Продукція > NDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NDS
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-01JFutureDescription: DIGITAL CODE ROTARY SWITCH, BINA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-01J-CSFutureDescription: DIGITAL CODE ROTARY SWITCH, BINA
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-01VDIPTRONICSdip-switch slide, 1 contact, red color, operating life 2000 cycles, height 7.05mm NDS-01V DIPTRONICS PRZ NDS-01V
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-01VDiptronicsDIP Switches / SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-02JFutureDescription: DIGITAL CODE ROTARY SWITCH, COMP
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-02J-CBFutureDescription: DIGITAL CODE ROTARY SWITCH, COMP
Packaging: Box
Features: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 50mA (AC), 250mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Number of Positions: 24
Termination Style: Connector
Actuator Length: 18.50mm
Actuator Type: Knob
Angle of Throw: 15°
Number of Decks: 1
Number of Poles per Deck: 1
Circuit per Deck: BCD Complement
Contact Timing: Not Specified
Index Stops: Continuous
Depth Behind Panel: 19.00mm
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 50 V
Voltage Rating - DC: 5 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9412.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-02J-CSFutureDescription: DIGITAL CODE ROTARY SWITCH, COMP
Packaging: Box
Features: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 50mA (AC), 250mA (DC)
Mounting Type: Panel Mount
Number of Positions: 24
Termination Style: Connector
Actuator Length: 18.50mm
Actuator Type: Knob
Angle of Throw: 15°
Number of Decks: 1
Number of Poles per Deck: 1
Circuit per Deck: BCD Complement
Contact Timing: Not Specified
Index Stops: Continuous
Depth Behind Panel: 19.00mm
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 50 V
Voltage Rating - DC: 5 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9412.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-02VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches SLIDE ACT 2 POS
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.88 грн
50+96.22 грн
72+70.42 грн
504+66.80 грн
1008+61.50 грн
2016+54.38 грн
5040+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-03VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.78 грн
51+109.05 грн
102+86.46 грн
510+78.09 грн
1020+71.82 грн
2040+63.80 грн
5049+57.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-03VDIPTRONICSdip-switch slide, 3 contact, red color, operating life 2000 cycles, height 7.05mm NDS-03V DIPTRONICS PRZ NDS-03V
кількість в упаковці: 51 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
51+25.22 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-04-VApemDIP Switches/SIP Switches Raised actuator standard dip 4 pos.
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.14 грн
10+105.84 грн
25+83.67 грн
120+75.30 грн
280+71.12 грн
520+68.33 грн
1000+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-04VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches SLIDE ACT 4 POS
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.58 грн
40+98.62 грн
120+77.39 грн
520+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-04VDIPTRONICSdip-switch slide, 1 contact, red color, operating life 2000 cycles, height 7.05mm NDS-04V DIPTRONICS PRZ NDS-04V
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-05VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.81 грн
50+129.89 грн
96+102.49 грн
512+93.43 грн
1024+85.76 грн
2016+76.00 грн
5024+68.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-06VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches SLIDE ACT 6 POS
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.59 грн
54+108.25 грн
108+85.06 грн
513+77.39 грн
1026+71.12 грн
2025+62.96 грн
5022+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-06VAPEM ComponentsThrough Board Standard Profile Dual In Line Switch, 6 Way, Gold Plated
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+175.62 грн
75+172.26 грн
100+170.02 грн
275+161.79 грн
525+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-06VDIPTRONICSdip-switch slide, 1 contact, red color, operating life 2000 cycles, height 7.05mm NDS-06V DIPTRONICS PRZ NDS-06V
кількість в упаковці: 27 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
27+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-07VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.69 грн
48+133.90 грн
120+105.28 грн
504+96.22 грн
1008+87.85 грн
2016+78.09 грн
5016+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-08VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches SLIDE ACT 8 POS
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.23 грн
42+121.07 грн
105+95.52 грн
504+87.15 грн
1008+79.48 грн
2016+70.42 грн
5019+63.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-09VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-10VDIPTRONICSdip-switch slide, 1 contact, red color, operating life 2000 cycles, height 7.05mm NDS-10V DIPTRONICS PRZ NDS-10V
кількість в упаковці: 17 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
17+53.83 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-10VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.26 грн
51+182.01 грн
102+143.63 грн
510+130.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-11Littelfuse Inc.Description: RELAY SOCKET 11 POS DIN RAIL
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-11LittelfuseRelay Sockets & Fixings DIN11-PINSOCKET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-12VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.03 грн
56+200.46 грн
112+158.27 грн
504+143.63 грн
1008+132.47 грн
2002+117.14 грн
5012+105.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-8LittelfuseRelay Sockets Screw Clamp 10A 600VAC DIN Rail/Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-8LittelfuseRelay Sockets & Fixings PIN8-PINSOCKET
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+682.48 грн
10+646.27 грн
25+502.01 грн
50+488.06 грн
100+459.48 грн
250+444.84 грн
500+430.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-8LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - NDS-8 - RELAY SOCKET, 10A, 300V, DIN RAIL/PANEL
tariffCode: 85366990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 10A
Nennspannung: 300VAC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Anschlussklemmen: Screw
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Sockelmontage: DIN Rail, Panel
usEccn: EAR99
Produktpalette: NDS Series
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+871.20 грн
5+828.08 грн
10+783.34 грн
25+697.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-8LittelfuseRelay Sockets Screw Clamp 10A 600VAC DIN Rail/Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-8Littelfuse Inc.Description: RELAY SOCKET 8 POSITION DIN RAIL
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Multiple Series
Mounting Type: DIN Rail
Number of Positions: 8
Type: Socket
Termination Style: Screw Terminal
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+785.96 грн
10+674.29 грн
25+643.88 грн
50+583.53 грн
100+563.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS-SETGreenlee CommunicationsDescription: NUT DRIVER SET HEX SOCKET 3PC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0001B-LF
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0001E-LFPb
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0002B-LF
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS01VApemDIP Switches / SIP Switches Standard DIP Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS02VAPEMDescription: APEM - NDS02V - DIP SWITCH, 2POS, SPST-NO, SLIDE, TH
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Through Hole
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e)
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
DC-Kontaktstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Slide
Produktpalette: NDS Series
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS02VApemDIP Switches/SIP Switches Raised actuator standard dip 2 pos.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS02ZG-M6Bel Power SolutionsDescription: USE NDS02ZG-M6G
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS02ZG-M6Bel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD CONV DC-DC 48V IN 5V OUT 10W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS02ZG-M6GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD 10W 5Vout 2A 36-75Vin 0.35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS03 development boardНалагоджувальна плата для NDS03
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS03TVApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.92 грн
50+75.85 грн
1000+56.69 грн
2500+55.92 грн
5000+55.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NDS03VAPEMDescription: APEM - NDS03V - DIP SWITCH, 3POS, SPST-NO, SLIDE, TH
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Through Hole
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Anzahl der Schaltkreise: 3Schaltkreis(e)
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
DC-Kontaktstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Slide
Produktpalette: NDS Series
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.22 грн
10+122.02 грн
25+112.25 грн
50+100.46 грн
100+89.94 грн
250+87.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NDS03VApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.75 грн
10+86.60 грн
255+68.33 грн
510+67.77 грн
2550+61.15 грн
