Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126524) > Сторінка 2065 з 2109

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 210 420 630 840 1050 1260 1470 1680 1890 2060 2061 2062 2063 2064 2065 2066 2067 2068 2069 2070 2100 2109  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPA60R160C6XKSA1 IPA60R160C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R160C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R160P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R165CPXKSA1 IPA60R165CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R165CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R190P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.38 грн
10+108.19 грн
50+102.32 грн
100+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+272.75 грн
3+238.18 грн
10+197.08 грн
30+172.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+338.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4142N ITS4142N INFINEON TECHNOLOGIES ITS4142N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 12...45V DC
Output current: 0.7A
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 1.4W
Operating temperature: -30...85°C
Technology: Industrial PROFET
Turn-on time: 150µs
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Turn-off time: 0.1ms
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+214.95 грн
10+130.83 грн
25+119.09 грн
100+102.32 грн
250+91.41 грн
500+83.03 грн
1000+79.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4130QEPDXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS4130QEPD.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.25A; Ch: 4; N-Channel; SMD; reel,tape
Case: PG-TSDSO-14
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 75µs
Turn-on time: 75µs
On-state resistance: 0.13Ω
Output current: 1.25A
Power dissipation: 1.8W
Number of channels: 4
Supply voltage: 5...45V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04NG-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 1.1mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E6327HTSA1 BB640E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BB640E-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 2.8...76pF
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.00 грн
30+14.09 грн
100+8.81 грн
500+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6327XTSA1 BFP420H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP420.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT343
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Frequency: 25GHz
Technology: SIEGET™
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4674 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
29+14.76 грн
100+14.09 грн
250+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT007N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 216nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650H6327 BFP650H6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP650H6327-DTE.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Technology: SiGe:C
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOT343
Frequency: 42GHz
Collector current: 0.15A
Collector-emitter voltage: 13V
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.58 грн
13+33.88 грн
25+29.77 грн
100+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650FH6327 BFP650FH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP650FH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; TSFP-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Technology: SiGe:C
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Case: TSFP-4
Frequency: 42GHz
Collector current: 0.15A
Collector-emitter voltage: 13V
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.68 грн
22+19.29 грн
25+18.37 грн
100+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD100N16S DD100N16S INFINEON TECHNOLOGIES DD100N16S.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 130A; BG-SB20-1; screw
Max. forward impulse current: 2.5kA
Max. forward voltage: 1.6V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Semiconductor structure: double series
Case: BG-SB20-1
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2686.00 грн
3+2184.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 1.05kW
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Topology: IGBT half-bridge
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+10664.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1 FF200R17KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R17KE4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.25kW
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+14892.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327 BSP171PL6327 INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PL6327-Infineon.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHMC10 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR141E6327 BCR141E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR141.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT23; R1: 22kΩ
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 22kΩ
Case: SOT23
Frequency: 130MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1 IGCM04G60HAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGCM04G60HA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; ClPOS™ Mini,TRENCHSTOP™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -4...4A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 21.8W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+690.92 грн
3+582.02 грн
5+544.28 грн
10+489.77 грн
14+463.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT400N26KOF TT400N26KOF INFINEON TECHNOLOGIES TT400N26KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.6kV; 400A; BG-PB60-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.6kV
Load current: 400A
Case: BG-PB60-1
Max. forward voltage: 1.88V
Max. forward impulse current: 13kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256TDPBHI113 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FS256T_256Mb_SEMPER_Nano_Flash_Quad_SPI_1-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180740c5a46707a&da=t Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; QPI,Quad I/O,SPI; FBGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Case: FBGA24
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Interface: QPI; Quad I/O; SPI
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+420.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+149.02 грн
10+102.32 грн
100+68.77 грн
