Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11835) > Сторінка 147 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIRA74DP-T1-GE3 SIRA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix doc?77640 Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.59 грн
6000+26.22 грн
9000+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA74DP-T1-GE3 SIRA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix doc?77640 Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+54.44 грн
100+42.35 грн
500+33.69 грн
1000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 SIR606BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir606bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.98 грн
6000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 SIR606BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir606bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
на замовлення 8914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.80 грн
10+81.82 грн
100+55.92 грн
500+42.82 грн
1000+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS414CENW-T1_GE3 SQS414CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs414cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.52 грн
6000+17.34 грн
9000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS414CENW-T1_GE3 SQS414CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqs414cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+42.40 грн
100+28.92 грн
500+22.49 грн
1000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 SIR186LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir186ldp.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.93 грн
6000+28.62 грн
9000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 SIR186LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir186ldp.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 9766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.82 грн
10+72.84 грн
100+48.68 грн
500+35.96 грн
1000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir500dp.pdf Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir500dp.pdf Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 SIR510DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir510dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 SIR510DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir510dp.pdf Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 4133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.99 грн
10+145.61 грн
100+100.96 грн
500+76.86 грн
1000+75.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 SIR570DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir570dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 SIR570DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir570dp.pdf Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.24 грн
10+184.42 грн
100+129.62 грн
500+102.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4774DY-T1-GE3 SI4774DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4774dy.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4774DY-T1-GE3 SI4774DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4774dy.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4840EY-T1_BE3 SQ4840EY-T1_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3 SI3483CDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3483cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3 SI3483CDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3483cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+54.59 грн
100+43.53 грн
500+32.72 грн
1000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira14dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira14dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+42.70 грн
100+27.94 грн
500+20.26 грн
1000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA12CENW-T1_GE3 SQSA12CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqsa12cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.49 грн
6000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA12CENW-T1_GE3 SQSA12CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqsa12cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+52.87 грн
100+34.99 грн
500+25.61 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiJH440E-T1-GE3 SiJH440E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh440e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiJH440E-T1-GE3 SiJH440E-T1-GE3 Vishay Siliconix sijh440e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7972DP-T1-GE3 Si7972DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7972dp.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-BE3 SI1467DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1467dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-BE3 SI1467DH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1467dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+46.37 грн
100+30.32 грн
500+21.96 грн
1000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3 SIR188DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir188dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3 SIR188DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir188dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 60A (Tc)
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.29 грн
10+81.37 грн
100+63.26 грн
500+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC789ACD-T1-GE3 SIC789ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic789a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Load Type: Inductive
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP66-40
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Technology: Power MOSFET
Current - Output / Channel: 60A
Applications: Synchronous Buck Converters
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP66-40
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC789ACD-T1-GE3 SIC789ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic789a.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Load Type: Inductive
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP66-40
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Technology: Power MOSFET
Current - Output / Channel: 60A
Applications: Synchronous Buck Converters
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP66-40
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.12 грн
10+192.13 грн
25+181.67 грн
100+147.76 грн
250+140.18 грн
500+125.78 грн
1000+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Vishay Siliconix sum60020e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+161.27 грн
1600+146.03 грн
2400+146.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Vishay Siliconix sum60020e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.94 грн
10+271.25 грн
100+195.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473DDV-T1-GE3 SI3473DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3473ddv.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.59 грн
6000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473DDV-T1-GE3 SI3473DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3473ddv.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
12+24.98 грн
100+15.97 грн
500+11.34 грн