5049+60.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NDS03ZD-M6Bel Power SolutionsDescription: CONV DC-DC 48V IN 2.5V OUT 10W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS03ZE-M6Bel Power SolutionsDescription: CONV DC-DC 48V IN 3.3V OUT 10W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS03ZE-M6POWERONEMODULE 00+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS03ZE-M6Bel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters CONV DC-DC 48V IN 3.3V OUT 10W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS04TVApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS04TVAPEM Inc.Description: DIP SWITCH ND STANDARD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Through Hole
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.270" (6.85mm)
Actuator Level: Raised
Washable: Yes
Number of Positions: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS04VAPEMDescription: APEM - NDS04V - DIP SWITCH, 4POS, SPST-NO, SLIDE, TH
tariffCode: 85365019
Schaltermontage: Through Hole
productTraceability: No
Schaltertyp: DIP
rohsCompliant: YES
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
euEccn: NLR
Anzahl der Schaltkreise: 4Schaltkreis(e)
hazardous: false
DC-Kontaktspannung, max.: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
DC-Kontaktstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Schalterbetätiger: Slide
Produktpalette: NDS Series
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0510
на замовлення 5171 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS05TVAPEM Inc.Description: DIP SWITCH ND STANDARD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Through Hole
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.270" (6.85mm)
Actuator Level: Raised
Washable: Yes
Number of Positions: 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS05TVApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS05VAPEM Inc.Description: DIP SWITCH ND STANDARD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Through Hole
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.270" (6.85mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Number of Positions: 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS05VApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.81 грн
256+95.42 грн
512+57.94 грн
1024+56.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0601-NL
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605onsemiMOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 35820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.21 грн
15+22.37 грн
100+12.27 грн
500+7.74 грн
1000+6.69 грн
3000+5.93 грн
6000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.93 грн
50+26.03 грн
100+16.51 грн
500+9.67 грн
1500+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7979+4.04 грн
10000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 7979
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 17285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.32 грн
22+14.35 грн
100+9.03 грн
500+6.28 грн
1000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605ONS/FAIP-кан. MOSFET -60V, 0.18A, 0.36Вт, 5.0Ом, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -180mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
на замовлення 9558 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.88 грн
34+12.59 грн
51+8.33 грн
100+7.05 грн
250+5.81 грн
500+5.14 грн
1000+4.57 грн
3000+3.98 грн
6000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.00 грн
139+5.32 грн
141+5.26 грн
142+5.03 грн
250+4.61 грн
500+4.38 грн
1000+4.34 грн
3000+3.63 грн
6000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2651+4.87 грн
2679+4.82 грн
2708+4.77 грн
2733+4.56 грн
3261+3.53 грн
6000+2.60 грн
15000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 2651
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 16750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.82 грн
6000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605onsemi / FairchildMOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 32726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.72 грн
28+11.47 грн
100+5.72 грн
500+5.58 грн
1000+4.81 грн
3000+3.70 грн
6000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS0605 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.63 грн
1500+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605(605)
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605-F169onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605-NLFAI09+
на замовлення 500018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605/65D
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0605_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 62249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.65 грн
14+22.36 грн
100+14.20 грн
500+10.02 грн
1000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS0610 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 120 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.86 грн
500+10.95 грн
1500+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+12.02 грн
69+10.80 грн
100+7.50 грн
500+5.43 грн
1000+4.53 грн
3000+2.96 грн
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.20 грн
50+14.82 грн
100+10.26 грн
500+7.44 грн
1000+6.18 грн
3000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3406+9.47 грн
10000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 3406
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ON-SemiconductorTransistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.79 грн
29+25.46 грн
100+17.64 грн
500+13.25 грн
1000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3304+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3304
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610
Код товару: 91972
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.85 грн
6000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS0610 - MOSFET, P-KANAL, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.82 грн
50+24.00 грн
100+15.86 грн
500+10.95 грн
1500+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+34.36 грн
377+34.25 грн
379+34.13 грн
500+32.80 грн
1000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 376
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3406+9.47 грн
10000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 3406
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.61 грн
6000+5.16 грн
9000+3.78 грн
15000+3.62 грн
21000+3.31 грн
30000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ON-SemiconductorTransistor P-MOSFET; 60V; 20V; 20Ohm; 120mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: NDS0610-G; NDS0610 TNDS0610
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.03 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.39 грн
6000+5.03 грн
9000+3.39 грн
15000+3.24 грн
21000+2.97 грн
30000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
785+16.46 грн
1007+12.82 грн
1123+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 785
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+46.92 грн
26+28.89 грн
100+18.34 грн
500+13.28 грн
1000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610onsemiMOSFETs P-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 36082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.19 грн
10+41.13 грн
100+22.59 грн
500+13.94 грн
1000+10.32 грн
3000+9.20 грн
6000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.83 грн
6000+4.70 грн
9000+3.44 грн
15000+3.29 грн
21000+3.01 грн
30000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 10Ω
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.36 грн
39+10.99 грн
50+8.63 грн
100+7.79 грн
500+6.31 грн
1000+5.76 грн
3000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1573+8.21 грн
3000+7.68 грн
6000+7.59 грн
9000+7.05 грн
27000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 1573
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610 SOT23-610FAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610(610)
на замовлення 7425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610(M5-49)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610-GonsemiDescription: FET -60V 10.0 MOHM SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.18 грн
24+12.69 грн
100+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610-GonsemiMOSFET FET -60V 10 OHM
на замовлення 66173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.39 грн
100+15.34 грн
1000+4.60 грн
3000+3.90 грн
9000+3.56 грн
24000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610-GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610-GonsemiDescription: FET -60V 10.0 MOHM SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610-NLFAIRCHILDSOT-23
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610-PGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610/G10FAIRCHILD
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610SOT23-610FAIRCHLD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610_NLonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 120MA SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS0610_NL
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS06TVApemDIP Switches/SIP Switches Standard DIP Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS06VApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.79 грн
10+130.70 грн
27+81.58 грн
108+76.70 грн
270+73.91 грн
2511+70.42 грн
5022+68.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDS06VAPEM Inc.Description: DIP SWITCH ND STANDARD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Through Hole
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.270" (6.85mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Number of Positions: 6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS07TVApemDIP Switches / SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS07VAPEM Inc.Description: DIP SWITCH ND STANDARD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Through Hole
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.270" (6.85mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Number of Positions: 7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS07VApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS08RSP-006N/ASOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS08TVApemDIP Switches/SIP Switches 8Pos 24mA 24VDC Raised Act Sealed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS08VApemDIP Switches/SIP Switches 25mA 24VDC 8Pos 10N SPST, UL94-V0
