Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128863) > Сторінка 2065 з 2148

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP4332PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4332datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+307.35 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6393HTSA1 Infineon Technologies bas16series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141b93811b03ff BAS16E6393HTSA1
на замовлення 480000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11321+3.14 грн
100000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 11321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40E6433HTMA1 BAS40E6433HTMA1 Infineon Technologies bas40_bas140series.pdf Diode Schottky Si 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6433HTMA1 BAS4005E6433HTMA1 Infineon Technologies bas40_bas140series.pdf Diode Schottky Si 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5650+6.30 грн
10000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 5650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSPBF IR2214SSPBF Infineon Technologies infineonir2x14ssdatasheetv0101en.pdf Driver 1.2KV 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 24-Pin SSOP Tube
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+628.67 грн
30+484.65 грн
34+428.73 грн
100+393.30 грн
250+336.69 грн
500+322.58 грн
1000+317.69 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSPBF IR2214SSPBF Infineon Technologies infineonir2x14ssdatasheetv0101en.pdf Driver 1.2KV 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 24-Pin SSOP Tube
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+487.65 грн
100+462.74 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSPBF IR2214SSPBF Infineon Technologies infineonir2x14ssdatasheetv0101en.pdf Driver 1.2KV 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 24-Pin SSOP Tube
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2200+363.83 грн
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSTRPBF IR2214SSTRPBF Infineon Technologies infineonir2x14ssdatasheetv0101en.pdf Driver 1.2KV 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 24-Pin SSOP T/R
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+638.89 грн
29+502.38 грн
31+461.66 грн
100+407.14 грн
250+325.18 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSTRPBF IR2214SSTRPBF Infineon Technologies infineonir2x14ssdatasheetv0101en.pdf Driver 1.2KV 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 24-Pin SSOP T/R
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+638.89 грн
10+502.38 грн
25+461.66 грн
100+407.14 грн
250+325.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED1322S12MXUMA1 2ED1322S12MXUMA1 Infineon Technologies infineon2ed1321s12m2ed1322s12mdatasheetv0103en.pdf Driver 4.6A 2-OUT High Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin DSO T/R
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+127.10 грн
114+125.10 грн
116+123.11 грн
118+116.79 грн
250+106.36 грн
500+100.40 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED1322S12MXUMA1 2ED1322S12MXUMA1 Infineon Technologies infineon2ed1321s12m2ed1322s12mdatasheetv0103en.pdf Driver 4.6A 2-OUT High Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin DSO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED1322S12MXUMA1 2ED1322S12MXUMA1 Infineon Technologies infineon2ed1321s12m2ed1322s12mdatasheetv0103en.pdf Driver 4.6A 2-OUT High Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin DSO T/R
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.10 грн
10+125.10 грн
25+123.11 грн
100+116.79 грн
250+106.36 грн
500+100.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB20N60H3-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.98 грн
10+110.59 грн
13+78.40 грн
34+74.28 грн
500+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+206.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+227.52 грн
3+137.82 грн
8+130.39 грн
10+127.09 грн
20+123.79 грн
30+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N60H3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1 IKB20N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+193.75 грн
8+129.57 грн
21+122.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+433.72 грн
4+374.68 грн
5+212.92 грн
13+201.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60C3 SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+373.28 грн
5+221.18 грн
12+209.62 грн
50+207.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPA20N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 676 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+294.18 грн
5+198.89 грн
14+188.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5 SPB20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPB20N60S5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 10078 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.57 грн
19+21.87 грн
23+18.32 грн
50+14.77 грн
100+12.38 грн
141+6.68 грн
386+6.35 грн
6000+6.27 грн
9000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1602VH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+444.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
45+10.04 грн
59+7.00 грн
100+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6327HTSA1 BAS16E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS1603WE6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.44 грн
122+3.40 грн
136+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.70 грн
10+42.34 грн
35+27.56 грн
94+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz48nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7545PBF IRFB7545PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb7545pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.03 грн
10+50.75 грн
34+28.22 грн
92+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml5203pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z34n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.15 грн
10+54.14 грн
25+47.95 грн
37+26.08 грн
100+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104PBF IR2104PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 776 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+247.08 грн
7+137.00 грн
19+129.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF IR2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2104.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+225.75 грн