250+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010ZSTRL AUIRF1010ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1010z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 94A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 IDH20G120C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH20G120C5-DTE.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; PG-TO220-2; 330W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward impulse current: 0.168kA
Leakage current: 8.5µA
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Power dissipation: 330W
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+509.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH20G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 108W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 6G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 79A
Leakage current: 153µA
Power dissipation: 108W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C5 IDH20G65C5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 157W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward impulse current: 119A
Leakage current: 4.1µA
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 157W
Heatsink thickness: 1.17...137mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlhs6242pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; 1.98W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
Power dissipation: 1.98W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ600N12K DZ600N12K INFINEON TECHNOLOGIES DZ600N18K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.2kV; If: 600A; BG-PB501-1; Ifsm: 22kA
Case: BG-PB501-1
Semiconductor structure: single diode
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.75V
Max. load current: 600A
Load current: 600A
Max. forward impulse current: 22kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+24956.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60BE6327HTSA1 BAT60BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT60BE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 3A; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.29 грн
26+16.61 грн
50+12.24 грн
100+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGSL4062D1 AUIRGSL4062D1 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRGx4062D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 72A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 176ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 123W
Gate charge: 77nC
Technology: Trench
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+234.82 грн
3+203.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRGSL4062DPBF IRGSL4062DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irgs4062dpbf.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Collector current: 48A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42712GATMA1 TLE42712GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE4271-2G.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.55A; TO263-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.35V
Output voltage: 5V
Output current: 0.55A
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Number of channels: 1
Input voltage: 6...40V
на замовлення 819 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.99 грн
10+135.86 грн
25+124.96 грн
50+124.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.83 грн
11+39.50 грн
50+30.11 грн
100+27.00 грн
200+24.32 грн
500+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5303WE6327HTSA1 BBY5303WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BBY53SERIES-DS-v01_01-en.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 6V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape; Ir: 200nA
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 6V
Load current: 20mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Case: SOD323
Capacitance: 1.85...5.8pF
Type of diode: varicap
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.39 грн
23+18.79 грн
25+17.44 грн
100+14.93 грн
500+12.16 грн
650+11.82 грн
1000+11.32 грн
1300+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB535E7904HTSA1 BB535E7904HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BB535-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape; 2÷20pF
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 2...20pF
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5502VH6327XTSA1 BBY5502VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BBY55_SER.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 16V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape; Ir: 100nA
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 5.5...19.6pF
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 16V
Leakage current: 0.1µA
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.68 грн
23+18.37 грн
100+17.19 грн
500+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD340N20SHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DD340N20S.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2kV; If: 330A; BG-PB50SB-1; Ifsm: 10kA
Case: BG-PB50SB-1
Max. forward impulse current: 10kA
Max. forward voltage: 1.31V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 330A
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD340N22SHPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DD340N22S.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 330A; BG-PB50SB-1; screw
Max. forward voltage: 1.31V
Case: BG-PB50SB-1
Mechanical mounting: screw
Load current: 330A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 10kA
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC030N04NSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.74 грн
13+32.62 грн
25+29.35 грн
100+23.82 грн
500+19.04 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD025N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 2.5mΩ
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.67 грн
5+123.28 грн
50+119.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.38 грн
10+71.29 грн
15+65.41 грн
25+58.71 грн
50+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD15P10PLGBTMA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+154.44 грн
10+101.48 грн
25+86.38 грн
100+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N06L3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+217.66 грн
5+159.34 грн
10+140.05 грн
50+105.67 грн
100+99.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD031N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 79A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.58 грн
