Результат пошуку "xn-2ao-u(-10/0...+10vdc)" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
293D107X9010D2TE3 293D107X9010D2TE3 VISHAY 293d.pdf Description: VISHAY - 293D107X9010D2TE3 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 100 µF, 10 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.6ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 100µF
Spannung (DC): 10V
Rippelstrom: 500mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 293D Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.26 грн
26+34.02 грн
50+31.63 грн
100+26.13 грн
200+22.51 грн
500+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
885012008004 885012008004 WURTH ELEKTRONIK 885012008004.pdf Description: WURTH ELEKTRONIK - 885012008004 - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 100 pF, 10 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 100pF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: WCAP-CSGP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+6.96 грн
199+4.30 грн
500+3.61 грн
1000+2.91 грн
2000+2.63 грн
4000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
AL8116W6-7 AL8116W6-7 DIODES INC. AL8116.pdf Description: DIODES INC. - AL8116W6-7 - LED Driver, AEC-Q100, Linear, SOT-26-6, 10 V to 56 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 56V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Isoliert
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.37 грн
32+27.11 грн
100+21.14 грн
500+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110 AUIRFP4110 INFINEON auirfp4110.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452 Infineon-AUIRFP4110-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452 Description: INFINEON - AUIRFP4110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+613.88 грн
5+491.11 грн
10+368.33 грн
50+314.31 грн
100+244.09 грн
250+238.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS21814STR AUIRS21814STR INFINEON IRSDS19254-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - AUIRS21814STR - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 2 Kanäle, NSOIC-14, 10V bis 20V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: CMOS, TTL
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.49 грн
10+243.85 грн
25+230.21 грн
50+196.35 грн
100+162.24 грн
250+154.20 грн
500+138.12 грн
1000+116.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 INFINEON Infineon-BSC011N03LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605467a7822cad Description: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.55 грн
10+121.92 грн
100+84.84 грн
500+66.66 грн
1000+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.82 грн
500+65.71 грн
1000+56.05 грн
5000+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 INFINEON BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.14 грн
10+117.66 грн
100+87.82 грн
500+65.71 грн
1000+56.05 грн
5000+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1 INFINEON BSC020N03LS_rev1.27.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b427641b3c1f Description: INFINEON - BSC020N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.52 грн
15+60.71 грн
100+45.96 грн
500+32.30 грн
1000+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33 Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.20 грн
500+76.32 грн
1000+69.79 грн
5000+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33 Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.34 грн
10+122.78 грн
100+97.20 грн
500+76.32 грн
1000+69.79 грн
5000+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGATMA1 INFINEON BSC060P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120adcbe71367cb Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.97 грн
18+48.94 грн
100+42.20 грн
500+29.37 грн
1000+24.99 грн
5000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSIATMA1 INFINEON BSC0901NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f2aa7bdc30067 Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.35 грн
14+65.48 грн
100+40.16 грн
500+30.16 грн
1000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3046SDLATMA1 BTS3046SDLATMA1 INFINEON Infineon-BTS3046SDL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad821c9e4c21 Description: INFINEON - BTS3046SDLATMA1 - Leistungsverteilungsschalter, Smart Low-Side, HITFET, 1 Ausgang, 10V, 21A, 0.046 Ohm, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.046ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 21A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.32 грн
10+153.47 грн
50+140.68 грн
100+109.26 грн
250+94.28 грн
500+82.58 грн
1000+69.35 грн
2500+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13 DMHT10H032LFJ-13 DIODES INC. DMHT10H032LFJ.pdf Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.94 грн
500+108.46 грн
1000+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13 DMHT10H032LFJ-13 DIODES INC. DMHT10H032LFJ.pdf Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.56 грн
10+161.14 грн
100+144.94 грн
500+108.46 грн
1000+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13 DMT4002LPS-13 DIODES INC. DMT4002LPS.pdf Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.73 грн
10+101.46 грн
100+68.64 грн
500+46.71 грн
1000+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13 DMT6004LPS-13 DIODES INC. DMT6004LPS.pdf Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.25 грн
10+88.67 грн
100+61.73 грн
500+53.60 грн
1000+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13 DMT6004LPS-13 DIODES INC. DMT6004LPS.pdf Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.73 грн
500+53.60 грн
1000+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW-13 DIODES INC. DMTH10H003SPSW.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.01 грн
