.81 грн
500+	72.96 грн
1000+	63.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	177.77 грн
10+	127.82 грн
100+	98.20 грн
500+	67.52 грн
1000+	57.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	184.00 грн
10+	131.04 грн
25+	109.42 грн
100+	87.53 грн
500+	70.56 грн
1000+	65.12 грн
2500+	61.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	72.37 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	98.20 грн
500+	67.52 грн
1000+	57.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSC

IQE006NE2LM5CGSC

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	202.02 грн
63+	194.32 грн
100+	187.74 грн
250+	175.54 грн
500+	158.11 грн
1000+	148.08 грн
2500+	144.81 грн
5000+	141.92 грн

Мінімальне замовлення: 61

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	228.56 грн
10+	148.99 грн
100+	102.43 грн
500+	77.27 грн
1000+	70.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

SP005419125

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 8277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.83 грн
10+	128.99 грн
100+	90.22 грн
500+	70.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	228.56 грн
10+	148.99 грн
100+	102.43 грн
500+	77.27 грн
1000+	70.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 14167 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.77 грн
10+	143.19 грн
100+	87.53 грн
500+	71.99 грн
1000+	66.03 грн
6000+	62.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	235.33 грн
10+	163.38 грн
100+	117.67 грн
500+	80.18 грн
1000+	64.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 4146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.52 грн
10+	133.08 грн
100+	91.82 грн
500+	69.61 грн
1000+	63.08 грн
2000+	60.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5SCATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 982 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.98 грн
10+	166.62 грн
100+	104.14 грн
250+	98.10 грн
500+	84.52 грн
1000+	74.55 грн
12000+	73.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	235.33 грн
10+	163.38 грн
100+	117.67 грн
500+	80.18 грн
1000+	64.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 1066 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.85 грн
10+	157.07 грн
100+	100.36 грн
250+	90.55 грн
500+	80.74 грн
1000+	71.16 грн
5000+	71.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	214.17 грн
10+	153.22 грн
100+	113.43 грн
500+	84.89 грн
1000+	68.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	196.72 грн
10+	156.97 грн
100+	124.96 грн
500+	99.23 грн
1000+	84.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	79.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	113.43 грн
500+	84.89 грн
1000+	68.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	99.04 грн
500+	73.73 грн
1000+	62.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	79.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	214.17 грн
10+	143.91 грн
100+	99.04 грн
500+	73.73 грн
1000+	62.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.27 грн
10+	155.48 грн
100+	123.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.29 грн
10+	173.56 грн
100+	119.98 грн
250+	110.93 грн
500+	100.36 грн
1000+	87.53 грн
5000+	79.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGSCATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5SCATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	193.00 грн
10+	132.06 грн
100+	102.43 грн
500+	69.72 грн
1000+	62.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 8968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.40 грн
10+	129.38 грн
100+	98.77 грн
500+	74.87 грн
1000+	64.90 грн
2000+	63.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5299 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.70 грн
10+	113.68 грн
100+	74.71 грн
500+	65.58 грн
1000+	63.99 грн
5000+	60.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	67.74 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	102.43 грн
500+	69.72 грн
1000+	62.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4062 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.78 грн
10+	156.20 грн
100+	97.34 грн
500+	83.01 грн
1000+	77.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	209.93 грн
10+	140.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGATMA1

Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 8592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.07 грн
10+	106.51 грн
100+	83.46 грн
500+	65.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGATMA1

Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	59.10 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	67.25 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	226.02 грн
10+	157.45 грн
100+	110.89 грн
500+	84.11 грн
1000+	71.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	226.02 грн
10+	157.45 грн
100+	110.89 грн
500+	84.11 грн
1000+	71.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

на замовлення 6333 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.60 грн
10+	135.59 грн
100+	93.94 грн
500+	74.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 10819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.71 грн
10+	172.69 грн
100+	107.15 грн
500+	88.29 грн
1000+	85.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	69.60 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6SCATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 619 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	259.71 грн
10+	172.69 грн
100+	107.15 грн
500+	88.29 грн
1000+	85.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	253.11 грн
10+	176.92 грн
100+	126.98 грн
500+	86.47 грн
1000+	71.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	253.11 грн
10+	176.92 грн
100+	126.98 грн
500+	86.47 грн
1000+	71.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

на замовлення 10985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.97 грн
10+	139.76 грн
100+	97.21 грн
500+	76.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6CGATMA1

MOSFETs N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6CGATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6CGSCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6CGSCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6SCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6SCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6SCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	242.98 грн
10+	159.67 грн
100+	98.85 грн
500+	80.74 грн
1000+	77.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 4927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	222.03 грн
10+	144.32 грн
100+	105.15 грн
500+	83.15 грн
1000+	76.98 грн
2000+	73.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE022N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	119.36 грн
500+	100.61 грн
1000+	79.81 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5ATMA1

