Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11116) > Сторінка 33 з 186

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 54 72 90 108 126 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7846DP-T1-E3 SI7846DP-T1-E3 Vishay Siliconix Si7846DP.PDF Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 15705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.02 грн
10+139.41 грн
100+108.20 грн
500+80.09 грн
1000+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848DP-T1-E3 SI7848DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7848dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 SI7850DP-T1-E3 Vishay Siliconix 71625.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.13 грн
10+83.15 грн
100+74.58 грн
500+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3 SI7852DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7852dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.54 грн
10+182.95 грн
100+128.46 грн
500+107.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 SI7858ADP-T1-E3 Vishay Siliconix si7858ad.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.09 грн
10+164.59 грн
100+131.01 грн
500+104.03 грн
1000+88.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7866ADP-T1-E3 SI7866ADP-T1-E3 Vishay Siliconix 73380.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
на замовлення 8498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3 SI7892BDP-T1-E3 Vishay Siliconix si7892bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+167.76 грн
10+109.89 грн
100+78.39 грн
500+60.46 грн
1000+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 SI7898DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7898dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.80 грн
10+114.73 грн
100+78.56 грн
500+59.21 грн
1000+58.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3 SI7900AEDN-T1-E3 Vishay Siliconix si7900aedn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 16748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.51 грн
10+92.17 грн
100+65.23 грн
500+49.98 грн
1000+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-E3 SI7904BDN-T1-E3 Vishay Siliconix si7904bdn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.64 грн
10+78.40 грн
100+61.02 грн
500+48.54 грн
1000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-E3 SI7911DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72340.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-E3 SI7913DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72615.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.70 грн
10+116.12 грн
100+93.34 грн
500+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3 SI7922DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72031.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.73 грн
10+130.06 грн
100+104.54 грн
500+80.61 грн
1000+66.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-E3 SI7923DN-T1-E3 Vishay Siliconix 72622.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.44 грн
10+111.94 грн
100+89.98 грн
500+69.37 грн
1000+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1-E3 SI7942DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72118.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.82 грн
10+214.61 грн
100+175.81 грн
500+140.46 грн
1000+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7945DP-T1-E3 SI7945DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72090.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946DP-T1-E3 SI7946DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72282.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3 SI7949DP-T1-E3 Vishay Siliconix 73130.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 6973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.74 грн
10+101.77 грн
100+81.02 грн
500+64.34 грн
1000+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-E3 SI7956DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72960.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+338.08 грн
10+214.45 грн
100+151.10 грн
500+116.42 грн
1000+108.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Si7958DP-T1-E3 Si7958DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7958dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7960DP-T1-E3 SI7960DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7960dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7962DP-T1-E3 SI7962DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72914.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7983DP-T1-E3 SI7983DP-T1-E3 Vishay Siliconix 72637.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8401DB-T1-E1 SI8401DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8401db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8402DB-T1-E1 SI8402DB-T1-E1 Vishay Siliconix 72657.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 5.3A 4MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8405DB-T1-E1 SI8405DB-T1-E1 Vishay Siliconix 71814.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8407DB-T2-E1 SI8407DB-T2-E1 Vishay Siliconix Si8407DB.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A 6MICRO FOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 SI8409DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8409db.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
на замовлення 5103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+109.86 грн
10+73.72 грн
100+54.07 грн
500+40.35 грн
1000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8413DB-T1-E1 SI8413DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8413db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8415DB-T1-E1 SI8415DB-T1-E1 Vishay Siliconix 73210.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424DB-T1-E1 SI8424DB-T1-E1 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8429DB-T1-E1 SI8429DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8429db.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 4 V
на замовлення 17779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+62.90 грн
100+43.82 грн
500+33.11 грн
1000+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8435DB-T1-E1 SI8435DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8435db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8901EDB-T2-E1 SI8901EDB-T2-E1 Vishay Siliconix 72941.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-MICRO FOOT®CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (2.36x1.56)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8902EDB-T2-E1 SI8902EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8902edb.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8904EDB-T2-E1 SI8904EDB-T2-E1 Vishay Siliconix 72948.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424BDY-T1-E3 SI9424BDY-T1-E3 Vishay Siliconix Si9424BDY.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si9433bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.22 грн
10+72.49 грн
100+48.18 грн
500+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9434BDY-T1-E3 SI9434BDY-T1-E3 Vishay Siliconix Si9434BDY.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3 Vishay Siliconix Si9435BDY.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.37 грн
10+72.17 грн
100+47.92 грн
500+35.22 грн
1000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933BDY-T1-E3 SI9933BDY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9934BDY-T1-E3 SI9934BDY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-E3 SIA411DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia411dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA443DJ-T1-E3 SIA443DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia443dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-E3 SIA450DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia450dj.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA810DJ-T1-E3 SIA810DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia810dj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-T1-E3 SIA811DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia811dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA911DJ-T1-E3 SiA911DJ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-E3 SIA914DJ-T1-E3 Vishay Siliconix sia914dj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB411DK-T1-E3 SIB411DK-T1-E3 Vishay Siliconix sib411dk.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB412DK-T1-E3 SIB412DK-T1-E3 Vishay Siliconix sib412dk.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB911DK-T1-E3 Vishay Siliconix sib911dk.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE800DF-T1-E3 SIE800DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie800df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE802DF-T1-E3 SIE802DF-T1-E3 Vishay Siliconix 72985.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE806DF-T1-E3 SIE806DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie806df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE810DF-T1-E3 SIE810DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie810df.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE812DF-T1-E3 SIE812DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie812df.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE818DF-T1-E3 SIE818DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie818df.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 38 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE820DF-T1-E3 SIE820DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie820df.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE822DF-T1-E3 SIE822DF-T1-E3 Vishay Siliconix sie822df.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7846DP-T1-E3 Si7846DP.PDF
