Продукція > RQ3

MOSFETs Pch -20V -30A Si MOSFET

на замовлення 5395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.62 грн
10+	75.67 грн
100+	46.83 грн
500+	40.02 грн
1000+	36.57 грн
3000+	30.91 грн
6000+	30.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3C150BCTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V

на замовлення 8825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.87 грн
10+	72.37 грн
100+	50.62 грн
500+	40.04 грн
1000+	36.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3C150BCTB

RQ3C150BCTB SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3C150BCTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.85 грн
6000+	33.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E070BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 10820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E070BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V

на замовлення 7341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.76 грн
13+	26.30 грн
100+	15.80 грн
500+	13.73 грн
1000+	9.33 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E070BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E070BNTB1

MOSFET MOSFET

на замовлення 5979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.72 грн
10+	65.47 грн
100+	44.45 грн
500+	36.73 грн
1000+	31.45 грн
3000+	26.70 грн
9000+	24.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3E075ATTB

MOSFETs Pch -30V -18A Si MOSFET

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	70.43 грн
10+	65.55 грн
100+	44.30 грн
500+	37.11 грн
1000+	35.58 грн
3000+	33.51 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E075ATTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E075ATTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V

на замовлення 2478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	103.46 грн
10+	74.36 грн
100+	52.89 грн
500+	39.21 грн
1000+	35.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BN

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

627+	19.33 грн
731+	16.57 грн
1000+	13.49 грн

Мінімальне замовлення: 627

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 14W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.36 грн
500+	11.16 грн
1000+	9.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 14503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.51 грн
12+	29.48 грн
100+	14.77 грн
1000+	10.56 грн
3000+	9.26 грн
9000+	8.34 грн
24000+	8.19 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

на замовлення 41389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.04 грн
10+	33.79 грн
100+	23.03 грн
500+	16.21 грн
1000+	12.16 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	39.23 грн
37+	23.52 грн
100+	12.36 грн
500+	11.16 грн
1000+	9.93 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 5578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

731+	16.58 грн
736+	16.47 грн
841+	14.41 грн
1000+	13.31 грн
3000+	11.77 грн

Мінімальне замовлення: 731

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	43.74 грн
11+	34.58 грн
100+	20.51 грн
500+	15.61 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V

на замовлення 1871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.66 грн
11+	29.33 грн
100+	14.55 грн
500+	13.35 грн
1000+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 3541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	63.73 грн
10+	50.13 грн
100+	37.03 грн
500+	29.66 грн
1000+	25.70 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100ATTB

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -10.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

на замовлення 2481 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.93 грн
10+	58.60 грн
100+	37.65 грн
250+	37.57 грн
500+	31.52 грн
1000+	26.86 грн
3000+	24.10 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BN

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 78956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.59 грн
13+	24.87 грн
100+	17.94 грн
500+	13.30 грн
1000+	11.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

696+	17.41 грн

Мінімальне замовлення: 696

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.68 грн
6000+	8.22 грн
9000+	8.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB SMD N channel transistors

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

12+	27.60 грн
73+	15.49 грн
200+	14.63 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 105414 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	43.21 грн
13+	27.54 грн
100+	16.22 грн
500+	12.70 грн
1000+	11.25 грн
3000+	8.57 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

Description: ROHM - RQ3E100BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0077 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

622+	19.49 грн
645+	18.79 грн
1000+	18.18 грн
2500+	17.01 грн

Мінімальне замовлення: 622

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB1

Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB1

MOSFET MOSFET

на замовлення 3333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	94.62 грн
10+	83.94 грн
100+	56.93 грн
500+	47.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB1

Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 3340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.01 грн
10+	65.12 грн
100+	50.69 грн
500+	37.86 грн
1000+	34.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.06 грн
10+	35.20 грн
100+	22.88 грн
500+	17.98 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 21
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 15
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

