Продукція > RQ3

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V

на замовлення 7692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.11 грн
10+	61.84 грн
100+	43.98 грн
500+	34.58 грн
1000+	31.60 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3C150BCTB

MOSFETs Pch -20V -30A Si MOSFET

на замовлення 5395 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.43 грн
10+	67.52 грн
100+	41.78 грн
500+	35.71 грн
1000+	32.64 грн
3000+	27.58 грн
6000+	27.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3C150BCTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.16 грн
6000+	27.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E070BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V

на замовлення 7341 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.26 грн
13+	24.41 грн
100+	14.66 грн
500+	12.74 грн
1000+	8.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ3E070BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 10820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E070BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E070BNTB1

MOSFET MOSFET

на замовлення 5979 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.67 грн
10+	58.42 грн
100+	39.67 грн
500+	32.77 грн
1000+	28.06 грн
3000+	23.83 грн
9000+	21.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3E075ATTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E075ATTB

MOSFETs Pch -30V -18A Si MOSFET

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.85 грн
10+	58.50 грн
100+	39.53 грн
500+	33.11 грн
1000+	31.75 грн
3000+	29.90 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E075ATTB

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V

на замовлення 2478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.01 грн
10+	69.01 грн
100+	49.08 грн
500+	36.39 грн
1000+	33.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BN

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0152 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	35.92 грн
49+	16.33 грн
100+	10.67 грн
500+	9.84 грн
1000+	9.01 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 5578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

731+	17.71 грн
736+	17.59 грн
841+	15.39 грн
1000+	14.21 грн
3000+	12.57 грн

Мінімальне замовлення: 731

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V

на замовлення 41389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.94 грн
10+	31.36 грн
100+	21.38 грн
500+	15.04 грн
1000+	11.28 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

627+	20.65 грн
731+	17.70 грн
1000+	14.41 грн

Мінімальне замовлення: 627

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 14503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.04 грн
12+	26.30 грн
100+	13.18 грн
1000+	9.42 грн
3000+	8.26 грн
9000+	7.44 грн
24000+	7.31 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080BNTB

Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0152 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 14W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2435 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.67 грн
500+	9.84 грн
1000+	9.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V

на замовлення 1871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.09 грн
11+	27.22 грн
100+	13.50 грн
500+	12.39 грн
1000+	11.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 423 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.03 грн
11+	30.86 грн
100+	18.30 грн
500+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E080GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 6447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	59.14 грн
10+	46.23 грн
100+	34.22 грн
500+	26.84 грн
1000+	24.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.70 грн
6000+	21.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100ATTB

MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -10.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

на замовлення 2334 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.30 грн
10+	48.29 грн
100+	31.07 грн
500+	26.49 грн
1000+	22.94 грн
3000+	19.87 грн
6000+	19.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BN

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 20952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.48 грн
12+	25.74 грн
100+	16.91 грн
500+	12.03 грн
1000+	10.80 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 105414 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.55 грн
13+	24.58 грн
100+	14.47 грн
500+	11.33 грн
1000+	10.04 грн
3000+	7.65 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB SMD N channel transistors

на замовлення 126 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	57.46 грн
73+	16.08 грн
200+	15.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

Description: ROHM - RQ3E100BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0077 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

622+	20.82 грн
645+	20.07 грн
1000+	19.41 грн
2500+	18.16 грн

Мінімальне замовлення: 622

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.46 грн
6000+	7.64 грн
9000+	7.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

696+	18.59 грн

Мінімальне замовлення: 696

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB1

Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB1

MOSFET MOSFET

на замовлення 3333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	84.43 грн
10+	74.91 грн
100+	50.80 грн
500+	41.99 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100BNTB1

Description: NCH 30V 21A POWER MOSFET: RQ3E10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 3340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	89.10 грн
10+	60.43 грн
100+	47.04 грн
500+	35.13 грн
1000+	32.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 15
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

766+	16.89 грн
795+	16.29 грн
1000+	15.76 грн
2500+	14.74 грн

Мінімальне замовлення: 766

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.64 грн
10+	31.41 грн
100+	20.41 грн
500+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100GNTB

Description: ROHM - RQ3E100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0089 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 21
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

на замовлення 5261 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.65 грн
10+	69.45 грн
100+	54.15 грн
500+	41.98 грн
1000+	33.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E100MNTB1

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 10.0A(Id), (4.5V Drive)

на замовлення 2482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	122.67 грн
10+	76.95 грн
100+	44.45 грн
500+	36.46 грн
1000+	31.88 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E110AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.43 грн
6000+	16.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E110AJTB

MOSFETs RQ3E110AJ is low on-resistance and Small Surface Mount Package MOSFET for switching application.

