Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11840) > Сторінка 143 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHP21N60EF-BE3 SIHP21N60EF-BE3 Vishay Siliconix sihp21n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906BDT-T1-GE3 SIZF906BDT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf906bdt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906BDT-T1-GE3 SIZF906BDT-T1-GE3 Vishay Siliconix sizf906bdt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC651ACD-T1-GE3 SIC651ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic651.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC651ACD-T1-GE3 SIC651ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic651.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Part Status: Active
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.06 грн
10+124.49 грн
25+113.76 грн
100+95.64 грн
250+90.34 грн
500+88.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3 SQJ476EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj476ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3 SIS126DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis126dn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.07 грн
9000+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3 SIS126DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis126dn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.09 грн
10+71.31 грн
50+53.31 грн
100+44.60 грн
500+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH080N60E-T1-GE3 SIHH080N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh080n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH080N60E-T1-GE3 SIHH080N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh080n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.89 грн
10+283.56 грн
100+204.23 грн
500+176.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF080N60E-GE3 SIHF080N60E-GE3 Vishay Siliconix sihf080n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.46 грн
10+249.28 грн
50+195.46 грн
100+167.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP080N60E-GE3 SIHP080N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp080n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.42 грн
50+197.26 грн
100+179.81 грн
500+140.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3 SIHG080N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg080n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.18 грн
25+241.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG4157EDN-T1-GE4 DG4157EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg4157e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 152MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -41dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 3nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.52 грн
6000+23.97 грн
9000+23.66 грн
15000+21.89 грн
21000+21.70 грн
30000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG4157EDN-T1-GE4 DG4157EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg4157e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 152MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -41dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 3nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 123075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.22 грн
10+36.11 грн
25+32.42 грн
100+26.65 грн
250+24.84 грн
500+23.76 грн
1000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQW61N65EF-GE3 SQW61N65EF-GE3 Vishay Siliconix sqw61n65ef.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 344 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7379 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+982.62 грн
30+578.76 грн
120+523.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG2034EDQ-T1-GE3 DG2034EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2034e.pdf Description: IC SWITCH SP4T X 1 2.5OHM 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
-3db Bandwidth: 166MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2.6pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF, -
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 11050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.63 грн
5000+53.32 грн
7500+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2034EDQ-T1-GE3 DG2034EDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2034e.pdf Description: IC SWITCH SP4T X 1 2.5OHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
-3db Bandwidth: 166MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2.6pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF, -
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 11181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.14 грн
10+80.00 грн
25+72.65 грн
100+60.63 грн
250+57.02 грн
500+54.85 грн
1000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-GE3 SIDR402DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr402dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-GE3 SIDR402DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sidr402dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.11 грн
10+139.95 грн
100+97.21 грн
500+77.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS70DN-T1-GE3 SISS70DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss70dn.pdf Description: MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS70DN-T1-GE3 SISS70DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss70dn.pdf Description: MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK
на замовлення 5559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG2032EDN-T1-GE4 DG2032EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2032e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 12QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
-3db Bandwidth: 221MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19.4pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2032EDN-T1-GE4 DG2032EDN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2032e.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 12QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
-3db Bandwidth: 221MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19.4pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.76 грн
10+78.32 грн
25+71.13 грн
100+59.32 грн
250+55.79 грн
500+53.65 грн
1000+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ500AEP-T1_GE3 SQJ500AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj500aep.pdf Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ500AEP-T1_GE3 SQJ500AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj500aep.pdf Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ142E-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq142e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6975 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+69.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100EL-T1_GE3 SQJQ100EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq100el.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100EL-T1_GE3 SQJQ100EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq100el.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10950E_GE3 SQD10950E_GE3 Vishay Siliconix sqd10950e.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10950E_GE3 SQD10950E_GE3 Vishay Siliconix sqd10950e.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.95 грн
10+90.89 грн
100+61.38 грн
500+45.74 грн
1000+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423ADQ-T1-GE3 SI6423ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix si6423adq.pdf Description: MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.2W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423ADQ-T1-GE3 SI6423ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix si6423adq.pdf Description: MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.12 грн
10+80.91 грн
50+60.84 грн
100+51.01 грн
500+40.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF-BE3 IRFR110PBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.20 грн
10+87.69 грн
75+61.86 грн
150+52.14 грн
525+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3 SIRA26DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira26dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3 SIRA26DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira26dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.34 грн
