Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11116) > Сторінка 147 з 186

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4483EY-T1_BE3 SQ4483EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4483ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4483EY-T1_BE3 SQ4483EY-T1_BE3 Vishay Siliconix sq4483ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.55 грн
10+98.16 грн
100+69.65 грн
500+51.97 грн
1000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4483EY-T1_GE3 SQ4483EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4483ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4483EY-T1_GE3 SQ4483EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4483ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.73 грн
10+92.91 грн
100+62.84 грн
500+46.89 грн
1000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4410EY-T1_GE3 SQ4410EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4410ey.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4410EY-T1_GE3 SQ4410EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4410ey.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.44 грн
10+93.65 грн
100+63.34 грн
500+47.28 грн
1000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4470EY-T1_BE3 SQ4470EY-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4470EY-T1_BE3 SQ4470EY-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4470EY-T1_GE3 SQ4470EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4470ey.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4470EY-T1_GE3 SQ4470EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4470ey.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4483BEEY-T1_GE3 SQ4483BEEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4483beey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.48 грн
5000+55.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4483BEEY-T1_GE3 SQ4483BEEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4483beey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.87 грн
10+113.00 грн
100+85.58 грн
500+64.40 грн
1000+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM70060EL_GE3 SQM70060EL_GE3 Vishay Siliconix sqm70060el.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM70060EL_GE3 SQM70060EL_GE3 Vishay Siliconix sqm70060el.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.23 грн
10+197.14 грн
100+158.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3 SUM10250E-GE3 Vishay Siliconix sum10250e.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3 SUM10250E-GE3 Vishay Siliconix sum10250e.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.87 грн
10+192.39 грн
100+134.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL630STRL-GE3 SIHL630STRL-GE3 Vishay Siliconix sihl630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC654ACD-T1-GE3 SIC654ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic654_sic654a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC654ACD-T1-GE3 SIC654ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic654_sic654a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 7263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+161.80 грн
10+115.87 грн
25+105.69 грн
100+88.70 грн
250+83.71 грн
500+80.69 грн
1000+76.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA120N60E-GE3 SIHA120N60E-GE3 Vishay Siliconix siha120n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.02 грн
10+281.36 грн
100+202.82 грн
500+158.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2369bds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.61 грн
6000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 SI2369BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2369bds.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
на замовлення 17262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.80 грн
11+31.16 грн
100+19.96 грн
500+14.18 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira32dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira32dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3 SIHG186N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg186n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+327.01 грн
25+179.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922BDY-T1-GE3 SI4922BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4922bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922BDY-T1-GE3 SI4922BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4922bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC477ED-T1-GE3 SIC477ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic47x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 55V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 24V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC477ED-T1-GE3 SIC477ED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic47x.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 55V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 24V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.45 грн
10+254.55 грн
25+234.37 грн
100+199.22 грн
250+189.34 грн
500+183.38 грн
1000+175.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA74DP-T1-GE3 SIJA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix doc?77516 Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA74DP-T1-GE3 SIJA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix doc?77516 Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.39 грн
10+60.19 грн
100+41.64 грн
500+32.65 грн
1000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh112e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+151.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh112e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.95 грн
10+258.40 грн
100+185.13 грн
500+168.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC931BED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic931.pdf Description: IC REG BUCK ADJ PWRPAK MLP60-A6C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-PowerBFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz, 1MHz, 1.5MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 18V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP60-A6C
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1050+815.96 грн
Мінімальне замовлення: 1050
В кошику  од. на суму  грн.
