Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11066) > Сторінка 128 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2333DS-T1-GE3 SI2333DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2333ds.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
на замовлення 4149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+63.30 грн
100+41.92 грн
500+30.73 грн
1000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3 SI3456DDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3456ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.24 грн
14+22.53 грн
100+13.51 грн
500+11.74 грн
1000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3 SI4114DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4114dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.13 грн
10+93.88 грн
100+72.89 грн
500+58.67 грн
1000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3 SI4425BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4425bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.36 грн
10+122.54 грн
100+84.15 грн
500+63.56 грн
1000+58.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-GE3 SI4936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4936BDY.PDF Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB437EDKT-T1-GE3 Vishay Siliconix sib437ed.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N65E-GE3 SIHB12N65E-GE3 Vishay Siliconix sihb12n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.21 грн
50+101.66 грн
100+100.22 грн
500+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60ET1-GE3 SIHB22N60ET1-GE3 Vishay Siliconix sihb22n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.63 грн
10+211.28 грн
100+149.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N65E-GE3 SIHF12N65E-GE3 Vishay Siliconix sihf12n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.75 грн
50+91.56 грн
100+89.41 грн
500+78.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS447DN-T1-GE3 SIS447DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis447dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.26 грн
10+54.87 грн
100+37.95 грн
500+29.76 грн
1000+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472DN-T1-GE3 SIS472DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis472dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
на замовлення 17606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.34 грн
10+41.31 грн
100+28.58 грн
500+22.41 грн
1000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3 SIZ998DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz998dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.37 грн
10+97.40 грн
100+65.93 грн
500+49.23 грн
1000+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3 SQ1912AEEH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1912aeeh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.12 грн
10+32.42 грн
100+20.91 грн
500+14.95 грн
1000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3410EV-T1_GE3 SQ3410EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3410ev.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.32 грн
10+44.75 грн
100+31.02 грн
500+24.32 грн
1000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQD25N06-22L_GE3 SQD25N06-22L_GE3 Vishay Siliconix sqd25n06-22l.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
на замовлення 3760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.10 грн
10+105.37 грн
100+71.62 грн
500+53.65 грн
1000+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L_GE3 SQD50N05-11L_GE3 Vishay Siliconix sqd50n05-11l.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3 SQJ951EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj951ep.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.57 грн
10+97.32 грн
100+66.00 грн
500+49.35 грн
1000+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ992EP-T1_GE3 SQJ992EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj992ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N10-10_GE3 SQM100N10-10_GE3 Vishay Siliconix sqm100n1.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.37 грн
10+196.87 грн
100+138.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM60N06-15_GE3 SQM60N06-15_GE3 Vishay Siliconix sqm60n06-15.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 56A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4434ady.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459BDY-T1-GE3 SI4459BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4459bdy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.67 грн
5000+31.04 грн
7500+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7155dp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 SI4103DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4103dy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 SIR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir140dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 SIS184DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis184dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.66 грн
6000+42.79 грн
9000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 SISS04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss04dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3 SI7172ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix si7172adp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40061EL_GE3 SQM40061EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40061el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1464eeh.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.43 грн
6000+8.65 грн
9000+8.00 грн
15000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 SQJ481EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj481ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.57 грн
6000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3 SQJ504EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj504ep.pdf Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1_GE3 SQJA76EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja76ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60AEL-GE3 SIHB30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3 SI7434ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix si7434adp.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3 SIA106DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia106dj.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.92 грн
6000+21.33 грн
9000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 SIS110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis110dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.40 грн
6000+15.17 грн
9000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 SISH617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish617dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.82 грн
6000+22.80 грн
9000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3 SISS12DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss12dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4434ady.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 9217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.55 грн
10+106.29 грн
100+76.04 грн
500+58.77 грн
