Результат пошуку "8n65" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DIW018N65 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 155W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKA08N65F5 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKA08N65H5 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKP08N65F5 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKP08N65F5XKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IKP08N65H5 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKP08N65H5XKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IKP28N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFA8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFA8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 439 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFP8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFP8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 289 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFY8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXFY8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 105ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 155 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTA8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTA8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTA8N65X2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTH48N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTH48N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 277 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTH48N65X2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTP8N65X2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTP8N65X2M | IXYS |
![]() |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTQ48N65X2M | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 70W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTQ48N65X2M | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 70W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTY8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTY8N65X2 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTY8N65X2 | IXYS |
![]() |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SH68N65DM6AG | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG28N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHP28N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB18N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB28N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB38N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD18N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD18N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2004 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD18N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STD8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STE88N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF18N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF28N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF28N65M2 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF28N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF38N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STF8N65M5 | STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STFU18N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STFU28N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STFW38N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STI18N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STL18N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STL18N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP18N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP18N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP28N65M2 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP38N65M5 | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
DIW018N65 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 409.39 грн |
6+ | 177.35 грн |
15+ | 167.81 грн |
IKA08N65F5 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 266.33 грн |
10+ | 191.41 грн |
100+ | 134.37 грн |
500+ | 119.87 грн |
1000+ | 102.31 грн |
2500+ | 96.20 грн |
IKA08N65H5 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 171.02 грн |
10+ | 121.16 грн |
100+ | 83.98 грн |
500+ | 70.09 грн |
1000+ | 60.39 грн |
2500+ | 57.41 грн |
5000+ | 55.58 грн |
IKP08N65F5 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 160.33 грн |
10+ | 108.87 грн |
100+ | 75.58 грн |
500+ | 63.45 грн |
1000+ | 54.36 грн |
2500+ | 51.69 грн |
5000+ | 50.01 грн |
IKP08N65F5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 196.85 грн |
10+ | 175.60 грн |
25+ | 83.22 грн |
100+ | 74.90 грн |
500+ | 58.64 грн |
1000+ | 50.92 грн |
5000+ | 50.01 грн |
IKP08N65H5 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 187.05 грн |
10+ | 132.58 грн |
100+ | 92.38 грн |
500+ | 76.27 грн |
1000+ | 65.66 грн |
2500+ | 62.45 грн |
5000+ | 61.99 грн |
IKP08N65H5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 141.63 грн |
10+ | 108.87 грн |
25+ | 93.14 грн |
100+ | 82.46 грн |
500+ | 56.88 грн |
IKP28N65ES5XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 273.45 грн |
10+ | 213.36 грн |
25+ | 161.09 грн |
100+ | 129.79 грн |
500+ | 114.52 грн |
1000+ | 93.14 грн |
IXFA8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 51.69 грн |
10+ | 49.31 грн |
IXFA8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 64.42 грн |
10+ | 59.17 грн |
IXFP8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 166.22 грн |
7+ | 150.31 грн |
18+ | 141.56 грн |
50+ | 138.38 грн |
IXFP8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 243.58 грн |
3+ | 207.13 грн |
7+ | 180.37 грн |
18+ | 169.87 грн |
50+ | 166.06 грн |
IXFY8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 63.38 грн |
IXFY8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 76.05 грн |
IXTA8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 167.87 грн |
10+ | 120.09 грн |
12+ | 80.32 грн |
33+ | 76.35 грн |
IXTA8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 201.44 грн |
10+ | 149.65 грн |
12+ | 96.39 грн |
33+ | 91.62 грн |
300+ | 90.66 грн |
500+ | 87.80 грн |
IXTA8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 290.38 грн |
10+ | 223.89 грн |
50+ | 142.77 грн |
500+ | 139.72 грн |
IXTH48N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 726.29 грн |
2+ | 512.17 грн |
6+ | 484.33 грн |
25+ | 483.54 грн |
120+ | 465.25 грн |
IXTH48N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 871.54 грн |
2+ | 638.24 грн |
6+ | 581.20 грн |
25+ | 580.25 грн |
120+ | 558.30 грн |
IXTH48N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 796.31 грн |
10+ | 763.86 грн |
30+ | 419.15 грн |
IXTP8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 207.54 грн |
10+ | 151.89 грн |
