Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (127306) > Сторінка 2118 з 2122

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 212 424 636 848 1060 1272 1484 1696 1908 2113 2114 2115 2116 2117 2118 2119 2120 2121 2122  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ITS5215LCUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ITS5215L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428dba73e98&ack=t Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60T INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0001300131-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 45A; 187W; TO247-3; Eoff: 0.77mJ
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 23ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 45A
Turn-off switching energy: 0.77mJ
Turn-on switching energy: 0.69mJ
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
Gate charge: 167nC
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+357.24 грн
30+291.00 грн
50+282.52 грн
100+276.58 грн
200+246.04 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R070C6FKSA1 IPW65R070C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R070C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFI010 S25FL128LAGMFI010 INFINEON TECHNOLOGIES S25FL.pdf Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SO8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SO8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+291.46 грн
5+223.13 грн
25+210.40 грн
50+202.77 грн
100+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS 70-04W H6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 29680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
425+12.61 грн
500+10.94 грн
1000+10.44 грн
4000+10.01 грн
5000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138W H6327 BSS138W H6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 280mA; 500mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 10309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
452+7.77 грн
500+6.45 грн
1000+5.94 грн
4000+5.51 грн
10000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 452 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GATELEADL500PB34701XPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Gate_leads_for_PB34-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd017940a7f0fb07da Category: Discrete semicon. modules - Unclass.
Description: Accessories: cable with crimped terminals
Type of accessories for semiconductors: cable with crimped terminals
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
53+106.90 грн
100+96.72 грн
500+87.39 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS87H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.77 грн
16+26.55 грн
100+16.80 грн
200+14.85 грн
250+14.34 грн
500+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2334STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irs2334-datasheet-en.pdf Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PP IRFS3006TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irfs3006-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 293A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW89359CUBGT INFINEON TECHNOLOGIES Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: IC: WIFi Network Controller
Type of integrated circuit: WIFi Network Controller
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IMZA65R007M2H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06L G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
114+52.26 грн
300+44.37 грн
500+43.61 грн
1000+38.69 грн
4000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+275.01 грн
10+172.23 грн
25+169.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS3036TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210LAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS5210L-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa3fecc9c104a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L06ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038818b620c96 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK3
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 128nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S405ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS14108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TO252-3-11
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 170nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L05ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038729a180c91 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S418AATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPG20N04S4-18A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4ca88ee717a0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC019N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC019N04NSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP25R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9545185 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 40A; ECONO2; Inverter; 155W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 40A
Case: ECONO2
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 155W
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD60981EPXUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD6098-1EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d37d2a26a6959 Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD60981EPXUMA3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLD6098-1EP-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d37d2a26a6959 Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123N H6327 BSS123N H6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 190mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 13246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
598+8.86 грн
1000+7.72 грн
4000+7.30 грн
10000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRLB3036-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153566033ea2589 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DPS368 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Pressure Sensors
Description: Sensor: pressure; 30÷120kPa; absolute; -40÷85°C
Type of sensor: pressure
Pressure measuring range: 30...120kPa
Operation mode: absolute
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+304.25 грн
30+241.79 грн
50+233.31 грн
100+227.37 грн
200+201.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX41E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX41E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N10S305AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL016J70TFI013 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29AL016J_16_MBIT_(2M_X_8_BIT_1M_X_16_BIT)_3_V_BOOT_SECTOR_FLASH-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed709c05803 Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; TSOP48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 16Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Case: TSOP48
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L-16 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry
Application: automotive industry
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Gate charge: 49nC
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
43+140.70 грн
50+92.48 грн
100+86.54 грн
300+82.29 грн
500+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-23 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS09593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 30A; 100W; PG-TO252-3-11
Application: automotive industry
Technology: OptiMOS™
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3-11
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Gate charge: 42nC
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
41+116.95 грн
50+76.36 грн
100+72.11 грн
300+68.72 грн
500+61.08 грн
1000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA08N80C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A08N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a6011638595c9600e0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS134D BTS134D INFINEON TECHNOLOGIES BTS134D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Output voltage: 42V
Case: TO252-3
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+232.07 грн
10+142.53 грн
25+129.81 грн
100+111.14 грн
250+99.26 грн
500+89.93 грн
1000+85.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3 G IPP320N20N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 34A; 136W; TO220-3; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+262.22 грн
30+211.25 грн
50+204.46 грн
100+199.37 грн
