Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128863) > Сторінка 2066 з 2148

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SPD04N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 SPP24N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP24N60C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBF IRF3710LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 577 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.22 грн
10+78.65 грн
24+40.52 грн
65+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+208.86 грн
10+132.87 грн
20+48.69 грн
54+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBF IRF3710STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.49 грн
10+94.58 грн
20+48.77 грн
54+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf3710z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.42 грн
5+128.74 грн
10+108.11 грн
25+87.48 грн
50+76.75 грн
100+70.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.97 грн
10+108.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+277.29 грн
5+157.63 грн
10+145.25 грн
11+88.31 грн
30+83.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+295.07 грн
10+180.74 грн
11+93.26 грн
28+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+376.84 грн
10+209.62 грн
25+190.64 грн
50+176.61 грн
100+162.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+197.31 грн
10+97.38 грн
13+72.62 грн
36+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF IRF1407STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 520A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Manufacturer series: T6
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 42.5A
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.76 грн
10+97.38 грн
50+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB15N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 38nC
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 18A
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 401 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.30 грн
3+191.47 грн
7+151.85 грн
18+143.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 SPP20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 412 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+271.96 грн
8+118.02 грн
22+111.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.39 грн
16+27.48 грн
50+18.40 грн
100+15.60 грн
114+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327 BC850CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.67 грн
59+7.10 грн
100+4.68 грн
250+3.99 грн
500+3.55 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF IR2113SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2113SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+330.62 грн
10+250.06 грн
15+244.28 грн
25+233.55 грн
45+172.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2113STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 811 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.53 грн
5+137.00 грн
10+126.27 грн
25+114.71 грн
50+108.11 грн
100+101.51 грн
250+99.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.94 грн
10+89.87 грн
29+33.59 грн
78+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+250.63 грн
5+118.02 грн
10+112.24 грн
50+94.91 грн
100+87.48 грн
500+65.20 грн
800+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.88 грн
10+41.92 грн
25+35.24 грн
50+31.03 грн
100+27.48 грн
250+23.36 грн
500+20.80 грн
1000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+145.76 грн
10+84.01 грн
20+59.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-042 CY8CKIT-042 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CKIT-042_PSoC_4_Pioneer_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eeec6a57e1e&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; evaluation board; Arduino
Type of development kit: Cypress
Connection: USB B mini
Kind of module: evaluation board
Application - series/manufacturer: Arduino
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS03G ICE2QS03G INFINEON TECHNOLOGIES ICE2QS03G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; 0÷50%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 500V
Duty cycle factor: 0...50%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.31 грн
10+94.08 грн
16+61.07 грн
43+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.87 грн
10+56.78 грн
50+47.21 грн
100+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010ez.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.55 грн
10+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP452 BSP452 INFINEON TECHNOLOGIES BSP452.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+242.63 грн
10+150.20 грн
100+118.02 грн
250+106.46 грн
500+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DPBF IRS2153DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Output current: -260...180mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSPBF IRS2153DSPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Output current: -260...180mA
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.64 грн
5+130.39 грн
10+114.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.65 грн
5+99.86 грн
10+86.65 грн
25+38.62 грн
68+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+140.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+244.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.09 грн
10+99.86 грн
17+57.77 грн
45+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.75 грн
10+127.92 грн
15+66.02 грн
40+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF IRF1404STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.98 грн
10+90.78 грн
19+51.17 грн
51+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF1404ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+215.08 грн
5+149.38 грн
10+128.74 грн
12+80.88 грн
33+75.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL AUIRF1404STRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1404s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1404z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.10 грн
10+41.84 грн
25+39.28 грн
40+23.77 грн
110+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.09 грн
10+55.38 грн
20+52.08 грн
40+23.69 грн
110+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.08 грн
25+137.00 грн
50+107.29 грн
100+105.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 21A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 169ns
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.31 грн
50+69.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 48nC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+205.30 грн
10+118.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60CFD SPP20N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 SPP20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+354.62 грн
3+298.75 грн
6+187.34 грн
14+177.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3 SPP20N65C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx20N65C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 13.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Polarisation: unipolar
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+439.94 грн
3+368.08 грн
10+325.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7576 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.16 грн
10+76.17 грн
25+61.24 грн
29+33.18 грн
79+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.20 грн
10+88.31 грн
21+45.39 грн
58+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRRPBF IRF3205STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 440A
на замовлення 707 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+198.19 грн
10+119.67 грн
19+49.52 грн
52+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.5A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 description SPP24N60C3.pdf
SPP24N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Case: TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF irf3710.pdf
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 577 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.22 грн
10+78.65 грн
24+40.52 грн
65+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+208.86 грн
10+132.87 грн
20+48.69 грн
54+46.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+141.49 грн
10+94.58 грн
20+48.77 грн
54+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL auirf3710z.pdf
AUIRF3710ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF irfp250mpbf.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 742 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+204.42 грн