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	221.79 грн
10+	162.53 грн
100+	119.36 грн
500+	100.61 грн
1000+	79.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	116.82 грн
500+	80.18 грн
1000+	65.30 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 3365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	242.43 грн
10+	154.22 грн
100+	108.99 грн
500+	83.15 грн
1000+	76.98 грн
2000+	73.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGATMA1

на замовлення 4199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	237.02 грн
10+	168.46 грн
100+	116.82 грн
500+	80.18 грн
1000+	65.30 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4821 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	237.70 грн
10+	156.20 грн
100+	96.59 грн
500+	79.23 грн
1000+	76.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	120.20 грн
500+	91.97 грн
1000+	81.27 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5658 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	255.31 грн
10+	168.35 грн
100+	104.89 грн
500+	86.02 грн
1000+	83.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 4586 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.15 грн
10+	160.43 грн
100+	114.36 грн
500+	90.13 грн
1000+	83.56 грн
2000+	81.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGSCATMA1

на замовлення 5740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	252.26 грн
10+	168.46 грн
100+	120.20 грн
500+	91.97 грн
1000+	81.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 5738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.33 грн
10+	162.71 грн
100+	113.54 грн
500+	86.85 грн
1000+	80.51 грн
2000+	78.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5SCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	255.31 грн
10+	168.35 грн
100+	104.89 грн
500+	86.02 грн
1000+	83.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE022N06LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	133.75 грн
500+	112.40 грн
1000+	88.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WHSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5SCATMA1

на замовлення 5994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	248.03 грн
10+	182.00 грн
100+	133.75 грн
500+	112.40 грн
1000+	88.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 7004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.19 грн
10+	164.91 грн
100+	115.11 грн
500+	86.21 грн
1000+	79.92 грн
2000+	78.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	242.10 грн
10+	184.54 грн
100+	129.52 грн
500+	102.19 грн
1000+	90.70 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	87.81 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1998 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	238.58 грн
10+	179.63 грн
100+	109.42 грн
500+	92.82 грн
1000+	89.80 грн
5000+	80.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	129.52 грн
500+	102.19 грн
1000+	90.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5ATMA1

SP005399424

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4233 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	240.34 грн
10+	174.43 грн
100+	107.91 грн
500+	95.08 грн
1000+	83.76 грн
5000+	80.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	230.19 грн
10+	161.61 грн
100+	115.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGATMA1

SP005399428

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	205.70 грн
10+	152.37 грн
100+	108.35 грн
500+	85.68 грн
1000+	72.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	108.35 грн
500+	85.68 грн
1000+	72.20 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	240.41 грн
10+	167.61 грн
100+	121.90 грн
500+	94.33 грн
1000+	86.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 5902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	245.70 грн
10+	171.44 грн
100+	120.01 грн
500+	92.01 грн
1000+	85.38 грн
2000+	83.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	240.41 грн
10+	167.61 грн
100+	121.90 грн
500+	94.33 грн
1000+	86.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	257.95 грн
10+	185.71 грн
100+	113.95 грн
500+	97.34 грн
1000+	92.06 грн
6000+	86.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	252.26 грн
10+	169.30 грн
100+	123.59 грн
500+	95.11 грн
1000+	87.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5SCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	281.72 грн
10+	188.31 грн
25+	162.99 грн
100+	114.70 грн
500+	104.89 грн
6000+	86.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 21A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	267.74 грн
10+	171.44 грн
100+	120.08 грн
500+	92.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	252.26 грн
10+	169.30 грн
100+	123.59 грн
500+	95.11 грн
1000+	87.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6ATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6CGATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6CGATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6CGSCATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6CGSCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6CGSCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6SCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6SCATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6SCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE046N08LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	176.92 грн
250+	123.59 грн
1000+	90.40 грн
3000+	81.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 4100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.39 грн
10+	163.26 грн
100+	113.71 грн
500+	86.83 грн
1000+	80.45 грн
2000+	77.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 7198 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	246.50 грн
10+	170.96 грн
100+	104.14 грн
500+	86.78 грн
1000+	82.25 грн
5000+	77.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

на замовлення 7232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	250.57 грн
50+	176.92 грн
250+	123.59 грн
1000+	90.40 грн
3000+	81.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 8-Pin TSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.79 грн
10+	166.62 грн
100+	103.38 грн
500+	84.52 грн
1000+	81.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	251.41 грн
10+	171.84 грн
100+	121.05 грн
500+	91.97 грн
1000+	76.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 1967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.39 грн
10+	163.26 грн
100+	113.71 грн
500+	86.83 грн
1000+	80.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGATMA1

