Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11066) > Сторінка 39 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 54 72 90 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG611AEN-T1-E4 DG611AEN-T1-E4 Vishay Siliconix DG611A-13A.pdf Description: IC SW SPST-NCX4 115OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 720MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2.7V ~ 5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -90dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 700mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG612AEN-T1-E4 DG612AEN-T1-E4 Vishay Siliconix DG611A-13A.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16MINIQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG612AEQ-T1-E3 DG612AEQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG611A-13A.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG612AEY-T1-E3 DG612AEY-T1-E3 Vishay Siliconix DG611A-13A.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG613AEN-T1-E4 DG613AEN-T1-E4 Vishay Siliconix dg611a.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16MINIQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG613AEQ-T1-E3 DG613AEQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg611a.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG613AEY-T1-E3 DG613AEY-T1-E3 Vishay Siliconix dg611a.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG636EQ-T1-E3 DG636EQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg636.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 115OHM 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 610MHz
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2.7V ~ 5V
Charge Injection: 0.1pC
Crosstalk: -88dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 52ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.1pF, 4.2pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9051DQ-T1-E3 DG9051DQ-T1-E3 Vishay Siliconix Description: IC MUX 8:1 40OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 40Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2.7V ~ 6V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -83dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 35ns, 30ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9424DQ-T1-E3 DG9424DQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg9424.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
на замовлення 8814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG9425DQ-T1-E3 DG9425DQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg9424.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX4 3OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 51ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 49pF, 37pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9426DQ-T1-E3 DG9426DQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg9424.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
на замовлення 11944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9122ADQ-T1-E3 SI9122ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix si9122a.pdf Description: IC REG CTRLR HALF-BRIDGE 20TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP21108DT-T1-E3 SIP21108DT-T1-E3 Vishay Siliconix sip21106.pdf Description: IC REG LIN POS ADJ 150MA TSOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2042DQ-T1-E3 DG2042DQ-T1-E3 Vishay Siliconix 72091.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG604EN-T1-E4 DG604EN-T1-E4 Vishay Siliconix dg604.pdf Description: IC MULTIPLEXER DUAL1X1 16MINIQFN
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG604EQ-T1-E3 DG604EQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg604.pdf Description: IC MULTIPLEXER DUAL 1X1 14TSSOP
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG613AEN-T1-E4 DG613AEN-T1-E4 Vishay Siliconix dg611a.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16MINIQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG613AEQ-T1-E3 DG613AEQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg611a.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG613AEY-T1-E3 DG613AEY-T1-E3 Vishay Siliconix dg611a.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9424DQ-T1-E3 DG9424DQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg9424.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
на замовлення 8814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG9426DQ-T1-E3 DG9426DQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg9424.pdf Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
на замовлення 11944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-GE3 SI1012X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1012rx.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3 SI1040X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1040x.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.69 грн
6000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1067X-T1-GE3 SI1067X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1067x.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY-T1-GE3 SI4398DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4398dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4642DY-T1-GE3 SI4642DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4642dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6544BDQ-T1-GE3 SI6544BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72244.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-GE3 SI6968BEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix si6968be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-GE3 SI7309DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7309dn.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.34 грн
6000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3 SI7431DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7431dp.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-GE3 SI7454DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7454dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-GE3 SI7686DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7686dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7904bdn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-GE3 SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72615.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA443DJ-T1-GE3 SIA443DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia443dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-GE3 SIA450DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia450dj.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA810DJ-T1-GE3 SIA810DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia810dj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-T1-GE3 SIA811DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia811dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB412DK-T1-GE3 SIB412DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib412dk.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3 SI7135DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7135dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3 SI1046R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1046r.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046X-T1-GE3 SI1046X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1046x.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1051X-T1-GE3 SI1051X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1051x.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1054X-T1-GE3 SI1054X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1054x.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-GE3 SI1069X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1069x.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1073X-T1-GE3 SI1073X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1073x.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2301cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.41 грн
6000+10.24 грн
9000+9.57 грн
15000+8.68 грн
21000+8.37 грн
30000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.63 грн
6000+10.13 грн
9000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2303cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.25 грн
6000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305ADS-T1-GE3 SI2305ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix Si2305ADS.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2307cds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.33 грн
6000+10.54 грн
9000+10.49 грн
15000+9.50 грн
21000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2316bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.70 грн
