Результат пошуку "8n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DIW018N65 DIW018N65 DIOTEC SEMICONDUCTOR diw018n65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+456.50 грн
10+356.72 грн
30+259.31 грн
120+194.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.59 грн
10+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXFP8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.67 грн
3+192.77 грн
10+167.45 грн
50+164.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+201.97 грн
10+150.04 грн
50+111.95 грн
250+92.82 грн
300+90.90 грн
500+88.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS IXTH48N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+764.61 грн
10+581.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M IXTQ48N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+942.88 грн
3+819.77 грн
10+697.55 грн
30+626.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+191.67 грн
10+143.09 грн
20+116.74 грн
25+110.04 грн
70+88.03 грн
140+81.33 грн
560+79.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5 STMicroelectronics STB8N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+232.89 грн
10+176.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 STD18N65M5 STMicroelectronics STD18N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+245.25 грн
5+198.73 грн
10+171.28 грн
25+146.40 грн
50+130.13 грн
100+117.69 грн
250+116.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 STD8N65M5 STMicroelectronics STB8N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.21 грн
5+150.04 грн
25+139.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 STF28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5 STF38N65M5 STMicroelectronics en.DM00113621.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+391.58 грн
50+315.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 STF8N65M5 STMicroelectronics STB8N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+245.25 грн
3+208.67 грн
10+180.85 грн
50+168.41 грн
100+159.80 грн
250+136.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 STI18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132456.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.87 грн
10+128.18 грн
50+104.30 грн
100+101.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2 STW28N65M2 STMicroelectronics stw28n65m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+351.39 грн
3+311.02 грн
10+234.43 грн
30+219.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW88N65M5 STW88N65M5 STMicroelectronics STW88N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+988.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW88N65M5 ST en.DM00042858.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW88N65M5 TSTW88N65M5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+877.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK38N65C2-CYG; 38A; 650V; 277W; 0.089R; N-канальный; WMOS™ C2; Корпус: TO-220; WAYON (шт)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+212.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WML28N65C4 WML28N65C4 WAYON WMx28N65C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.75 грн
5+139.11 грн
25+118.65 грн
100+106.21 грн
500+104.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
74HC08N-652 PHILIPS 2000 DIP-14
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65H5XKSA1 Infineon DS_IKA08N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af95976745d19
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65H5 Infineon technologies
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PS28N65-1
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW88N65M5 STMicroelectronics NV en.DM00042858.pdf N-кан. MOSFET 650V 84A TO-247
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF8N65
Код товару: 144122
Додати до обраних Обраний товар

TO220F.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2
Код товару: 176666
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00150353.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5
Код товару: 58402
Додати до обраних Обраний товар

ST en.DM00049157.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Опис: MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 STF8N65M5
Код товару: 116715
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00253250.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW88N65M5 STW88N65M5
Код товару: 55508
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00042858.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65 diw018n65.pdf
DIW018N65
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.50 грн
10+356.72 грн
30+259.31 грн
120+194.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.59 грн
10+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFP8N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.67 грн
3+192.77 грн
10+167.45 грн
50+164.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.97 грн
10+150.04 грн
50+111.95 грн
250+92.82 грн
300+90.90 грн
500+88.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2.pdf
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+764.61 грн
10+581.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M
IXTQ48N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+942.88 грн
3+819.77 грн
10+697.55 грн
30+626.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.67 грн
10+143.09 грн
20+116.74 грн
25+110.04 грн
70+88.03 грн
140+81.33 грн
560+79.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5.pdf
STB8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.89 грн
10+176.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 STD18N65M5.pdf
STD18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.25 грн
5+198.73 грн
10+171.28 грн
25+146.40 грн
50+130.13 грн
100+117.69 грн
250+116.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 STB8N65M5.pdf
STD8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.21 грн
5+150.04 грн
25+139.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 en.DM00150353.pdf
STF28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5 en.DM00113621.pdf
STF38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+391.58 грн
50+315.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 STB8N65M5.pdf
STF8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.25 грн
3+208.67 грн
10+180.85 грн
50+168.41 грн
100+159.80 грн
250+136.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 en.DM00132456.pdf
STI18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.87 грн
10+128.18 грн
50+104.30 грн
100+101.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2 stw28n65m2.pdf
STW28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.39 грн
3+311.02 грн
10+234.43 грн
30+219.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW88N65M5 STW88N65M5.pdf
STW88N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+988.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW88N65M5 en.DM00042858.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW88N65M5 TSTW88N65M5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+877.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK38N65C2-CYG; 38A; 650V; 277W; 0.089R; N-канальный; WMOS™ C2; Корпус: TO-220; WAYON (шт)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WML28N65C4 WMx28N65C4.pdf
WML28N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.75 грн
5+139.11 грн
25+118.65 грн
100+106.21 грн
500+104.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
74HC08N-652
Виробник: PHILIPS
2000 DIP-14
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65H5XKSA1 DS_IKA08N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af95976745d19
Виробник: Infineon
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65H5
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PS28N65-1
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW88N65M5 en.DM00042858.pdf
Виробник: STMicroelectronics NV
N-кан. MOSFET 650V 84A TO-247
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOTF8N65
Код товару: 144122
Додати до обраних Обраний товар

TO220F.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2
Код товару: 176666
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00150353.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5
Код товару: 58402
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00049157.pdf
STB38N65M5
Виробник: ST
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Опис: MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5
Код товару: 116715
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00253250.pdf
STF8N65M5
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW88N65M5
Код товару: 55508
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00042858.pdf
STW88N65M5
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]