Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11817) > Сторінка 144 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQ4917EY-T1_BE3 SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4917ey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.97 грн
10+101.82 грн
100+69.24 грн
500+51.91 грн
1000+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3 SUM50020E-GE3 Vishay Siliconix sum50020e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3 SUM50020E-GE3 Vishay Siliconix sum50020e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50P10-42-E3 SUM50P10-42-E3 Vishay Siliconix SUM50P10-42.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA186N60EF-GE3 SIHA186N60EF-GE3 Vishay Siliconix siha186n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF-BE3 IRFR110TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF-BE3 IRFR110TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.40 грн
10+80.11 грн
100+53.99 грн
500+40.18 грн
1000+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-BE3 SUD08P06-155L-BE3 Vishay Siliconix sud08p06-155l-ge3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-BE3 SUD08P06-155L-BE3 Vishay Siliconix sud08p06-155l-ge3.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.55 грн
10+68.01 грн
100+45.29 грн
500+33.35 грн
1000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJ-T1-GE3 SIA477EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SiA477EDJ_Dec24_2012.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJ-T1-GE3 SIA477EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SiA477EDJ_Dec24_2012.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80AEF-GE3 SIHP17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix sihp17n80aef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.66 грн
10+162.11 грн
100+113.24 грн
500+86.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AEF-GE3 SIHG17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix sihg17n80aef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.30 грн
10+189.80 грн
100+133.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA78EP-T1_GE3 SQJA78EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja78ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 72A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA78EP-T1_GE3 SQJA78EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja78ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 72A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.61 грн
10+100.61 грн
100+68.69 грн
500+51.66 грн
1000+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3 SQ1922EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1922eeh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.68 грн
6000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3 SQ1922EEH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1922eeh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.20 грн
10+32.30 грн
100+20.80 грн
500+14.87 грн
1000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1470aeh.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.75 грн
6000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1470aeh.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 268633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.13 грн
10+32.60 грн
100+24.28 грн
500+17.46 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS481ENW-T1_GE3 SQS481ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs481enw.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS481ENW-T1_GE3 SQS481ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs481enw.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.12 грн
10+68.76 грн
100+45.84 грн
500+33.79 грн
1000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA938DJT-T1-GE3 SIA938DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix sia938djt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.90 грн
6000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA938DJT-T1-GE3 SIA938DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix sia938djt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 11559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.42 грн
10+38.50 грн
100+25.06 грн
500+18.07 грн
1000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3 SiR690DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir690dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.44 грн
6000+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3 SiR690DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir690dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 12678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.68 грн
10+97.96 грн
100+66.80 грн
500+50.19 грн
1000+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9232EDY-T1-GE3 DG9232EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9232e.pdf Description: IC SWITCH SPST DUAL 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9232EDY-T1-GE3 DG9232EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix dg9232e.pdf Description: IC SWITCH SPST DUAL 8SOIC
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISF06DN-T1-GE3 SISF06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisf06dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 101A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.69 грн
6000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF06DN-T1-GE3 SISF06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisf06dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 101A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.83 грн
10+78.52 грн
100+52.63 грн
500+38.96 грн
1000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680ADP-T1-RE3 SIDR680ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr680adp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 137A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2723DN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2723.pdf Description: IC SWITCH DUAL SPDT 10-MINIQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ147ELP-T1_GE3 SQJ147ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj147elp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 44823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.98 грн
10+66.57 грн
100+44.31 грн
500+32.63 грн
1000+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469ADP-T1-RE3 SI7469ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix si7469adp.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.89 грн
10+118.54 грн
100+81.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3 SIR681DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir681dp.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 40 V
на замовлення 20786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.31 грн
10+160.45 грн
100+111.96 грн
500+85.63 грн
