Продукція > IQE

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 24A 120W 8-Pin Quarter-Brick

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE-480-17A-120V/001-R

Module DC-DC 48VIN 1-OUT 12V 17A 204W 8-Pin Quarter-Brick

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	82.79 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7ATMA1

TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.77 грн
10+	152.63 грн
100+	121.45 грн
500+	96.44 грн
1000+	81.83 грн
2000+	77.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.28 грн
10+	165.16 грн
100+	113.85 грн
250+	104.92 грн
500+	95.25 грн
1000+	81.86 грн
2500+	77.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	80.77 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	96.00 грн
500+	71.00 грн
1000+	56.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4879 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.28 грн
10+	165.16 грн
100+	113.85 грн
250+	104.92 грн
500+	95.25 грн
1000+	81.86 грн
2500+	77.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGATMA1

TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 9980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.95 грн
10+	148.91 грн
100+	118.49 грн
500+	94.09 грн
1000+	79.83 грн
2000+	75.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGATMA1

на замовлення 4847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	194.50 грн
10+	132.73 грн
100+	96.00 грн
500+	71.00 грн
1000+	56.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 7847 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.07 грн
10+	118.83 грн
100+	86.20 грн
500+	69.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.71 грн
10+	153.60 грн
100+	113.53 грн
500+	87.59 грн
1000+	71.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	217.91 грн
10+	178.00 грн
100+	123.53 грн
250+	113.85 грн
500+	103.44 грн
1000+	88.55 грн
2500+	84.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

на замовлення 402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	200.99 грн
10+	165.79 грн
25+	164.05 грн
100+	126.80 грн
250+	86.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

на замовлення 5717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	113.53 грн
500+	87.59 грн
1000+	71.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

на замовлення 402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	216.45 грн
69+	178.54 грн
70+	176.67 грн
100+	136.56 грн
250+	93.03 грн

Мінімальне замовлення: 57

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 10543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.60 грн
10+	114.02 грн
100+	86.20 грн
500+	69.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	62.51 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7SCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	217.91 грн
10+	178.00 грн
100+	123.53 грн
250+	113.85 грн
500+	103.44 грн
1000+	88.55 грн
2500+	84.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE004NE1LM7SCATMA1

TRENCH <= 40V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	166.12 грн
10+	121.88 грн
100+	90.99 грн
500+	64.18 грн
1000+	50.73 грн
5000+	50.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	189.26 грн
10+	135.21 грн
100+	89.30 грн
250+	79.62 грн
500+	77.39 грн
1000+	68.83 грн
5000+	59.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 1883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.19 грн
10+	119.91 грн
100+	82.43 грн
500+	62.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 41A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5ATMA1

на замовлення 8712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	90.99 грн
500+	64.18 грн
1000+	50.73 грн
5000+	50.66 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	99.34 грн
500+	66.27 грн
1000+	51.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4644 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	174.47 грн
10+	126.05 грн
100+	99.34 грн
500+	66.27 грн
1000+	51.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 9470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.87 грн
10+	136.04 грн
100+	97.44 грн
500+	71.95 грн
1000+	62.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 5389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.45 грн
10+	129.22 грн
25+	107.90 грн
100+	86.32 грн
500+	69.58 грн
1000+	64.22 грн
2500+	61.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	71.36 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSC

IQE006NE2LM5CGSC

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

61+	201.54 грн
63+	193.86 грн
100+	187.29 грн
250+	175.11 грн
500+	157.73 грн
1000+	147.72 грн
2500+	144.46 грн
5000+	141.58 грн

