Результат пошуку "8n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DIW018N65 DIW018N65 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FA5E6E43C8380D6&compId=diw018n65.pdf?ci_sign=671d25dadfd454a5e33fdb29e26c713f41cdb719 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+407.55 грн
6+176.55 грн
15+167.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65 DIW018N65 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FA5E6E43C8380D6&compId=diw018n65.pdf?ci_sign=671d25dadfd454a5e33fdb29e26c713f41cdb719 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+489.06 грн
6+220.01 грн
15+200.46 грн
120+199.51 грн
450+192.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65 DIW018N65 Diotec Semiconductor diw018n65.pdf Description: MOSFET, TO-247-3L, N, 650V, 18A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 380 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.53 грн
30+233.45 грн
120+194.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5 IKA08N65F5 Infineon Technologies Infineon-IKA08N65F5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.92 грн
10+166.07 грн
100+110.21 грн
500+91.97 грн
1000+79.04 грн
2500+75.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65H5 IKA08N65H5 Infineon Technologies Infineon_IKA08N65H5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.89 грн
10+113.63 грн
100+68.63 грн
500+58.30 грн
1000+48.72 грн
2500+44.92 грн
5000+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65H5XKSA1 IKA08N65H5XKSA1 Infineon Technologies DS_IKA08N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af95976745d19 Description: IGBT 650V 10.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/115ns
Switching Energy: 70µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 31.2 W
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.50 грн
50+74.50 грн
100+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1 IKD08N65ET6ARMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD08N65ET6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c3586b20ddb Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.03 грн
10+144.65 грн
100+100.46 грн
500+76.56 грн
1000+70.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65F5 IKP08N65F5 Infineon Technologies Infineon-IKP08N65F5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.27 грн
10+102.26 грн
100+61.87 грн
500+52.52 грн
1000+43.78 грн
2500+40.43 грн
5000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65F5XKSA1 IKP08N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKP08N65F5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.61 грн
10+76.65 грн
100+59.21 грн
500+54.72 грн
1000+50.09 грн
2500+46.44 грн
5000+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65F5XKSA1 IKP08N65F5XKSA1 Infineon Technologies DS_IKP08N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af9bac1de5da9 Description: IGBT 650V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/116ns
Switching Energy: 70µJ (on), 20µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 70 W
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.17 грн
50+68.63 грн
100+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65H5 IKP08N65H5 Infineon Technologies Infineon_IKP08N65H5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.57 грн
10+110.13 грн
100+65.36 грн
500+54.72 грн
1000+48.19 грн
2500+44.61 грн
5000+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65H5XKSA1 IKP08N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKP08N65H5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.57 грн
10+105.76 грн
100+80.56 грн
500+45.98 грн
5000+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP28N65ES5XKSA1 IKP28N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKP28N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.51 грн
10+148.59 грн
100+106.41 грн
500+78.28 грн
1000+72.58 грн
5000+71.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C2A64DBB78BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=458a144a1aa17934f6135dda20f6facfdcd683e5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.46 грн
10+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C2A64DBB78BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=458a144a1aa17934f6135dda20f6facfdcd683e5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.13 грн
10+58.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N65X2 IXFP18N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-18n65x2-datasheet?assetguid=caf1a2be-4d45-4d83-bc47-d506e7353176 Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.24 грн
50+215.79 грн
100+197.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXFP8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.47 грн
7+149.63 грн
18+141.72 грн
50+137.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 IXFP8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+242.48 грн
3+206.20 грн
7+179.56 грн
18+170.06 грн
50+165.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.11 грн
10+119.55 грн
12+79.96 грн
33+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+200.54 грн
10+148.98 грн
12+95.96 грн
33+91.21 грн
300+90.26 грн
500+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.41 грн
10+163.45 грн
500+139.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.03 грн
50+129.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB08067F19B8BF&compId=IXTH48N65X2.pdf?ci_sign=3fee5355228981f07eb60f0ef37319b01c5dd675 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+682.95 грн
2+510.66 грн
6+482.95 грн
10+463.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB08067F19B8BF&compId=IXTH48N65X2.pdf?ci_sign=3fee5355228981f07eb60f0ef37319b01c5dd675 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+819.53 грн
2+636.36 грн
6+579.54 грн
10+555.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTH48N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+779.43 грн
10+479.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+735.02 грн
30+388.97 грн
120+380.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2 IXTP8N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.73 грн
10+108.38 грн
500+91.97 грн
1000+90.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTP8N65X2M_Datasheet.PDF MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.30 грн
10+163.45 грн
100+133.01 грн
500+128.45 грн
1000+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M IXTQ48N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+842.38 грн
