Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11840) > Сторінка 147 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQJA82EP-T1_GE3 SQJA82EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja82ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 13956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3 SQJQ410EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq410el.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3 SQJQ410EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq410el.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.82 грн
10+172.18 грн
100+139.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-BE3 SI2304DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2304dds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-BE3 SI2304DDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2304dds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.14 грн
13+24.30 грн
50+17.63 грн
100+14.51 грн
500+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA37EP-T1_GE3 SQJA37EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja37ep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA37EP-T1_GE3 SQJA37EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja37ep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.50 грн
10+49.29 грн
100+38.31 грн
500+30.48 грн
1000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 SQJQ910EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq910el.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+85.14 грн
6000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 SQJQ910EL-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq910el.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.09 грн
10+151.00 грн
100+120.21 грн
500+95.45 грн
1000+80.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS38N60L-GE3 SIHFPS38N60L-GE3 Vishay Siliconix sihfps38n60l.pdf Description: POWER MOSFET SUPER-247, 150 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ136ELP-T1_GE3 SQJ136ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj136elp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8015 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.32 грн
9000+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3 SUM70030M-GE3 Vishay Siliconix sum70030m.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+118.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ690N60E-T1-GE3 SIHJ690N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihj690n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ690N60E-T1-GE3 SIHJ690N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihj690n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3 SUP90100E-GE3 Vishay Siliconix sup90100e.pdf Description: N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 100 V
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.41 грн
10+216.22 грн
50+168.61 грн
100+143.85 грн
500+118.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiR616DP-T1-GE3 SiR616DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir616dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.77 грн
6000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR616DP-T1-GE3 SiR616DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir616dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.38 грн
10+71.08 грн
100+52.33 грн
500+41.84 грн
1000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190ADP-T1-RE3 SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix vis-si7190adp-t1-re3.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50DP-T1-RE3 SIRA50DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira50dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8445 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N60K-GE3 SIHFPS40N60K-GE3 Vishay Siliconix sihfps40n60k.pdf Description: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+615.52 грн
30+345.48 грн
120+291.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA64DP-T1-RE3 SIRA64DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira64dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss76ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss76ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.77 грн
10+64.45 грн
100+51.80 грн
500+41.96 грн
1000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA105N60EF-GE3 SIHA105N60EF-GE3 Vishay Siliconix siha105n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.44 грн
10+226.04 грн
50+176.72 грн
100+150.95 грн
500+124.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 SIHB105N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihb105n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.74 грн
10+220.79 грн
50+172.42 грн
100+147.21 грн
500+121.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG105N60EF-GE3 SIHG105N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg105n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.97 грн
10+242.42 грн
50+190.08 грн
100+162.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3 SQJQ148ER-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq148er.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3 SQJQ148ER-T1_GE3 Vishay Siliconix sqjq148er.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.39 грн
10+146.96 грн
100+102.33 грн
500+82.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHS90N65E-GE3 SIHS90N65E-GE3 Vishay Siliconix sihs90n65e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 591 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11826 pF @ 100 V
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1362.38 грн
30+825.58 грн
120+744.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 SISS54DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss54dn.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 SISS54DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss54dn.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.76 грн
10+113.06 грн
100+77.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AEF-GE3 SIHP15N80AEF-GE3 Vishay Siliconix sihp15n80aef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.26 грн
10+153.82 грн
50+118.33 грн
100+100.32 грн
500+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3 SIA929DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia929dj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3 SIA929DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia929dj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.28 грн
10+49.60 грн
50+36.72 грн
100+30.55 грн
500+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF-BE3 IRFZ20PBF-BE3 Vishay Siliconix irfz20.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.42 грн
10+121.21 грн
50+92.41 грн
100+78.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3461EV-T1_GE3 SQ3461EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3461ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3461EV-T1_GE3 SQ3461EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3461ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.37 грн