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.28 грн
21+135.51 грн
105+99.70 грн
252+95.52 грн
504+85.06 грн
2520+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDS08VAPEM Inc.Description: DIP SWITCH ND STANDARD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Through Hole
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.277" (7.05mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Number of Positions: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS08VAPEMDescription: APEM - NDS08V - DIP SW, SPST, 0.025, 24VDC, TH
tariffCode: 85365019
Schalterbetätiger: Raised Slide
Schaltertyp: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
Schaltermontage: Through Hole
Produktpalette: NDS Series
productTraceability: No
Anzahl der Schaltkreise: 8Schaltkreis(e)
Kontaktkonfiguration: SPST
directShipCharge: 25
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.41 грн
10+183.84 грн
25+155.37 грн
50+141.25 грн
100+126.90 грн
250+124.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NDS09TVApemDIP Switches/SIP Switches Standard DIP Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS09VApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS100-004-BFYamaichi ElectronicsBoard to Board & Mezzanine Connectors 100P/ Bellows Rec/ Conn
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS10TVApemDIP Switches/SIP Switches 10POS SPST DIP SWTCH 0.05A 24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS1105DALLAS04+ SOP
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS12TVApemDIP Switches/SIP Switches Standard DIP Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS12VApemDIP Switches/SIP Switches 5mA 24V 12POS SPST Raised Act
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.07 грн
10+190.03 грн
28+156.18 грн
112+143.63 грн
252+131.08 грн
504+129.69 грн
1008+109.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS12VAPEM Inc.Description: DIP SWITCH ND STANDARD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Through Hole
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.270" (6.85mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Number of Positions: 12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS13
на замовлення 10997 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS256AP
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS3201AAmphenolAmphenol
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS327AN-NL
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NAS331/23 BD
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 62860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1723+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 1723
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 83500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
529+24.42 грн
1000+19.33 грн
3000+15.95 грн
6000+14.28 грн
9000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 529
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NONSEMIDescription: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 227949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.30 грн
50+31.72 грн
100+21.72 грн
500+15.94 грн
1500+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NFairchildN-MOSFET 20V 1.3A 160mΩ 460mW NDS331N Fairchild TNDS331n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 62860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+26.37 грн
43+17.54 грн
100+13.19 грн
500+10.09 грн
1000+8.31 грн
3000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.14 грн
24+31.90 грн
25+31.58 грн
100+29.66 грн
250+26.72 грн
500+24.95 грн
1000+24.24 грн
3000+23.53 грн
6000+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.94 грн
6000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NONSEMIDescription: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 227949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.72 грн
500+15.94 грн
1500+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NONS/FAIMOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 753000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.70 грн
6000+8.72 грн
9000+8.39 грн
15000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.5/0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 210/160mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.44 грн
19+23.08 грн
50+18.04 грн
100+16.11 грн
500+12.17 грн
1000+10.74 грн
1500+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,3 А, Ptot, Вт = 0,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 162 @ 10, Qg, нКл = 5 @ 4,5 В, Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+29.47 грн
450+28.70 грн
463+27.93 грн
500+26.19 грн
1000+23.57 грн
3000+21.96 грн
6000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 438
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NonsemiMOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 238441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.20 грн
10+32.23 грн
100+18.06 грн
500+13.74 грн
1000+12.34 грн
3000+9.83 грн
6000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NONSEMIDescription: ONSEMI - NDS331N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.3 A, 0.16 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.36 грн
9000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 72mOhm; 2,3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NDS331N Onsemi; NDS331N HXY MOSFET TNDS331n HXY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 753000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.46 грн
6000+9.35 грн
9000+8.99 грн
15000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
на замовлення 24659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.99 грн
11+30.06 грн
100+19.30 грн
500+13.76 грн
1000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N(331*)
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N-EVEVVODescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N-NLFAIRCHILD11+ROHS SOT-23
на замовлення 69312 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 1.3A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.63 грн
1000+2.47 грн
3000+2.30 грн
6000+2.12 грн
15000+2.05 грн
30000+1.97 грн
75000+1.82 грн
150000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N-Q
на замовлення 7472 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N/FSCFSC08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 162 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N_NL
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS331N_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.83 грн
30000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PONS/FAIP-кан. MOSFET 20V, 1A, 500mW, SSOT-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.25 грн
15+28.62 грн
100+18.72 грн
500+12.59 грн
1000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2434+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 2434
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2434+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 2434
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.81 грн
6000+11.76 грн
12000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.47 грн
6000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PFairchildTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 740mOhm; 1A; 500mW; -55°C ~ 150°C; NDS332P TNDS332p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332Ponsemi / FairchildMOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
на замовлення 32761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.48 грн
12+28.06 грн
100+17.01 грн
500+13.18 грн
1000+11.92 грн
3000+8.37 грн
6000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.29 грн
6000+13.92 грн
9000+13.56 грн
12000+12.89 грн
27000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
на замовлення 35159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.55 грн
10+31.35 грн
100+20.17 грн
500+14.41 грн
1000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PonsemiMOSFETs SOT-23 P-CH LOGIC
на замовлення 11984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.08 грн
11+30.95 грн
100+17.64 грн
500+13.46 грн
1000+11.92 грн
3000+9.62 грн
9000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PONSEMIDescription: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.87 грн
50+31.81 грн
100+22.45 грн
500+16.39 грн
1500+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P SOT23-332FAIRCHILD
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P SOT23-332FAIRCHILD
на замовлення 4805 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P(332*)
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P-NLFAIRCHILD11+ROHS SOT-23
на замовлення 69426 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.63 грн
1000+2.47 грн
3000+2.30 грн
6000+2.12 грн
15000+2.05 грн
30000+1.97 грн
75000+1.82 грн
150000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P/332FAIR
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P/FSCFSC08+;
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PNL
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332PSOT23-332FAIRCHLD
на замовлення 7844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P\332FAIRCHILSOT-23
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P_NLFairchild
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS332P_Qonsemi / FairchildMOSFET SOT-23 P-CH LOGIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS335
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS335ANFAIRCHIL
на замовлення 18600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS335NONS/FAIMOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS335NFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 10 V
на замовлення 71091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 1137
В кошику  од. на суму  грн.
