Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11085) > Сторінка 127 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7850ADP-T1-GE3 SI7850ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7850adp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 5768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.08 грн
10+56.67 грн
100+48.03 грн
500+42.44 грн
1000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431AED-T1-GE3 SIC431AED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic431.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.43 грн
6000+107.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438BED-T1-GE3 SIC438BED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.10 грн
6000+84.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437AED-T1-GE3 SIC437AED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431AED-T1-GE3 SIC431AED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic431.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 12237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.34 грн
10+155.21 грн
25+142.15 грн
100+119.93 грн
250+113.51 грн
500+109.63 грн
1000+104.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438BED-T1-GE3 SIC438BED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 14573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.60 грн
10+123.39 грн
25+112.74 грн
100+94.77 грн
250+89.52 грн
500+86.35 грн
1000+82.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437AED-T1-GE3 SIC437AED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic437.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.79 грн
10+139.38 грн
25+127.49 грн
100+107.34 грн
250+101.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC461EVB SIC461EVB Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC461
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 10A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC461
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC462EVB SIC462EVB Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC462
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 6A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC462
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC463EVB SIC463EVB Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC463
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 4A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC463
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC464EVB SIC464EVB Vishay Siliconix sic46x.pdf Description: EVAL BOARD FOR SIC464
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 2A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC464
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG4053EEN-T1-GE4 DG4053EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg4051e.pdf Description: IC SWITCH SPDTX3 78OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 78Ohm
-3db Bandwidth: 930MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 0.3pC
Crosstalk: -105dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 910mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2pF, 3.1pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 3
на замовлення 15251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.03 грн
10+74.08 грн
25+67.21 грн
100+55.98 грн
250+52.60 грн
500+50.56 грн
1000+48.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF IRFR9310TRLPBF Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.22 грн
10+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4778DY-T1-E3 SI4778DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4778dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5m6_T4GE3 SQD50N04-5m6_T4GE3 Vishay Siliconix sqd50n04-5m6.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.45 грн
10+101.55 грн
100+70.04 грн
500+54.25 грн
1000+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 SIR184DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir184dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.13 грн
6000+31.54 грн
9000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 SIR184DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir184dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 16150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.56 грн
10+69.65 грн
100+53.11 грн
500+39.38 грн
1000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878BDP-T1-RE3 SIR878BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir878bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 50 V
на замовлення 8882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.03 грн
10+81.60 грн
100+64.66 грн
500+50.77 грн
1000+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32103DB-T1-GE1 SIP32103DB-T1-GE1 Vishay Siliconix sip32101.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 12WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 6.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.71x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 4296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.88 грн
10+93.63 грн
25+79.65 грн
100+59.93 грн
250+52.71 грн
500+48.29 грн
1000+43.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDY-T1-GE4 DG417LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDY-T1-GE4 DG418LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix tf-dg418ledy-t1-ge4.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDY-T1-GE4 DG419LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.79 грн
5000+39.28 грн
7500+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDY-T1-GE4 DG417LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.30 грн
10+60.39 грн
25+54.58 грн
100+45.24 грн
250+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDY-T1-GE4 DG418LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix tf-dg418ledy-t1-ge4.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.90 грн
10+55.40 грн
25+50.08 грн
100+41.51 грн
250+38.89 грн
500+37.31 грн
1000+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDY-T1-GE4 DG419LEDY-T1-GE4 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 10241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.30 грн
10+60.39 грн
25+54.58 грн
100+45.24 грн
250+42.39 грн
500+40.67 грн
1000+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDQ-T1-GE3 DG417LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg417ledq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.27 грн
10+70.05 грн
25+63.44 грн
100+52.74 грн
250+49.50 грн
500+47.54 грн
1000+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDQ-T1-GE3 DG418LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-dg418ledq-t1-ge3.pdf Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 7387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.05 грн