1000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50DP-T1-RE3 SIRA50DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira50dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8445 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA64DP-T1-RE3 SIRA64DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira64dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 6673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+62.22 грн
100+48.50 грн
500+37.60 грн
1000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR170DP-T1-RE3 SIDR170DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sidr170dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.34 грн
10+138.65 грн
100+96.39 грн
500+77.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3 SIR122DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir122dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+53.47 грн
100+41.60 грн
500+33.09 грн
1000+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190ADP-T1-RE3 SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix vis-si7190adp-t1-re3.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.02 грн
10+86.38 грн
100+73.19 грн
500+55.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRLPBF-BE3 IRFR210TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRLPBF-BE3 IRFR210TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
10+78.90 грн
100+53.20 грн
500+39.59 грн
1000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF-BE3 IRFR210TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF-BE3 IRFR210TRPBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+56.61 грн
100+42.99 грн
500+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF-BE3 IRFR210PBF-BE3 Vishay Siliconix sihfr210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
75+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3 SQJB60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb60ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3 SQJB60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjb60ep.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.29 грн
10+66.86 грн
100+46.93 грн
500+35.68 грн
1000+32.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N50L-GE3 SIHFPS40N50L-GE3 Vishay Siliconix sihfps40n50l.pdf Description: POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3 SIR122DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir122dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.08 грн
6000+25.75 грн
9000+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir122ldp.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 62.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir122ldp.pdf Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 62.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.14 грн
10+78.23 грн
100+52.47 грн
500+38.89 грн
1000+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ401EP-T1_GE3 SQJ401EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj401ep.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ401EP-T1_GE3 SQJ401EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj401ep.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.44 грн
10+120.93 грн
100+96.24 грн
500+76.42 грн
1000+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-BE3 SI1443EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1443edh.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-BE3 SI1443EDH-T1-BE3 Vishay Siliconix si1443edh.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
11+28.64 грн
100+19.30 грн
500+14.14 грн
1000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3 SUD50P10-43L-BE3 Vishay Siliconix sud50p10-43l-ge3.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+78.09 грн
4000+70.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3 SUD50P10-43L-BE3 Vishay Siliconix sud50p10-43l-ge3.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.42 грн
10+153.84 грн
100+107.03 грн
500+81.67 грн
1000+80.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3 SUP60020E-GE3 Vishay Siliconix sup60020e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.15 грн
50+134.75 грн
100+122.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-RE3 SIRA18DP-T1-RE3 Vishay Siliconix doc?62574 Description: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA74DP-T1-GE3 doc?77640
SIRA74DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.59 грн
6000+26.22 грн
9000+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA74DP-T1-GE3 doc?77640
SIRA74DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 46.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 81.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.12 грн
10+54.44 грн
100+42.35 грн
500+33.69 грн
1000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 sir606bdp.pdf
SIR606BDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+37.98 грн
6000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 sir606bdp.pdf
SIR606BDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
на замовлення 8914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.80 грн
10+81.82 грн
100+55.92 грн
500+42.82 грн
1000+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS414CENW-T1_GE3 sqs414cenw.pdf
SQS414CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.52 грн
6000+17.34 грн
9000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS414CENW-T1_GE3 sqs414cenw.pdf
SQS414CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.13 грн
10+42.40 грн
100+28.92 грн
500+22.49 грн
1000+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
SIR186LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.93 грн
6000+28.62 грн
9000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
SIR186LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 9766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.82 грн
10+72.84 грн
100+48.68 грн
500+35.96 грн
1000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 sir500dp.pdf
SIR500DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 sir500dp.pdf
SIR500DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 sir510dp.pdf
SIR510DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+70.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 sir510dp.pdf
SIR510DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 4133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.99 грн
10+145.61 грн
100+100.96 грн
500+76.86 грн
1000+75.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 sir570dp.pdf
SIR570DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+92.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 sir570dp.pdf
SIR570DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+291.24 грн
10+184.42 грн
100+129.62 грн
500+102.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4774DY-T1-GE3 si4774dy.pdf
SI4774DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4774DY-T1-GE3 si4774dy.pdf
SI4774DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4840EY-T1_BE3
SQ4840EY-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3 si3483cd.pdf
SI3483CDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3 si3483cd.pdf
SI3483CDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.21 грн
10+54.59 грн
100+43.53 грн
500+32.72 грн
