Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11163) > Сторінка 129 з 187

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 144 162 180 187  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP35N60EF-GE3 SIHP35N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihp35n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.21 грн
50+237.79 грн
100+217.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC430 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 500V TO PKG
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3 SISS06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss06dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.08 грн
6000+30.59 грн
9000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3 SIUD406ED-T1-GE3 Vishay Siliconix siud406ed.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.99 грн
6000+5.47 грн
9000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir626ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.06 грн
6000+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32DN-T1-GE3 SISS32DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss32dn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB065N60E-GE3 SIHB065N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb065n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB100N60E-GE3 SIHB100N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb100n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.19 грн
50+203.78 грн
100+186.13 грн
500+145.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD180N60E-GE3 SIHD180N60E-GE3 Vishay Siliconix sihd180n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.46 грн
10+162.29 грн
100+113.82 грн
500+87.40 грн
1000+81.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF065N60E-GE3 SIHF065N60E-GE3 Vishay Siliconix sihf065n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.19 грн
50+282.45 грн
100+259.51 грн
500+209.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3 SIHG039N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg039n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 100 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+771.59 грн
25+455.57 грн
100+387.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 SIHG065N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg065n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+572.57 грн
25+329.63 грн
100+276.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3 SIHG100N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg100n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.39 грн
10+340.93 грн
100+248.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG180N60E-GE3 SIHG180N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg180n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.47 грн
25+166.18 грн
100+136.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60EF-GE3 SIHG80N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg80n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 100 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1103.28 грн
25+670.52 грн
100+577.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH100N60E-T1-GE3 SIHH100N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh100n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 SIHP100N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp100n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 3892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.84 грн
50+145.18 грн
100+132.24 грн
500+113.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp120n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.35 грн
50+205.68 грн
100+187.92 грн
500+147.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP21N80AE-GE3 SIHP21N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp21n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.25 грн
10+165.41 грн
100+130.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3 SISS06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss06dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
на замовлення 13105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.15 грн
10+77.57 грн
100+51.89 грн
500+38.37 грн
1000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3 SIUD406ED-T1-GE3 Vishay Siliconix siud406ed.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 13666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.96 грн
16+20.08 грн
100+9.54 грн
500+8.90 грн
1000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir626ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 9317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.96 грн
10+106.93 грн
100+73.18 грн
500+55.13 грн
1000+54.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32DN-T1-GE3 SISS32DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss32dn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 40 V
на замовлення 14702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.20 грн
10+75.59 грн
100+50.83 грн
500+37.75 грн
1000+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH100N60E-T1-GE3 SIHH100N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh100n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH108DN-T1-GE3 SISH108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish108dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010E-GE3 SUM50010E-GE3 Vishay Siliconix sum50010e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO263
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.90 грн
10+201.15 грн
100+142.62 грн
800+105.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50010E-GE3 SUP50010E-GE3 Vishay Siliconix sup50010e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.66 грн
10+195.22 грн
100+157.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3 SUM70030E-GE3 Vishay Siliconix sum70030e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+116.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70030E-GE3 SUP70030E-GE3 Vishay Siliconix sup70030e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.18mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.52 грн
50+168.42 грн
100+150.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB120N60E-GE3 SIHB120N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb120n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.88 грн
50+208.59 грн
100+190.61 грн
500+149.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg018n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 524W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7612 pF @ 100 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1211.48 грн
25+741.40 грн
100+640.33 грн
500+599.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SISH108DN-T1-GE3 SISH108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish108dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.53 грн
17+18.86 грн
100+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32432DNP3-T1GE4 SIP32432DNP3-T1GE4 Vishay Siliconix sip32431.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 105mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32432DNP3-T1GE4 SIP32432DNP3-T1GE4 Vishay Siliconix sip32431.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 105mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.49 грн
