Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11835) > Сторінка 176 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ1440EH-T1_GE3 SQ1440EH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1440eh.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+37.62 грн
50+27.58 грн
100+22.85 грн
500+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-GE3 SI4866DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4866dy.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-GE3 SI4866DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4866dy.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5800E-T1-GE3 SIJH5800E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh5800e.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5800E-T1-GE3 SIJH5800E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh5800e.pdf Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V
на замовлення 1723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.63 грн
10+310.66 грн
100+232.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5700E-T1-GE3 SIJH5700E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh5700e.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5700E-T1-GE3 SIJH5700E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh5700e.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+486.17 грн
10+331.83 грн
100+241.67 грн
500+190.76 грн
1000+190.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TR-GE3 SIHFR9310TR-GE3 Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TR-GE3 SIHFR9310TR-GE3 Vishay Siliconix sihfr931.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.98 грн
10+103.36 грн
50+78.41 грн
100+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3 SQ2361CEES-T1_GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3 SQ2361CES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2361ces.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.38 грн
6000+10.02 грн
9000+9.54 грн
15000+8.45 грн
21000+8.15 грн
30000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-BE3 SI2342DS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2342ds.pdf Description: N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-BE3 SI2342DS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2342ds.pdf Description: N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+33.65 грн
100+21.73 грн
500+15.55 грн
1000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3 SUD70090E-GE3 Vishay Siliconix sud70090e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3 SUD70090E-GE3 Vishay Siliconix sud70090e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+55.42 грн
100+50.42 грн
500+47.11 грн
1000+46.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-BE3 SI1499DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1499dh.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-BE3 SI1499DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1499dh.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
10+38.52 грн
100+26.68 грн
500+20.92 грн
1000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520LPBF IRL520LPBF Vishay Siliconix sihl520l.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ188DP-T1-GE3 SIJ188DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij188dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ188DP-T1-GE3 SIJ188DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij188dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.57 грн
10+86.83 грн
100+58.80 грн
500+43.92 грн
1000+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-BE3 SI1926DL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 510mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), 370mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-BE3 SI1926DL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 510mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), 370mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
11+29.09 грн
100+18.67 грн
500+13.28 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG213DJ-E3 DG213DJ-E3 Vishay Siliconix dg213.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 60OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 130ns, 100ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB085N60EF-GE3 SIHB085N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb085n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.01 грн
10+288.53 грн
100+209.30 грн
500+164.75 грн
1000+162.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG411DY DG411DY Vishay Siliconix dg411.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA22DP-T1-GE3 SIJA22DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sija22dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA22DP-T1-GE3 SIJA22DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sija22dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
10+68.06 грн
100+52.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GPBF IRFIBF30GPBF Vishay Siliconix 91186.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.30 грн
50+190.36 грн
100+163.18 грн
500+136.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40081EL_GE3 SQM40081EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40081el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40081EL_GE3 SQM40081EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40081el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.75 грн
10+104.10 грн
100+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA604CEJW-T1_GE3 SQA604CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa604cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA604CEJW-T1_GE3 SQA604CEJW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqa604cejw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
10+29.91 грн
100+20.78 грн
500+15.22 грн
1000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50C-E3 SIHP12N50C-E3 Vishay Siliconix sihp12n5.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.86 грн
10+254.87 грн
100+182.74 грн
500+142.64 грн
1000+135.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164ADP-T1-GE3 SIR164ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir164adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.81 грн
6000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164ADP-T1-GE3 SIR164ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir164adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 8814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+70.15 грн
100+47.47 грн
500+35.86 грн
1000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR166DP-T1-GE3 SIR166DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir166dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR166DP-T1-GE3 SIR166DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir166dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+76.66 грн
100+60.91 грн
500+47.07 грн
1000+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG403BDJ-E3 DG403BDJ-E3 Vishay Siliconix dg401b.pdf Description: IC SW SPST-NO/NCX4 45OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 60pC
Crosstalk: -94.8dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 100ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.74 грн
10+239.99 грн
25+221.10 грн