10+147.50 грн
100+103.17 грн
500+85.51 грн
1000+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009LPSQ-13 DMTH10H009LPSQ-13 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMTH10H009LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 6000 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.75 грн
10+103.17 грн
100+90.38 грн
500+72.44 грн
1000+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M6SPS-13 DMTH10H4M6SPS-13 DIODES INC. DMTH10H4M6SPS.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H4M6SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3000 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.29 грн
10+116.81 грн
100+86.97 грн
500+60.01 грн
1000+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7191MX-F085 FAN7191MX-F085 ONSEMI fan7191_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FAN7191MX-F085 - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10V-22V Versorgungsspannung, 4.5Aout, 140ns Verzögerung, SOP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 22V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.78 грн
10+171.38 грн
25+140.68 грн
50+120.34 грн
100+94.28 грн
250+83.31 грн
500+81.12 грн
1000+78.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 FDBL0240N100 ONSEMI fdbl0240n100-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL0240N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 2200 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+480.88 грн
10+342.75 грн
100+254.08 грн
500+216.93 грн
1000+196.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 ONSEMI fdbl86066-f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 3300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.59 грн
10+147.50 грн
100+145.80 грн
500+121.92 грн
1000+104.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZ FDMC86102LZ ONSEMI fdmc86102lz-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.46 грн
12+76.05 грн
100+66.16 грн
500+54.95 грн
1000+49.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 FDMS86101 ONSEMI fdms86101-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 17941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.92 грн
10+139.83 грн
100+97.20 грн
500+71.97 грн
1000+65.77 грн
5000+64.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC FDMT800100DC ONSEMI fdmt800100dc-d.pdf Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+444.21 грн
5+393.06 грн
10+341.05 грн
50+296.89 грн
100+255.05 грн
250+249.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A FDP036N10A ONSEMI fdp036n10a-d.pdf Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+387.09 грн
10+228.50 грн
100+218.27 грн
500+180.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST HUF76629D3ST ONSEMI huf76629d3s-d.pdf Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.32 грн
10+121.07 грн
100+101.46 грн
500+83.92 грн
1000+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPA050N10NM5SXKSA1 IPA050N10NM5SXKSA1 INFINEON Infineon-IPA050N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfdf4f16e2d Description: INFINEON - IPA050N10NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 4700 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.62 грн
10+124.48 грн
100+107.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1 IPB017N10N5LFATMA1 INFINEON Infineon-IPB017N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b379cf73c7f Description: INFINEON - IPB017N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+507.31 грн
10+341.90 грн
100+259.20 грн
500+228.01 грн
1000+171.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R9ATMA1 IPC100N04S5L1R9ATMA1 INFINEON Infineon-IPC100N04S5L-1R9-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c29ca352fb Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.90 грн
14+64.29 грн
100+51.41 грн
500+37.45 грн
1000+31.57 грн
5000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 INFINEON Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 36198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.73 грн
10+102.31 грн
100+77.76 грн
500+54.71 грн
1000+47.21 грн
5000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 INFINEON Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 36198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.76 грн
500+54.71 грн
1000+47.21 грн
5000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGATMA1 IQE065N10NM5CGATMA1 INFINEON Infineon-IQE065N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c9c33bb0dae Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.27 грн
10+145.80 грн
100+101.46 грн
500+69.99 грн
1000+58.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGATMA1 IQE065N10NM5CGATMA1 INFINEON Infineon-IQE065N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c9c33bb0dae Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.46 грн
500+69.99 грн
1000+58.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR4302MTRPBF IR4302MTRPBF INFINEON ir4302.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d602a9181d Description: INFINEON - IR4302MTRPBF - Audioleistungsverstärker, Baureihe PowIRaudio, 130W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 130W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.73 грн
10+400.73 грн
25+384.53 грн
50+328.56 грн
100+269.67 грн
250+259.44 грн
500+240.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4302MTRPBF IR4302MTRPBF INFINEON ir4302.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d602a9181d Description: INFINEON - IR4302MTRPBF - Audioleistungsverstärker, Baureihe PowIRaudio, 130W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 130W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+400.73 грн
25+384.53 грн
50+328.56 грн
100+269.67 грн