NDS335Nonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS335NFAIRCHILD
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS335N
Код товару: 135240
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS335N(335)
на замовлення 30145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS335N-NLFAIRCHILD11+ SOT-23
на замовлення 116331 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS335N/335FAIR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS335N/335NFAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS335N\335FAIRCHILSOT-23
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS335N_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS336
на замовлення 3208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS336PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS336PFAIRCHILD
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS336P SOT23-336FAIRCHILD
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS336P SOT23-336FAIRCHILD
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS336P(336)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS336P(336*)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS336P-NLFAIRCHILD11+ SOT-23
на замовлення 69331 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS336P/336FAIRCHIL09+
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS336PSOT23-336FAIRCHLD
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS337-NL
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS337N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS337N-NLFAIRCHILD11+ SOT-23
на замовлення 69321 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS338DS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS338N
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS338P
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS338P-NLFAIRCHILD11+ SOT-23
на замовлення 69331 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS339AN-NLFAIRCHILD11+ SOT-23
на замовлення 93331 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS340PFAIRCHILD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351ANONSEMIDescription: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 179304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.94 грн
500+16.54 грн
1500+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 330023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2627+12.29 грн
10000+10.95 грн
100000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 2627
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351ANFairchildN-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 460mW NDS351AN 3-SSOT Fairchild TNDS351an
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351ANONSEMIDescription: ONSEMI - NDS351AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 179304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.79 грн
50+25.79 грн
100+22.94 грн
500+16.54 грн
1500+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351ANONS/FAIMOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351ANonsemi / FairchildMOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 46255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.54 грн
13+26.62 грн
100+15.83 грн
1000+9.62 грн
3000+8.09 грн
9000+7.11 грн
24000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351AN SOT23-351AFAIRCHILD
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351AN SOT23-351AFAIRCHILD
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351AN(351A)
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351AN-NL
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 1.4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 299800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.47 грн
1000+2.32 грн
3000+2.16 грн
6000+1.99 грн
15000+1.93 грн
30000+1.85 грн
75000+1.71 грн
150000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351AN-SBNL001onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351AN-SBNL001Ponsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351AN/351AFAIRCHIL09+
на замовлення 3668 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351ANSOT23-3
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351AN_Gonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351AN_NLFSC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351AN_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, SSOT-3, NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351AN_Qonsemi / FairchildMOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351AN_Tonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.69 грн
24+30.93 грн
100+22.29 грн
500+17.79 грн
1000+13.19 грн
3000+12.29 грн
9000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351Nonsemi / FairchildMOSFET NChannel Logic Level Enhancement Mode FE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351NONSEMIDescription: ONSEMI - NDS351N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.135 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.97 грн
23+33.04 грн
25+32.71 грн
100+22.38 грн
250+20.50 грн
500+16.15 грн
1000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351N
Код товару: 171159
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351NONSEMIDescription: ONSEMI - NDS351N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.135 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351N-NL
на замовлення 86400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 1.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.47 грн
1000+2.32 грн
3000+2.16 грн
6000+1.99 грн
15000+1.93 грн
30000+1.85 грн
75000+1.71 грн
150000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
NDS351N/351FAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352A/352FAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AN
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 14705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.20 грн
11+29.84 грн
100+19.19 грн
500+13.69 грн
1000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352APonsemi / FairchildMOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 65508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.80 грн
12+26.78 грн
100+17.36 грн
500+13.39 грн
1000+10.74 грн
3000+9.69 грн
6000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.27 грн
24+31.58 грн
25+31.26 грн
100+20.51 грн
250+18.82 грн
500+14.02 грн
1000+13.39 грн
3000+9.95 грн
6000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.27 грн
6000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352APonsemiMOSFETs P-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 8030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.97 грн
11+29.99 грн
100+16.80 грн
500+12.76 грн
1000+11.43 грн
3000+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352APONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3nC
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.27 грн
11+40.79 грн
13+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.88 грн
6000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352APONSEMIDescription: ONSEMI - NDS352AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.17 грн
50+30.67 грн
100+22.04 грн
500+15.56 грн
1500+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352APAptina ImagingTrans MOSFET P-CH 30V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+29.18 грн
651+19.85 грн
657+19.67 грн
846+14.72 грн
1000+13.02 грн
3000+9.29 грн
6000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 443
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP SOT23-352AFAIRCHILD
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP-NLFAISOT-23
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP-NL-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -0.9A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 296800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.55 грн
1000+2.40 грн
3000+2.24 грн
6000+2.06 грн
15000+2.00 грн
30000+1.91 грн
75000+1.76 грн
150000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP/352FAIRCHIL09+
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352AP352
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352APSOT23-352FAIRCHLD
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352APSOT23-352A
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V
на замовлення 28035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 987
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352Ponsemi / FairchildMOSFET SSOT-3 P-CH 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS352P-NLFAIRCHILD11+ROHS SOT-23
на замовлення 66921 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355FAITCHILD04+ SOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.37 грн
6000+15.70 грн
9000+15.47 грн
12000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.95 грн
24+31.58 грн
100+24.50 грн
500+19.40 грн
1000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.37 грн
9000+13.65 грн
45000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.71 грн
9000+13.67 грн
24000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.33 грн
13+32.73 грн
15+29.96 грн
50+24.00 грн
100+21.49 грн
500+15.69 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANON-SemiconductorN-MOSFET 1.7A 30V 0.5W 0.085Ω NDS355AN smd TNDS355an
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+35.83 грн
484+26.71 грн
497+26.01 грн
639+19.48 грн
1000+14.77 грн
3000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 361
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.61 грн
10+35.35 грн
100+22.88 грн
500+16.42 грн
1000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANonsemi / FairchildMOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 43186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.74 грн
10+32.15 грн
100+19.73 грн
500+15.13 грн
1000+13.60 грн
3000+10.88 грн
6000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
9000+12.70 грн
24000+12.31 грн
45000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANONSEMIDescription: ONSEMI - NDS355AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.63 грн
50+37.74 грн
100+26.03 грн
500+18.96 грн
1500+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.35 грн
9000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.12 грн
9000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.99 грн
18+42.08 грн
25+38.72 грн
100+27.66 грн
250+24.88 грн
500+18.32 грн
1000+15.50 грн
3000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.06 грн
9000+12.11 грн
24000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.80 грн
15000+20.83 грн
30000+19.39 грн
45000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355ANONS/FAIMOSFET N-CH 30V 1.7A SOT-23-3 (SC-59) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN-F169ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN-F169Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMEN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN-NB9L007AON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN-NB9L007AFairchild SemiconductorDescription: NDS355AN - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN-NL
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 1.7A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.62 грн
3000+3.17 грн
6000+3.07 грн
15000+2.78 грн
30000+2.68 грн
75000+2.44 грн
150000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN/355
на замовлення 6730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN/355A
на замовлення 9370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN_GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355AN_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Channel Logic
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355N
Код товару: 58027
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355NFairchild
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355NonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355NON Semiconductor / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
на замовлення 9560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355N-NLFAIRCHILD11+ROHS SOT-23
на замовлення 36231 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355N\355FAIRCHILSOT-23
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS355N_NL
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356A
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356APONSEMIDescription: ONSEMI - NDS356AP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperSOT 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356APonsemi / FairchildMOSFETs P-Channel Logic
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356APonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356APON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356AP-NB8L005AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS356AP-NB8L005A - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 85256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1896+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 1896
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356AP-NB8L005Aonsemionsemi -30V P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356AP-NB8L005AFairchild SemiconductorDescription: -30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHAN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
на замовлення 72004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1293+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 1293
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356AP-NLFAI06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356AP/356AFAIR
на замовлення 30843 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356AP\356FAIRCHILSOT-23
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356AP_L99Zonsemi / FairchildMOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356AP_NB8L005Aonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356AP_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V, SSOT-3, PCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356AP_NLFAIRCHILD05+06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356AP_Tonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356PNS1999 SOT23
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS356P-NLFAIRCHILD11+ROHS SOT-23
на замовлення 66132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS357
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS357N-NL
на замовлення 86400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS358P-NLFAIRCHILD
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS359AN-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS359N
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PBA-16ATInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PBA-16AT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PBA-16ETInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PBA-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PBA-16ITInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PBA-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.19 грн
10+307.57 грн
25+300.87 грн
50+280.82 грн
100+251.80 грн
250+250.88 грн
500+237.75 грн
