Результат пошуку "8n65" : > 60

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STF8N65M5
Код товару: 116715
Додати до обраних Обраний товар
en.CD00253250.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
очікується: 1 шт
  • 1 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
18N65F 18N65F GOODWORK 1779529568283928.pdf Description: 650V18A410m@10VITO-220AB
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65 DIW018N65 DIOTEC SEMICONDUCTOR diw018n65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.18Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+429.55 грн
10+322.41 грн
30+250.12 грн
60+210.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65 DIW018N65 Diotec Semiconductor diw018n65.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 380 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.03 грн
30+235.45 грн
60+214.04 грн
120+183.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5XKSA1 IKA08N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6.8A; 15.6W; TO220FP; F5
Case: TO220FP
Power dissipation: 15.6W
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 22nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 24A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6.8A
Mounting: THT
Manufacturer series: F5
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+173.61 грн
10+106.36 грн
50+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65H5XKSA1 IKA08N65H5XKSA1 Infineon Technologies DS_IKA08N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af95976745d19 Description: IGBT 650V 10.8A TO220-3
на замовлення 20210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1 IKD08N65ET6ARMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD08N65ET6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c3586b20ddb Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.66 грн
10+144.49 грн
100+100.39 грн
500+76.51 грн
1000+70.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65F5XKSA1 IKP08N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKP08N65F5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30433af5291e013af9bac1de5da9 Description: IGBT
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 150W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 105ns
Mounting: SMD
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+54.01 грн
10+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N65X2 IXFP18N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-18n65x2-datasheet?assetguid=caf1a2be-4d45-4d83-bc47-d506e7353176 Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.30 грн
10+308.12 грн
50+244.09 грн
100+209.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXFP8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 150W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 105ns
Mounting: THT
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.21 грн
10+145.42 грн
50+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 150W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 105ns
Mounting: SMD
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 150W
Technology: X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: SMD
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.40 грн
10+125.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.80 грн
10+228.77 грн
50+178.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS IXTH48N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 660W
Technology: X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 400ns
Mounting: THT
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+852.83 грн
5+633.20 грн
10+544.28 грн
30+486.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+879.93 грн
30+510.65 грн
60+470.51 грн
120+409.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTH48N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2 IXTP8N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTP8N65X2M_Datasheet.PDF MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M IXTQ48N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Case: TO3PF
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+818.82 грн
3+685.55 грн
10+605.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 150W
Technology: X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: SMD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+166.45 грн
10+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA48N65A5 IXYA48N65A5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYA48N65A5Datasheet.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 130A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/205ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 236 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.20 грн
50+238.81 грн
100+218.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA48N65A5 IXYA48N65A5 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA48N65A5_Datasheet.pdf IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP48N65A5 IXYP48N65A5 IXYS Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYP48N65A5Datasheet.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 130A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/205ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 236 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.69 грн
50+222.30 грн
100+203.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP48N65A5 IXYP48N65A5 IXYS Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYP48N65A5_Datasheet.pdf IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSM8----N6--5A0 KSM8----N6--5A0 Essentra Components Plastic_Knobs.pdf Description: PUSH PULL KNOB 1.000 IN DIAMETER
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M8
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.410" (10.41mm)
Indicator: No Indicator
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
5+91.84 грн
10+85.86 грн
25+74.00 грн
50+69.67 грн
100+65.78 грн
250+60.28 грн
500+57.34 грн
1000+54.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT18N65HF MOT18N65HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_129.html Description: MOSFET N-CH 650V 18A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+2218.30 грн
10+340.79 грн
100+105.96 грн
500+60.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N65MD MOT8N65MD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_116.html Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+2078.50 грн
10+259.50 грн
100+57.23 грн
500+28.60 грн
1000+22.93 грн
2500+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N65MF MOT8N65MF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+2095.59 грн
10+269.37 грн
100+63.16 грн
500+32.49 грн
1000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH68N65DM6AG SH68N65DM6AG STMicroelectronics sh68n65dm6ag.pdf MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH68N65DM6AG SH68N65DM6AG STMicroelectronics sh68n65dm6ag.pdf Description: MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 379W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
Part Status: Active
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+706.43 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH68N65DM6AG SH68N65DM6AG STMicroelectronics sh68n65dm6ag.pdf Description: MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 379W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
Part Status: Active
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1356.00 грн
10+932.52 грн
50+832.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N65EF-GE3 SIHG28N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg28n65ef.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N65EF-GE3 SIHP28N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp28n65ef.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 STB18N65M5 STMicroelectronics stb18n65m5.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 STB18N65M5 STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.74 грн
