Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1585) > Сторінка 26 з 27

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMS10N04TS WMS10N04TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.36 грн
32+12.67 грн
40+10.08 грн
100+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10N04TS WMS10N04TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.83 грн
20+15.78 грн
25+12.10 грн
100+11.42 грн
500+10.07 грн
2000+9.00 грн
4000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS119N10LG2 WAYON WMS119N10LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.78 грн
37+31.08 грн
102+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMS11P02TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -44A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS11P04T1 WAYON WMS11P04T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.37 грн
100+11.52 грн
274+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMS12P03T1 WAYON WMS12P03T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.14 грн
107+10.75 грн
293+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS13N03T1 WMS13N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 66A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.88 грн
30+13.47 грн
36+11.21 грн
100+10.65 грн
500+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS13N03T1 WMS13N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 66A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.66 грн
18+16.79 грн
25+13.46 грн
100+12.78 грн
500+11.23 грн
2000+10.26 грн
4000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMS13P04T1 WMS13P04T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -13A; Idm: -52A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -52A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+32.15 грн
23+17.91 грн
26+16.05 грн
100+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMS13P04T1 WMS13P04T1 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -13A; Idm: -52A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -52A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+38.58 грн
14+22.32 грн
25+19.27 грн
100+17.04 грн
500+15.78 грн
2000+14.81 грн
4000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMS140DNV6LG4 WMS140DNV6LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+33.02 грн
23+17.75 грн
28+14.68 грн
100+12.91 грн
500+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMS140DNV6LG4 WMS140DNV6LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.62 грн
14+22.12 грн
25+17.62 грн
100+15.49 грн
500+14.42 грн
2000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMS140NV6LG4 WAYON WMS140NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.42 грн
96+11.91 грн
264+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMS14DN03T1 WMS14DN03T1 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 56A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+42.57 грн
22+18.96 грн
26+15.81 грн
100+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WMS14DN03T1 WMS14DN03T1 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 56A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+51.09 грн
13+23.63 грн
25+18.98 грн
100+17.91 грн
500+15.88 грн
2000+14.13 грн
4000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS14P03T1 WAYON WMS14P03T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.83 грн
79+14.62 грн
216+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15N03T1 WAYON WMS15N03T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.89 грн
81+14.23 грн
221+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15P02T1 WAYON WMS15P02T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.71 грн
102+11.23 грн
280+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175DN10LG4 WAYON WMS175DN10LG4-CYG Multi channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.17 грн
41+28.37 грн
111+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10HG4 WAYON WMS175N10HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.85 грн
74+15.49 грн
203+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10LG4 WAYON WMS175N10LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.92 грн
66+17.33 грн
181+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS17P03TS WAYON WMS17P03TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.91 грн
48+23.91 грн
132+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2 WMS240N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+32.15 грн
24+17.18 грн
29+14.12 грн
100+12.50 грн
500+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2 WMS240N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+38.58 грн
15+21.41 грн
25+16.94 грн
100+15.01 грн
500+13.94 грн
2000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMS690N15HG2 WAYON WMS690N15HG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.76 грн
39+29.62 грн
106+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS WMT04N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.54 грн
35+11.62 грн
47+8.71 грн
100+7.74 грн
250+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS WMT04N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.45 грн
21+14.48 грн
28+10.46 грн
100+9.29 грн
250+8.33 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N15TS WMT04N15TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.88 грн
22+18.64 грн
25+16.78 грн
100+14.84 грн
250+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N15TS WMT04N15TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.66 грн
13+23.22 грн
25+20.14 грн
100+17.81 грн
250+15.97 грн
1000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04P06TS WAYON WMT04P06TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.84 грн
89+12.88 грн
244+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04P10TS WAYON WMT04P10TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.89 грн
81+14.23 грн
221+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N10T1 WAYON WMT05N10T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.84 грн
89+12.88 грн
244+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N12TS WAYON WMT05N12TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.85 грн
74+15.49 грн
203+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMT07N03T1 WAYON WMT07N03T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.58 грн
144+7.94 грн
396+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMT07N06TS WMT07N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+39.10 грн
27+15.17 грн
35+11.54 грн
100+10.17 грн
250+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WMT07N06TS WMT07N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.92 грн
16+18.90 грн
25+13.84 грн
100+12.20 грн
250+10.94 грн
