Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11149) > Сторінка 127 з 186

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQJ481EP-T1_GE3 SQJ481EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj481ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.17 грн
6000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3 SQJ504EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj504ep.pdf Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1_GE3 SQJA76EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja76ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60AEL-GE3 SIHB30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3 SI7434ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix si7434adp.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3 SIA106DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia106dj.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.02 грн
6000+23.20 грн
9000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 SIS110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis110dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.32 грн
6000+16.08 грн
9000+15.74 грн
15000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 SISH617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish617dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.00 грн
6000+24.81 грн
9000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3 SISS12DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss12dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4434ady.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459BDY-T1-GE3 SI4459BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4459bdy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 6017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+113.43 грн
10+76.79 грн
100+51.84 грн
500+38.38 грн
1000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7155dp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
на замовлення 15709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.18 грн
10+143.91 грн
100+99.10 грн
500+75.00 грн
1000+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 SI4103DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4103dy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+51.53 грн
100+37.14 грн
500+27.46 грн
1000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 SIR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir140dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 11305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+165.38 грн
10+132.49 грн
100+105.46 грн
500+83.74 грн
1000+71.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 SIS184DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis184dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 14940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.95 грн
10+96.72 грн
100+75.22 грн
500+59.83 грн
1000+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR108DP-T1-RE3 SIR108DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir108dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+167.97 грн
10+103.64 грн
100+70.46 грн
500+52.79 грн
1000+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 SISS04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss04dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
на замовлення 7201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+172.30 грн
10+105.89 грн
100+71.67 грн
500+53.52 грн
1000+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3 SI7172ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix si7172adp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40061EL_GE3 SQM40061EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40061el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.89 грн
10+116.73 грн
100+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1464eeh.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.37 грн
16+22.01 грн
100+12.43 грн
500+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 SQJ481EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj481ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.93 грн
10+61.28 грн
100+47.66 грн
500+37.91 грн
1000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3 SQJ504EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj504ep.pdf Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA30N60AEL-GE3 SIHA30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix SiHA30N60AEL.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60AEL-GE3 SIHG30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix SiHG30N60AEL.pdf Description: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60AEL-GE3 SIHG73N60AEL-GE3 Vishay Siliconix SIHG73N60AEL.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 36.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 342 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6709 pF @ 100 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+970.62 грн
10+823.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60AEL-GE3 SIHP30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix SiHP30N60AEL.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3 SI7434ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix si7434adp.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.08 грн
10+120.06 грн
100+82.33 грн
500+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3 SIA106DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia106dj.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 10023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.17 грн
10+61.62 грн
100+40.66 грн
500+29.70 грн
1000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 SIS110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis110dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 19507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.48 грн
10+41.19 грн
100+28.72 грн
500+22.48 грн
1000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 SISH617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish617dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 14132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.91 грн
10+65.20 грн
100+43.16 грн
500+31.61 грн
1000+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3 SISS12DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss12dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60ATR-GE3 SIHFR1N60ATR-GE3 Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60S-GE3 SIHB22N60S-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N60S.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3 SUM90220E-GE3 Vishay Siliconix sum90220e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.43 грн
10+160.84 грн