Мінімальне замовлення: 61

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

SP005419125

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	225.39 грн
10+	146.92 грн
100+	101.01 грн
500+	76.20 грн
1000+	69.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 14170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.17 грн
10+	148.90 грн
100+	91.53 грн
500+	75.16 грн
1000+	68.68 грн
6000+	64.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	225.39 грн
10+	146.92 грн
100+	101.01 грн
500+	76.20 грн
1000+	69.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 8277 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.16 грн
10+	127.20 грн
100+	88.97 грн
500+	69.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5SCATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 982 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.61 грн
10+	164.31 грн
100+	102.69 грн
250+	96.74 грн
500+	83.34 грн
1000+	73.52 грн
12000+	72.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	232.07 грн
10+	161.11 грн
100+	116.03 грн
500+	79.06 грн
1000+	64.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	232.07 грн
10+	161.11 грн
100+	116.03 грн
500+	79.06 грн
1000+	64.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 4146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	203.65 грн
10+	131.23 грн
100+	90.54 грн
500+	68.65 грн
1000+	62.21 грн
2000+	59.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	111.86 грн
500+	83.72 грн
1000+	67.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.99 грн
10+	154.80 грн
100+	123.22 грн
500+	97.85 грн
1000+	83.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	211.20 грн
10+	151.09 грн
100+	111.86 грн
500+	83.72 грн
1000+	67.83 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	78.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 1066 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	218.78 грн
10+	154.89 грн
100+	98.97 грн
250+	89.30 грн
500+	79.62 грн
1000+	70.17 грн
5000+	70.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	97.67 грн
500+	72.71 грн
1000+	61.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	78.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.58 грн
10+	153.32 грн
100+	122.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.36 грн
10+	171.15 грн
100+	118.32 грн
250+	109.39 грн
500+	98.97 грн
1000+	86.32 грн
5000+	78.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	211.20 грн
10+	141.91 грн
100+	97.67 грн
500+	72.71 грн
1000+	61.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5CGSCATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5SCATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE008N03LM5SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	101.01 грн
500+	68.76 грн
1000+	61.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.65 грн
10+	127.51 грн
100+	89.30 грн
500+	79.62 грн
1000+	76.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	66.80 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	190.33 грн
10+	130.22 грн
100+	101.01 грн
500+	68.76 грн
1000+	61.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 8968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.90 грн
10+	127.59 грн
100+	97.40 грн
500+	73.83 грн
1000+	64.00 грн
2000+	62.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGATMA1

Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 5360 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.55 грн
10+	121.00 грн
100+	86.72 грн
500+	66.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGATMA1

Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	61.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	207.02 грн
10+	138.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 4062 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.59 грн
10+	154.04 грн
100+	95.99 грн
500+	81.86 грн
1000+	76.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

на замовлення 5623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	214.92 грн
10+	137.67 грн
100+	95.93 грн
500+	76.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 10819 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	256.11 грн
10+	170.30 грн
100+	105.67 грн
500+	87.06 грн
1000+	84.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	222.88 грн
10+	155.27 грн
100+	109.35 грн
500+	82.94 грн
1000+	70.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	222.88 грн
10+	155.27 грн
100+	109.35 грн
500+	82.94 грн
1000+	70.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

на замовлення 10985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	208.48 грн
10+	137.67 грн
100+	95.23 грн
500+	76.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	249.60 грн
10+	174.47 грн
100+	125.22 грн
500+	85.27 грн
1000+	70.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	68.90 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6SCATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

на замовлення 619 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	256.11 грн
10+	170.30 грн
100+	105.67 грн
500+	87.06 грн
1000+	84.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	249.60 грн
10+	174.47 грн
100+	125.22 грн
500+	85.27 грн
1000+	70.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6ATMA1

MOSFETs N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6CGATMA1

MOSFETs N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6CGATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6CGSCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6CGSCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6CGSCATMA1

MOSFETs N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6SCATMA1

MOSFETs N

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6SCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE018N06NM6SCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 4927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.95 грн
10+	142.32 грн
100+	103.69 грн
500+	81.99 грн
1000+	75.91 грн
2000+	72.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE022N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	218.71 грн
10+	160.28 грн
100+	117.70 грн
500+	99.22 грн
1000+	78.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5ATMA1

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	117.70 грн
500+	99.22 грн
1000+	78.71 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.61 грн
10+	157.46 грн
100+	97.48 грн
500+	79.62 грн
1000+	76.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 3365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.07 грн
10+	152.08 грн
100+	107.48 грн
500+	81.99 грн
1000+	75.91 грн
2000+	72.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	115.20 грн
500+	79.06 грн
1000+	64.40 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4821 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	234.40 грн
10+	154.04 грн
100+	95.25 грн
500+	78.13 грн
1000+	75.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGATMA1

на замовлення 4199 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.74 грн
10+	166.12 грн
100+	115.20 грн
500+	79.06 грн
1000+	64.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5658 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.77 грн
10+	166.02 грн
100+	103.44 грн
500+	84.83 грн
1000+	82.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	248.76 грн
10+	166.12 грн
100+	118.54 грн
500+	90.69 грн
1000+	80.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 4586 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	244.71 грн
10+	158.21 грн
100+	112.78 грн
500+	88.88 грн
1000+	82.40 грн
2000+	79.98 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGSCATMA1

на замовлення 5740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	118.54 грн
500+	90.69 грн
1000+	80.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WHSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE022N06LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	131.89 грн
500+	110.85 грн
1000+	87.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 5738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	243.90 грн
10+	160.45 грн
100+	111.97 грн
500+	85.64 грн
1000+	79.40 грн
2000+	77.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5SCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.77 грн
10+	166.02 грн
100+	103.44 грн
500+	84.83 грн
1000+	82.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5SCATMA1