10+64.27 грн
25+58.22 грн
100+48.39 грн
250+45.42 грн
500+43.62 грн
1000+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDQ-T1-GE3 DG419LEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg417le.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.27 грн
10+70.05 грн
25+63.44 грн
100+52.74 грн
250+49.50 грн
500+47.54 грн
1000+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG419BDY-T1-E3 DG419BDY-T1-E3 Vishay Siliconix dg417b.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.56 грн
10+160.51 грн
25+146.93 грн
100+123.86 грн
250+117.16 грн
500+113.13 грн
1000+108.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG9431EDY-T1-GE3 DG9431EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9431e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 30OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 30Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Charge Injection: 2pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 9677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.45 грн
10+138.03 грн
25+130.24 грн
100+104.14 грн
250+97.77 грн
500+85.55 грн
1000+69.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.61 грн
10+182.35 грн
100+145.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520STRLPBF IRF9520STRLPBF Vishay Siliconix sihf9520.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.19 грн
10+126.71 грн
100+87.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBF IRF9Z34STRRPBF Vishay Siliconix sihf9z34.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.56 грн
10+145.95 грн
100+116.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20STRLPBF IRFBC20STRLPBF Vishay Siliconix doc?91107 Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.68 грн
10+171.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310TRLPBF IRFR310TRLPBF Vishay Siliconix sihfr310.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRLPBF IRFR9014TRLPBF Vishay Siliconix sihfr901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.23 грн
10+80.33 грн
100+53.98 грн
500+41.60 грн
1000+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBF IRFR9024TRLPBF Vishay Siliconix sihfr902.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.48 грн
10+97.75 грн
100+74.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBF IRFZ48SPBF Vishay Siliconix sihfz48s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 SI1967DH-T1-E3 Vishay Siliconix si1967dh.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.78 грн
11+30.79 грн
100+19.76 грн
500+14.06 грн
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-GE3 SI2333DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2333ds.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3 SI3456DDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3456ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.23 грн
14+23.27 грн
100+13.95 грн
500+12.12 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3 SI4114DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4114dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.33 грн
10+96.96 грн
100+75.28 грн
500+60.59 грн
1000+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3 SI4425BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4425bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.83 грн
10+126.56 грн
100+86.91 грн
500+65.65 грн
1000+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-GE3 SI4936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4936BDY.PDF Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB437EDKT-T1-GE3 Vishay Siliconix sib437ed.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N65E-GE3 SIHB12N65E-GE3 Vishay Siliconix sihb12n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.97 грн
50+123.33 грн
100+111.60 грн
500+85.45 грн
1000+79.25 грн
2000+74.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60ET1-GE3 SIHB22N60ET1-GE3 Vishay Siliconix sihb22n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.49 грн
10+201.67 грн
100+142.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N65E-GE3 SIHF12N65E-GE3 Vishay Siliconix sihf12n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.55 грн
50+84.99 грн
100+84.63 грн
500+76.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS447DN-T1-GE3 SIS447DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis447dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.40 грн
10+56.67 грн
100+39.19 грн
500+30.74 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472DN-T1-GE3 SIS472DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis472dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
на замовлення 17606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.96 грн
10+42.66 грн
100+29.51 грн
500+23.14 грн
1000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3 SIZ998DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz998dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.23 грн
10+92.76 грн
100+62.79 грн
500+46.88 грн
1000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3 SQ1912AEEH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1912aeeh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.78 грн
11+30.95 грн
100+19.96 грн
500+14.26 грн
1000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3410EV-T1_GE3 SQ3410EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3410ev.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.07 грн
10+46.22 грн
100+32.04 грн
500+25.12 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQD25N06-22L_GE3 SQD25N06-22L_GE3 Vishay Siliconix sqd25n06-22l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
на замовлення 3760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.71 грн
10+108.83 грн
100+73.97 грн
500+55.41 грн
1000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L_GE3 SQD50N05-11L_GE3 Vishay Siliconix sqd50n05-11l.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3 SQJ951EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj951ep.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+162.74 грн
10+100.52 грн
100+68.16 грн
500+50.97 грн
1000+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ992EP-T1_GE3 SQJ992EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj992ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N10-10_GE3 SQM100N10-10_GE3 Vishay Siliconix sqm100n1.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+320.55 грн
10+203.33 грн
100+143.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM60N06-15_GE3 SQM60N06-15_GE3 Vishay Siliconix sqm60n06-15.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 56A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4434ady.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850ADP-T1-GE3 si7850adp.pdf