на замовлення 2949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.28 грн
10+	44.60 грн
100+	26.76 грн
500+	21.30 грн
1000+	19.53 грн
3000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E110AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 13368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.46 грн
10+	43.34 грн
100+	30.00 грн
500+	23.52 грн
1000+	20.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

MOSFETs HSMT8 P CHAN 30V

на замовлення 24797 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.64 грн
10+	52.84 грн
100+	30.18 грн
500+	23.83 грн
1000+	21.58 грн
3000+	18.78 грн
6000+	17.41 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	82.04 грн
15+	53.21 грн
100+	35.37 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 2407 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

146+	88.83 грн
224+	57.95 грн
500+	38.46 грн
1000+	36.92 грн

Мінімальне замовлення: 146

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

на замовлення 3036 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.27 грн
10+	45.64 грн
100+	29.97 грн
500+	21.80 грн
1000+	19.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 15780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

247+	52.57 грн

Мінімальне замовлення: 247

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

на замовлення 452 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 23995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

330+	39.30 грн
368+	35.16 грн

Мінімальне замовлення: 330

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB SMD P channel transistors

на замовлення 2943 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	98.88 грн
30+	39.35 грн
82+	37.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120BNTB

Description: ROHM - RQ3E120BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0066 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 1831 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120GNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 34972 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.61 грн
12+	27.95 грн
100+	16.59 грн
500+	14.06 грн
1000+	12.70 грн
3000+	8.94 грн
6000+	8.74 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V

на замовлення 10358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.56 грн
12+	26.78 грн
100+	18.31 грн
500+	14.24 грн
1000+	12.82 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB SMD N channel transistors

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

7+	46.41 грн
58+	20.41 грн
158+	19.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ3E120GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.21 грн
6000+	9.64 грн
9000+	9.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.22 грн
10+	37.13 грн
100+	24.02 грн
500+	17.25 грн
1000+	15.54 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 16W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.50 грн
10+	32.11 грн
100+	21.03 грн
500+	16.45 грн
1000+	13.31 грн
3000+	11.33 грн
9000+	10.45 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130BNTB

Description: ROHM - RQ3E130BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0044 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 16W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 16W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130MNTB1

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 1499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.57 грн
10+	87.94 грн
100+	59.60 грн
500+	49.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3E130MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150BNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150BNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

Description: ROHM - RQ3E150GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 39 A, 0.0047 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	30.91 грн
40+	20.23 грн
100+	13.14 грн
500+	12.13 грн
1000+	11.13 грн

Мінімальне замовлення: 26

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V

на замовлення 19165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.25 грн
10+	34.54 грн
100+	23.99 грн
500+	17.58 грн
1000+	14.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 599 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	40.62 грн
10+	32.19 грн
100+	17.62 грн
1000+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.13 грн
6000+	12.92 грн
9000+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150GNTB

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.14 грн
500+	12.13 грн
1000+	11.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150MNTB1

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

на замовлення 2355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E150MNTB1

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

Description: ROHM - RQ3E160ADTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3500 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	42.06 грн
23+	35.84 грн
100+	33.69 грн
500+	29.29 грн
1000+	25.13 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 16.0A(Id), (4.5V Drive)

на замовлення 5669 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.58 грн
10+	38.63 грн
100+	24.51 грн
500+	20.69 грн
1000+	19.19 грн
3000+	17.00 грн
6000+	15.70 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB

Description: ROHM - RQ3E160ADTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 3500 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.69 грн
500+	29.29 грн
1000+	25.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB1

Description: NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB1

MOSFETs HSMT8 N-CH 30V 16A

на замовлення 6985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.63 грн
10+	91.87 грн
100+	54.01 грн
500+	43.01 грн
1000+	40.21 грн
3000+	34.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E160ADTB1