200+177.32 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N25N3 G IPP200N25N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 64A; Idm: 256A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 256A
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH04G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 23A
Leakage current: 31µA
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 15-04W H6327 BAT 15-04W H6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Max. forward voltage: 0.41V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
177+24.30 грн
300+19.60 грн
500+19.00 грн
1000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e6dde41500b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP082N10NF2SAKMA1 IPP082N10NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP082N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa67027a000b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 100W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 77A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 100W
Gate charge: 28nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P7 IPA60R280P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R280P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 24W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipa60r280p7-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C6XKSA1 IDH08G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH08G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; Ir: 62uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 37A
Leakage current: 62µA
Power dissipation: 63W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+176.34 грн
5+113.69 грн
10+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 269A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 269A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP40R12KE3-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9dc5189 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 55A; AG-ECONO2C; Inverter; 210W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 210W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12KE3GBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP15R12KE3G-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a8c95181 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2C; Inverter; 105W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 105W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS75R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311bfa5380 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 105A; AG-ECONO2B; Inverter; 350W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 350W
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 105A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KT4B11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP25R12KT4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043394427e4013952057a6f7b91 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2B; Inverter; 160W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 160W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N013GAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUMN08S5N013G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f2f29b336110c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3 G INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 214W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+244.86 грн
30+186.65 грн
50+178.16 грн
100+171.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5 IDH16G65C5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; PG-TO220-2; 129W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 105A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 129W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Load current: 16A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3.2µA
Case: PG-TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IDH16G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06c7efb201a1 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ15DC02KDHXTMA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 5.1/-3.2A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS5215LCUMA1 Infineon-ITS5215L-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428dba73e98&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60T INFN-S-A0001300131-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 45A; 187W; TO247-3; Eoff: 0.77mJ
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 23ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 45A
Turn-off switching energy: 0.77mJ
Turn-on switching energy: 0.69mJ
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
Gate charge: 167nC
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+357.24 грн
30+291.00 грн
50+282.52 грн
100+276.58 грн
200+246.04 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R070C6FKSA1 IPW65R070C6-DTE.pdf
IPW65R070C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128LAGMFI010 S25FL.pdf
S25FL128LAGMFI010
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SO8; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SO8
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+291.46 грн
5+223.13 грн
25+210.40 грн
50+202.77 грн
100+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS 70-04W H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 29680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
425+12.61 грн
500+10.94 грн
1000+10.44 грн
4000+10.01 грн
5000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138W H6327
BSS138W H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 280mA; 500mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 10309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
452+7.77 грн
500+6.45 грн
1000+5.94 грн
4000+5.51 грн
10000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 452 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GATELEADL500PB34701XPSA1 Infineon-Gate_leads_for_PB34-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd017940a7f0fb07da
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Discrete semicon. modules - Unclass.
Description: Accessories: cable with crimped terminals
Type of accessories for semiconductors: cable with crimped terminals
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3 G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+106.90 грн
100+96.72 грн
500+87.39 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1.pdf
BSS87H6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+44.77 грн
16+26.55 грн
100+16.80 грн
200+14.85 грн
250+14.34 грн
500+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2334STRPBF infineon-irs2334-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PP irfs3006-7ppbf.pdf
IRFS3006TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 293A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW89359CUBGT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: IC: WIFi Network Controller
Type of integrated circuit: WIFi Network Controller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R007M2HXKSA1 IMZA65R007M2H.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06L G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 29A; 68W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
114+52.26 грн
300+44.37 грн
500+43.61 грн
1000+38.69 грн
4000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b
IRLS3036TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.9mΩ
Pulsed drain current: 1kA
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.01 грн
10+172.23 грн
25+169.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRLPBF IRLS3036TRLPBF.pdf
IRLS3036TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210LAUMA1 Infineon-BTS5210L-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa3fecc9c104a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038818b620c96
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK3
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 128nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S405ATMA2 INFNS14108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S407ATMA2 Infineon-IPD90N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff988150120386e3b5b0c87
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; Idm: 360A; 79W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TO252-3-11
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 79W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 170nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L05ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_05-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038729a180c91
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S418AATMA1 Infineon-IPG20N04S4-18A-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4ca88ee717a0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1 BSC019N04LS-DTE.pdf