1000+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459BDY-T1-GE3 SI4459BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4459bdy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 9929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.86 грн
10+68.74 грн
100+51.57 грн
500+38.51 грн
1000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 SI7155DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7155dp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
на замовлення 15709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.48 грн
10+132.27 грн
100+91.09 грн
500+68.93 грн
1000+63.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 SI4103DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4103dy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.24 грн
10+47.36 грн
100+34.13 грн
500+25.23 грн
1000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 SIR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir140dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 11305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.00 грн
10+121.77 грн
100+96.93 грн
500+76.97 грн
1000+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 SIS184DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis184dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 14940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.00 грн
10+88.89 грн
100+69.13 грн
500+54.99 грн
1000+44.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR108DP-T1-RE3 SIR108DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir108dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.08 грн
10+116.94 грн
100+91.20 грн
500+70.71 грн
1000+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 SISS04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss04dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
на замовлення 7201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+158.37 грн
10+97.32 грн
100+65.87 грн
500+49.19 грн
1000+45.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3 SI7172ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix si7172adp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40061EL_GE3 SQM40061EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40061el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.92 грн
10+112.04 грн
100+80.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3 SQ1464EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1464eeh.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
15+20.92 грн
100+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 SQJ481EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj481ep.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.62 грн
10+56.33 грн
100+43.80 грн
500+34.84 грн
1000+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3 SQJ504EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj504ep.pdf Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA30N60AEL-GE3 SIHA30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix SiHA30N60AEL.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60AEL-GE3 SIHB30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60AEL-GE3 SIHG30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix SiHG30N60AEL.pdf Description: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60AEL-GE3 SIHG73N60AEL-GE3 Vishay Siliconix SIHG73N60AEL.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 36.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 342 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6709 pF @ 100 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+892.10 грн
10+756.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60AEL-GE3 SIHP30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix SiHP30N60AEL.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3 SI7434ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix si7434adp.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.14 грн
10+113.26 грн
100+86.63 грн
500+66.25 грн
1000+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3 SIA106DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia106dj.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 10023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.91 грн
10+56.63 грн
100+37.37 грн
500+27.30 грн
1000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 SIS110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis110dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 19524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.91 грн
10+38.32 грн
100+27.26 грн
500+21.68 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DS-T1-GE3 si2333ds.pdf
SI2333DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
на замовлення 4149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.25 грн
10+63.30 грн
100+41.92 грн
500+30.73 грн
1000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-E3 si3456ddv.pdf
SI3456DDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
14+22.53 грн
100+13.51 грн
500+11.74 грн
1000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.13 грн
10+93.88 грн
100+72.89 грн
500+58.67 грн
1000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425BDY-T1-GE3 si4425bd.pdf
SI4425BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.36 грн
10+122.54 грн
100+84.15 грн
500+63.56 грн
1000+58.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936BDY-T1-GE3 Si4936BDY.PDF
SI4936BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB437EDKT-T1-GE3 sib437ed.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N65E-GE3 sihb12n65e.pdf
SIHB12N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.21 грн
50+101.66 грн
100+100.22 грн
500+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB22N60ET1-GE3 sihb22n60e.pdf
SIHB22N60ET1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.63 грн
10+211.28 грн
100+149.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N65E-GE3 sihf12n65e.pdf
SIHF12N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1224 pF @ 100 V
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.75 грн
50+91.56 грн
100+89.41 грн
500+78.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIS447DN-T1-GE3 sis447dn.pdf
SIS447DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.26 грн
10+54.87 грн
100+37.95 грн
500+29.76 грн
1000+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS472DN-T1-GE3 sis472dn.pdf
SIS472DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
на замовлення 17606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.34 грн
10+41.31 грн
100+28.58 грн
500+22.41 грн
1000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ998DT-T1-GE3 siz998dt.pdf
SIZ998DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.2W, 32.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.37 грн
10+97.40 грн
100+65.93 грн
500+49.23 грн
1000+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1912AEEH-T1_GE3 sq1912aeeh.pdf
SQ1912AEEH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.12 грн
10+32.42 грн
100+20.91 грн
500+14.95 грн
1000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3410EV-T1_GE3 sq3410ev.pdf
SQ3410EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.32 грн
10+44.75 грн
100+31.02 грн
500+24.32 грн
1000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQD25N06-22L_GE3 sqd25n06-22l.pdf
SQD25N06-22L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
