Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11808) > Сторінка 41 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 57 76 95 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2316BDS-T1-GE3 SI2316BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2316bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 61123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.62 грн
10+34.69 грн
100+24.02 грн
500+18.83 грн
1000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2333cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 36841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.85 грн
10+51.11 грн
100+33.52 грн
500+24.37 грн
1000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5403DC-T1-GE3 SI5403DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5403dc.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.86 грн
10+66.06 грн
100+44.04 грн
500+32.47 грн
1000+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5406CDC-T1-GE3 SI5406CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5406cd.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5410DU-T1-GE3 SI5410DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5410du.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5418DU-T1-GE3 SI5418DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5418du.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.88 грн
10+78.86 грн
100+53.02 грн
500+39.39 грн
1000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5432DC-T1-GE3 SI5432DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5432dc.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5475DDC-T1-GE3 SI5475DDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5475ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5519DU-T1-GE3 SI5519DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5519du.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7102DN-T1-GE3 SI7102DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7102dn.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 SI7115DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7115dn.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.92 грн
10+127.34 грн
100+87.68 грн
500+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 SI7121DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7121adn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.47 грн
10+77.62 грн
100+56.62 грн
500+42.07 грн
1000+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7123DN-T1-GE3 SI7123DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7123dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
на замовлення 17508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7160DP-T1-GE3 SI7160DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7160dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3 SI7164DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7164dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.38 грн
10+189.16 грн
100+132.80 грн
500+102.02 грн
1000+94.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3 SI7172DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7172dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.12 грн
10+160.25 грн
100+127.56 грн
500+101.30 грн
1000+85.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 SI7174DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7174dp.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7178DP-T1-GE3 SI7178DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7178dp.pdf description Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
на замовлення 6127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.16 грн
10+176.67 грн
100+123.59 грн
500+94.69 грн
1000+87.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7186DP-T1-GE3 SI7186DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7186dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DP-T1-GE3 SI7192DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7192dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7194DP-T1-GE3 SI7194DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7194dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7196DP-T1-GE3 SI7196DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7196dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7224DN-T1-GE3 SI7224DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7224dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3 SI7234DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7234dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 26387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.18 грн
10+197.41 грн
50+152.98 грн
100+130.12 грн
500+108.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-GE3 SI7322DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7322dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.27 грн
10+97.43 грн
100+75.77 грн
500+60.28 грн
1000+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-GE3 SI7328DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7328dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7405BDN-T1-GE3 SI7405BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7405bd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-GE3 SI7460DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7460dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.33 грн
10+139.36 грн
100+96.18 грн
500+72.94 грн
1000+67.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7611dn.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V
на замовлення 31966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.90 грн
10+109.69 грн
50+83.30 грн
100+70.18 грн
500+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7620DN-T1-GE3 SI7620DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 150V 13A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 5.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-GE3 SI7634BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7634bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.69 грн
10+119.32 грн
100+94.98 грн
500+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7658ADP-T1-GE3 SI7658ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7658adp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.76 грн
10+167.65 грн
100+117.65 грн
500+98.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7716ADN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 7458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.48 грн
10+79.70 грн
100+53.51 грн
500+39.66 грн
