Результат пошуку "xn-2ao-u(-10/0...+10vdc)" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
10TPC100M 10TPC100M PANASONIC 10TPC100M Description: PANASONIC - 10TPC100M - Tantal-Polymer-Kondensator, 100 µF, ± 20%, 10 V, D2, 0.045 ohm, 2917 [Metrisch 7343]
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.045ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 100µF
Spannung (DC): 10V
Rippelstrom: 1.7A
Produktpalette: POSCAP TPC Series
Hersteller-Größencode: D2
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
10YXJ100MTA5X11 10YXJ100MTA5X11 RUBYCON YXJ.pdf Description: RUBYCON - 10YXJ100MTA5X11 - Elektrolytkondensator, Miniatur, 100 µF, 10 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 4000 Stunden bei 105°C
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 11mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 2mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 4000 Stunden bei 105°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 100µF
Spannung (DC): 10V
Rippelstrom: 150mA
Produktpalette: YXJ Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: 5mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: -
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+8.60 грн
123+6.80 грн
250+5.97 грн
500+5.06 грн
1500+4.28 грн
3000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
293D107X9010D2TE3 293D107X9010D2TE3 VISHAY 293d.pdf Description: VISHAY - 293D107X9010D2TE3 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 100 µF, 10 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.6ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 100µF
Spannung (DC): 10V
Rippelstrom: 500mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 293D Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 51137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.06 грн
16+55.60 грн
50+47.08 грн
100+35.73 грн
200+30.19 грн
500+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
790D107X9010C2BE3 790D107X9010C2BE3 VISHAY Description: VISHAY - 790D107X9010C2BE3 - Tantalkondensator, Harz-Formteil, 100 µF, 10 V, ± 10%, Radial bedrahtet, 10.2 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 10.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 10.2mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): -
Produktlänge: 12.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 100µF
Spannung (DC): 10V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 790D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+856.47 грн
5+655.29 грн
10+598.53 грн
20+506.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AL8116W6-7 AL8116W6-7 DIODES INC. AL8116.pdf Description: DIODES INC. - AL8116W6-7 - LED Driver, AEC-Q100, Linear, SOT-26-6, 10 V to 56 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 56V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Isoliert
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+41.40 грн
29+29.22 грн
100+22.79 грн
500+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BD49E38G-MTR BD49E38G-MTR ROHM Description: ROHM - BD49E38G-MTR - Überwachungsschaltung/Spannungswächter, AEC-Q100, 950mV-10V, 3.8V Schwelle, 1 Wächter, SSOP-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: -
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Reset-Ausgang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 3.8V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 950mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 10V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.01 грн
22+38.73 грн
100+31.05 грн
500+25.42 грн
1000+21.11 грн
2500+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BD8263EFV-ME2 BD8263EFV-ME2 ROHM Description: ROHM - BD8263EFV-ME2 - Motortreiber / Motorsteuerung, AEC-Q100, DC, Schwingspule, 4.5V-10V, 6V/4 Ausgänge, HTSSOP-B-28
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC, Schwingspule
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP-B
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 6V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 10V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.09 грн
10+176.97 грн
25+162.78 грн
50+124.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.11 грн
10+112.69 грн
100+83.48 грн
500+58.37 грн
1000+49.08 грн
5000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.48 грн
500+58.37 грн
1000+49.08 грн
5000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1 BSC010N04LSIATMA1 INFINEON Infineon-BSC010N04LSI-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043353fdc16013552d84dc147dc Description: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.68 грн
10+89.32 грн
100+84.31 грн
500+72.94 грн
1000+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 INFINEON BSC010NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb3d176a3f1b Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.03 грн
10+87.65 грн
100+68.62 грн
500+49.76 грн
1000+44.00 грн
5000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 INFINEON Infineon-BSC011N03LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605467a7822cad Description: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.52 грн
10+151.09 грн
100+105.18 грн
500+72.71 грн
1000+58.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1 BSC012N06NSATMA1 INFINEON BSC012N06NS_Rev2.1_2018-12-11.pdf Description: INFINEON - BSC012N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.86 грн
10+216.21 грн
100+152.76 грн
500+106.97 грн
1000+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 BSC014N06NSTATMA1 INFINEON Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.50 грн
10+163.61 грн
100+143.58 грн
500+116.27 грн
1000+103.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.99 грн
500+70.69 грн
1000+57.31 грн
5000+55.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 INFINEON BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.79 грн
10+122.71 грн
100+90.99 грн
500+70.69 грн
1000+57.31 грн
5000+55.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 INFINEON Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.49 грн
