Продукція > TK6

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
TK60011CMCTOKO
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK60011CMC-G
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK60011DS8G0L
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK60012BM5G0TOKO
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK60012BM5GOL
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK60015CS8G
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK60015CS8G0L
на замовлення 6064 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK60015CS8GOLTOKOSOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK60022AM4GOLTOKO09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK60022AM4GOLTOKOSSOP-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6011BP21-5V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK60A08J1
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK60A08J1(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60A08K3
на замовлення 39012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK60D08J1(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60D08J1(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60E08K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60E08K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 60A 75V 150W 3600pF 0.0085
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQToshibaMOSFETs PD=205W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.09 грн
10+131.24 грн
100+82.29 грн
500+76.78 грн
1000+65.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.94 грн
10+144.43 грн
100+99.87 грн
500+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK60J25D,S1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK60J25D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.0285 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+651.42 грн
5+481.60 грн
10+388.41 грн
50+328.32 грн
100+266.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK60J25D,S1Q(OToshiba0
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK60P03M1,RQ(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 60A 30V 63W 2700pF 0.0078
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60P03M1,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60R10N1L,LQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+75.40 грн
173+72.02 грн
250+69.14 грн
500+64.26 грн
1000+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.65 грн
10+102.54 грн
100+81.60 грн
500+64.80 грн
1000+54.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.33 грн
10+106.24 грн
100+65.29 грн
500+58.46 грн
1000+55.51 грн
2000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+75.40 грн
173+72.02 грн
250+69.14 грн
500+64.26 грн
1000+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S10N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.50 грн
4000+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S10N1L,LXHQToshibaMOSFETs PD=180W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 6529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.80 грн
10+102.67 грн
100+64.36 грн
500+53.64 грн
1000+51.32 грн
2000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.36 грн
10+97.77 грн
100+68.33 грн
500+51.98 грн
1000+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S10N1LLQ(OToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK61027STL
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6110ifm efector, inc.Description: ELECTRONIC TEMPERATURE SENSOR; 1
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded
Mounting Type: Panel Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Voltage - Supply: 9.6V ~ 32V
Sensor Type: Digital, Local
Sensing Temperature - Local: -20°C ~ 140°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14917.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK61130U
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK61220
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK62012FTLTOKO
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK62012FTL-GTOKO07+NOP
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK62012FTL-GTOKO07+
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK62012FTL-GTOKO09+
на замовлення 5578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK62256-15
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK62256-1595 DIP
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK62512-15
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+705.40 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TK62J60W,S1VQToshibaMOSFETs N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+658.37 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TK62J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1374.72 грн
10+1216.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK62J60W,S1VQ(OTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK62J60W5,S1VQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62J60W5,S1VQ(OToshiba0
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+518.18 грн
25+505.74 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60WToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W
Код товару: 183830
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1423.43 грн
30+880.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1538.81 грн
10+1100.80 грн
120+803.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W,S1VF(SToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1645.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1071.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W5,S1VFToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1209.13 грн
10+882.96 грн
120+662.99 грн
510+659.88 грн
1020+657.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1160.71 грн
14+911.99 грн
15+865.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+940.55 грн
5+850.85 грн
10+760.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W5,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60WS1VF(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F
Код товару: 198877
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+714.46 грн
30+637.89 грн
60+613.90 грн
120+566.54 грн
270+505.30 грн
510+450.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1FToshibaMOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
на замовлення 60 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
1+912.06 грн
10+771.36 грн
30+558.18 грн
270+492.19 грн
510+443.28 грн
2520+423.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+938.87 грн
30+579.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+666.83 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F(SToshibaSilicon N-Channel MOSFET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+825.60 грн
5+674.06 грн
10+521.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60X,S1F(SToshibaSilicon N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62N60XS1F(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62Z60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1466.25 грн