12+26.85 грн
25+24.03 грн
100+19.66 грн
250+18.28 грн
500+17.45 грн
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3 SUM70030E-GE3 Vishay Siliconix sum70030e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.90 грн
10+201.15 грн
100+142.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh068n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh068n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 100 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.31 грн
10+331.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P03-07_GE3 SQM50P03-07_GE3 Vishay Siliconix sqm50p03.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH101DN-T1-GE3 SISH101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish101dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.58 грн
6000+18.64 грн
9000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 SIUD401ED-T1-GE3 Vishay Siliconix siud401ed.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH407DN-T1-GE3 SISH407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish407dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.05 грн
6000+19.66 грн
9000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH101DN-T1-GE3 SISH101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish101dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 9717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.92 грн
10+46.69 грн
100+32.70 грн
500+24.15 грн
1000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 SIUD401ED-T1-GE3 Vishay Siliconix siud401ed.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH407DN-T1-GE3 SISH407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish407dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V
на замовлення 16570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.08 грн
10+52.17 грн
100+34.42 грн
500+25.15 грн
1000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG309BDY-T1-E3 DG309BDY-T1-E3 Vishay Siliconix DG308B%2CDG309B.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 4V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.7Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 200ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 6011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.80 грн
10+132.10 грн
25+120.71 грн
100+101.47 грн
250+95.84 грн
500+92.45 грн
1000+88.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG309DY-T1-E3 DG309DY-T1-E3 Vishay Siliconix dg308a.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 4V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.7Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 200ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.96 грн
10+134.68 грн
25+123.11 грн
100+103.58 грн
250+97.89 грн
500+94.46 грн
1000+90.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG333ALDW-T1-E3 DG333ALDW-T1-E3 Vishay Siliconix dg333a.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 4 45OHM 20SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 20-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 40V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4V ~ 22V
Charge Injection: 10pC
Crosstalk: -80dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.66 грн
10+291.58 грн
25+269.34 грн
100+229.84 грн
250+218.91 грн
500+212.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG403BDY-T1-E3 DG403BDY-T1-E3 Vishay Siliconix 742_73069-240305.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 45OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 60pC
Crosstalk: -94.8dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 100ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.16 грн
10+216.06 грн
25+198.79 грн
100+168.79 грн
250+160.31 грн
500+155.20 грн
1000+148.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG4052EEN-T1-GE4 DG4052EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg4051e.pdf Description: IC SWITCH SP4TX2 78OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 78Ohm
-3db Bandwidth: 353MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 0.3pC
Crosstalk: -105dB @ 100kHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 910mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.2pF, 4.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 19226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.30 грн
10+70.19 грн
25+63.70 грн
100+53.05 грн
250+49.84 грн
500+47.91 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG406BDW-T1-E3 DG406BDW-T1-E3 Vishay Siliconix dg406b.pdf Description: IC MUX 16:1 60OHM 28SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 11pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 107ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 108pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG408LEDN-T1-GE4 DG408LEDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg408le.pdf Description: IC MUX 8:1 23OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 23Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 11pC
Crosstalk: -98dB @ 100kHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 72ns, 47ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5.5pF, 25pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.88 грн
10+82.89 грн
25+75.38 грн
100+62.99 грн
250+59.29 грн
500+57.07 грн
1000+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG417BDY-T1-E3 DG417BDY-T1-E3 Vishay Siliconix dg417b.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX1 25OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.70 грн
10+149.21 грн
25+136.59 грн
100+115.14 грн
250+108.92 грн
500+105.17 грн
1000+100.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG418BDQ-T1-E3 DG418BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg417b.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX1 25OHM 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.29 грн
10+161.76 грн
25+148.11 грн
100+124.97 грн
250+118.27 грн
500+114.23 грн
1000+109.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG442BDN-T1-E4 DG442BDN-T1-E4 Vishay Siliconix 72625.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 80OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 220ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 5568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.98 грн
10+180.16 грн
25+165.42 грн
100+140.04 грн
250+132.79 грн
500+128.42 грн
1000+122.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG442BDY-T1-E3 DG442BDY-T1-E3 Vishay Siliconix 72625.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG507BEN-T1-GE3 DG507BEN-T1-GE3 Vishay Siliconix dg506b.pdf Description: IC MUX DUAL 8:1 300OHM 28PLCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 300Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.51x11.51)
Voltage - Supply, Single (V+): 12V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -84dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 17pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.76 грн
10+322.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF Vishay Siliconix sih630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.90 грн
10+100.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBF IRF644STRLPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+313.53 грн