12+72.37 грн
100+62.69 грн
500+55.19 грн
1000+49.51 грн
5000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 INFINEON BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817 Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.91 грн
500+32.87 грн
1000+24.76 грн
5000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 INFINEON BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817 Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.98 грн
15+58.02 грн
100+43.91 грн
500+32.87 грн
1000+24.76 грн
5000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33 Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+207.02 грн
10+151.09 грн
100+109.35 грн
500+79.06 грн
1000+64.25 грн
5000+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33 Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.35 грн
500+79.06 грн
1000+64.25 грн
5000+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGATMA1 INFINEON BSC060P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120adcbe71367cb Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0041 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 37739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.89 грн
15+58.18 грн
100+45.49 грн
500+32.09 грн
1000+24.47 грн
5000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON BSC109N10NS3+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b897500128247bdae36f3f Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.90 грн
10+97.67 грн
100+68.20 грн
500+48.06 грн
1000+37.71 грн
5000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON BSC109N10NS3+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b897500128247bdae36f3f Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.20 грн
500+48.06 грн
1000+37.71 грн
5000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1 BSZ097N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ097N10NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a1b051648d Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.02 грн
50+52.17 грн
250+49.08 грн
1000+45.11 грн
3000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1 BSZ097N10NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ097N10NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a1b051648d Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.17 грн
250+49.08 грн
1000+45.11 грн
3000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3046SDLATMA1 BTS3046SDLATMA1 INFINEON Infineon-BTS3046SDL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad821c9e4c21 Description: INFINEON - BTS3046SDLATMA1 - Leistungsverteilungsschalter, Smart Low-Side, HITFET, 1 Ausgang, 10V, 21A, 0.046 Ohm, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.046ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 21A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.93 грн
10+161.11 грн
50+147.75 грн
100+117.82 грн
250+102.32 грн
500+89.44 грн
1000+75.13 грн
2500+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y3R5-40E,115 BUK7Y3R5-40E,115 NEXPERIA BUK7Y3R5-40E.pdf Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.16 грн
13+67.20 грн
100+53.43 грн
500+44.03 грн
1000+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX NEXPERIA BUK9M120-100E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 27286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.60 грн
21+40.74 грн
100+31.64 грн
500+20.46 грн
1000+12.81 грн
5000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX NEXPERIA BUK9M120-100E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 27286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.64 грн
500+20.46 грн
1000+12.81 грн
5000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 NEXPERIA BUK9Y6R0-60E.pdf Description: NEXPERIA - BUK9Y6R0-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.004 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 15254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.91 грн
10+100.17 грн
100+72.54 грн
500+53.17 грн
1000+48.94 грн
5000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13 DMT4002LPS-13 DIODES INC. DMT4002LPS.pdf Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.42 грн
10+104.35 грн
100+73.96 грн
500+50.38 грн
1000+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009LPSQ-13 DMTH10H009LPSQ-13 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMTH10H009LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.006 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.35 грн
10+99.34 грн
100+97.67 грн
500+83.72 грн
1000+72.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009SPSQ-13 DMTH10H009SPSQ-13 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.23 грн
500+31.70 грн
1000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009SPSQ-13 DMTH10H009SPSQ-13 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+34.31 грн
100+34.23 грн
500+31.70 грн
1000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H2M5STLW-13 DMTH10H2M5STLW-13 DIODES INC. DMTH10H2M5STLW.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 0.00168 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00168ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.58 грн
10+239.58 грн
100+222.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M6SPS-13 DMTH10H4M6SPS-13 DIODES INC. DMTH10H4M6SPS.pdf Description: DIODES INC. - DMTH10H4M6SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.003 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.46 грн
10+122.71 грн
100+95.16 грн
500+64.57 грн
1000+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8004LPS-13 DMTH8004LPS-13 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.16 грн
500+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8004LPS-13 DMTH8004LPS-13 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.98 грн
10+141.91 грн
100+95.16 грн
500+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ESK107M010AC3AA ESK107M010AC3AA KEMET ESK107M010AC3AA Description: KEMET - ESK107M010AC3AA - Elektrolytkondensator, 100 µF, 10 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 2000 Stunden bei 85°C, Polarisiert