1000+226.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PBA-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PBA-20ETInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC20
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PBA-20ET TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PBA-20ITInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC20
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PBA-20IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 BGA 8X8(X1.2) PC20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PT5-16ATInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.56 грн
10+294.13 грн
25+280.56 грн
40+256.98 грн
80+247.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PT5-16AT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 TSOPII 54L 10X22(X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PT5-16ETInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.34 грн
10+225.47 грн
25+215.00 грн
40+196.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PT5-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+184.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PT5-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.34 грн
10+225.77 грн
25+215.30 грн
50+194.95 грн
100+188.08 грн
250+179.36 грн
500+170.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PT5-16ITInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PT5-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.50 грн
10+229.77 грн
25+223.04 грн
50+204.48 грн
100+199.66 грн
250+193.32 грн
500+185.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PT5-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+221.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PT5-20ETInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 TSOPII 54L 10X22(X
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PT5-20ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.73 грн
10+213.31 грн
25+208.68 грн
50+194.79 грн
100+174.66 грн
250+174.01 грн
500+164.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PT5-20ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PT5-20ITInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 TSOPII 54L 10X22(X
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS36PT5-20IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X16 TSOPII 54L 10X22(X
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS38PT5-16ETInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 32M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS38PT5-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 32M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS38PT5-16ITInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS38PT5-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 32M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS38PT5-20ETInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 32M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS38PT5-20ET TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 32M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS38PT5-20ITInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 32M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS38PT5-20IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 256MB X8 TSOPII 54L 10X22(X1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 32M x 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS40-10F
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS40-20
на замовлення 376 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS4113
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS4558
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS612
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS632PFAIRCHIL2003
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6375
на замовлення 35500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS63PT9-16ETInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT LVTTL 86TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 2M x 32
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.54 грн
10+246.62 грн
25+239.32 грн
50+219.41 грн
108+213.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS63PT9-16ITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS63PT9-16ITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS63PT9-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT LVTTL 86TSOPII
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 2M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.97 грн
10+244.81 грн
25+237.57 грн
50+217.77 грн
100+212.61 грн
250+205.81 грн
500+197.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS63PT9-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT LVTTL 86TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 2M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+233.87 грн
2000+219.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS63PT9-16IT TR---IC DRAM 64MBIT 2M x 32 LVTTL 86TSOPII Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS642
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6612NSSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6692NSSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS66PBA-16ETInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 4M x 16
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.26 грн
10+204.92 грн
25+198.90 грн
50+182.37 грн
100+178.08 грн
348+170.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS66PBA-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 16
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+177.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS66PBA-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54FBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8)
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 16
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.55 грн
10+200.77 грн
25+194.88 грн
50+178.69 грн
100+174.48 грн
250+168.93 грн
500+162.07 грн
1000+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS66PT5-16ATInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Grade: Automotive
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 16
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS66PT5-16AT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Grade: Automotive
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 16
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS66PT5-16ETInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 4M x 16
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.86 грн
10+114.81 грн
25+111.49 грн
50+102.27 грн
108+99.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDS66PT5-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS66PT5-16ITInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS66PT5-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.21 грн
10+117.00 грн
25+113.72 грн
50+104.33 грн
100+101.91 грн
250+98.74 грн
500+94.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDS66PT5-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+112.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS66PT5-20ETInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 4M x 16
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.86 грн
10+114.81 грн
25+111.49 грн
50+102.27 грн
108+99.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDS66PT5-20ITInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 64MBIT LVTTL 54TSOPII
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 4M x 16
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.35 грн
10+120.55 грн
25+117.14 грн
50+107.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6986NSSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2405CMurataDC-DC перетворювач, Кіл. вих. кан. = 2, Uвих1, В = 5, Uвих2, В = -5, Pвих, Вт = 6, Uвх (min), В = 18...36, Iвих1, А = 0,6, Iвих2, А = 0,6, Uізол., В = 1 500, ККД, % = 83, Габ. розм, мм = 32.0 x 20.1 x 9.9, Рів. пульс., мВ = 40, Тексп, °С = -40...+85,... Г
кількість в упаковці: 15 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2405CMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-5V DIP DC/DC
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1524.39 грн
5+1482.57 грн
10+1183.91 грн
30+1156.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2405CMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER 5-12V -5V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 83%
Current - Output (Max): 600mA, 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5 ~ 12V
Voltage - Output 2: -5V
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1429.94 грн
5+1370.49 грн
10+1360.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2405ECMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NDS6D2405C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2405ECMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER 5-12V -5V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 9 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 83%
Current - Output (Max): 600mA, 600mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5 ~ 12V
Voltage - Output 2: -5V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2412CMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-12V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 250mA, 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Part Status: Active
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
на замовлення 5173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1344.44 грн
5+1287.85 грн
10+1279.01 грн
25+1187.11 грн
50+1157.19 грн
100+1099.76 грн
250+1012.29 грн
500+944.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2412C
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2412CMurata Power SolutionsCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; Uin: 18÷36VDC; Uout: 12VDC; Uout2: 12VDC; DIP; THT
Type of converter: DC/DC
Case: DIP
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage 2: 12V DC
Body dimensions: 32x20x10.5mm
Output current 2: 0.25A
Output current: 0.25A
Number of outputs: 2
Output voltage: 12V DC
Input voltage: 18...36V DC
Efficiency: 87%
Manufacturer series: NDS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1343.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2412CMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-12V DIP DC/DC
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1420.27 грн
5+1390.36 грн
10+1156.02 грн
30+1077.23 грн
105+1031.21 грн
255+1012.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2412ECMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NDS6D2412C
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2412ECMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-12V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 9 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 250mA, 250mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2415CMurata Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 2-OUT 15V/-15V 0.2A/-0.2A 6W 8-Pin
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1877.91 грн
5+1851.17 грн
10+1819.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2415CMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-15V DIP DC/DC
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1349.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2415CMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87.5%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1364.84 грн
5+1308.09 грн
10+1298.96 грн
25+1205.68 грн
50+1175.30 грн
100+1116.96 грн
250+1028.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2415CMurata Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 2-OUT 15V/-15V 0.2A/-0.2A 6W 8-Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2415ECMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 24Vin +/-15Vout W/Control Pin
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6D2415ECMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 9 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87.5%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1.5 kV
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1592.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2405CMurata Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 1.2A 6W 7-Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2405CMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-5V DIP DC/DC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1484.53 грн
10+1442.48 грн
60+1191.58 грн
105+1156.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2405CMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER 5V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 82%
Current - Output (Max): 1.2A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Active
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1350.72 грн
5+1294.05 грн
10+1285.06 грн
25+1192.75 грн
50+1162.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2405CMurata Power SolutionsModule DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 1.2A 6W 7-Pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2405CMurataDC-DC перетворювач, Кіл. вих. кан. = 1, Uвих1, В = 5, Pвих, Вт = 6, Uвх (max), В = 36, Uвх (min), В = 18, Iвих1, А = 1,2, Uізол., В = 1 500, ККД, % = 82, Uвих, % = 2, Габ. розм, мм = 32,0 x 20,1 x 9,9, Рів. пульс., мВ = 40, Тексп, °С = -40...+85,... Група
кількість в упаковці: 15 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2405C
Код товару: 33835
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2405EC
Код товару: 176076
Додати до обраних Обраний товар
Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2405ECMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NDS6S2405C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2405ECMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER 5V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 9 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 82%
Current - Output (Max): 1.2A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2412CMurata Power SolutionsDC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-12V DIP DC/DC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1420.27 грн
5+1392.76 грн
10+1189.48 грн
30+1172.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2412CMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER 12V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 500mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1524.07 грн
5+1460.67 грн
10+1450.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2412ECMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 24Vin 12Vout 0.5A 6W W/Control Pin
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2412ECMurata Power Solutions Inc.Description: CONVERT DC/DC 6W 24-12V SNGL T/H
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2415CMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - Through Hole 6W 24V-15V DIP DC/DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2415CMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER 15V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 8 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 400mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Part Status: Active
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1517.79 грн
