Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11099) > Сторінка 53 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 72 90 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI7872DP-T1-GE3 SI7872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7872dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-GE3 SI7900AEDN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7900aedn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-GE3 SI7911DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72340.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-GE3 SI7923DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72622.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.57 грн
6000+49.64 грн
9000+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7938dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.04 грн
6000+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946DP-T1-GE3 SI7946DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 72282.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-GE3 SI7949DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 73130.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 SI7956DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 72960.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3 SI7997DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7997dp.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8445DB-T2-E1 SI8445DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8445db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 4MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si8447DB-T2-E1 Si8447DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8447db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 11A 6MICRO FOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si8451DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8451DB.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8461DB-T2-E1 SI8461DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8461db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8467DB-T2-E1 SI8467DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8467db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8473EDB-T1-E1 SI8473EDB-T1-E1 Vishay Siliconix si8473edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8475EDB-T1-E1 SI8475EDB-T1-E1 Vishay Siliconix si8475edb.pdf Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8499DB-T2-E1 SI8499DB-T2-E1 Vishay Siliconix si8499db.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.18 грн
6000+16.12 грн
9000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8800EDB-T2-E1 SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix si8800edb.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 8 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.34 грн
6000+11.11 грн
9000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI9433BDY-T1-GE3 SI9433BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9433bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9934BDY-T1-GE3 SI9934BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA406DJ-T1-GE3 SIA406DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia406dj.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA425EDJ-T1-GE3 SIA425EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia425ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427DJ-T1-GE3 SIA427DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA427DJ.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.24 грн
6000+12.59 грн
9000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 SIA433EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia433edj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.51 грн
6000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 SIA517DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia517dj.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.17 грн
6000+13.78 грн
9000+12.97 грн
15000+11.71 грн
21000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3 SIA519EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia519edj.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.90 грн
6000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3 SIA533EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia533edj.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA778DJ-T1-GE3 SIA778DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia778dj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3 SIA910EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia910edj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T1-GE3 SIA923EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia923edj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA950DJ-T1-GE3 SIA950DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia950dj.pdf Description: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 190V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3 SIA975DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia975dj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.59 грн
6000+15.22 грн
9000+14.46 грн
15000+13.36 грн
21000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIB406EDK-T1-GE3 SIB406EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib406ed.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3 SIB422EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib422edk.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.62 грн
6000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIB433EDK-T1-GE3 SIB433EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib433ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB455EDK-T1-GE3 SIB455EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB488DK-T1-GE3 SIB488DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib488dk.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiB900EDK-T1-GE3 SiB900EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib900ed.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB912DK-T1-GE3 SIB912DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib912dk.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6L Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 1.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6L Dual
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.03 грн
6000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIE818DF-T1-GE3 SIE818DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie818df.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 38 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE820DF-T1-GE3 SIE820DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie820df.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PolarPAK® (S)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (S)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE822DF-T1-GE3 SIE822DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie822df.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE832DF-T1-GE3 SIE832DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie832df.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE836DF-T1-GE3 SIE836DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie836df.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE848DF-T1-GE3 SIE848DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie848df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE854DF-T1-GE3 SIE854DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie854df.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE860DF-T1-GE3 SIE860DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie860df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE864DF-T1-GE3 SIE864DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE864DF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE868DF-T1-GE3 SIE868DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie868df.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE878DF-T1-GE3 SIE878DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie878df.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 45A 10POLARPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ420DP-T1-GE3 SIJ420DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij420dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ458DP-T1-GE3 SIJ458DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij458dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3 SIR158DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir158dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.70 грн