1000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMT07N10TS WAYON WMT07N10TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.96 грн
92+12.49 грн
253+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2 WMU080N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.42 грн
10+50.75 грн
50+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2 WMU080N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.11 грн
10+63.24 грн
50+54.02 грн
250+48.41 грн
1000+46.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1 WMX3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.90 грн
30+75.84 грн
120+66.96 грн
300+63.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1 WMX3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.90 грн
5+104.56 грн
30+91.00 грн
120+80.35 грн
300+76.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMX4N150D1 WAYON WMX4N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.24 грн
14+86.16 грн
37+81.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ13N65EM WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.205Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF WSRSIC004065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.8µA
Kind of package: tube
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+86.01 грн
10+71.80 грн
50+62.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF WSRSIC004065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.8µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+103.22 грн
10+89.48 грн
50+75.51 грн
250+68.74 грн
1000+67.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC005120NNI WSRSIC005120NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 43A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+132.93 грн
10+111.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC005120NNI WSRSIC005120NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 43A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.52 грн
10+138.74 грн
50+118.11 грн
250+116.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NNI WSRSIC006065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 40A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+128.59 грн
10+107.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NNI WSRSIC006065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 40A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+154.30 грн
10+133.71 грн
50+113.27 грн
250+102.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NPC WSRSIC006065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+80.80 грн
10+67.77 грн
50+59.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NPC WSRSIC006065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.96 грн
10+84.45 грн
50+71.64 грн
100+65.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI WSRSIC008065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+132.93 грн
10+112.14 грн
50+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI WSRSIC008065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.52 грн
10+139.74 грн
50+119.08 грн
250+106.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10N04TS
WMS10N04TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.36 грн
32+12.67 грн
40+10.08 грн
100+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WMS10N04TS
WMS10N04TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.83 грн
20+15.78 грн
25+12.10 грн
100+11.42 грн
500+10.07 грн
2000+9.00 грн
4000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS119N10LG2
Виробник: WAYON
WMS119N10LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.78 грн
37+31.08 грн
102+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMS11P02TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -44A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS11P04T1
Виробник: WAYON
WMS11P04T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.37 грн
100+11.52 грн
274+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMS12P03T1
Виробник: WAYON
WMS12P03T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.14 грн
107+10.75 грн
293+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS13N03T1
WMS13N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 66A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.88 грн
30+13.47 грн
36+11.21 грн
100+10.65 грн
500+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMS13N03T1
WMS13N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 66A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.66 грн
18+16.79 грн
25+13.46 грн
100+12.78 грн
500+11.23 грн
2000+10.26 грн
4000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMS13P04T1
WMS13P04T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -13A; Idm: -52A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -52A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.15 грн
23+17.91 грн
26+16.05 грн
100+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMS13P04T1
WMS13P04T1
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -13A; Idm: -52A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -52A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.58 грн
14+22.32 грн
25+19.27 грн
100+17.04 грн
500+15.78 грн
2000+14.81 грн
4000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMS140DNV6LG4
WMS140DNV6LG4
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.02 грн
23+17.75 грн
28+14.68 грн
100+12.91 грн
500+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMS140DNV6LG4
WMS140DNV6LG4
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.62 грн
14+22.12 грн
25+17.62 грн
100+15.49 грн
500+14.42 грн
2000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMS140NV6LG4
Виробник: WAYON
WMS140NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.42 грн
96+11.91 грн
264+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMS14DN03T1
WMS14DN03T1
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 56A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.57 грн
22+18.96 грн
26+15.81 грн
100+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WMS14DN03T1
WMS14DN03T1
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 56A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.09 грн
13+23.63 грн
25+18.98 грн
100+17.91 грн
500+15.88 грн
2000+14.13 грн
4000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS14P03T1
Виробник: WAYON
WMS14P03T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.83 грн
79+14.62 грн
216+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15N03T1
Виробник: WAYON
WMS15N03T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.89 грн
81+14.23 грн
221+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMS15P02T1
Виробник: WAYON
WMS15P02T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.71 грн