10+1297.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK62Z60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62Z60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62Z60X,S1FToshibaMOSFET TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1486.28 грн
10+1347.20 грн
100+955.66 грн
500+862.50 грн
1000+827.57 грн
2500+808.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK62Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1121.70 грн
5+917.91 грн
10+713.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK62Z60X,S1F(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK62Z60X,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6302
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6310ifm efector, inc.Description: ELECTRONIC TEMPERATURE SENSOR; 1
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded
Mounting Type: Panel Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Voltage - Supply: 9.6V ~ 32V
Sensor Type: Digital, Local
Sensing Temperature - Local: -20°C ~ 140°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14917.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK63101HCL-GTOKOSOT26/SOT363
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63118SCL-G
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63125SCL-GTOKO
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63126BCB-G
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63128BCB-G
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63128HCL-G
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63128SCL
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63128SCL-GTOKO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63129HC-GG
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63130BCB-G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63133BCB-G
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63202FC-GJ
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63203FCL-GTOKO09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63203FCL-GTOKO07NOPB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63715S-G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63718HCL-G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63723AB1GOBTOKO06NOPB
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63723AB1GOBTOKO09+
на замовлення 7018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63725HCL-GTOKO06+NOP
на замовлення 7317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63725HCL-GTOKO09+
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63728AB1G0BTOKO07+NOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63728AB1G0BTOKO07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63728AB1G0BTOKO09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63728AB6GHB-C
на замовлення 8490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63728AB6GHB-C-G
на замовлення 8490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63728AB6GHB-G
на замовлення 8496 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63728S-G
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63733AB1GOBTOKO07NOPB
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63735AB1G0BTOKOFC-4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63735AB1G0BTOKO06NOPB
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63735AB1G0BTOKO09+
на замовлення 10518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK63735AB1G0BTOKO07+PB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK64901AME-GH
на замовлення 4892 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65000FTL-GTOKO08NOPB
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65015MTOKOSOT-163
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65015MTLTOKO1995
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65025M
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65025MTLToko America Inc.Description: IC REG BOOST 3V 4MA SOT23L-6
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65025MTL
на замовлення 11420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK650A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK650A60F,S4XToshibaMOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.16 грн
10+79.81 грн
100+68.78 грн
500+49.61 грн
1000+42.23 грн
5000+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK650A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK650A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK650A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK650A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.54 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TK650A60F,S4X(STOSHIBATK650A60F THT N channel transistors
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+152.58 грн
10+117.42 грн
27+110.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK650A60F,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65911MTL
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65919MTLTKO
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65929MTL-G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65931MTLTOKO
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65933
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65933MTL
на замовлення 16900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65A10N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65A10N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK65A10N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh 4ohm VGS10V10uAVDS100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+136.80 грн
100+124.36 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
TK65A10N1S4X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65A10N1S4X(S-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 148A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.96 грн
50+147.28 грн
100+133.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+99.31 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1XToshibaMOSFETs 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.60 грн
10+224.09 грн
50+129.65 грн
100+118.00 грн
500+113.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+135.76 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+110.08 грн
Мінімальне замовлення: 900
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.87 грн
10+178.53 грн
100+125.41 грн
500+103.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+102.42 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
TK65G10N1,RQToshibaMOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.30 грн
10+209.80 грн
100+146.73 грн
500+120.33 грн
1000+100.15 грн
2000+93.16 грн
5000+90.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK65G10N1,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 136A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65G10N1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65G10N1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK65G10N1,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 136A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65G10NE,RQ(SToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65L60V,VQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 65A 40V 88W 2800pF 0.0045