SI7850ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
на замовлення 5768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.08 грн
10+56.67 грн
100+48.03 грн
500+42.44 грн
1000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431AED-T1-GE3 sic431.pdf
SIC431AED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+113.43 грн
6000+107.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438BED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC438BED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.10 грн
6000+84.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437AED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC437AED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC431AED-T1-GE3 sic431.pdf
SIC431AED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 24A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 24V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 12237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.34 грн
10+155.21 грн
25+142.15 грн
100+119.93 грн
250+113.51 грн
500+109.63 грн
1000+104.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC438BED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC438BED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 14573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.60 грн
10+123.39 грн
25+112.74 грн
100+94.77 грн
250+89.52 грн
500+86.35 грн
1000+82.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC437AED-T1-GE3 sic437.pdf
SIC437AED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP44-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-PowerWFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 12A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1MHz
Voltage - Input (Max): 28V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP44-24
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Input (Min): 3V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Part Status: Active
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.79 грн
10+139.38 грн
25+127.49 грн
100+107.34 грн
250+101.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC461EVB sic46x.pdf
SIC461EVB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC461
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 10A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC461
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC462EVB sic46x.pdf
SIC462EVB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC462
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 6A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC462
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC463EVB sic46x.pdf
SIC463EVB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC463
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 4A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC463
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC464EVB sic46x.pdf
SIC464EVB
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EVAL BOARD FOR SIC464
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 60V
Current - Output: 2A
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SIC464
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG4053EEN-T1-GE4 dg4051e.pdf
DG4053EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX3 78OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 78Ohm
-3db Bandwidth: 930MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 0.3pC
Crosstalk: -105dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 910mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2pF, 3.1pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 3
на замовлення 15251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.03 грн
10+74.08 грн
25+67.21 грн
100+55.98 грн
250+52.60 грн
500+50.56 грн
1000+48.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9310TRLPBF sihfr931.pdf
IRFR9310TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.22 грн
10+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4778DY-T1-E3 si4778dy.pdf
SI4778DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5m6_T4GE3 sqd50n04-5m6.pdf
SQD50N04-5m6_T4GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.45 грн
10+101.55 грн
100+70.04 грн
500+54.25 грн
1000+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 sir184dp.pdf
SIR184DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.13 грн
6000+31.54 грн
9000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR184DP-T1-RE3 sir184dp.pdf
SIR184DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 16150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.56 грн
10+69.65 грн
100+53.11 грн
500+39.38 грн
1000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878BDP-T1-RE3 sir878bdp.pdf
SIR878BDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 42.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 50 V
на замовлення 8882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.03 грн
10+81.60 грн
100+64.66 грн
500+50.77 грн
1000+48.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32103DB-T1-GE1 sip32101.pdf
SIP32103DB-T1-GE1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 12WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 6.5mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 12-WCSP (1.71x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 4296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.88 грн
10+93.63 грн
25+79.65 грн
100+59.93 грн
250+52.71 грн
500+48.29 грн
1000+43.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDY-T1-GE4 dg417le.pdf
DG417LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDY-T1-GE4 tf-dg418ledy-t1-ge4.pdf
DG418LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDY-T1-GE4 dg417le.pdf
DG419LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.79 грн
5000+39.28 грн
7500+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDY-T1-GE4 dg417le.pdf
DG417LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.30 грн
10+60.39 грн
25+54.58 грн
100+45.24 грн
250+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDY-T1-GE4 tf-dg418ledy-t1-ge4.pdf
DG418LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.90 грн
10+55.40 грн
25+50.08 грн
100+41.51 грн
250+38.89 грн
500+37.31 грн
1000+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDY-T1-GE4 dg417le.pdf
DG419LEDY-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-SO
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 10241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.30 грн
10+60.39 грн
25+54.58 грн
100+45.24 грн
250+42.39 грн