3000+77.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 STB18N65M5 STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.40 грн
10+163.26 грн
50+126.12 грн
100+107.12 грн
500+87.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 STB28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 STB28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.41 грн
10+206.71 грн
50+160.78 грн
100+137.00 грн
500+117.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 STB28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5 STMicroelectronics en.DM00049157.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5 STMicroelectronics en.DM00049157.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.49 грн
10+321.88 грн
50+255.43 грн
100+219.67 грн
500+209.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5 STMicroelectronics STB8N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.6Ω
Power dissipation: 70W
Technology: SuperMesh™
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.97 грн
10+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5 STMicroelectronics en.CD00253250.pdf MOSFETs MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5 STMicroelectronics en.CD00253250.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.97 грн
10+154.88 грн
50+119.36 грн
100+101.28 грн
500+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 STD18N65M5 STMicroelectronics STD18N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Power dissipation: 110W
Technology: SuperMesh™
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 432 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.02 грн
5+121.32 грн
10+116.34 грн
25+111.35 грн
50+104.70 грн
100+101.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 STD18N65M5 STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
10+159.97 грн
50+123.46 грн
100+104.82 грн
500+85.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 STD18N65M5 STMicroelectronics stb18n65m5.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 STD8N65M5 STMicroelectronics en.CD00253250.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.19 грн
10+154.21 грн
50+118.57 грн
100+100.50 грн
500+81.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N65M2 STF18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132600.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N65M2 STF18N65M2 STMicroelectronics en.DM00132600.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.52 грн
10+156.01 грн
50+120.00 грн
100+101.73 грн
500+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 STF28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.18Ω
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+276.52 грн
10+158.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 STF28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5 STF38N65M5 STMicroelectronics en.DM00113621.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 95mΩ
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+444.76 грн
10+289.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5 STF38N65M5 STMicroelectronics en.DM00113621.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.77 грн
10+298.03 грн
50+235.77 грн
100+202.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5 STF38N65M5 STMicroelectronics en.DM00113621.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 STF8N65M5 STMicroelectronics STB8N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+241.62 грн
3+198.60 грн
8+130.46 грн
21+122.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU18N65M2 STFU18N65M2 STMicroelectronics en.DM00164802.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFU28N65M2 STFU28N65M2 STMicroelectronics en.DM00167986.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.93 грн
10+173.58 грн
50+134.39 грн
100+114.27 грн
500+93.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5
Код товару: 116715
Додати до обраних Обраний товар
en.CD00253250.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
очікується: 1 шт
  • 1 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
18N65F 1779529568283928.pdf
18N65F
Виробник: GOODWORK
Description: 650V18A410m@10VITO-220AB
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65 diw018n65.pdf
DIW018N65
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.18Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+429.55 грн
10+322.41 грн
30+250.12 грн
60+210.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65 diw018n65.pdf
DIW018N65
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 380 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+431.03 грн
30+235.45 грн
60+214.04 грн
120+183.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5XKSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IKA08N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 6.8A; 15.6W; TO220FP; F5
Case: TO220FP
Power dissipation: 15.6W
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 22nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 24A
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6.8A
Mounting: THT
Manufacturer series: F5
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+173.61 грн
10+106.36 грн
50+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65H5XKSA1 DS_IKA08N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af95976745d19
IKA08N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 10.8A TO220-3
на замовлення 20210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
260+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1 Infineon-IKD08N65ET6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c3586b20ddb
IKD08N65ET6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+230.66 грн
10+144.49 грн
100+100.39 грн
500+76.51 грн
1000+70.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65F5XKSA1 Infineon-IKP08N65F5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30433af5291e013af9bac1de5da9
IKP08N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
316+69.40 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 150W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 105ns
Mounting: SMD
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+54.01 грн
10+51.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-18n65x2-datasheet?assetguid=caf1a2be-4d45-4d83-bc47-d506e7353176
IXFP18N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+475.30 грн
10+308.12 грн
50+244.09 грн
100+209.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFP8N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 150W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 105ns
Mounting: THT
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+161.21 грн
10+145.42 грн
50+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 150W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 105ns
Mounting: SMD
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+65.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Case: TO263
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 150W
Technology: X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: SMD
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.40 грн
10+125.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+358.80 грн
10+228.77 грн
50+178.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2.pdf
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 660W
Technology: X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 400ns
Mounting: THT
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+852.83 грн
5+633.20 грн
10+544.28 грн
30+486.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+879.93 грн
30+510.65 грн
60+470.51 грн
120+409.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTH48N65X2_Datasheet.PDF
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF
IXTP8N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTP8N65X2M_Datasheet.PDF
IXTP8N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M
IXTQ48N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Case: TO3PF