100+188.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3 SIHF9630STRL-GE3 Vishay Siliconix sihf9630.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3 SIHF9630STRL-GE3 Vishay Siliconix sihf9630.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.80 грн
10+81.52 грн
100+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS966ENW-T1_GE3 SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs966enw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS966ENW-T1_GE3 SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs966enw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+74.56 грн
100+49.87 грн
500+36.88 грн
1000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR610DP-T1-RE3 SIR610DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir610dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.22 грн
6000+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR610DP-T1-RE3 SIR610DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir610dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
на замовлення 16007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.90 грн
10+99.47 грн
100+73.19 грн
500+55.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR618DP-T1-GE3 SiR618DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir618dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR618DP-T1-GE3 SiR618DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir618dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 4378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
10+38.66 грн
100+33.18 грн
500+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR624DP-T1-RE3 SIR624DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir624dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 18.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3 SIA110DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia110dj.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3 SIA110DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia110dj.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.09 грн
100+42.53 грн
500+31.23 грн
1000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4490dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 SISH114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-sish114adn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 SISH114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-sish114adn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
11+28.57 грн
100+26.53 грн
500+23.75 грн
1000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3 SQJQ131EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq131el.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3 SQJQ131EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq131el.pdf Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.97 грн
10+203.05 грн
100+143.35 грн
500+110.63 грн
1000+102.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF-BE3 IRFR9014PBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr901.pdf Description: P-CHANNEL 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.02 грн
75+60.42 грн
150+54.33 грн
525+42.84 грн
1050+39.32 грн
2025+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBF-BE3 IRFR9120PBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr912.pdf Description: P-CHANNEL 100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-BE3 SI1553CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1553cdl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V, 3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V, 43pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-BE3 SI1553CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1553cdl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V, 3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V, 43pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
12+26.18 грн
100+15.62 грн
500+11.85 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3 SIS112LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis112ldn.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.21 грн
6000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3 SIS112LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis112ldn.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
10+40.01 грн
100+27.69 грн
500+21.71 грн
1000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1440EH-T1_GE3 sq1440eh.pdf
SQ1440EH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.13 грн
10+37.62 грн
50+27.58 грн
100+22.85 грн
500+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-GE3 si4866dy.pdf
SI4866DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-GE3 si4866dy.pdf
SI4866DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5800E-T1-GE3 sijh5800e.pdf
SIJH5800E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5800E-T1-GE3 sijh5800e.pdf
SIJH5800E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 302A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7730 pF @ 40 V
на замовлення 1723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+477.63 грн
10+310.66 грн
100+232.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5700E-T1-GE3 sijh5700e.pdf
SIJH5700E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5700E-T1-GE3 sijh5700e.pdf
SIJH5700E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 75 V
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+486.17 грн
10+331.83 грн
100+241.67 грн
500+190.76 грн
1000+190.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TR-GE3 sihfr931.pdf
SIHFR9310TR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR9310TR-GE3 sihfr931.pdf
SIHFR9310TR-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.98 грн
10+103.36 грн
50+78.41 грн
100+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3
SQ2361CEES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3 sq2361ces.pdf
SQ2361CES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.38 грн
6000+10.02 грн
9000+9.54 грн
15000+8.45 грн
21000+8.15 грн
30000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-BE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-BE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 4 V
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.92 грн
10+33.65 грн
100+21.73 грн
500+15.55 грн
1000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3 sud70090e.pdf
SUD70090E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3 sud70090e.pdf
SUD70090E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.57 грн
10+55.42 грн
100+50.42 грн
500+47.11 грн
1000+46.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-BE3 si1499dh.pdf
SI1499DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-BE3 si1499dh.pdf
SI1499DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.82 грн
10+38.52 грн
100+26.68 грн
500+20.92 грн
1000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL520LPBF sihl520l.pdf
IRL520LPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ188DP-T1-GE3 sij188dp.pdf
SIJ188DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ188DP-T1-GE3 sij188dp.pdf
SIJ188DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
на замовлення 4232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.57 грн
10+86.83 грн
100+58.80 грн
500+43.92 грн
1000+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-BE3 si1926dl.pdf
SI1926DL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 510mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), 370mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-BE3 si1926dl.pdf
