Продукція > IQE

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IQE-240-24A-050V/007-RTDK-LambdaModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 24A 120W 8-Pin Quarter-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE-480-17A-120V/001-RTDK-LambdaModule DC-DC 48VIN 1-OUT 12V 17A 204W 8-Pin Quarter-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.54 грн
500+73.75 грн
1000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.03 грн
10+172.31 грн
100+118.78 грн
250+109.46 грн
500+99.37 грн
1000+85.40 грн
2500+80.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+86.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.27 грн
10+129.76 грн
100+97.54 грн
500+73.75 грн
1000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.03 грн
10+159.23 грн
100+126.70 грн
500+100.61 грн
1000+85.37 грн
2000+81.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.99 грн
10+155.35 грн
100+123.61 грн
500+98.16 грн
1000+83.29 грн
2000+79.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1Infineon TechnologiesTRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.92 грн
10+138.47 грн
100+100.15 грн
500+74.07 грн
1000+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+84.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.03 грн
10+172.31 грн
100+118.78 грн
250+109.46 грн
500+99.37 грн
1000+85.40 грн
2500+80.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.15 грн
500+74.07 грн
1000+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+220.62 грн
69+181.98 грн
70+180.08 грн
100+139.19 грн
250+94.83 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.89 грн
500+79.41 грн
1000+62.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 5264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.62 грн
10+132.30 грн
100+91.28 грн
500+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.34 грн
10+185.70 грн
100+128.87 грн
250+118.78 грн
500+107.91 грн
1000+92.38 грн
2500+87.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.21 грн
10+139.34 грн
100+101.89 грн
500+79.41 грн
1000+62.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 15V 58A 9-Pin WHTFN EP T/R
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.38 грн
10+194.98 грн
25+192.94 грн
100+149.13 грн
250+101.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7CGSCATMA1Infineon TechnologiesTRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.34 грн
10+185.70 грн
100+128.87 грн
250+118.78 грн
500+107.91 грн
1000+92.38 грн
2500+87.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.15 грн
500+79.41 грн
1000+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 10543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.64 грн
10+118.96 грн
100+89.92 грн
500+72.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1Infineon TechnologiesTRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE004NE1LM7SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.27 грн
10+132.37 грн
100+100.15 грн
500+79.41 грн
1000+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+65.21 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 41A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.93 грн
500+66.96 грн
1000+52.92 грн
5000+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 14118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.42 грн
10+98.21 грн
25+84.62 грн
100+68.78 грн
250+68.08 грн
500+61.33 грн
1000+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.55 грн
10+125.10 грн
100+85.99 грн
500+65.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+173.31 грн
10+127.15 грн
100+94.93 грн
500+66.96 грн
1000+52.92 грн
5000+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 500 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.08 грн
10+121.92 грн
100+95.80 грн
500+76.34 грн
1000+66.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.14 грн
10+112.49 грн
100+76.78 грн
500+65.60 грн
1000+62.11 грн
2500+57.68 грн
5000+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.02 грн
500+69.47 грн
1000+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 9470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.82 грн
10+141.92 грн
100+101.66 грн
500+75.06 грн
1000+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCInfineon TechnologiesIQE006NE2LM5CGSC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+205.42 грн
63+197.59 грн
100+190.90 грн
250+178.49 грн
500+160.77 грн
1000+150.57 грн
2500+147.24 грн
5000+144.31 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 7525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.62 грн
10+132.14 грн
100+91.19 грн
500+70.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.14 грн
10+153.28 грн
100+105.38 грн
500+79.49 грн
1000+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 47A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesSP005419125
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 14167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.75 грн
10+147.31 грн
100+90.05 грн
500+74.06 грн
1000+67.93 грн
6000+64.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.14 грн
10+153.28 грн
100+105.38 грн
500+79.49 грн
1000+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+210.75 грн
10+141.95 грн
100+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
на замовлення 3062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.62 грн
10+132.14 грн
100+91.19 грн
500+70.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.09 грн
10+145.52 грн
100+87.73 грн
500+72.12 грн
1000+71.42 грн
6000+61.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE006NE2LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 310 A, 490 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 490µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+210.75 грн
10+141.95 грн