102+11.23 грн
280+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175DN10LG4
Виробник: WAYON
WMS175DN10LG4-CYG Multi channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.17 грн
41+28.37 грн
111+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10HG4
Виробник: WAYON
WMS175N10HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.85 грн
74+15.49 грн
203+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10LG4
Виробник: WAYON
WMS175N10LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.92 грн
66+17.33 грн
181+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS17P03TS
Виробник: WAYON
WMS17P03TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.91 грн
48+23.91 грн
132+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2
WMS240N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.15 грн
24+17.18 грн
29+14.12 грн
100+12.50 грн
500+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2
WMS240N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.58 грн
15+21.41 грн
25+16.94 грн
100+15.01 грн
500+13.94 грн
2000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMS690N15HG2
Виробник: WAYON
WMS690N15HG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.76 грн
39+29.62 грн
106+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS
WMT04N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.54 грн
35+11.62 грн
47+8.71 грн
100+7.74 грн
250+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS
WMT04N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.45 грн
21+14.48 грн
28+10.46 грн
100+9.29 грн
250+8.33 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N15TS
WMT04N15TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.88 грн
22+18.64 грн
25+16.78 грн
100+14.84 грн
250+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N15TS
WMT04N15TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.66 грн
13+23.22 грн
25+20.14 грн
100+17.81 грн
250+15.97 грн
1000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04P06TS
Виробник: WAYON
WMT04P06TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.84 грн
89+12.88 грн
244+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04P10TS
Виробник: WAYON
WMT04P10TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.89 грн
81+14.23 грн
221+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N10T1
Виробник: WAYON
WMT05N10T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.84 грн
89+12.88 грн
244+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N12TS
Виробник: WAYON
WMT05N12TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.85 грн
74+15.49 грн
203+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMT07N03T1
Виробник: WAYON
WMT07N03T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.58 грн
144+7.94 грн
396+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMT07N06TS
WMT07N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+39.10 грн
27+15.17 грн
35+11.54 грн
100+10.17 грн
250+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WMT07N06TS
WMT07N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; Idm: 28A; 2.7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 2.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.92 грн
16+18.90 грн
25+13.84 грн
100+12.20 грн
250+10.94 грн
1000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMT07N10TS
Виробник: WAYON
WMT07N10TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.96 грн
92+12.49 грн
253+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2
WMU080N10HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.42 грн
10+50.75 грн
50+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2
WMU080N10HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.11 грн
10+63.24 грн
50+54.02 грн
250+48.41 грн
1000+46.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1
WMX3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.90 грн
30+75.84 грн
120+66.96 грн
300+63.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1
WMX3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 90W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7Ω
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Drain-source voltage: 1.5kV
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.90 грн
5+104.56 грн
30+91.00 грн
120+80.35 грн
300+76.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMX4N150D1
Виробник: WAYON
WMX4N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.24 грн
14+86.16 грн
37+81.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ13N65EM
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N60C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.205Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF
WSRSIC004065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.8µA
Kind of package: tube
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+86.01 грн
10+71.80 грн
50+62.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF
WSRSIC004065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.8µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.22 грн
10+89.48 грн
50+75.51 грн
250+68.74 грн
1000+67.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC005120NNI
WSRSIC005120NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 43A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+132.93 грн
10+111.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC005120NNI
WSRSIC005120NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 43A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.52 грн
10+138.74 грн
50+118.11 грн
250+116.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NNI
WSRSIC006065NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 40A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.59 грн
10+107.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NNI
WSRSIC006065NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 40A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.30 грн
10+133.71 грн
50+113.27 грн
250+102.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NPC
WSRSIC006065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.80 грн
10+67.77 грн
50+59.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NPC
WSRSIC006065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.96 грн
10+84.45 грн
50+71.64 грн
100+65.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI
WSRSIC008065NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+132.93 грн
10+112.14 грн
50+99.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI
WSRSIC008065NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.52 грн
10+139.74 грн
50+119.08 грн
250+106.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 21 22 23 24 25 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]