1000+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7718DN-T1-GE3 SI7718DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7718dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7720DN-T1-GE3 SI7720DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7720dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3 SI7738DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7738dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.78 грн
10+191.47 грн
100+134.93 грн
500+107.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7742DP-T1-GE3 SI7742DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7742dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7748DP-T1-GE3 SI7748DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7748dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7758DP-T1-GE3 SI7758DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7758dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7784DP-T1-GE3 SI7784DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7784dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7788DP-T1-GE3 SI7788DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7788dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7790DP-T1-GE3 SI7790DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7790dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7802DN-T1-GE3 SI7802DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7802dn.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-GE3 SI7848BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7848bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.16 грн
10+174.44 грн
100+122.21 грн
500+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3 SI7852ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7852ad.pdf description Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.93 грн
10+142.91 грн
100+98.71 грн
500+74.91 грн
1000+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7882DP-T1-GE3 SI7882DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 71858.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7884bd.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.07 грн
10+108.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7905DN-T1-GE3 SI7905DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7905dn.pdf Description: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7940DP-T1-GE3 SI7940DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 71845.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7948DP-T1-GE3 SI7948DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7948dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7980DP-T1-GE3 Si7980DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7980dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
на замовлення 8085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7994DP-T1-GE3 SI7994DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7994dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 46W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.15 грн
10+210.59 грн
100+170.35 грн
500+142.11 грн
1000+121.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA408DJ-T1-GE3 SIA408DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia408dj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3 SIA413DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SiA413DJ_RevD_21-May-12.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 141390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.06 грн
10+60.82 грн
100+40.41 грн
500+29.69 грн
1000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3 SIA414DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia414dj.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V
на замовлення 17033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.63 грн
10+35.84 грн
100+27.87 грн
500+22.17 грн
1000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA415DJ-T1-GE3 SIA415DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia415dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA417DJ-T1-GE3 SIA417DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia417dj.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA419DJ-T1-GE3 SIA419DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia419dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA421DJ-T1-GE3 SIA421DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia421dj.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 53213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.24 грн
10+61.36 грн
100+47.83 грн
500+37.08 грн
1000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA426DJ-T1-GE3 SIA426DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia426dj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
на замовлення 8006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3 si2316bd.pdf
SI2316BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 61123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.62 грн
10+34.69 грн
100+24.02 грн
500+18.83 грн
1000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 36841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.85 грн
10+51.11 грн
100+33.52 грн
500+24.37 грн
1000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5403DC-T1-GE3 si5403dc.pdf
SI5403DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.86 грн
10+66.06 грн
100+44.04 грн
500+32.47 грн
1000+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5406CDC-T1-GE3 si5406cd.pdf
SI5406CDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5410DU-T1-GE3 si5410du.pdf
SI5410DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5418DU-T1-GE3 si5418du.pdf
SI5418DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.88 грн
10+78.86 грн
100+53.02 грн
500+39.39 грн
1000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5432DC-T1-GE3 si5432dc.pdf
SI5432DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5475DDC-T1-GE3 si5475ddy.pdf
SI5475DDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5519DU-T1-GE3 si5519du.pdf
SI5519DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7102DN-T1-GE3 si7102dn.pdf
SI7102DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
SI7115DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.92 грн
10+127.34 грн
100+87.68 грн
500+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121DN-T1-GE3 si7121adn.pdf
SI7121DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.47 грн
10+77.62 грн
100+56.62 грн
500+42.07 грн
1000+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7123DN-T1-GE3 si7123dn.pdf
SI7123DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
на замовлення 17508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7160DP-T1-GE3 si7160dp.pdf
SI7160DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7164DP-T1-GE3 si7164dp.pdf
SI7164DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.38 грн
10+189.16 грн
100+132.80 грн
500+102.02 грн
1000+94.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3 si7172dp.pdf