на замовлення 5994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	244.59 грн
10+	179.48 грн
100+	131.89 грн
500+	110.85 грн
1000+	87.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE022N06LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	86.59 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3848 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	251.77 грн
10+	187.41 грн
100+	119.81 грн
500+	95.25 грн
1000+	88.55 грн
5000+	83.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 7992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	192.00 грн
10+	126.89 грн
100+	89.32 грн
500+	67.83 грн
1000+	61.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 7004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.00 грн
10+	162.63 грн
100+	113.51 грн
500+	85.02 грн
1000+	78.81 грн
2000+	77.40 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5ATMA1

SP005399424

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 7992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.32 грн
500+	67.83 грн
1000+	61.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	106.85 грн
500+	84.49 грн
1000+	71.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGATMA1

SP005399428

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	202.85 грн
10+	150.26 грн
100+	106.85 грн
500+	84.49 грн
1000+	71.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4237 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.03 грн
10+	181.42 грн
100+	112.36 грн
500+	98.97 грн
1000+	87.06 грн
5000+	83.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.00 грн
10+	159.37 грн
100+	113.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 5902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	242.29 грн
10+	169.06 грн
100+	118.35 грн
500+	90.73 грн
1000+	84.20 грн
2000+	82.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	237.07 грн
10+	165.28 грн
100+	120.21 грн
500+	93.02 грн
1000+	85.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5710 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	268.26 грн
10+	193.40 грн
100+	119.06 грн
500+	101.20 грн
1000+	95.99 грн
6000+	90.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5934 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	237.07 грн
10+	165.28 грн
100+	120.21 грн
500+	93.02 грн
1000+	85.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5SCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	292.57 грн
10+	195.97 грн
25+	169.66 грн
100+	119.81 грн
500+	108.64 грн
6000+	90.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	248.76 грн
10+	166.95 грн
100+	121.88 грн
500+	93.79 грн
1000+	85.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	264.03 грн
10+	169.06 грн
100+	118.42 грн
500+	90.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	248.76 грн
10+	166.95 грн
100+	121.88 грн
500+	93.79 грн
1000+	85.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 21A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE030N06NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6ATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6CGATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6CGATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6CGSCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6CGSCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6CGSCATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6SCATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6SCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE036N08NM6SCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE046N08LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 7252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	174.47 грн
250+	121.88 грн
1000+	89.14 грн
3000+	80.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 8-Pin TSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

на замовлення 7252 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	247.09 грн
50+	174.47 грн
250+	121.88 грн
1000+	89.14 грн
3000+	80.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 4100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	256.78 грн
10+	161.00 грн
100+	112.13 грн
500+	85.63 грн
1000+	79.34 грн
2000+	76.50 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 7245 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	226.59 грн
10+	155.75 грн
100+	95.25 грн
500+	82.60 грн
1000+	80.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 1967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	256.78 грн
10+	161.00 грн
100+	112.13 грн
500+	85.63 грн
1000+	79.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	243.75 грн
10+	164.45 грн
100+	116.87 грн
500+	90.69 грн
1000+	75.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	248.29 грн
10+	164.31 грн
100+	101.95 грн
500+	83.34 грн
1000+	80.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGATMA1

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	116.87 грн
500+	90.69 грн
1000+	75.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE046N08LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 2288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	123.55 грн
500+	94.57 грн
1000+	84.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 11866 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	266.53 грн
10+	176.29 грн
100+	109.39 грн
500+	90.78 грн
1000+	88.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 7620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	240.68 грн
10+	156.50 грн
100+	112.18 грн
500+	94.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGSCATMA1

на замовлення 2288 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	257.11 грн
10+	172.80 грн
100+	123.55 грн
500+	94.57 грн
1000+	84.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	85.01 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5CGSCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5SCATMA1

Description: INFINEON - IQE046N08LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 5755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	242.08 грн
10+	178.64 грн
100+	119.37 грн
500+	106.19 грн
1000+	90.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 8-Pin WHSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 5575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	247.93 грн
10+	166.58 грн
100+	116.50 грн
500+	89.25 грн
1000+	82.80 грн
2000+	80.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 8-Pin WHSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5SCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.03 грн
10+	182.28 грн
100+	120.55 грн
250+	106.41 грн
500+	101.20 грн
1000+	91.53 грн
2500+	89.30 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5SCATMA1