100+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE006NE2LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.24 грн
10+161.59 грн
100+103.25 грн
250+93.16 грн
500+83.07 грн
1000+73.21 грн
5000+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE008N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.33 грн
10+157.63 грн
100+116.70 грн
500+87.34 грн
1000+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+82.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.39 грн
10+161.49 грн
100+128.56 грн
500+102.08 грн
1000+86.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE008N03LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.70 грн
500+87.34 грн
1000+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.56 грн
10+151.53 грн
100+105.38 грн
500+80.63 грн
1000+68.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.87 грн
10+159.96 грн
100+127.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.37 грн
10+178.56 грн
100+123.44 грн
250+114.12 грн
500+103.25 грн
1000+90.05 грн
5000+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.38 грн
500+80.63 грн
1000+68.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+82.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE008N03LM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.15 грн
10+114.09 грн
100+85.43 грн
500+67.85 грн
1000+62.03 грн
5000+50.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 7762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.59 грн
10+128.98 грн
100+88.88 грн
500+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.31 грн
10+117.85 грн
100+76.78 грн
500+70.10 грн
2500+69.40 грн
5000+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+87.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.43 грн
500+67.85 грн
1000+62.03 грн
5000+50.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.44 грн
10+109.81 грн
100+79.96 грн
250+79.19 грн
500+70.10 грн
5000+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 31A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE013N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+215.98 грн
10+144.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.59 грн
10+128.98 грн
100+88.87 грн
500+68.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE013N04LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE013N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.91 грн
10+170.69 грн
100+117.57 грн
500+92.19 грн
1000+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE013N04LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.91 грн
10+170.69 грн
100+117.57 грн
500+92.19 грн
1000+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
на замовлення 35225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.58 грн
10+142.33 грн
100+98.63 грн
500+78.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 32818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.92 грн
10+156.24 грн
100+93.94 грн
500+79.19 грн
1000+78.41 грн
6000+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+70.61 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+70.61 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.81 грн
10+152.67 грн
100+93.16 грн
500+77.48 грн
1000+72.12 грн
6000+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.88 грн
10+164.60 грн
100+114.96 грн
500+88.95 грн
1000+76.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE013N04LM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 1100 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.88 грн
10+164.60 грн
100+114.96 грн
500+88.95 грн
1000+76.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE013N04LM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
на замовлення 10775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.58 грн
10+142.33 грн
100+98.63 грн
500+78.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6CGATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6SCATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.48 грн
10+121.42 грн
100+83.07 грн
500+78.41 грн
1000+74.76 грн
2500+74.14 грн
5000+72.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.34 грн
10+150.17 грн
100+104.36 грн
500+83.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE022N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.79 грн
500+103.51 грн
1000+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE022N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.17 грн
10+167.21 грн
100+122.79 грн
500+103.51 грн
1000+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
на замовлення 3365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.41 грн
10+158.66 грн
100+112.13 грн
500+85.54 грн
1000+79.20 грн
2000+75.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.85 грн
10+173.31 грн
100+120.18 грн
500+82.48 грн
1000+67.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.86 грн
10+161.59 грн
100+97.82 грн
500+82.29 грн
1000+77.48 грн
5000+72.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+120.18 грн
500+82.48 грн
1000+67.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.67 грн
500+94.62 грн
1000+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.07 грн
10+174.98 грн
25+151.38 грн
100+106.36 грн
500+89.28 грн
1000+84.62 грн
6000+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.29 грн
10+165.05 грн
100+117.65 грн
500+92.73 грн
1000+85.97 грн
2000+83.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+259.52 грн
10+173.31 грн
100+123.67 грн
500+94.62 грн
1000+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE022N06LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.17 грн
10+187.24 грн
100+137.60 грн
500+115.64 грн
1000+91.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WHSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V
на замовлення 5738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.45 грн