766+	15.82 грн
795+	15.25 грн
1000+	14.75 грн
2500+	13.81 грн

Мінімальне замовлення: 766

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

на замовлення 5261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.91 грн
10+	74.84 грн
100+	58.35 грн
500+	45.23 грн
1000+	35.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100MNTB1

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.52 грн
10+	76.99 грн
100+	52.11 грн
500+	44.23 грн
1000+	36.04 грн
3000+	33.28 грн
6000+	31.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E110AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 13368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.45 грн
10+	46.71 грн
100+	32.33 грн
500+	25.35 грн
1000+	21.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E110AJTB

MOSFETs RQ3E110AJ is low on-resistance and Small Surface Mount Package MOSFET for switching application.

на замовлення 2949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.95 грн
10+	49.98 грн
100+	29.99 грн
500+	23.87 грн
1000+	21.88 грн
3000+	18.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E110AJTB

RQ3E110AJTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E110AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.78 грн
6000+	17.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 15780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	49.23 грн

Мінімальне замовлення: 247

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.03 грн
6000+	18.72 грн
9000+	18.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 23995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

330+	36.80 грн
368+	32.92 грн

Мінімальне замовлення: 330

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 9999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	81.11 грн
10+	50.53 грн
100+	33.16 грн
500+	24.12 грн
1000+	21.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

на замовлення 452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	88.41 грн
15+	57.34 грн
100+	38.11 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 2407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	83.17 грн
224+	54.27 грн
500+	36.02 грн
1000+	34.57 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

MOSFETs HSMT8 P CHAN 30V

на замовлення 24797 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.73 грн
10+	59.22 грн
100+	33.82 грн
500+	26.70 грн
1000+	24.18 грн
3000+	21.04 грн
6000+	19.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 1831 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120BNTB

Description: ROHM - RQ3E120BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0066 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120GNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 34972 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.90 грн
12+	31.32 грн
100+	18.59 грн
500+	15.76 грн
1000+	14.23 грн
3000+	10.02 грн
6000+	9.79 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.21 грн
6000+	11.87 грн
9000+	11.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120GNTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; Idm: 48A; 15W; HSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 15W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	36.05 грн
16+	25.98 грн
57+	16.58 грн
156+	15.62 грн
500+	15.06 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120GNTB

на замовлення 2761 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

8+	43.26 грн
10+	32.38 грн
57+	19.89 грн
156+	18.75 грн
500+	18.08 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V

на замовлення 11774 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.21 грн
11+	30.84 грн
100+	22.12 грн
500+	15.74 грн
1000+	13.69 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 16W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.04 грн
10+	40.01 грн
100+	25.89 грн
500+	18.59 грн
1000+	16.75 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 16W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 16W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.51 грн
10+	35.99 грн
100+	23.57 грн
500+	18.44 грн
1000+	14.92 грн
3000+	12.70 грн
9000+	11.71 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130MNTB1

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 1499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.58 грн
10+	98.55 грн
100+	66.80 грн
500+	55.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

Description: ROHM - RQ3E150GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0047 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.16 грн
500+	13.07 грн
1000+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V

на замовлення 19165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.52 грн
10+	37.22 грн
100+	25.85 грн
500+	18.94 грн
1000+	15.39 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 599 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	45.53 грн
10+	36.08 грн
100+	19.74 грн
1000+	15.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	33.30 грн
40+	21.80 грн
100+	14.16 грн
500+	13.07 грн
1000+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.23 грн
6000+	13.92 грн
9000+	12.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150MNTB1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

Description: ROHM - RQ3E160ADTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0035 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1506 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.65 грн
500+	30.21 грн
1000+	26.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 16.0A(Id), (4.5V Drive)

на замовлення 5669 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	44.19 грн
11+	34.93 грн
100+	22.88 грн
500+	22.19 грн
1000+	21.88 грн
3000+	17.52 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

