Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (127306) > Сторінка 2119 з 2122

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 212 424 636 848 1060 1272 1484 1696 1908 2114 2115 2116 2117 2118 2119 2120 2121 2122  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
XC886LM6FFI5VACFXUMA1 XC886LM6FFI5VACFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XC88X-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC886LM8FFI5VACFXUMA1 XC886LM8FFI5VACFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XC88X-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC8888FFI5VACFXUMA1 XC8888FFI5VACFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XC88X-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-LQFP-64
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC886C6FFI3V3ACFXUMA1 XC886C6FFI3V3ACFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XC88X-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: CAN x2,SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: CAN x2; SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSI INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 96W
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+211.06 грн
30+163.74 грн
50+156.95 грн
100+151.86 грн
300+133.20 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 139W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N50C3 SPD04N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPD04N50C3.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 4.5A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127 H6327 BSS127 H6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 0.65nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 16420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
226+15.72 грн
300+10.86 грн
500+10.18 грн
1000+9.59 грн
4000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4402F64F256ABXQMA1 XMC4402F64F256ABXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4400-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 80kBSRAM,256kBFLASH; 3.3VDC
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-64
Supply voltage: 3.3V DC
Interface: CAN x2; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Memory: 80kB SRAM; 256kB FLASH
Number of 16bit timers: 26
Family: XMC4400
Kind of core: 32-bit
Operating temperature: -40...85°C
Kind of architecture: Cortex M4
Number of A/D channels: 9
Number of inputs/outputs: 31
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP297H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.66A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA07N60C3 SPA07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPA07N60C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.12 грн
10+83.99 грн
25+64.48 грн
50+53.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3 SPP07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx07N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.52 грн
8+55.99 грн
10+50.90 грн
50+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 SPD07N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP_A_I07N60C3-DS-v03_02-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42de18b490c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE824523SAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE82452-3SA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d28a2858b1e15 Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE824533SAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE82453-3SA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d289949d61dff Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N75CP2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIKQ120N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0672206b14ee Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4568 INFINEON TECHNOLOGIES auirfp4568.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1d8751458 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 684A
Power dissipation: 517W
Technology: HEXFET®
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+1393.34 грн
9+1238.67 грн
10+1231.88 грн
20+1201.34 грн
30+1071.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4568-E INFINEON TECHNOLOGIES auirfp4568.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1d8751458 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; 517W; TO247; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 517W
Technology: HEXFET®
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+1592.51 грн
5+1029.96 грн
10+968.03 грн
30+927.30 грн
50+827.19 грн
100+821.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D1030N26TXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES D1030N.pdf Category: Diode modules
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D1031SH45TXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TRPBF IRFR3711TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3711pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1415KV18-250BZXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1411KV18_CY7C1426KV18_CY7C1413KV18_CY7C1415KV18_36-Mbit_QDR_II_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd4aea2fa7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 36Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx36bit
Case: FBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7545TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh7545pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f1e511ef1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 54A; Idm: 340A; 83W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 83W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ200N75CP2XKSA1 AIKQ200N75CP2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIKQ200N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0656853314e6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 750V; 200A; 535W; PG-TO247-3-U01
Case: PG-TO247-3-U01
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 750V
Power dissipation: 535W
Gate charge: 1260nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 600A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 202ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 344ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+920.97 грн
5+761.02 грн
10+730.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC360N15NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 74W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC160N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5c20df631fd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EUTBSC360N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Transistors - Unclassified
Description: EUTBSC360N15NS3GATMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 56A; Idm: 224A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 224A
Gate charge: 19nC
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 16mΩ
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+213.80 грн
30+165.44 грн
50+158.65 грн
100+154.41 грн
300+135.74 грн
500+134.90 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGQ100N120S7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IGQ100N120S7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a59a2439786d Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 188A; 824W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 188A
Power dissipation: 824W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5302VH6327XTSA1 BBY5302VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 6V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape
Case: SC79
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 6V
Load current: 20mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.77 грн
15+29.27 грн
25+24.94 грн
100+19.85 грн
500+14.51 грн
1000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB439E6327HTSA1 BB439E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BB439-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 28V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Case: SOD323
Capacitance: 5.1...53pF
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 28V
Load current: 20mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB837E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bb837_bb857series.pdf?folderId=db3a304313d846880113d94414f400fc&fileId=db3a304313d846880113d97339a9011a Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5602VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5702VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bby57series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113de4dfd070341 Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY6502VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bby65series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113deb0006e03f6 Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BBY6602VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bby66series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113deb52d8e0400 Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 12V; 50mA; SC79; single diode; reel,tape