10+167.40 грн
100+116.81 грн
500+89.35 грн
1000+82.83 грн
2000+80.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE022N06LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.60 грн
500+115.64 грн
1000+91.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE022N06LM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 6055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.85 грн
10+175.88 грн
25+152.16 грн
100+107.13 грн
500+91.61 грн
1000+89.28 грн
2500+88.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE030N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.07 грн
10+189.85 грн
100+133.24 грн
500+105.13 грн
1000+93.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesSP005399424
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE030N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.24 грн
500+105.13 грн
1000+93.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesSP005399428
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.39 грн
10+171.41 грн
100+106.36 грн
500+93.16 грн
1000+82.29 грн
5000+79.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.29 грн
10+160.52 грн
100+111.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+253.43 грн
10+186.37 грн
100+133.24 грн
500+108.36 грн
1000+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 2200 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.24 грн
500+108.36 грн
1000+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V
на замовлення 5706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.57 грн
10+170.31 грн
100+119.18 грн
500+98.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.33 грн
10+172.43 грн
100+125.41 грн
500+97.04 грн
1000+88.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 21A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.41 грн
10+184.81 грн
100+113.34 грн
500+97.82 грн
1000+95.49 грн
6000+85.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE030N06NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 0.0022 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.33 грн
10+172.43 грн
100+125.41 грн
500+97.04 грн
1000+88.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.49 грн
10+199.43 грн
100+139.34 грн
500+118.07 грн
1000+106.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.24 грн
10+184.81 грн
25+159.92 грн
100+112.57 грн
500+102.48 грн
6000+85.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 21A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.57 грн
10+170.31 грн
100+119.18 грн
500+98.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE030N06NM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE030N06NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 132 A, 2200 µohm, SON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.49 грн
10+199.43 грн
100+139.34 грн
500+118.07 грн
1000+106.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE031N08LM6CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+287.11 грн
10+183.91 грн
100+125.77 грн
500+111.02 грн
1000+90.05 грн
2500+85.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE031N08LM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.19 грн
10+236.59 грн
100+160.70 грн
500+142.84 грн
1000+121.88 грн
2500+118.00 грн
5000+114.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6ATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6CGATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6SCATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.62 грн
10+155.10 грн
100+107.99 грн
500+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE046N08LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+257.78 грн
50+182.01 грн
250+127.15 грн
1000+93.00 грн
3000+84.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 15.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 7193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.26 грн
10+172.31 грн
100+104.03 грн
500+90.05 грн
1000+86.17 грн
2500+83.84 грн
5000+78.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 15.6A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE046N08LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+182.01 грн
250+127.15 грн
1000+93.00 грн
3000+84.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE046N08LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.65 грн
10+176.79 грн
100+124.54 грн
500+94.62 грн
1000+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.73 грн
10+161.59 грн
100+100.15 грн
500+85.40 грн
1000+80.74 грн
2500+76.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.26 грн
10+149.52 грн
100+106.29 грн
500+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE046N08LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.54 грн
500+94.62 грн
1000+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE046N08LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+272.59 грн
10+184.63 грн
100+132.37 грн
500+103.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE046N08LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.004 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.37 грн
500+103.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.94 грн
10+173.20 грн
100+107.91 грн
500+93.94 грн
1000+88.50 грн
6000+83.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 15.6A 8-Pin WHSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.13 грн
10+181.23 грн
100+110.24 грн
500+93.94 грн
1000+88.50 грн
6000+83.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE046N08LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4000 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.54 грн
500+90.57 грн
1000+79.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.54 грн
10+166.91 грн
100+116.69 грн