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 11mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 2mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 2000 Stunden bei 85°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): -
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 100µF
Spannung (DC): 10V
Rippelstrom: 180mA
Produktpalette: ESK Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: 5mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+5.56 грн
182+4.61 грн
500+3.66 грн
1000+2.78 грн
2000+2.38 грн
4000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007L FDB0260N1007L ONSEMI fdb0260n1007l-d.pdf Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+727.08 грн
5+631.92 грн
10+536.76 грн
50+456.56 грн
100+335.58 грн
250+334.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZ FDMC86102LZ ONSEMI fdmc86102lz-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.019 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.73 грн
10+97.67 грн
100+78.72 грн
500+60.46 грн
1000+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST HUF76629D3ST ONSEMI huf76629d3s-d.pdf Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.66 грн
10+138.57 грн
100+107.69 грн
500+82.94 грн
1000+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 INFINEON Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.19 грн
11+82.64 грн
100+72.88 грн
500+56.90 грн
1000+47.44 грн
5000+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.18 грн
10+83.48 грн
100+70.96 грн
500+57.98 грн
1000+52.45 грн
5000+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.96 грн
500+57.98 грн
1000+52.45 грн
5000+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+380.66 грн
10+274.64 грн
100+216.21 грн
500+170.53 грн
1000+152.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 IPT015N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+274.64 грн
100+216.21 грн
500+170.53 грн
1000+152.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR4302MTRPBF IR4302MTRPBF INFINEON ir4302.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d602a9181d Description: INFINEON - IR4302MTRPBF - Audioleistungsverstärker, Baureihe PowIRaudio, 130W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 130W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+519.23 грн
10+419.05 грн
25+401.52 грн
50+343.39 грн
100+279.77 грн
250+268.32 грн
500+251.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4302MTRPBF IR4302MTRPBF INFINEON ir4302.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d602a9181d Description: INFINEON - IR4302MTRPBF - Audioleistungsverstärker, Baureihe PowIRaudio, 130W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 130W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+279.77 грн
250+268.32 грн
500+251.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985 Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 84760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.26 грн
100+31.89 грн
500+26.82 грн
1000+23.25 грн
5000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 28118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.00 грн
10+140.24 грн
100+134.40 грн
500+111.62 грн
1000+90.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 28118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.40 грн
500+111.62 грн
1000+90.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON irf9540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611cfa21dc8 Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 55131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.88 грн
10+108.52 грн
100+59.02 грн
500+46.43 грн
1000+37.56 грн
5000+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF INFINEON irfh5301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b477b1ebe Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00155 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.49 грн
14+63.78 грн
100+48.08 грн
500+36.97 грн
1000+31.12 грн
5000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF INFINEON irfh5302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b58dc1ec3 Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+136.90 грн
14+60.44 грн
100+45.49 грн
500+35.27 грн
1000+30.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBF IRFH7004TRPBF INFINEON irfh7004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ea3e51ed2 Description: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.65 грн
12+70.37 грн
100+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF IRFM120ATF ONSEMI irfm120a-d.pdf Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.56 грн
500+23.02 грн
1000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF IRFM120ATF ONSEMI irfm120a-d.pdf Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.20 грн
18+47.00 грн
100+33.56 грн
500+23.02 грн
1000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP9140PBF IRFP9140PBF VISHAY sihfp914.pdf Description: VISHAY - IRFP9140PBF - Leistungs-MOSFET, Universal, p-Kanal, 100 V, 21 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.93 грн
10+223.72 грн
100+156.10 грн
500+123.25 грн
1000+111.62 грн
5000+109.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
10TPC100M 10TPC100M
10TPC100M
Виробник: PANASONIC
Description: PANASONIC - 10TPC100M - Tantal-Polymer-Kondensator, 100 µF, ± 20%, 10 V, D2, 0.045 ohm, 2917 [Metrisch 7343]
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.045ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 100µF
Spannung (DC): 10V
Rippelstrom: 1.7A
Produktpalette: POSCAP TPC Series
Hersteller-Größencode: D2
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+51.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
10YXJ100MTA5X11 YXJ.pdf
10YXJ100MTA5X11
Виробник: RUBYCON
Description: RUBYCON - 10YXJ100MTA5X11 - Elektrolytkondensator, Miniatur, 100 µF, 10 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 4000 Stunden bei 105°C