5+178.26 грн
8+123.79 грн
21+117.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF IR2104STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+232.86 грн
7+140.30 грн
19+132.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW50N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+238.51 грн
10+222.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
на замовлення 732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+287.96 грн
8+129.57 грн
21+122.14 грн
150+119.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Gate charge: 315nC
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+466.60 грн
2+368.08 грн
10+266.57 грн
30+226.95 грн
60+215.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60T-dte.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+468.38 грн
4+288.02 грн
10+272.34 грн
60+266.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Gate charge: 310nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Gate charge: 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60ET.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Gate charge: 290nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N06S4L12.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.88 грн
9+50.84 грн
21+45.56 грн
57+43.08 грн
100+41.59 грн
500+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD350N06LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+148.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+19.19 грн
50+11.42 грн
100+9.92 грн
250+8.34 грн
293+3.22 грн
805+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44Npbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+106.39 грн
10+59.26 грн
25+51.83 грн
44+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW60N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+447.05 грн
3+363.12 грн
8+343.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW60N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate charge: 375nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW60N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 189ns
Gate charge: 0.21µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Gate charge: 290nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+148.16 грн
10+83.19 грн
26+36.31 грн
72+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBF IRL540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.18 грн
10+79.64 грн
25+65.36 грн
28+33.84 грн
77+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4668pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBFXKMA1 infineonirfp4332datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+307.35 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6393HTSA1 bas16series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141b93811b03ff
Виробник: Infineon Technologies
BAS16E6393HTSA1
на замовлення 480000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11321+3.14 грн
100000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 11321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40E6433HTMA1 bas40_bas140series.pdf
BAS40E6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky Si 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6433HTMA1 bas40_bas140series.pdf
BAS4005E6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky Si 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5650+6.30 грн
10000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 5650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSPBF infineonir2x14ssdatasheetv0101en.pdf
IR2214SSPBF
Виробник: Infineon Technologies
Driver 1.2KV 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 24-Pin SSOP Tube
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+628.67 грн
30+484.65 грн
34+428.73 грн
100+393.30 грн
250+336.69 грн
500+322.58 грн
1000+317.69 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSPBF infineonir2x14ssdatasheetv0101en.pdf
IR2214SSPBF
Виробник: Infineon Technologies
Driver 1.2KV 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 24-Pin SSOP Tube
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+487.65 грн
100+462.74 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSPBF infineonir2x14ssdatasheetv0101en.pdf
IR2214SSPBF
Виробник: Infineon Technologies
Driver 1.2KV 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 24-Pin SSOP Tube
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2200+363.83 грн
Мінімальне замовлення: 2200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSTRPBF infineonir2x14ssdatasheetv0101en.pdf
IR2214SSTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Driver 1.2KV 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 24-Pin SSOP T/R
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+638.89 грн
29+502.38 грн
31+461.66 грн
100+407.14 грн
250+325.18 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSTRPBF infineonir2x14ssdatasheetv0101en.pdf
IR2214SSTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Driver 1.2KV 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 24-Pin SSOP T/R
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+638.89 грн
10+502.38 грн
25+461.66 грн
100+407.14 грн
250+325.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED1322S12MXUMA1 infineon2ed1321s12m2ed1322s12mdatasheetv0103en.pdf
2ED1322S12MXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Driver 4.6A 2-OUT High Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin DSO T/R
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
113+127.10 грн
114+125.10 грн
116+123.11 грн
118+116.79 грн
250+106.36 грн
500+100.40 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED1322S12MXUMA1 infineon2ed1321s12m2ed1322s12mdatasheetv0103en.pdf
2ED1322S12MXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Driver 4.6A 2-OUT High Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin DSO T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2ED1322S12MXUMA1 infineon2ed1321s12m2ed1322s12mdatasheetv0103en.pdf
2ED1322S12MXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Driver 4.6A 2-OUT High Side Half Brdg Non-Inv 16-Pin DSO T/R
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+127.10 грн
10+125.10 грн
25+123.11 грн
100+116.79 грн
250+106.36 грн
500+100.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3-DTE.pdf
