Результат пошуку "8n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DIW018N65 DIW018N65 DIOTEC SEMICONDUCTOR diw018n65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+401.31 грн
10+301.98 грн
30+227.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5 IKA08N65F5 Infineon Technologies Infineon_IKA08N65F5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.30 грн
10+123.76 грн
100+74.77 грн
500+63.10 грн
1000+56.12 грн
2500+53.04 грн
5000+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IKA08N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af92196985c58 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6.8A; 15.6W; TO220FP; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 15.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Collector current: 6.8A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.52 грн
10+121.97 грн
50+115.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+54.68 грн
10+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXFP8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.19 грн
10+147.21 грн
50+144.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+177.55 грн
10+127.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.84 грн
10+151.89 грн
100+129.98 грн
500+108.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS IXTH48N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+711.12 грн
5+550.97 грн
10+492.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTH48N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+779.42 грн
10+458.88 грн
120+383.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2 IXTP8N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.36 грн
10+115.73 грн
100+72.68 грн
1000+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTP8N65X2M_Datasheet.PDF MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.72 грн
10+143.05 грн
100+106.92 грн
500+102.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M IXTQ48N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+828.88 грн
3+693.97 грн
10+613.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+168.49 грн
10+121.13 грн
20+102.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.02 грн
10+133.41 грн
70+104.82 грн
560+97.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA48N65A5 IXYA48N65A5 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA48N65A5_Datasheet.pdf IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.58 грн
10+260.38 грн
100+201.26 грн
500+144.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP48N65A5 IXYP48N65A5 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYP48N65A5_Datasheet.pdf IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.68 грн
10+242.70 грн
100+184.49 грн
500+132.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH68N65DM6AG SH68N65DM6AG STMicroelectronics sh68n65dm6ag.pdf MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1336.27 грн
10+941.07 грн
100+730.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N65EF-GE3 SIHG28N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg28n65ef.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.90 грн
10+451.65 грн
100+327.05 грн
500+222.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N65EF-GE3 SIHP28N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp28n65ef.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+584.57 грн
10+478.17 грн
100+369.68 грн
500+346.62 грн
1000+206.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 STB18N65M5 STMicroelectronics stb18n65m5.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.19 грн
10+165.55 грн
100+100.63 грн
500+88.05 грн
1000+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 STB28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.29 грн
10+196.89 грн
100+120.90 грн
500+110.41 грн
1000+93.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5 STMicroelectronics en.DM00049157.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+488.36 грн
10+324.67 грн
100+209.65 грн
1000+178.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5 STMicroelectronics STB8N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+112.33 грн
10+99.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5 STMicroelectronics en.CD00253250.pdf MOSFETs MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.96 грн
10+155.91 грн
100+95.04 грн
500+82.46 грн
1000+76.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 STD18N65M5 STMicroelectronics STD18N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.69 грн
5+122.81 грн
10+117.76 грн
25+112.72 грн
50+105.99 грн
100+102.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 STD18N65M5 STMicroelectronics stb18n65m5.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.59 грн
10+157.51 грн
100+95.74 грн
500+83.16 грн
2500+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 STD8N65M5 STMicroelectronics en.CD00253250.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.21 грн
10+143.85 грн
100+88.75 грн
500+75.47 грн
1000+69.74 грн
2500+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N65M2 STF18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132600.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.84 грн
10+107.69 грн
100+82.46 грн
500+69.11 грн
1000+64.92 грн
2000+62.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 STF28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+249.12 грн
10+149.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 STF28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.05 грн
10+135.01 грн
100+106.22 грн
500+87.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5 STF38N65M5 STMicroelectronics en.DM00113621.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+421.24 грн