250+259.44 грн
500+240.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR4321MTRPBF IR4321MTRPBF INFINEON ir4301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5fc691819 Description: INFINEON - IR4321MTRPBF - Audioleistungsverstärker, 135W x 1 bei 2 Ohm, D, 1 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN, 22 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: Mono
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 135W x 1 bei 2 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: MERUS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.62 грн
250+122.05 грн
500+116.20 грн
1000+114.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR4321MTRPBF IR4321MTRPBF INFINEON ir4301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5fc691819 Description: INFINEON - IR4321MTRPBF - Audioleistungsverstärker, 135W x 1 bei 2 Ohm, D, 1 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN, 22 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: Mono
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 135W x 1 bei 2 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: MERUS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+260.90 грн
10+196.95 грн
25+180.75 грн
50+154.38 грн
100+128.62 грн
250+122.05 грн
500+116.20 грн
1000+114.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985 Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 83236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.19 грн
30+29.07 грн
100+26.60 грн
500+22.41 грн
1000+20.61 грн
5000+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 24866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+271.98 грн
10+117.66 грн
100+110.84 грн
500+97.38 грн
1000+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 24866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.84 грн
500+97.38 грн
1000+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1 Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 72768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.12 грн
19+46.55 грн
100+41.18 грн
500+35.86 грн
1000+31.06 грн
5000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON infineon-irf9540n-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 45085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.19 грн
10+112.55 грн
100+53.37 грн
500+41.80 грн
1000+37.71 грн
5000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF INFINEON irfh5302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b58dc1ec3 Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.13 грн
15+58.15 грн
100+42.63 грн
500+35.23 грн
1000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI510GPBF IRFI510GPBF VISHAY sihfi510.pdf Description: VISHAY - IRFI510GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.03 грн
11+80.66 грн
100+79.98 грн
500+64.52 грн
1000+57.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LM301AH/NOPB LM301AH/NOPB TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm301a-n-mil Description: TEXAS INSTRUMENTS - LM301AH/NOPB - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 100 kHz, 0.5 V/µs, 10V bis 36V, TO-99, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
Versorgungsspannung: 10V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.5V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-99
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 100kHz
Eingangsoffsetspannung: 700µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 30nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1342.02 грн
10+1067.48 грн
25+999.27 грн
50+852.68 грн
100+727.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LM301AH/NOPB LM301AH/NOPB TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm301a-n-mil Description: TEXAS INSTRUMENTS - LM301AH/NOPB - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 100 kHz, 0.5 V/µs, 10V bis 36V, TO-99, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
Versorgungsspannung: 10V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.5V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-99
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 100kHz
Eingangsoffsetspannung: 700µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 30nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1067.48 грн
25+999.27 грн
50+852.68 грн
100+727.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MAL202134101E3 MAL202134101E3 VISHAY 021asm.pdf Description: VISHAY - MAL202134101E3 - Elektrolytkondensator, Miniatur, 100 µF, 10 V, ± 20%, Axial bedrahtet, 1000 Stunden bei 85°C
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Axial bedrahtet
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 85°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 3.2ohm
Produktlänge: 10mm
euEccn: NLR
Kapazität: 100µF
Spannung (DC): 10V
Rippelstrom: 100mA
Produktpalette: 021 ASM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 4.5mm
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.51 грн
50+70.51 грн
100+60.37 грн
250+51.54 грн
500+43.56 грн
1000+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MAX16936RATEA/V+ MAX16936RATEA/V+ ANALOG DEVICES max16936-max16938.pdf Description: ANALOG DEVICES - MAX16936RATEA/V+ - DC/DC-Wandler zur Leiterplattenmontage, AEC-Q100, Modul, 3.5V, 36V, 1 Ausgang, TQFN, 16 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest, einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.5A
Qualifikation: AEC-Q100
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
IC-Gehäuse / Bauform: TQFN
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: Modul
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+476.61 грн
10+474.05 грн