на замовлення 4940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	121.05 грн
500+	91.97 грн
1000+	76.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	86.21 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	264.96 грн
10+	179.46 грн
100+	128.67 грн
500+	100.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 11866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	270.27 грн
10+	178.77 грн
100+	110.93 грн
500+	92.06 грн
1000+	89.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 7610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.07 грн
10+	158.70 грн
100+	113.76 грн
500+	95.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGSCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGSCATMA1

на замовлення 904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	128.67 грн
500+	100.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE046N08LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	264.11 грн
10+	187.93 грн
100+	132.06 грн
500+	100.61 грн
1000+	84.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 8-Pin WHSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5SCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5844 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.35 грн
10+	183.97 грн
100+	112.44 грн
500+	95.83 грн
1000+	90.55 грн
6000+	85.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 8-Pin WHSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5SCATMA1

на замовлення 5587 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	132.06 грн
500+	100.61 грн
1000+	84.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 5575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	251.41 грн
10+	168.92 грн
100+	118.13 грн
500+	90.50 грн
1000+	83.97 грн
2000+	82.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 9048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	224.48 грн
10+	148.88 грн
100+	108.08 грн
500+	84.56 грн
1000+	83.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	121.90 грн
500+	94.33 грн
1000+	85.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3272 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	257.95 грн
10+	168.35 грн
100+	103.38 грн
500+	83.76 грн
1000+	79.23 грн
5000+	77.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	237.02 грн
10+	168.46 грн
100+	121.90 грн
500+	94.33 грн
1000+	85.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5ATMA1

SP005583102

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	259.03 грн
10+	179.46 грн
100+	126.13 грн
500+	88.04 грн
1000+	72.56 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 9687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	267.74 грн
10+	168.14 грн
100+	117.33 грн
500+	89.75 грн
1000+	83.21 грн
2000+	80.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 397 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	228.02 грн
10+	157.94 грн
100+	99.61 грн
500+	83.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	126.13 грн
500+	88.04 грн
1000+	72.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGATMA1

SP005583114

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	89.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 16A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	298.82 грн
10+	198.08 грн
100+	157.45 грн
500+	122.62 грн
1000+	97.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	298.82 грн
10+	198.08 грн
100+	157.45 грн
500+	122.62 грн
1000+	97.23 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2545 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	289.64 грн
10+	186.58 грн
100+	126.77 грн
500+	105.64 грн
1000+	100.36 грн
6000+	83.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5066 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	272.58 грн
10+	188.77 грн
100+	137.13 грн
500+	104.54 грн
1000+	87.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5SCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	265.87 грн
10+	181.37 грн
100+	111.68 грн
500+	97.34 грн
1000+	92.82 грн
6000+	84.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 4997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.76 грн
10+	173.09 грн
100+	121.43 грн
500+	93.14 грн
1000+	86.45 грн
2000+	84.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 16A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5066 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	272.58 грн
10+	188.77 грн
100+	137.13 грн
500+	104.54 грн
1000+	87.80 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6ATMA1

IQE057N10NM6ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6CGATMA1

IQE057N10NM6CGATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6CGATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6CGATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6CGSCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6CGSCATMA1

IQE057N10NM6CGSCATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6SCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6SCATMA1

IQE057N10NM6SCATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6SCATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 22345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	245.70 грн
10+	153.67 грн
100+	106.66 грн
500+	81.25 грн
1000+	75.19 грн
2000+	71.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	230.66 грн
10+	190.91 грн
25+	161.49 грн
100+	135.07 грн
250+	130.55 грн
500+	119.98 грн
1000+	96.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE065N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	234.48 грн
10+	162.53 грн
100+	115.97 грн
500+	88.04 грн
1000+	72.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	79.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5ATMA1

SP005399446

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE065N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	115.97 грн
500+	88.04 грн
1000+	72.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 5121 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.49 грн
10+	146.66 грн
100+	89.04 грн
500+	72.06 грн
1000+	65.58 грн
5000+	65.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	238.72 грн
10+	159.14 грн
100+	110.89 грн
500+	76.64 грн
1000+	64.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 9915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	236.72 грн
10+	148.25 грн
100+	102.66 грн
500+	78.08 грн
1000+	72.21 грн
2000+	68.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGATMA1

SP005399451

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	110.89 грн
500+	76.64 грн
1000+	64.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 5010 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.39 грн
10+	173.56 грн
100+	113.95 грн
500+	95.08 грн
1000+	90.55 грн
6000+	74.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5SCATMA1

MOSFETs N

на замовлення 2278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	253.55 грн
10+	210.87 грн
25+	172.80 грн
100+	147.90 грн
250+	139.60 грн
500+	132.06 грн
1000+	106.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin WHSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	246.52 грн
10+	158.70 грн
100+	110.60 грн
500+	84.51 грн
1000+	78.31 грн
2000+	75.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE17-05NNSKW2S

SICK

Description: SICK - IQE17-05NNSKW2S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IQE, 5mm, NPN / SPST-NO, 10V bis 30V
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Kunststoff
IP-Schutzart: IP67
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Modul
Sensorausgang: NPN / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NO
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IQE Series
Erfassungsreichweite, max.: 5mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 75°C
Erfassungsreichweite, nom.: 5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2296.59 грн

В кошику од. на суму грн.