500+40.67 грн
1000+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG417LEDQ-T1-GE3 tf-dg417ledq-t1-ge3.pdf
DG417LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.27 грн
10+70.05 грн
25+63.44 грн
100+52.74 грн
250+49.50 грн
500+47.54 грн
1000+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG418LEDQ-T1-GE3 tf-dg418ledq-t1-ge3.pdf
DG418LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST X 1 9OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 9Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 11pF, 32pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 7387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.05 грн
10+64.27 грн
25+58.22 грн
100+48.39 грн
250+45.42 грн
500+43.62 грн
1000+41.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG419LEDQ-T1-GE3 dg417le.pdf
DG419LEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 18OHM 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 18Ohm
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 26pC
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 20pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.27 грн
10+70.05 грн
25+63.44 грн
100+52.74 грн
250+49.50 грн
500+47.54 грн
1000+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG419BDY-T1-E3 dg417b.pdf
DG419BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.56 грн
10+160.51 грн
25+146.93 грн
100+123.86 грн
250+117.16 грн
500+113.13 грн
1000+108.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG9431EDY-T1-GE3 dg9431e.pdf
DG9431EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 30OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 30Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Charge Injection: 2pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 9677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.45 грн
10+138.03 грн
25+130.24 грн
100+104.14 грн
250+97.77 грн
500+85.55 грн
1000+69.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBF sihf644s.pdf
IRF644STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.61 грн
10+182.35 грн
100+145.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520STRLPBF sihf9520.pdf
IRF9520STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.19 грн
10+126.71 грн
100+87.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBF sihf9z34.pdf
IRF9Z34STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.56 грн
10+145.95 грн
100+116.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20STRLPBF doc?91107
IRFBC20STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.68 грн
10+171.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR310TRLPBF sihfr310.pdf
IRFR310TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014TRLPBF sihfr901.pdf
IRFR9014TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.23 грн
10+80.33 грн
100+53.98 грн
500+41.60 грн
1000+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBF sihfr902.pdf
IRFR9024TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.48 грн
10+97.75 грн
100+74.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBF sihfz48s.pdf
IRFZ48SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI1967DH-T1-E3 si1967dh.pdf
SI1967DH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.78 грн
11+30.79 грн
100+19.76 грн
500+14.06 грн
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-GE3 si2333ds.pdf
SI2333DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3 si3456ddv.pdf
SI3456DDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.23 грн
14+23.27 грн
100+13.95 грн
500+12.12 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.33 грн
10+96.96 грн
100+75.28 грн
500+60.59 грн
1000+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3 si4425bd.pdf
SI4425BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.83 грн
10+126.56 грн
100+86.91 грн
500+65.65 грн
1000+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-GE3 Si4936BDY.PDF
SI4936BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB437EDKT-T1-GE3 sib437ed.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N65E-GE3 sihb12n65e.pdf
SIHB12N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.97 грн
50+123.33 грн
100+111.60 грн
500+85.45 грн
1000+79.25 грн
2000+74.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60ET1-GE3 sihb22n60e.pdf
SIHB22N60ET1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.49 грн
10+201.67 грн
100+142.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N65E-GE3 sihf12n65e.pdf
SIHF12N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.55 грн
50+84.99 грн
100+84.63 грн
500+76.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS447DN-T1-GE3 sis447dn.pdf
SIS447DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.40 грн
10+56.67 грн
100+39.19 грн
500+30.74 грн
1000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472DN-T1-GE3 sis472dn.pdf
SIS472DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
на замовлення 17606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.96 грн
10+42.66 грн
100+29.51 грн
500+23.14 грн
1000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3 siz998dt.pdf
SIZ998DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.23 грн
10+92.76 грн
100+62.79 грн
500+46.88 грн
1000+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3 sq1912aeeh.pdf
SQ1912AEEH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.78 грн
11+30.95 грн
100+19.96 грн
500+14.26 грн
1000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3410EV-T1_GE3 sq3410ev.pdf
SQ3410EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.07 грн
10+46.22 грн
100+32.04 грн
500+25.12 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQD25N06-22L_GE3 sqd25n06-22l.pdf
SQD25N06-22L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
на замовлення 3760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.71 грн
10+108.83 грн
100+73.97 грн
500+55.41 грн
1000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L_GE3 sqd50n05-11l.pdf
SQD50N05-11L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3 sqj951ep.pdf
SQJ951EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.74 грн
10+100.52 грн
100+68.16 грн
500+50.97 грн
1000+46.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ992EP-T1_GE3 sqj992ep.pdf
SQJ992EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N10-10_GE3 sqm100n1.pdf
SQM100N10-10_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.55 грн
10+203.33 грн
100+143.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM60N06-15_GE3 sqm60n06-15.pdf
SQM60N06-15_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 56A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 si4434ady.pdf
SI4434ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]