5+1454.63 грн
10+1444.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2415C
Код товару: 33843
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2415ECMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 24Vin 15Vout 0.4A 6W W/Control Pin
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS6S2415ECMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER 15V 6W
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module, 9 Leads
Size / Dimension: 1.26" L x 0.79" W x 0.39" H (32.0mm x 20.0mm x 10.0mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 87%
Current - Output (Max): 400mA
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 15V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 6 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002FAIRCHILD09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002-NL
на замовлення 86400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002/I702/1702FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1936+6.67 грн
1954+6.61 грн
2050+6.30 грн
2107+5.91 грн
3000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 1936
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002AFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1 500 мА, Ptot, Вт = 300 mW, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 2 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
6000+3.29 грн
9000+3.27 грн
15000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002AONS/FAISOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS7002A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.05 грн
9000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.63 грн
6000+3.52 грн
9000+3.50 грн
15000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS7002A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.88 грн
1500+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002AonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 91249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.75 грн
23+13.45 грн
100+8.44 грн
500+5.86 грн
1000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002A
Код товару: 40378
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.21 грн
6000+4.43 грн
12000+4.10 грн
27000+3.74 грн
51000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002AFairchildN-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 280mA; 300mW; -65°C ~ 150°C; NDS7002A TNDS7002a
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1172+11.01 грн
1926+6.70 грн
2039+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 1172
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.19 грн
62+11.92 грн
63+11.80 грн
104+6.89 грн
250+6.32 грн
500+5.78 грн
1000+5.63 грн
3000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002AonsemiMOSFETs SOT-23 N-CH ENHANCE
на замовлення 84739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.75 грн
23+14.51 грн
100+7.95 грн
500+5.86 грн
1000+5.23 грн
3000+4.04 грн
6000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS7002A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+17.81 грн
75+10.90 грн
124+6.56 грн
500+5.88 грн
1500+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002AonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.49 грн
6000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002A-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002A-F40
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002A-NF40
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002A-NLFAIRCHILD11+ROHS SOT-23
на замовлення 51321 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002A-Q
на замовлення 245260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002A-SMD
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002A/712
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002A_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002A_NB9GGTXAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002A_Qonsemi / FairchildMOSFET SOT-23 N-CH ENHANCE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS7002NFAIRCHILD
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS73PBE-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 128MB X32 BGA 8X13(X1.2) PC1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-FBGA (8x13)
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 32
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.67 грн
10+359.39 грн
25+352.53 грн
50+328.43 грн
100+294.70 грн
250+293.59 грн
500+270.65 грн
1000+259.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS73PBE-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: SDR 128MB X32 BGA 8X13(X1.2) PC1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-FBGA (8x13)
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 32
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+294.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS73PT9-16ETInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS73PT9-16ETInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS73PT9-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS73PT9-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS73PT9-16ITInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT LVTTL 86TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Part Status: Active
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.96 грн
10+353.12 грн
25+345.46 грн
40+322.46 грн
108+289.13 грн
324+288.08 грн
540+273.00 грн
972+259.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS73PT9-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT LVTTL 86TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS73PT9-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT LVTTL 86TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 4M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS76PT5-16ATInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 8M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS76PT5-16AT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 8M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS76PT5-16ETInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 8M x 16
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.43 грн
10+179.17 грн
25+170.86 грн
40+156.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS76PT5-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 8M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS76PT5-16ITInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 8M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS76PT5-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+152.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS76PT5-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.90 грн
10+167.01 грн
25+162.19 грн
50+148.73 грн
100+145.26 грн
250+140.68 грн
500+134.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS76PT5-20ITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 54TSOP
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS76PT5-20ITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 54TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS76PT5-20IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.90 грн
10+167.01 грн
25+162.19 грн
50+148.73 грн
100+145.26 грн
250+140.68 грн
500+134.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS76PT5-20IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 54-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 4.5 ns
Memory Organization: 8M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+152.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8140
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8291
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8330FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8345
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8410NSSOT-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8410onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8410AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 63917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+82.39 грн
500+74.15 грн
1000+68.39 грн
10000+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8410AFDS09+
на замовлення 52518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8410AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8410A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 213245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
553+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 553
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8410AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
на замовлення 208245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+64.56 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8410AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+82.39 грн
500+74.15 грн
1000+68.39 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8410AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 141828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+82.39 грн
500+74.15 грн
1000+68.39 грн
10000+58.78 грн
100000+45.60 грн
Мінімальне замовлення: 392
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8410AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8410SFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel MOSFET 2.5V Specified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+103.24 грн
500+92.91 грн
1000+85.68 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1098 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+103.24 грн
500+92.91 грн
1000+85.68 грн
10000+73.67 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+103.24 грн
500+92.91 грн
1000+85.68 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 29497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+103.24 грн
500+92.91 грн
1000+85.68 грн
10000+73.67 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+103.24 грн
500+92.91 грн
1000+85.68 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1098 pF @ 15 V
на замовлення 60029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+80.69 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8425 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 60029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 11228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+103.24 грн
500+92.91 грн
1000+85.68 грн
10000+73.67 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+103.24 грн
500+92.91 грн
1000+85.68 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+103.24 грн
500+92.91 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425-NLFDS
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425NLFAIRCHILD
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8425_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 17453 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8426FAIRCHIL00+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8426AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SOIC
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+49.87 грн
1000+45.99 грн
10000+41.00 грн
100000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 647
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8426AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8426A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 296640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 822
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8426AonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8426AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SOIC
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+49.87 грн
1000+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 647
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8426AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SOIC
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+49.87 грн
1000+45.99 грн
10000+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 647
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8426AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8426AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 10 V
на замовлення 296640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 466
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8426AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SOIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+49.87 грн
1000+45.99 грн
10000+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 647
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8426ANLFAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8433FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8433A
на замовлення 22201 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+99.51 грн
500+89.56 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434onsemi / FairchildMOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8434 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434-NL
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434Aonsemi / FairchildMOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434AONS/FAIP-ChannelPowerMosfet-20V/-7.8A/24mOhm(DISPO) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434AonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434A-NLFDS
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434ANLFAIRCHILD
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434A_L86Zonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434A_NLFAIRCHILD
на замовлення 175200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434A_NLonsemi / FairchildMOSFET 20V P-CH. FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434NLFAIRCHILD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434_D84Zonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434_L86Zonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434_NLFAIRCHILD
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8434_Qonsemi / FairchildMOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435onsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435FAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+114.01 грн
500+102.61 грн
1000+94.63 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435AUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 126265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+89.44 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+114.01 грн
500+102.61 грн
1000+94.63 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+114.01 грн
500+102.61 грн
1000+94.63 грн
10000+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435AUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.99 грн
10+30.67 грн
100+19.76 грн
500+14.14 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 87452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+114.01 грн
500+102.61 грн
1000+94.63 грн
10000+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 284
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435A-NL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8435A_NLFAIRCHILD
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8436AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8458AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8510AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8521C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8597