100+112.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQA403EJ-T1_GE3 SQA403EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa403ej.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.32 грн
6000+15.63 грн
9000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405EJ-T1_GE3 SQA405EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa405ej.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40031EL_GE3 SQD40031EL_GE3 Vishay Siliconix sqd40031el.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.16 грн
4000+43.22 грн
6000+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 Vishay Siliconix sqd40061el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.06 грн
4000+42.24 грн
6000+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj431aep.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ872EP-T1_GE3 SQJ872EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj872ep.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40016EM_GE3 SQM40016EM_GE3 Vishay Siliconix sqm40016em.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022EM_GE3 SQM40022EM_GE3 Vishay Siliconix sqm40022em.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2319dds.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.99 грн
6000+11.46 грн
9000+10.93 грн
15000+9.69 грн
21000+9.36 грн
30000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR622DP-T1-GE3 SIDR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr622dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626DP-T1-GE3 SIDR626DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr626dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+85.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR112DP-T1-RE3 SIR112DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir112dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.6A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3 SIRA10BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira10bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12BDP-T1-GE3 SIRA12BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira12bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA62DP-T1-RE3 SIRA62DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira62dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.4A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3 SIZF906ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf906adt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA403EJ-T1_GE3 SQA403EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa403ej.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.48 грн
10+44.52 грн
100+28.94 грн
500+20.84 грн
1000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405EJ-T1_GE3 SQA405EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa405ej.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.68 грн
10+34.18 грн
100+23.38 грн
500+17.31 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40031EL_GE3 SQD40031EL_GE3 Vishay Siliconix sqd40031el.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+163.65 грн
10+100.80 грн
100+68.45 грн
500+51.23 грн
1000+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 Vishay Siliconix sqd40061el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.18 грн
10+98.55 грн
100+66.90 грн
500+50.06 грн
1000+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3 SQJ431AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj431aep.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.63 грн
10+109.31 грн
100+74.51 грн
500+55.95 грн
1000+54.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ872EP-T1_GE3 SQJ872EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj872ep.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+161.05 грн
10+98.72 грн
100+66.70 грн
500+49.71 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40016EM_GE3 SQM40016EM_GE3 Vishay Siliconix sqm40016em.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022EM_GE3 SQM40022EM_GE3 Vishay Siliconix sqm40022em.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA22N60AEL-GE3 SIHA22N60AEL-GE3 Vishay Siliconix SIHA22N60AEL.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60AEL-GE3 SIHB22N60AEL-GE3 Vishay Siliconix SIHB22N60AEL.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 sqj481ep.pdf
SQJ481EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.17 грн
6000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3 sqj504ep.pdf
SQJ504EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1_GE3 sqja76ep.pdf
SQJA76EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60AEL-GE3
SIHB30N60AEL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3 si7434adp.pdf
SI7434ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+56.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3 sia106dj.pdf
SIA106DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.02 грн
6000+23.20 грн
9000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 sis110dn.pdf
SIS110DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.32 грн
6000+16.08 грн
9000+15.74 грн
15000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 sish617dn.pdf
SISH617DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.00 грн
6000+24.81 грн
9000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3 siss12dn.pdf
SISS12DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 si4434ady.pdf
SI4434ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459BDY-T1-GE3 si4459bdy.pdf
SI4459BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 6017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.43 грн
10+76.79 грн
100+51.84 грн
500+38.38 грн
1000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 si7155dp.pdf
SI7155DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
на замовлення 15709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.18 грн
10+143.91 грн
100+99.10 грн
500+75.00 грн
1000+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 si4103dy.pdf
SI4103DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.33 грн
10+51.53 грн
100+37.14 грн
500+27.46 грн
1000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 sir140dp.pdf
SIR140DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 11305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.38 грн
10+132.49 грн
100+105.46 грн
500+83.74 грн
1000+71.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 sis184dn.pdf
SIS184DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 14940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.95 грн
10+96.72 грн
100+75.22 грн
500+59.83 грн
1000+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR108DP-T1-RE3 sir108dp.pdf
SIR108DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.97 грн
10+103.64 грн
100+70.46 грн
500+52.79 грн
1000+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 siss04dn.pdf