на замовлення 5755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	119.37 грн
500+	106.19 грн
1000+	90.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE046N08LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.74 грн
10+	166.12 грн
100+	120.21 грн
500+	93.02 грн
1000+	84.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3280 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	281.28 грн
10+	183.99 грн
100+	112.36 грн
500+	91.53 грн
1000+	86.32 грн
5000+	84.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	120.21 грн
500+	93.02 грн
1000+	84.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 9048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	221.36 грн
10+	146.81 грн
100+	106.58 грн
500+	83.39 грн
1000+	82.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5ATMA1

SP005583102

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	255.44 грн
10+	176.97 грн
100+	124.38 грн
500+	86.82 грн
1000+	71.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	88.12 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGATMA1

SP005583114

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 8755 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	124.38 грн
500+	86.82 грн
1000+	71.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 9687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	264.03 грн
10+	165.80 грн
100+	115.71 грн
500+	88.50 грн
1000+	82.05 грн
2000+	79.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 397 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.85 грн
10+	155.75 грн
100+	98.23 грн
500+	82.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 16A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	370.64 грн
10+	217.88 грн
100+	153.60 грн
500+	131.00 грн
1000+	103.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3452 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	315.14 грн
10+	203.67 грн
100+	137.67 грн
500+	115.34 грн
1000+	109.39 грн
6000+	90.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	370.64 грн
10+	217.88 грн
100+	153.60 грн
500+	131.00 грн
1000+	103.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5SCATMA1

MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5071 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	217.91 грн
10+	167.73 грн
100+	106.41 грн
500+	95.25 грн
1000+	93.02 грн
2500+	92.27 грн
6000+	90.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 4997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	255.17 грн
10+	170.69 грн
100+	119.74 грн
500+	91.85 грн
1000+	85.25 грн
2000+	83.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE050N08NM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 16A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6ATMA1

IQE057N10NM6ATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6CGATMA1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6CGATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6CGATMA1

IQE057N10NM6CGATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6CGSCATMA1

IQE057N10NM6CGSCATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6CGSCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6SCATMA1

IQE057N10NM6SCATMA1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6SCATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE057N10NM6SCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4777 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	227.46 грн
10+	188.27 грн
25+	159.25 грн
100+	133.20 грн
250+	128.74 грн
500+	118.32 грн
1000+	95.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	78.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE065N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	231.23 грн
10+	160.28 грн
100+	114.36 грн
500+	86.82 грн
1000+	71.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5ATMA1

SP005399446

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 22345 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	242.29 грн
10+	151.54 грн
100+	105.18 грн
500+	80.12 грн
1000+	74.15 грн
2000+	70.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE065N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 3838 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	114.36 грн
500+	86.82 грн
1000+	71.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	235.41 грн
10+	156.94 грн
100+	109.35 грн
500+	75.58 грн
1000+	63.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGATMA1

SP005399451

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 5121 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.95 грн
10+	160.03 грн
100+	96.74 грн
500+	78.13 грн
1000+	71.44 грн
5000+	71.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	109.35 грн
500+	75.58 грн
1000+	63.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 9915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	233.44 грн
10+	146.19 грн
100+	101.23 грн
500+	77.00 грн
1000+	71.21 грн
2000+	67.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 9-Pin WHTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGSCATMA1

MOSFETs N

на замовлення 5405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.03 грн
10+	207.95 грн
25+	170.41 грн
100+	145.85 грн
250+	137.67 грн
500+	130.22 грн
1000+	104.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	243.10 грн
10+	156.50 грн
100+	109.07 грн
500+	83.34 грн
1000+	77.23 грн
2000+	74.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin WHSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE065N10NM5SCATMA1

MOSFETs N

на замовлення 2278 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	250.03 грн
10+	207.95 грн
25+	170.41 грн
100+	145.85 грн
250+	137.67 грн
500+	130.22 грн
1000+	104.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE17-05NNSKW2S

SICK

Description: SICK - IQE17-05NNSKW2S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IQE, 5mm, NPN / SPST-NO, 10V bis 30V
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Kunststoff
IP-Schutzart: IP67
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Modul
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NO
Produktpalette: IQE Series
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 75°C
Erfassungsreichweite, nom.: 5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2264.73 грн

В кошику од. на суму грн.

IQE17-05NPSKW2S

SICK, Inc.