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8839FDSSOP-8
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8839HFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8839H-NLFAIRCHILDSOP8 99+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8852HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8852HFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8856FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8858NSSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8858HONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8858H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 629
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8858HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8858HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.3A/4.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+72.46 грн
500+65.21 грн
1000+60.14 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8858HFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8858Honsemi / FairchildMOSFET CMOSFET Half Bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8858HFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 11833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+56.49 грн
Мінімальне замовлення: 356
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8858HON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.3A/4.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+72.46 грн
500+65.21 грн
1000+60.14 грн
Мінімальне замовлення: 446
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8858H_L86Zonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8858H_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V 1/2 BR N/P, 0.035/0.065 O,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8859NS09+ SOP8
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8859HFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8863AmphenolArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8926FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8926onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8928FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8928AFSCSOP
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8929FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8934onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8934ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+78.14 грн
500+70.33 грн
1000+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 413
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8934Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8934ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+78.14 грн
500+70.33 грн
1000+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 413
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8934FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8934ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS8934 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 583
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936NSSOP-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+98.05 грн
500+88.24 грн
1000+81.38 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+98.05 грн
500+88.24 грн
1000+81.38 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936onsemi / FairchildMOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936 SOP8NATIONAL
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936MXFSC
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936SOP8FAIRCHILD
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8936_NLonsemi / FairchildMOSFET RECOMMEND: FDS6912A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947onsemi / FairchildMOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+132.29 грн
500+119.39 грн
1000+109.71 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+132.29 грн
500+119.39 грн
1000+109.71 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+132.29 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+103.56 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+132.29 грн
500+119.39 грн
1000+109.71 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947_NLonsemi / FairchildMOSFET -30V DMOS P-CHNL DUAL SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8947_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8956FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8958onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8958FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8958-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8958AFSC00+ SOP
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8958_NLFairchild
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8961FAIRCHILD9830 SOP8
на замовлення 19873 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8961Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8961AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8961_NLFAIRCHILD
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS8963FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9400Fairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Power Dissipation (Max): 2W
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
577+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 577
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9400FSC9652 SOP-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9400 SOP8NATIONAL
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9400AON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9400AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9400AON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9400SOP8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9401AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9405Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9405FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9405Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9405_D84ZON Semiconductor / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ONS/FAIMOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.60 грн
5000+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.85 грн
50+55.40 грн
100+36.44 грн
500+26.74 грн
1000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407onsemi / FairchildMOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench
на замовлення 5220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.72 грн
10+49.31 грн
100+28.17 грн
500+21.82 грн
1000+19.80 грн
2500+17.50 грн
5000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.40 грн
13+58.35 грн
100+40.28 грн
500+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.84 грн
5000+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 132090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1106+29.18 грн
10000+26.02 грн
100000+21.80 грн
Мінімальне замовлення: 1106
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
на замовлення 10039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.50 грн
10+51.51 грн
100+33.91 грн
500+24.70 грн
1000+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.69 грн
5000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.59 грн
5000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9407 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.15 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.44 грн
500+26.74 грн
1000+22.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407-NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407_GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 732 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407_NLFAIRCHILD
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9407_Qonsemi / FairchildMOSFETs Single P-Ch MOSFET Power Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410NS05+ SOP
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+54.31 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9410A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
493+80.53 грн
Мінімальне замовлення: 493
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410Aonsemi / FairchildMOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410A-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410A2500X1.A8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410A_NLFSC09+
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410A_Qonsemi / FairchildMOSFET Single N-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410BFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9410SFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9412NSSOP-8
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS941OA
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+81.00 грн
500+72.91 грн
1000+67.23 грн
10000+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
на замовлення 112979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 319
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+81.00 грн
500+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+81.00 грн
500+72.91 грн
1000+67.23 грн
10000+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430onsemi / FairchildMOSFETs 30V P-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 34900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+81.00 грн
500+72.91 грн
1000+67.23 грн
10000+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+81.00 грн
500+72.91 грн
1000+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+78.14 грн
500+70.32 грн
1000+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 413
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 10173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 330
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+78.14 грн
500+70.32 грн
1000+64.86 грн
Мінімальне замовлення: 413
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430AonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+78.14 грн
Мінімальне замовлення: 413
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430_NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9431
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9431NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9431_NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435FAIRCHILDSOP-8
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435Fairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Power Dissipation (Max): 2W
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+68.63 грн
Мінімальне замовлення: 317
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435A
Код товару: 58304
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 25 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 528/10
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435Aonsemi / FairchildMOSFETs -30V -5.3A P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435A_NLFSC09+
на замовлення 100018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435FDS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435RFAIRCHILD0624
на замовлення 653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS96PT4-16ETInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 16MBIT LVTTL 50TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 1M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS96PT4-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 16MBIT LVTTL 50TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 1M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS96PT4-16ITInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 16MBIT LVTTL 50TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 1M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS96PT4-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 16MBIT LVTTL 50TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS96PT4-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 16MBIT LVTTL 50TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9852AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9905
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9917FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9924AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9925AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9925AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933NSSOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933AFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933A_NLFAIRCHILD
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933NLFAIRCHILD
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933_NLFAIRCHILD
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 40970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
555+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 555
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936FAIRCHILDSOP-8
на замовлення 44990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936onsemi / FairchildMOSFET Dl N-Ch Enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936-NL
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936A_NLFAIRCHILD
на замовлення 54500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936NLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936_NLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9939NSSOP-8
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS99407NS07+/08+ SOP8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9942FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9942onsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9942onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9942-NLFAIRCHILDSOP8 0919+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9943onsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9943onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9943FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9943onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.21 грн
10+105.37 грн
100+72.09 грн
500+54.30 грн
1000+53.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.076 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.076
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+105.69 грн
500+95.11 грн
1000+87.72 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945onsemi / FairchildMOSFETs Dl N-Ch Enhancement
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.13 грн
10+88.20 грн
100+60.59 грн
500+51.80 грн
1000+50.55 грн
2500+45.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+74.42 грн
11+73.25 грн
25+72.08 грн
100+68.39 грн
250+62.28 грн
500+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+69.45 грн
189+68.37 грн
192+67.28 грн
195+63.83 грн
250+58.13 грн
500+54.87 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945.ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9945. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.97 грн
500+64.43 грн
1000+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945.ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9945. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.98 грн
50+101.68 грн
100+82.97 грн
500+64.43 грн
1000+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945NLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945_NLFSC09+