60+424.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MAX20002CATPB/V+ MAX20002CATPB/V+ ANALOG DEVICES MAX20002-MAX20003.pdf Description: ANALOG DEVICES - MAX20002CATPB/V+ - DC/DC-Wandler zur Leiterplattenmontage, Modul, 3.5V, 36V, 1 Ausgang, TQFN, 20 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest, einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Qualifikation: AEC-Q100
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
IC-Gehäuse / Bauform: TQFN
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: Modul
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+688.91 грн
10+532.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV301LSN28T1G NCV301LSN28T1G ONSEMI ncp300-d.pdf Description: ONSEMI - NCV301LSN28T1G - Überwachungsschaltung, 800mV-10Vsupp, 2.8V Schwelle/94µs Verzögerung, Active-Low, Open-Drain, TSOP-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: -
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 2.8V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 10V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+27.28 грн
46+18.93 грн
100+18.25 грн
500+16.23 грн
1000+14.40 грн
2500+13.74 грн
5000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS004N10G NTBGS004N10G ONSEMI ntbgs004n10g-d.pdf Description: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.23 грн
10+349.57 грн
100+303.53 грн
500+246.22 грн
1000+191.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS004N10G NTBGS004N10G ONSEMI ntbgs004n10g-d.pdf Description: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+349.57 грн
100+303.53 грн
500+246.22 грн
1000+191.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS9D0N10MC NTBS9D0N10MC ONSEMI Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+104.02 грн
10+98.05 грн
100+94.64 грн
500+83.92 грн
1000+69.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS9D0N10MC NTBS9D0N10MC ONSEMI Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.64 грн
500+83.92 грн
1000+69.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N3D2C NTMFS10N3D2C ONSEMI ntmfs10n3d2c-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS10N3D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+266.02 грн
250+260.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N3D2C NTMFS10N3D2C ONSEMI ntmfs10n3d2c-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS10N3D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.53 грн
5+416.08 грн
10+365.77 грн
50+312.73 грн
100+266.02 грн
250+260.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
293D107X9010D2TE3 293d.pdf
293D107X9010D2TE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 293D107X9010D2TE3 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 100 µF, 10 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.6ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 100µF
Spannung (DC): 10V
Rippelstrom: 500mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 293D Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.26 грн
26+34.02 грн
50+31.63 грн
100+26.13 грн
200+22.51 грн
500+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
885012008004 885012008004.pdf
885012008004
Виробник: WURTH ELEKTRONIK
Description: WURTH ELEKTRONIK - 885012008004 - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 100 pF, 10 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 100pF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: WCAP-CSGP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+6.96 грн
199+4.30 грн
500+3.61 грн
1000+2.91 грн
2000+2.63 грн
4000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
AL8116W6-7 AL8116.pdf
AL8116W6-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AL8116W6-7 - LED Driver, AEC-Q100, Linear, SOT-26-6, 10 V to 56 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 56V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Isoliert
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+38.37 грн
32+27.11 грн
100+21.14 грн
500+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFP4110 auirfp4110.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452 Infineon-AUIRFP4110-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b1c0271452
AUIRFP4110
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRFP4110 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+613.88 грн
5+491.11 грн
10+368.33 грн
50+314.31 грн
100+244.09 грн
250+238.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS21814STR IRSDS19254-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRS21814STR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRS21814STR - Gate-Treiber, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 2 Kanäle, NSOIC-14, 10V bis 20V
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: CMOS, TTL
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+338.49 грн
10+243.85 грн
25+230.21 грн
50+196.35 грн
100+162.24 грн
250+154.20 грн
500+138.12 грн
1000+116.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1 Infineon-BSC011N03LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605467a7822cad
BSC011N03LSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+164.55 грн
10+121.92 грн
100+84.84 грн
500+66.66 грн
1000+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.82 грн
500+65.71 грн
1000+56.05 грн
5000+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+161.14 грн
10+117.66 грн
100+87.82 грн
500+65.71 грн
1000+56.05 грн
5000+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LS_rev1.27.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b427641b3c1f
BSC020N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC020N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.52 грн
15+60.71 грн
100+45.96 грн
500+32.30 грн
1000+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33
