Продукція > RQ3

MOSFETs Pch -20V -30A Si MOSFET

на замовлення 5745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.98 грн
10+	73.69 грн
100+	49.88 грн
500+	40.02 грн
1000+	34.43 грн
3000+	32.15 грн
6000+	30.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3C150BCTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V

на замовлення 8825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.33 грн
10+	69.58 грн
100+	48.67 грн
500+	38.50 грн
1000+	35.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3C150BCTB

RQ3C150BCTB SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3C150BCTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.51 грн
6000+	31.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E070BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E070BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 10820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E070BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V

на замовлення 7341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.42 грн
13+	25.29 грн
100+	15.19 грн
500+	13.20 грн
1000+	8.97 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E070BNTB1

MOSFET MOSFET

на замовлення 5979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.84 грн
10+	62.94 грн
100+	42.74 грн
500+	35.31 грн
1000+	30.24 грн
3000+	25.68 грн
9000+	23.69 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E075ATTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V

на замовлення 2513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	104.25 грн
10+	75.02 грн
100+	53.35 грн
500+	39.55 грн
1000+	36.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E075ATTB

MOSFETs Pch -30V -18A Si MOSFET

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.72 грн
10+	63.03 грн
100+	42.60 грн
500+	35.68 грн
1000+	34.21 грн
3000+	32.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E075ATTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BN

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 14503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.91 грн
12+	28.34 грн
100+	14.20 грн
1000+	10.15 грн
3000+	8.90 грн
9000+	8.02 грн
24000+	7.87 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

на замовлення 41389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.38 грн
10+	32.49 грн
100+	22.15 грн
500+	15.59 грн
1000+	11.69 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	35.49 грн
38+	22.28 грн
100+	11.88 грн
500+	10.88 грн
1000+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

627+	19.47 грн
731+	16.69 грн
1000+	13.59 грн

Мінімальне замовлення: 627

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 14W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.88 грн
500+	10.88 грн
1000+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 5578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

731+	16.70 грн
736+	16.59 грн
841+	14.52 грн
1000+	13.40 грн
3000+	11.85 грн

Мінімальне замовлення: 731

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	42.06 грн
11+	33.25 грн
100+	19.72 грн
500+	15.01 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V

на замовлення 1871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.75 грн
11+	28.20 грн
100+	13.99 грн
500+	12.84 грн
1000+	11.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 3646 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.26 грн
10+	51.42 грн
100+	38.02 грн
500+	29.90 грн
1000+	26.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100ATTB

MOSFETs RQ3E100AT is the high reliability transistor, suitable for switching applications.

на замовлення 2503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	67.03 грн
10+	54.06 грн
100+	34.72 грн
500+	27.88 грн
1000+	25.23 грн
3000+	22.66 грн
6000+	22.36 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BN

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

622+	19.64 грн
645+	18.93 грн
1000+	18.31 грн
2500+	17.13 грн

Мінімальне замовлення: 622

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 75000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.61 грн
6000+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB SMD N channel transistors

на замовлення 2690 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

12+	26.54 грн
73+	14.90 грн
200+	14.07 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 105414 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.54 грн
13+	26.48 грн
100+	15.60 грн
500+	12.21 грн
1000+	10.81 грн
3000+	8.24 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

Description: ROHM - RQ3E100BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0077 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

696+	17.54 грн

Мінімальне замовлення: 696

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 79649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	38.20 грн
12+	27.05 грн
100+	17.73 грн
500+	13.41 грн
1000+	12.00 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB1

MOSFET MOSFET

на замовлення 3333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.98 грн
10+	80.71 грн
100+	54.73 грн
500+	45.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB1

Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 3340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.31 грн
10+	62.61 грн
100+	48.74 грн
500+	36.40 грн
1000+	33.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB1

Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 15
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.48 грн
10+	33.84 грн
100+	22.00 грн
500+	17.29 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 21
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

766+	15.93 грн
795+	15.37 грн
1000+	14.86 грн
2500+	13.91 грн

Мінімальне замовлення: 766

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100MNTB1

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	91.84 грн
10+	74.03 грн
100+	50.10 грн
500+	42.52 грн
1000+	34.65 грн
3000+	32.00 грн
6000+	30.68 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

на замовлення 5261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.56 грн
10+	71.96 грн
100+	56.10 грн
500+	43.49 грн
1000+	34.34 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E110AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.06 грн
6000+	17.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E110AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 13368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.32 грн
10+	44.91 грн
100+	31.08 грн
500+	24.37 грн
1000+	20.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E110AJTB

MOSFETs RQ3E110AJ is low on-resistance and Small Surface Mount Package MOSFET for switching application.

