Продукція > DTC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DTC-076C-1 | DTC | PLCC44 | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-076C-1FN44 | IMP | 09+ PLCC-44 | на замовлення 1044 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-076C-1FN44 | IMP | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC-076C-3FN44 | IMP | 09+ PLCC-44 | на замовлення 1019 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-076C-3FN44 | IMP | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC-0975 | Arbor Technology | Modules Accessories G0975 Desk Cradle (VGA,USBX4,Giga LAN, RS-232 X 2); AC Adapter Sold Seperately | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-114B | DTC | PLCC44 | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-114B PD48 | IMP | DIP 88+ | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-114B-PQ44 | IMP | на замовлення 43 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC-114B-PQ44 | IMP | 09+ PLCC-44 | на замовлення 1043 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-140H | EXCELITAS | SPECIALTY SILICON DETECTORS - UV-ENHANCED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-158A | DTC | PLCC84 | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-220 | DTC | PLCC68 | на замовлення 178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-228A | DIP28 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC-253 | DTC | PLCC28 | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-253 | WSI | 09+ PLCC-68 | на замовлення 1235 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-253 | WSI | на замовлення 235 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC-253-2 | WSI | 09+ PLCC-68 | на замовлення 1096 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-253-2 | WSI | на замовлення 96 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC-269 | DTC | PLCC68 | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-320A | DTC | PLCC28 | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-327A | DTC | PLCC44 | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-327B | DTC | PLCC44 | на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-327C | DTC | PLCC44 | на замовлення 138 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-331A | DTC | PLCC44 | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-331B | DTC | PLCC44 | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-332A | 09+ | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC-332B | SC | PLCC | на замовлення 110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-332B | . | 08+ PLCC | на замовлення 625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-351A | DTC | PLCC44 | на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-356B | DTC | PLCC44 | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-402A | DTC | PLCC44 | на замовлення 92 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-402A | NS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC-403/4 | SC | PLCC | на замовлення 126 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-406A | DTC | PLCC68 | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-454 | DTC | PLCC44 | на замовлення 108 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-461 | DTC | PLCC44 | на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-485 | DTC | PLCC44 | на замовлення 178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-486 | DTC | PLCC52 | на замовлення 109 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-487 | DTC | PLCC68 | на замовлення 103 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC-K-F | OMEGA | Description: OMEGA - DTC-K-F - Thermoelement-Buchse, Standard, 4 Flachstifte, Typ K, -29°C bis 180°C, ANSI, DTC-Serie tariffCode: 85369010 rohsCompliant: YES Sensortyp: Thermoelement hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausführung: Buchse Kalibrierstandard: ANSI usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -29°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: DTC productTraceability: No Anschlussform: Standard Thermoelement: K Betriebstemperatur, max.: 180°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC-K-F. | OMEGA | Description: OMEGA - DTC-K-F. - THERMOCOUPLE CONNECTOR, K TYPE, RCPT tariffCode: 85366990 Thermoelement: K productTraceability: No Kalibrierstandard: ANSI rohsCompliant: YES Ausführung: Socket Anzahl der Pins: 4Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Anschlussform: Standard (Yellow) rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 Sensortyp: Thermocouple usEccn: EAR99 Produktpalette: DTC Series | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC-K-M. | OMEGA | Description: OMEGA - DTC-K-M. - THERMOCOUPLE CONNECTOR, K TYPE, PLUG tariffCode: 85366990 Thermoelement: K productTraceability: No Kalibrierstandard: ANSI rohsCompliant: YES Ausführung: Plug Anzahl der Pins: 4Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Anschlussform: Standard (Yellow) rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 Sensortyp: Thermocouple usEccn: EAR99 Produktpalette: DTC Series | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC-KI-M | OMEGA | Description: OMEGA - DTC-KI-M - Thermoelement-Stecker, Standard, 4 Flachstifte, Typ K, -29°C bis 180°C, IEC, DTC-Serie tariffCode: 85366990 rohsCompliant: YES Sensortyp: Thermoelement hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausführung: Stecker Kalibrierstandard: IEC usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -29°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: DTC productTraceability: No Anschlussform: Standard (Green) Thermoelement: K Betriebstemperatur, max.: 180°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC-U-F-ROHS | OMEGA | Description: OMEGA - DTC-U-F-ROHS - Thermoelementsteckverbinder, Buchse, Typ U, Produktreihe DTC Thermoelement: U Ausführung: Buchse Produktpalette: DTC Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC013ZEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC013ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC013ZEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC013ZEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC013Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC013ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 4414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC013ZEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC013ZEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC013Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC013ZMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 15258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC013ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3 | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC013ZMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC013ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC013Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC013ZMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC013ZMT2L NPN SMD transistors | на замовлення 874 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC013ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC013ZMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC013ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC013Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC013ZUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 8784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC013ZUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC013ZUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014EEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 5606 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC014EEBTL NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 83930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 457497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 7890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 30781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 7084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC014EMT2L NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 9734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 13892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC014EUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC014E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014EUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 7499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EUBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC014EUBTL NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 7535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 243340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014EUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC014EUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC014E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 5104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014TEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 1939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 4137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014TMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 4520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 1478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014TMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC014TMT2L NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014TUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 3926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014TUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014TUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014TUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 8161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 196630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 15700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 17450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 4796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 60409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 51079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 3570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC014YMT2L NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014YMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC014YUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC014Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YUBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC014YUBTL NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014YUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 15399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC014YUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC014Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 2294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 5223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC014YUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC014YUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 3002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC015EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC015EEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC015EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC015EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 12170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC015EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC015EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | на замовлення 23866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC015EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC015EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC015EUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC015TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC015TEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC015TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC015TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC015TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC015TMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 6924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC015TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC015TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC015TUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC015TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC015TUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 8230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023EEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 4857 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 6740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023EEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC023EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC023E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023EEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC023EEBTL NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023EUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 2916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023JEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F | на замовлення 1716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023JEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 19497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023JEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC023JEBTL NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023JEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023JEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 204020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023JEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F | на замовлення 1716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023JEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 7325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023JMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023JMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 10930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023JMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 6773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023JMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023JMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 | на замовлення 1456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023JMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 38950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023JUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 87026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023JUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 4328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023JUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023JUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023JUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 7453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023JUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 16957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 5320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023YEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC023YEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC023Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 1739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023YEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023YEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC023YEBTL NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023YMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 18972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 | на замовлення 3424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023YMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC023YMT2L NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023YUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC023YUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC023Y Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023YUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023YUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 6947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023YUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 6592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023YUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC023YUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC023Y Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC023YUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC023YUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 5846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC024EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC024EEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC024EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC024EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC024EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC024EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 1227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC024EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC024EUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC024EUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC024E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC024EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC024EUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC024EUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC024EUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC024E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC024XEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC024XEBTL NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC024XEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS-SS NPN SOT490 50V | на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC024XEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 2826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC024XEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC024XMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC024XMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 15389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC024XMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VMT3 | на замовлення 7035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC024XUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W UMT3F | на замовлення 2044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC024XUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC024XUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W UMT3F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043EEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043EEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC043EEBTL NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 87650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 14565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043EMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC043EMT2L NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 103343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 33316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 10940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 56590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043EUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 8664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 162020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043TEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 9914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 4779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043TMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC043TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC043T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043TMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 30830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | на замовлення 2536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043TUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043TUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043TUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043XEBTL | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043XEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 35650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043XEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital transistor (with built-in resistors) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043XEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 