BSC037N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.20 грн
500+76.32 грн
1000+69.79 грн
5000+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33
BSC037N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.34 грн
10+122.78 грн
100+97.20 грн
500+76.32 грн
1000+69.79 грн
5000+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120adcbe71367cb
BSC060P03NS3EGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.97 грн
18+48.94 грн
100+42.20 грн
500+29.37 грн
1000+24.99 грн
5000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0901NSIATMA1 BSC0901NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f2aa7bdc30067
BSC0901NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0901NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.35 грн
14+65.48 грн
100+40.16 грн
500+30.16 грн
1000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3046SDLATMA1 Infineon-BTS3046SDL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad821c9e4c21
BTS3046SDLATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3046SDLATMA1 - Leistungsverteilungsschalter, Smart Low-Side, HITFET, 1 Ausgang, 10V, 21A, 0.046 Ohm, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.046ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 21A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+235.32 грн
10+153.47 грн
50+140.68 грн
100+109.26 грн
250+94.28 грн
500+82.58 грн
1000+69.35 грн
2500+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13 DMHT10H032LFJ.pdf
DMHT10H032LFJ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.94 грн
500+108.46 грн
1000+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13 DMHT10H032LFJ.pdf
DMHT10H032LFJ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMHT10H032LFJ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: DFN5045
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+216.56 грн
10+161.14 грн
100+144.94 грн
500+108.46 грн
1000+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13 DMT4002LPS.pdf
DMT4002LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.73 грн
10+101.46 грн
100+68.64 грн
500+46.71 грн
1000+43.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13 DMT6004LPS.pdf
DMT6004LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.25 грн
10+88.67 грн
100+61.73 грн
500+53.60 грн
1000+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13 DMT6004LPS.pdf
DMT6004LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.73 грн
500+53.60 грн
1000+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW.pdf
DMTH10H003SPSW-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H003SPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 3000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.01 грн
10+147.50 грн
100+103.17 грн
500+85.51 грн
1000+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009LPSQ-13
DMTH10H009LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H009LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 6000 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.75 грн
10+103.17 грн
100+90.38 грн
500+72.44 грн
1000+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M6SPS-13 DMTH10H4M6SPS.pdf
DMTH10H4M6SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H4M6SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3000 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.29 грн
10+116.81 грн
100+86.97 грн
500+60.01 грн
1000+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7191MX-F085 fan7191_f085-d.pdf
FAN7191MX-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN7191MX-F085 - MOSFET-Treiber High-Side & Low-Side, 10V-22V Versorgungsspannung, 4.5Aout, 140ns Verzögerung, SOP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 22V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+255.78 грн
10+171.38 грн
25+140.68 грн
50+120.34 грн
100+94.28 грн
250+83.31 грн
500+81.12 грн
1000+78.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 fdbl0240n100-d.pdf
FDBL0240N100
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0240N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 2200 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+480.88 грн
10+342.75 грн
100+254.08 грн
500+216.93 грн
1000+196.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 3300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.59 грн
10+147.50 грн
100+145.80 грн
500+121.92 грн
1000+104.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZ fdmc86102lz-d.pdf
FDMC86102LZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.46 грн
12+76.05 грн
100+66.16 грн
500+54.95 грн
1000+49.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101 fdms86101-d.pdf
FDMS86101
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86101 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 8000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 17941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.92 грн
10+139.83 грн
100+97.20 грн
500+71.97 грн
1000+65.77 грн
5000+64.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC fdmt800100dc-d.pdf
FDMT800100DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+444.21 грн
5+393.06 грн
10+341.05 грн
50+296.89 грн
100+255.05 грн
250+249.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP036N10A fdp036n10a-d.pdf
FDP036N10A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+387.09 грн
10+228.50 грн
100+218.27 грн
500+180.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST huf76629d3s-d.pdf
HUF76629D3ST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.32 грн
10+121.07 грн
100+101.46 грн
500+83.92 грн
1000+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPA050N10NM5SXKSA1 Infineon-IPA050N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfdf4f16e2d