50+ | 94.67 грн |
500+ | 92.38 грн |
1000+ | 90.85 грн |
IXTP8N65X2M |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.51 грн |
10+ | 233.55 грн |
50+ | 151.93 грн |
100+ | 133.61 грн |
500+ | 129.03 грн |
1000+ | 122.16 грн |
IXTQ48N65X2M |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 846.19 грн |
2+ | 567.04 грн |
3+ | 566.25 грн |
5+ | 536.03 грн |
IXTQ48N65X2M |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1015.43 грн |
2+ | 706.62 грн |
3+ | 679.50 грн |
5+ | 643.23 грн |
IXTY8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 159.30 грн |
10+ | 114.52 грн |
13+ | 72.37 грн |
36+ | 69.19 грн |
IXTY8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 191.16 грн |
10+ | 142.71 грн |
13+ | 86.85 грн |
36+ | 83.03 грн |
140+ | 81.12 грн |
560+ | 79.21 грн |
IXTY8N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 277.02 грн |
10+ | 254.62 грн |
25+ | 176.36 грн |
70+ | 128.27 грн |
560+ | 125.97 грн |
SH68N65DM6AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2293.63 грн |
10+ | 1721.77 грн |
200+ | 1270.43 грн |
400+ | 1222.34 грн |
SIHG28N65EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 534.44 грн |
10+ | 442.51 грн |
100+ | 312.26 грн |
500+ | 235.92 грн |
SIHP28N65EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 497.92 грн |
10+ | 412.66 грн |
100+ | 290.12 грн |
500+ | 258.06 грн |
1000+ | 220.65 грн |
STB18N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 250.29 грн |
10+ | 191.41 грн |
100+ | 127.50 грн |
500+ | 103.07 грн |
1000+ | 90.09 грн |
2000+ | 87.04 грн |
STB28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 349.17 грн |
10+ | 230.04 грн |
100+ | 153.46 грн |
500+ | 136.66 грн |
1000+ | 115.29 грн |
2000+ | 109.18 грн |
STB38N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 581.65 грн |
10+ | 413.54 грн |
100+ | 290.89 грн |
500+ | 258.06 грн |
1000+ | 207.67 грн |
STB8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 193.56 грн |
7+ | 155.08 грн |
10+ | 141.56 грн |
STB8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 232.27 грн |
7+ | 193.26 грн |
10+ | 169.87 грн |
STB8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
MOSFETs MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 271.67 грн |
10+ | 194.04 грн |
100+ | 118.34 грн |
500+ | 104.60 грн |
1000+ | 89.33 грн |
2000+ | 84.75 грн |
STD18N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 227.82 грн |
3+ | 200.41 грн |
6+ | 166.22 грн |
16+ | 156.67 грн |
100+ | 155.88 грн |
250+ | 151.11 грн |
STD18N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 273.39 грн |
3+ | 249.75 грн |
6+ | 199.46 грн |
16+ | 188.01 грн |
100+ | 187.05 грн |
250+ | 181.33 грн |
STD18N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 256.53 грн |
10+ | 185.26 грн |
25+ | 160.33 грн |
100+ | 119.10 грн |
500+ | 105.36 грн |
1000+ | 101.54 грн |
2500+ | 86.27 грн |
STD8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 146.46 грн |
5+ | 120.09 грн |
STD8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 175.75 грн |
5+ | 149.65 грн |
25+ | 138.38 грн |
STD8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
MOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 172.80 грн |
10+ | 131.70 грн |
100+ | 90.85 грн |
500+ | 90.09 грн |
1000+ | 83.22 грн |
2500+ | 75.97 грн |
STE88N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ 88 A MDmesh M5 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ 88 A MDmesh M5 Power MOSFET
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3179.01 грн |
10+ | 2786.79 грн |
50+ | 2422.53 грн |
100+ | 1748.37 грн |
STF18N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 199.52 грн |
10+ | 146.63 грн |
100+ | 100.78 грн |
500+ | 84.75 грн |
1000+ | 72.15 грн |
2000+ | 68.71 грн |
5000+ | 66.88 грн |
STF28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 251.80 грн |
6+ | 159.06 грн |
17+ | 150.31 грн |
STF28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 302.16 грн |
6+ | 198.21 грн |
17+ | 180.37 грн |
500+ | 174.65 грн |
STF28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 274.34 грн |
10+ | 263.40 грн |
25+ | 133.61 грн |
100+ | 127.50 грн |
500+ | 103.83 грн |
1000+ | 96.20 грн |
2000+ | 92.38 грн |
STF38N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 443.58 грн |
10+ | 367.01 грн |
100+ | 258.06 грн |
500+ | 229.81 грн |
1000+ | 196.21 грн |
STF8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 219.26 грн |
3+ | 180.53 грн |
8+ | 124.86 грн |
21+ | 117.70 грн |
STF8N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 263.11 грн |
3+ | 224.97 грн |
8+ | 149.83 грн |
21+ | 141.24 грн |
500+ | 139.34 грн |
1000+ | 136.47 грн |
STFU18N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 223.57 грн |
10+ | 204.58 грн |
25+ | 108.41 грн |
100+ | 104.60 грн |
500+ | 86.27 грн |
1000+ | 79.40 грн |
2000+ | 73.52 грн |
STFU28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narr
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narr
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 273.45 грн |
10+ | 201.06 грн |
100+ | 141.24 грн |
500+ | 125.97 грн |
1000+ | 106.89 грн |
2000+ | 101.54 грн |
STFW38N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 489.01 грн |
10+ | 404.76 грн |
100+ | 285.54 грн |
300+ | 206.14 грн |
600+ | 205.38 грн |
1200+ | 203.85 грн |
STI18N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 208.43 грн |
10+ | 158.04 грн |
100+ | 109.18 грн |
500+ | 91.62 грн |
1000+ | 72.84 грн |
2000+ | 72.15 грн |
STL18N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ 8 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ 8 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 225.35 грн |
10+ | 169.45 грн |
100+ | 100.02 грн |
500+ | 87.04 грн |
1000+ | 80.17 грн |
3000+ | 77.88 грн |
6000+ | 74.90 грн |
STL18N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5
MOSFETs N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 236.04 грн |
10+ | 176.48 грн |
100+ | 119.87 грн |
250+ | 119.10 грн |
500+ | 112.23 грн |
1000+ | 110.70 грн |
3000+ | 94.67 грн |
STP18N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 211.10 грн |
10+ | 158.92 грн |
100+ | 109.94 грн |
500+ | 92.38 грн |
1000+ | 79.40 грн |
2000+ | 74.90 грн |
5000+ | 72.84 грн |
STP18N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 122.03 грн |
25+ | 109.75 грн |
100+ | 94.67 грн |
500+ | 93.91 грн |
1000+ | 90.09 грн |
STP28N65M2 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 280.58 грн |
25+ | 139.60 грн |
100+ | 116.81 грн |
250+ | 116.05 грн |
500+ | 102.31 грн |
1000+ | 94.67 грн |
STP38N65M5 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 441.80 грн |
10+ | 366.13 грн |
25+ | 184.76 грн |
100+ | 184.00 грн |
1000+ | 176.36 грн |
5000+ | 174.84 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]