10+42.44 грн
11+39.84 грн
25+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD090N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.12 грн
10+43.95 грн
50+31.53 грн
100+27.51 грн
500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD12CN10NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.73 грн
10+92.25 грн
20+82.19 грн
50+70.45 грн
100+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 30W
Gate charge: 9nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.87 грн
10+47.72 грн
50+33.80 грн
100+29.27 грн
500+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD075N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.03 грн
14+31.03 грн
15+28.01 грн
25+24.07 грн
50+21.64 грн
100+19.96 грн
500+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD135N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 21A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
на замовлення 658 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.96 грн
13+34.22 грн
50+26.75 грн
100+24.57 грн
500+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF IRFS4410ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 390A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5XKSA1 IDW40G65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDW40G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4c399d32237 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 153A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 8.2µA
Case: PG-TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5BXKSA2 IDW40G65C5BXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IDW40G65C5B.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 87A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 4.1µA
Case: PG-TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U50N16W1RBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DDB6U50N16W1R.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 50A
Case: AG-EASY1B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
Technology: TRENCHSTOP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U134N16RRBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DDB6U134N16RR.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 70A
Case: AG-ECONO2B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 500W
Technology: EconoBRIDGE™
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U104N16RRBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DDB6U104N16RR.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 350W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 50A
Case: AG-ECONO2B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 350W
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoBRIDGE™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRPB11BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_cn.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3f12e4330c Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 2
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160C6XKSA1 IPA60R160C6-DTE.pdf
IPA60R160C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R160P6XKSA1 IPA60R160P6-DTE.pdf
IPA60R160P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R165CPXKSA1 IPA60R165CP-DTE.pdf
IPA60R165CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6-DTE.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+136.38 грн
10+108.19 грн
50+102.32 грн
100+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6-DTE.pdf
IPW60R190C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+272.75 грн
3+238.18 грн
10+197.08 грн
30+172.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6-DTE.pdf
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+338.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6-DTE.pdf
IPW60R190E6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4142N ITS4142N.pdf
ITS4142N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 12...45V DC
Output current: 0.7A
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 1.4W
Operating temperature: -30...85°C
Technology: Industrial PROFET
Turn-on time: 150µs
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Turn-off time: 0.1ms
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+214.95 грн
10+130.83 грн
25+119.09 грн
100+102.32 грн
250+91.41 грн
500+83.03 грн
1000+79.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4130QEPDXUMA1 ITS4130QEPD.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.25A; Ch: 4; N-Channel; SMD; reel,tape
Case: PG-TSDSO-14
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: Industrial PROFET
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 75µs
Turn-on time: 75µs
On-state resistance: 0.13Ω
Output current: 1.25A
Power dissipation: 1.8W
Number of channels: 4
Supply voltage: 5...45V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NG-dte.pdf
IPB011N04NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LG-DTE.pdf
IPB011N04LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 1.1mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E6327HTSA1 BB640E-DTE.pdf
BB640E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 2.8...76pF
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.00 грн
30+14.09 грн
100+8.81 грн
500+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6327XTSA1 BFP420.pdf
BFP420H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT343
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Frequency: 25GHz
Technology: SIEGET™
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4674 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.26 грн
29+14.76 грн
100+14.09 грн
250+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT007N06NATMA1 IPT007N06N-DTE.pdf
IPT007N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 216nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650H6327 BFP650H6327-DTE.pdf
BFP650H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Technology: SiGe:C
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOT343
Frequency: 42GHz
Collector current: 0.15A
Collector-emitter voltage: 13V
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.58 грн
13+33.88 грн
25+29.77 грн
100+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650FH6327 BFP650FH6327-dte.pdf
BFP650FH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; TSFP-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Technology: SiGe:C
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Case: TSFP-4
Frequency: 42GHz
Collector current: 0.15A