IPA050N10NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA050N10NM5SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 66 A, 4700 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.62 грн
10+124.48 грн
100+107.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5LFATMA1 Infineon-IPB017N10N5LF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5b379cf73c7f
IPB017N10N5LFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB017N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+507.31 грн
10+341.90 грн
100+259.20 грн
500+228.01 грн
1000+171.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon-IPC100N04S5L-1R9-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c29ca352fb
IPC100N04S5L1R9ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S5L1R9ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.90 грн
14+64.29 грн
100+51.41 грн
500+37.45 грн
1000+31.57 грн
5000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f
IPD100N04S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 36198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.73 грн
10+102.31 грн
100+77.76 грн
500+54.71 грн
1000+47.21 грн
5000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f
IPD100N04S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 36198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.76 грн
500+54.71 грн
1000+47.21 грн
5000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGATMA1 Infineon-IQE065N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c9c33bb0dae
IQE065N10NM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+218.27 грн
10+145.80 грн
100+101.46 грн
500+69.99 грн
1000+58.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQE065N10NM5CGATMA1 Infineon-IQE065N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd01791c9c33bb0dae
IQE065N10NM5CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 5700 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.46 грн
500+69.99 грн
1000+58.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR4302MTRPBF ir4302.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d602a9181d
IR4302MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR4302MTRPBF - Audioleistungsverstärker, Baureihe PowIRaudio, 130W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 130W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+481.73 грн
10+400.73 грн
25+384.53 грн
50+328.56 грн
100+269.67 грн
250+259.44 грн
500+240.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4302MTRPBF ir4302.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d602a9181d
IR4302MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR4302MTRPBF - Audioleistungsverstärker, Baureihe PowIRaudio, 130W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 130W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+400.73 грн
25+384.53 грн
50+328.56 грн
100+269.67 грн
250+259.44 грн
500+240.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR4321MTRPBF ir4301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5fc691819
IR4321MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR4321MTRPBF - Audioleistungsverstärker, 135W x 1 bei 2 Ohm, D, 1 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN, 22 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: Mono
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 135W x 1 bei 2 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: MERUS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+128.62 грн
250+122.05 грн
500+116.20 грн
1000+114.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IR4321MTRPBF ir4301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d5fc691819
IR4321MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR4321MTRPBF - Audioleistungsverstärker, 135W x 1 bei 2 Ohm, D, 1 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN, 22 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: Mono
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 135W x 1 bei 2 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: MERUS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+260.90 грн
10+196.95 грн
25+180.75 грн
50+154.38 грн
100+128.62 грн
250+122.05 грн
500+116.20 грн
1000+114.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985
IRF520NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 83236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.19 грн
30+29.07 грн
100+26.60 грн
500+22.41 грн
1000+20.61 грн
5000+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 24866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+271.98 грн
10+117.66 грн
100+110.84 грн
500+97.38 грн
1000+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 24866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.84 грн
500+97.38 грн
1000+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e39f0d19a1
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 72768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.12 грн
19+46.55 грн
100+41.18 грн
500+35.86 грн
1000+31.06 грн
5000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF infineon-irf9540n-datasheet-en.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 45085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.19 грн
10+112.55 грн
100+53.37 грн
500+41.80 грн
1000+37.71 грн
5000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF irfh5302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b58dc1ec3
IRFH5302TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.13 грн
15+58.15 грн
100+42.63 грн
500+35.23 грн
1000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI510GPBF sihfi510.pdf
IRFI510GPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFI510GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.03 грн
11+80.66 грн
100+79.98 грн
500+64.52 грн