10+199.86 грн
100+141.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBF IRF710STRLPBF Vishay Siliconix sihf710s.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASTRLPBF IRF730ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf730a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.34 грн
10+128.14 грн
100+88.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60EF-GE3 sihp35n60ef.pdf
SIHP35N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.21 грн
50+237.79 грн
100+217.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC430
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V TO PKG
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3 siss06dn.pdf
SISS06DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.08 грн
6000+30.59 грн
9000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3 siud406ed.pdf
SIUD406ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.99 грн
6000+5.47 грн
9000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
SIR626LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+50.06 грн
6000+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32DN-T1-GE3 siss32dn.pdf
SISS32DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB065N60E-GE3 sihb065n60e.pdf
SIHB065N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB100N60E-GE3 sihb100n60e.pdf
SIHB100N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.19 грн
50+203.78 грн
100+186.13 грн
500+145.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD180N60E-GE3 sihd180n60e.pdf
SIHD180N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.46 грн
10+162.29 грн
100+113.82 грн
500+87.40 грн
1000+81.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF065N60E-GE3 sihf065n60e.pdf
SIHF065N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+540.19 грн
50+282.45 грн
100+259.51 грн
500+209.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG039N60E-GE3 sihg039n60e.pdf
SIHG039N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 100 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+771.59 грн
25+455.57 грн
100+387.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG065N60E-GE3 sihg065n60e.pdf
SIHG065N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+572.57 грн
25+329.63 грн
100+276.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG100N60E-GE3 sihg100n60e.pdf
SIHG100N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+524.39 грн
10+340.93 грн
100+248.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG180N60E-GE3 sihg180n60e.pdf
SIHG180N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.47 грн
25+166.18 грн
100+136.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG80N60EF-GE3 sihg80n60ef.pdf
SIHG80N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 100 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1103.28 грн
25+670.52 грн
100+577.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH100N60E-T1-GE3 sihh100n60e.pdf
SIHH100N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 sihp100n60e.pdf
SIHP100N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 3892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.84 грн
50+145.18 грн
100+132.24 грн
500+113.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 sihp120n60e.pdf
SIHP120N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.35 грн
50+205.68 грн
100+187.92 грн
500+147.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP21N80AE-GE3 sihp21n80ae.pdf
SIHP21N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.25 грн
10+165.41 грн
100+130.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3 siss06dn.pdf
SISS06DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
на замовлення 13105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.15 грн
10+77.57 грн
100+51.89 грн
500+38.37 грн
1000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3 siud406ed.pdf
SIUD406ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 13666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.96 грн
16+20.08 грн
100+9.54 грн
500+8.90 грн
1000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
SIR626LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta), 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 9317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.96 грн
10+106.93 грн
100+73.18 грн
500+55.13 грн
1000+54.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32DN-T1-GE3 siss32dn.pdf
SISS32DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 40 V
на замовлення 14702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.20 грн
10+75.59 грн
100+50.83 грн
500+37.75 грн
1000+34.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH100N60E-T1-GE3 sihh100n60e.pdf
SIHH100N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH108DN-T1-GE3 sish108dn.pdf
SISH108DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50010E-GE3 sum50010e.pdf
SUM50010E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO263
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+315.90 грн
10+201.15 грн
100+142.62 грн
800+105.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50010E-GE3 sup50010e.pdf
SUP50010E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.66 грн
10+195.22 грн
100+157.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3 sum70030e.pdf
SUM70030E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+116.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70030E-GE3 sup70030e.pdf
SUP70030E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.18mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.52 грн
50+168.42 грн
100+150.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB120N60E-GE3 sihb120n60e.pdf
SIHB120N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+409.88 грн
50+208.59 грн
100+190.61 грн
500+149.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG018N60E-GE3 sihg018n60e.pdf
SIHG018N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 524W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7612 pF @ 100 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1211.48 грн
25+741.40 грн
100+640.33 грн
500+599.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SISH108DN-T1-GE3 sish108dn.pdf
SISH108DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.53 грн
17+18.86 грн
100+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32432DNP3-T1GE4 sip32431.pdf
SIP32432DNP3-T1GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 105mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32432DNP3-T1GE4 sip32431.pdf
SIP32432DNP3-T1GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 4-UFDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 105mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.5V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-TDFN (1.2x1.6)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.49 грн
12+26.85 грн
25+24.03 грн
100+19.66 грн
250+18.28 грн
500+17.45 грн
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3 sum70030e.pdf
SUM70030E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+315.90 грн
10+201.15 грн
100+142.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 sihh068n60e.pdf