5+308.71 грн
10+271.70 грн
25+243.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 STF8N65M5 STMicroelectronics STB8N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+176.65 грн
10+158.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STFU18N65M2 STFU18N65M2 STMicroelectronics en.DM00164802.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.13 грн
10+108.49 грн
100+85.26 грн
500+69.11 грн
1000+63.10 грн
2000+60.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFU28N65M2 STFU28N65M2 STMicroelectronics en.DM00167986.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.68 грн
10+122.96 грн
100+99.23 грн
500+89.45 грн
1000+83.16 грн
2000+81.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW38N65M5 STFW38N65M5 STMicroelectronics en.DM00113621.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.15 грн
10+336.73 грн
100+208.25 грн
600+186.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 STI18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132456.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+144.94 грн
10+108.51 грн
50+91.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M2 STL18N65M2 STMicroelectronics en.DM00110867.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.28 грн
10+146.26 грн
100+89.45 грн
500+76.17 грн
1000+67.93 грн
3000+64.29 грн
6000+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M5 STL18N65M5 STMicroelectronics en.DM00063953.pdf MOSFETs N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5
на замовлення 3613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.08 грн
10+167.96 грн
100+105.52 грн
500+92.94 грн
1000+85.96 грн
3000+81.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL38N65M5 STL38N65M5 STMicroelectronics en.DM00056210.pdf MOSFETs N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.15 грн
10+311.82 грн
100+199.86 грн
500+199.16 грн
1000+186.59 грн
3000+169.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2 STP18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132456.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.58 грн
10+112.51 грн
100+88.05 грн
500+71.28 грн
1000+66.11 грн
2000+61.29 грн
5000+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M5 STP18N65M5 STMicroelectronics en.DM00049722.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.79 грн
10+137.42 грн
100+108.32 грн
500+88.75 грн
1000+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N65M2 STP28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.19 грн
10+132.60 грн
100+101.33 грн
500+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP38N65M5 STP38N65M5 STMicroelectronics en.DM00049157.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.89 грн
10+205.73 грн
500+160.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N65M5 STW18N65M5 STMicroelectronics en.DM00049722.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.03 грн
10+151.09 грн
100+99.23 грн
600+94.34 грн
1200+93.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2 STW28N65M2 STMicroelectronics stw28n65m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+313.44 грн
3+265.81 грн
10+217.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2 STW28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+342.42 грн
10+188.86 грн
100+114.61 грн
600+108.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 STW38N65M5 STMicroelectronics en.DM00049157.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+478.58 грн
10+291.72 грн
100+229.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N65DM2AG STW58N65DM2AG STMicroelectronics en.DM00228874.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+713.38 грн
10+625.24 грн
100+493.37 грн
600+373.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N65DM6-4AG STW68N65DM6-4AG STMicroelectronics stw68n65dm6-4ag.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+914.76 грн
10+554.52 грн
100+438.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW88N65M5 STW88N65M5 STMicroelectronics STW88N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1016.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW88N65M5 STW88N65M5 STMicroelectronics en.DM00042858.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1130.81 грн
10+687.92 грн
100+589.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW88N65M5 ST en.DM00042858.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW88N65M5 TSTW88N65M5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+946.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW88N65M5-4 STW88N65M5-4 STMicroelectronics en.DM00177200.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1080.26 грн
10+732.93 грн
100+577.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA88N65M5 STWA88N65M5 STMicroelectronics en.DM00042858.pdf MOSFETs N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1081.90 грн
10+654.17 грн
100+556.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK068N65Z5,S1F TK068N65Z5,S1F Toshiba 28B8068AE527927BE205F03F678575705736C8BCD2E8BAF933D91DBC118C4B4A.pdf MOSFETs TO247 650V 1.69A N-CH
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+715.83 грн
10+423.52 грн
120+341.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1F TK28N65W5,S1F Toshiba 4242433041324342453536383833463245413045364234453745383332374642.pdf MOSFETs TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+593.53 грн
10+401.02 грн
120+256.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65C,S1F TW048N65C,S1F Toshiba TW048N65C_datasheet_en_20240912.pdf SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1381.11 грн
10+827.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WML28N65C4 WML28N65C4 WAYON WMx28N65C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.41 грн