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LQToshibaMOSFETs UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.86 грн
10+147.31 грн
100+89.28 грн
500+71.58 грн
1000+69.40 грн
2000+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.46 грн
6000+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 7976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.80 грн
10+117.91 грн
100+93.83 грн
500+74.51 грн
1000+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+69.80 грн
4000+65.31 грн
6000+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+64.94 грн
4000+60.75 грн
6000+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 7008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.70 грн
10+71.65 грн
100+55.70 грн
500+44.31 грн
1000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LXHQToshibaMOSFETs 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 11915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.25 грн
10+82.85 грн
25+65.37 грн
100+52.79 грн
250+52.32 грн
500+42.08 грн
1000+37.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK65S04N1L,LXHQ(OToshibaSilicon N-Channel MOS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+88.72 грн
147+84.75 грн
250+81.35 грн
500+75.61 грн
1000+67.73 грн
2500+63.10 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
TK67673M (TC)Description: SAFETY TAPE KIT-CONSUMER VERSION
Packaging: Bulk
Quantity: Hooks (2), Rolls (4), Strips (46)
Tape Type: Safety
Tape Included: 17002, 220, 3431, 3903, 471, 6900, 766, 983-326, SJ3550, SJ3560
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK68112AS-G
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK68112AS2GOL-C
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK68112SG
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK68126AMFGOL-C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK68129AMFGOL-C
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK68418AB1G0B
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK68522AS2-GH@C
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK68528AS2-GH
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK68530AS2-GH
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK68530AS2-GH@C
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK68533AS2-GH
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK68HC11D0CFN3Tekmos Inc.MCU 8-bitCISC ROMLess 44-Pin PLCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK68HC11D0CFNE3Tekmos Inc.MCU 8-bit CISC ROMLess 44-Pin PLCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK68HC11D0CFNE3TekmosMCU 8-bit CISC ROMLess 44-Pin PLCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK68HC11D0CFNE3/REELSTekmos Inc.MCU 8-bit CISC ROMLess 44-Pin PLCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK68HC11K1CFNE4TekmosMCU 8-bit CISC ROMLess 5V 84-Pin PLCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK68HC11K1CFUE4TekmosMCU 8-bit CISC ROMLess 5V 80-Pin QFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK68HC24FN
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK68HC705C9ACFNTekmosMCU 8-bit HC05 CISC 16KB Flash 44-Pin PLCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK68HC705C9ACFNETekmosMCU 8-bit HC05 CISC 16KB Flash 44-Pin PLCC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK68HC711D3CFNE2TekmosTK68HC711D3CFNE2^TEKMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK68HC711D3CFNE3/REEL/TK7800A/P0310Tekmos Inc.TK68HC711D3CFNE3/REEL/TK7800A/P0310
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK68HC711D3CFNE3/REELSTekmos Inc.TK68HC711D3CFN3/REELS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK68HC711D3CFNE3/REELS/TK7707ATekmos Inc.TK68HC711D3CFNE3/REELS/TK7707A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK68HC711E9MFNE2Tekmos Inc.TK68HC711E9MFNE2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK68HC711KS2CFNE4-(PROG)TekmosTK68HC711KS2CFNE4-(PROG)^TEKMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6900_1/2NA
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 5.5A 450V 35W 490pF 1.35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A50D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 6A 500V 35W 540pF 1.4 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A55DA
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A55DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A55DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 5.5A TO220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60DToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(PHIL,Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(Q)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(QM)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(S4SH6,Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(S4SY,A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(S4SY,Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 600V 3.0s IDSS 10 uA 1.0 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(STA4,Q,M)
Код товару: 107094
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D(STA4,X,S)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D,S5HITAPQ(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60D,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60DR(Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60DR(STA4,Q,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60DR(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60DR,S4X(SToshibaTK6A60DR,S4X(S
на замовлення 10250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+123.33 грн
500+110.89 грн
1000+101.98 грн
10000+87.67 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60DR,S4X(SToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.37 грн
10+108.92 грн
100+88.50 грн
500+65.68 грн
1000+63.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+76.08 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+143.70 грн
10+124.54 грн
100+105.38 грн
500+72.86 грн
1000+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60WS4VX(MToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65DToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.58 грн
10+116.06 грн
100+82.29 грн
500+61.80 грн
1000+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+137.60 грн
10+113.21 грн
50+84.10 грн
100+71.16 грн
250+59.03 грн
500+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,X,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,X,M)ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4,X,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A65D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.95 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.96 грн
13+71.24 грн
100+59.74 грн
500+44.56 грн
1000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65D(STA4XM)ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65DSTA4QM
Код товару: 143200
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65W,S5XToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.24 грн