Case: SC79
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 12V
Load current: 50mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215P H6327 BSS215P H6327 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15443-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -20V; -1.5A; 500mW; SOT23-3
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23-3
Power dissipation: 0.5W
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
421+12.61 грн
500+11.03 грн
1000+10.44 грн
4000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfp181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142665c77b0601&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bfp181.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD3172-24LQXQ INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CCG3PA-NFET_USB_Type-C_Port_Controller-AdditionalTechnicalInformation-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea4c007347 Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP30R06KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FP30R06KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 125W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 60A
Application: Inverter
Max. off-state voltage: 0.6kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP50R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4332c9b5a83 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 60A; AG-ECONO2C; Inverter; 190W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 60A
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Technology: Field Stop; Trench
Case: AG-ECONO2C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R06KE3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP75R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43330245a87 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 95A; AG-ECONO3-3; Inverter; 250W
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 95A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 250W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R06KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS50R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b432ea305a10 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 70A; AG-ECONO2B; Inverter; 190W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 190W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R06KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS75R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b432edc65a14 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter; 250W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 250W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R06KE3 FF300R06KE3 INFINEON TECHNOLOGIES FF300R06KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 940W
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 0.6kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4615TRL INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS11820-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R4K5P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6W
Gate charge: 4nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.61 грн
11+39.20 грн
13+34.61 грн
50+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R1K4P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R2K4P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.3W
Gate charge: 8nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.8W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R750P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7.2W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R3K3P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.1W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R600P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7.4W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L-08 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 50A; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Case: DPAK
On-state resistance: 7.8mΩ
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
74+64.78 грн
100+55.06 грн
300+51.84 грн
500+51.24 грн
1000+45.56 грн
2000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XC886LM6FFI5VACFXUMA1 XC88X-DTE.pdf
XC886LM6FFI5VACFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC886LM8FFI5VACFXUMA1 XC88X-DTE.pdf
XC886LM8FFI5VACFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC8888FFI5VACFXUMA1 XC88X-DTE.pdf
XC8888FFI5VACFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-LQFP-64
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 32kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC886C6FFI3V3ACFXUMA1 XC88X-DTE.pdf
XC886C6FFI3V3ACFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller 8051; Interface: CAN x2,SPI,UART x2; 3÷5VDC
Type of integrated circuit: microcontroller 8051
Clock frequency: 24MHz
Interface: CAN x2; SPI; UART x2
Supply voltage: 3...5V DC
Case: PG-TQFP-48
Mounting: SMD
Number of 16bit timers: 4
Number of PWM channels: 4
Memory: 1.75kB SRAM; 24kB FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Integrated circuit features: watchdog
Number of 10bit A/D converters: 8
Number of output compare channels: 1
Number of input capture channels: 1
Kind of core: 8-bit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 96W
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+211.06 грн
30+163.74 грн
50+156.95 грн
100+151.86 грн
300+133.20 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LS
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 139W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 139W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N50C3 description SPD04N50C3.pdf
SPD04N50C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 4.5A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 560V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127 H6327
BSS127 H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 0.65nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 16420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
226+15.72 грн
300+10.86 грн
500+10.18 грн
1000+9.59 грн
4000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4402F64F256ABXQMA1 XMC4400-DTE.pdf
XMC4402F64F256ABXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LQFP-64; 80kBSRAM,256kBFLASH; 3.3VDC
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Case: PG-LQFP-64
Supply voltage: 3.3V DC
Interface: CAN x2; GPIO; I2C; I2S; LIN; SPI; UART; USB
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; RTC; watchdog
Memory: 80kB SRAM; 256kB FLASH
Number of 16bit timers: 26
Family: XMC4400
Kind of core: 32-bit
Operating temperature: -40...85°C
Kind of architecture: Cortex M4
Number of A/D channels: 9
Number of inputs/outputs: 31
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1.pdf
BSP297H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.66A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA07N60C3 description SPA07N60C3.pdf
SPA07N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+115.12 грн
10+83.99 грн
25+64.48 грн
50+53.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3 SPx07N60C3.pdf
SPP07N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.52 грн
8+55.99 грн
10+50.90 грн
50+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60C3ATMA1 Infineon-SPD_U07N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1e7536e102d4
SPD07N60C3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3XKSA1 Infineon-SPP_A_I07N60C3-DS-v03_02-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42de18b490c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE824523SAAUMA1 Infineon-TLE82452-3SA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d28a2858b1e15
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE824533SAAUMA1 Infineon-TLE82453-3SA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d289949d61dff
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N75CP2XKSA1 Infineon-AIKQ120N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0672206b14ee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129E6327HTSA1 bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327XTSA1 bcr129series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143f7ab7820287
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4568 auirfp4568.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1d8751458
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; Idm: 684A; 517W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 684A
Power dissipation: 517W
Technology: HEXFET®
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+1393.34 грн
9+1238.67 грн
10+1231.88 грн
20+1201.34 грн
30+1071.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4568-E auirfp4568.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1d8751458
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 171A; 517W; TO247; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 517W
Technology: HEXFET®
Application: automotive industry
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+1592.51 грн
