Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11066) > Сторінка 143 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9Z34PBF-BE3 IRF9Z34PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF9Z34_SiHF9Z34_RevC_5-2-16.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF-BE3 IRFZ24PBF-BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF-BE3 IRF9Z24PBF-BE3 Vishay Siliconix 91090.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.40 грн
50+61.86 грн
100+60.20 грн
500+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3 Vishay Siliconix irf630.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 5296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.98 грн
50+46.71 грн
1000+45.13 грн
2000+39.13 грн
5000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3 IRF9530PBF-BE3 Vishay Siliconix 91076.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.52 грн
50+59.97 грн
100+58.20 грн
500+49.40 грн
1000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N80AE-GE3 SIHA15N80AE-GE3 Vishay Siliconix siha15n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.87 грн
10+157.33 грн
100+109.34 грн
500+83.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N80AE-GE3 SIHB15N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihb15n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.81 грн
50+125.47 грн
100+113.43 грн
500+86.63 грн
1000+80.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N80AE-GE3 SIHG15N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihg15n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.30 грн
25+162.74 грн
100+132.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBF-BE3 IRFZ34PBF-BE3 Vishay Siliconix irfz34.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.16 грн
50+75.23 грн
100+67.45 грн
500+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 SISS05DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss05dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBF-BE3 IRLZ14PBF-BE3 Vishay Siliconix irlz14.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.12 грн
50+52.90 грн
100+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24PBF-BE3 IRLZ24PBF-BE3 Vishay Siliconix IRLZ24-SiHLZ24.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF-BE3 IRF820APBF-BE3 Vishay Siliconix 91057.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.05 грн
50+78.76 грн
100+74.81 грн
500+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4080EY-T1_GE3 SQ4080EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4080ey.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.55 грн
5000+35.35 грн
12500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4080EY-T1_GE3 SQ4080EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4080ey.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.68 грн
10+73.39 грн
100+57.10 грн
500+45.42 грн
1000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539CDL-T1-BE3 SI1539CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1539cdl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V, 34pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388mOhm @ 600mA, 10V, 890mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V, 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539CDL-T1-BE3 SI1539CDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1539cdl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V, 34pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388mOhm @ 600mA, 10V, 890mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V, 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.49 грн
13+24.08 грн
100+14.43 грн
500+10.81 грн
1000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBF-BE3 IRL540PBF-BE3 Vishay Siliconix irl540.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.87 грн
50+121.60 грн
100+109.92 грн
500+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM200N04-1m1L_GE3 SQM200N04-1m1L_GE3 Vishay Siliconix sqm200n041m1l.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20655 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM200N04-1M8_GE3 Vishay Siliconix sqm200n04-1m8.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR871DP-T1-GE3 SIR871DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir871dp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR871DP-T1-GE3 SIR871DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir871dp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32475DN-T1-GE4 SIP32475DN-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32475.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4UDFN
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 47mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-µDFN (1x1)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.92 грн
6000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32475DN-T1-GE4 SIP32475DN-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32475.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4UDFN
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 47mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-µDFN (1x1)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
12+25.99 грн
25+23.24 грн
100+18.98 грн
250+17.62 грн
500+16.80 грн
1000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF-BE3 IRF9510PBF-BE3 Vishay Siliconix 91072.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 3581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.62 грн
50+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF-BE3 IRFL014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF-BE3 IRFL014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.27 грн
10+47.70 грн
100+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_BE3 SQJA60EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja60ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_BE3 SQJA60EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqja60ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.60 грн
10+62.38 грн
100+48.48 грн
500+38.57 грн
1000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630PBF-BE3 IRL630PBF-BE3 Vishay Siliconix irl630.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.36 грн
50+97.17 грн
100+88.57 грн
500+68.74 грн
1000+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG604EEN-T1-GE4 DG604EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg604e.pdf Description: IC SW SPST-NOX2 101OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 101Ohm
-3db Bandwidth: 414MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.3pC
Crosstalk: -65dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 54ns, 52ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.2pF, 6.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG604EEN-T1-GE4 DG604EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg604e.pdf Description: IC SW SPST-NOX2 101OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 101Ohm
-3db Bandwidth: 414MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.3pC
Crosstalk: -65dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 54ns, 52ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.2pF, 6.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.14 грн
10+77.75 грн
25+70.55 грн
100+58.77 грн
250+55.21 грн
500+53.07 грн
1000+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS52DN-T1-GE3 SISS52DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss52dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.1A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.99 грн
6000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS52DN-T1-GE3 SISS52DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss52dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.1A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 15 V
