Продукція > IQE

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IQE004NE1LM7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.66 грн
10+153.22 грн
100+105.62 грн
250+97.34 грн
500+88.36 грн
1000+75.94 грн
2500+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.72 грн
10+120.00 грн
100+90.20 грн
500+68.21 грн
1000+55.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.20 грн
500+68.21 грн
1000+55.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.06 грн
10+147.26 грн
100+117.18 грн
500+93.05 грн
1000+78.95 грн
2000+75.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+187.66 грн
10+128.06 грн
100+92.62 грн
500+68.50 грн
1000+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.40 грн
10+143.67 грн
100+114.32 грн
500+90.78 грн
1000+77.02 грн
2000+73.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.62 грн
500+68.50 грн
1000+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.66 грн
10+153.22 грн
100+105.62 грн
250+97.34 грн
500+88.36 грн
1000+75.94 грн
2500+71.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.60 грн
10+128.86 грн
100+94.23 грн
500+73.44 грн
1000+58.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.15 грн
10+165.13 грн
100+114.60 грн
250+105.62 грн
500+95.96 грн
1000+82.15 грн
2500+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 5797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.58 грн
10+128.86 грн
100+88.88 грн
500+67.39 грн
1000+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+251.46 грн
69+207.43 грн
70+205.25 грн
100+158.65 грн
250+108.08 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.23 грн
500+73.44 грн
1000+58.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.46 грн
10+207.43 грн
25+205.25 грн
100+158.65 грн
250+108.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.72 грн
10+122.42 грн
100+92.62 грн
500+73.44 грн
1000+59.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 9031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.91 грн
10+130.35 грн
100+89.91 грн
500+68.17 грн
1000+65.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.15 грн
10+165.13 грн
100+114.60 грн
250+105.62 грн
500+95.96 грн
1000+82.15 грн
2500+78.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.62 грн
500+73.44 грн
1000+59.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 7428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.96 грн
500+64.99 грн
1000+54.54 грн
5000+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 13638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.15 грн
10+122.26 грн
100+74.56 грн
500+62.34 грн
1000+58.33 грн
2500+58.20 грн
5000+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 7428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.49 грн
10+115.17 грн
100+82.96 грн
500+64.99 грн
1000+54.54 грн
5000+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.61 грн
10+119.66 грн
100+82.26 грн
500+62.17 грн
1000+58.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.43 грн
500+64.24 грн
1000+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.21 грн
10+136.11 грн
100+93.43 грн
500+70.30 грн
1000+62.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCInfineon TechnologiesIQE006NE2LM5CGSC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.14 грн
63+225.22 грн
100+217.59 грн
250+203.45 грн
500+183.25 грн
1000+171.62 грн
2500+167.83 грн
5000+164.49 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Package / Case: 9-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 7525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.71 грн
10+122.20 грн
100+84.33 грн
500+65.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.22 грн
10+196.52 грн
100+136.92 грн
500+103.95 грн
1000+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 14167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.07 грн
10+130.99 грн
100+80.08 грн
500+65.86 грн
1000+60.40 грн
6000+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.22 грн
10+196.52 грн
100+136.92 грн
500+103.95 грн
1000+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.91 грн
10+131.28 грн
100+91.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.71 грн
10+129.40 грн
100+78.01 грн
500+64.13 грн
1000+63.51 грн
6000+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 5895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.91 грн
10+130.35 грн
100+89.91 грн
500+68.17 грн
1000+65.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.91 грн
10+131.28 грн
100+91.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE008N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.92 грн
500+80.77 грн
1000+65.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 5069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.87 грн
10+139.72 грн
100+84.22 грн
500+67.65 грн
1000+62.96 грн
5000+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE008N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.77 грн
10+145.78 грн
100+107.92 грн
500+80.77 грн
1000+65.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.60 грн
10+140.14 грн
100+97.45 грн
500+74.56 грн
1000+63.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.30 грн
10+158.78 грн
100+109.76 грн
250+101.48 грн
500+91.82 грн
1000+80.08 грн
5000+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.45 грн
500+74.56 грн
1000+63.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.59 грн
10+124.30 грн
100+85.56 грн
500+64.76 грн
1000+61.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.10 грн
10+123.85 грн
100+73.87 грн
500+59.99 грн
1000+55.71 грн
2500+53.71 грн
5000+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: IQE012N03LM5CGATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: IQE012N03LM5CGATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: IQE012N03LM5CGSCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: IQE012N03LM5CGSCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 205A; 107W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 107W
Drain current: 205A
Case: TSON8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 7826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.98 грн
500+70.75 грн
1000+62.34 грн
5000+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.56 грн
10+104.79 грн
100+68.27 грн
500+62.34 грн
2500+61.72 грн
5000+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.65 грн
10+147.93 грн
100+101.92 грн
500+77.19 грн
1000+71.26 грн
2000+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 7826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.01 грн
10+136.92 грн
100+86.98 грн
500+70.75 грн
1000+62.34 грн
5000+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+67.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE013N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.65 грн
10+147.85 грн
100+101.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE013N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.74 грн
10+133.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 13286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.34 грн
10+146.87 грн
100+87.67 грн
500+73.87 грн
1000+68.27 грн
2500+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE013N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.59 грн
10+157.86 грн
100+108.73 грн
500+85.26 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+80.48 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 32818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.24 грн
10+138.93 грн
100+83.53 грн
500+70.41 грн
1000+69.72 грн
6000+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE013N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.59 грн
10+157.86 грн
100+108.73 грн
500+85.26 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
на замовлення 29322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.73 грн
10+164.76 грн
100+115.27 грн
500+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 4165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.12 грн
10+145.28 грн
100+87.67 грн
500+73.18 грн
1000+69.72 грн
2500+68.90 грн
6000+66.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
на замовлення 10525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.45 грн
10+140.38 грн
100+97.25 грн
500+73.97 грн
1000+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.64 грн
10+178.80 грн
100+124.84 грн
500+93.48 грн
1000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+65.07 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.64 грн
10+178.80 грн
100+124.84 грн
500+93.48 грн
1000+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.41 грн
10+158.55 грн
100+110.65 грн
500+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.26 грн
10+158.78 грн
100+96.65 грн
500+84.22 грн
2500+81.46 грн
6000+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+76.53 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE020N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.93 грн
10+125.43 грн
100+74.56 грн
500+62.96 грн
1000+56.06 грн
2500+53.02 грн
5000+46.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE020N04LM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
на замовлення 4193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.43 грн
10+134.96 грн
100+80.77 грн
500+65.31 грн
1000+60.54 грн
2500+58.96 грн
6000+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]