Collector-emitter voltage: 13V
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.68 грн
22+19.29 грн
25+18.37 грн
100+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD100N16S DD100N16S.pdf
DD100N16S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 1.6kV; If: 130A; BG-SB20-1; screw
Max. forward impulse current: 2.5kA
Max. forward voltage: 1.6V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.6kV
Electrical mounting: screw
Load current: 130A
Semiconductor structure: double series
Case: BG-SB20-1
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2686.00 грн
3+2184.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3.pdf
FF200R12KE3HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 1.05kW
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 400A
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Topology: IGBT half-bridge
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10664.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1 FF200R17KE4.pdf
FF200R17KE4HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.25kW
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+14892.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327 BSP171PL6327-Infineon.pdf
BSP171PL6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGBHMC10
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 512Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR141E6327 BCR141.pdf
BCR141E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT23; R1: 22kΩ
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 22kΩ
Case: SOT23
Frequency: 130MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1 IGCM04G60HA.pdf
IGCM04G60HAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; ClPOS™ Mini,TRENCHSTOP™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -4...4A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 21.8W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+690.92 грн
3+582.02 грн
5+544.28 грн
10+489.77 грн
14+463.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT400N26KOF TT400N26KOF.pdf
TT400N26KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.6kV; 400A; BG-PB60-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.6kV
Load current: 400A
Case: BG-PB60-1
Max. forward voltage: 1.88V
Max. forward impulse current: 13kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256TDPBHI113 Infineon-S25FS256T_256Mb_SEMPER_Nano_Flash_Quad_SPI_1-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180740c5a46707a&da=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; QPI,Quad I/O,SPI; FBGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Case: FBGA24
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: NOR
Interface: QPI; Quad I/O; SPI
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+420.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF irf1010nspbf.pdf
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+149.02 грн
10+102.32 грн
100+68.77 грн
250+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010ZSTRL auirf1010z.pdf
AUIRF1010ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 94A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G120C5XKSA1 IDH20G120C5-DTE.pdf
IDH20G120C5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; PG-TO220-2; 330W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward impulse current: 0.168kA
Leakage current: 8.5µA
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Power dissipation: 330W
на замовлення 486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+509.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6.pdf
IDH20G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 108W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 6G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 79A
Leakage current: 153µA
Power dissipation: 108W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C5
IDH20G65C5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 157W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward impulse current: 119A
Leakage current: 4.1µA
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 157W
Heatsink thickness: 1.17...137mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6242TRPBF irlhs6242pbf.pdf
IRLHS6242TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; 1.98W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
Power dissipation: 1.98W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DZ600N12K DZ600N18K.pdf
DZ600N12K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.2kV; If: 600A; BG-PB501-1; Ifsm: 22kA
Case: BG-PB501-1
Semiconductor structure: single diode
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward voltage: 0.75V
Max. load current: 600A
Load current: 600A
Max. forward impulse current: 22kA
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+24956.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60BE6327HTSA1 BAT60BE6327HTSA1.pdf
BAT60BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 3A; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.29 грн
26+16.61 грн
50+12.24 грн
100+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGSL4062D1 AUIRGx4062D1.pdf
AUIRGSL4062D1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 72A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 176ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 123W
Gate charge: 77nC
Technology: Trench
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.82 грн
3+203.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRGSL4062DPBF irgs4062dpbf.pdf
IRGSL4062DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Type of transistor: IGBT
Collector current: 48A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42712GATMA1 TLE4271-2G.pdf
TLE42712GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.55A; TO263-7; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.35V
Output voltage: 5V
Output current: 0.55A
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Number of channels: 1
Input voltage: 6...40V
на замовлення 819 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+195.99 грн
10+135.86 грн
25+124.96 грн
50+124.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF irfl4105pbf.pdf
IRFL4105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+66.83 грн
11+39.50 грн
50+30.11 грн
100+27.00 грн
200+24.32 грн
500+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5303WE6327HTSA1 Infineon-BBY53SERIES-DS-v01_01-en.pdf
BBY5303WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 6V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape; Ir: 200nA