на замовлення 6148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.41 грн
10+66.05 грн
100+47.37 грн
500+34.95 грн
1000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_BE3 SQ4153EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4153ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_BE3 SQ4153EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4153ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.11 грн
10+90.67 грн
100+70.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRRPBF-BE3 IRFR120TRRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRRPBF-BE3 IRFR120TRRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRLPBF-BE3 IRFR120TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRLPBF-BE3 IRFR120TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.53 грн
10+76.91 грн
100+59.56 грн
500+48.65 грн
1000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF-BE3 IRFR120PBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 5765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.58 грн
75+57.86 грн
150+52.06 грн
525+41.10 грн
1050+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF-BE3 IRFB9N60APBF-BE3 Vishay Siliconix 91103.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF-BE3 IRF9630PBF-BE3 Vishay Siliconix irf9630.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.56 грн
50+75.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF-BE3 IRF9620PBF-BE3 Vishay Siliconix 91082.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.11 грн
50+68.25 грн
100+61.42 грн
500+53.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF-BE3 IRF9610PBF-BE3 Vishay Siliconix 91080.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.66 грн
50+82.52 грн
100+74.09 грн
500+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3 SQ2308CES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2308ces.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.35 грн
6000+14.18 грн
9000+13.59 грн
15000+12.52 грн
21000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3 SQ2308CES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2308ces.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.16 грн
10+37.54 грн
100+27.61 грн
500+19.91 грн
1000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-BE3 SI1308EDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1308edl.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.62 грн
6000+7.26 грн
9000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-BE3 SI1308EDL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1308edl.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 15301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.34 грн
16+19.57 грн
100+12.73 грн
500+11.41 грн
1000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624PBF-BE3 IRF624PBF-BE3 Vishay Siliconix irf624.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80AE-GE3 SIHD6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihd6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.55 грн
75+58.58 грн
150+50.85 грн
525+42.26 грн
1050+36.50 грн
2025+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF-BE3 IRFBE20PBF-BE3 Vishay Siliconix 91117.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520PBF-BE3 IRF9520PBF-BE3 Vishay Siliconix 91074.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.11 грн
50+64.81 грн
100+62.93 грн
500+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ270DT-T1-GE3 SIZ270DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz270dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.08 грн
6000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ270DT-T1-GE3 SIZ270DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz270dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
на замовлення 11593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.24 грн
10+78.21 грн
100+60.85 грн
500+48.41 грн
1000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF-BE3 IRFL210TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF-BE3 IRFL210TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfl210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.83 грн
10+53.44 грн
100+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF-BE3 IRFR024TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr024.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF-BE3 IRFR024TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr024.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.47 грн
10+63.15 грн
100+49.20 грн
500+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3 IRF9Z34_SiHF9Z34_RevC_5-2-16.pdf
IRF9Z34PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF-BE3
IRFZ24PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF-BE3 91090.pdf
IRF9Z24PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.40 грн
50+61.86 грн
100+60.20 грн
500+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630PBF-BE3 irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 5296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.98 грн
50+46.71 грн
1000+45.13 грн
2000+39.13 грн
5000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530PBF-BE3 91076.pdf
IRF9530PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.52 грн
50+59.97 грн
100+58.20 грн
500+49.40 грн
1000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N80AE-GE3 siha15n80ae.pdf
SIHA15N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.87 грн
10+157.33 грн
100+109.34 грн
500+83.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N80AE-GE3 sihb15n80ae.pdf
SIHB15N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.81 грн
50+125.47 грн
100+113.43 грн
500+86.63 грн
1000+80.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N80AE-GE3 sihg15n80ae.pdf
SIHG15N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.30 грн
25+162.74 грн
100+132.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBF-BE3 irfz34.pdf
IRFZ34PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.16 грн
50+75.23 грн
100+67.45 грн
500+50.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 siss05dn.pdf
SISS05DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14PBF-BE3 irlz14.pdf
IRLZ14PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.12 грн
50+52.90 грн
100+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24PBF-BE3 IRLZ24-SiHLZ24.PDF
IRLZ24PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF820APBF-BE3 91057.pdf
IRF820APBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.05 грн
50+78.76 грн
100+74.81 грн
500+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4080EY-T1_GE3 sq4080ey.pdf
SQ4080EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.55 грн
5000+35.35 грн
12500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4080EY-T1_GE3 sq4080ey.pdf
SQ4080EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.68 грн
10+73.39 грн
100+57.10 грн
500+45.42 грн
1000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539CDL-T1-BE3 si1539cdl.pdf
SI1539CDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V, 34pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388mOhm @ 600mA, 10V, 890mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V, 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539CDL-T1-BE3 si1539cdl.pdf
SI1539CDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta), 340mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 700mA (Tc), 400mA (Ta), 500mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V, 34pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388mOhm @ 600mA, 10V, 890mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V, 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.49 грн
13+24.08 грн
100+14.43 грн
500+10.81 грн
1000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBF-BE3 irl540.pdf