500+96.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE046N08LM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4000 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.94 грн
10+177.66 грн
100+124.54 грн
500+90.57 грн
1000+79.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE046N08LM5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 15.6A 8-Pin WHSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE050N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 4300 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.37 грн
500+99.47 грн
1000+88.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE050N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 4300 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+283.04 грн
10+187.24 грн
100+132.37 грн
500+99.47 грн
1000+88.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesSP005583102
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.38 грн
10+173.20 грн
100+106.36 грн
500+86.17 грн
1000+81.51 грн
5000+76.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 9048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.94 грн
10+153.16 грн
100+111.19 грн
500+87.00 грн
1000+85.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 9687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.45 грн
10+172.98 грн
100+120.71 грн
500+92.33 грн
1000+85.60 грн
2000+83.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE050N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 4300 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.57 грн
500+84.10 грн
1000+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesSP005583114
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.58 грн
10+162.49 грн
100+102.48 грн
500+86.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+91.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE050N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 4300 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.20 грн
10+160.24 грн
100+117.57 грн
500+84.10 грн
1000+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.42 грн
10+203.79 грн
100+161.98 грн
500+126.15 грн
1000+100.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.64 грн
10+188.38 грн
100+128.09 грн
500+104.03 грн
1000+101.70 грн
6000+82.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE050N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 0.0043 ohm, TFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.42 грн
10+203.79 грн
100+161.98 грн
500+126.15 грн
1000+100.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE050N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4300 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.10 грн
10+203.79 грн
100+143.70 грн
500+117.26 грн
1000+106.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.21 грн
10+178.07 грн
100+124.92 грн
500+95.82 грн
1000+88.94 грн
2000+87.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE050N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 99 A, 4300 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.10 грн
10+203.79 грн
100+143.70 грн
500+117.26 грн
1000+106.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.87 грн
10+183.91 грн
100+113.34 грн
500+97.82 грн
1000+93.16 грн
2500+90.05 грн
6000+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE050N08NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE057N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesIQE057N10NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE057N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE057N10NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE057N10NM6CGATMA1Infineon TechnologiesIQE057N10NM6CGATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE057N10NM6CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE057N10NM6CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE057N10NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesIQE057N10NM6CGSCATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE057N10NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE057N10NM6CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE057N10NM6SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE057N10NM6SCATMA1Infineon TechnologiesIQE057N10NM6SCATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE057N10NM6SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 22345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.77 грн
10+158.10 грн
100+109.73 грн
500+83.59 грн
1000+77.36 грн
2000+73.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE065N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.23 грн
10+167.21 грн
100+119.31 грн
500+90.57 грн
1000+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesSP005399446
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.30 грн
10+196.41 грн
25+166.13 грн
100+138.96 грн
250+134.30 грн
500+123.44 грн
1000+99.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE065N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.31 грн
500+90.57 грн
1000+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesSP005399451
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.96 грн
10+150.88 грн
100+91.61 грн
500+74.14 грн
1000+67.46 грн
5000+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 9915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.54 грн
10+152.52 грн
100+105.61 грн
500+80.33 грн
1000+74.29 грн
2000+70.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.96 грн
500+66.31 грн
1000+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.85 грн
10+126.28 грн
100+87.96 грн
500+66.31 грн
1000+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 9-Pin WHTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.00 грн
10+173.20 грн
100+112.57 грн
500+90.83 грн
6000+77.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE065N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+282.17 грн