8958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043XEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC043XEBTL NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043XEBTL | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043XMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 5206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043XMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital transistor (with built-in resistors). These are the standard products of "digital transistors" which ROHM invented and marketed first in the world. | на замовлення 3493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043XMT2L | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 7732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043XMT2L | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043XUB | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043XUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043XUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital transistor (with built-in resistors). These are the standard products of "digital transistors" which ROHM invented and marketed first in the world. | на замовлення 8962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043XUBTL | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043XUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043XUBTL | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043ZEB | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043ZEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043ZEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 46900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC043ZEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC043Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC043ZEBTL NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043ZEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 94607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 445375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043ZEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC043ZEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC043Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC043ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC043Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC043ZMT2L NPN SMD transistors | на замовлення 4025 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased Digital TR NPN | на замовлення 48539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC043ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC043Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 57755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZUB TL | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 191870 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043ZUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC043ZUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-323FL Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC043Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 3435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZUBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC043ZUBTL NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043ZUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC043ZUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 37999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZUBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC043ZUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-323FL Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC043Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 3435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC043ZUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 54686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC044EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 4218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC044EEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 7395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC044EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC044EEBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC044EEBTL NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC044EMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC044EMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC044E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC044EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC044EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 2471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC044EMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC044EMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC044E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC044EMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC044EMT2L NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC044EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC044EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC044EUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 24747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC044EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC044TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC044TEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 17991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC044TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms | на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC044TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC044TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC044TMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 7974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC044TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC044TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC044TUBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC044TUBTL NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC044TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC044TUBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr w/built in resistors | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC044TUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC1000C | Delta Electronics/Industrial Automation | Description: DTC MPU, CURRENT OUTPUT Packaging: Box Output Type: Analog Mounting Type: Chassis Mount, DIN Rail Type: Process, Temperature Controller (RTD, Type B, E, J, K, L, N, R, S, T, TXK, U) Termination Style: Screw Terminal Voltage - Supply: 24VDC Input Range: -200°C ~ 1800°C, 0 ~ 20mA, 0 ~ 10VDC, 0 ~ 50mV Communications: RS-485 (Modbus) Control Method: On/Off, Proportional (PID) Part Status: Active | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC1000L | Delta Electronics/Industrial Automation | Description: DTC MPU, LINEAR VOLTAGE OUTPUT Packaging: Box Output Type: Analog Mounting Type: Chassis Mount, DIN Rail Type: Process, Temperature Controller (RTD, Type B, E, J, K, L, N, R, S, T, TXK, U) Termination Style: Screw Terminal Voltage - Supply: 24VDC Input Range: -200°C ~ 1800°C, 0 ~ 20mA, 0 ~ 10VDC, 0 ~ 50mV Communications: RS-485 (Modbus) Control Method: On/Off, Proportional (PID) Part Status: Active | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC1000R | Delta Electronics | Temperature Controllers DTC MPU, relay output | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC1000V | Delta Electronics/Industrial Automation | Description: DTC MPU, VOLTAGE OUTPUT Packaging: Box Output Type: Voltage (External SSR) Mounting Type: Chassis Mount, DIN Rail Type: Process, Temperature Controller (RTD, Type B, E, J, K, L, N, R, S, T, TXK, U) Termination Style: Screw Terminal Voltage - Supply: 24VDC Input Range: -200°C ~ 1800°C, 0 ~ 20mA, 0 ~ 10VDC, 0 ~ 50mV Communications: RS-485 (Modbus) Control Method: On/Off, Proportional (PID) Part Status: Active | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC1000V | Delta Electronics | Controllers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC1001R | Delta Electronics/Industrial Automation | Description: DTC MPU, RELAY OUTPUT WITH CT CO Packaging: Box Output Type: Relay Mounting Type: Chassis Mount, DIN Rail Type: Process, Temperature Controller (RTD, Type B, E, J, K, L, N, R, S, T, TXK, U) Termination Style: Screw Terminal Voltage - Supply: 24VDC Input Range: -200°C ~ 1800°C, 0 ~ 20mA, 0 ~ 10VDC, 0 ~ 50mV Communications: RS-485 (Modbus) Control Method: On/Off, Proportional (PID) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113EET1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 3806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113EET1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416 Mounting: SMD Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Current gain: 3...5 Collector-emitter voltage: 50V Quantity in set/package: 3000pcs. Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Case: SC75; SOT416 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 153900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113EET1G | onsemi | Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 3674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113EM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113EM3T5G | onsemi | Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 7580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113EM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC113EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 151845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113EM3T5G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT723; R1: 1kΩ Mounting: SMD Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Current gain: 3...5 Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Case: SOT723 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113EM3T5G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT723; R1: 1kΩ Mounting: SMD Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Current gain: 3...5 Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Case: SOT723 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113EM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZCA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZCA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZCA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZCA | Yangjie Technology | Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZCA | Yangjie Electronic Technology | Digital Transistors (Built-in Resistors) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZCA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 2975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZCA RF | Taiwan Semiconductor | NPN Small Signal Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZCA-HF | Comchip Technology | Digital Transistors TRANS DIGITAL NPN 50V 200mW SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZCA-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZCA-HF | Comchip Technology | Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3L Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN 1KOhms 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3L Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 4979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist | на замовлення 8479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZCAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZCAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 33 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZCAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 33 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZCAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZCAT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 33 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZCAT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 33 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZCAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 100mA 50V w/bias resistor | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.15W; SOT523; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.15W; SOT523; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZE RK | Taiwan Semiconductor | DTC113ZE RK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZE-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR NPN, SOT-523 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZE-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-523 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 5927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 100mA; 50V EMT3F | на замовлення 6715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZEFRATL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 5439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZK | ROHM | 06+ SOT-23 | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZK | ROHM | SOT23 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZK | ROHM | 09+ | на замовлення 35518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZKA | ROHM | 04+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZKA | ROHM | SOT23 | на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZKA | ROHM | SOT-23 | на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZKA T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 3644 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 32176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 100MA | на замовлення 24102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 33 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1456 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 33 | на замовлення 1456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 12282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZKAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZKT146 | на замовлення 81000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| DTC113ZL | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| DTC113ZM RM | Taiwan Semiconductor | DTC113ZM RM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZM-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin SOT-723 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZM-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 4895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R | на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Digital Trans w/Res VMT3 | на замовлення 5788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZSA | ROHM | TO-92 02+ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZSA A3 | Taiwan Semiconductor | DTC113ZSA A3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZSA TP | ROHM | TO92 | на замовлення 4100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 0.1A 1kO SOT-323 | на замовлення 8400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZU3T106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 33 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZU3T106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 33 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: SOT-323 Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323 | на замовлення 7912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1 Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 euEccn: NLR Verlustleistung: 200 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-323 Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1 Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA | Yangjie Electronic Technology | DTC113ZUA | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA RV | Taiwan Semiconductor | NPN Small Signal Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA T106 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 8702 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA-HF | Comchip Technology | Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA-HF | Comchip Technology | Digital Transistors TRANS DIGITAL NPN 50V 200mW SOT-323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ | на замовлення 5975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN 1KOhms 250MHz | на замовлення 5231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZUA/121 | ROHM | на замовлення 19471 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC113ZUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC113ZUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-323 Bauform - HF-Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1Verhältnis Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R | на замовлення 293292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC113ZUAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 100MA SOT-323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC113ZUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 4147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| DTC114-EKA-T146 Код товару: 16459
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC1144EKA T146 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC1144EUA | ROHM | SOT-323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114BKA | ROHM | N A | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114E | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114E | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114E - DTC114E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EBT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMN3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-923F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMN3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ECA | Yangjie Electronic Technology | DTC114ECA | на замовлення 999000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ECA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 2675 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz | на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA | Yangjie Technology | Description: SOT-23 NPN 0.2W 0.1A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 10700 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz | на замовлення 10700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA | SLKOR | Transistor NPN; 30; 200mW; 50V; 50mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: DDTC114ECA-7-F; DTC114ECA-TP; DTC114ECAT116; DTC114ECA SLKOR TDTC114eca SLK кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA RF | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ECA RF | Taiwan Semiconductor | NPN Small Signal Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ECA RU | Taiwan Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ECA-F2-0000HF | YY | Transistor NPN; Digital BJT; Bipolarny; 50V; 100mA; 200mW; -55°C~150°C; Substitute: DTC114ECA-YAN; DTC114ECAQ; DTC114ECA TDTC114ECA YY кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2430 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ECA-F2-0000HF | YY | Transistor NPN; Digital BJT; Bipolarny; 50V; 100mA; 200mW; -55°C~150°C; Substitute: DTC114ECA-YAN; DTC114ECAQ; DTC114ECA TDTC114ECA YY кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: PREBIAS PNP TRANS 0.2W SOT-23- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ECA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors Sgle NPN, 100mA | на замовлення 8209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ECA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 246mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.246W Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3575 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECA-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 246mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.246W Frequency: 250MHz | на замовлення 3575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 50mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHE3-TP | Micro Commercial Components | DTC114ECAHE3-TP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT-23 | на замовлення 4482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200/350mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 200/350mW Case: SOT23 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Kind of transistor: BRT кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2535 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist | на замовлення 10386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200/350mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 200/350mW Case: SOT23 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Kind of transistor: BRT | на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC114ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ECAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ECAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DTC114EKAT146 IS PREFERRED | на замовлення 5038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz Current gain: 30 | на замовлення 269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz Current gain: 30 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 269 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTC114ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ECAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EE | ROHM | 06+ SOT-523 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE | ROHM | SOT23 | на замовлення 9496 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE | Yangjie Technology | Description: SOT-523 NPN 0.15W 0.1A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 0.15W; SOT523; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 16675 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EE | ON | SOT523 | на замовлення 212560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE | ROHM | 09+ | на замовлення 3038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE | onsemi | SS SC75 BR XSTR NPN 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 0.15W; SOT523; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz | на замовлення 16675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EE | Yangjie Electronic Technology | DTC114EE | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EE | ROHM | SOT23/ | на замовлення 2823 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE RK | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE RK | Taiwan Semiconductor | DTC114EE RK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE TL | ROHM | SOT23 | на замовлення 9832 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE-TP | Micro Commercial Components | DIGITAL TRANSISTORS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN 50Vcc 50mA 1mA 100mA 150mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE-TP | Micro Commercial Components | DIGITAL TRANSISTORS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 3417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 6553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EEBMGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 100MA 50V SOT-416FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 1932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | на замовлення 11058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 50596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Transistormontage: Oberflächenmontage Produktpalette: DTC114E SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EEFRATL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500nA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EEFRATL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Trans Digital BJT NPN 100mA | на замовлення 4110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EEFRATL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EEFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A; SOT416 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EEFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A; SOT416 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EEFRATL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EEFRATL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500nA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EEPT | CHENMKO | 05+ SOT-523 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EET1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114EET1 - DTC114EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EET1 | onsemi | Description: TRANS NPN BIAS RES 50V SC-75 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EET1 | ON Semiconductor | на замовлення 1570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114EET1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EET1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT416 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2/0.3W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 35...60 Base-emitter resistor: 10kΩ Base resistor: 10kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 758 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 142560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 14920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 21992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 14920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT416 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2/0.3W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 35...60 Base-emitter resistor: 10kΩ Base resistor: 10kΩ Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN | на замовлення 758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 50MA SOT-416 | на замовлення 112541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EETL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: EMT Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 35115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 167301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 53557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 1539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Mounting: SMD Case: SC75A; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Base-emitter resistor: 10kΩ Base resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN | на замовлення 1679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EETL | ROHM | Description: ROHM - DTC114EETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: EMT Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 35115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 53664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416 Mounting: SMD Case: SC75A; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 30 Base-emitter resistor: 10kΩ Base resistor: 10kΩ Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1679 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EK | ROHM | SOT23 | на замовлення 67600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EK | ROHM | 09+ | на замовлення 483038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EK | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EK | ROME | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114EK FRAT146 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EK HRAT146 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 2740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EK T146 | ROHM | SOT23-24 | на замовлення 3565 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EK T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 2479 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EK/24 | ROHM | 03+ SOT-23 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKA | ROHM | SOT23-3 | на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKA | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 4648 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKA | ROHM | 07+ SOT-23 | на замовлення 96000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKA | ROHM | SOT23 | на замовлення 71670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKA | ROHM | SOT23/ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKA | ROHM | 09+ | на замовлення 15038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKA F T146 | ROHM | SOT23-24 PB-FREE | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKA T146 | ROHM - Japan | NPN 50mA 50V 10kOhm DTC114EKAT146 TDTC114ekat146 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2920 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EKA(24) | ROHM | 01+ SOT-23 | на замовлення 39999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKA-T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 5850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3L Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTOR NPN SOT-23-3L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKA/24 | ROHM | на замовлення 36203 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114EKAF | ROHM | SOT23 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKAF | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114EKAF T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKAF T146 | ROHM | SOT23-24 PB-FREE | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKAFS | ROHM | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKAFT146 | ROHM | 05+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKAFT146SOT23-24PB-FREE | ROHM | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114EKAHRA | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114EKAMHT146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKASOT23-24 | на замовлення 152000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| DTC114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EKAT146 Код товару: 61361