50+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65W,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.28 грн
10+115.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4XToshibaMOSFETs PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.84 грн
10+115.17 грн
100+99.37 грн
500+72.12 грн
1000+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6A
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.46 грн
10+212.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(STOSHIBATK6A80E THT N channel transistors
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.77 грн
12+98.98 грн
32+94.13 грн
250+93.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80E,S4X(SToshibaSilicon N-Channel MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A80ES4X(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P-5.08TraktronixDescription: 6 PIN 5.08MM QUICK SPEAKER CONN
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P53D
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P53D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P53D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 525V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.48 грн
10+91.70 грн
100+61.90 грн
500+46.10 грн
1000+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60V,RVQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60WToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQToshibaMOSFETs N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.17 грн
10+101.78 грн
100+72.12 грн
500+70.10 грн
2000+70.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.46 грн
10+132.46 грн
100+91.07 грн
500+68.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.79 грн
10+132.37 грн
100+94.93 грн
500+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 24.8A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 24.8A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+84.98 грн
161+77.42 грн
198+63.01 грн
211+56.86 грн
500+52.47 грн
1000+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.93 грн
500+80.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 7467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.69 грн
10+85.97 грн
100+52.25 грн
500+51.24 грн
1000+48.68 грн
2000+44.33 грн
4000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.29 грн
10+80.95 грн
100+62.95 грн
500+50.08 грн
1000+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.89 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.89ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+76.20 грн
15+59.92 грн
100+41.98 грн
500+31.62 грн
1000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.8 A, 0.89 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.89ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.98 грн
500+31.62 грн
1000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.44 грн
75+111.66 грн
150+91.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q60W,S1VQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.56 грн
10+203.55 грн
25+176.23 грн
75+79.19 грн
300+78.41 грн
525+69.40 грн
1050+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q60W,S1VQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q65W,S1QToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q65W,S1Q(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R4E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R4E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 112 A, 5500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 152W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.89 грн
11+81.51 грн
100+67.41 грн
500+50.62 грн
1000+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R4E10PL,S1X(SToshibaPower MOSFET (N-ch single 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3455 pF @ 50 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7A10PL,S4XToshibaMOSFETs TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+177.52 грн
10+88.30 грн
100+72.12 грн
500+55.12 грн
1000+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7A10PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7A10PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+66.85 грн
212+58.77 грн
241+51.61 грн
252+47.67 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PLToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.13 грн
10+76.42 грн
100+51.20 грн
500+37.90 грн
1000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQToshibaMOSFETs N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W
на замовлення 32454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.21 грн
10+77.58 грн
100+45.18 грн
500+38.66 грн
1000+34.70 грн
2500+32.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQ(S2Toshiba0
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+55.55 грн
264+47.26 грн
308+40.42 грн
325+36.98 грн
500+32.02 грн
1000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 6700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.63 грн
500+126.15 грн
1000+107.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+336.16 грн
50+235.14 грн
100+182.89 грн
500+135.86 грн
1000+108.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R8A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R8A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R8A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R8A08QM,S4XToshibaMOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.87 грн
10+94.63 грн
100+65.06 грн
500+52.79 грн
1000+38.82 грн
5000+36.88 грн
10000+35.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R8A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R8A08QM,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R8A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58 A, 0.0053 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+143.70 грн
10+141.95 грн
100+79.16 грн
500+48.76 грн
1000+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R8A08QM,S4X(SToshibaTK6R8A08QM,S4X(S
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R8A08QM,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R9P08QM,RQToshibaMOSFETs UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm
на замовлення 25028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.31 грн
10+74.28 грн
100+45.10 грн
250+45.03 грн
500+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R9P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 62A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R9P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.81 грн
10+85.64 грн
100+58.66 грн
500+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R9P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R9P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R9P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R9P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.63 грн
10+91.44 грн
100+64.01 грн
500+43.35 грн
1000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R9P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.01 грн
500+43.35 грн
1000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK6R9P08QM,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.