Продукція > RQ3
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RQ300 | OccuNomix | Description: OCCUNOMIX CLASSIC REGULAR LENGTH Packaging: Box Color: Green Material: 100% Quilted Nylon Shell Type: Head Liner Size: One Size Part Status: Active Package Quantity: 6 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3C150BCTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3C150BCTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -20V -30A Si MOSFET | на замовлення 3175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3C150BCTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V | на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E070BNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET | на замовлення 3523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E070BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E070BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V | на замовлення 7341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E070BNTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET | на замовлення 5979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E075ATTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -30V -18A Si MOSFET | на замовлення 898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E075ATTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V | на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E075ATTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E080BN | ROHM Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E080BNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0152 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 14W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 14W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm | на замовлення 1809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E080BNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | на замовлення 14503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R | на замовлення 5578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E080BNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0152 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 14W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm | на замовлення 1809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V | на замовлення 17700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E080GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | на замовлення 423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E080GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V | на замовлення 1871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E100ATTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E100ATTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -10.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) | на замовлення 2334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E100ATTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V | на замовлення 6447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E100BN | ROHM Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | на замовлення 11261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E100BNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E100BNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET | на замовлення 105414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E100BNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E100BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0077 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E100BNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E100BNTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET | на замовлення 3333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E100BNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E100GNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 21 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 15 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 15 Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E100GNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage Verlustleistung: 15 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E100GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E100GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E100MNTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 10.0A(Id), (4.5V Drive) | на замовлення 2482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | на замовлення 5261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E110AJTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 11.0A(Id), (2.5V Drive) | на замовлення 4772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E110AJTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | на замовлення 13368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E110AJTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R | на замовлення 23995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E120ATTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 20W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm | на замовлення 1749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E120ATTB | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39A; Idm: -48A; 20W; HSMT8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Pulsed drain current: -48A Drain current: -39A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 62nC On-state resistance: 11.3mΩ Power dissipation: 20W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Case: HSMT8 Type of transistor: P-MOSFET | на замовлення 2941 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R | на замовлення 2407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E120ATTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 20W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm | на замовлення 1681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT | на замовлення 728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E120ATTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSMT8 P-CH 30V 39A | на замовлення 14077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E120ATTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R | на замовлення 15780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E120BNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET | на замовлення 4746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E120BNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E120BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0066 ohm, HSMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E120BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E120GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E120GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET | на замовлення 34972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E120GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V | на замовлення 9080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2950 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E130BNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 16W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 16W Bauform - Transistor: HSMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E130BNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET | на замовлення 798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E130BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E130BNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 16W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E130MNTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E130MNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E130MNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT | на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E150BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E150BNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | на замовлення 956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E150BNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E150GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E150GNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E150GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0047 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E150GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | на замовлення 599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E150GNTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E150GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0047 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 17W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E150GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V | на замовлення 19165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E150MNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E150MNTB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT | на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E150MNTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E160ADTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E160ADTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E160ADTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3500 µohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm | на замовлення 1472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E160ADTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E160ADTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 16.0A(Id), (4.5V Drive) | на замовлення 5664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E160ADTB | ROHM | Description: ROHM - RQ3E160ADTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3500 µohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm | на замовлення 1472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E160ADTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSMT8 N-CH 30V 16A | на замовлення 6985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E160ADTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: N-Channel | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E160ADTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E180AJTB | ROHM - Japan | MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 8-PowerVDFN RQ3E180AJTB TRQ3e180ajtb кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E180AJTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E180AJTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R | на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E180AJTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 18.0A(Id), (2.5V Drive) | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E180AJTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V | на замовлення 10637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RQ3E180AJTB1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET: Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E180AJTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 27 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E180AJTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSMT8 N-CH 30V 18A | на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RQ3E180AJTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]