10+49.37 грн
100+34.34 грн
500+25.01 грн
1000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB053N60E-GE3 SIHB053N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb053n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3722 pF @ 100 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.18 грн
25+285.27 грн
50+259.47 грн
100+223.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-BE3 SI1302DL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1302dl.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-BE3 SI1302DL-T1-BE3 Vishay Siliconix si1302dl.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.43 грн
11+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540PBF Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 100V TO-220AB
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50D-BE3 SIHD3N50D-BE3 Vishay Siliconix sihd3n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12117DMP-T1-GE4 SIP12117DMP-T1-GE4 Vishay Siliconix sip12117.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 3A 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz
Voltage - Input (Max): 15V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12117DMP-T1-GE4 SIP12117DMP-T1-GE4 Vishay Siliconix sip12117.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 3A 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz
Voltage - Input (Max): 15V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.49 грн
10+54.78 грн
25+48.79 грн
100+39.60 грн
250+36.65 грн
500+34.87 грн
1000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU6N80AE-GE3 SIHU6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihu6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS178LDN-T1-GE3 SIS178LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis178ldn.pdf Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V
на замовлення 38233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.76 грн
10+67.12 грн
50+49.99 грн
100+41.73 грн
500+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS176LDN-T1-GE3 SIS176LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis176ldn.pdf Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS176LDN-T1-GE3 SIS176LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis176ldn.pdf Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.26 грн
10+72.83 грн
50+54.49 грн
100+45.57 грн
500+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3 SUM70030M-GE3 Vishay Siliconix sum70030m.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.63 грн
10+208.60 грн
100+147.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3 SUM70042E-GE3 Vishay Siliconix sum70042e.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.64 грн
10+190.16 грн
100+133.60 грн
800+97.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N60EF-GE3 SIHG026N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg026n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7926 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1118.70 грн
25+676.41 грн
50+624.65 грн
100+545.37 грн
500+496.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80AEF-GE3 SIHA17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix siha17n80aef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.31 грн
10+185.74 грн
50+143.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_BE3 SQJ488EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj488ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_BE3 SQJ488EP-T1_BE3 Vishay Siliconix sqj488ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_BE3 SQJ488EP-T2_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_BE3 SQJ488EP-T2_BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_BE3 SQS401EN-T1_BE3 Vishay Siliconix sqs401en.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 61314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.00 грн
10+55.01 грн
100+43.42 грн
500+32.71 грн
1000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_BE3 SQS401EN-T1_BE3 Vishay Siliconix sqs401en.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.23 грн
6000+25.81 грн
9000+24.80 грн
15000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA82EP-T1_GE3 sqja82ep.pdf
SQJA82EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 13956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3 sqjq410el.pdf
SQJQ410EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3 sqjq410el.pdf
SQJQ410EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+212.82 грн
10+172.18 грн
100+139.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-BE3 si2304dds.pdf
SI2304DDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-BE3 si2304dds.pdf
SI2304DDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.14 грн
13+24.30 грн
50+17.63 грн
100+14.51 грн
500+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA37EP-T1_GE3 sqja37ep.pdf
SQJA37EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA37EP-T1_GE3 sqja37ep.pdf
SQJA37EP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+62.50 грн
10+49.29 грн
100+38.31 грн
500+30.48 грн
1000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 sqjq910el.pdf
SQJQ910EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+85.14 грн
6000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ910EL-T1_GE3 sqjq910el.pdf
SQJQ910EL-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.09 грн
10+151.00 грн
100+120.21 грн
500+95.45 грн
1000+80.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS38N60L-GE3 sihfps38n60l.pdf
SIHFPS38N60L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 150 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ136ELP-T1_GE3 sqj136elp.pdf
SQJ136ELP-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8015 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+54.32 грн
9000+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3 sum70030m.pdf
SUM70030M-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+118.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ690N60E-T1-GE3 sihj690n60e.pdf
SIHJ690N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ690N60E-T1-GE3 sihj690n60e.pdf
SIHJ690N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3 sup90100e.pdf
SUP90100E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 100 V
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+339.41 грн
10+216.22 грн
50+168.61 грн
100+143.85 грн
500+118.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiR616DP-T1-GE3 sir616dp.pdf
SiR616DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+37.77 грн
6000+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR616DP-T1-GE3 sir616dp.pdf
SiR616DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 7.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.38 грн