2+565.28 грн
5+534.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M IXTQ48N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1010.86 грн
2+704.43 грн
5+641.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.59 грн
10+114.01 грн
13+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.30 грн
10+142.07 грн
13+87.41 грн
36+82.66 грн
140+80.75 грн
560+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.03 грн
70+111.52 грн
140+107.03 грн
560+94.39 грн
1050+88.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.64 грн
10+222.01 грн
70+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KSM8----N6--5A0 KSM8----N6--5A0 Essentra Components Plastic_Knobs.pdf Description: PUSH PULL KNOB 1.000 IN DIAMETER
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M8
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.410" (10.41mm)
Indicator: No Indicator
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.91 грн
8+44.65 грн
10+41.57 грн
25+35.60 грн
50+33.39 грн
100+31.41 грн
250+28.63 грн
500+27.12 грн
1000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH68N65DM6AG SH68N65DM6AG STMicroelectronics sh68n65dm6ag.pdf Description: MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 379W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
Part Status: Active
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+1205.36 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
SH68N65DM6AG SH68N65DM6AG STMicroelectronics sh68n65dm6ag.pdf MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2095.32 грн
10+1574.17 грн
100+1149.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH68N65DM6AG SH68N65DM6AG STMicroelectronics sh68n65dm6ag.pdf Description: MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 379W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
Part Status: Active
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1937.84 грн
10+1421.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N65EF-GE3 SIHG28N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg28n65ef.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+572.82 грн
10+421.29 грн
100+296.42 грн
500+234.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N65EF-GE3 SIHP28N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp28n65ef.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.24 грн
10+392.45 грн
100+275.90 грн
500+245.50 грн
1000+219.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 STB18N65M5 STMicroelectronics stb18n65m5.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.15 грн
10+182.68 грн
100+117.05 грн
500+98.05 грн
1000+85.89 грн
2000+82.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 STB28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+110.43 грн
2000+105.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 STB28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+333.41 грн
10+217.64 грн
100+133.77 грн
500+123.13 грн
1000+104.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 STB28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 4154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.13 грн
10+196.42 грн
100+138.80 грн
500+119.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5 STMicroelectronics en.DM00049157.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+539.13 грн
10+359.24 грн
100+256.14 грн
500+232.57 грн
1000+197.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 STB38N65M5 STMicroelectronics en.DM00049157.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.23 грн
10+324.21 грн
100+260.89 грн
500+226.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9BF6355426745&compId=STB8N65M5.pdf?ci_sign=1205b4d662bf41041e8c95e9e66fb43f072af979 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+192.69 грн
7+154.38 грн
10+140.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9BF6355426745&compId=STB8N65M5.pdf?ci_sign=1205b4d662bf41041e8c95e9e66fb43f072af979 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+231.23 грн
7+192.39 грн
10+169.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5 STMicroelectronics en.CD00253250.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.12 грн
10+159.69 грн
100+111.81 грн
500+91.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5 STMicroelectronics en.CD00253250.pdf MOSFETs MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.24 грн
10+177.43 грн
100+107.93 грн
500+94.25 грн
1000+79.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 STD18N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E96CF35FC1C745&compId=STD18N65M5.pdf?ci_sign=45ed20e6520e17d0fe944b6749f3580289c84dfb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.12 грн
5+171.01 грн
9+106.09 грн
25+100.55 грн
250+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 STD18N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E96CF35FC1C745&compId=STD18N65M5.pdf?ci_sign=45ed20e6520e17d0fe944b6749f3580289c84dfb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+262.95 грн
5+213.11 грн
9+127.31 грн
25+120.66 грн
250+115.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 STD18N65M5 STMicroelectronics stb18n65m5.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.47 грн
10+173.06 грн
100+106.41 грн
500+91.21 грн
1000+86.65 грн
2500+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 STD18N65M5 STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 5101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.83 грн
10+158.34 грн
100+110.48 грн
500+88.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 STD18N65M5 STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 STD8N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9BF6355426745&compId=STB8N65M5.pdf?ci_sign=1205b4d662bf41041e8c95e9e66fb43f072af979 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.80 грн
5+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 STD8N65M5 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9BF6355426745&compId=STB8N65M5.pdf?ci_sign=1205b4d662bf41041e8c95e9e66fb43f072af979 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.96 грн
5+148.98 грн
25+138.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 STD8N65M5 STMicroelectronics en.CD00253250.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
на замовлення 3769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.10 грн
10+94.21 грн
100+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FA5E6E43C8380D6&compId=diw018n65.pdf?ci_sign=671d25dadfd454a5e33fdb29e26c713f41cdb719