1000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
SIRA14DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
SIRA14DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.45 грн
10+42.70 грн
100+27.94 грн
500+20.26 грн
1000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA12CENW-T1_GE3 sqsa12cenw.pdf
SQSA12CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.49 грн
6000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA12CENW-T1_GE3 sqsa12cenw.pdf
SQSA12CENW-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.76 грн
10+52.87 грн
100+34.99 грн
500+25.61 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiJH440E-T1-GE3 sijh440e.pdf
SiJH440E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiJH440E-T1-GE3 sijh440e.pdf
SiJH440E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7972DP-T1-GE3 si7972dp.pdf
Si7972DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 22W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-BE3 si1467dh.pdf
SI1467DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-BE3 si1467dh.pdf
SI1467DH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3A/2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.89 грн
10+46.37 грн
100+30.32 грн
500+21.96 грн
1000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3 sir188dp.pdf
SIR188DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR188DP-T1-RE3 sir188dp.pdf
SIR188DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 60A (Tc)
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.29 грн
10+81.37 грн
100+63.26 грн
500+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC789ACD-T1-GE3 sic789a.pdf
SIC789ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Load Type: Inductive
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP66-40
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Technology: Power MOSFET
Current - Output / Channel: 60A
Applications: Synchronous Buck Converters
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP66-40
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC789ACD-T1-GE3 sic789a.pdf
SIC789ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 60A PPAK
Load Type: Inductive
Fault Protection: Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP66-40
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Technology: Power MOSFET
Current - Output / Channel: 60A
Applications: Synchronous Buck Converters
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP66-40
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+222.12 грн
10+192.13 грн
25+181.67 грн
100+147.76 грн
250+140.18 грн
500+125.78 грн
1000+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 sum60020e.pdf
SUM60020E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+161.27 грн
1600+146.03 грн
2400+146.02 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 sum60020e.pdf
SUM60020E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+420.94 грн
10+271.25 грн
100+195.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473DDV-T1-GE3 si3473ddv.pdf
SI3473DDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.59 грн
6000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473DDV-T1-GE3 si3473ddv.pdf
SI3473DDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.94 грн
12+24.98 грн
100+15.97 грн
500+11.34 грн
1000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50DP-T1-RE3 sira50dp.pdf
SIRA50DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8445 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA64DP-T1-RE3 sira64dp.pdf
SIRA64DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
на замовлення 6673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.23 грн
10+62.22 грн
100+48.50 грн
500+37.60 грн
1000+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR170DP-T1-RE3 sidr170dp.pdf
SIDR170DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+221.34 грн
10+138.65 грн
100+96.39 грн
500+77.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3 sir122dp.pdf
SIR122DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.34 грн
10+53.47 грн
100+41.60 грн
500+33.09 грн
1000+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190ADP-T1-RE3 vis-si7190adp-t1-re3.pdf
SI7190ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.02 грн
10+86.38 грн
100+73.19 грн
500+55.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRLPBF-BE3 sihfr210.pdf
IRFR210TRLPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRLPBF-BE3 sihfr210.pdf
IRFR210TRLPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.92 грн
10+78.90 грн
100+53.20 грн
500+39.59 грн
1000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF-BE3 sihfr210.pdf
IRFR210TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRPBF-BE3 sihfr210.pdf
IRFR210TRPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.98 грн
10+56.61 грн
100+42.99 грн
500+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210PBF-BE3 sihfr210.pdf
IRFR210PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.43 грн
75+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3 sqjb60ep.pdf
SQJB60EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB60EP-T1_GE3 sqjb60ep.pdf
SQJB60EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.29 грн
10+66.86 грн
100+46.93 грн
500+35.68 грн
1000+32.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N50L-GE3 sihfps40n50l.pdf
SIHFPS40N50L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3 sir122dp.pdf
SIR122DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.08 грн
6000+25.75 грн
9000+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 sir122ldp.pdf
SIR122LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 62.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 sir122ldp.pdf
SIR122LDP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 62.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.14 грн
10+78.23 грн
100+52.47 грн
500+38.89 грн
1000+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ401EP-T1_GE3 sqj401ep.pdf
SQJ401EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ401EP-T1_GE3 sqj401ep.pdf
SQJ401EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10015 pF @ 6 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.44 грн
10+120.93 грн
100+96.24 грн
500+76.42 грн
1000+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-BE3 si1443edh.pdf
SI1443EDH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-BE3 si1443edh.pdf
SI1443EDH-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4A/4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.38 грн
11+28.64 грн
100+19.30 грн
500+14.14 грн
1000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3 sud50p10-43l-ge3.pdf
SUD50P10-43L-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+78.09 грн
4000+70.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3 sud50p10-43l-ge3.pdf
SUD50P10-43L-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.42 грн
10+153.84 грн
100+107.03 грн
500+81.67 грн
1000+80.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3 sup60020e.pdf
SUP60020E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.15 грн
50+134.75 грн
100+122.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-RE3 doc?62574
SIRA18DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]