на замовлення 2949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.57 грн
10+	48.05 грн
100+	28.84 грн
500+	22.95 грн
1000+	21.04 грн
3000+	17.58 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E110AJTB

RQ3E110AJTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 2416 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	77.99 грн
10+	50.58 грн
100+	33.45 грн
500+	24.33 грн
1000+	22.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	69.41 грн
16+	54.55 грн
100+	36.23 грн
500+	26.52 грн
1000+	21.93 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

MOSFET -30V P-CHANNEL -12A

на замовлення 81757 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.05 грн
10+	48.90 грн
100+	30.38 грн
500+	25.38 грн
1000+	21.63 грн
3000+	19.13 грн
6000+	18.10 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

на замовлення 4497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.23 грн
500+	26.52 грн
1000+	21.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120BNTB

Description: ROHM - RQ3E120BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0066 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 1831 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB SMD N channel transistors

на замовлення 2836 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

7+	48.43 грн
57+	19.04 грн
156+	18.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V

на замовлення 12054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	37.40 грн
11+	28.66 грн
100+	19.54 грн
500+	15.22 грн
1000+	13.46 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 11564 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.01 грн
6000+	10.42 грн
9000+	10.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 16W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 16W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.72 грн
10+	34.60 грн
100+	22.66 грн
500+	17.73 грн
1000+	14.35 грн
3000+	12.21 грн
9000+	11.26 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 16W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.46 грн
10+	38.47 грн
100+	24.89 грн
500+	17.87 грн
1000+	16.10 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130MNTB1

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 1499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.29 грн
10+	94.76 грн
100+	64.23 грн
500+	53.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

Description: ROHM - RQ3E150GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0047 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	32.02 грн
40+	20.96 грн
100+	13.62 грн
500+	12.57 грн
1000+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.64 грн
6000+	13.38 грн
9000+	12.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.62 грн
500+	12.57 грн
1000+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V

на замовлення 19165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.77 грн
10+	35.79 грн
100+	24.85 грн
500+	18.21 грн
1000+	14.80 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 599 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.77 грн
10+	34.69 грн
100+	18.98 грн
1000+	15.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150MNTB1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

Description: ROHM - RQ3E160ADTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0035 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1506 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.06 грн
500+	31.27 грн
1000+	26.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

MOSFETs Nch 30V 16A Middle Power MOSFET

на замовлення 5885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	41.54 грн
10+	35.45 грн
100+	21.33 грн
500+	17.80 грн
1000+	17.29 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

на замовлення 1506 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	40.93 грн
22+	38.54 грн
100+	36.06 грн
500+	31.27 грн
1000+	26.74 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB1

Description: NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.74 грн
10+	108.21 грн
100+	84.39 грн
500+	65.42 грн
1000+	51.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB1

MOSFETs MOSFET

на замовлення 6990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.02 грн
10+	98.14 грн
100+	66.21 грн
500+	56.13 грн
1000+	51.35 грн
3000+	43.55 грн
9000+	40.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB1

Description: NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	53.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB SMD N channel transistors

на замовлення 1258 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	89.13 грн
38+	28.42 грн
105+	26.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

на замовлення 15783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	58.89 грн
10+	46.13 грн
100+	35.91 грн
500+	29.58 грн
1000+	29.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB

MOSFETs Nch 30V 18A Middle Power MOSFET

на замовлення 5945 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.60 грн
10+	51.44 грн
100+	34.80 грн
500+	30.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB

ROHM - Japan

MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 8-PowerVDFN RQ3E180AJTB TRQ3e180ajtb
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	22.80 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB1

Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB1

Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.55 грн
10+	83.91 грн
100+	63.44 грн
500+	51.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB1

MOSFETs HSMT8 N CHAN 30V

на замовлення 2444 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.75 грн
10+	93.06 грн
100+	57.16 грн
500+	48.04 грн
1000+	45.24 грн
3000+	41.71 грн
6000+	40.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

на замовлення 5051 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.76 грн
10+	49.74 грн
100+	32.56 грн
500+	23.63 грн
1000+	21.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2429 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.72 грн
10+	40.02 грн
100+	23.54 грн
500+	18.83 грн
1000+	17.66 грн
3000+	16.63 грн
6000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB1