Description: NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.27 грн
10+	87.87 грн
100+	59.59 грн
500+	44.53 грн
1000+	42.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.25 грн
6000+	27.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 18.0A(Id), (2.5V Drive)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.50 грн
10+	72.94 грн
100+	42.19 грн
500+	33.32 грн
1000+	30.38 грн
3000+	25.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB SMD N channel transistors

на замовлення 1177 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	74.77 грн
39+	30.67 грн
105+	28.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

на замовлення 11637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.14 грн
10+	68.64 грн
100+	45.96 грн
500+	34.01 грн
1000+	31.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB

ROHM - Japan

MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8 8-PowerVDFN RQ3E180AJTB TRQ3e180ajtb
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	23.15 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	137.98 грн
134+	96.59 грн
200+	82.19 грн
500+	65.95 грн
1000+	57.83 грн

Мінімальне замовлення: 94

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB1

Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.29 грн
10+	80.99 грн
100+	61.23 грн
500+	49.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB1

Description: NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

317+	40.84 грн
330+	39.20 грн
500+	37.79 грн
1000+	35.25 грн
2500+	31.67 грн

Мінімальне замовлення: 317

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180AJTB1

MOSFETs HSMT8 N-CH 30V 18A

на замовлення 2378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.70 грн
10+	80.09 грн
100+	52.71 грн
500+	45.20 грн
1000+	38.99 грн
3000+	35.91 грн
6000+	34.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2429 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.50 грн
10+	37.14 грн
100+	21.85 грн
500+	17.48 грн
1000+	16.39 грн
3000+	15.43 грн
6000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

на замовлення 5051 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.48 грн
10+	39.35 грн
100+	26.53 грн
500+	20.59 грн
1000+	18.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB1

Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB1

Description: NCH 30V 39A MIDDLE POWER MOSFET:
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.79 грн
10+	84.99 грн
100+	62.91 грн
500+	54.25 грн
1000+	44.68 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180BNTB1

MOSFETs HSMT8 N CHAN 30V

на замовлення 5885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.36 грн
10+	94.22 грн
100+	58.10 грн
500+	49.02 грн
1000+	46.22 грн
3000+	44.17 грн
6000+	41.10 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180GNTB

MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

на замовлення 2994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.14 грн
10+	43.34 грн
100+	26.08 грн
500+	21.78 грн
1000+	18.57 грн
3000+	17.00 грн
6000+	15.84 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ3E180GNTB

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.62 грн
10+	37.57 грн
100+	25.87 грн
500+	20.27 грн
1000+	18.35 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

RQ3G100GNTB

MOSFET Nch 40V 10A Power MOSFET

на замовлення 18354 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.76 грн
10+	32.58 грн
100+	19.66 грн
500+	15.36 грн
1000+	12.49 грн
3000+	10.51 грн
9000+	9.76 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3G100GNTB

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V

на замовлення 64734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.78 грн
11+	28.99 грн
100+	20.42 грн
500+	14.63 грн
1000+	13.18 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3G100GNTB

Description: ROHM - RQ3G100GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	52.41 грн
23+	35.69 грн
100+	24.45 грн
500+	20.93 грн
1000+	17.62 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

RQ3G100GNTB

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 20 V

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.65 грн
6000+	9.41 грн
9000+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3G110ATTB

Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 9800 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	165.68 грн
10+	100.37 грн
100+	74.00 грн
500+	57.62 грн
1000+	49.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3G110ATTB

Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V

на замовлення 7975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.88 грн
10+	86.54 грн
100+	61.37 грн
500+	47.09 грн
1000+	43.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3G110ATTB

Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	45.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3G110ATTB

MOSFETs HSMT8 P-CH 40V 35A

на замовлення 3681 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.72 грн
10+	91.87 грн
100+	57.69 грн
500+	47.66 грн
1000+	44.04 грн
3000+	43.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3G110ATTB

Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 9800 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	74.00 грн
500+	57.62 грн
1000+	49.23 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3G120BJFRATCB

MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 2997 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.53 грн
10+	67.13 грн
100+	38.92 грн
500+	31.88 грн
1000+	31.34 грн
3000+	26.63 грн
6000+	26.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3G120BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3G120BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 12 A, 0.048 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	75.99 грн
13+	62.45 грн
100+	48.67 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ3G120BJFRATCB