Description: INDUCT PROXIM SENS
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.197" (5mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -25°C ~ 75°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67
Indicator: No Indicator

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	234.24 грн
10+	146.50 грн
100+	101.46 грн
500+	77.17 грн
1000+	71.36 грн
2000+	67.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 7A 8-Pin TSON EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

2+	240.48 грн
10+	158.32 грн
100+	96.74 грн
250+	94.51 грн
500+	78.13 грн
1000+	71.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	74.81 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5CGATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	239.61 грн
10+	157.46 грн
100+	95.25 грн
250+	93.76 грн
500+	78.13 грн
1000+	70.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	231.83 грн
10+	144.64 грн
100+	100.13 грн
500+	76.12 грн
1000+	70.38 грн
2000+	66.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 7A 9-Pin TTFN EP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5CGSCATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5CGSCATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	253.56 грн
10+	158.98 грн
100+	110.64 грн
500+	84.44 грн
1000+	78.22 грн
2000+	75.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5CGSCATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

2+	261.32 грн
10+	173.72 грн
100+	105.67 грн
250+	104.18 грн
500+	85.58 грн
1000+	78.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5CGSCATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	83.26 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5SCATMA1

TRENCH >=100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5SCATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 150V 8WHSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5SCATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.15 грн
10+	182.28 грн
100+	113.11 грн
250+	110.13 грн
500+	93.76 грн
1000+	84.83 грн
2500+	82.60 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IQE220N15NM5SCATMA1

Description: MOSFET 2N-CH 150V 8WHSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

iQE24009A120V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 12V

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IQE24009A120V-001-R

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 9A 108W 8-Pin Quarter-Brick

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE24009A120V-007-R

Description: DC DC CONVERTER 12V 108W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

iQE24012A080V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 8V 96W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Packaging: Tray
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 12A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 8V
Power (Watts): 96 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE24015A033V-031-R

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 40V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 15A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 16V
Voltage - Output 1: 3.3V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 50 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE24015A033V-031-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 16-40VDC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE24015A050V-031-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 75W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Packaging: Tray
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 15A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE24024A050V-001-R

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 24A 120W 8-Pin Quarter-Brick

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

iQE24024A050V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 120W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Package / Case: 8-DIP Module
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Intermediate Bus Converter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 24A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active Low
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

iQE24024A050V-001-R

Isolated DC/DC Converters 18-36Vin 5V 24A 120W NegPlrty 1/4brick TH

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IQE24024A050V-007-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 120W
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 24A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Power (Watts): 120 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE24030A033V-007-R

Isolated DC/DC Converters 18-36VDC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE48010A150V-001-R

Module DC-DC 48VIN 1-OUT 15V 10A 150W 8-Pin Quarter-Brick

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE48010A150V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 15V 150W
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 10A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 15V
Power (Watts): 150 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

iQE48010A150V-007-R

Description: DC DC CONVERTER 15V 150W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Packaging: Tray
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 10A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 15V
Power (Watts): 150 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

iQE48010A150V-007-R

Isolated DC/DC Converters 48Vin15Vout 10A 150W PCB Mount 1/4 Brick

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE48017A120V-000-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75VDC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

iQE48017A120V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 12V
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Packaging: Tray
Package / Case: 8-DIP Module, 1/4 Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 17A
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6420.34 грн
5+	6134.18 грн
10+	6085.96 грн
25+	5530.11 грн

В кошику од. на суму грн.

iQE48017A120V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 48Vin12Vout 17A 204W PCB Mount 1/4 Brick

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	5993.78 грн
10+	5826.86 грн
25+	4979.03 грн
72+	4978.28 грн

В кошику од. на суму грн.

IQE48017A120V-007-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75VDC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE48030A050V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75Vin 5V 30A 150W NegPlrty 1/4brick TH

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE48030A050V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 150W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Package / Case: 8-DIP Module
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Intermediate Bus Converter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 30A
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active Low
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6182.07 грн
5+	5731.10 грн
10+	5638.09 грн
25+	5177.56 грн
50+	5093.22 грн

В кошику од. на суму грн.

iQE48040A033V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 48Vin3.3Vout40A 132W PCB Mount 1/4 Brick

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE4W011A120V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 18-60V 12Vout11A132W NegPlrty 1/4brick T

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE4W011A120V-001-R

Module DC-DC 1-OUT 12V 11A 132W 8-Pin Quarter-Brick

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IQE4W011A120V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 12V 132W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Package / Case: 8-DIP Module
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Intermediate Bus Converter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 60V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 11A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

на замовлення 134 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	6853.40 грн
5+	6353.23 грн
10+	6250.14 грн
25+	5739.61 грн
50+	5646.09 грн
100+	5553.98 грн

В кошику од. на суму грн.

IQE4W011A120V-001-R