6000+14.33 грн
9000+13.26 грн
30000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2333cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.76 грн
6000+18.47 грн
9000+17.69 грн
15000+16.26 грн
21000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI5403DC-T1-GE3 SI5403DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5403dc.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI5406CDC-T1-GE3 SI5406CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5406cd.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5410DU-T1-GE3 SI5410DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5410du.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5418DU-T1-GE3 SI5418DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5418du.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5432DC-T1-GE3 SI5432DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5432dc.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG611AEN-T1-E4 DG611A-13A.pdf
DG611AEN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 115OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 720MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2.7V ~ 5V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -90dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 700mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 55ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2pF, 3pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG612AEN-T1-E4 DG611A-13A.pdf
DG612AEN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16MINIQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG612AEQ-T1-E3 DG611A-13A.pdf
DG612AEQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG612AEY-T1-E3 DG611A-13A.pdf
DG612AEY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG613AEN-T1-E4 dg611a.pdf
DG613AEN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16MINIQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG613AEQ-T1-E3 dg611a.pdf
DG613AEQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG613AEY-T1-E3 dg611a.pdf
DG613AEY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG636EQ-T1-E3 dg636.pdf
DG636EQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 115OHM 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 115Ohm
-3db Bandwidth: 610MHz
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2.7V ~ 5V
Charge Injection: 0.1pC
Crosstalk: -88dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 52ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.1pF, 4.2pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9051DQ-T1-E3
DG9051DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 8:1 40OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 40Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2.7V ~ 6V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -83dB @ 1MHz
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 35ns, 30ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9424DQ-T1-E3 dg9424.pdf
DG9424DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
на замовлення 8814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG9425DQ-T1-E3 dg9424.pdf
DG9425DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 3OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -77dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 51ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 49pF, 37pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9426DQ-T1-E3 dg9424.pdf
DG9426DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
на замовлення 11944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI9122ADQ-T1-E3 si9122a.pdf
SI9122ADQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG CTRLR HALF-BRIDGE 20TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP21108DT-T1-E3 sip21106.pdf
SIP21108DT-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG LIN POS ADJ 150MA TSOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2042DQ-T1-E3 72091.pdf
DG2042DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG604EN-T1-E4 dg604.pdf
DG604EN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MULTIPLEXER DUAL1X1 16MINIQFN
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG604EQ-T1-E3 dg604.pdf
DG604EQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MULTIPLEXER DUAL 1X1 14TSSOP
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG613AEN-T1-E4 dg611a.pdf
DG613AEN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16MINIQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG613AEQ-T1-E3 dg611a.pdf
DG613AEQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG613AEY-T1-E3 dg611a.pdf
DG613AEY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9424DQ-T1-E3 dg9424.pdf
DG9424DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
на замовлення 8814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG9426DQ-T1-E3 dg9424.pdf
DG9426DQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
на замовлення 11944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-GE3 si1012rx.pdf
SI1012X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3 si1040x.pdf
SI1040X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.69 грн
6000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1067X-T1-GE3 si1067x.pdf
SI1067X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4398DY-T1-GE3 si4398dy.pdf
SI4398DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4642DY-T1-GE3 si4642dy.pdf
SI4642DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6544BDQ-T1-GE3 72244.pdf
SI6544BDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-GE3 si6968be.pdf
SI6968BEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-GE3 si7309dn.pdf
SI7309DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.34 грн
6000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3 si7431dp.pdf
SI7431DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-GE3 si7454dp.pdf
SI7454DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-GE3 si7686dp.pdf
SI7686DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 si7904bdn.pdf
SI7904BDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-GE3 72615.pdf
SI7913DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA443DJ-T1-GE3 sia443dj.pdf
SIA443DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-GE3 sia450dj.pdf
SIA450DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA810DJ-T1-GE3 sia810dj.pdf
SIA810DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-T1-GE3 sia811dj.pdf
SIA811DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB412DK-T1-GE3 sib412dk.pdf
SIB412DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3 si7135dp.pdf
SI7135DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3 si1046r.pdf
SI1046R-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046X-T1-GE3 si1046x.pdf
SI1046X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1051X-T1-GE3 si1051x.pdf
SI1051X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1054X-T1-GE3 si1054x.pdf
SI1054X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-GE3 si1069x.pdf
SI1069X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1073X-T1-GE3 si1073x.pdf
SI1073X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.41 грн
6000+10.24 грн
9000+9.57 грн
15000+8.68 грн
21000+8.37 грн
30000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.63 грн
6000+10.13 грн
9000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.25 грн
6000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305ADS-T1-GE3 Si2305ADS.pdf
SI2305ADS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 si2307cds.pdf
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.33 грн
6000+10.54 грн
9000+10.49 грн
15000+9.50 грн
21000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3
SI2308BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 si2316bd.pdf
SI2316BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.70 грн
6000+14.33 грн
9000+13.26 грн
30000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.76 грн
6000+18.47 грн
9000+17.69 грн
15000+16.26 грн
21000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI5403DC-T1-GE3 si5403dc.pdf
SI5403DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI5406CDC-T1-GE3 si5406cd.pdf
SI5406CDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5410DU-T1-GE3 si5410du.pdf
SI5410DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5418DU-T1-GE3 si5418du.pdf
SI5418DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5432DC-T1-GE3 si5432dc.pdf
SI5432DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 54 72 90 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]