5+116.92 грн
25+103.46 грн
100+92.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
74HC08N-652 PHILIPS 2000 DIP-14
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65 diw018n65.pdf
DIW018N65
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+401.31 грн
10+301.98 грн
30+227.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5 Infineon_IKA08N65F5_DS_v02_01_EN.pdf
IKA08N65F5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.30 грн
10+123.76 грн
100+74.77 грн
500+63.10 грн
1000+56.12 грн
2500+53.04 грн
5000+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5XKSA1 DS_IKA08N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af92196985c58
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6.8A; 15.6W; TO220FP; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 15.6W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Collector current: 6.8A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.52 грн
10+121.97 грн
50+115.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.68 грн
10+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFP8N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.19 грн
10+147.21 грн
50+144.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+177.55 грн
10+127.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.84 грн
10+151.89 грн
100+129.98 грн
500+108.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2.pdf
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+711.12 грн
5+550.97 грн
10+492.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTH48N65X2_Datasheet.PDF
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+779.42 грн
10+458.88 грн
120+383.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF
IXTP8N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.36 грн
10+115.73 грн
100+72.68 грн
1000+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTP8N65X2M_Datasheet.PDF
IXTP8N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.72 грн
10+143.05 грн
100+106.92 грн
500+102.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M
IXTQ48N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+828.88 грн
3+693.97 грн
10+613.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.49 грн
10+121.13 грн
20+102.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.02 грн
10+133.41 грн
70+104.82 грн
560+97.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA48N65A5 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA48N65A5_Datasheet.pdf
IXYA48N65A5
Виробник: IXYS
IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+425.58 грн
10+260.38 грн
100+201.26 грн
500+144.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP48N65A5 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYP48N65A5_Datasheet.pdf
IXYP48N65A5
Виробник: IXYS
IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.68 грн
10+242.70 грн
100+184.49 грн
500+132.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH68N65DM6AG sh68n65dm6ag.pdf
SH68N65DM6AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1336.27 грн
10+941.07 грн
100+730.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N65EF-GE3 sihg28n65ef.pdf
SIHG28N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+644.90 грн
10+451.65 грн
100+327.05 грн
500+222.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N65EF-GE3 sihp28n65ef.pdf
SIHP28N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+584.57 грн
10+478.17 грн
100+369.68 грн
500+346.62 грн
1000+206.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 stb18n65m5.pdf
STB18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.19 грн
10+165.55 грн
100+100.63 грн
500+88.05 грн
1000+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 en.DM00150353.pdf
STB28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.29 грн
10+196.89 грн
100+120.90 грн
500+110.41 грн
1000+93.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 en.DM00049157.pdf
STB38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.36 грн
10+324.67 грн
100+209.65 грн
1000+178.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5.pdf
STB8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+112.33 грн
10+99.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 en.CD00253250.pdf
STB8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.96 грн
10+155.91 грн
100+95.04 грн
500+82.46 грн
1000+76.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 STD18N65M5.pdf
STD18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.69 грн
5+122.81 грн
10+117.76 грн
25+112.72 грн
50+105.99 грн
100+102.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 stb18n65m5.pdf
STD18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.59 грн
10+157.51 грн
100+95.74 грн
500+83.16 грн
2500+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 en.CD00253250.pdf
STD8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.21 грн
10+143.85 грн
100+88.75 грн
500+75.47 грн
1000+69.74 грн
2500+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N65M2 en.DM00132600.pdf
STF18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.84 грн
10+107.69 грн
100+82.46 грн
500+69.11 грн
1000+64.92 грн
2000+62.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 en.DM00150353.pdf
STF28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.12 грн
10+149.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 en.DM00150353.pdf
STF28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.05 грн
10+135.01 грн
100+106.22 грн
500+87.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5 en.DM00113621.pdf
STF38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+421.24 грн
5+308.71 грн
10+271.70 грн