DIW018N65
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+407.55 грн
6+176.55 грн
15+167.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FA5E6E43C8380D6&compId=diw018n65.pdf?ci_sign=671d25dadfd454a5e33fdb29e26c713f41cdb719
DIW018N65
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.06 грн
6+220.01 грн
15+200.46 грн
120+199.51 грн
450+192.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIW018N65 diw018n65.pdf
DIW018N65
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, TO-247-3L, N, 650V, 18A,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 380 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+427.53 грн
30+233.45 грн
120+194.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65F5 Infineon-IKA08N65F5-DS-v02_01-EN.pdf
IKA08N65F5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.92 грн
10+166.07 грн
100+110.21 грн
500+91.97 грн
1000+79.04 грн
2500+75.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65H5 Infineon_IKA08N65H5_DS_v02_01_EN.pdf
IKA08N65H5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.89 грн
10+113.63 грн
100+68.63 грн
500+58.30 грн
1000+48.72 грн
2500+44.92 грн
5000+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKA08N65H5XKSA1 DS_IKA08N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af95976745d19
IKA08N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 10.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/115ns
Switching Energy: 70µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 31.2 W
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.50 грн
50+74.50 грн
100+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1 Infineon-IKD08N65ET6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c3586b20ddb
IKD08N65ET6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.03 грн
10+144.65 грн
100+100.46 грн
500+76.56 грн
1000+70.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65F5 Infineon-IKP08N65F5-DS-v02_01-EN.pdf
IKP08N65F5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.27 грн
10+102.26 грн
100+61.87 грн
500+52.52 грн
1000+43.78 грн
2500+40.43 грн
5000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65F5XKSA1 Infineon-IKP08N65F5-DS-v02_01-EN.pdf
IKP08N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.61 грн
10+76.65 грн
100+59.21 грн
500+54.72 грн
1000+50.09 грн
2500+46.44 грн
5000+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65F5XKSA1 DS_IKP08N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af9bac1de5da9
IKP08N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/116ns
Switching Energy: 70µJ (on), 20µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 70 W
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.17 грн
50+68.63 грн
100+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65H5 Infineon_IKP08N65H5_DS_v02_01_EN.pdf
IKP08N65H5
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.57 грн
10+110.13 грн
100+65.36 грн
500+54.72 грн
1000+48.19 грн
2500+44.61 грн
5000+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65H5XKSA1 Infineon_IKP08N65H5_DS_v02_01_EN.pdf
IKP08N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.57 грн
10+105.76 грн
100+80.56 грн
500+45.98 грн
5000+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP28N65ES5XKSA1 Infineon-IKP28N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf
IKP28N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.51 грн
10+148.59 грн
100+106.41 грн
500+78.28 грн
1000+72.58 грн
5000+71.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C2A64DBB78BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=458a144a1aa17934f6135dda20f6facfdcd683e5
IXFA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+51.46 грн
10+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99097C2A64DBB78BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=458a144a1aa17934f6135dda20f6facfdcd683e5
IXFA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.13 грн
10+58.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP18N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-18n65x2-datasheet?assetguid=caf1a2be-4d45-4d83-bc47-d506e7353176
IXFP18N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+424.24 грн
50+215.79 грн
100+197.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e
IXFP8N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.47 грн
7+149.63 грн
18+141.72 грн
50+137.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e
IXFP8N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.48 грн
3+206.20 грн
7+179.56 грн
18+170.06 грн
50+165.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e
IXFY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C8A341109D278BF&compId=IXF_8N65X2.pdf?ci_sign=15bd6dbb48723c6d5d536ab8f70c99ac64c7710e
IXFY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.11 грн
10+119.55 грн
12+79.96 грн
33+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.54 грн
10+148.98 грн
12+95.96 грн
33+91.21 грн
300+90.26 грн
500+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO263 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.41 грн
10+163.45 грн
500+139.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA8N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.03 грн
50+129.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB08067F19B8BF&compId=IXTH48N65X2.pdf?ci_sign=3fee5355228981f07eb60f0ef37319b01c5dd675
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+682.95 грн
2+510.66 грн
6+482.95 грн
10+463.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995BB08067F19B8BF&compId=IXTH48N65X2.pdf?ci_sign=3fee5355228981f07eb60f0ef37319b01c5dd675
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 48A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+819.53 грн
2+636.36 грн
6+579.54 грн
10+555.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTH48N65X2_Datasheet.PDF
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+779.43 грн
10+479.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH48N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+735.02 грн
30+388.97 грн
120+380.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF
IXTP8N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.73 грн
10+108.38 грн
500+91.97 грн
1000+90.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTP8N65X2M_Datasheet.PDF
IXTP8N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.30 грн
10+163.45 грн
100+133.01 грн
500+128.45 грн