10+50.21 грн
100+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS72DN-T1-GE3 SISS72DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss72dn.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS72DN-T1-GE3 SISS72DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss72dn.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 SIR401DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir401dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.38 грн
9000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 SIR401DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir401dp.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.05 грн
10+73.90 грн
50+55.36 грн
100+46.33 грн
500+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3 SIR474DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir474dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3 SIR474DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir474dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.20 грн
10+60.80 грн
100+46.64 грн
500+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC473ED-T1-GE3 SIC473ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic47x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 55V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 50.6V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+120.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC473ED-T1-GE3 SIC473ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic47x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 55V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 50.6V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 21124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.85 грн
10+164.33 грн
25+150.67 грн
100+127.26 грн
250+120.52 грн
500+118.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA66EP-T1_GE3 SQJA66EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja66ep.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA66EP-T1_GE3 SQJA66EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja66ep.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.20 грн
10+88.15 грн
50+66.54 грн
100+55.88 грн
500+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3 SI7370DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7370dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+111.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3 SI7370DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7370dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.89 грн
10+209.89 грн
100+168.68 грн
500+130.06 грн
1000+107.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS43N50K-GE3 SIHFPS43N50K-GE3 Vishay Siliconix sihfps43n50k.pdf Description: MOSFET N-CH 500V SUPER-247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP40012EL-GE3 SUP40012EL-GE3 Vishay Siliconix sup40012el.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.79mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.65 грн
10+143.38 грн
50+110.03 грн
100+93.16 грн
500+75.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA01DN-T1-GE3 SISA01DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa01dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.80 грн
6000+20.35 грн
9000+19.53 грн
15000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA01DN-T1-GE3 SISA01DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa01dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 18845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.61 грн
10+53.71 грн
100+35.48 грн
500+25.96 грн
1000+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC479ED-T1-GE3 SIC479ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic47x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 55V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 24V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+138.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC479ED-T1-GE3 SIC479ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic47x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 55V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 24V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
на замовлення 16631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.13 грн
10+186.96 грн
25+171.75 грн
100+145.41 грн
250+137.90 грн
500+136.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48RS-GE3 SIHFZ48RS-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR624DP-T1-RE3 SIR624DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir624dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034EL_GE3 SQD50034EL_GE3 Vishay Siliconix sqd50034el.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034EL_GE3 SQD50034EL_GE3 Vishay Siliconix sqd50034el.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.22 грн
10+109.48 грн
100+74.68 грн
500+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF-BE3 IRFBF30PBF-BE3 Vishay Siliconix 91122.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP21N60EF-BE3 sihp21n60ef.pdf
SIHP21N60EF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906BDT-T1-GE3 sizf906bdt.pdf
SIZF906BDT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF906BDT-T1-GE3 sizf906bdt.pdf
SIZF906BDT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 36A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V, 0.68mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC651ACD-T1-GE3 sic651.pdf
SIC651ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC651ACD-T1-GE3 sic651.pdf
SIC651ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Part Status: Active
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.06 грн
10+124.49 грн
25+113.76 грн
100+95.64 грн
250+90.34 грн
500+88.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ476EP-T1_GE3 sqj476ep.pdf
SQJ476EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3 sis126dn.pdf
SIS126DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.07 грн
9000+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3 sis126dn.pdf
SIS126DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 45.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.09 грн
10+71.31 грн
50+53.31 грн
100+44.60 грн
500+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH080N60E-T1-GE3 sihh080n60e.pdf
SIHH080N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH080N60E-T1-GE3 sihh080n60e.pdf
SIHH080N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+439.89 грн
10+283.56 грн
100+204.23 грн
500+176.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF080N60E-GE3 sihf080n60e.pdf
SIHF080N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+388.46 грн
10+249.28 грн
50+195.46 грн
100+167.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP080N60E-GE3 sihp080n60e.pdf
SIHP080N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+392.42 грн
50+197.26 грн
100+179.81 грн
500+140.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG080N60E-GE3 sihg080n60e.pdf
SIHG080N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+431.18 грн
25+241.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG4157EDN-T1-GE4 dg4157e.pdf
DG4157EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 152MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -41dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 3nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.52 грн
6000+23.97 грн
9000+23.66 грн
15000+21.89 грн
21000+21.70 грн
30000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG4157EDN-T1-GE4 dg4157e.pdf
DG4157EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
-3db Bandwidth: 152MHz
Supplier Device Package: 6-µDFN (1x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -41dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 32ns, 28ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 3nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 123075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+52.22 грн
10+36.11 грн
25+32.42 грн
100+26.65 грн
250+24.84 грн
500+23.76 грн
1000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQW61N65EF-GE3 sqw61n65ef.pdf
SQW61N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 344 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7379 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+982.62 грн
30+578.76 грн
120+523.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG2034EDQ-T1-GE3 dg2034e.pdf