SI1926DL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta), 510mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), 370mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.93 грн
11+29.09 грн
100+18.67 грн
500+13.28 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG213DJ-E3 dg213.pdf
DG213DJ-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 60OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 60Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 130ns, 100ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB085N60EF-GE3 sihb085n60ef.pdf
SIHB085N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+445.01 грн
10+288.53 грн
100+209.30 грн
500+164.75 грн
1000+162.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG411DY dg411.pdf
DG411DY
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 35OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 5V ~ 44V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±5V ~ 20V
Charge Injection: 5pC
Crosstalk: -85dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF, 9pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA22DP-T1-GE3 sija22dp.pdf
SIJA22DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA22DP-T1-GE3 sija22dp.pdf
SIJA22DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 15 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.85 грн
10+68.06 грн
100+52.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF30GPBF 91186.pdf
IRFIBF30GPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+249.30 грн
50+190.36 грн
100+163.18 грн
500+136.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40081EL_GE3 sqm40081el.pdf
SQM40081EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40081EL_GE3 sqm40081el.pdf
SQM40081EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.75 грн
10+104.10 грн
100+71.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA604CEJW-T1_GE3 sqa604cejw.pdf
SQA604CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQA604CEJW-T1_GE3 sqa604cejw.pdf
SQA604CEJW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®SC-70W-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.50 грн
10+29.91 грн
100+20.78 грн
500+15.22 грн
1000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50C-E3 sihp12n5.pdf
SIHP12N50C-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+396.86 грн
10+254.87 грн
100+182.74 грн
500+142.64 грн
1000+135.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164ADP-T1-GE3 sir164adp.pdf
SIR164ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.81 грн
6000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164ADP-T1-GE3 sir164adp.pdf
SIR164ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 8814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.39 грн
10+70.15 грн
100+47.47 грн
500+35.86 грн
1000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR166DP-T1-GE3 sir166dp.pdf
SIR166DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR166DP-T1-GE3 sir166dp.pdf
SIR166DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.27 грн
10+76.66 грн
100+60.91 грн
500+47.07 грн
1000+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG403BDJ-E3 dg401b.pdf
DG403BDJ-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NO/NCX4 45OHM 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 45Ohm
Supplier Device Package: 16-PDIP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 60pC
Crosstalk: -94.8dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO/NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 150ns, 100ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+327.74 грн
10+239.99 грн
25+221.10 грн
100+188.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3 sihf9630.pdf
SIHF9630STRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3 sihf9630.pdf
SIHF9630STRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.80 грн
10+81.52 грн
100+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS966ENW-T1_GE3 sqs966enw.pdf
SQS966ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS966ENW-T1_GE3 sqs966enw.pdf
SQS966ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.93 грн
10+74.56 грн
100+49.87 грн
500+36.88 грн
1000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR610DP-T1-RE3 sir610dp.pdf
SIR610DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+50.22 грн
6000+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR610DP-T1-RE3 sir610dp.pdf
SIR610DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
на замовлення 16007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.90 грн
10+99.47 грн
100+73.19 грн
500+55.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR618DP-T1-GE3 sir618dp.pdf
SiR618DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR618DP-T1-GE3 sir618dp.pdf
SiR618DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 4378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.93 грн
10+38.66 грн
100+33.18 грн
500+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR624DP-T1-RE3 sir624dp.pdf
SIR624DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 18.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3 sia110dj.pdf
SIA110DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA110DJ-T1-GE3 sia110dj.pdf
SIA110DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.62 грн
10+64.09 грн
100+42.53 грн
500+31.23 грн
1000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4490DY-T1-GE3 si4490dy.pdf
SI4490DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 tf-sish114adn-t1-ge3.pdf
SISH114ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 tf-sish114adn-t1-ge3.pdf
SISH114ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.62 грн
11+28.57 грн
100+26.53 грн
500+23.75 грн
1000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3 sqjq131el.pdf
SQJQ131EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ131EL-T1_GE3 sqjq131el.pdf
SQJQ131EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33050 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+319.97 грн
10+203.05 грн
100+143.35 грн
500+110.63 грн
1000+102.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9014PBF-BE3 sihfr901.pdf
IRFR9014PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.02 грн
75+60.42 грн
150+54.33 грн
525+42.84 грн
1050+39.32 грн
2025+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120PBF-BE3 sihfr912.pdf
IRFR9120PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-BE3 si1553cdl.pdf
SI1553CDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V, 3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V, 43pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553CDL-T1-BE3 si1553cdl.pdf
SI1553CDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V, 3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 700mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V, 43pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.49 грн
12+26.18 грн
100+15.62 грн
500+11.85 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3 sis112ldn.pdf
SIS112LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.21 грн
6000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS112LDN-T1-GE3 sis112ldn.pdf
SIS112LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.15 грн
10+40.01 грн
100+27.69 грн
500+21.71 грн
1000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 152 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]