BSC019N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSG-DTE.pdf
BSC019N04NSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KE3BPSA1 Infineon-FP25R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9545185
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 40A; ECONO2; Inverter; 155W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 40A
Case: ECONO2
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 155W
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD60981EPXUMA2 Infineon-TLD6098-1EP-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d37d2a26a6959
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD60981EPXUMA3 Infineon-TLD6098-1EP-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d37d2a26a6959
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123N H6327
BSS123N H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 190mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 13246 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
598+8.86 грн
1000+7.72 грн
4000+7.30 грн
10000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBFXKMA1 Infineon-IRLB3036-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153566033ea2589
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DPS368
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Pressure Sensors
Description: Sensor: pressure; 30÷120kPa; absolute; -40÷85°C
Type of sensor: pressure
Pressure measuring range: 30...120kPa
Operation mode: absolute
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+304.25 грн
30+241.79 грн
50+233.31 грн
100+227.37 грн
200+201.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX41E6327HTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX41E6433HTMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N10S305AKSA1 Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL016J70TFI013 Infineon-S29AL016J_16_MBIT_(2M_X_8_BIT_1M_X_16_BIT)_3_V_BOOT_SECTOR_FLASH-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed709c05803
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; TSOP48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 16Mb FLASH
Kind of interface: parallel
Case: TSOP48
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L-16
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 50A; 100W; DPAK3; automotive industry
Application: automotive industry
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Gate charge: 49nC
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+140.70 грн
50+92.48 грн
100+86.54 грн
300+82.29 грн
500+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-23 INFNS09593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 55V; 30A; 100W; PG-TO252-3-11
Application: automotive industry
Technology: OptiMOS™
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3-11
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Gate charge: 42nC
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+116.95 грн
50+76.36 грн
100+72.11 грн
300+68.72 грн
500+61.08 грн
1000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA08N80C3XKSA1 SPP_I_A08N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a6011638595c9600e0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS134D BTS134D.pdf
BTS134D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Output voltage: 42V
Case: TO252-3
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Output current: 3.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.07 грн
10+142.53 грн
25+129.81 грн
100+111.14 грн
250+99.26 грн
500+89.93 грн
1000+85.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3 G
IPP320N20N3 G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 34A; 136W; TO220-3; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+262.22 грн
30+211.25 грн
50+204.46 грн
100+199.37 грн
200+177.32 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N25N3 G
IPP200N25N3 G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 64A; Idm: 256A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 256A
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6.pdf
IDH04G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 23A
Leakage current: 31µA
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 15-04W H6327
BAT 15-04W H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Max. forward voltage: 0.41V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
177+24.30 грн
300+19.60 грн
500+19.00 грн
1000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7XKSA1 Infineon-IPA60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8e6dde41500b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP082N10NF2SAKMA1 Infineon-IPP082N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fa42a30176fa67027a000b
IPP082N10NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 77A; 100W; TO220-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 77A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 100W
Gate charge: 28nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P7 IPA60R280P7.pdf
IPA60R280P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 24W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P7XKSA1 infineon-ipa60r280p7-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C6XKSA1 IDH08G65C6.pdf
IDH08G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; Ir: 62uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 37A
Leakage current: 62µA
Power dissipation: 63W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+176.34 грн
5+113.69 грн
10+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 269A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 269A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KE3BPSA1 Infineon-FP40R12KE3-DataSheet-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9dc5189
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 55A; AG-ECONO2C; Inverter; 210W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 210W
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 55A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12KE3GBPSA1 Infineon-FP15R12KE3G-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a8c95181
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2C; Inverter; 105W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 105W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2C
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12KE3BPSA1 Infineon-FS75R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311bfa5380
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 105A; AG-ECONO2B; Inverter; 350W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 350W
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 105A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FP25R12KT4B11BPSA1 Infineon-FP25R12KT4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043394427e4013952057a6f7b91
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 25A; AG-ECONO2B; Inverter; 160W
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 160W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
Case: AG-ECONO2B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Topology: NTC thermistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUMN08S5N013GAUMA1 Infineon-IAUMN08S5N013G-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f2f29b336110c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3 G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; Idm: 640A; 214W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 214W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+244.86 грн
30+186.65 грн
50+178.16 грн
100+171.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5
IDH16G65C5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; PG-TO220-2; 129W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 105A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 129W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Heatsink thickness: 1.17...137mm
Load current: 16A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3.2µA
Case: PG-TO220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH16G65C5XKSA2 IDH16G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06c7efb201a1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1.pdf
BSZ15DC02KDHXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 5.1/-3.2A; 2.5W
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 63/164mΩ
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 5.1/-3.2A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 212 424 636 848 1060 1272 1484 1696 1908 2113 2114 2115 2116 2117 2118 2119 2120 2121 2122  [ Наступна Сторінка >> ]