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 11mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 2mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 4000 Stunden bei 105°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 100µF
Spannung (DC): 10V
Rippelstrom: 150mA
Produktpalette: YXJ Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: 5mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: -
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+8.60 грн
123+6.80 грн
250+5.97 грн
500+5.06 грн
1500+4.28 грн
3000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
293D107X9010D2TE3 293d.pdf
293D107X9010D2TE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 293D107X9010D2TE3 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 100 µF, 10 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.6ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 100µF
Spannung (DC): 10V
Rippelstrom: 500mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 293D Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 51137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.06 грн
16+55.60 грн
50+47.08 грн
100+35.73 грн
200+30.19 грн
500+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
790D107X9010C2BE3
790D107X9010C2BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 790D107X9010C2BE3 - Tantalkondensator, Harz-Formteil, 100 µF, 10 V, ± 10%, Radial bedrahtet, 10.2 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 10.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 10.2mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): -
Produktlänge: 12.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 100µF
Spannung (DC): 10V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 790D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+856.47 грн
5+655.29 грн
10+598.53 грн
20+506.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AL8116W6-7 AL8116.pdf
AL8116W6-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AL8116W6-7 - LED Driver, AEC-Q100, Linear, SOT-26-6, 10 V to 56 V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 56V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Isoliert
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.40 грн
29+29.22 грн
100+22.79 грн
500+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BD49E38G-MTR
BD49E38G-MTR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BD49E38G-MTR - Überwachungsschaltung/Spannungswächter, AEC-Q100, 950mV-10V, 3.8V Schwelle, 1 Wächter, SSOP-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Reset-Schwellenspannung, min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: -
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Reset-Ausgang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der überwachten Spannungen: 1Monitors
Reset-Schwellenspannung, nom.: 3.8V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 950mV
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 10V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.01 грн
22+38.73 грн
100+31.05 грн
500+25.42 грн
1000+21.11 грн
2500+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BD8263EFV-ME2
BD8263EFV-ME2
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BD8263EFV-ME2 - Motortreiber / Motorsteuerung, AEC-Q100, DC, Schwingspule, 4.5V-10V, 6V/4 Ausgänge, HTSSOP-B-28
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC, Schwingspule
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: HTSSOP-B
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 6V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 10V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+247.09 грн
10+176.97 грн
25+162.78 грн
50+124.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310
BSC009NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+161.11 грн
10+112.69 грн
100+83.48 грн
500+58.37 грн
1000+49.08 грн
5000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310
BSC009NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.48 грн
500+58.37 грн
1000+49.08 грн
5000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010N04LSIATMA1 Infineon-BSC010N04LSI-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043353fdc16013552d84dc147dc
BSC010N04LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.68 грн
10+89.32 грн
100+84.31 грн
500+72.94 грн
1000+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb3d176a3f1b
BSC010NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.03 грн
10+87.65 грн
100+68.62 грн
500+49.76 грн
1000+44.00 грн
5000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC011N03LSTATMA1 Infineon-BSC011N03LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605467a7822cad
BSC011N03LSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+204.52 грн
10+151.09 грн
100+105.18 грн
500+72.71 грн
1000+58.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC012N06NSATMA1 BSC012N06NS_Rev2.1_2018-12-11.pdf
BSC012N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC012N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+308.86 грн
10+216.21 грн
100+152.76 грн
500+106.97 грн
1000+93.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSTATMA1 Infineon-BSC014N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e79762cbe
BSC014N06NSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.50 грн
10+163.61 грн
100+143.58 грн
500+116.27 грн
1000+103.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435
BSC030P03NS3GAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.99 грн
500+70.69 грн
1000+57.31 грн
5000+55.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435
BSC030P03NS3GAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC030P03NS3GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.79 грн
10+122.71 грн
100+90.99 грн
500+70.69 грн
1000+57.31 грн
5000+55.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 Infineon-BSC034N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c65286a70be
BSC034N06NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC034N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0028 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.49 грн
12+72.37 грн
100+62.69 грн
500+55.19 грн