на замовлення 1506 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	43.43 грн
25+	34.76 грн
100+	33.65 грн
500+	30.21 грн
1000+	26.85 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB1

MOSFETs HSMT8 N CHAN 30V

на замовлення 6988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.97 грн
10+	105.59 грн
100+	62.51 грн
500+	50.50 грн
1000+	45.99 грн
3000+	40.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB1

Description: NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB1

Description: NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	138.22 грн
10+	94.69 грн
100+	64.22 грн
500+	47.99 грн
1000+	45.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB

ROHM - Japan

MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 8-PowerVDFN RQ3E180AJTB TRQ3e180ajtb
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	20.96 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB SMD N channel transistors

на замовлення 1258 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	92.70 грн
38+	29.55 грн
105+	27.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

на замовлення 13613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.94 грн
10+	45.75 грн
100+	35.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 18.0A(Id), (2.5V Drive)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

317+	38.24 грн
330+	36.71 грн
500+	35.39 грн
1000+	33.01 грн
2500+	29.65 грн

Мінімальне замовлення: 317

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB1

Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.46 грн
10+	87.27 грн
100+	65.98 грн
500+	53.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB1

MOSFETs HSMT8 N CHAN 30V

на замовлення 2378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	155.32 грн
10+	97.67 грн
100+	60.14 грн
500+	50.50 грн
1000+	48.89 грн
3000+	43.84 грн
6000+	42.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	129.20 грн
134+	90.44 грн
200+	76.96 грн
500+	61.75 грн
1000+	54.15 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB1

Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 72A; 20W; HSMT8
Mounting: SMD
Case: HSMT8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 5.2Ω
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 72A
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

на замовлення 5051 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.69 грн
10+	42.40 грн
100+	28.59 грн
500+	22.19 грн
1000+	20.33 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2429 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	46.51 грн
10+	41.62 грн
100+	24.48 грн
500+	19.59 грн
1000+	18.36 грн
3000+	17.29 грн
6000+	16.68 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB1

Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB1

MOSFETs HSMT8 N CHAN 30V

на замовлення 5885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	165.14 грн
10+	105.59 грн
100+	65.11 грн
500+	54.94 грн
1000+	51.80 грн
3000+	49.50 грн
6000+	46.06 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB1

Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	150.64 грн
10+	91.58 грн
100+	67.79 грн
500+	58.46 грн
1000+	48.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180GNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	57.31 грн
10+	48.57 грн
100+	29.23 грн
500+	24.41 грн
1000+	20.81 грн
3000+	19.05 грн
6000+	17.75 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.32 грн
10+	40.49 грн
100+	27.87 грн
500+	21.84 грн
1000+	19.77 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ3G100GNTB

Description: ROHM - RQ3G100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	56.48 грн
23+	38.45 грн
100+	26.35 грн
500+	22.56 грн
1000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

RQ3G100GNTB

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V

на замовлення 92350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.28 грн
6000+	10.40 грн
9000+	10.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3G100GNTB

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V

на замовлення 92818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	54.63 грн
10+	34.19 грн
100+	22.56 грн
500+	16.17 грн
1000+	14.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ3G100GNTB

MOSFET Nch 40V 10A Power MOSFET

на замовлення 18354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.31 грн
10+	36.52 грн
100+	22.04 грн
500+	17.22 грн
1000+	14.00 грн
3000+	11.78 грн
9000+	10.94 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3G110ATTB

Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0098 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.74 грн
500+	60.81 грн
1000+	44.29 грн
5000+	43.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3G110ATTB

Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V

на замовлення 7975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.19 грн
10+	93.25 грн
100+	66.13 грн
500+	50.74 грн
1000+	47.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3G110ATTB

MOSFETs HSMT8 P-CH 40V 35A

на замовлення 4031 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.04 грн
10+	102.95 грн
100+	64.65 грн
500+	53.41 грн
1000+	49.35 грн
3000+	44.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3G110ATTB

Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0098 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	147.63 грн
10+	110.72 грн
100+	79.74 грн
500+	60.81 грн
1000+	44.29 грн
5000+	43.55 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3G110ATTB

Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	48.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3G120BJFRATCB

Description: PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.60 грн
10+	78.27 грн
25+	65.55 грн
100+	48.03 грн
250+	41.41 грн
500+	37.33 грн
1000+	33.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3G120BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3G120BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.048 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	81.88 грн
13+	67.29 грн
100+	52.44 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ3G120BJFRATCB

Description: PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3G120BJFRATCB

MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 2997 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.51 грн
10+	75.23 грн
100+	43.61 грн
500+	35.73 грн
1000+	35.12 грн
3000+	29.84 грн
6000+	29.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3G120BKFRATCB

MOSFETs HSMT8 N CHAN 40V

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.45 грн
10+	45.84 грн
100+	32.44 грн
3000+	27.55 грн
6000+	27.32 грн
24000+	27.01 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3G150GNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3G150GNTB

MOSFET Nch 40V 30Aw Si MOSFET

на замовлення 3905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	101.76 грн
10+	78.58 грн
100+	55.47 грн
500+	47.67 грн
1000+	38.87 грн
3000+	36.11 грн
6000+	34.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3G150GNTB

RQ3G150GNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3G150GNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

на замовлення 1402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3G270BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3G270BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 27 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.10 грн
500+	61.77 грн
1000+	48.41 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3G270BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3G270BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 27 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.29 грн
10+	88.41 грн
100+	69.10 грн
500+	61.77 грн
1000+	48.41 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3G270BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3G270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27 A, 0.0096 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	107.29 грн
10+	88.41 грн
100+	69.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3G270BKFRATCB

MOSFETs Automotive Nch 40V 27A Power MOSFET for ADAS/Info./Lighting/Body.

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.58 грн
10+	89.75 грн
100+	61.29 грн
500+	51.88 грн
1000+	44.23 грн
3000+	37.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3L050GNTB

RQ3L050GNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3L050GNTB

Description: ROHM - RQ3L050GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.8W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	72.96 грн
17+	51.67 грн
100+	34.16 грн
500+	25.19 грн
1000+	20.67 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ3L050GNTB

MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3L050GNTB

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.16 грн
500+	25.19 грн
1000+	20.67 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3L060BGTB1

MOSFETs HSMT8 N CHAN 60V

на замовлення 2762 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.12 грн
10+	68.37 грн
100+	40.55 грн
500+	36.50 грн
1000+	33.13 грн
3000+	28.85 грн
6000+	27.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	149.35 грн
10+	103.86 грн
100+	70.38 грн
500+	51.97 грн
1000+	38.92 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

MOSFET Pch -60V -25A, HSMT8, Power MOSFET

на замовлення 10467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	117.83 грн
10+	95.91 грн
100+	64.35 грн
500+	54.48 грн
1000+	44.38 грн
3000+	41.78 грн
6000+	39.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

RQ3L070ATTB SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V

на замовлення 3517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.57 грн
10+	90.38 грн
100+	61.08 грн
500+	45.54 грн
1000+	42.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	70.38 грн
500+	51.97 грн
1000+	38.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070BGTB1

MOSFET NCH 60V 20A, HSMT8G

на замовлення 5770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.41 грн
10+	61.77 грн
100+	41.85 грн
500+	35.43 грн
1000+	32.44 грн
3000+	27.55 грн
6000+	26.17 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3L090GNTB

RQ3L090GNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3L090GNTB

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	39.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3L090GNTB

MOSFETs Nch 60V 30A Middle Power MOSFET

на замовлення 5150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.02 грн
10+	66.87 грн
100+	43.92 грн
500+	39.40 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3L090GNTB

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V

на замовлення 17670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.94 грн
10+	65.28 грн
100+	44.16 грн
500+	35.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BJFRATCB