1000+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M
IXTQ48N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+842.38 грн
2+565.28 грн
5+534.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ48N65X2M
IXTQ48N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1010.86 грн
2+704.43 грн
5+641.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.59 грн
10+114.01 грн
13+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA53B40A6BF8BF&compId=IXT_8N65X2.pdf?ci_sign=d8fe73a78fa1d8d397b55fa5baf0e28457656378
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.30 грн
10+142.07 грн
13+87.41 грн
36+82.66 грн
140+80.75 грн
560+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.03 грн
70+111.52 грн
140+107.03 грн
560+94.39 грн
1050+88.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY8N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_8N65X2_Datasheet.PDF
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.64 грн
10+222.01 грн
70+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KSM8----N6--5A0 Plastic_Knobs.pdf
KSM8----N6--5A0
Виробник: Essentra Components
Description: PUSH PULL KNOB 1.000 IN DIAMETER
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M8
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.410" (10.41mm)
Indicator: No Indicator
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.91 грн
8+44.65 грн
10+41.57 грн
25+35.60 грн
50+33.39 грн
100+31.41 грн
250+28.63 грн
500+27.12 грн
1000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH68N65DM6AG sh68n65dm6ag.pdf
SH68N65DM6AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 379W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
Part Status: Active
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+1205.36 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
SH68N65DM6AG sh68n65dm6ag.pdf
SH68N65DM6AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2095.32 грн
10+1574.17 грн
100+1149.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SH68N65DM6AG sh68n65dm6ag.pdf
SH68N65DM6AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 379W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
Part Status: Active
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1937.84 грн
10+1421.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG28N65EF-GE3 sihg28n65ef.pdf
SIHG28N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+572.82 грн
10+421.29 грн
100+296.42 грн
500+234.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N65EF-GE3 sihp28n65ef.pdf
SIHP28N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.24 грн
10+392.45 грн
100+275.90 грн
500+245.50 грн
1000+219.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB18N65M5 stb18n65m5.pdf
STB18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.15 грн
10+182.68 грн
100+117.05 грн
500+98.05 грн
1000+85.89 грн
2000+82.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 en.DM00150353.pdf
STB28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+110.43 грн
2000+105.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 en.DM00150353.pdf
STB28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+333.41 грн
10+217.64 грн
100+133.77 грн
500+123.13 грн
1000+104.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB28N65M2 en.DM00150353.pdf
STB28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 4154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.13 грн
10+196.42 грн
100+138.80 грн
500+119.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 en.DM00049157.pdf
STB38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+539.13 грн
10+359.24 грн
100+256.14 грн
500+232.57 грн
1000+197.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB38N65M5 en.DM00049157.pdf
STB38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.23 грн
10+324.21 грн
100+260.89 грн
500+226.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9BF6355426745&compId=STB8N65M5.pdf?ci_sign=1205b4d662bf41041e8c95e9e66fb43f072af979
STB8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+192.69 грн
7+154.38 грн
10+140.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9BF6355426745&compId=STB8N65M5.pdf?ci_sign=1205b4d662bf41041e8c95e9e66fb43f072af979
STB8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.23 грн
7+192.39 грн
10+169.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 en.CD00253250.pdf
STB8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.12 грн
10+159.69 грн
100+111.81 грн
500+91.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 en.CD00253250.pdf
STB8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.24 грн
10+177.43 грн
100+107.93 грн
500+94.25 грн
1000+79.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E96CF35FC1C745&compId=STD18N65M5.pdf?ci_sign=45ed20e6520e17d0fe944b6749f3580289c84dfb
STD18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.12 грн
5+171.01 грн
9+106.09 грн
25+100.55 грн
250+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E96CF35FC1C745&compId=STD18N65M5.pdf?ci_sign=45ed20e6520e17d0fe944b6749f3580289c84dfb
STD18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.95 грн
5+213.11 грн
9+127.31 грн
25+120.66 грн
250+115.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 stb18n65m5.pdf
STD18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.47 грн
10+173.06 грн
100+106.41 грн
500+91.21 грн
1000+86.65 грн
2500+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 stb18n65m5.pdf
STD18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 5101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.83 грн
10+158.34 грн
100+110.48 грн
500+88.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD18N65M5 stb18n65m5.pdf
STD18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+81.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9BF6355426745&compId=STB8N65M5.pdf?ci_sign=1205b4d662bf41041e8c95e9e66fb43f072af979
STD8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.80 грн
5+119.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9BF6355426745&compId=STB8N65M5.pdf?ci_sign=1205b4d662bf41041e8c95e9e66fb43f072af979
STD8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.96 грн
5+148.98 грн
25+138.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD8N65M5 en.CD00253250.pdf
STD8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
на замовлення 3769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.10 грн
10+94.21 грн
100+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]