SIHH068N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH068N60E-T1-GE3 sihh068n60e.pdf
SIHH068N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 100 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.31 грн
10+331.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50P03-07_GE3 sqm50p03.pdf
SQM50P03-07_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH101DN-T1-GE3 sish101dn.pdf
SISH101DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.58 грн
6000+18.64 грн
9000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 siud401ed.pdf
SIUD401ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH407DN-T1-GE3 sish407dn.pdf
SISH407DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.05 грн
6000+19.66 грн
9000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH101DN-T1-GE3 sish101dn.pdf
SISH101DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 9717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.92 грн
10+46.69 грн
100+32.70 грн
500+24.15 грн
1000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 siud401ed.pdf
SIUD401ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH407DN-T1-GE3 sish407dn.pdf
SISH407DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V
на замовлення 16570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.08 грн
10+52.17 грн
100+34.42 грн
500+25.15 грн
1000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG309BDY-T1-E3 DG308B%2CDG309B.pdf
DG309BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 4V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.7Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 200ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 6011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.80 грн
10+132.10 грн
25+120.71 грн
100+101.47 грн
250+95.84 грн
500+92.45 грн
1000+88.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG309DY-T1-E3 dg308a.pdf
DG309DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 4V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.7Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 200ns, 150ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.96 грн
10+134.68 грн
25+123.11 грн
100+103.58 грн
250+97.89 грн
500+94.46 грн
1000+90.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG333ALDW-T1-E3 dg333a.pdf
DG333ALDW-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 4 45OHM 20SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 20-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 40V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4V ~ 22V
Charge Injection: 10pC
Crosstalk: -80dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.66 грн
10+291.58 грн
25+269.34 грн
100+229.84 грн
250+218.91 грн
500+212.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG403BDY-T1-E3 742_73069-240305.pdf
DG403BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 45OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 60pC
Crosstalk: -94.8dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 100ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 4939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.16 грн
10+216.06 грн
25+198.79 грн
100+168.79 грн
250+160.31 грн
500+155.20 грн
1000+148.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG4052EEN-T1-GE4 dg4051e.pdf
DG4052EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SP4TX2 78OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 78Ohm
-3db Bandwidth: 353MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 0.3pC
Crosstalk: -105dB @ 100kHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 910mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.2pF, 4.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 19226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.30 грн
10+70.19 грн
25+63.70 грн
100+53.05 грн
250+49.84 грн
500+47.91 грн
1000+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DG406BDW-T1-E3 dg406b.pdf
DG406BDW-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 16:1 60OHM 28SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: 28-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 7.5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 11pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 16:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 107ns, 88ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6pF, 108pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG408LEDN-T1-GE4 dg408le.pdf
DG408LEDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 8:1 23OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 23Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 11pC
Crosstalk: -98dB @ 100kHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 72ns, 47ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5.5pF, 25pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.88 грн
10+82.89 грн
25+75.38 грн
100+62.99 грн
250+59.29 грн
500+57.07 грн
1000+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG417BDY-T1-E3 dg417b.pdf
DG417BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX1 25OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.70 грн
10+149.21 грн
25+136.59 грн
100+115.14 грн
250+108.92 грн
500+105.17 грн
1000+100.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG418BDQ-T1-E3 dg417b.pdf
DG418BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX1 25OHM 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.29 грн
10+161.76 грн
25+148.11 грн
100+124.97 грн
250+118.27 грн
500+114.23 грн
1000+109.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG442BDN-T1-E4 72625.pdf
DG442BDN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 80OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 80Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 220ns, 120ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 5568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.98 грн
10+180.16 грн
25+165.42 грн
100+140.04 грн
250+132.79 грн
500+128.42 грн
1000+122.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG442BDY-T1-E3 72625.pdf
DG442BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG507BEN-T1-GE3 dg506b.pdf
DG507BEN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX DUAL 8:1 300OHM 28PLCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 300Ohm
-3db Bandwidth: 217MHz
Supplier Device Package: 28-PLCC (11.51x11.51)
Voltage - Supply, Single (V+): 12V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -84dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 200ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3pF, 17pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+372.76 грн
10+322.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
IRF630STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.90 грн
10+100.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBF sihf644s.pdf
IRF644STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.53 грн
10+199.86 грн
100+141.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF710STRLPBF sihf710s.pdf
IRF710STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF730ASTRLPBF sihf730a.pdf
IRF730ASTRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.34 грн
10+128.14 грн
100+88.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 144 162 180 187  [ Наступна Сторінка >> ]