Description: PCH -60V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.43 грн
10+	78.75 грн
25+	65.99 грн
100+	48.39 грн
250+	41.73 грн
500+	37.63 грн
1000+	33.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BJFRATCB

MOSFETs Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 2795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.30 грн
10+	76.46 грн
100+	44.07 грн
500+	36.11 грн
1000+	32.06 грн
3000+	27.16 грн
6000+	26.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3L120BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.106 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	82.74 грн
13+	68.07 грн
100+	52.96 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BJFRATCB

Description: PCH -60V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3L120BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	100.42 грн
13+	70.13 грн
100+	54.59 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BKFRATCB

MOSFETs Nch 60V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	86.32 грн
10+	69.95 грн
100+	47.29 грн
500+	40.17 грн
1000+	35.35 грн
3000+	29.99 грн
6000+	29.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3L270BJFRATCB

MOSFETs Pch -60V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	153.54 грн
10+	95.91 грн
100+	55.63 грн
500+	45.60 грн
1000+	41.24 грн
3000+	35.04 грн
6000+	33.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3L270BKFRATCB

MOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.22 грн
10+	99.43 грн
100+	59.38 грн
500+	50.27 грн
1000+	43.54 грн
3000+	36.88 грн
6000+	36.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3L270BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3L270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.0146 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.44 грн
10+	92.70 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3L270BLFRATCB

Description: ROHM - RQ3L270BLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.0147 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	112.44 грн
10+	92.70 грн
100+	72.27 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3L270BLFRATCB

MOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.22 грн
10+	99.43 грн
100+	59.38 грн
500+	50.27 грн
1000+	43.54 грн
3000+	36.88 грн
6000+	36.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3N040ATTB1

MOSFETs HSMT8 P CHAN 80V

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	125.87 грн
10+	78.93 грн
100+	45.83 грн
500+	37.57 грн
1000+	32.82 грн
3000+	29.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3N060ATTB1

MOSFETs HSMT P CHAN 80V

на замовлення 2996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.44 грн
10+	86.14 грн
100+	59.83 грн
500+	49.81 грн
1000+	43.08 грн
3000+	41.16 грн
6000+	40.40 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3P045ATTB1

Description: PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 50 V

на замовлення 2247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.12 грн
10+	110.39 грн
100+	76.12 грн
500+	57.16 грн
1000+	52.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3P045ATTB1

MOSFET RQ3P045AT is a low on-resistance MOSFET suitable for switching and load switches.

на замовлення 2619 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.22 грн
10+	107.35 грн
100+	74.75 грн
250+	68.48 грн
500+	62.13 грн
1000+	56.31 грн
3000+	48.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3P045ATTB1

Description: ROHM - RQ3P045ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14.5 A, 0.067 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	151.07 грн
10+	112.44 грн
100+	82.57 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3P045ATTB1

Description: PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3P045ATTB1

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3P120BKFRATCB

MOSFETs Nch 100V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	151.75 грн
10+	95.03 грн
100+	55.17 грн
500+	45.22 грн
1000+	39.63 грн
3000+	36.34 грн
6000+	35.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3P270BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3P270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.027 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.30 грн
10+	92.70 грн
100+	72.79 грн
500+	57.31 грн
1000+	40.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3P270BKFRATCB

Description: NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.02 грн
10+	100.74 грн
25+	84.90 грн
100+	62.80 грн
250+	54.52 грн
500+	49.42 грн
1000+	44.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

RQ3P270BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3P270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.027 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.79 грн
500+	57.31 грн
1000+	40.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3P270BKFRATCB

Description: NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	44.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BETB1

Description: MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BETB1

Description: MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BHTB1

Description: NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	82.29 грн
6000+	76.27 грн
9000+	73.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BHTB1

MOSFET Nch 100V 39A, HSMT8, Power MOSFET.

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BHTB1

RQ3P300BHTB1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BHTB1