10+187.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5SCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin WHSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.85 грн
10+216.95 грн
25+177.78 грн
100+152.16 грн
250+143.62 грн
500+135.86 грн
1000+109.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.61 грн
10+163.27 грн
100+113.79 грн
500+86.94 грн
1000+80.57 грн
2000+77.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5SCATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IQE065N10NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, SON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+282.17 грн
10+187.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE17-05NNSKW2SSICKDescription: SICK - IQE17-05NNSKW2S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IQE, 5mm, NPN / SPST-NO, 10V bis 30V
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Erfassungsabstand, min.: -
Sensorgehäusematerial: Kunststoff
IP-Schutzart: IP67
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 10VDC
Sensorgehäuse/-bauform: Modul
Sensorausgang: NPN / SPST-NO
euEccn: NLR
Sensoranschlüsse: Kabel
Erfassungsabstand, max.: -
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
Sensorausgang: 3-Draht, NPN, NO
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
Produktpalette: IQE Series
Erfassungsreichweite, max.: 5mm
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30VDC
Betriebstemperatur, max.: 75°C
Erfassungsreichweite, nom.: 5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2362.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQE17-05NPSKW2SSICK, Inc.Description: INDUCT PROXIM SENS
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.197" (5mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -25°C ~ 75°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67
Indicator: No Indicator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE17-07NNSKW2SSICKDescription: SICK - IQE17-07NNSKW2S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IQE, 7mm, NPN / SPST-NO, 10V bis 30V
tariffCode: 90318080
Erfassungsreichweite, max.: 7mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: NPN / SPST-NO
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IQE Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2362.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.27 грн
10+139.58 грн
100+97.71 грн
500+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 7A 8-Pin TSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.52 грн
10+154.45 грн
100+93.94 грн
500+79.19 грн
2500+78.41 грн
5000+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 7A 9-Pin TTFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.47 грн
10+149.09 грн
100+91.61 грн
500+75.46 грн
1000+70.10 грн
5000+66.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5CGATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.86 грн
10+150.90 грн
100+104.46 грн
500+79.41 грн
1000+73.42 грн
2000+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.21 грн
10+188.38 грн
100+114.90 грн
250+114.12 грн
500+99.37 грн
1000+94.71 грн
6000+83.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+86.86 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5CGSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 150V 9WHTFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.53 грн
10+165.86 грн
100+115.42 грн
500+88.10 грн
1000+81.60 грн
2000+78.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 150V 8WHSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5SCATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5SCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.00 грн
10+173.20 грн
100+113.34 грн
500+95.49 грн
1000+90.05 грн
6000+74.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQE220N15NM5SCATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 150V 8WHSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE24009A120V-001-RTDK-LambdaModule DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 9A 108W 8-Pin Quarter-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
iQE24009A120V-001-RTDK-Lambda Americas IncDescription: DC DC CONVERTER 12V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE24009A120V-007-RTDK-Lambda Americas IncDescription: DC DC CONVERTER 12V 108W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
iQE24012A080V-001-RTDK-LambdaDescription: DC DC CONVERTER 8V 96W
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 12A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 8V
Power (Watts): 96 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE24015A033V-031-RTDK-LambdaIsolated DC/DC Converters - Through Hole 16-40VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE24015A033V-031-RTDK-LambdaDescription: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 40V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 15A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 16V
Voltage - Output 1: 3.3V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 50 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE24015A050V-031-RTDK-Lambda Americas IncDescription: DC DC CONVERTER 5V 75W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Packaging: Tray
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 15A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
iQE24024A050V-001-RTDK-LambdaDescription: DC DC CONVERTER 5V 120W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP Module
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Intermediate Bus Converter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 24A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active Low
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE24024A050V-001-RTDK-LambdaModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 24A 120W 8-Pin Quarter-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