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 65mΩ
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+818.82 грн
3+685.55 грн
10+605.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Case: TO252
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 150W
Technology: X2-Class
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: SMD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+166.45 грн
10+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA48N65A5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYA48N65A5Datasheet.pdf
IXYA48N65A5
Виробник: IXYS
Description: IGBT TRENCH FS 650V 130A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/205ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 236 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+465.20 грн
50+238.81 грн
100+218.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA48N65A5 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYA48N65A5_Datasheet.pdf
IXYA48N65A5
Виробник: IXYS
IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP48N65A5 Littelfuse06282024PowerSemiconductorDiscreteIGBTIXYP48N65A5Datasheet.pdf
IXYP48N65A5
Виробник: IXYS
Description: IGBT TRENCH FS 650V 130A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/205ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.25mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 236 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+435.69 грн
50+222.30 грн
100+203.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP48N65A5 Power_Semiconductor_Discrete_IGBT_IXYP48N65A5_Datasheet.pdf
IXYP48N65A5
Виробник: IXYS
IGBTs 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSM8----N6--5A0 Plastic_Knobs.pdf
KSM8----N6--5A0
Виробник: Essentra Components
Description: PUSH PULL KNOB 1.000 IN DIAMETER
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M8
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.410" (10.41mm)
Indicator: No Indicator
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.39 грн
5+91.84 грн
10+85.86 грн
25+74.00 грн
50+69.67 грн
100+65.78 грн
250+60.28 грн
500+57.34 грн
1000+54.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT18N65HF index_129.html
MOT18N65HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 18A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+2218.30 грн
10+340.79 грн
100+105.96 грн
500+60.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N65MD index_116.html
MOT8N65MD
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+2078.50 грн
10+259.50 грн
100+57.23 грн
500+28.60 грн
1000+22.93 грн
2500+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N65MF
MOT8N65MF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+2095.59 грн
10+269.37 грн
100+63.16 грн
500+32.49 грн
1000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH68N65DM6AG sh68n65dm6ag.pdf
SH68N65DM6AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SH68N65DM6AG sh68n65dm6ag.pdf
SH68N65DM6AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 379W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
Part Status: Active
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+706.43 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SH68N65DM6AG sh68n65dm6ag.pdf
SH68N65DM6AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 379W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
Part Status: Active
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1356.00 грн
10+932.52 грн
50+832.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N65EF-GE3 sihg28n65ef.pdf
SIHG28N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N65EF-GE3 sihp28n65ef.pdf
SIHP28N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 stb18n65m5.pdf
STB18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 stb18n65m5.pdf
STB18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+89.74 грн
3000+77.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 stb18n65m5.pdf
STB18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+259.40 грн
10+163.26 грн
50+126.12 грн
100+107.12 грн
500+87.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 en.DM00150353.pdf
STB28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 en.DM00150353.pdf
STB28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+325.41 грн
10+206.71 грн
50+160.78 грн
100+137.00 грн
500+117.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 en.DM00150353.pdf
STB28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+109.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 en.DM00049157.pdf
STB38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 en.DM00049157.pdf
STB38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+495.49 грн
10+321.88 грн
50+255.43 грн
100+219.67 грн
500+209.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5.pdf
STB8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.6Ω
Power dissipation: 70W
Technology: SuperMesh™
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+110.97 грн
10+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 en.CD00253250.pdf
STB8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 en.CD00253250.pdf
STB8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.97 грн
10+154.88 грн
50+119.36 грн
100+101.28 грн
500+82.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 STD18N65M5.pdf
STD18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Case: DPAK
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.22Ω
Power dissipation: 110W
Technology: SuperMesh™
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 432 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+136.02 грн
5+121.32 грн
10+116.34 грн
25+111.35 грн
50+104.70 грн
100+101.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 stb18n65m5.pdf
STD18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.96 грн
10+159.97 грн
50+123.46 грн
100+104.82 грн
500+85.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 stb18n65m5.pdf
STD18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 en.CD00253250.pdf
STD8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.19 грн
10+154.21 грн
50+118.57 грн
100+100.50 грн
500+81.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N65M2 en.DM00132600.pdf
STF18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF18N65M2 en.DM00132600.pdf
STF18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.52 грн
10+156.01 грн
50+120.00 грн
100+101.73 грн
500+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 en.DM00150353.pdf
STF28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 80A; 30W; TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.18Ω
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.52 грн
10+158.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF28N65M2 en.DM00150353.pdf
STF28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5 en.DM00113621.pdf
STF38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 120A; 35W; TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 95mΩ
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 35W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Gate charge: 71nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+444.76 грн
10+289.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5 en.DM00113621.pdf
STF38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+459.77 грн
10+298.03 грн
50+235.77 грн
100+202.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF38N65M5 en.DM00113621.pdf
STF38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF8N65M5 STB8N65M5.pdf
STF8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 4.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.62 грн
3+198.60 грн
8+130.46 грн
21+122.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STFU18N65M2 en.DM00164802.pdf
STFU18N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STFU28N65M2 en.DM00167986.pdf
STFU28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.93 грн
10+173.58 грн
50+134.39 грн
100+114.27 грн
500+93.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.