25+243.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 STB8N65M5.pdf
STF8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.65 грн
10+158.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STFU18N65M2 en.DM00164802.pdf
STFU18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.13 грн
10+108.49 грн
100+85.26 грн
500+69.11 грн
1000+63.10 грн
2000+60.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFU28N65M2 en.DM00167986.pdf
STFU28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.68 грн
10+122.96 грн
100+99.23 грн
500+89.45 грн
1000+83.16 грн
2000+81.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STFW38N65M5 en.DM00113621.pdf
STFW38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.15 грн
10+336.73 грн
100+208.25 грн
600+186.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STI18N65M2 en.DM00132456.pdf
STI18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+144.94 грн
10+108.51 грн
50+91.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M2 en.DM00110867.pdf
STL18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.28 грн
10+146.26 грн
100+89.45 грн
500+76.17 грн
1000+67.93 грн
3000+64.29 грн
6000+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL18N65M5 en.DM00063953.pdf
STL18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5
на замовлення 3613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.08 грн
10+167.96 грн
100+105.52 грн
500+92.94 грн
1000+85.96 грн
3000+81.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STL38N65M5 en.DM00056210.pdf
STL38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.15 грн
10+311.82 грн
100+199.86 грн
500+199.16 грн
1000+186.59 грн
3000+169.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2 en.DM00132456.pdf
STP18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.58 грн
10+112.51 грн
100+88.05 грн
500+71.28 грн
1000+66.11 грн
2000+61.29 грн
5000+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M5 en.DM00049722.pdf
STP18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.79 грн
10+137.42 грн
100+108.32 грн
500+88.75 грн
1000+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N65M2 en.DM00150353.pdf
STP28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.19 грн
10+132.60 грн
100+101.33 грн
500+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP38N65M5 en.DM00049157.pdf
STP38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.89 грн
10+205.73 грн
500+160.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N65M5 en.DM00049722.pdf
STW18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.03 грн
10+151.09 грн
100+99.23 грн
600+94.34 грн
1200+93.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2 stw28n65m2.pdf
STW28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.44 грн
3+265.81 грн
10+217.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW28N65M2 en.DM00150353.pdf
STW28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.42 грн
10+188.86 грн
100+114.61 грн
600+108.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW38N65M5 en.DM00049157.pdf
STW38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.58 грн
10+291.72 грн
100+229.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW58N65DM2AG en.DM00228874.pdf
STW58N65DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+713.38 грн
10+625.24 грн
100+493.37 грн
600+373.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW68N65DM6-4AG stw68n65dm6-4ag.pdf
STW68N65DM6-4AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+914.76 грн
10+554.52 грн
100+438.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW88N65M5 STW88N65M5.pdf
STW88N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 50.5A; 450W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.5A
Power dissipation: 450W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1016.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW88N65M5 en.DM00042858.pdf
STW88N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
на замовлення 3691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1130.81 грн
10+687.92 грн
100+589.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW88N65M5 en.DM00042858.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW88N65M5 TSTW88N65M5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+946.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW88N65M5-4 en.DM00177200.pdf
STW88N65M5-4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1080.26 грн
10+732.93 грн
100+577.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STWA88N65M5 en.DM00042858.pdf
STWA88N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1081.90 грн
10+654.17 грн
100+556.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK068N65Z5,S1F 28B8068AE527927BE205F03F678575705736C8BCD2E8BAF933D91DBC118C4B4A.pdf
TK068N65Z5,S1F
Виробник: Toshiba
MOSFETs TO247 650V 1.69A N-CH
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+715.83 грн
10+423.52 грн
120+341.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W5,S1F 4242433041324342453536383833463245413045364234453745383332374642.pdf
TK28N65W5,S1F
Виробник: Toshiba
MOSFETs TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+593.53 грн
10+401.02 грн
120+256.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW048N65C,S1F TW048N65C_datasheet_en_20240912.pdf
TW048N65C,S1F
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1381.11 грн
10+827.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WML28N65C4 WMx28N65C4.pdf
WML28N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+140.41 грн
5+116.92 грн
25+103.46 грн
100+92.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
74HC08N-652
Виробник: PHILIPS
2000 DIP-14
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]