IGB20N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 979 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.98 грн
10+110.59 грн
13+78.40 грн
34+74.28 грн
500+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3-DTE.pdf
IGP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+206.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+227.52 грн
3+137.82 грн
8+130.39 грн
10+127.09 грн
20+123.79 грн
30+120.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3.pdf
IKB20N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1 IKB20N60T.pdf
IKB20N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+193.75 грн
8+129.57 грн
21+122.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+433.72 грн
4+374.68 грн
5+212.92 грн
13+201.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60T.pdf
IKW20N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPA20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+373.28 грн
5+221.18 грн
12+209.62 грн
50+207.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFD.pdf
SPA20N60CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 676 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.18 грн
5+198.89 грн
14+188.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5 SPB20N60S5.pdf
SPB20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF irlml0030pbf.pdf
IRLML0030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 10078 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.57 грн
19+21.87 грн
23+18.32 грн
50+14.77 грн
100+12.38 грн
141+6.68 грн
386+6.35 грн
6000+6.27 грн
9000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1.pdf
BAS1602VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+444.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1.pdf
BAS1603WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+10.04 грн
59+7.00 грн
100+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1.pdf
BAS16E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+4.44 грн
122+3.40 грн
136+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF irfz48n.pdf
IRFZ48NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.70 грн
10+42.34 грн
35+27.56 грн
94+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF irfz48nspbf.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7545PBF irfb7545pbf.pdf
IRFB7545PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.03 грн
10+50.75 грн
34+28.22 грн
92+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF irlml5203pbf.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description irf9z34n.pdf
IRF9Z34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.15 грн
10+54.14 грн
25+47.95 грн
37+26.08 грн
100+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104PBF description IR2104PBF.pdf
IR2104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 776 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.08 грн
7+137.00 грн
19+129.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF description ir2104.pdf
IR2104SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+225.75 грн
5+178.26 грн
8+123.79 грн
21+117.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF description IR2104PBF.pdf
IR2104STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60T-DTE.pdf
IGB50N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3-DTE.pdf
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.86 грн
7+140.30 грн
19+132.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60T-DTE.pdf
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 64A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 150A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+238.51 грн
10+222.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
на замовлення 732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.96 грн
8+129.57 грн
21+122.14 грн
150+119.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Gate charge: 315nC
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+466.60 грн
2+368.08 грн
10+266.57 грн
30+226.95 грн
60+215.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T-dte.pdf
IKW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+468.38 грн
4+288.02 грн
10+272.34 грн
60+266.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CT.pdf
AIKW50N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Gate charge: 310nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3E.pdf
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Gate charge: 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ET.pdf
IKFW50N60ETXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Gate charge: 290nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Technology: OptiMOS® -T2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12.pdf
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+80.88 грн
9+50.84 грн
21+45.56 грн
57+43.08 грн
100+41.59 грн
500+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LG-DTE.pdf
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 116A
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS84PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+19.19 грн
50+11.42 грн
100+9.92 грн
250+8.34 грн
293+3.22 грн
805+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44Npbf.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+106.39 грн
10+59.26 грн
25+51.83 грн
44+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF irfz44nspbf.pdf
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3-DTE.pdf
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+447.05 грн
3+363.12 грн
8+343.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3.pdf
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate charge: 375nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3E.pdf
IKFW60N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 189ns
Gate charge: 0.21µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Gate charge: 290nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640n.pdf
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2608 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.16 грн
10+83.19 грн
26+36.31 грн
72+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBF irl540n.pdf
IRL540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+119.18 грн
10+79.64 грн
25+65.36 грн
28+33.84 грн
77+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBF irfp4668pbf.pdf
IRFP4668PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.