SISS04DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
на замовлення 7201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.30 грн
10+105.89 грн
100+71.67 грн
500+53.52 грн
1000+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3 si7172adp.pdf
SI7172ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40061EL_GE3 sqm40061el.pdf
SQM40061EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.89 грн
10+116.73 грн
100+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3 sq1464eeh.pdf
SQ1464EEH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.37 грн
16+22.01 грн
100+12.43 грн
500+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 sqj481ep.pdf
SQJ481EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.93 грн
10+61.28 грн
100+47.66 грн
500+37.91 грн
1000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3 sqj504ep.pdf
SQJ504EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA30N60AEL-GE3 SiHA30N60AEL.pdf
SIHA30N60AEL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60AEL-GE3 SiHG30N60AEL.pdf
SIHG30N60AEL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60AEL-GE3 SIHG73N60AEL.pdf
SIHG73N60AEL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 36.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 342 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6709 pF @ 100 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+970.62 грн
10+823.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60AEL-GE3 SiHP30N60AEL.pdf
SIHP30N60AEL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3 si7434adp.pdf
SI7434ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.08 грн
10+120.06 грн
100+82.33 грн
500+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3 sia106dj.pdf
SIA106DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 10023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.17 грн
10+61.62 грн
100+40.66 грн
500+29.70 грн
1000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 sis110dn.pdf
SIS110DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 19507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.48 грн
10+41.19 грн
100+28.72 грн
500+22.48 грн
1000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 sish617dn.pdf
SISH617DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 14132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.91 грн
10+65.20 грн
100+43.16 грн
500+31.61 грн
1000+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3 siss12dn.pdf
SISS12DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60ATR-GE3 sihfr1n6.pdf
SIHFR1N60ATR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60S-GE3 SIHB22N60S.pdf
SIHB22N60S-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3 sum90220e.pdf
SUM90220E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.43 грн
10+160.84 грн
100+112.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQA403EJ-T1_GE3 sqa403ej.pdf
SQA403EJ-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 10A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.32 грн
6000+15.63 грн
9000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405EJ-T1_GE3 sqa405ej.pdf
SQA405EJ-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 10A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40031EL_GE3 sqd40031el.pdf
SQD40031EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+48.16 грн
4000+43.22 грн
6000+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40061EL_GE3 sqd40061el.pdf
SQD40061EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+47.06 грн
4000+42.24 грн
6000+41.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3 sqj431aep.pdf
SQJ431AEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ872EP-T1_GE3 sqj872ep.pdf
SQJ872EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40016EM_GE3 sqm40016em.pdf
SQM40016EM_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022EM_GE3 sqm40022em.pdf
SQM40022EM_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.99 грн
6000+11.46 грн
9000+10.93 грн
15000+9.69 грн
21000+9.36 грн
30000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR622DP-T1-GE3 sidr622dp.pdf
SIDR622DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+92.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626DP-T1-GE3 sidr626dp.pdf
SIDR626DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42.8A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+85.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR112DP-T1-RE3 sir112dp.pdf
SIR112DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.6A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3 sira10bdp.pdf
SIRA10BDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12BDP-T1-GE3 sira12bdp.pdf
SIRA12BDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA62DP-T1-RE3 sira62dp.pdf
SIRA62DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.4A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906ADT-T1-GE3 sizf906adt.pdf
SIZF906ADT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQA403EJ-T1_GE3 sqa403ej.pdf
SQA403EJ-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 10A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.48 грн
10+44.52 грн
100+28.94 грн
500+20.84 грн
1000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQA405EJ-T1_GE3 sqa405ej.pdf
SQA405EJ-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 10A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.68 грн
10+34.18 грн
100+23.38 грн
500+17.31 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40031EL_GE3 sqd40031el.pdf
SQD40031EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.65 грн
10+100.80 грн
100+68.45 грн
500+51.23 грн
1000+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40061EL_GE3 sqd40061el.pdf
SQD40061EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.18 грн
10+98.55 грн
100+66.90 грн
500+50.06 грн
1000+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ431AEP-T1_GE3 sqj431aep.pdf
SQJ431AEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.63 грн
10+109.31 грн
100+74.51 грн
500+55.95 грн
1000+54.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ872EP-T1_GE3 sqj872ep.pdf
SQJ872EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1045 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.05 грн
10+98.72 грн
100+66.70 грн
500+49.71 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40016EM_GE3 sqm40016em.pdf
SQM40016EM_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40022EM_GE3 sqm40022em.pdf
SQM40022EM_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA22N60AEL-GE3 SIHA22N60AEL.pdf
SIHA22N60AEL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60AEL-GE3 SIHB22N60AEL.pdf
SIHB22N60AEL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]