DG2034EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SP4T X 1 2.5OHM 10MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
-3db Bandwidth: 166MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2.6pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF, -
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 11050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+56.63 грн
5000+53.32 грн
7500+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2034EDQ-T1-GE3 dg2034e.pdf
DG2034EDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SP4T X 1 2.5OHM 10MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
-3db Bandwidth: 166MHz
Supplier Device Package: 10-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -2.6pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 20mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 25ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7pF, -
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 11181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.14 грн
10+80.00 грн
25+72.65 грн
100+60.63 грн
250+57.02 грн
500+54.85 грн
1000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-GE3 sidr402dp.pdf
SIDR402DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-GE3 sidr402dp.pdf
SIDR402DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.11 грн
10+139.95 грн
100+97.21 грн
500+77.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS70DN-T1-GE3 siss70dn.pdf
SISS70DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS70DN-T1-GE3 siss70dn.pdf
SISS70DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK
на замовлення 5559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG2032EDN-T1-GE4 dg2032e.pdf
DG2032EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 12QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
-3db Bandwidth: 221MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19.4pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2032EDN-T1-GE4 dg2032e.pdf
DG2032EDN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 2 3.1OHM 12QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.1Ohm
-3db Bandwidth: 221MHz
Supplier Device Package: 12-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: -19.4pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 40ns, 33ns
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.76 грн
10+78.32 грн
25+71.13 грн
100+59.32 грн
250+55.79 грн
500+53.65 грн
1000+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ500AEP-T1_GE3 sqj500aep.pdf
SQJ500AEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ500AEP-T1_GE3 sqj500aep.pdf
SQJ500AEP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ142E-T1_GE3 sqjq142e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6975 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+69.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100EL-T1_GE3 sqjq100el.pdf
SQJQ100EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ100EL-T1_GE3 sqjq100el.pdf
SQJQ100EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10950E_GE3 sqd10950e.pdf
SQD10950E_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD10950E_GE3 sqd10950e.pdf
SQD10950E_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.95 грн
10+90.89 грн
100+61.38 грн
500+45.74 грн
1000+41.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423ADQ-T1-GE3 si6423adq.pdf
SI6423ADQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.2W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423ADQ-T1-GE3 si6423adq.pdf
SI6423ADQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.12 грн
10+80.91 грн
50+60.84 грн
100+51.01 грн
500+40.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110PBF-BE3 sihfr110.pdf
IRFR110PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.20 грн
10+87.69 грн
75+61.86 грн
150+52.14 грн
525+43.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3 sira26dp.pdf
SIRA26DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3 sira26dp.pdf
SIRA26DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.34 грн
10+50.21 грн
100+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS72DN-T1-GE3 siss72dn.pdf
SISS72DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS72DN-T1-GE3 siss72dn.pdf
SISS72DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 sir401dp.pdf
SIR401DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.38 грн
9000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR401DP-T1-GE3 sir401dp.pdf
SIR401DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.05 грн
10+73.90 грн
50+55.36 грн
100+46.33 грн
500+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3 sir474dp.pdf
SIR474DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3 sir474dp.pdf
SIR474DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.20 грн
10+60.80 грн
100+46.64 грн
500+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC473ED-T1-GE3 sic47x.pdf
SIC473ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 55V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 50.6V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+120.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC473ED-T1-GE3 sic47x.pdf
SIC473ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 5A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 55V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 50.6V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 21124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.85 грн
10+164.33 грн
25+150.67 грн
100+127.26 грн
250+120.52 грн
500+118.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA66EP-T1_GE3 sqja66ep.pdf
SQJA66EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA66EP-T1_GE3 sqja66ep.pdf
SQJA66EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.20 грн
10+88.15 грн
50+66.54 грн
100+55.88 грн
500+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3 si7370dp.pdf
SI7370DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+111.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7370DP-T1-GE3 si7370dp.pdf
SI7370DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+242.89 грн
10+209.89 грн
100+168.68 грн
500+130.06 грн
1000+107.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS43N50K-GE3 sihfps43n50k.pdf
SIHFPS43N50K-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V SUPER-247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-274AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP40012EL-GE3 sup40012el.pdf
SUP40012EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.79mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.65 грн
10+143.38 грн
50+110.03 грн
100+93.16 грн
500+75.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA01DN-T1-GE3 sisa01dn.pdf
SISA01DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.80 грн
6000+20.35 грн
9000+19.53 грн
15000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA01DN-T1-GE3 sisa01dn.pdf
SISA01DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 18845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.61 грн
10+53.71 грн
100+35.48 грн
500+25.96 грн
1000+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC479ED-T1-GE3 sic47x.pdf
SIC479ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 55V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 24V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+138.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC479ED-T1-GE3 sic47x.pdf
SIC479ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 55V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 24V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
на замовлення 16631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.13 грн
10+186.96 грн
25+171.75 грн
100+145.41 грн
250+137.90 грн
500+136.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFZ48RS-GE3
SIHFZ48RS-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR624DP-T1-RE3 sir624dp.pdf
SIR624DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 18.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034EL_GE3 sqd50034el.pdf
SQD50034EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034EL_GE3 sqd50034el.pdf
SQD50034EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.22 грн
10+109.48 грн
100+74.68 грн
500+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF-BE3 91122.pdf
IRFBF30PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]