1000+49.51 грн
5000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.91 грн
500+32.87 грн
1000+24.76 грн
5000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC035N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 34419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.98 грн
15+58.02 грн
100+43.91 грн
500+32.87 грн
1000+24.76 грн
5000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33
BSC037N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+207.02 грн
10+151.09 грн
100+109.35 грн
500+79.06 грн
1000+64.25 грн
5000+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33
BSC037N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.35 грн
500+79.06 грн
1000+64.25 грн
5000+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304320896aa20120adcbe71367cb
BSC060P03NS3EGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0041 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 37739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.89 грн
15+58.18 грн
100+45.49 грн
500+32.09 грн
1000+24.47 грн
5000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b897500128247bdae36f3f
BSC109N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+136.90 грн
10+97.67 грн
100+68.20 грн
500+48.06 грн
1000+37.71 грн
5000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304327b897500128247bdae36f3f
BSC109N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.20 грн
500+48.06 грн
1000+37.71 грн
5000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1 Infineon-BSZ097N10NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a1b051648d
BSZ097N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.02 грн
50+52.17 грн
250+49.08 грн
1000+45.11 грн
3000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N10NS5ATMA1 Infineon-BSZ097N10NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a1b051648d
BSZ097N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ097N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.17 грн
250+49.08 грн
1000+45.11 грн
3000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3046SDLATMA1 Infineon-BTS3046SDL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad821c9e4c21
BTS3046SDLATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3046SDLATMA1 - Leistungsverteilungsschalter, Smart Low-Side, HITFET, 1 Ausgang, 10V, 21A, 0.046 Ohm, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.046ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 21A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+247.93 грн
10+161.11 грн
50+147.75 грн
100+117.82 грн
250+102.32 грн
500+89.44 грн
1000+75.13 грн
2500+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7Y3R5-40E,115 BUK7Y3R5-40E.pdf
BUK7Y3R5-40E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.16 грн
13+67.20 грн
100+53.43 грн
500+44.03 грн
1000+39.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M120-100EX BUK9M120-100E.pdf
BUK9M120-100EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 27286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+55.60 грн
21+40.74 грн
100+31.64 грн
500+20.46 грн
1000+12.81 грн
5000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M120-100EX BUK9M120-100E.pdf
BUK9M120-100EX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 27286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.64 грн
500+20.46 грн
1000+12.81 грн
5000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E.pdf
BUK9Y6R0-60E,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y6R0-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.004 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 15254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.91 грн
10+100.17 грн
100+72.54 грн
500+53.17 грн
1000+48.94 грн
5000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4002LPS-13 DMT4002LPS.pdf
DMT4002LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.42 грн
10+104.35 грн
100+73.96 грн
500+50.38 грн
1000+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009LPSQ-13
DMTH10H009LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H009LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.006 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.35 грн
10+99.34 грн
100+97.67 грн
500+83.72 грн
1000+72.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009SPSQ-13
DMTH10H009SPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.23 грн
500+31.70 грн
1000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009SPSQ-13
DMTH10H009SPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H009SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.0067 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.31 грн
100+34.23 грн
500+31.70 грн
1000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H2M5STLW-13 DMTH10H2M5STLW.pdf
DMTH10H2M5STLW-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H2M5STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 0.00168 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00168ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+335.58 грн
10+239.58 грн
100+222.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M6SPS-13 DMTH10H4M6SPS.pdf
DMTH10H4M6SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H4M6SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.003 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+169.46 грн
10+122.71 грн
100+95.16 грн
500+64.57 грн
1000+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8004LPS-13
DMTH8004LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+95.16 грн
500+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8004LPS-13
DMTH8004LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.98 грн
10+141.91 грн
100+95.16 грн
500+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ESK107M010AC3AA ESK107M010AC3AA
ESK107M010AC3AA
Виробник: KEMET
Description: KEMET - ESK107M010AC3AA - Elektrolytkondensator, 100 µF, 10 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 2000 Stunden bei 85°C, Polarisiert