iQE24024A050V-001-RTDK-LambdaIsolated DC/DC Converters 18-36Vin 5V 24A 120W NegPlrty 1/4brick TH
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE24024A050V-007-RTDK-Lambda Americas IncDescription: DC DC CONVERTER 5V 120W
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 24A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Power (Watts): 120 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE24030A033V-007-RTDK-LambdaIsolated DC/DC Converters 18-36VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE48010A150V-001-RTDK-LambdaModule DC-DC 48VIN 1-OUT 15V 10A 150W 8-Pin Quarter-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE48010A150V-001-RTDK-LambdaDescription: DC DC CONVERTER 15V 150W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Packaging: Tray
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 10A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 15V
Power (Watts): 150 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
iQE48010A150V-007-RTDK-LambdaIsolated DC/DC Converters 48Vin15Vout 10A 150W PCB Mount 1/4 Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
iQE48010A150V-007-RTDK-LambdaDescription: DC DC CONVERTER 15V 150W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Packaging: Tray
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 10A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 15V
Power (Watts): 150 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE48017A120V-000-RTDK-LambdaIsolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
iQE48017A120V-001-RTDK-LambdaDC/DC Converters - Through Hole 48Vin12Vout 17A 204W PCB Mount 1/4 Brick
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6243.11 грн
10+6053.93 грн
25+5151.72 грн
50+5067.10 грн
72+4984.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
iQE48017A120V-001-RTDK-Lambda Americas IncDescription: DC DC CONVERTER 12V
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Package / Case: 8-DIP Module, 1/4 Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 17A
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6698.08 грн
5+6399.54 грн
10+6349.24 грн
25+5769.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQE48017A120V-007-RTDK-LambdaIsolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE48030A050V-001-RTDK-LambdaIsolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75Vin 5V 30A 150W NegPlrty 1/4brick TH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE48030A050V-001-RTDK-LambdaDescription: DC DC CONVERTER 5V 150W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP Module
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Intermediate Bus Converter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 91%
Current - Output (Max): 30A
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active Low
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6449.51 грн
5+5979.03 грн
10+5881.99 грн
25+5401.54 грн
50+5313.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
iQE48040A033V-001-RTDK-LambdaIsolated DC/DC Converters - Through Hole 48Vin3.3Vout40A 132W PCB Mount 1/4 Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE4W011A120V-001-RTDK-LambdaDescription: DC DC CONVERTER 12V 132W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP Module
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Intermediate Bus Converter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 60V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 11A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7149.88 грн
5+6628.07 грн
10+6520.52 грн
25+5987.90 грн
50+5890.34 грн
100+5794.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQE4W011A120V-001-RTDK-LambdaModule DC-DC 1-OUT 12V 11A 132W 8-Pin Quarter-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE4W011A120V-001-RTDK-LambdaIsolated DC/DC Converters - Through Hole 18-60V 12Vout11A132W NegPlrty 1/4brick T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE4W011A120V-001-RTDK-LambdaModule DC-DC 1-OUT 12V 11A 132W 8-Pin Quarter-Brick
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQED-IGNITIONFreeWave TechnologiesDescription: IQ EDITION, IGNITION
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.22 грн
10+165.16 грн
100+109.46 грн
500+92.38 грн
1000+78.41 грн
2500+74.76 грн
6000+72.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
на замовлення 4165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.26 грн
10+158.91 грн
100+105.58 грн
500+88.50 грн
1000+75.46 грн
2500+72.12 грн
6000+69.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.26 грн
10+158.02 грн
100+100.92 грн
500+84.62 грн
1000+72.12 грн
2500+68.78 грн
5000+66.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQEH54NE2LM7UCGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
на замовлення 3491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.20 грн
10+151.77 грн
100+97.82 грн
500+81.51 грн
1000+69.40 грн
2500+66.45 грн
5000+64.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.43 грн
10+144.63 грн
100+92.38 грн
500+77.48 грн
1000+66.45 грн
2500+63.12 грн
6000+61.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQEH68NE2LM7UCGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.66 грн
10+136.60 грн
100+84.62 грн
500+70.80 грн
1000+61.17 грн
2500+58.07 грн
5000+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.32 грн
10+131.24 грн
100+77.48 грн
500+64.82 грн
1000+56.98 грн
2500+52.79 грн
6000+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IQEH84NE2LM7UCGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.01 грн
10+120.53 грн
100+71.42 грн
500+59.62 грн
1000+52.48 грн
2500+48.60 грн
5000+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.