SIC931BED-T1-GE3 Vishay Siliconix sic931.pdf Description: IC REG BUCK ADJ PWRPAK MLP60-A6C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 60-PowerBFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz, 1MHz, 1.5MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 18V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP60-A6C
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1481.78 грн
10+1016.22 грн
100+785.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3 SIR681DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir681dp.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB21N80AE-GE3 SIHB21N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihb21n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.88 грн
10+121.37 грн
100+98.19 грн
500+90.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA690N60E-GE3 Vishay Siliconix siha690n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 SISS05DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss05dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.00 грн
10+80.94 грн
100+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp24n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+317.65 грн
10+201.49 грн
100+142.28 грн
500+109.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3 SUD50P08-25L-BE3 Vishay Siliconix sud50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3 SUD50P08-25L-BE3 Vishay Siliconix sud50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.07 грн
10+172.62 грн
100+120.12 грн
500+91.67 грн
1000+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946CEY-T1_GE3 SQ4946CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4946cey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.48 грн
5000+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946CEY-T1_GE3 SQ4946CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4946cey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.72 грн
10+47.73 грн
100+38.39 грн
500+33.44 грн
1000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SiC645AER-T1-GE3 SiC645AER-T1-GE3 Vishay Siliconix sic645.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR PWR MLP55-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Status Flag
Package / Case: 32-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.75 ~ 5.25V
Rds On (Typ): 0.76mOhm LS, 3.6mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
Technology: NMOS
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-32 Double Cooling
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+143.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiC645AER-T1-GE3 SiC645AER-T1-GE3 Vishay Siliconix sic645.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR PWR MLP55-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Status Flag
Package / Case: 32-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.75 ~ 5.25V
Rds On (Typ): 0.76mOhm LS, 3.6mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
Technology: NMOS
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-32 Double Cooling
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.40 грн
10+257.33 грн
25+224.34 грн
100+175.74 грн
250+158.86 грн
500+148.56 грн
1000+137.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-BE3 SI1401EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1401edh.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-BE3 SI1401EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1401edh.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.65 грн
11+32.15 грн
100+20.58 грн
500+14.64 грн
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3 SQ2361AEES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2361aees.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.25 грн
6000+15.76 грн
9000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LDP-T1-RE3 SIDR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr626ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 10681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.36 грн
10+172.38 грн
100+120.67 грн
500+99.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ320DT-T1-GE3 SIZ320DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz320dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ320DT-T1-GE3 SIZ320DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz320dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.50 грн
10+64.37 грн
100+44.54 грн
500+34.93 грн
1000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3 SQ3426AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3426eev.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.71 грн
10+52.73 грн
100+34.51 грн
500+25.04 грн
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25-T4_GE3 SQD40N10-25-T4_GE3 Vishay Siliconix SQD40N10-25.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC472ED-T1-GE3 SIC472ED-T1-GE3 Vishay Siliconix SiC47x_Jul04_2018.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 55V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 50.6V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC472ED-T1-GE3 SIC472ED-T1-GE3 Vishay Siliconix SiC47x_Jul04_2018.pdf Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 55V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 50.6V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.51 грн
10+197.80 грн
25+181.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC657CD-T1-GE3 SIC657CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic657.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+106.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC657CD-T1-GE3 SIC657CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic657.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.05 грн
10+183.28 грн
25+173.23 грн
100+140.90 грн
250+133.68 грн
500+119.95 грн
1000+99.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104DP-T1-RE3 SIR104DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir104dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104DP-T1-RE3 SIR104DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir104dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4483EY-T1_BE3 sq4483ey.pdf
SQ4483EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4483EY-T1_BE3 sq4483ey.pdf
SQ4483EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.55 грн
10+98.16 грн
100+69.65 грн
500+51.97 грн
1000+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4483EY-T1_GE3 sq4483ey.pdf
SQ4483EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4483EY-T1_GE3 sq4483ey.pdf
SQ4483EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.73 грн
10+92.91 грн
100+62.84 грн
500+46.89 грн
1000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4410EY-T1_GE3 sq4410ey.pdf
SQ4410EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4410EY-T1_GE3 sq4410ey.pdf
SQ4410EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.44 грн
10+93.65 грн
100+63.34 грн
500+47.28 грн
1000+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4470EY-T1_BE3
SQ4470EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4470EY-T1_BE3
SQ4470EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4470EY-T1_GE3 sq4470ey.pdf
SQ4470EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4470EY-T1_GE3 sq4470ey.pdf
SQ4470EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4483BEEY-T1_GE3 sq4483beey.pdf
SQ4483BEEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+59.48 грн
5000+55.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4483BEEY-T1_GE3 sq4483beey.pdf
SQ4483BEEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.87 грн
10+113.00 грн
100+85.58 грн
500+64.40 грн
1000+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQM70060EL_GE3 sqm70060el.pdf
SQM70060EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQM70060EL_GE3 sqm70060el.pdf
SQM70060EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.23 грн
10+197.14 грн
100+158.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3 sum10250e.pdf
SUM10250E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM10250E-GE3 sum10250e.pdf
SUM10250E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.87 грн
10+192.39 грн
100+134.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL630STRL-GE3 sihl630s.pdf
SIHL630STRL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC654ACD-T1-GE3 sic654_sic654a.pdf
SIC654ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+75.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC654ACD-T1-GE3 sic654_sic654a.pdf
SIC654ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 100A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 7263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.80 грн
10+115.87 грн
25+105.69 грн
100+88.70 грн
250+83.71 грн
500+80.69 грн
1000+76.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA120N60E-GE3 siha120n60e.pdf
SIHA120N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.02 грн
10+281.36 грн
100+202.82 грн
500+158.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 si2369bds.pdf
SI2369BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.61 грн
6000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369BDS-T1-GE3 si2369bds.pdf
SI2369BDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 745 pF @ 15 V
на замовлення 17262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.80 грн
11+31.16 грн
100+19.96 грн
500+14.18 грн
1000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3 sira32dp.pdf
SIRA32DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3 sira32dp.pdf
SIRA32DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG186N60EF-GE3 sihg186n60ef.pdf
SIHG186N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+327.01 грн
25+179.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922BDY-T1-GE3 si4922bd.pdf
SI4922BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4922BDY-T1-GE3 si4922bd.pdf
SI4922BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC477ED-T1-GE3 sic47x.pdf
SIC477ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 55V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 24V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC477ED-T1-GE3 sic47x.pdf
SIC477ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 55V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 24V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.45 грн
10+254.55 грн
25+234.37 грн
100+199.22 грн
250+189.34 грн
500+183.38 грн
1000+175.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA74DP-T1-GE3 doc?77516
SIJA74DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIJA74DP-T1-GE3 doc?77516
SIJA74DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.99mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.39 грн
10+60.19 грн
100+41.64 грн
500+32.65 грн
1000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH112E-T1-GE3 sijh112e.pdf
SIJH112E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+151.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH112E-T1-GE3 sijh112e.pdf
SIJH112E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.95 грн
10+258.40 грн
100+185.13 грн
500+168.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIC931BED-T1-GE3 sic931.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ PWRPAK MLP60-A6C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-PowerBFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz, 1MHz, 1.5MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 18V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP60-A6C
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1050+815.96 грн
Мінімальне замовлення: 1050
В кошику  од. на суму  грн.