SI7172DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.12 грн
10+160.25 грн
100+127.56 грн
500+101.30 грн
1000+85.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3 si7174dp.pdf
SI7174DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7178DP-T1-GE3 description si7178dp.pdf
SI7178DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
на замовлення 6127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+280.16 грн
10+176.67 грн
100+123.59 грн
500+94.69 грн
1000+87.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7186DP-T1-GE3 si7186dp.pdf
SI7186DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DP-T1-GE3 si7192dp.pdf
SI7192DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7194DP-T1-GE3 si7194dp.pdf
SI7194DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7196DP-T1-GE3 si7196dp.pdf
SI7196DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7224DN-T1-GE3 si7224dn.pdf
SI7224DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7234DP-T1-GE3 si7234dp.pdf
SI7234DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 26387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+312.18 грн
10+197.41 грн
50+152.98 грн
100+130.12 грн
500+108.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-GE3 si7322dn.pdf
SI7322DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.27 грн
10+97.43 грн
100+75.77 грн
500+60.28 грн
1000+49.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-GE3 si7328dn.pdf
SI7328DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7405BDN-T1-GE3 si7405bd.pdf
SI7405BDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7460DP-T1-GE3 si7460dp.pdf
SI7460DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.33 грн
10+139.36 грн
100+96.18 грн
500+72.94 грн
1000+67.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7611DN-T1-GE3 si7611dn.pdf
SI7611DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V
на замовлення 31966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.90 грн
10+109.69 грн
50+83.30 грн
100+70.18 грн
500+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7620DN-T1-GE3
SI7620DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 13A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 5.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7634BDP-T1-GE3 si7634bd.pdf
SI7634BDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.69 грн
10+119.32 грн
100+94.98 грн
500+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7658ADP-T1-GE3 si7658adp.pdf
SI7658ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4590 pF @ 15 V
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.76 грн
10+167.65 грн
100+117.65 грн
500+98.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN.pdf
SI7716ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 7458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.48 грн
10+79.70 грн
100+53.51 грн
500+39.66 грн
1000+36.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7718DN-T1-GE3 si7718dn.pdf
SI7718DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7720DN-T1-GE3 si7720dn.pdf
SI7720DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7738DP-T1-GE3 si7738dp.pdf
SI7738DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 75 V
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.78 грн
10+191.47 грн
100+134.93 грн
500+107.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7742DP-T1-GE3 si7742dp.pdf
SI7742DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7748DP-T1-GE3 si7748dp.pdf
SI7748DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7758DP-T1-GE3 si7758dp.pdf
SI7758DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7784DP-T1-GE3 si7784dp.pdf
SI7784DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7788DP-T1-GE3 si7788dp.pdf
SI7788DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7790DP-T1-GE3 si7790dp.pdf
SI7790DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7802DN-T1-GE3 si7802dn.pdf
SI7802DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7848BDP-T1-GE3 si7848bdp.pdf
SI7848BDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.16 грн
10+174.44 грн
100+122.21 грн
500+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852ADP-T1-GE3 description si7852ad.pdf
SI7852ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.93 грн
10+142.91 грн
100+98.71 грн
500+74.91 грн
1000+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7882DP-T1-GE3 71858.pdf
SI7882DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3 si7884bd.pdf
SI7884BDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.07 грн
10+108.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7905DN-T1-GE3 si7905dn.pdf
SI7905DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7940DP-T1-GE3 71845.pdf
SI7940DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7948DP-T1-GE3 si7948dp.pdf
SI7948DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7980DP-T1-GE3 si7980dp.pdf
Si7980DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
на замовлення 8085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7994DP-T1-GE3 si7994dp.pdf
SI7994DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 46W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.15 грн
10+210.59 грн
100+170.35 грн
500+142.11 грн
1000+121.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA408DJ-T1-GE3 sia408dj.pdf
SIA408DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA413DJ-T1-GE3 SiA413DJ_RevD_21-May-12.pdf
SIA413DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V
на замовлення 141390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.06 грн
10+60.82 грн
100+40.41 грн
500+29.69 грн
1000+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA414DJ-T1-GE3 sia414dj.pdf
SIA414DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 4 V
на замовлення 17033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+45.63 грн
10+35.84 грн
100+27.87 грн
500+22.17 грн
1000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA415DJ-T1-GE3 sia415dj.pdf
SIA415DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA417DJ-T1-GE3 sia417dj.pdf
SIA417DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA419DJ-T1-GE3 sia419dj.pdf
SIA419DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA421DJ-T1-GE3 sia421dj.pdf
SIA421DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 53213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.24 грн
10+61.36 грн
100+47.83 грн
500+37.08 грн
1000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA426DJ-T1-GE3 sia426dj.pdf
SIA426DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
на замовлення 8006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 57 76 95 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]