6000+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164DP-T1-GE3 SIR164DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir164dp-new.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR408DP-T1-GE3 SIR408DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir408dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR412DP-T1-GE3 SIR412DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir412dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3 SIR414DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir414dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3 SIR800DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir800dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR802DP-T1-GE3 SIR802DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir802dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3 SIR804DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir804dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7872DP-T1-GE3 si7872dp.pdf
SI7872DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-GE3 si7900aedn.pdf
SI7900AEDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-GE3 72340.pdf
SI7911DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7923DN-T1-GE3 72622.pdf
SI7923DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+53.57 грн
6000+49.64 грн
9000+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 si7938dp.pdf
SI7938DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+46.04 грн
6000+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946DP-T1-GE3 72282.pdf
SI7946DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-GE3 73130.pdf
SI7949DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7956DP-T1-GE3 72960.pdf
SI7956DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7997DP-T1-GE3 si7997dp.pdf
SI7997DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8445DB-T2-E1 si8445db.pdf
SI8445DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 4MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si8447DB-T2-E1 si8447db.pdf
Si8447DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 11A 6MICRO FOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si8451DB-T2-E1 SI8451DB.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8461DB-T2-E1 si8461db.pdf
SI8461DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8467DB-T2-E1 si8467db.pdf
SI8467DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8473EDB-T1-E1 si8473edb.pdf
SI8473EDB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8475EDB-T1-E1 si8475edb.pdf
SI8475EDB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8499DB-T2-E1 si8499db.pdf
SI8499DB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.77W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.18 грн
6000+16.12 грн
9000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI8800EDB-T2-E1 si8800edb.pdf
SI8800EDB-T2-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-Microfoot
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 8 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.34 грн
6000+11.11 грн
9000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI9433BDY-T1-GE3 si9433bd.pdf
SI9433BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI9934BDY-T1-GE3
SI9934BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA406DJ-T1-GE3 sia406dj.pdf
SIA406DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4.5A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA425EDJ-T1-GE3 sia425ed.pdf
SIA425EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA427DJ-T1-GE3 SIA427DJ.pdf
SIA427DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 4 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.24 грн
6000+12.59 грн
9000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA433EDJ-T1-GE3 sia433edj.pdf
SIA433EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.51 грн
6000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 sia517dj.pdf
SIA517DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.17 грн
6000+13.78 грн
9000+12.97 грн
15000+11.71 грн
21000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA519EDJ-T1-GE3 sia519edj.pdf
SIA519EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 246000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.90 грн
6000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA533EDJ-T1-GE3 sia533edj.pdf
SIA533EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA778DJ-T1-GE3 sia778dj.pdf
SIA778DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3 sia910edj.pdf
SIA910EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T1-GE3 sia923edj.pdf
SIA923EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA950DJ-T1-GE3 sia950dj.pdf
SIA950DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 190V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA975DJ-T1-GE3 sia975dj.pdf
SIA975DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.59 грн
6000+15.22 грн
9000+14.46 грн
15000+13.36 грн
21000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIB406EDK-T1-GE3 sib406ed.pdf
SIB406EDK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB422EDK-T1-GE3 sib422edk.pdf
SIB422EDK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.62 грн
6000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIB433EDK-T1-GE3 sib433ed.pdf
SIB433EDK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB455EDK-T1-GE3
SIB455EDK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB488DK-T1-GE3 sib488dk.pdf
SIB488DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiB900EDK-T1-GE3 sib900ed.pdf
SiB900EDK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB912DK-T1-GE3 sib912dk.pdf
SIB912DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6L Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 1.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6L Dual
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.03 грн
6000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIE818DF-T1-GE3 sie818df.pdf
SIE818DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 38 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE820DF-T1-GE3 sie820df.pdf
SIE820DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PolarPAK® (S)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (S)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE822DF-T1-GE3 sie822df.pdf
SIE822DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE832DF-T1-GE3 sie832df.pdf
SIE832DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE836DF-T1-GE3 sie836df.pdf
SIE836DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE848DF-T1-GE3 sie848df.pdf
SIE848DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE854DF-T1-GE3 sie854df.pdf
SIE854DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE860DF-T1-GE3 sie860df.pdf
SIE860DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE864DF-T1-GE3 SIE864DF.pdf
SIE864DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE868DF-T1-GE3 sie868df.pdf
SIE868DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE878DF-T1-GE3 sie878df.pdf
SIE878DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 45A 10POLARPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ420DP-T1-GE3 sij420dp.pdf
SIJ420DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ458DP-T1-GE3 sij458dp.pdf
SIJ458DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3 sir158dp.pdf
SIR158DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+55.70 грн
6000+53.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164DP-T1-GE3 sir164dp-new.pdf
SIR164DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR408DP-T1-GE3 sir408dp.pdf
SIR408DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR412DP-T1-GE3 sir412dp.pdf
SIR412DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3 sir414dp.pdf
SIR414DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3 sir800dp.pdf
SIR800DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR802DP-T1-GE3 sir802dp.pdf
SIR802DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3 sir804dp.pdf
SIR804DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 72 90 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]