IQE17-05NPSKW2S

SICK, Inc.

Description: INDUCT PROXIM SENS
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.197" (5mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -25°C ~ 75°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67
Indicator: No Indicator

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 7A 8-Pin TSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	237.54 грн
10+	148.56 грн
100+	102.89 грн
500+	78.25 грн
1000+	72.37 грн
2000+	68.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	213.93 грн
10+	146.66 грн
100+	91.31 грн
500+	76.97 грн
1000+	73.95 грн
2500+	72.06 грн
5000+	65.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	75.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5CGATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	210.41 грн
10+	144.92 грн
100+	89.04 грн
500+	73.35 грн
1000+	68.14 грн
5000+	64.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	235.09 грн
10+	146.68 грн
100+	101.54 грн
500+	77.19 грн
1000+	71.37 грн
2000+	67.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 7A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	278.20 грн
10+	183.10 грн
100+	111.68 грн
250+	110.93 грн
500+	96.59 грн
1000+	92.06 грн
6000+	81.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5CGSCATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	84.43 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5CGSCATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5CGSCATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	257.13 грн
10+	161.22 грн
100+	112.19 грн
500+	85.63 грн
1000+	79.32 грн
2000+	76.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5SCATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5SCATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 150V 8WHSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5SCATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 150V 8WHSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5SCATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 5510 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	261.47 грн
10+	168.35 грн
100+	110.17 грн
500+	92.82 грн
1000+	87.53 грн
6000+	72.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE24009A120V-001-R

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 9A 108W 8-Pin Quarter-Brick

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

iQE24009A120V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 12V

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IQE24009A120V-007-R

Description: DC DC CONVERTER 12V 108W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

iQE24012A080V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 8V 96W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Packaging: Tray
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 12A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 8V
Power (Watts): 96 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE24015A033V-031-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 16-40VDC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE24015A033V-031-R

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 40V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 15A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 16V
Voltage - Output 1: 3.3V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 50 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE24015A050V-031-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 75W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Packaging: Tray
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 15A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE24024A050V-001-R

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 24A 120W 8-Pin Quarter-Brick

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

iQE24024A050V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 120W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Package / Case: 8-DIP Module
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Intermediate Bus Converter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 24A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active Low
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

iQE24024A050V-001-R

Isolated DC/DC Converters 18-36Vin 5V 24A 120W NegPlrty 1/4brick TH

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IQE24024A050V-007-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 120W
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 24A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Power (Watts): 120 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE24030A033V-007-R

Isolated DC/DC Converters 18-36VDC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE48010A150V-001-R

Module DC-DC 48VIN 1-OUT 15V 10A 150W 8-Pin Quarter-Brick

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE48010A150V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 15V 150W
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 10A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 15V
Power (Watts): 150 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

iQE48010A150V-007-R

Isolated DC/DC Converters 48Vin15Vout 10A 150W PCB Mount 1/4 Brick

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

iQE48010A150V-007-R

Description: DC DC CONVERTER 15V 150W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Packaging: Tray
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 10A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 15V
Power (Watts): 150 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE48017A120V-000-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75VDC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

iQE48017A120V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 12V
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Packaging: Tray
Package / Case: 8-DIP Module, 1/4 Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 17A
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6510.64 грн
5+	6220.46 грн
10+	6171.57 грн
25+	5607.89 грн

В кошику од. на суму грн.

iQE48017A120V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 48Vin12Vout 17A 204W PCB Mount 1/4 Brick

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	6078.09 грн
10+	5908.82 грн
25+	5049.06 грн
72+	5048.31 грн

В кошику од. на суму грн.

IQE48017A120V-007-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75VDC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE48030A050V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75Vin 5V 30A 150W NegPlrty 1/4brick TH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE48030A050V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 150W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Package / Case: 8-DIP Module
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Intermediate Bus Converter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 30A
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active Low
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6269.02 грн
5+	5811.71 грн
10+	5717.39 грн
25+	5250.38 грн
50+	5164.86 грн

В кошику од. на суму грн.

iQE48040A033V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 48Vin3.3Vout40A 132W PCB Mount 1/4 Brick

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE4W011A120V-001-R