MOSFETs HSMT8 N CHAN 30V

на замовлення 5885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	158.78 грн
10+	101.52 грн
100+	62.61 грн
500+	52.82 грн
1000+	49.81 грн
3000+	47.60 грн
6000+	44.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB1

Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	144.84 грн
10+	88.05 грн
100+	65.18 грн
500+	56.21 грн
1000+	46.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB1

Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V

на замовлення 4590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	83.56 грн
10+	50.12 грн
100+	32.85 грн
500+	23.84 грн
1000+	21.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180GNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.10 грн
10+	46.70 грн
100+	28.10 грн
500+	23.47 грн
1000+	20.01 грн
3000+	18.32 грн
6000+	17.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3G100GNTB

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V

на замовлення 94128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.73 грн
10+	33.87 грн
100+	22.76 грн
500+	16.31 грн
1000+	14.69 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ3G100GNTB

MOSFET Nch 40V 10A Power MOSFET

на замовлення 18354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.68 грн
10+	35.11 грн
100+	21.19 грн
500+	16.55 грн
1000+	13.46 грн
3000+	11.33 грн
9000+	10.52 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3G100GNTB

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V

на замовлення 93000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.17 грн
6000+	10.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3G100GNTB

Description: ROHM - RQ3G100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4679 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.66 грн
25+	33.26 грн
100+	21.87 грн
500+	20.00 грн
1000+	18.11 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

RQ3G110ATTB

Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3G110ATTB

Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0098 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	141.95 грн
10+	106.46 грн
100+	76.67 грн
500+	58.47 грн
1000+	42.58 грн
5000+	41.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3G110ATTB

Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V

на замовлення 7975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.68 грн
10+	89.66 грн
100+	63.58 грн
500+	48.79 грн
1000+	45.24 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3G110ATTB

Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0098 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.67 грн
500+	58.47 грн
1000+	42.58 грн
5000+	41.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3G110ATTB

MOSFETs HSMT 40V 35A P CHAN

на замовлення 4384 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.34 грн
10+	109.98 грн
100+	69.82 грн
250+	68.05 грн
500+	55.54 грн
1000+	50.54 грн
3000+	45.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3G120BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3G120BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.048 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	49.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3G120BJFRATCB

Description: PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3G120BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3G120BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.048 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.16 грн
14+	63.46 грн
100+	49.35 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ3G120BJFRATCB

MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.54 грн
10+	66.08 грн
100+	44.73 грн
500+	37.89 грн
1000+	35.75 грн
3000+	30.38 грн
6000+	28.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3G120BJFRATCB

Description: PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	126.53 грн
10+	75.25 грн
25+	63.02 грн
100+	46.18 грн
250+	39.81 грн
500+	35.90 грн
1000+	32.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3G150GNTB

MOSFET Nch 40V 30Aw Si MOSFET

на замовлення 3905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	97.85 грн
10+	75.55 грн
100+	53.34 грн
500+	45.83 грн
1000+	37.37 грн
3000+	34.72 грн
6000+	33.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3G150GNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

на замовлення 1402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3G150GNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3G150GNTB

RQ3G150GNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3G270BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3G270BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 27 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.44 грн
500+	59.39 грн
1000+	46.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3G270BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3G270BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 27 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	103.16 грн
10+	85.00 грн
100+	66.44 грн
500+	59.39 грн
1000+	46.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3G270BKFRATCB

MOSFETs Automotive Nch 40V 27A Power MOSFET for ADAS/Info./Lighting/Body.

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	107.29 грн
10+	86.30 грн
100+	58.93 грн
500+	49.88 грн
1000+	42.52 грн
3000+	36.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3G270BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3G270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27 A, 0.0096 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	103.16 грн
10+	85.00 грн
100+	66.44 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3L050GNTB

Description: ROHM - RQ3L050GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.8W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.96 грн
500+	28.20 грн
1000+	20.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3L050GNTB

MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3L050GNTB

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	70.23 грн
15+	56.12 грн
100+	37.96 грн
500+	28.20 грн
1000+	20.23 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ3L050GNTB

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 20A; 14.8W; HSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 14.8W
Case: HSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3L050GNTB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3L060BGTB1

MOSFETs HSMT8 N CHAN 60V

на замовлення 2762 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	103.00 грн
10+	65.74 грн
100+	38.99 грн
500+	35.09 грн
1000+	31.86 грн
3000+	27.74 грн
6000+	26.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

RQ3L070ATTB SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.67 грн
500+	49.97 грн
1000+	37.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V