5+1029.96 грн
10+968.03 грн
30+927.30 грн
50+827.19 грн
100+821.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D1030N26TXPSA1 D1030N.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D1031SH45TXPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3711TRPBF irfr3711pbf.pdf
IRFR3711TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1415KV18-250BZXI Infineon-CY7C1411KV18_CY7C1426KV18_CY7C1413KV18_CY7C1415KV18_36-Mbit_QDR_II_SRAM_Four-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd4aea2fa7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 36Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx36bit
Case: FBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7545TRPBF irfh7545pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f1e511ef1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 54A; Idm: 340A; 83W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 54A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 83W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ200N75CP2XKSA1 Infineon-AIKQ200N75CP2-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f0656853314e6
AIKQ200N75CP2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 750V; 200A; 535W; PG-TO247-3-U01
Case: PG-TO247-3-U01
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 750V
Power dissipation: 535W
Gate charge: 1260nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 600A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 202ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 344ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+920.97 грн
5+761.02 грн
10+730.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3G-DTE.pdf
BSC360N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 74W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5ATMA1 Infineon-BSC160N15NS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a055b7215b1b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5SCATMA1 Infineon-BSC160N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5c20df631fd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EUTBSC360N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: EUTBSC360N15NS3GATMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N15NS5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 150V; 56A; Idm: 224A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 224A
Gate charge: 19nC
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 16mΩ
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+213.80 грн
30+165.44 грн
50+158.65 грн
100+154.41 грн
300+135.74 грн
500+134.90 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGQ100N120S7XKSA1 Infineon-IGQ100N120S7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185a59a2439786d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 188A; 824W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 188A
Power dissipation: 824W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5302VH6327XTSA1 INFNS15715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BBY5302VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 6V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape
Case: SC79
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 6V
Load current: 20mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+44.77 грн
15+29.27 грн
25+24.94 грн
100+19.85 грн
500+14.51 грн
1000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB439E6327HTSA1 BB439-DTE.pdf
BB439E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 28V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Case: SOD323
Capacitance: 5.1...53pF
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 28V
Load current: 20mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB837E6327HTSA1 bb837_bb857series.pdf?folderId=db3a304313d846880113d94414f400fc&fileId=db3a304313d846880113d97339a9011a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5602VH6327XTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5702VH6327XTSA1 bby57series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113de4dfd070341
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY6502VH6327XTSA1 bby65series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113deb0006e03f6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap
Type of diode: varicap
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BBY6602VH6327XTSA1 bby66series.pdf?folderId=db3a304313d846880113ddc160d402c0&fileId=db3a304313d846880113deb52d8e0400
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 12V; 50mA; SC79; single diode; reel,tape
Case: SC79
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 12V
Load current: 50mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215P H6327 INFNS15443-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS215P H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -20V; -1.5A; 500mW; SOT23-3
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23-3
Power dissipation: 0.5W
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
421+12.61 грн
500+11.03 грн
1000+10.44 грн
4000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP181E7764HTSA1 bfp181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142665c77b0601&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bfp181.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD3172-24LQXQ Infineon-CCG3PA-NFET_USB_Type-C_Port_Controller-AdditionalTechnicalInformation-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eea4c007347
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface
Type of integrated circuit: USB interface
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP30R06KE3BPSA1 FP30R06KE3.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 125W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 60A
Application: Inverter
Max. off-state voltage: 0.6kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP50R06KE3BPSA1 Infineon-FP50R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4332c9b5a83
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 60A; AG-ECONO2C; Inverter; 190W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 60A
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 190W
Technology: Field Stop; Trench
Case: AG-ECONO2C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R06KE3BOSA1 Infineon-FP75R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43330245a87
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 95A; AG-ECONO3-3; Inverter; 250W
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 95A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 250W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R06KE3BPSA1 Infineon-FS50R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b432ea305a10
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 70A; AG-ECONO2B; Inverter; 190W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 190W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R06KE3BPSA1 Infineon-FS75R06KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b432edc65a14
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 75A; AG-ECONO2B; Inverter; 250W
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 250W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R06KE3 FF300R06KE3.pdf
FF300R06KE3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 940W
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 0.6kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4615TRL IRSDS11820-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7.pdf
IPN80R4K5P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6W
Gate charge: 4nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.61 грн
11+39.20 грн
13+34.61 грн
50+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K4P7ATMA1 IPN80R2K4P7.pdf
IPN80R2K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.3W
Gate charge: 8nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.8W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7.pdf
IPN80R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7.2W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7.pdf
IPN80R3K3P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 6.1W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7.pdf
IPN80R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Power dissipation: 7.4W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L-08
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 50A; DPAK; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Case: DPAK
On-state resistance: 7.8mΩ
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+64.78 грн
100+55.06 грн
300+51.84 грн
500+51.24 грн
1000+45.56 грн
2000+45.39 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF irf1405spbf.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP842ESDH6327XTSA1 Infineon-BFP842ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff01663896cf294ebc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 212 424 636 848 1060 1272 1484 1696 1908 2114 2115 2116 2117 2118 2119 2120 2121 2122  [ Наступна Сторінка >> ]