1000+57.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LM301AH/NOPB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm301a-n-mil
LM301AH/NOPB
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - LM301AH/NOPB - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 100 kHz, 0.5 V/µs, 10V bis 36V, TO-99, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
Versorgungsspannung: 10V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.5V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-99
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 100kHz
Eingangsoffsetspannung: 700µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 30nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1342.02 грн
10+1067.48 грн
25+999.27 грн
50+852.68 грн
100+727.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LM301AH/NOPB suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm301a-n-mil
LM301AH/NOPB
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Description: TEXAS INSTRUMENTS - LM301AH/NOPB - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 100 kHz, 0.5 V/µs, 10V bis 36V, TO-99, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
Versorgungsspannung: 10V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.5V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-99
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 100kHz
Eingangsoffsetspannung: 700µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 30nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1067.48 грн
25+999.27 грн
50+852.68 грн
100+727.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MAL202134101E3 021asm.pdf
MAL202134101E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MAL202134101E3 - Elektrolytkondensator, Miniatur, 100 µF, 10 V, ± 20%, Axial bedrahtet, 1000 Stunden bei 85°C
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Axial bedrahtet
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 Stunden bei 85°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 3.2ohm
Produktlänge: 10mm
euEccn: NLR
Kapazität: 100µF
Spannung (DC): 10V
Rippelstrom: 100mA
Produktpalette: 021 ASM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 4.5mm
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.51 грн
50+70.51 грн
100+60.37 грн
250+51.54 грн
500+43.56 грн
1000+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MAX16936RATEA/V+ max16936-max16938.pdf
MAX16936RATEA/V+
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - MAX16936RATEA/V+ - DC/DC-Wandler zur Leiterplattenmontage, AEC-Q100, Modul, 3.5V, 36V, 1 Ausgang, TQFN, 16 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest, einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.5A
Qualifikation: AEC-Q100
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
IC-Gehäuse / Bauform: TQFN
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: Modul
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+476.61 грн
10+474.05 грн
60+424.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MAX20002CATPB/V+ MAX20002-MAX20003.pdf
MAX20002CATPB/V+
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - MAX20002CATPB/V+ - DC/DC-Wandler zur Leiterplattenmontage, Modul, 3.5V, 36V, 1 Ausgang, TQFN, 20 Pins
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest, einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Qualifikation: AEC-Q100
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
IC-Gehäuse / Bauform: TQFN
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: Modul
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+688.91 грн
10+532.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV301LSN28T1G ncp300-d.pdf
NCV301LSN28T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV301LSN28T1G - Überwachungsschaltung, 800mV-10Vsupp, 2.8V Schwelle/94µs Verzögerung, Active-Low, Open-Drain, TSOP-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: -
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Reset-Ausgang: Aktiv-Low, Open-Drain
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 2.8V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 800mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 10V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+27.28 грн
46+18.93 грн
100+18.25 грн
500+16.23 грн
1000+14.40 грн
2500+13.74 грн
5000+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS004N10G ntbgs004n10g-d.pdf
NTBGS004N10G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+467.23 грн
10+349.57 грн
100+303.53 грн
500+246.22 грн
1000+191.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBGS004N10G ntbgs004n10g-d.pdf
NTBGS004N10G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBGS004N10G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 3000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+349.57 грн
100+303.53 грн
500+246.22 грн
1000+191.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS9D0N10MC
NTBS9D0N10MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+104.02 грн
10+98.05 грн
100+94.64 грн
500+83.92 грн
1000+69.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS9D0N10MC
NTBS9D0N10MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.64 грн
500+83.92 грн
1000+69.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N3D2C ntmfs10n3d2c-d.pdf
NTMFS10N3D2C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS10N3D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+266.02 грн
250+260.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N3D2C ntmfs10n3d2c-d.pdf
NTMFS10N3D2C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS10N3D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+465.53 грн
5+416.08 грн
10+365.77 грн
50+312.73 грн
100+266.02 грн
250+260.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]