10+71.08 грн
100+52.33 грн
500+41.84 грн
1000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190ADP-T1-RE3 vis-si7190adp-t1-re3.pdf
SI7190ADP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50DP-T1-RE3 sira50dp.pdf
SIRA50DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8445 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFPS40N60K-GE3 sihfps40n60k.pdf
SIHFPS40N60K-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+615.52 грн
30+345.48 грн
120+291.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA64DP-T1-RE3 sira64dp.pdf
SIRA64DP-T1-RE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 siss76ldn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 siss76ldn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.77 грн
10+64.45 грн
100+51.80 грн
500+41.96 грн
1000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA105N60EF-GE3 siha105n60ef.pdf
SIHA105N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+354.44 грн
10+226.04 грн
50+176.72 грн
100+150.95 грн
500+124.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB105N60EF-GE3 sihb105n60ef.pdf
SIHB105N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+345.74 грн
10+220.79 грн
50+172.42 грн
100+147.21 грн
500+121.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG105N60EF-GE3 sihg105n60ef.pdf
SIHG105N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+378.97 грн
10+242.42 грн
50+190.08 грн
100+162.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3 sqjq148er.pdf
SQJQ148ER-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ148ER-T1_GE3 sqjq148er.pdf
SQJQ148ER-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.39 грн
10+146.96 грн
100+102.33 грн
500+82.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHS90N65E-GE3 sihs90n65e.pdf
SIHS90N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 591 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11826 pF @ 100 V
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1362.38 грн
30+825.58 грн
120+744.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 siss54dn.pdf
SISS54DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 siss54dn.pdf
SISS54DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.06mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 15 V
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.76 грн
10+113.06 грн
100+77.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AEF-GE3 sihp15n80aef.pdf
SIHP15N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.26 грн
10+153.82 грн
50+118.33 грн
100+100.32 грн
500+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3 sia929dj.pdf
SIA929DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3 sia929dj.pdf
SIA929DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.28 грн
10+49.60 грн
50+36.72 грн
100+30.55 грн
500+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ20PBF-BE3 irfz20.pdf
IRFZ20PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.42 грн
10+121.21 грн
50+92.41 грн
100+78.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3461EV-T1_GE3 sq3461ev.pdf
SQ3461EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3461EV-T1_GE3 sq3461ev.pdf
SQ3461EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.37 грн
10+49.37 грн
100+34.34 грн
500+25.01 грн
1000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB053N60E-GE3 sihb053n60e.pdf
SIHB053N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3722 pF @ 100 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+503.18 грн
25+285.27 грн
50+259.47 грн
100+223.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-BE3 si1302dl.pdf
SI1302DL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-BE3 si1302dl.pdf
SI1302DL-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.43 грн
11+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V TO-220AB
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50D-BE3 sihd3n50d.pdf
SIHD3N50D-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12117DMP-T1-GE4 sip12117.pdf
SIP12117DMP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ 3A 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz
Voltage - Input (Max): 15V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12117DMP-T1-GE4 sip12117.pdf
SIP12117DMP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ 3A 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 3A
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz
Voltage - Input (Max): 15V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.49 грн
10+54.78 грн
25+48.79 грн
100+39.60 грн
250+36.65 грн
500+34.87 грн
1000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU6N80AE-GE3 sihu6n80ae.pdf
SIHU6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS178LDN-T1-GE3 sis178ldn.pdf
SIS178LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V
на замовлення 38233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.76 грн
10+67.12 грн
50+49.99 грн
100+41.73 грн
500+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS176LDN-T1-GE3 sis176ldn.pdf
SIS176LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS176LDN-T1-GE3 sis176ldn.pdf
SIS176LDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.26 грн
10+72.83 грн
50+54.49 грн
100+45.57 грн
500+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3 sum70030m.pdf
SUM70030M-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+319.63 грн
10+208.60 грн
100+147.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3 sum70042e.pdf
SUM70042E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+300.64 грн
10+190.16 грн
100+133.60 грн
800+97.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG026N60EF-GE3 sihg026n60ef.pdf
SIHG026N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7926 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1118.70 грн
25+676.41 грн
50+624.65 грн
100+545.37 грн
500+496.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA17N80AEF-GE3 siha17n80aef.pdf
SIHA17N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.31 грн
10+185.74 грн
50+143.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_BE3 sqj488ep.pdf
SQJ488EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T1_BE3 sqj488ep.pdf
SQJ488EP-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_BE3
SQJ488EP-T2_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ488EP-T2_BE3
SQJ488EP-T2_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_BE3 sqs401en.pdf
SQS401EN-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 61314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.00 грн
10+55.01 грн
100+43.42 грн
500+32.71 грн
1000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQS401EN-T1_BE3 sqs401en.pdf
SQS401EN-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.23 грн
6000+25.81 грн
9000+24.80 грн
15000+23.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 95 114 133 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]