SIC931BED-T1-GE3 sic931.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ PWRPAK MLP60-A6C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 60-PowerBFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz, 1MHz, 1.5MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 18V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP60-A6C
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1481.78 грн
10+1016.22 грн
100+785.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3 sir681dp.pdf
SIR681DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+75.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB21N80AE-GE3 sihb21n80ae.pdf
SIHB21N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.88 грн
10+121.37 грн
100+98.19 грн
500+90.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA690N60E-GE3 siha690n60e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 siss05dn.pdf
SISS05DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.00 грн
10+80.94 грн
100+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+317.65 грн
10+201.49 грн
100+142.28 грн
500+109.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-BE3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.07 грн
10+172.62 грн
100+120.12 грн
500+91.67 грн
1000+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946CEY-T1_GE3 sq4946cey.pdf
SQ4946CEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.48 грн
5000+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4946CEY-T1_GE3 sq4946cey.pdf
SQ4946CEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.72 грн
10+47.73 грн
100+38.39 грн
500+33.44 грн
1000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SiC645AER-T1-GE3 sic645.pdf
SiC645AER-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRVR PWR MLP55-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Status Flag
Package / Case: 32-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.75 ~ 5.25V
Rds On (Typ): 0.76mOhm LS, 3.6mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
Technology: NMOS
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-32 Double Cooling
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+143.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SiC645AER-T1-GE3 sic645.pdf
SiC645AER-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRVR PWR MLP55-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Status Flag
Package / Case: 32-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.75 ~ 5.25V
Rds On (Typ): 0.76mOhm LS, 3.6mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters, Voltage Regulators
Technology: NMOS
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-32 Double Cooling
Fault Protection: Current Limiting, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+399.40 грн
10+257.33 грн
25+224.34 грн
100+175.74 грн
250+158.86 грн
500+148.56 грн
1000+137.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-BE3 si1401edh.pdf
SI1401EDH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-BE3 si1401edh.pdf
SI1401EDH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A/4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.65 грн
11+32.15 грн
100+20.58 грн
500+14.64 грн
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3 sq2361aees.pdf
SQ2361AEES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.25 грн
6000+15.76 грн
9000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LDP-T1-RE3 sidr626ldp.pdf
SIDR626LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 10681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.36 грн
10+172.38 грн
100+120.67 грн
500+99.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ320DT-T1-GE3 siz320dt.pdf
SIZ320DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ320DT-T1-GE3 siz320dt.pdf
SIZ320DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 16.7W, 31W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.50 грн
10+64.37 грн
100+44.54 грн
500+34.93 грн
1000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3 sq3426eev.pdf
SQ3426AEEV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.71 грн
10+52.73 грн
100+34.51 грн
500+25.04 грн
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40N10-25-T4_GE3 SQD40N10-25.pdf
SQD40N10-25-T4_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC472ED-T1-GE3 SiC47x_Jul04_2018.pdf
SIC472ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 55V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 50.6V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC472ED-T1-GE3 SiC47x_Jul04_2018.pdf
SIC472ED-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BCK ADJ POWERPAK MLP55-27
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-27
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 8A
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 20kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 55V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-27
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 50.6V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.51 грн
10+197.80 грн
25+181.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIC657CD-T1-GE3 sic657.pdf
SIC657CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+106.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIC657CD-T1-GE3 sic657.pdf
SIC657CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP55-31L
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 50A
Current - Peak Output: 55A
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 24V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP55-31L
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.05 грн
10+183.28 грн
25+173.23 грн
100+140.90 грн
250+133.68 грн
500+119.95 грн
1000+99.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104DP-T1-RE3 sir104dp.pdf
SIR104DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104DP-T1-RE3 sir104dp.pdf
SIR104DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]