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 6V
Load current: 20mA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Case: SOD323
Capacitance: 1.85...5.8pF
Type of diode: varicap
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.39 грн
23+18.79 грн
25+17.44 грн
100+14.93 грн
500+12.16 грн
650+11.82 грн
1000+11.32 грн
1300+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB535E7904HTSA1 BB535-DTE.pdf
BB535E7904HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape; 2÷20pF
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 2...20pF
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5502VH6327XTSA1 BBY55_SER.pdf
BBY5502VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 16V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape; Ir: 100nA
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 5.5...19.6pF
Features of semiconductor devices: RF
Max. off-state voltage: 16V
Leakage current: 0.1µA
на замовлення 1883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.68 грн
23+18.37 грн
100+17.19 грн
500+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD340N20SHPSA1 DD340N20S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2kV; If: 330A; BG-PB50SB-1; Ifsm: 10kA
Case: BG-PB50SB-1
Max. forward impulse current: 10kA
Max. forward voltage: 1.31V
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 330A
Semiconductor structure: double series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD340N22SHPSA1 DD340N22S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double series; 2.2kV; If: 330A; BG-PB50SB-1; screw
Max. forward voltage: 1.31V
Case: BG-PB50SB-1
Mechanical mounting: screw
Load current: 330A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward impulse current: 10kA
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: double series
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N04NSGATMA1 BSC030N04NSG-DTE.pdf
BSC030N04NSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.74 грн
13+32.62 грн
25+29.35 грн
100+23.82 грн
500+19.04 грн
1000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06N-DTE.pdf
IPD025N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 2.5mΩ
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+161.67 грн
5+123.28 грн
50+119.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGBTMA1-DTE.PDF
SPD18P06PGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.6A; 80W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18.6A
Power dissipation: 80W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.38 грн
10+71.29 грн
15+65.41 грн
25+58.71 грн
50+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1-DTE.pdf
SPD15P10PLGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.44 грн
10+101.48 грн
25+86.38 грн
100+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3G-DTE.pdf
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+217.66 грн
5+159.34 грн
10+140.05 грн
50+105.67 грн
100+99.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LG-DTE.pdf
IPD031N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 79A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.58 грн
10+42.44 грн
11+39.84 грн
25+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LG-DTE.pdf
IPD090N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+64.12 грн
10+43.95 грн
50+31.53 грн
100+27.51 грн
500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NG-DTE.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+115.73 грн
10+92.25 грн
20+82.19 грн
50+70.45 грн
100+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c
IPD60R600P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 30W
Gate charge: 9nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.87 грн
10+47.72 грн
50+33.80 грн
100+29.27 грн
500+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LG-DTE.pdf
IPD075N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.03 грн
14+31.03 грн
15+28.01 грн
25+24.07 грн
50+21.64 грн
100+19.96 грн
500+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LG-DTE.pdf
IPD135N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 21A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
на замовлення 658 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+46.96 грн
13+34.22 грн
50+26.75 грн
100+24.57 грн
500+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a
IRFS4410ZTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 390A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 69A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5XKSA1 IDW40G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4c399d32237
IDW40G65C5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 40A; PG-TO247-3; 112W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 153A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 40A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 8.2µA
Case: PG-TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW40G65C5BXKSA2 IDW40G65C5B.pdf
IDW40G65C5BXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 87A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 4.1µA
Case: PG-TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U50N16W1RBPSA1 DDB6U50N16W1R.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 50A
Case: AG-EASY1B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mechanical mounting: screw
Technology: TRENCHSTOP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U134N16RRBPSA1 DDB6U134N16RR.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 500W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 70A
Case: AG-ECONO2B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 500W
Technology: EconoBRIDGE™
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U104N16RRBPSA1 DDB6U104N16RR.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV; 350W
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Collector current: 50A
Case: AG-ECONO2B
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 350W
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoBRIDGE™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDB6HK180N16RRPB11BPSA1 Infineon-TDB6HK180N16RR-DS-v02_00-en_cn.pdf?fileId=db3a304340f610c201410c3f12e4330c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; EconoPACK™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 2
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 210 420 630 840 1050 1260 1470 1680 1890 2060 2061 2062 2063 2064 2065 2066 2067 2068 2069 2070 2100 2109  [ Наступна Сторінка >> ]