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114EKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EKAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGITL NPN 50V 50MA | на замовлення 278305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 9363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 1662935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 68649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 165 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EKAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 1662000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EKHRAT146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKT146 | ROHM Semiconductor | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EKT146SOT23-24 | ROHM | на замовлення 7775 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114EL | TESE-JY | SOT23 | на замовлення 2654 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EM | ROHM | SOT-323 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EM | ROHM | SMD | на замовлення 10060 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EM | ROHM | 10+ SOT-723 | на замовлення 102000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EM | ROHM | SOT23 | на замовлення 3807 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EM G T2L | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EM RM | Taiwan Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EM T2L | ROHM | SOT23 | на замовлення 7700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EM-TP | Micro Commercial Components | Digital Transistors | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EM-TP | Micro Commercial Components | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EM-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114EM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EM3T5G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 11839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 17915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114EM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 28850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EM3T5G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.6W Case: SOT723 Current gain: 35...60 Mounting: SMD Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Quantity in set/package: 8000pcs. Kind of transistor: BRT Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EM3T5G | ON Semiconductor | на замовлення 7016 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114EM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 11370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EMFHAT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-105AA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (100MA/50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EMFHAT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC114EMFHAT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-105AA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EMFHAT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Automotive Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 150mW 3-Pin VMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (100MA/50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 17204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R | на замовлення 18078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.15W Frequency: 250MHz Current gain: 30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.15W Frequency: 250MHz Current gain: 30 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 50MA | на замовлення 16029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R | на замовлення 43900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R | на замовлення 48458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114ESA | Taiwan Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin TO-92S T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ESA | ROHM | на замовлення 4059 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114ESA | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ESA A3 | Taiwan Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92S Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ESA TP | ROHM | TO92 | на замовлення 121 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ESA-AP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92S Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ESA-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ESA-AP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin TO-92S Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ESA-AP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO92S Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ESA-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ESA-BP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO92S Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ESA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ESATP | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 50MA SPT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ESATP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SPT Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114ESATP (транзистор біполярный NPN) Код товару: 37807
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114EU | ROHM | на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114EU Код товару: 171895
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| DTC114EU | ROHM | SOT323 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EU FRAT106 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 5551 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EU T106 | ROHM | SOT23 | на замовлення 2124 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 1767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 2354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EU3HZGT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz Current gain: 30 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 0.1A 10kO SOT-323 | на замовлення 11238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EU3HZGT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz Current gain: 30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EU3T106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz Current gain: 30 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 28264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3 | на замовлення 25113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EU3T106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz Current gain: 30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EUA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 0.2W; SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EUA | Yangjie Electronic Technology | Digital Transistors (Built-in Resistors) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EUA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 50mA; 0.2W; SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUA | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT323; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EUA | Yangjie Technology | Description: SOT-323 NPN 0.2W 0.1A Transisto Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EUA FRAT106 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 1243 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUA RR | Taiwan Semiconductor | DTC114EUA RR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUA RR | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUA RV | Taiwan Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUA T106 | ROHM | SOT23 | на замовлення 5567 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUA T106 | ROHM | 0536+ | на замовлення 2851 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUA T106 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 2984 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUA-13P | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUA-13P | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUA-T106 | на замовлення 2930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| DTC114EUA-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUA-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EUA-TP Код товару: 198107
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114EUA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors Sgle NPN, 100mA | на замовлення 6141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EUAF | ROHM | SOT323 | на замовлення 4530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUAF | ROHM | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EUAHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: BIPOLAR TRANSISTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUAHE3-TP | Micro Commercial Components | NPN Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUAHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN 50Vcc -10Vin 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUAT106 | ROHM | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114EUAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGITL NPN 50V 50MA SOT-323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUAT106 | rohm | SOT323 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114EUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 13905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EUAT106 Код товару: 147887
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114EUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUAT106 | ROHM | 08+ SOT-323 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUAT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 30 кількість в упаковці: 20 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUB | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUB TL | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 7959 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUBHZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-323FL 50V VCC 0.1A IC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUBHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 477090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 10523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EUBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 3232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EUBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR | на замовлення 3579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EUT106 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114EXV3T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SC-89 T/R | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EXV3T1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114EXV3T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114EXV3T1 - DTC114EXV3T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114GK | ROHM | SOT23 | на замовлення 79700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GKA | ROHM | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GKA | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114GKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GL-TL2 | на замовлення 1330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| DTC114GS | ROHM | TO-92S | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GU | ROHM | SOT323 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GU | ROHM | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL | на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Automotive NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) - DTC114GU3HZG is an digital transistor (Resistor built-in type transistor). Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit withou | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GU3T106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz Current gain: 30 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323 | на замовлення 2801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 1934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R2 Only | на замовлення 2899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R2 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 5520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114GU3T106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz Current gain: 30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GUA | ROHM | SOT323 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GUAFRAT106 | ROHM | SOT23/ | на замовлення 3800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | на замовлення 5218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | на замовлення 5218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GUAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 100MA SOT-323 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114NPN150MWEMT3CXI2005 | N/A | N/A | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114T | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114T - DTC114T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114T | onsemi | Description: TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TCA | Yangjie Electronic Technology | DTC114TCA | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TCA | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TCA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TCA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TCA RF | Taiwan Semiconductor | NPN Small Signal Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased Sgle NPN, 100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TCA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23 | на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TCA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist | на замовлення 2004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TCAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC114TCAHZGT116 NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TCAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 100mA 50V w/bias resistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 6904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TE | LUGUANG ELECTRONIC | DTC114TE-LGE NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TE | onsemi | onsemi SS SC75 BR XSTR NPN 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TE | ROHM | 09+ | на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TE | Yangjie Technology | Description: SOT-523 NPN 0.15W 0.1A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE | ROHM | SOT23 | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TE | ROHM | 06+ SOT-523 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TE | Yangjie Electronic Technology | DTC114TE | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE | ROHM | SOT-523 | на замовлення 10366 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TE RK | Taiwan Semiconductor | DTC114TE RK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TE TL | ROHM | SOT23 | на замовлення 2864 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TE-T106/8-H | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| DTC114TE-TL | ROHM | SOT423 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TE-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TE-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN 10KOhms 250MHz | на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital transistor (AEC-Q101 Qualified) | на замовлення 5955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TEBMGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 100MA 50V SOT-416FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 6527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F | на замовлення 820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 3838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TEF | ROHM | SOT23-3 | на замовлення 2644 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TET1 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TET1 | ON Semiconductor | на замовлення 1312 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114TET1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TET1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TET1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TET1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114TET1 - DTC114TET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TET1G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V | на замовлення 80975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 14585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TET1G | ONSEMI | DTC114TET1G NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 304476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TET1G | ON Semiconductor | на замовлення 610 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC75A; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.15W Frequency: 250MHz Current gain: 100...600 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 100MA | на замовлення 7059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: SC75A; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.15W Frequency: 250MHz Current gain: 100...600 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 3432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TKA | ROHM | SOT23 | на замовлення 29788 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TKA | ROHM | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TKA T146 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TKA T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 1768 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TKA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGIT NPN 50V 100MA | на замовлення 25705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 12900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 28939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TKAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC114TKAT146 NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM | ROHM | SOT523 | на замовлення 80200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 3240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 600mW; SOT723; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.6W Case: SOT723 Current gain: 160...350 Mounting: SMD Base resistor: 10kΩ Quantity in set/package: 8000pcs. Kind of transistor: BRT Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 71973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 136027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | на замовлення 109810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 60114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW Automotive 3-Pin VMT T/R | на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TMFHAT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-723, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TMFHAT2L | Rohm Semiconductor | Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TMT | ROHM | SOT-523 | на замовлення 2838 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 100MA | на замовлення 17040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC114TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R | на замовлення 8601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTC114TMT2L NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TMT2L | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R | на замовлення 5603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TMT2L | ROHM | Description: ROHM - DTC114TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TSA | ROHM | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114TSA | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TSA A3 | Taiwan Semiconductor | DTC114TSA A3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TSATP | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TSATP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SPT Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TSATP (транзистор біполярный NPN) Код товару: 28218
Додати до обраних
Обраний товар
| Rohm | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92S Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 50 V Ic,A: 0,1 A h21: 600 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TU | ROHM | 10+ SOT-323 | на замовлення 166500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TU | ROHM | SOT-323 | на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TU | ROHM | SOT323 | на замовлення 6600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TU/04 | ROHM | на замовлення 6321 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| DTC114TU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Digital Trans w/Res UMT3 | на замовлення 2872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TUA | LUGUANG ELECTRONIC | DTC114TUA-LGE NPN SMD transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TUA | Yangjie Electronic Technology | DTC114TUA | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TUA | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TUA RV | Taiwan Semiconductor | NPN Small Signal Digital Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TUA-T106 | ROHM | SOT423 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TUA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TUA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN 10KOhms 250MHz | на замовлення 1191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TUA-TP Код товару: 184302
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| DTC114TUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TUA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114TUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TUAFRAT106 | ROHM | SOT23/ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TUAFRAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114TUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DTC114TUAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 100MA SOT-323 | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|