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9946FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9947Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 23768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+51.97 грн
Мінімальне замовлення: 430
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9947FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.91 грн
10000+29.56 грн
15000+26.53 грн
20000+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.31 грн
5000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ONS/FAIMOSFET 2P-CH 60V 2.3A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948onsemiMOSFETs Dual PCh PowerTrench
на замовлення 14548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.22 грн
10+36.24 грн
100+22.38 грн
500+18.48 грн
1000+16.73 грн
2500+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.25 грн
500+24.85 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948
Код товару: 100660
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 60 V
Id,A: 2,3 A
Монтаж: SMD
у наявності 318 шт:
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
22 шт - РАДІОМАГ-Львів
283 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+20.00 грн
10+17.90 грн
100+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.79 грн
10+48.64 грн
100+31.91 грн
500+23.20 грн
1000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.60 грн
50+51.98 грн
100+34.25 грн
500+24.85 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1175+27.47 грн
10000+24.49 грн
Мінімальне замовлення: 1175
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948NLFAIRCHILD
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948_NLFAIRCHILD
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952NSSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9952A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952AONS/FAIГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952AonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
627+51.53 грн
1000+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 627
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N&P-CH ENHANCE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952A-F011onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952A-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952A_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N&P-CH ENHANCE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952DYT1FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952NLFAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952_NLFAIRCHILD
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953NSSOP-8
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS99532NDS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH ENHANCE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 257016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 485
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953A-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953A_NLFAIRCHILD
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953DYFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9953_NLFAIRCHILD
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9955NSSOP-8
на замовлення 22850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9955onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9955onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9955-NL
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9955NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9955_NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956NSSOP-8
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956-NL
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956Aonsemi / FairchildMOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956A_NLonsemi / FairchildMOSFET 30V DUAL N-CH. FET, 80 MO, SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956A_Qonsemi / FairchildMOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9956Q
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9957FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9957onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9957onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9957-NL
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9958NSSOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9958onsemi / FairchildMOSFETs DISC BY MFG 2/02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9958onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9958-NL
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9958AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959onsemi / FairchildMOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959Fairchild
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959-NL
на замовлення 9080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959ANLFAIRCHILD
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959NLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959_NL
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959_NLonsemi / FairchildMOSFET 50V DUAL N-CH. FET, 300 MO, SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9959_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9977NS09+ SOP8
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9986NSSOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9999ANLFAIRCHILD
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSC-200002+
на замовлення 9910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH10120C-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH10120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.73 грн
10+341.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH10120C-F155onsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.14 грн
10+304.69 грн
120+180.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH10120C-F155onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 680pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 7590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+444.75 грн
10+287.86 грн
450+176.61 грн
900+161.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH10170AonsemiSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 10 A, 1700 V, D1, TO-247-2L
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+794.73 грн
10+671.12 грн
100+486.67 грн
250+481.09 грн
450+406.49 грн
900+338.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH10170AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 16A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 856pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+672.22 грн
10+554.49 грн
450+407.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120ConsemiSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+725.59 грн
10+612.59 грн
100+483.88 грн
250+392.54 грн
450+391.85 грн
900+352.10 грн
2700+339.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120ConsemiDescription: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120CONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH20120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+636.92 грн
5+537.68 грн
10+438.44 грн
50+374.65 грн
100+311.66 грн
250+276.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120CON SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120C-F155onsemiSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+652.38 грн
10+550.05 грн
100+398.82 грн
250+382.78 грн
450+352.10 грн
900+316.54 грн
2700+302.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120C-F155onsemiDescription: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1480pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.37 грн
10+543.09 грн
25+517.83 грн
100+421.97 грн
450+367.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120C-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH20120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 100 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 100nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+726.40 грн
5+612.52 грн
10+497.83 грн
50+435.83 грн
100+377.90 грн
250+370.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH20120CDNonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+675.16 грн
10+397.70 грн
510+335.37 грн
1020+329.79 грн
2520+329.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH25170AON Semiconductor
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH25170AonsemiDescription: DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2025pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1167.17 грн
30+697.93 грн
120+611.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH25170AONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH25170A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 169 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 169nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.7kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1365.77 грн
5+1316.96 грн
10+1268.15 грн
50+1133.01 грн
100+1004.02 грн
250+962.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH25170AOn SemiconductorSiC Schottky Diodes SIC JBS 1700V 25A Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH25170AonsemiSiC Schottky Diodes SIC JBS 1700V 25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH30120C-F155onsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+914.31 грн
10+602.17 грн
120+453.20 грн
510+452.51 грн
1020+436.47 грн
2520+421.83 грн
5010+416.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH30120C-F155onsemiDescription: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1961pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+834.59 грн
10+725.96 грн
25+692.19 грн
100+564.05 грн
450+491.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH30120C-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH30120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 132 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 132nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+917.56 грн
5+784.97 грн
10+651.57 грн
50+533.27 грн
100+454.60 грн
250+416.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH30120CDNonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-3L
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+770.33 грн
10+514.77 грн
120+384.87 грн
270+354.89 грн
510+354.20 грн
1020+352.80 грн
2520+346.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH40120C-F155onsemiDescription: DIODE SIL CARB 1200V 46A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2840pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 46A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1015.78 грн
10+688.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH40120C-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH40120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1143.70 грн
5+933.02 грн
10+721.52 грн
50+669.23 грн
100+528.50 грн
250+518.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH40120C-F155onsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1057.47 грн
10+735.27 грн
100+622.63 грн
450+541.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH40120CDNonsemiDescription: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 50198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1114.62 грн
10+759.95 грн
450+574.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH40120CDNONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH40120CDN - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 95 nC
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 95nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1159.15 грн
5+985.08 грн
10+811.00 грн
50+692.65 грн
100+564.06 грн
250+552.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH40120CDNonsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1160.78 грн
10+796.21 грн
100+649.13 грн
450+619.84 грн
900+616.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH50120ConsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 53A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1103.64 грн
30+857.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH50120CONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH50120C - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 246 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 246nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1087.57 грн
5+978.57 грн
10+869.57 грн
50+742.50 грн
100+660.98 грн
250+635.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH50120ConsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1285.24 грн
30+944.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH50120C-F155onsemiDescription: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 53A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2013.53 грн
10+1403.80 грн
25+1264.35 грн
100+1137.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSH50120C-F155onsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2131.22 грн
10+1937.20 грн
30+1609.22 грн
120+1438.40 грн
270+1372.16 грн
510+1305.92 грн
1020+1230.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR-01VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.87 грн
50+83.39 грн
120+65.96 грн
600+59.47 грн
1080+54.73 грн
2040+48.46 грн
5040+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR-02VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.27 грн
50+102.63 грн
72+80.88 грн
504+73.91 грн
1008+68.12 грн
2016+60.45 грн
5040+54.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR-03VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR-04VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.49 грн
40+123.48 грн
120+97.61 грн
520+88.55 грн
1000+81.58 грн
2000+71.82 грн
5000+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR-05VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR-06VDiptronicsDIP Switches / SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR-07VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR-08VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR-09VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR-10VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.26 грн
51+181.21 грн
102+143.63 грн
510+130.38 грн
1003+119.92 грн
2006+105.98 грн
5015+95.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR-12VDiptronicsDIP Switches/SIP Switches Dip switch Slide Type
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR02TVApemDIP Switches / SIP Switches Standard DIP Switch
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR02VApemDIP Switches / SIP Switches Standard DIP Switch
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR04TVApemDIP Switches/SIP Switches Standard DIP Switch
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.79 грн
10+129.89 грн
25+99.70 грн
117+92.73 грн
273+87.85 грн
507+73.21 грн
1014+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR04VApemDIP Switches / SIP Switches Standard DIP Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR05VApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR06TVApemDIP Switches/SIP Switches Standard DIP Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDSR10VApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH ND STANDARD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.