IRL540PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.87 грн
50+121.60 грн
100+109.92 грн
500+83.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM200N04-1m1L_GE3 sqm200n041m1l.pdf
SQM200N04-1m1L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 413 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20655 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM200N04-1M8_GE3 sqm200n04-1m8.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR871DP-T1-GE3 sir871dp.pdf
SIR871DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR871DP-T1-GE3 sir871dp.pdf
SIR871DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32475DN-T1-GE4 sip32475.pdf
SIP32475DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4UDFN
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 47mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-µDFN (1x1)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.92 грн
6000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32475DN-T1-GE4 sip32475.pdf
SIP32475DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4UDFN
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 47mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 0V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 4-µDFN (1x1)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
12+25.99 грн
25+23.24 грн
100+18.98 грн
250+17.62 грн
500+16.80 грн
1000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF-BE3 91072.pdf
IRF9510PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 3581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.62 грн
50+49.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF-BE3 sihfl014.pdf
IRFL014TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF-BE3 sihfl014.pdf
IRFL014TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.27 грн
10+47.70 грн
100+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_BE3 sqja60ep.pdf
SQJA60EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_BE3 sqja60ep.pdf
SQJA60EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.60 грн
10+62.38 грн
100+48.48 грн
500+38.57 грн
1000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL630PBF-BE3 irl630.pdf
IRL630PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.36 грн
50+97.17 грн
100+88.57 грн
500+68.74 грн
1000+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG604EEN-T1-GE4 dg604e.pdf
DG604EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX2 101OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 101Ohm
-3db Bandwidth: 414MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.3pC
Crosstalk: -65dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 54ns, 52ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.2pF, 6.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG604EEN-T1-GE4 dg604e.pdf
DG604EEN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX2 101OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 101Ohm
-3db Bandwidth: 414MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.3pC
Crosstalk: -65dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 54ns, 52ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4.2pF, 6.8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.14 грн
10+77.75 грн
25+70.55 грн
100+58.77 грн
250+55.21 грн
500+53.07 грн
1000+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS52DN-T1-GE3 siss52dn.pdf
SISS52DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.1A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.99 грн
6000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS52DN-T1-GE3 siss52dn.pdf
SISS52DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.1A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 15 V
на замовлення 6148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.41 грн
10+66.05 грн
100+47.37 грн
500+34.95 грн
1000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_BE3 sq4153ey.pdf
SQ4153EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_BE3 sq4153ey.pdf
SQ4153EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.11 грн
10+90.67 грн
100+70.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRRPBF-BE3 sihfr120.pdf
IRFR120TRRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRRPBF-BE3 sihfr120.pdf
IRFR120TRRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRLPBF-BE3 sihfr120.pdf
IRFR120TRLPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRLPBF-BE3 sihfr120.pdf
IRFR120TRLPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.53 грн
10+76.91 грн
100+59.56 грн
500+48.65 грн
1000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120PBF-BE3 sihfr120.pdf
IRFR120PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 5765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.58 грн
75+57.86 грн
150+52.06 грн
525+41.10 грн
1050+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF-BE3 91103.pdf
IRFB9N60APBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF-BE3 irf9630.pdf
IRF9630PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.56 грн
50+75.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF-BE3 91082.pdf
IRF9620PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.11 грн
50+68.25 грн
100+61.42 грн
500+53.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF-BE3 91080.pdf
IRF9610PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.66 грн
50+82.52 грн
100+74.09 грн
500+55.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3 sq2308ces.pdf
SQ2308CES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.35 грн
6000+14.18 грн
9000+13.59 грн
15000+12.52 грн
21000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2308CES-T1_BE3 sq2308ces.pdf
SQ2308CES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.16 грн
10+37.54 грн
100+27.61 грн
500+19.91 грн
1000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-BE3 si1308edl.pdf
SI1308EDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.62 грн
6000+7.26 грн
9000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-BE3 si1308edl.pdf
SI1308EDL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V
на замовлення 15301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.34 грн
16+19.57 грн
100+12.73 грн
500+11.41 грн
1000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF624PBF-BE3 irf624.pdf
IRF624PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD6N80AE-GE3 sihd6n80ae.pdf
SIHD6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.55 грн
75+58.58 грн
150+50.85 грн
525+42.26 грн
1050+36.50 грн
2025+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF-BE3 91117.pdf
IRFBE20PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520PBF-BE3 91074.pdf
IRF9520PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.11 грн
50+64.81 грн
100+62.93 грн
500+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ270DT-T1-GE3 siz270dt.pdf
SIZ270DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.08 грн
6000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ270DT-T1-GE3 siz270dt.pdf
SIZ270DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 7.1A 8PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (3.3x3.3)
на замовлення 11593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.24 грн
10+78.21 грн
100+60.85 грн
500+48.41 грн
1000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF-BE3 sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF-BE3 sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.83 грн
10+53.44 грн
100+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF-BE3 sihfr024.pdf
IRFR024TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024TRPBF-BE3 sihfr024.pdf
IRFR024TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.47 грн
10+63.15 грн
100+49.20 грн
500+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]