на замовлення 3760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.10 грн
10+105.37 грн
100+71.62 грн
500+53.65 грн
1000+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N05-11L_GE3 sqd50n05-11l.pdf
SQD50N05-11L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ951EP-T1_GE3 sqj951ep.pdf
SQJ951EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 56W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.57 грн
10+97.32 грн
100+66.00 грн
500+49.35 грн
1000+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ992EP-T1_GE3 sqj992ep.pdf
SQJ992EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM100N10-10_GE3 sqm100n1.pdf
SQM100N10-10_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.37 грн
10+196.87 грн
100+138.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM60N06-15_GE3 sqm60n06-15.pdf
SQM60N06-15_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 56A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 si4434ady.pdf
SI4434ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+58.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459BDY-T1-GE3 si4459bdy.pdf
SI4459BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.67 грн
5000+31.04 грн
7500+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 si7155dp.pdf
SI7155DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 si4103dy.pdf
SI4103DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 sir140dp.pdf
SIR140DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 sis184dn.pdf
SIS184DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+46.66 грн
6000+42.79 грн
9000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 siss04dn.pdf
SISS04DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3 si7172adp.pdf
SI7172ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40061EL_GE3 sqm40061el.pdf
SQM40061EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3 sq1464eeh.pdf
SQ1464EEH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.43 грн
6000+8.65 грн
9000+8.00 грн
15000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 sqj481ep.pdf
SQJ481EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.57 грн
6000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3 sqj504ep.pdf
SQJ504EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1_GE3 sqja76ep.pdf
SQJA76EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60AEL-GE3
SIHB30N60AEL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3 si7434adp.pdf
SI7434ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3 sia106dj.pdf
SIA106DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.92 грн
6000+21.33 грн
9000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 sis110dn.pdf
SIS110DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.40 грн
6000+15.17 грн
9000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 sish617dn.pdf
SISH617DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.82 грн
6000+22.80 грн
9000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3 siss12dn.pdf
SISS12DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4434ADY-T1-GE3 si4434ady.pdf
SI4434ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 9217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.55 грн
10+106.29 грн
100+76.04 грн
500+58.77 грн
1000+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459BDY-T1-GE3 si4459bdy.pdf
SI4459BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 9929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.86 грн
10+68.74 грн
100+51.57 грн
500+38.51 грн
1000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7155DP-T1-GE3 si7155dp.pdf
SI7155DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900 pF @ 20 V
на замовлення 15709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.48 грн
10+132.27 грн
100+91.09 грн
500+68.93 грн
1000+63.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 si4103dy.pdf
SI4103DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.24 грн
10+47.36 грн
100+34.13 грн
500+25.23 грн
1000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3 sir140dp.pdf
SIR140DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 11305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.00 грн
10+121.77 грн
100+96.93 грн
500+76.97 грн
1000+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS184DN-T1-GE3 sis184dn.pdf
SIS184DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 14940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.00 грн
10+88.89 грн
100+69.13 грн
500+54.99 грн
1000+44.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR108DP-T1-RE3 sir108dp.pdf
SIR108DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.08 грн
10+116.94 грн
100+91.20 грн
500+70.71 грн
1000+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 siss04dn.pdf
SISS04DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
на замовлення 7201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.37 грн
10+97.32 грн
100+65.87 грн
500+49.19 грн
1000+45.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3 si7172adp.pdf
SI7172ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40061EL_GE3 sqm40061el.pdf
SQM40061EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.92 грн
10+112.04 грн
100+80.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1464EEH-T1_GE3 sq1464eeh.pdf
SQ1464EEH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.41Ohm @ 2A, 1.5V
Power Dissipation (Max): 430mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
15+20.92 грн
100+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ481EP-T1_GE3 sqj481ep.pdf
SQJ481EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 16A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.62 грн
10+56.33 грн
100+43.80 грн
500+34.84 грн
1000+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ504EP-T1_GE3 sqj504ep.pdf
SQJ504EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA30N60AEL-GE3 SiHA30N60AEL.pdf
SIHA30N60AEL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB30N60AEL-GE3
SIHB30N60AEL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG30N60AEL-GE3 SiHG30N60AEL.pdf
SIHG30N60AEL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60AEL-GE3 SIHG73N60AEL.pdf
SIHG73N60AEL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 36.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 342 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6709 pF @ 100 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+892.10 грн
10+756.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60AEL-GE3 SiHP30N60AEL.pdf
SIHP30N60AEL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434ADP-T1-RE3 si7434adp.pdf
SI7434ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.14 грн
10+113.26 грн
100+86.63 грн
500+66.25 грн
1000+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIA106DJ-T1-GE3 sia106dj.pdf
SIA106DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 10023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.91 грн
10+56.63 грн
100+37.37 грн
500+27.30 грн
1000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 sis110dn.pdf
SIS110DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 19524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.91 грн
10+38.32 грн
100+27.26 грн
500+21.68 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]