Description: PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.13 грн
10+	72.63 грн
25+	60.83 грн
100+	44.57 грн
250+	38.43 грн
500+	34.65 грн
1000+	30.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3G120BJFRATCB

Description: PCH -40V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 279µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3G120BKFRATCB

MOSFETs HSMT8 N CHAN 40V

на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.43 грн
10+	40.91 грн
100+	28.95 грн
3000+	24.65 грн
6000+	24.37 грн
24000+	24.10 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3G150GNTB

MOSFET Nch 40V 30Aw Si MOSFET

на замовлення 3905 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	90.81 грн
10+	70.12 грн
100+	49.50 грн
500+	42.54 грн
1000+	34.68 грн
3000+	32.23 грн
6000+	31.07 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3G150GNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

на замовлення 1402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3G150GNTB

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3G270BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3G270BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 27 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.12 грн
500+	57.32 грн
1000+	44.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3G270BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3G270BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 27 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	99.57 грн
10+	82.04 грн
100+	64.12 грн
500+	57.32 грн
1000+	44.93 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3G270BKFRATCB

MOSFETs Automotive Nch 40V 27A Power MOSFET for ADAS/Info./Lighting/Body.

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	99.57 грн
10+	80.09 грн
100+	54.69 грн
500+	46.29 грн
1000+	39.46 грн
3000+	33.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3G270BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3G270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27 A, 0.0096 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	99.57 грн
10+	82.04 грн
100+	64.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3L050GNTB

Description: ROHM - RQ3L050GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.8W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.70 грн
500+	23.37 грн
1000+	19.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3L050GNTB

MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

RQ3L050GNTB

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	67.71 грн
17+	47.95 грн
100+	31.70 грн
500+	23.37 грн
1000+	19.19 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

RQ3L060BGTB1

MOSFETs HSMT8 N CHAN 60V

на замовлення 2762 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.59 грн
10+	61.01 грн
100+	36.19 грн
500+	32.57 грн
1000+	29.56 грн
3000+	25.74 грн
6000+	24.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.60 грн
6000+	33.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.32 грн
500+	48.23 грн
1000+	36.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

Description: PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V

на замовлення 7279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.35 грн
10+	80.92 грн
100+	54.68 грн
500+	40.77 грн
1000+	38.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

MOSFET Pch -60V -25A, HSMT8, Power MOSFET

на замовлення 10467 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	105.14 грн
10+	85.58 грн
100+	57.42 грн
500+	48.61 грн
1000+	39.60 грн
3000+	37.28 грн
6000+	35.50 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070ATTB

Description: ROHM - RQ3L070ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.022 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	138.60 грн
10+	96.38 грн
100+	65.32 грн
500+	48.23 грн
1000+	36.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3L070BGTB1

MOSFET NCH 60V 20A, HSMT8G

на замовлення 5770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.18 грн
10+	55.12 грн
100+	37.35 грн
500+	31.61 грн
1000+	28.95 грн
3000+	24.58 грн
6000+	23.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3L090GNTB

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	36.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3L090GNTB

Description: MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 30 V

на замовлення 17670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.32 грн
10+	60.58 грн
100+	40.98 грн
500+	33.20 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

RQ3L090GNTB

MOSFETs Nch 60V 30A Middle Power MOSFET

на замовлення 5150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.08 грн
10+	59.67 грн
100+	39.19 грн
500+	35.16 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BJFRATCB

Description: ROHM - RQ3L120BJFRATCB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.106 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	76.79 грн
13+	63.17 грн
100+	49.15 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BJFRATCB

Description: PCH -60V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	122.90 грн
10+	73.08 грн
25+	61.24 грн
100+	44.90 грн
250+	38.73 грн
500+	34.92 грн
1000+	31.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BJFRATCB

Description: PCH -60V -12A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 273µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BJFRATCB

MOSFETs Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 2795 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.13 грн
10+	68.23 грн
100+	39.33 грн
500+	32.23 грн
1000+	28.61 грн
3000+	24.24 грн
6000+	23.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BKFRATCB

MOSFETs Nch 60V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.03 грн
10+	62.42 грн
100+	42.19 грн
500+	35.84 грн
1000+	31.54 грн
3000+	26.76 грн
6000+	26.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3L120BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	93.20 грн
13+	65.08 грн
100+	50.66 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