на замовлення 3517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.29 грн
10+	90.58 грн
100+	61.62 грн
500+	45.94 грн
1000+	42.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

MOSFET Pch -60V -25A, HSMT8, Power MOSFET

на замовлення 10467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	113.30 грн
10+	92.22 грн
100+	61.87 грн
500+	52.38 грн
1000+	42.67 грн
3000+	40.17 грн
6000+	38.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	143.60 грн
10+	99.86 грн
100+	67.67 грн
500+	49.97 грн
1000+	37.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	41.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070BGTB1

MOSFET NCH 60V 20A, HSMT8G

на замовлення 5770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.47 грн
10+	59.39 грн
100+	40.24 грн
500+	34.06 грн
1000+	31.19 грн
3000+	26.48 грн
6000+	25.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3L090GNTB

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V

на замовлення 17670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.86 грн
10+	62.76 грн
100+	42.46 грн
500+	34.40 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3L090GNTB

MOSFETs Nch 60V 30A Middle Power MOSFET

на замовлення 5150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.82 грн
10+	64.30 грн
100+	42.23 грн
500+	37.89 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3L090GNTB

RQ3L090GNTB SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3L090GNTB

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BJFRATCB

Description: PCH -60V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.77 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BJFRATCB

MOSFETs Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 2795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	82.40 грн
10+	66.75 грн
100+	45.17 грн
500+	38.33 грн
1000+	36.12 грн
3000+	30.68 грн
6000+	29.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BJFRATCB

Description: PCH -60V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.33 грн
10+	75.71 грн
25+	63.45 грн
100+	46.52 грн
250+	40.12 грн
500+	36.18 грн
1000+	32.34 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3L120BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.106 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	77.91 грн
13+	64.12 грн
100+	49.85 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3L120BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.22 грн
13+	65.94 грн
100+	51.33 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BKFRATCB

MOSFETs Nch 60V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	83.00 грн
10+	67.26 грн
100+	45.47 грн
500+	38.62 грн
1000+	33.99 грн
3000+	28.84 грн
6000+	28.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3L270BKFRATCB

MOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 476 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.58 грн
10+	90.53 грн
100+	61.65 грн
500+	52.23 грн
1000+	44.51 грн
3000+	37.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3L270BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3L270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.0146 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.11 грн
10+	89.13 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3L270BLFRATCB

MOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	111.58 грн
10+	90.53 грн
100+	61.65 грн
500+	52.23 грн
1000+	44.51 грн
3000+	37.81 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3L270BLFRATCB

Description: ROHM - RQ3L270BLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.0147 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.11 грн
10+	89.13 грн
100+	69.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3N040ATTB1

MOSFETs HSMT8 P CHAN 80V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 101-110 дні (днів)

4+	95.27 грн
10+	64.04 грн
100+	39.14 грн
500+	35.02 грн
1000+	30.24 грн
2500+	28.18 грн
5000+	27.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3P045ATTB1

Description: ROHM - RQ3P045ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14.5 A, 0.067 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3P045ATTB1

MOSFET RQ3P045AT is a low on-resistance MOSFET suitable for switching and load switches.

на замовлення 2619 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	126.17 грн
10+	103.22 грн
100+	71.88 грн
250+	65.84 грн
500+	59.74 грн
1000+	54.15 грн
3000+	47.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3P045ATTB1

Description: PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3P045ATTB1

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	145.25 грн
10+	108.11 грн
100+	79.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3P045ATTB1

Description: PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 50 V

на замовлення 2247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	147.22 грн
10+	106.14 грн
100+	73.19 грн
500+	54.96 грн
1000+	50.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3P270BKFRATCB

Description: NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.55 грн
10+	96.86 грн
25+	81.63 грн
100+	60.38 грн
250+	52.42 грн
500+	47.52 грн
1000+	42.70 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

RQ3P270BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3P270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.027 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.94 грн
10+	89.13 грн
100+	69.98 грн
500+	55.10 грн
1000+	39.05 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3P270BKFRATCB

Description: NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	42.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3P270BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3P270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.027 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	69.98 грн
500+	55.10 грн
1000+	39.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BETB1

Description: MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BETB1

Description: MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BHTB1

RQ3P300BHTB1 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BHTB1

Description: NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V

на замовлення 14405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.87 грн
10+	140.32 грн
100+	111.71 грн
500+	88.71 грн
1000+	75.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BHTB1

MOSFET Nch 100V 39A, HSMT8, Power MOSFET.

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BHTB1