1000+85.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N04-3M3P-E3 SUM90N04-3M3P-E3 Vishay Siliconix sum90n043m3p.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5286 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3 SIS932EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis932edn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3 SIS932EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis932edn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.78 грн
10+36.39 грн
100+25.30 грн
500+18.54 грн
1000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA34EP-T1_GE3 SQJA34EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja34ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA34EP-T1_GE3 SQJA34EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja34ep.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2319cd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2319cd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.77 грн
10+33.36 грн
100+21.58 грн
500+15.50 грн
1000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 SIZ256DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz256dt.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20BDP-T1-GE3 SIRA20BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira20bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.12 грн
10+97.96 грн
100+76.21 грн
500+60.62 грн
1000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ136ELP-T1_GE3 SQJ136ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj136elp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8015 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.61 грн
10+107.34 грн
100+73.23 грн
500+55.03 грн
1000+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340BDT-T1-GE3 SIZ340BDT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz340bdt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.57 грн
6000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340BDT-T1-GE3 SIZ340BDT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz340bdt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 7842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.77 грн
10+53.63 грн
100+35.33 грн
500+25.79 грн
1000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7252adp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1266pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 SI7252ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7252adp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1266pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqjb60ep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqj910aep.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQR100N04-3M8R_GE3 Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQC40016E_DFFR Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3 SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir106dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.55 грн
6000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3 SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir106dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.26 грн
10+102.12 грн
100+81.26 грн
500+64.52 грн
1000+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir640adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.77 грн
6000+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir640adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
на замовлення 13251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.68 грн
10+111.96 грн
100+76.80 грн
500+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-BE3 SUD15N15-95-BE3 Vishay Siliconix sud15n15.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-BE3 SUD15N15-95-BE3 Vishay Siliconix sud15n15.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.54 грн
10+124.44 грн
100+99.07 грн
500+78.67 грн
1000+66.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-BE3 SUD35N10-26P-BE3 Vishay Siliconix sud35n10-26p.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-BE3 SUD35N10-26P-BE3 Vishay Siliconix sud35n10-26p.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.25 грн
10+120.20 грн
100+82.92 грн
500+64.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917EY-T1_BE3 sq4917ey.pdf
SQ4917EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+164.97 грн
10+101.82 грн
100+69.24 грн
500+51.91 грн
1000+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3 sum50020e.pdf
SUM50020E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020E-GE3 sum50020e.pdf
SUM50020E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50P10-42-E3 SUM50P10-42.pdf
SUM50P10-42-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA186N60EF-GE3 siha186n60ef.pdf
SIHA186N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF-BE3 sihfr110.pdf
IRFR110TRLPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR110TRLPBF-BE3 sihfr110.pdf
IRFR110TRLPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+130.40 грн
10+80.11 грн
100+53.99 грн
500+40.18 грн
1000+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-BE3 sud08p06-155l-ge3.pdf
SUD08P06-155L-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-BE3 sud08p06-155l-ge3.pdf
SUD08P06-155L-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.55 грн
10+68.01 грн
100+45.29 грн
500+33.35 грн
1000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJ-T1-GE3 SiA477EDJ_Dec24_2012.pdf
SIA477EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA477EDJ-T1-GE3 SiA477EDJ_Dec24_2012.pdf
SIA477EDJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80AEF-GE3 sihp17n80aef.pdf
SIHP17N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+257.66 грн
10+162.11 грн
100+113.24 грн
500+86.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG17N80AEF-GE3 sihg17n80aef.pdf
SIHG17N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+299.30 грн
10+189.80 грн
100+133.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA78EP-T1_GE3 sqja78ep.pdf
SQJA78EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 72A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+46.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA78EP-T1_GE3 sqja78ep.pdf
SQJA78EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 72A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+162.61 грн
10+100.61 грн
100+68.69 грн
500+51.66 грн
1000+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3 sq1922eeh.pdf
SQ1922EEH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.68 грн
6000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1922EEH-T1_GE3 sq1922eeh.pdf
SQ1922EEH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+54.20 грн
10+32.30 грн
100+20.80 грн
500+14.87 грн
1000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3 sq1470aeh.pdf
SQ1470AEH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.75 грн
6000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3 sq1470aeh.pdf