5+128.74 грн
10+108.11 грн
25+87.48 грн
50+76.75 грн
100+70.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description irfp250n.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+191.97 грн
10+108.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF irfp260mpbf.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+277.29 грн
5+157.63 грн
10+145.25 грн
11+88.31 грн
30+83.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF irfp260n.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+295.07 грн
10+180.74 грн
11+93.26 грн
28+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF irfp2907.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+376.84 грн
10+209.62 грн
25+190.64 грн
50+176.61 грн
100+162.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description irf1407pbf.pdf
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+197.31 грн
10+97.38 грн
13+72.62 грн
36+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf
IRF1407STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 520A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6.pdf
IKA10N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Manufacturer series: T6
Collector-emitter voltage: 650V
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 42.5A
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+113.76 грн
10+97.38 грн
50+93.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5.pdf
IGB15N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 23A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 38nC
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5.pdf
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 18A
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 SPW20N60C3.pdf
SPW20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 401 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.30 грн
3+191.47 грн
7+151.85 грн
18+143.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPP20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 412 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.96 грн
8+118.02 грн
22+111.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1.pdf
BSS169H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.39 грн
16+27.48 грн
50+18.40 грн
100+15.60 грн
114+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327
BC850CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.67 грн
59+7.10 грн
100+4.68 грн
250+3.99 грн
500+3.55 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF description IR2113SPBF.pdf
IR2113SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+330.62 грн
10+250.06 грн
15+244.28 грн
25+233.55 грн
45+172.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF.pdf
IR2113STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 811 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+171.53 грн
5+137.00 грн
10+126.27 грн
25+114.71 грн
50+108.11 грн
100+101.51 грн
250+99.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF irf5305.pdf
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 417 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+113.94 грн
10+89.87 грн
29+33.59 грн
78+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+250.63 грн
5+118.02 грн
10+112.24 грн
50+94.91 грн
100+87.48 грн
500+65.20 грн
800+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF irf530n.pdf
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+80.88 грн
10+41.92 грн
25+35.24 грн
50+31.03 грн
100+27.48 грн
250+23.36 грн
500+20.80 грн
1000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+145.76 грн
10+84.01 грн
20+59.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT-042 Infineon-CY8CKIT-042_PSoC_4_Pioneer_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eeec6a57e1e&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8CKIT-042
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: Cypress; evaluation board; Arduino
Type of development kit: Cypress
Connection: USB B mini
Kind of module: evaluation board
Application - series/manufacturer: Arduino
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS03G ICE2QS03G.pdf
ICE2QS03G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; 0÷50%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 500V
Duty cycle factor: 0...50%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+157.31 грн
10+94.08 грн
16+61.07 грн
43+57.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+104.87 грн
10+56.78 грн
50+47.21 грн
100+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ez.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.55 грн
10+44.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP452 BSP452.pdf
BSP452
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+242.63 грн
10+150.20 грн
100+118.02 грн
250+106.46 грн
500+96.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF irfb4110pbf.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DPBF description irs2153d.pdf
IRS2153DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Output current: -260...180mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSPBF description irs2153d.pdf
IRS2153DSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Output current: -260...180mA
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+162.64 грн
5+130.39 грн
10+114.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60T.pdf
IKP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+138.65 грн
5+99.86 грн
10+86.65 грн
25+38.62 грн
68+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3-DTE.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 187W
Technology: TRENCHSTOP™ 5
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF irf1404.pdf
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.09 грн
10+99.86 грн
17+57.77 грн
45+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+185.75 грн
10+127.92 грн
15+66.02 грн
40+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF irf1404z.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 436 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+119.98 грн
10+90.78 грн
19+51.17 грн
51+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+215.08 грн
5+149.38 грн
10+128.74 грн
12+80.88 грн
33+75.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL auirf1404s.pdf
AUIRF1404STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL auirf1404z.pdf
AUIRF1404ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF irf520n.pdf
IRF520NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.10 грн
10+41.84 грн
25+39.28 грн
40+23.77 грн
110+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+119.09 грн
10+55.38 грн
20+52.08 грн
40+23.69 грн
110+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5-DTE.pdf
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 42A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+207.08 грн
25+137.00 грн
50+107.29 грн
100+105.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5.pdf
IGP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 21A
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 169ns
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.31 грн
50+69.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5-DTE.pdf
IKP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 48nC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+205.30 грн
10+118.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60CFD SPP20N60CFD.pdf
SPP20N60CFD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 description SPP20N60S5.pdf
SPP20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+354.62 грн
3+298.75 грн
6+187.34 грн
14+177.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3 SPx20N65C3.pdf
SPP20N65C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 13.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Polarisation: unipolar
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+439.94 грн
3+368.08 грн
10+325.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205.pdf
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7576 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+156.16 грн
10+76.17 грн
25+61.24 грн
29+33.18 грн
79+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.20 грн
10+88.31 грн
21+45.39 грн
58+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRRPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 440A
на замовлення 707 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+198.19 грн
10+119.67 грн
19+49.52 грн
52+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.