SI7846DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
на замовлення 15705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.02 грн
10+139.41 грн
100+108.20 грн
500+80.09 грн
1000+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848DP-T1-E3 si7848dp.pdf
SI7848DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-E3 71625.pdf
SI7850DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.13 грн
10+83.15 грн
100+74.58 грн
500+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3 si7852dp.pdf
SI7852DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.54 грн
10+182.95 грн
100+128.46 грн
500+107.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-E3 si7858ad.pdf
SI7858ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
на замовлення 5150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.09 грн
10+164.59 грн
100+131.01 грн
500+104.03 грн
1000+88.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7866ADP-T1-E3 73380.pdf
SI7866ADP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
на замовлення 8498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3 si7892bd.pdf
SI7892BDP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.76 грн
10+109.89 грн
100+78.39 грн
500+60.46 грн
1000+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3 si7898dp.pdf
SI7898DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.80 грн
10+114.73 грн
100+78.56 грн
500+59.21 грн
1000+58.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3 si7900aedn.pdf
SI7900AEDN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 16748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.51 грн
10+92.17 грн
100+65.23 грн
500+49.98 грн
1000+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-E3 si7904bdn.pdf
SI7904BDN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.64 грн
10+78.40 грн
100+61.02 грн
500+48.54 грн
1000+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-E3 72340.pdf
SI7911DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-E3 72615.pdf
SI7913DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.70 грн
10+116.12 грн
100+93.34 грн
500+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-E3 72031.pdf
SI7922DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.73 грн
10+130.06 грн
100+104.54 грн
500+80.61 грн
1000+66.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-E3 72622.pdf
SI7923DN-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.44 грн
10+111.94 грн
100+89.98 грн
500+69.37 грн
1000+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1-E3 72118.pdf
SI7942DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.82 грн
10+214.61 грн
100+175.81 грн
500+140.46 грн
1000+118.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7945DP-T1-E3 72090.pdf
SI7945DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946DP-T1-E3 72282.pdf
SI7946DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-E3 73130.pdf
SI7949DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 6973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.74 грн
10+101.77 грн
100+81.02 грн
500+64.34 грн
1000+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-E3 72960.pdf
SI7956DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+338.08 грн
10+214.45 грн
100+151.10 грн
500+116.42 грн
1000+108.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Si7958DP-T1-E3 si7958dp.pdf
Si7958DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7960DP-T1-E3 si7960dp.pdf
SI7960DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7962DP-T1-E3 72914.pdf
SI7962DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7983DP-T1-E3 72637.pdf
SI7983DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8401DB-T1-E1 si8401db.pdf
SI8401DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8402DB-T1-E1 72657.pdf
SI8402DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 5.3A 4MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8405DB-T1-E1 71814.pdf
SI8405DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8407DB-T2-E1 Si8407DB.pdf
SI8407DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A 6MICRO FOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8409DB-T1-E1 si8409db.pdf
SI8409DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
на замовлення 5103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.86 грн
10+73.72 грн
100+54.07 грн
500+40.35 грн
1000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8413DB-T1-E1 si8413db.pdf
SI8413DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8415DB-T1-E1 73210.pdf
SI8415DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8424DB-T1-E1
SI8424DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8429DB-T1-E1 si8429db.pdf
SI8429DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 4 V
на замовлення 17779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.08 грн
10+62.90 грн
100+43.82 грн
500+33.11 грн
1000+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8435DB-T1-E1 si8435db.pdf
SI8435DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8901EDB-T2-E1 72941.pdf
SI8901EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6MICROFOOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-MICRO FOOT®CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (2.36x1.56)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8902EDB-T2-E1 si8902edb.pdf
SI8902EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8904EDB-T2-E1 72948.pdf
SI8904EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9424BDY-T1-E3 Si9424BDY.pdf
SI9424BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 si9433bd.pdf
Si9433BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.22 грн
10+72.49 грн
100+48.18 грн
500+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9434BDY-T1-E3 Si9434BDY.pdf
SI9434BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9435BDY-T1-E3 Si9435BDY.PDF
SI9435BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.37 грн
10+72.17 грн
100+47.92 грн
500+35.22 грн
1000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933BDY-T1-E3
SI9933BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9934BDY-T1-E3
SI9934BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA411DJ-T1-E3 sia411dj.pdf
SIA411DJ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA443DJ-T1-E3 sia443dj.pdf
SIA443DJ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-E3 sia450dj.pdf
SIA450DJ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA810DJ-T1-E3 sia810dj.pdf
SIA810DJ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-T1-E3 sia811dj.pdf
SIA811DJ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA911DJ-T1-E3
SiA911DJ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-E3 sia914dj.pdf
SIA914DJ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB411DK-T1-E3 sib411dk.pdf
SIB411DK-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB412DK-T1-E3 sib412dk.pdf
SIB412DK-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB911DK-T1-E3 sib911dk.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE800DF-T1-E3 sie800df.pdf
SIE800DF-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE802DF-T1-E3 72985.pdf
SIE802DF-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE806DF-T1-E3 sie806df.pdf
SIE806DF-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE810DF-T1-E3 sie810df.pdf
SIE810DF-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE812DF-T1-E3 sie812df.pdf
SIE812DF-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE818DF-T1-E3 sie818df.pdf
SIE818DF-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 38 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE820DF-T1-E3 sie820df.pdf
SIE820DF-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE822DF-T1-E3 sie822df.pdf
SIE822DF-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 54 72 90 108 126 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]