Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11099) > Сторінка 39 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 54 72 90 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4642DY-T1-GE3 SI4642DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4642dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6544BDQ-T1-GE3 SI6544BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72244.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-GE3 SI6968BEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix si6968be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-GE3 SI7309DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7309dn.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.38 грн
6000+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3 SI7431DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7431dp.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-GE3 SI7454DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7454dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-GE3 SI7686DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7686dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7904bdn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-GE3 SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72615.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA443DJ-T1-GE3 SIA443DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia443dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-GE3 SIA450DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia450dj.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA810DJ-T1-GE3 SIA810DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia810dj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-T1-GE3 SIA811DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia811dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB412DK-T1-GE3 SIB412DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib412dk.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3 SI7135DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7135dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8650 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3 SI1046R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1046r.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046X-T1-GE3 SI1046X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1046x.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1051X-T1-GE3 SI1051X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1051x.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1054X-T1-GE3 SI1054X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1054x.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-GE3 SI1069X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1069x.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1073X-T1-GE3 SI1073X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1073x.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2301cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.36 грн
6000+10.00 грн
9000+9.53 грн
15000+8.44 грн
21000+8.14 грн
30000+7.85 грн
75000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.81 грн
6000+11.31 грн
9000+10.78 грн
15000+9.56 грн
21000+9.24 грн
30000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2303cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.81 грн
6000+11.31 грн
9000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305ADS-T1-GE3 SI2305ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix Si2305ADS.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2307cds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.81 грн
6000+11.31 грн
9000+10.78 грн
15000+9.56 грн
21000+9.24 грн
30000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2316bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.30 грн
6000+14.87 грн
9000+13.77 грн
30000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2333cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.34 грн
6000+17.11 грн
9000+16.27 грн
15000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI5403DC-T1-GE3 SI5403DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5403dc.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI5406CDC-T1-GE3 SI5406CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5406cd.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5410DU-T1-GE3 SI5410DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5410du.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5418DU-T1-GE3 SI5418DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5418du.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5432DC-T1-GE3 SI5432DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5432dc.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5475DDC-T1-GE3 SI5475DDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5475ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5519DU-T1-GE3 SI5519DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5519du.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7102DN-T1-GE3 SI7102DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7102dn.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7115dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7123DN-T1-GE3 SI7123DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7123dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7160DP-T1-GE3 SI7160DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7160dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3 SI7164DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7164dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7170DP-T1-GE3 SI7170DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7170dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3 SI7172DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7172dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7174dp.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+112.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7178DP-T1-GE3 SI7178DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7178dp.pdf description Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+95.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7186DP-T1-GE3 SI7186DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7186dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DP-T1-GE3 SI7192DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7192dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7194DP-T1-GE3 SI7194DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7194dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7196DP-T1-GE3 SI7196DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7196dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7224DN-T1-GE3 SI7224DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7224dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3 SI7234DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7234dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-GE3 SI7322DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7322dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.78 грн
6000+48.41 грн
9000+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-GE3 SI7328DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7328dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7405BDN-T1-GE3 SI7405BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7405bd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-GE3 SI7460DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7460dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7601DN-T1-GE3 SI7601DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7611dn.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7620DN-T1-GE3 SI7620DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 150V 13A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-GE3 SI7634BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7634bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4642DY-T1-GE3 si4642dy.pdf
SI4642DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6544BDQ-T1-GE3 72244.pdf
SI6544BDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6968BEDQ-T1-GE3 si6968be.pdf
SI6968BEDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-GE3 si7309dn.pdf
SI7309DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.38 грн
6000+26.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7431DP-T1-GE3 si7431dp.pdf
SI7431DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 174mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7454DP-T1-GE3 si7454dp.pdf
SI7454DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7686DP-T1-GE3 si7686dp.pdf
SI7686DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 si7904bdn.pdf
SI7904BDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-GE3 72615.pdf
SI7913DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA443DJ-T1-GE3 sia443dj.pdf
SIA443DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA450DJ-T1-GE3 sia450dj.pdf
SIA450DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA810DJ-T1-GE3 sia810dj.pdf
SIA810DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811DJ-T1-GE3 sia811dj.pdf
SIA811DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB412DK-T1-GE3 sib412dk.pdf
SIB412DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7135DP-T1-GE3 si7135dp.pdf
SI7135DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8650 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+65.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3 si1046r.pdf
SI1046R-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046X-T1-GE3 si1046x.pdf
SI1046X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1051X-T1-GE3 si1051x.pdf
SI1051X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1054X-T1-GE3 si1054x.pdf
SI1054X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-GE3 si1069x.pdf
SI1069X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1073X-T1-GE3 si1073x.pdf
SI1073X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.36 грн
6000+10.00 грн
9000+9.53 грн
15000+8.44 грн
21000+8.14 грн
30000+7.85 грн
75000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.81 грн
6000+11.31 грн
9000+10.78 грн
15000+9.56 грн
21000+9.24 грн
30000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.81 грн
6000+11.31 грн
9000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305ADS-T1-GE3 Si2305ADS.pdf
SI2305ADS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 si2307cds.pdf
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.81 грн
6000+11.31 грн
9000+10.78 грн
15000+9.56 грн
21000+9.24 грн
30000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-GE3
SI2308BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 si2316bd.pdf
SI2316BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.30 грн
6000+14.87 грн
9000+13.77 грн
30000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.34 грн
6000+17.11 грн
9000+16.27 грн
15000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI5403DC-T1-GE3 si5403dc.pdf
SI5403DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI5406CDC-T1-GE3 si5406cd.pdf
SI5406CDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5410DU-T1-GE3 si5410du.pdf
SI5410DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5418DU-T1-GE3 si5418du.pdf
SI5418DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5432DC-T1-GE3 si5432dc.pdf
SI5432DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5475DDC-T1-GE3 si5475ddy.pdf
SI5475DDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5519DU-T1-GE3 si5519du.pdf
SI5519DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7102DN-T1-GE3 si7102dn.pdf
SI7102DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
SI7115DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+64.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121adn.pdf
SI7121DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7123DN-T1-GE3 si7123dn.pdf
SI7123DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7160DP-T1-GE3 si7160dp.pdf
SI7160DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3 si7164dp.pdf
SI7164DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7170DP-T1-GE3 si7170dp.pdf
SI7170DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3 si7172dp.pdf
SI7172DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+93.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 si7174dp.pdf
SI7174DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+112.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7178DP-T1-GE3 description si7178dp.pdf
SI7178DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+95.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7186DP-T1-GE3 si7186dp.pdf
SI7186DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DP-T1-GE3 si7192dp.pdf
SI7192DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7194DP-T1-GE3 si7194dp.pdf
SI7194DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7196DP-T1-GE3 si7196dp.pdf
SI7196DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7224DN-T1-GE3 si7224dn.pdf
SI7224DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3 si7234dp.pdf
SI7234DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-GE3 si7322dn.pdf
SI7322DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.78 грн
6000+48.41 грн
9000+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-GE3 si7328dn.pdf
SI7328DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7405BDN-T1-GE3 si7405bd.pdf
SI7405BDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-GE3 si7460dp.pdf
SI7460DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+69.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7601DN-T1-GE3
SI7601DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3 si7611dn.pdf
SI7611DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7620DN-T1-GE3
SI7620DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 13A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-GE3 si7634bd.pdf
SI7634BDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 54 72 90 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]