RQ3L120BLFRATCB

MOSFETs HSMT N CHAN 60V

на замовлення 2030 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	109.92 грн
10+	68.86 грн
100+	40.08 грн
500+	31.54 грн
1000+	29.29 грн
3000+	24.99 грн
6000+	24.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3L270BJFRATCB

Description: PCH -60V -27A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.20 грн
10+	76.55 грн
100+	51.06 грн
500+	39.20 грн
1000+	35.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3L270BJFRATCB

MOSFETs Pch -60V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.01 грн
10+	85.58 грн
100+	49.64 грн
500+	40.69 грн
1000+	36.80 грн
3000+	31.27 грн
6000+	29.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3L270BJFRATCB

Description: PCH -60V -27A, HSMT8AG, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3L270BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3L270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.0146 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0146ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.35 грн
10+	86.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3L270BKFRATCB

MOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 3461 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.40 грн
10+	88.72 грн
100+	52.98 грн
500+	44.86 грн
1000+	38.85 грн
3000+	32.91 грн
6000+	32.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3L270BLFRATCB

MOSFETs Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	139.40 грн
10+	88.72 грн
100+	52.98 грн
500+	44.86 грн
1000+	38.85 грн
3000+	32.91 грн
6000+	32.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3L270BLFRATCB

Description: ROHM - RQ3L270BLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.0147 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.35 грн
10+	86.03 грн
100+	67.07 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3N040ATTB1

MOSFETs HSMT8 P CHAN 80V

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	112.31 грн
10+	70.43 грн
100+	40.90 грн
500+	33.52 грн
1000+	29.29 грн
3000+	26.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3N060ATTB1

Description: PCH -80V -18A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 40 V

на замовлення 2880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.65 грн
10+	82.55 грн
100+	55.79 грн
500+	41.60 грн
1000+	39.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3N060ATTB1

MOSFETs HSMT8 P-CH 80V 6A

на замовлення 2688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	140.19 грн
10+	88.72 грн
100+	53.19 грн
500+	45.06 грн
1000+	37.69 грн
3000+	35.84 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3N060ATTB1

Description: PCH -80V -18A, HSMT8, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 40 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3P045ATTB1

Description: ROHM - RQ3P045ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 14.5 A, 0.067 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.19 грн
10+	104.35 грн
100+	76.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

RQ3P045ATTB1

Description: PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3P045ATTB1

MOSFET RQ3P045AT is a low on-resistance MOSFET suitable for switching and load switches.

на замовлення 2619 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.09 грн
10+	95.79 грн
100+	66.71 грн
250+	61.11 грн
500+	55.44 грн
1000+	50.25 грн
3000+	43.70 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3P045ATTB1

на замовлення 347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3P045ATTB1

Description: PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 50 V

на замовлення 2247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	142.10 грн
10+	102.44 грн
100+	70.64 грн
500+	53.04 грн
1000+	48.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3P120BKFRATCB

MOSFETs Nch 100V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

на замовлення 2320 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.41 грн
10+	84.80 грн
100+	49.23 грн
500+	40.35 грн
1000+	35.37 грн
3000+	32.43 грн
6000+	32.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

RQ3P120BLFRATCB

MOSFETs HSMT N CHAN 100V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3P270BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3P270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.027 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	67.55 грн
500+	53.18 грн
1000+	37.69 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

RQ3P270BKFRATCB

Description: NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	40.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

RQ3P270BKFRATCB

Description: ROHM - RQ3P270BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27 A, 0.027 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.14 грн
10+	86.03 грн
100+	67.55 грн
500+	53.18 грн
1000+	37.69 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

RQ3P270BKFRATCB

Description: NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	155.92 грн
10+	93.49 грн
25+	78.79 грн
100+	58.28 грн
250+	50.59 грн
500+	45.86 грн
1000+	41.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BETB1

Description: MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BETB1

Description: MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BHTB1

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 30.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)

на замовлення 4794 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.92 грн
10+	138.19 грн
100+	83.30 грн
500+	70.32 грн
1000+	66.36 грн
3000+	59.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BHTB1

Description: NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V

на замовлення 14405 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	169.75 грн
10+	135.43 грн
100+	107.82 грн
500+	85.62 грн
1000+	72.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

RQ3P300BHTB1