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 11mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 2mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 2000 Stunden bei 85°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): -
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 100µF
Spannung (DC): 10V
Rippelstrom: 180mA
Produktpalette: ESK Series
productTraceability: No
Produktdurchmesser: 5mm
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
151+5.56 грн
182+4.61 грн
500+3.66 грн
1000+2.78 грн
2000+2.38 грн
4000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
FDB0260N1007L fdb0260n1007l-d.pdf
FDB0260N1007L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+727.08 грн
5+631.92 грн
10+536.76 грн
50+456.56 грн
100+335.58 грн
250+334.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC86102LZ fdmc86102lz-d.pdf
FDMC86102LZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.019 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.73 грн
10+97.67 грн
100+78.72 грн
500+60.46 грн
1000+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629D3ST huf76629d3s-d.pdf
HUF76629D3ST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+188.66 грн
10+138.57 грн
100+107.69 грн
500+82.94 грн
1000+75.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon-IPC100N04S5-1R2-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46253f65057015419c2758552ee
IPC100N04S51R2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPC100N04S51R2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 47645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.19 грн
11+82.64 грн
100+72.88 грн
500+56.90 грн
1000+47.44 грн
5000+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+105.18 грн
10+83.48 грн
100+70.96 грн
500+57.98 грн
1000+52.45 грн
5000+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.96 грн
500+57.98 грн
1000+52.45 грн
5000+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+380.66 грн
10+274.64 грн
100+216.21 грн
500+170.53 грн
1000+152.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT015N10N5ATMA1 Infineon-IPT015N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac94680661aff
IPT015N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+274.64 грн
100+216.21 грн
500+170.53 грн
1000+152.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR4302MTRPBF ir4302.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d602a9181d
IR4302MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR4302MTRPBF - Audioleistungsverstärker, Baureihe PowIRaudio, 130W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 130W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+519.23 грн
10+419.05 грн
25+401.52 грн
50+343.39 грн
100+279.77 грн
250+268.32 грн
500+251.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4302MTRPBF ir4302.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d602a9181d
IR4302MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR4302MTRPBF - Audioleistungsverstärker, Baureihe PowIRaudio, 130W x 2 bei 4 Ohm, D, 2 Kanäle, 10V bis 15V, PQFN
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgang: 2 x Stereo
Versorgungsspannung: 10V bis 15V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PQFN
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Ausgangsleistung x Kanäle bei Last: 130W x 2 bei 4 Ohm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Audioverstärker: D
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+279.77 грн
250+268.32 грн
500+251.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF irf520npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e340711985
IRF520NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 84760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.26 грн
100+31.89 грн
500+26.82 грн
1000+23.25 грн
5000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 28118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+288.00 грн
10+140.24 грн
100+134.40 грн
500+111.62 грн
1000+90.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 28118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+134.40 грн
500+111.62 грн
1000+90.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF irf9540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611cfa21dc8
IRF9540NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 55131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.88 грн
10+108.52 грн
100+59.02 грн
500+46.43 грн
1000+37.56 грн
5000+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5301TRPBF irfh5301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b477b1ebe
IRFH5301TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5301TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00155 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.49 грн
14+63.78 грн
100+48.08 грн
500+36.97 грн
1000+31.12 грн
5000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5302TRPBF irfh5302pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561b58dc1ec3
IRFH5302TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5302TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0018 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+136.90 грн
14+60.44 грн
100+45.49 грн
500+35.27 грн
1000+30.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7004TRPBF irfh7004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ea3e51ed2
IRFH7004TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.65 грн
12+70.37 грн
100+59.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF irfm120a-d.pdf
IRFM120ATF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.56 грн
500+23.02 грн
1000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF irfm120a-d.pdf
IRFM120ATF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.20 грн
18+47.00 грн
100+33.56 грн
500+23.02 грн
1000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP9140PBF sihfp914.pdf
IRFP9140PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP9140PBF - Leistungs-MOSFET, Universal, p-Kanal, 100 V, 21 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+247.93 грн
10+223.72 грн
100+156.10 грн
500+123.25 грн
1000+111.62 грн
5000+109.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]