SQ1470AEH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 268633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.13 грн
10+32.60 грн
100+24.28 грн
500+17.46 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS481ENW-T1_GE3 sqs481enw.pdf
SQS481ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS481ENW-T1_GE3 sqs481enw.pdf
SQS481ENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.12 грн
10+68.76 грн
100+45.84 грн
500+33.79 грн
1000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA938DJT-T1-GE3 sia938djt.pdf
SIA938DJT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.90 грн
6000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA938DJT-T1-GE3 sia938djt.pdf
SIA938DJT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 11559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+64.42 грн
10+38.50 грн
100+25.06 грн
500+18.07 грн
1000+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3 sir690dp.pdf
SiR690DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+45.44 грн
6000+42.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3 sir690dp.pdf
SiR690DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 12678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+158.68 грн
10+97.96 грн
100+66.80 грн
500+50.19 грн
1000+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9232EDY-T1-GE3 dg9232e.pdf
DG9232EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST DUAL 8SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG9232EDY-T1-GE3 dg9232e.pdf
DG9232EDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST DUAL 8SOIC
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISF06DN-T1-GE3 sisf06dn.pdf
SISF06DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 101A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+34.69 грн
6000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF06DN-T1-GE3 sisf06dn.pdf
SISF06DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A PWRPAK1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 101A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+128.83 грн
10+78.52 грн
100+52.63 грн
500+38.96 грн
1000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680ADP-T1-RE3 sidr680adp.pdf
SIDR680ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 137A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG2723DN-T1-GE4 dg2723.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DUAL SPDT 10-MINIQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ147ELP-T1_GE3 sqj147elp.pdf
SQJ147ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 44823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+109.98 грн
10+66.57 грн
100+44.31 грн
500+32.63 грн
1000+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7469ADP-T1-RE3 si7469adp.pdf
SI7469ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+190.89 грн
10+118.54 грн
100+81.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3 sir681dp.pdf
SIR681DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 40 V
на замовлення 20786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+255.31 грн
10+160.45 грн
100+111.96 грн
500+85.63 грн
1000+85.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N04-3M3P-E3 sum90n043m3p.pdf
SUM90N04-3M3P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5286 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3 sis932edn.pdf
SIS932EDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3 sis932edn.pdf
SIS932EDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.78 грн
10+36.39 грн
100+25.30 грн
500+18.54 грн
1000+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA34EP-T1_GE3 sqja34ep.pdf
SQJA34EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA34EP-T1_GE3 sqja34ep.pdf
SQJA34EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.77 грн
10+33.36 грн
100+21.58 грн
500+15.50 грн
1000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ256DT-T1-GE3 siz256dt.pdf
SIZ256DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20BDP-T1-GE3 sira20bdp.pdf
SIRA20BDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+124.12 грн
10+97.96 грн
100+76.21 грн
500+60.62 грн
1000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ136ELP-T1_GE3 sqj136elp.pdf
SQJ136ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8015 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+173.61 грн
10+107.34 грн
100+73.23 грн
500+55.03 грн
1000+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340BDT-T1-GE3 siz340bdt.pdf
SIZ340BDT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+22.57 грн
6000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ340BDT-T1-GE3 siz340bdt.pdf
SIZ340BDT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16.9A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 7842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.77 грн
10+53.63 грн
100+35.33 грн
500+25.79 грн
1000+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 si7252adp.pdf
SI7252ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1266pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7252ADP-T1-GE3 si7252adp.pdf
SI7252ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1266pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T2_GE3 sqjb60ep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ910AEP-T2_GE3 sqj910aep.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQR100N04-3M8R_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQC40016E_DFFR
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3 sir106dp.pdf
SIR106DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+57.55 грн
6000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3 sir106dp.pdf
SIR106DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+127.26 грн
10+102.12 грн
100+81.26 грн
500+64.52 грн
1000+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 sir640adp.pdf
SIR640ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+52.77 грн
6000+50.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 sir640adp.pdf
SIR640ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 20 V
на замовлення 13251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+180.68 грн
10+111.96 грн
100+76.80 грн
500+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-BE3 sud15n15.pdf
SUD15N15-95-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD15N15-95-BE3 sud15n15.pdf
SUD15N15-95-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+155.54 грн
10+124.44 грн
100+99.07 грн
500+78.67 грн
1000+66.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-BE3 sud35n10-26p.pdf
SUD35N10-26P-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-BE3 sud35n10-26p.pdf
SUD35N10-26P-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 2217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+193.25 грн
10+120.20 грн
100+82.92 грн
500+64.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]